JP2002314109A5 - - Google Patents
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Description
Claims (12)
- 基板上に、透明導電層及び光電変換層がこの順に１組積層されてなり、
前記透明導電層が光電変換層側の表面に複数の穴を有しており、該穴の表面に凹凸が形成されていることを特徴とする単接合型薄膜太陽電池。 - 基板の表面に形成される穴の密度が、０．１〜５個／μｍ 2 である請求項１に記載の薄膜太陽電池。
- 光電変換層がｐｉｎ接合により形成されてなり、ｉ層が結晶質層により形成されている請求項１又は２に記載の薄膜太陽電池。
- 基板の表面に、複数の穴が形成されており、該穴の表面に凹凸が形成されている請求項１〜３のいずれか１つに記載の薄膜太陽電池。
- 透明導電層の表面に形成された穴の直径が２００ｎｍ以上、２０００ｎｍ以下の範囲にあり、該穴の深さが５０ｎｍ以上、１２００ｎｍ以下の範囲にあり、該穴の表面にある凹凸の高低差が１０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下の範囲にある請求項１〜４のいずれか１つに記載の薄膜太陽電池。
- 穴が形成された透明導電層表面の前記穴以外の表面に凹凸が形成されており、該凹凸の高低差が１０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下の範囲にある請求項１〜４のいずれか１つに記載の薄膜太陽電池。
- 透明導電層が、酸化亜鉛を主体として形成されてなる請求項１〜６のいずれか１つに記載の薄膜太陽電池。
- 光電変換層を構成するｉ層が、シリコン又はシリコン合金を含む請求項１〜７のいずれか１つに記載の薄膜太陽電池。
- ｉ層の（２２０）Ｘ線回折ピークの積分強度Ｉ220と、（１１１）Ｘ線回折ピークの積分強度Ｉ111の比I220／I111が５以上である請求項１〜８のいずれか１つに記載の薄膜太陽電池。
- 透明導電層が基板面に対して配向している請求項１〜９のいずれか１つに記載の薄膜太陽電池。
- 請求項１〜１０のいずれか１つに記載の単接合型薄膜太陽電池を製造するに際し、基板及び／又は透明導電層の表面をエッチングすることにより、透明導電層の表面に複数の穴及び凹凸を形成することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
- 請求項１〜１０のいずれか１つに記載の単接合型薄膜太陽電池を製造するに際し、透明導電層を、その表面に穴が形成されるように成膜することにより、透明導電層の表面に複数の穴及び凹凸を形成することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
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Applications Claiming Priority (3)
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| JP2002314109A JP2002314109A (ja) | 2002-10-25 |
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