JP2002324774A - 高圧処理方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 半導体基板等の被処理体を圧力容器の被処理
室内で高圧流体を用いて処理する場合、粉塵等の発生源
となるシール部材を不要にするとともに、被処理体を回
転させるためのモータ等の回転駆動源を被処理室内に設
置する必要がない処理方法及び処理装置を提供するこ
と。 【解決手段】 処理容器１の処理室２において、被処理
体５を支持している支持体４を流体によって浮上させる
とともに、流体によって支持体４を容器軸心廻りに回転
するようにしている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高圧処理方法及び
装置に係り、特に超臨界流体により例えば半導体基板や
マイクロマシンなど超微細な構造を有する試料（被処理
体）の洗浄、乾燥、現像等の処理に利用されるものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体の集積回路は大規模化し、その集
積度の増加に伴って半導体ウェハに刻まれる回路パター
ンの線幅はサブミクロンにまで微細化が進んでいる。こ
のような微細な線幅になると、種々薬液による洗浄後、
穴や溝の内部の液を乾燥させる時に常圧乾燥では気液界
面での毛細管応力が働き、収縮やクラックが発生するお
それがある。一方、超臨界乾燥法は、物質に固有の臨界
点（臨界温度、臨界圧力）を超えた状態の持つ「密度は
液体に近く、拡散係数や粘度は気体に近い」という気体
と液体の略中間状態の特性を応用したものであり、この
超臨界乾燥では気液界面が生じず、収縮やクラックによ
る溝部などの倒壊を生じることなく乾燥できる。

【０００３】ただし、超臨界領域には物理的に厳密な境
界領域はなく、例えば温度が臨界点より低い高圧流体で
も超臨界流体と同様の性質が得られる領域がある。この
ような領域は、亜臨界領域と呼ばれている。例えば、特
開平１１−８７３０６号公報には、「基板を収容する反
応槽と、薬液を貯留する液体タンクと、超臨界液体を前
記反応槽に供給する超臨界液体供給装置と、前記反応槽
に設けられ前記液体タンクからの薬液を導入する少なく
とも１つの薬液導入手段と、前記反応槽に設けられた薬
液の排出手段と、前記超臨界液体の排出口と、前記反応
槽の液体を撹拌する撹拌手段を備えていることを特徴と
する超臨界乾燥装置。」が提案されている。

【０００４】また、超臨界ＣＯ₂ により半導体表面から
残留物を除去する方法が特開平１０−１２５６４４号公
報で提案され、更に、レジストの除去に関する方法が特
開昭６０−１９２３３３号公報で提案されている。この
ような用途において前述の従来例では、撹拌装置により
効率よく、あるいは均一な処理をおこなうことが可能で
あることが示唆されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】一般に、撹拌装置の動
力（回転させるモータなど）は圧力容器の外でおこな
い、回転軸を高圧シールしながら容器内で回転・撹拌さ
せるものが多数である。しかしながら、高圧シール部は
軸の回転による摩耗により発塵する（パーティクルが発
生する）。また、軸シール部を無くすために圧力容器内
にこれら撹拌のための回転用動力（モータなど）を設置
すれば、揺動部分やコンタミネーションを生じさせるよ
うな部材が多数容器内にはいるためにパーティクル、メ
タル・コンタミネーション発生源を多数持ち込むことに
なり、ひいてはウェハのメタル汚染やパーティクル汚染
の問題が生じる。

【０００６】特に、半導体分野においては、微小なゴミ
（パーティクル）や金属汚染（メタル・コンタミネーシ
ョン）はその製品品質確保のために排除する必要があ
る。また、洗浄用高圧処理装置などでは腐食性の流体を
使用する場合があり、この場合、圧力容器内に回転用動
力（モータなど）を設置すれば、洗浄液などで回転用動
力（モータなど）の使用材料が腐食を起こし、装置が安
定に動かないだけでなく、その腐食によるメタル・コン
タミネーションやパーティクルの問題が生じることにな
る。

【０００７】このように、超臨界流体を利用した例えば
半導体の洗浄等の処理においては処理時間の短縮、品質
の均一性の観点から撹拌することが望ましい。しかしな
がら、前述の通りパーティクルによる被処理体（ウェ
ハ）の汚染が問題であり、撹拌の効果は非常にあるけれ
ども、パーティクルなどの発生が超臨界処理方法及び装
置として大きな問題となるのである。本発明は、高圧流
体を用いて半導体基板等の被処理体を処理するのに、圧
力容器の処理室内において当該被処理体を浮上させると
いう新規かつ斬新な発想により、粉塵等の発生源となる
シール部材を不要とした処理方法及び処理装置を提供す
ることが第１の目的である。

【０００８】また、本発明は、圧力容器の処理室内にお
いて被処理体を流体によって容器軸心廻りで回転するこ
とにより、効率よくかつ均一な処理が可能であるととも
に、回転駆動源として処理室内にモータなどを設置する
必要がない処理方法及び処理装置を提供することが第２
の目的である。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、処理容器１の
内部に画成した処理室２内に、被処理体５を支持してい
る支持体４を収容して前記被処理体５を処理する方法に
おいて、前述の第１の目的を達成するために、次の技術
的手段を講じている。すなわち、請求項１に係る高圧処
理方法は、前記支持体４を処理室２内で流体によって浮
上した状態で処理することを特徴とするものである。こ
のように支持体４を介して半導体基板等の被処理体５を
浮上して処理することから、支持体４に回転軸とか軸シ
ール等を必要とせずここに腐食や粉塵の発生等はなくな
るのである。

【００１０】また、本発明は、前述の第１及び第２の目
的を達成するために、次の技術的手段の講じている。す
なわち、請求項２に係る高圧処理方法は、前記支持体４
を処理室２内で流体によって浮上させるとともに処理容
器１の軸心廻りに流体によって回転して処理することを
特徴とするものである。このように処理室２内において
被処理体５がこの支持体４を介して流体により浮上され
るとともに容器軸心廻りに回転されることによって、粉
塵等の発生要因がなくなるだけでなく、効率のよい均一
な処理が確保されるのである。

【００１１】前述した請求項１又は２において、処理室
２内において支持体４を浮上させるには、処理室２内の
上方側から吸引することによっても可能であるが、前記
支持体４の上下面に流体が衝突するように、当該流体を
処理室２に導入することで該支持体４を処理室２内で浮
上することが吸引するよりも制御し易いことから推奨さ
れる（請求項３）。更に、前述した請求項２において、
前記処理室２内に流体を接線方向に導入することで支持
体４を処理室２内で容器の軸心廻りに回転することが推
奨される（請求項４）。

【００１２】また、本発明は、処理容器１の内部に画成
した処理室２内に、被処理体５を支持している支持体４
を収容して前記被処理体５を処理する装置において、前
述の第１の目的を達成するために、次の技術的手段を講
じている。すなわち、請求項５に係る高圧処理装置は、
前記支持体４を処理室２内で浮上するための流体による
浮上手段６を備えていることを特徴とするものである。
更に、請求項６に係る高圧処理装置は、前記支持体４を
処理室２内で浮上するための流体による浮上手段６を備
え、前記支持体４を処理容器１の軸心廻りに回転するた
めの流体による回転手段８を備えていることを特徴とす
るものである。

【００１３】また、前述した請求項５又は６に記載の高
圧処理装置において、流体による浮上手段６は、処理室
２の上下に配置している多数の小孔３Ａ−１、３Ｂ−１
を有する分配体３Ａ、３Ｂを含み、支持体４の上下面に
前記小孔３Ａ−１、３Ｂ−１を介して流体が衝突するよ
うに導入されていることが推奨される（請求項７）。更
に、前述した請求項６に記載の高圧処理装置において、
流体による回転手段８は、処理室２内に流体を接線方向
に導入する１又は複数の導入孔９を含むことが推奨され
（請求項８）、また、流体による回転手段８は、処理容
器１の軸心廻りでこの処理室２内に連絡されている流体
排出部７Ａ、７Ｂに備えている翼体１０を含むことが推
奨される（請求項９）。

【００１４】また、前述した請求項８と請求項９との回
転手段８を組み合せることも推奨される（請求項１
０）。更に、請求項１１に係る高圧処理装置は、処理室
２とは別に回転駆動室１３を設け、この回転駆動室１３
に、前記支持体４を処理容器１の軸心廻りで回転するた
めの回転駆動体１４を内装し、前記回転駆動室１３に処
理用流体又は処理用流体とは異なる流体を導入すること
で回転駆動体１４を駆動するように構成されていること
を特徴とするものである。

【００１５】このような構成とされていることから、回
転のためのモータなどは不要であり、処理用流体と同
一、あるいは異なる流体により回転駆動体１４を回すこ
とが可能となり、これによって支持体４が容器軸心廻り
に回転し、効率的、かつ均一な撹拌処理が可能となる。
モータなどが入らないために、電気品（コイルなど）の
腐食性流体への考慮も不要であり、モータのような揺動
箇所の多いものを処理室２に入れないためにパーティク
ル発生量も極力抑えることが可能となる。また、微量に
発生するパーティクルも処理室２と回転のための回転駆
動室１３とを離しているため（処理室２と回転駆動室１
３とを別個に設けているため）に被処理体５にはパーテ
ィクルが付着しない構造となっているのである。

【００１６】また、前述した請求項１１において、前記
支持体４と回転駆動体１４とを連結している軸部１５を
備え、この軸部１５は前記処理室２と回転駆動室１３と
を連絡している連通路１６に内挿されており、この連通
路１６の内周面と軸部１５の外周面との間にラビリンス
構造１７が備えられていることが推奨される（請求項１
２）。このような構成とすると、ラビリンス構造１７に
より、パーティクルが被処理体５への到達確率を下げる
ことが可能となってパーティクルの少ない処理が可能と
なるのである。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図を参照して本発明の実施
の形態について説明する。図１から図３は、請求項１〜
１０に係る本発明の高圧処理方法及び装置の実施の形態
を示している。本明細書において、「高圧処理」とは、
例えば超臨界二酸化炭素（ＣＯ₂ ）の流体（ガス、液体
を含む）によって例えば、半導体基板等の被処理体を洗
浄、乾燥、現像等の処理を行うことである。

【００１８】前述のとおり、超臨界には物理的に厳密な
領域は存在しないので、臨界点近傍の亜臨界領域も含ん
だ高圧流体での処理を行うことである。図２において、
処理容器（圧力容器ともいう）１は互いに接合分離自在
（開閉自在）な上容器１Ａと下容器１Ｂで構成されてい
て、この処理容器１の内部には処理室２が画成されてい
る。すなわち、上容器１Ａと下容器１Ｂの接合面部に円
形状の凹み１Ａ−１、１Ｂ−１を相対して形成すること
によって、処理容器１の軸心廻りに処理室２が画成され
ている。

【００１９】処理容器１の処理室２には高圧流体の分配
体３が嵌合されており、この分配体３は円盤形状であっ
て、上容器１Ａの凹み１Ａ−１および下容器１Ｂの凹み
１Ｂ−１のそれぞれに嵌合されている上・下分配体３
Ａ、３Ｂで構成されており、この上・下分配体３Ａ、３
Ｂ間に、円盤形状の支持体４を介して半導体基板等の被
処理体５が収容されている。支持体４は上・下支持体４
Ａ、４Ｂによって構成されており、この上・下支持体４
Ａ、４Ｂの外周縁部に足部（挟持部）４Ａ−１、４Ｂ−
１を図１で示すように放射状配置で形成することによっ
て、この足部を介して被処理体５の外周縁が支持されて
当該被処理体５が処理室２内に水平状として収容されて
いる。

【００２０】更に、周方向で隣り合う足部４Ａ−１、４
Ｂ−１間は、隙間４Ｃとされ、この放射状配置の隙間４
Ｃを介して被処理体５の上下両面部に倣って（沿って）
高圧流体を水平面上にて流動するようになっている。上
・下分配体３Ａ、３Ｂのそれぞれには多数（無数）の小
孔（細孔）３Ａ−１、３Ｂ−１がほぼ全面に亘って円盤
状の厚さ方向に穿設されているとともに、この小孔の穿
設部位の一面にはリング形状（ドーナツ形状）とされた
凹みによる集合部３Ａ−２、３Ｂ−２が形成され、この
集合部３Ａ−２、３Ｂ−２に対して高圧流体の供給路５
Ａ、５Ｂが上・下容器１Ａ、１Ｂのそれぞれに容器軸方
向として形成されている。

【００２１】図３を参照してより具体的に説明すると、
被処理体５を挟み付けで支持する支持体４が処理容器１
の開閉を介して図示省略したハンドリングロボット等に
より処理室２に収容装入される。処理容器１を閉塞した
状態で供給路５Ａ、５Ｂを通じてポンプ等を利用して高
圧流体を図３の矢印Ａ、Ｂのように導入すると、この流
体は一旦集合部３Ａ−２、３Ｂ−２に集合されて小孔３
Ａ−１、３Ｂ−１を介して支持体４の上下面に衝突する
ように導入されることによって支持体４は処理室２内に
おいて浮上した状態に当該流体によって支持されるので
ある。

【００２２】ここに、供給路５Ａ、５Ｂ、分配体３およ
びポンプ等は、支持体４を処理室２内で流体によって浮
上（処理室２は勿論この中の部品図では分配体３等とは
処理中においては接触していない状態をいう）する浮上
手段６とされているのである。なお、処理室２に導入さ
れた流体は、支持体４の隙間４Ｃおよび中央部に開設し
た孔４Ｄ−１、４Ｅ−１および上・下容器１Ａ、１Ｂの
中心に形成した処理室２に連絡している排出部７Ａ、７
Ｂを通じて矢印Ｃ、Ｄのように処理室２外に排出され、
ここに、被処理体５は、浮上手段６によって流体により
浮上した状態で支持されるとともに高圧流体に暴露（接
触）されることにより、洗浄、乾燥、現像等の処理がな
される。

【００２３】このように、被処理体５は支持体４により
処理室２内において浮上された状態で処理されることか
ら、シール部材のような摺動部分はなくなってパーティ
クル等の発生要因がなくなるのである。なお、被処理体
５を処理室２内において浮上させた状態で処理するに
は、流体を矢印Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄのように流動させながら
の処理であっても、浮上させた後、処理室２内を処理圧
力に保持するように供給路ライン、排出部ライン等に閉
止弁を備えて行うこともでき、いずれにしても、二酸化
炭素の場合処理圧は７０〜２００ｋｇ・ｆ／ｃｍ² （約
７〜２０ＭＰａ）とされ、この処理圧を担持するように
例えば処理容器１はその上・下容器１Ａ、１Ｂをボルト
締結したり、プレスフレームを係脱自在に備えることに
なる。

【００２４】本発明においては、処理室２内において流
体により被処理体５を浮上させ、この流体に暴露（晒
す）ことによって処理は可能であるが、処理のより効率
化および均一化を図るために、支持体４を処理室２内に
おいて流体による容器軸心廻りの回転手段８を備えてい
る。図１〜図３に例示した流体による回転手段（撹拌手
段）８は、処理室２に接線方向に高圧流体を導入する導
入孔９を処理容器１（図では上容器１Ａ）に径方向とし
て（図では図１のように４本であるが、２〜３本、４本
以上の複数本、若しくは１本（ひとつ）であっても良
い）形成することで構成されていて例えば５０〜１００
０ｒｐｍで容器軸心廻りに回転される。

【００２５】従って、導入孔９に連通する供給ライン
（ホース、パイプ等）を通じて図外のポンプ等によって
高圧流体を処理室２に供給すると、流体によって浮上さ
れている支持体４がその軸心廻りに回転するとともに、
隙間４Ｃを介して図１の矢印Ｆのように渦流となって被
処理体５の上下両面に倣って（沿って）流動し、孔４Ｄ
−１、４Ｅ−１および排出部７Ａ、７Ｂを通じて浮上用
の流体とともに処理室２外に排出されるのである。この
ように、支持体４を介して被処理体５が処理室２内にお
いて流体によって浮上された状態でしかも流体による回
転手段８による撹拌によって効率が良く、均一性に富ん
だ処理を行うのである。

【００２６】回転手段（撹拌手段）８としては、上・下
分配体３Ａ、３Ｂの中心において、排出部７Ａ、７Ｂに
近い部分に翼体１０を設け、この翼体１０を流体が通る
（通過）するときに回転力（撹拌作用）を発生し、支持
体４を軸心廻りに回転するようにされている。このとき
は、支持体４の回転方向は、渦流の流線Ｆとは逆方向で
あることが、撹拌の効果が増大される観点から望ましい
が勿論正方向であっても良い。更に、翼体１０はこれを
孔４Ｄ−１，４Ｅ−１に設けることもできるが、排出部
７Ａ、７Ｂの直前に設けることが清浄度の観点から望ま
しく、また、翼体１０としては、プロペラ、水車等の構
造とすることも可能である。

【００２７】以上、図１〜図３を参照して請求項１〜９
に係る発明の構成と作用を説明したが、この実施の形態
は、次のように設計変更することもできる。 （１）；集合部３Ａ−２、３Ｂ−２はこれを上・下容器
１Ａ、１Ｂの凹み１Ａ−１、１Ｂ−１に形成することも
できる。ただし、上・下分配体３Ａ、３Ｂに集合部３Ａ
−２、３Ｂ−２を形成する方が、加工性の観点などから
有利である。 （２）；（１）で述べた集合部３Ａ−２、３Ｂ−２はこ
れを省略することも可能であるが、省略しない方が浮上
のための制御等の観点から有利である。 （３）；流体による回転手段８として上・下分配体３
Ａ、３Ｂに形成した浮上用の小孔（細孔）３Ａ−１、３
Ｂ−１を傾斜孔とか渦流孔（スリット）等に形成するこ
とによって、支持体４の浮上と回転（撹拌）を兼用して
も良い。 （４）；更に、流体による浮上手段６としては、処理室
２を上方に向って吸引する流体によって行うことも理論
的には可能である。

【００２８】図４および図５は、請求項１１および１２
に係る高圧処理装置の実施の形態を示している。図４お
よび図５において、圧力容器１の内部に形成した処理室
２には、半導体基板等の被処理体５をピン等で支持した
支持体４が容器軸心廻りで回転するように備えられてい
るとともに、被処理体５と上方にて相対して雰囲気制御
部材１１が備えられており、高圧流体は、圧力容器（反
応槽）１の上部中心から雰囲気制御部材１１のボス部１
１Ａに形成した供給孔１２Ａを介してボンベ又はポンプ
等を有するラインＬによって処理室２に導入され、処理
室２の底部の排出孔１２Ｂを介して排出することで処理
室２内において洗浄、リンス、乾燥、現像などの所定の
処理が可能である。

【００２９】処理室２とは別に回転駆動室１３が設けら
れ、両室２、１３はそれぞれ離されており、回転駆動室
１３には流体によって軸心廻り回転する回転駆動体１４
が内装され、この回転駆動体１４が回転されると軸部１
５を介して支持体４が例えば５０〜１０００ｒｐｍで容
器軸心廻りで回転し、ここに、処理室２は撹拌されて効
率の良い、均一性に富んだ処理が可能である。このよう
に、処理室２とは離された回転駆動室１３に回転駆動体
１４を内装することによって、処理室２内に電動モータ
等を設置して支持体４を回転駆動するものに比べて、パ
ーティクル等の発生要因をなくしているとともに、回転
駆動体１４を流体によって駆動することによって、パー
ティクル、メタル・コンタミネーション等の被処理体５
への付着が防止されるのである。

【００３０】回転駆動体１４を駆動するための流体は、
処理用流体とは異なるアルゴン、窒素等の不活性ガスを
図４で示すラインＬ１を介して駆動室１３内に導入・排
出することもできるし、図５のようにラインＬから分岐
したラインＬ２を介して処理用流体を駆動室１３内に導
入・排出することであっても良い。但し、図５で示すよ
うに分岐ラインＬ２として処理用流体（ガス）と回転用
流体（ガス）を共用させることにより、高圧ガス源（例
えばボンベ）を複数持つことが必要でなくなり、コスト
的にメリットがあるだけでなく、処理用ガスに回転用ガ
スが混じることも無くなるために、処理用ガスの純度の
点でもメリットがある。

【００３１】更に、図４および図５において、回転駆動
体１４にはこれを流体（処理用流体又はこれとは異なる
流体）によって回転駆動するものであることから、羽根
１４Ａを設けて流体による回転を確実にすることが望ま
しい。勿論、羽根１４Ａがなくとも流体による回転駆動
は可能である。また、図４および図５で示すように、前
記支持体４と回転駆動体１４とを連結している軸部１５
を備え、この軸部１５は前記処理室２と回転駆動室１３
とを連絡している連通路１６に内挿されており、この連
通路１６の内周面と軸部１５の外周面との間にラビリン
ス構造１７が備えられている。

【００３２】このラビリンス構造１７は、連通路１６を
迷路（蛇行路）とする邪魔板でもあり、処理室２と回転
駆動室１３の雰囲気を分ける作用を行うものであり、図
示のように複数段とすることが望ましい。但し、このラ
ビリンス構造１７を設けなくとも本発明の作用効果は十
分に達成可能である。更に、図５で示すように、駆動室
１３には回転駆動体１４の回転振れを防止するための軸
受け１８が設置され、軸部１５を介しての支持体４の回
転の安定性を増すようになっている。

【００３３】ただし、軸受け１８は基本的に擦れるため
にパーティクルの発生は避けられない。従って、前述し
たラビリンス構造１７を採用することにより清浄な雰囲
気が必要な処理室２と回転のために必要であるがパーテ
ィクルの発生などがあり若干ダーティーな雰囲気の駆動
室１３とを隔離することが可能となるために効率的、か
つ均一な処理のために必要な撹拌装置（回転駆動体１４
により回転される支持体４）を、パーティクルを被処理
体５に付着させること無く処理することが可能となる。

【００３４】次に、図４及び図５に基づいてその操作例
（処理例）を説明するがこの実施の形態による処理圧は
前述したように二酸化炭素の場合は約７〜２０ＭＰａで
あり、支持体４の回転数は５０〜１０００ｒｐｍとする
ことができる。ウェハ（被処理体）５を支持体４の上に
設置する。ウェハはピン、又はウェハのエッジを保持す
るようになっている（図示せず）。圧力容器１の処理室
２内にこれらがハンドリングロボット等により挿入さ
れ、洗浄、リンス、乾燥など所定の処理をおこなう。処
理用のガス、または液体は圧力容器１の上方から供給孔
１２Ａを介して導入され、下方の排出孔１２Ｂより排出
される。処理用ガスは、例えば超臨界ＣＯ₂ であるが、
洗浄などの場合はＣＯ₂ に薬液等を溶かし込んだり、薬
液を別途送ることも可能である（この点については、図
１〜３を参照して既述した実施の形態でも同様であ
る）。

【００３５】このとき回転駆動体１４により撹拌をおこ
なうと効率的、かつ均一的な処理が可能となる。この回
転は図４の例によると回転用のガス、例えばアルゴンや
窒素のような不活性ガスを駆動室１３に導入・排出する
ことで行われ、図５の例では処理用ガス（流体）を共用
することで行われる。ラビリンス構造１７は図４の例で
は駆動室１３内を流れる回転用ガス（例えばアルゴンガ
ス）と処理用ガス（例えばＣＯ₂ ）が積極的に混じるの
を阻害し、駆動室１３内で発生するパーティクルなどが
処理室２に混入するのを阻害する。このラビリンス構造
１７はこれが無くても、処理ガスの流量と回転用ガスの
流量の割合により、ウェハ側（処理室２）に混入するこ
とを防ぐことが可能である。

【００３６】例えば、処理ガスの流量を非常に大きくす
れば、図の上から下向きに処理ガスが流れることになり
駆動室１３で発生するパーティクルは上方には上がって
こない。ただし、支持体４を早く回したい場合には、回
転用ガスを多く流す必要があり、この時処理用ガスはあ
まり流したくない場合などは、ラビリンス構造１７があ
った方が望ましい。図４および図５で例示した処理装置
によれば、回転のためのモータなどは不要であり、処理
用流体と同一、あるいは異なる流体により、回転駆動体
１４を介して支持体４を回すことが可能となり、効率
的、かつ均一的な撹拌処理が可能となる。モータなどが
処理室２に入らないために、電気品（コイルなど）の腐
食性流体への考慮も不要であり、モータのような摺動箇
所の多いものも入れないためにパーティクル発生量も極
力抑えることが可能となる。

【００３７】また、微量に発生するパーティクルも処理
室２と回転のための室１３とを離しているために被処理
体（ウェハ）５には付着しない構造となっている。更
に、ラビリンス構造１７により、パーティクルの被処理
体（ウェハ）５への到達確率を下げることが可能とな
り、パーティクルの少ない処理が可能となったのであ
る。図４および図５で例示した高圧処理装置は一例であ
って、次のような設計変更は可能である。 （１）；雰囲気制御部材１１はこれを省略すること。 （２）；処理室２と回転駆動室１３とは図とは逆に、回
転駆動室１３を上部とし、処理室２を下部とし上方駆動
式にすること。 （３）；処理室２内の支持体４に羽根等を付設して支持
体４の回転によって処理室２の雰囲気等を撹拌するこ
と。 （４）；支持体４上に複数の被処理体５を等間隔に隙間
を空けて積層して支持し処理すること。

【００３８】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
パーティクル等の発生が抑えられるし、効率のよい均一
性に富んだ高圧流体による洗浄、乾燥等の処理が可能と
なった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る高圧処理装置の一実施形態を示す
要部の横断平面図である。

【図２】同じく縦断側面図である。

【図３】図２の挙動を併せて示す断面図である。

【図４】本発明に係る高圧処理装置の他の実施形態を示
す縦断側面図である。

【図５】本発明に係る高圧処理装置の他の実施形態を示
す縦断側面図である。

【符号の説明】

１ 処理容器 ２ 処理室 ４ 支持体 ５ 被処理体 ６ 浮上手段 ８ 回転手段 １３ 回転駆動室 １４ 回転駆動体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡邉 克充 兵庫県高砂市荒井町新浜２丁目３番１号 株式会社神戸製鋼所高砂製作所内 (72)発明者 大柴 久典 兵庫県高砂市荒井町新浜２丁目３番１号 株式会社神戸製鋼所高砂製作所内 (72)発明者 山形 昌弘 兵庫県高砂市荒井町新浜２丁目３番１号 株式会社神戸製鋼所高砂製作所内 (72)発明者 村岡 祐介 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁 目天神北町１番地の１ 大日本スクリーン 製造株式会社内 (72)発明者 斉藤 公続 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁 目天神北町１番地の１ 大日本スクリーン 製造株式会社内 (72)発明者 溝端 一国雄 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁 目天神北町１番地の１ 大日本スクリーン 製造株式会社内 (72)発明者 北門 龍治 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁 目天神北町１番地の１ 大日本スクリーン 製造株式会社内 Ｆターム(参考） 3B116 AA03 AA47 AB33 AB47 BB21 BB87 BB90 CC01 CC03 3L113 AA03 AB02 AB08 AC28 AC45 AC46 AC54 AC55 AC67 AC68 BA34 DA01 DA24

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理容器（１）の内部に画成した処理室
   （２）内に、被処理体（５）を支持している支持体
   （４）を収容して前記被処理体（５）を処理する方法に
   おいて、 前記支持体（４）を処理室（２）内で流体によって浮上
   した状態で処理することを特徴とする高圧処理方法。
2. 【請求項２】 処理容器（１）の内部に画成した処理室
   （２）内に、被処理体（５）を支持している支持体
   （４）を収容して前記被処理体（５）を処理する方法に
   おいて、 前記支持体（４）を処理室（２）内で流体によって浮上
   させるとともに処理容器（１）の軸心廻りに流体によっ
   て回転して処理することを特徴とする高圧処理方法。
3. 【請求項３】 支持体（４）の上下面に流体が衝突する
   ように、当該流体を処理室（２）に導入することで該支
   持体（４）を処理室（２）内で浮上することを特徴とす
   る請求項１又は２に記載の高圧処理方法。
4. 【請求項４】 処理室（２）内に流体を接線方向に導入
   することで支持体（４）を処理室（２）内で容器の軸心
   廻りに回転することを特徴とする請求項２に記載の高圧
   処理方法。
5. 【請求項５】 処理容器（１）の内部に画成した処理室
   （２）内に、被処理体（５）を支持している支持体
   （４）を収容して前記被処理体（５）を処理する装置に
   おいて、 前記支持体（４）を処理室（２）内で浮上するための流
   体による浮上手段（６）を備えていることを特徴とする
   高圧処理装置。
6. 【請求項６】 処理容器（１）の内部に画成した処理室
   （２）内に、被処理体（５）を支持している支持体
   （４）を収容して被処理体（５）を処理する装置におい
   て、 前記支持体（４）を処理室（２）内で浮上するための流
   体による浮上手段（６）を備え、前記支持体（４）を処
   理容器（１）の軸心廻りに回転するための流体による回
   転手段（８）を備えていることを特徴とする高圧処理装
   置。
7. 【請求項７】 流体による浮上手段（６）は、処理室
   （２）の上下に配置している多数の小孔（３Ａ−１）
   （３Ｂ−１）を有する分配体（３Ａ）（３Ｂ）を含み、
   支持体（４）の上下面に前記小孔（３Ａ−１）（３Ｂ−
   １）を介して流体が衝突するように導入されていること
   を特徴とする請求項５又は６に記載の高圧処理装置。
8. 【請求項８】 流体による回転手段（８）は、処理室
   （２）内に流体を接線方向に導入する１又は複数の導入
   孔（９）を含むことを特徴とする請求項６に記載の高圧
   処理装置。
9. 【請求項９】 流体による回転手段（８）は、処理容器
   （１）の軸心廻りでこの処理室（２）内に連絡されてい
   る流体排出部（７Ａ）（７Ｂ）に備えている翼体（１
   ０）を含むことを特徴とする請求項６に記載の高圧処理
   装置。
10. 【請求項１０】 請求項８と請求項９との回転手段
    （８）を組み合せていることを特徴とする請求項６に記
    載の高圧処理装置。
11. 【請求項１１】 処理容器（１）内部に画成した処理室
    （２）内に、被処理体（５）を支持している支持体
    （４）を収容して被処理体（５）を処理する装置におい
    て、 処理室（２）とは別に回転駆動室（１３）を設け、この
    回転駆動室（１３）に、前記支持体（４）を処理容器
    （１）の軸心廻りで回転するための回転駆動体（１４）
    を内装し、前記回転駆動室（１３）に処理用流体又は処
    理用流体とは異なる流体を導入することで回転駆動体
    （１４）を駆動するように構成されていることを特徴と
    する高圧処理装置。
12. 【請求項１２】 前記支持体（４）と回転駆動体（１
    ４）とを連結している軸部（１５）を備え、この軸部
    （１５）は前記処理室（２）と回転駆動室（１３）とを
    連絡している連通路（１６）に内挿されており、この連
    通路（１６）の内周面と軸部（１５）の外周面との間に
    ラビリンス構造（１７）が備えられていることを特徴と
    する請求項１１に記載の高圧処理装置。