JP2002313772A - Substrate processor - Google Patents
Substrate processorInfo
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- JP2002313772A JP2002313772A JP2001118579A JP2001118579A JP2002313772A JP 2002313772 A JP2002313772 A JP 2002313772A JP 2001118579 A JP2001118579 A JP 2001118579A JP 2001118579 A JP2001118579 A JP 2001118579A JP 2002313772 A JP2002313772 A JP 2002313772A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイパネ
ル用ガラス基板および磁気／光ディスク用基板などの各
種基板に対して、処理液を用いた処理を施すための基板
処理装置に関する。[0001] The present invention relates to a semiconductor wafer,
The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing processing using a processing liquid on various substrates such as a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a plasma display panel, and a substrate for a magnetic / optical disk.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置や液晶表示装置の製造工程で
は、基板に処理液（薬液または純水）を供給して基板の
表面処理を行うための基板処理装置が用いられる。基板
を１枚ずつ処理する枚葉型の基板処理装置は、たとえ
ば、基板を水平に保持して回転させるスピンチャック
と、このスピンチャックに保持された基板の上面に対向
して配置された遮断板とを備えている。処理時には、ス
ピンチャックによって基板が水平面内で回転されるとと
もに、遮断板が基板の上面に近接した位置に近づけられ
て回転される。遮断板の下面中央付近には、基板の上面
に処理液を供給するための処理液供給ノズルが配置さ
れ、この処理液供給ノズルから基板の上面に向けて鉛直
下向きに処理液が供給される。2. Description of the Related Art In a manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, a substrate processing apparatus for supplying a processing liquid (chemical solution or pure water) to a substrate to perform a surface treatment of the substrate is used. 2. Description of the Related Art A single-wafer-type substrate processing apparatus that processes substrates one by one includes, for example, a spin chuck that horizontally holds and rotates a substrate, and a blocking plate that is disposed to face an upper surface of the substrate held by the spin chuck. And During processing, the substrate is rotated in a horizontal plane by the spin chuck, and the blocking plate is rotated closer to a position close to the upper surface of the substrate. A processing liquid supply nozzle for supplying a processing liquid to the upper surface of the substrate is disposed near the center of the lower surface of the blocking plate, and the processing liquid is supplied vertically downward from the processing liquid supply nozzle toward the upper surface of the substrate.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
構成では、基板の上面に対してほぼ直角に処理液が入射
するため、基板の上面における処理液の跳ね返りが大き
く、その跳ね返った処理液が遮断板の下面に付着して基
板汚染の原因になるおそれがあった。すなわち、遮断板
の下面に付着していると、基板および遮断板を高速回転
させて基板に付着した液滴を振り切る乾燥処理時に、そ
の遮断板に付着した処理液が基板上に落下して、基板の
上面に同心円状の処理液跡が形成されるおそれがある。
また、遮断板の下面に付着した処理液が乾燥して結晶化
することにより、パーティクルとなるおそれがある。However, in such a configuration, since the processing liquid is incident substantially perpendicularly to the upper surface of the substrate, the processing liquid largely rebounds on the upper surface of the substrate, and the repelled processing liquid is repelled by the processing liquid. There is a possibility that the particles may adhere to the lower surface of the blocking plate and cause substrate contamination. That is, when the liquid adheres to the lower surface of the blocking plate, the substrate and the blocking plate are rotated at a high speed to shake off the liquid droplets adhered to the substrate. Concentric traces of the processing liquid may be formed on the upper surface of the substrate.
In addition, the processing liquid attached to the lower surface of the blocking plate is dried and crystallized, and thus may become particles.
【０００４】そこで、この発明の目的は、とくに基板の
上面における処理液の跳ね返りを抑制できる基板処理装
置を提供することである。Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus which can suppress the rebound of the processing liquid particularly on the upper surface of the substrate.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板
（Ｗ）に処理液を用いた処理を施す基板処理装置であっ
て、基板をほぼ水平に保持して回転させる基板保持回転
手段（１）と、この基板保持回転手段に保持された基板
の側方を取り囲むように設けられており、基板から周囲
に飛散する処理液を捕獲するための飛沫捕獲手段（４）
と、この飛沫捕獲手段に取り付けられており、上記基板
保持回転手段に保持された基板に対して、平面視で基板
の外方から処理液を供給するための処理液供給手段
（５，６）とを含むことを特徴とする基板処理装置であ
る。According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing processing using a processing liquid on a substrate (W), comprising: Holding / rotating means (1) for holding and rotating the substrate substantially horizontally, and provided so as to surround the side of the substrate held by the substrate holding / rotating means, and captures the processing liquid scattered from the substrate to the periphery. Capture means (4)
Processing liquid supply means (5, 6) attached to the droplet capturing means for supplying a processing liquid to the substrate held by the substrate holding and rotating means from outside the substrate in plan view. And a substrate processing apparatus.
【０００６】なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態
における対応構成要素等を表す。以下、この項において
同じ。この発明によれば、処理液供給手段は、飛沫捕獲
手段に取り付けられていて、平面視で基板の外方から基
板に処理液を供給する。これにより、基板に供給された
処理液は、スムーズに基板の表面に沿った流れを形成す
る。したがって、基板の表面における処理液の跳ね返り
が小さく抑えられる。[0006] Alphanumeric characters in parentheses indicate corresponding components in the embodiment described later. Hereinafter, the same applies in this section. According to this invention, the processing liquid supply means is attached to the droplet capturing means, and supplies the processing liquid to the substrate from outside the substrate in plan view. Thus, the processing liquid supplied to the substrate smoothly forms a flow along the surface of the substrate. Therefore, the rebound of the processing liquid on the surface of the substrate is suppressed to be small.
【０００７】また、基板上面付近における気流の乱れを
防止する目的で、基板上面に対向して遮断板（２）が配
置されても、基板上面における処理液の跳ね返りが小さ
いから、遮断板に多量の処理液が付着するおそれがな
い。ゆえに、遮断板の下面から処理液や処理液の結晶が
基板上に落下することによる基板汚染の問題を招くおそ
れはない。さらにまた、処理液が有する基板の表面に沿
う方向の速度成分が、基板表面における処理液の流れを
助勢するから、基板表面の中心に対して鉛直方向に処理
液を供給する構成の装置に比べて、基板保持回転手段に
よる基板の回転速度を低く抑えることができ、また、基
板に供給される処理液の流量を小さく抑えることができ
る。よって、装置のランニングコストを低減することが
できる。In addition, even if the shut-off plate (2) is arranged opposite to the upper surface of the substrate for the purpose of preventing the turbulence of the air flow near the upper surface of the substrate, a large amount of the processing liquid rebounds on the upper surface of the substrate. There is no danger of the treatment liquid adhering. Therefore, there is no possibility of causing a problem of substrate contamination due to the processing liquid or crystals of the processing liquid falling onto the substrate from the lower surface of the blocking plate. Furthermore, since the velocity component of the processing liquid in the direction along the surface of the substrate assists the flow of the processing liquid on the substrate surface, compared with an apparatus configured to supply the processing liquid vertically to the center of the substrate surface. As a result, the rotation speed of the substrate by the substrate holding and rotating means can be reduced, and the flow rate of the processing liquid supplied to the substrate can be reduced. Therefore, the running cost of the device can be reduced.
【０００８】請求項２記載の発明は、上記基板処理装置
は、上記飛沫捕獲手段を所定の上方位置と下方位置との
間で昇降させる昇降駆動手段（４４）をさらに含み、上
記飛沫捕獲手段は、上記上方位置に上昇した状態で上記
基板保持回転手段に保持された基板の端面に対向する第
１の処理液捕獲面（４２）と、上記下方位置に下降した
状態で上記基板保持回転手段に保持された基板の端面に
対向する第２の処理液捕獲面（４１）とを有するもので
あることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置であ
る。According to a second aspect of the present invention, the substrate processing apparatus further includes a lifting drive means (44) for raising and lowering the droplet capturing means between a predetermined upper position and a lower position, and the droplet capturing means comprises: A first processing liquid capturing surface facing the end face of the substrate held by the substrate holding and rotating means in a state of being raised to the upper position; and a first processing liquid capturing surface in a state of being lowered to the lower position. 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a second processing liquid capturing surface facing the end surface of the held substrate.
【０００９】この発明によれば、たとえば、回転中の基
板の表面に処理液が供給された場合に、基板の回転によ
る遠心力を受けて基板端縁から側方に飛散する処理液
は、飛沫捕獲手段が上方位置に上昇した状態では第１の
処理液捕獲面に捕獲され、飛沫捕獲手段が下方位置に下
降した状態では第２の処理液捕獲面に捕獲される。すな
わち、飛沫捕獲手段が上方位置にある状態と下方位置に
ある状態とで、基板から振り切られる処理液の飛沫を異
なる面で捕獲することができる。According to the present invention, for example, when the processing liquid is supplied to the surface of the rotating substrate, the processing liquid that scatters laterally from the edge of the substrate due to the centrifugal force caused by the rotation of the substrate is scattered. When the capturing means is raised to the upper position, the liquid is captured on the first processing liquid capturing surface, and when the droplet capturing means is lowered to the lower position, the liquid is captured on the second processing liquid capturing surface. That is, the droplets of the processing liquid that are shaken off from the substrate can be captured on different surfaces when the droplet capturing unit is at the upper position and the lower position.
【００１０】よって、請求項３記載のように、上記基板
処理装置が、上記第１の処理液捕獲面で捕獲された処理
液が流通する第１の捕獲液流通路（３５）と、上記第２
の処理液捕獲面で捕獲された処理液が流通する第２の捕
獲液流通路（３４）とをさらに備えている場合には、第
１の処理液捕獲面で捕獲された処理液を第１の捕獲液流
通路を通して回収し、第２の処理液捕獲面で捕獲された
処理液を第２の捕獲液流通路を通して排液するといった
ことが可能になる。ゆえに、再利用可能な処理液を回収
して再利用するようにすれば、その処理液の消費量を抑
えることができ、装置のランニングコストの低減を図る
ことができる。According to a third aspect of the present invention, the substrate processing apparatus includes: a first capturing liquid flow passage (35) through which the processing liquid captured by the first processing liquid capturing surface flows; 2
And a second capture liquid flow passage (34) through which the processing liquid captured by the processing liquid capturing surface of the first processing liquid flows. , And the processing liquid captured on the second processing liquid capturing surface is drained through the second capturing liquid flow path. Therefore, if the reusable processing liquid is collected and reused, the consumption of the processing liquid can be suppressed, and the running cost of the apparatus can be reduced.
【００１１】請求項４記載の発明は、上記処理液供給手
段は、上記飛沫捕獲手段が上記上方位置に上昇した状態
で予め定める第１の処理液を基板に供給する第１ノズル
（６）と、上記飛沫捕獲手段が上記下方位置に下降した
状態で上記第１の処理液とは成分の異なる第２の処理液
を基板に供給する第２ノズル（５）とを含むものである
ことを特徴とする請求項２または３記載の基板処理装置
である。この発明によれば、飛沫捕獲手段には、第１の
処理液を供給するための第１ノズルと第２の処理液を供
給するための第２ノズルとが取り付けられている。According to a fourth aspect of the present invention, the processing liquid supply means includes a first nozzle (6) for supplying a predetermined first processing liquid to the substrate in a state where the droplet capturing means has risen to the upper position. And a second nozzle (5) for supplying a second processing liquid having a component different from that of the first processing liquid to the substrate in a state where the droplet capturing means is lowered to the lower position. A substrate processing apparatus according to claim 2 or 3. According to the present invention, the droplet capturing means is provided with the first nozzle for supplying the first processing liquid and the second nozzle for supplying the second processing liquid.
【００１２】この場合、上記第１ノズルおよび第２ノズ
ルは、上記飛沫捕獲手段の上方位置と下方位置との高低
差に等しい間隔を空けて、上下に並べて取り付けられる
ことが好ましい。こうすることにより、飛沫捕獲手段が
上方位置にある時の第２ノズルの位置と飛沫捕獲手段が
下方位置にある時の第１ノズルの位置とを一致させるこ
とができ、第１ノズルおよび第２ノズルから基板表面の
同じ位置に処理液を供給することができる。これによ
り、第１ノズルから処理液を吐出させる時と第２ノズル
から処理液を吐出させる時とで、処理液の流量や基板回
転保持手段による基板回転速度などを変更することな
く、基板に対して同様に処理液を供給することができ
る。In this case, it is preferable that the first nozzle and the second nozzle are mounted side by side at an interval equal to a height difference between an upper position and a lower position of the droplet catching means. By doing so, the position of the second nozzle when the droplet capturing means is at the upper position and the position of the first nozzle when the droplet capturing means is at the lower position can be matched, and the first nozzle and the second nozzle The processing liquid can be supplied from the nozzle to the same position on the substrate surface. This allows the substrate to be discharged without changing the flow rate of the processing liquid or the substrate rotation speed by the substrate rotation holding means between the time when the processing liquid is discharged from the first nozzle and the time when the processing liquid is discharged from the second nozzle. The processing liquid can be similarly supplied.
【００１３】請求項５記載の発明は、上記処理液供給手
段は、上記基板保持回転手段に保持された基板の上面に
処理液を供給するものであることを特徴とする請求項１
ないし４のいずれかに記載の基板処理装置である。この
発明によれば、基板の上面における処理液の跳ね返りを
抑制することができる。なお、請求項６に記載のよう
に、上記処理液供給手段は、上記基板保持回転手段に保
持された基板の上面において、上記基板保持回転手段に
よる基板の回転中心を中心（Ｏ）とし、当該基板の回転
半径のほぼ１／４の長さを半径とする円形領域内に処理
液を供給するものであることが好ましい。According to a fifth aspect of the present invention, the processing liquid supply means supplies the processing liquid to the upper surface of the substrate held by the substrate holding and rotating means.
5. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4. According to the present invention, the rebound of the processing liquid on the upper surface of the substrate can be suppressed. According to a sixth aspect of the present invention, the processing liquid supply means has a center (O) on the center of rotation of the substrate by the substrate holding and rotating means on an upper surface of the substrate held by the substrate holding and rotating means. It is preferable that the processing liquid is supplied into a circular region having a radius substantially equal to a quarter of the rotation radius of the substrate.
【００１４】また、請求項７に記載のように、上記処理
液供給手段は、処理液供給開始位置と上記基板の回転中
心とを通る直線の基板上面への投影直線（Ｌ）に直交す
る基板直径（Ｍ）よりも上記処理液供給開始位置側の半
円形領域内に処理液を供給するものであることがより好
ましい。さらには、請求項８に記載のように、上記処理
液供給手段は、上記処理液供給開始位置と上記基板の回
転中心とを通る直線の基板上面への投影直線よりも基板
回転方向に関して上流側の扇形領域内に処理液を供給す
るものであることがより一層好ましい。According to a seventh aspect of the present invention, the processing liquid supply means includes a substrate orthogonal to a straight line (L) projected on the upper surface of the substrate and passing through a processing liquid supply start position and a rotation center of the substrate. More preferably, the processing liquid is supplied into a semicircular region on the processing liquid supply start position side with respect to the diameter (M). Further, as set forth in claim 8, the processing liquid supply means is located upstream of a straight line passing through the processing liquid supply start position and the rotation center of the substrate on a substrate upper surface with respect to a projection straight line on the upper surface of the substrate. It is even more preferable that the processing liquid is supplied into the fan-shaped region.
【００１５】請求項９記載の発明は、上記基板保持回転
手段に保持された基板の上面に近接した位置に、その基
板の上面に対向して配置される対向板（２）をさらに含
むことを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載
の基板処理装置である。この発明のように、基板の上面
に対向して対向板が配置されても、基板上面における処
理液の跳ね返りが小さいから、その対向板に多量の処理
液が付着するおそれがない。ゆえに、対向板の下面から
処理液や処理液の結晶が基板上に落下することによる基
板汚染の問題を招くおそれはない。According to a ninth aspect of the present invention, an opposing plate (2) is provided at a position close to the upper surface of the substrate held by the substrate holding and rotating means, the opposing plate (2) being arranged to face the upper surface of the substrate. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein: Even when the opposing plate is disposed so as to face the upper surface of the substrate as in the present invention, a large amount of the processing liquid does not adhere to the opposing plate because the rebound of the processing liquid on the upper surface of the substrate is small. Therefore, there is no possibility of causing the problem of substrate contamination due to the processing liquid or crystals of the processing liquid falling onto the substrate from the lower surface of the opposing plate.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明する
ための概念図である。この基板処理装置は、基板の一例
である半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）
Ｗに対して処理液による表面処理を施すためのものであ
る。ウエハＷに対する表面処理は、たとえば、ウエハＷ
の表面を薬液または純水で洗浄する洗浄処理であっても
よい。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a conceptual diagram for explaining a configuration of a substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention. This substrate processing apparatus is a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as “wafer”) as an example of a substrate.
This is for subjecting W to a surface treatment using a treatment liquid. The surface treatment on the wafer W is performed, for example, by using the wafer W
May be a cleaning process of cleaning the surface of the substrate with a chemical solution or pure water.
【００１７】この基板処理装置は、ウエハＷをほぼ水平
に保持するとともに、その中心を通るほぼ鉛直な回転軸
線まわりにウエハＷを回転させるためのスピンチャック
１を備えている。スピンチャック１は、チャック回転駆
動機構１１によって回転される回転軸１２の上端に固定
されている。この回転軸１２は、中空軸となっていて、
回転軸１２の内部には、処理液としての薬液または純水
が選択的に供給される下面処理液供給管１３が挿通され
ている。下面処理液供給管１３は、スピンチャック１に
保持されたウエハＷに近接する位置まで延びており、そ
の先端には、ウエハＷの下面中央に向けて処理液を吐出
する下面ノズル１４が形成されている。This substrate processing apparatus is provided with a spin chuck 1 for holding the wafer W substantially horizontally and rotating the wafer W about a substantially vertical rotation axis passing through the center thereof. The spin chuck 1 is fixed to an upper end of a rotation shaft 12 rotated by a chuck rotation drive mechanism 11. This rotating shaft 12 is a hollow shaft,
A lower surface processing liquid supply pipe 13 through which a chemical solution or pure water as a processing liquid is selectively supplied is inserted into the rotation shaft 12. The lower processing liquid supply pipe 13 extends to a position close to the wafer W held by the spin chuck 1, and a lower nozzle 14 for discharging the processing liquid toward the center of the lower surface of the wafer W is formed at the tip of the lower processing liquid supply pipe 13. ing.
【００１８】スピンチャック１の上方には、中心部に開
口を有する円板状の遮断板２が設けられている。遮断板
２は、アーム２１の先端付近から垂下した支持軸２２の
下端に、スピンチャック１に保持されたウエハＷの上面
に対向するように取り付けられている。支持軸２２の内
部には、遮断板２の開口に連通した窒素ガス供給路２３
が形成されており、この窒素ガス供給路２３には、ウエ
ハ乾燥用の窒素ガスが供給されるようになっている。ま
た、アーム２１に関連して、遮断板２をスピンチャック
１に保持されたウエハＷの上面に近接した近接位置とス
ピンチャック１の上方に大きく退避した退避位置との間
で昇降させるための遮断板昇降駆動機構２４と、遮断板
２をスピンチャック１によるウエハＷの回転にほぼ同期
させて回転させるための遮断板回転駆動機構２５とが設
けられている。Above the spin chuck 1, a disk-shaped blocking plate 2 having an opening at the center is provided. The blocking plate 2 is attached to the lower end of a support shaft 22 hanging down from near the tip of the arm 21 so as to face the upper surface of the wafer W held by the spin chuck 1. A nitrogen gas supply passage 23 communicating with the opening of the blocking plate 2 is provided inside the support shaft 22.
The nitrogen gas supply passage 23 is supplied with a nitrogen gas for drying the wafer. Further, in relation to the arm 21, a cut-off for raising and lowering the blocking plate 2 between a close position close to the upper surface of the wafer W held by the spin chuck 1 and a retracted position largely retracted above the spin chuck 1. A plate lifting drive mechanism 24 and a blocking plate rotation drive mechanism 25 for rotating the blocking plate 2 almost in synchronization with the rotation of the wafer W by the spin chuck 1 are provided.
【００１９】スピンチャック１は、処理カップ３内に収
容されている。この処理カップ３の底部には、スピンチ
ャック１の周囲を取り囲むように、ウエハＷの処理に用
いられた後の処理液を排液するための排液溝３１が形成
されており、さらに、この排液溝３１を取り囲むよう
に、ウエハＷの処理のために用いられた後の処理液を回
収するための回収溝３２が形成されている。排液溝３１
と回収溝３２とは、筒状の仕切壁３３によって区画され
ている。また、排液溝３１には、図外の排液処理設備へ
と処理液を導くための排液ライン３４が接続され、回収
溝３２には、図外の回収処理設備へと処理液を導くため
の回収ライン３５が接続されている。The spin chuck 1 is housed in a processing cup 3. A drain groove 31 for draining the processing liquid used for processing the wafer W is formed at the bottom of the processing cup 3 so as to surround the periphery of the spin chuck 1. A collection groove 32 for collecting the processing liquid used for processing the wafer W is formed so as to surround the drain groove 31. Drainage groove 31
The collection groove 32 is defined by a cylindrical partition wall 33. A drainage line 34 for guiding the processing liquid to a drainage processing facility (not shown) is connected to the drainage groove 31, and a processing liquid is guided to the recovery processing facility (not shown) to the recovery groove 32. Recovery line 35 is connected.
【００２０】処理カップ３の上方には、ウエハＷからの
処理液が外部に飛散することを防止するためのスプラッ
シュガード４が設けられている。このスプラッシュガー
ド４は、ウエハＷの回転軸線に対してほぼ回転対称な形
状を有しており、上方部の内面は、ウエハＷの回転軸線
に対向するように開いた断面く字状の排液捕獲部４１と
なっている。また、スプラッシュガード４の下方部に
は、ウエハＷの回転半径方向外方に向かうに従って下方
に向かう傾斜面の形態をなした回収液捕獲部４２が形成
されている。回収液捕獲部４２の上端付近には、処理カ
ップ３の仕切壁３３を受け入れるための仕切壁収納溝４
３が形成されている。A splash guard 4 is provided above the processing cup 3 to prevent the processing liquid from the wafer W from scattering to the outside. The splash guard 4 has a substantially rotationally symmetrical shape with respect to the rotation axis of the wafer W, and an upper inner surface has a rectangular cross-sectional drainage opening that is open to face the rotation axis of the wafer W. The capturing unit 41 is provided. Further, a recovered liquid capturing portion 42 in the form of an inclined surface that is directed downward as it goes outward in the rotational radius direction of the wafer W is formed below the splash guard 4. A partition wall storage groove 4 for receiving the partition wall 33 of the processing cup 3 is provided in the vicinity of the upper end of the recovered liquid capturing section 42.
3 are formed.
【００２１】スプラッシュガード４に関連して、たとえ
ば、ボールねじ機構などを含むスプラッシュガード昇降
駆動機構４４が設けられている。スプラッシュガード昇
降駆動機構４４は、スプラッシュガード４を、回収液捕
獲部４２がスピンチャック１に保持されたウエハＷの端
面に対向する回収位置と、排液捕獲部４１がスピンチャ
ック１に保持されたウエハＷの端面に対向する排液位置
との間で上下動させる。また、スプラッシュガード昇降
駆動機構４４は、スピンチャック１に対するウエハＷの
搬入／搬出の際に、スプラッシュガード４を排液位置よ
りも下方の退避位置に退避させる。In connection with the splash guard 4, a splash guard raising / lowering drive mechanism 44 including, for example, a ball screw mechanism is provided. The splash guard raising / lowering drive mechanism 44 holds the splash guard 4 at the collection position where the collected liquid capturing unit 42 faces the end surface of the wafer W held by the spin chuck 1 and the drain liquid capturing unit 41 is held by the spin chuck 1. The wafer W is moved up and down between a liquid discharge position facing the end face of the wafer W. Further, the splash guard lifting / lowering drive mechanism 44 retracts the splash guard 4 to a retracted position below the liquid discharging position when loading / unloading the wafer W with respect to the spin chuck 1.
【００２２】また、スプラッシュガード４の外周面に
は、スプラッシュガード４の上方に延びるようにノズル
保持部材４５が取り付けられており、このノズル保持部
材４５には、２つの処理液供給ノズル５，６が、それぞ
れの先端をウエハＷに向けて斜めに下げた状態で上下に
保持されている。下側の処理液供給ノズル６（第１ノズ
ル）は、スプラッシュガード４が回収位置に上昇した状
態で予め定める処理液（たとえば、ＢＨＦ(Buffered hy
drofluoric acid)またはＤＨＦ(Diluted hydrofluoric
acid)などの薬液）をスピンチャック１に保持されたウ
エハＷの上面に供給する薬液供給ノズルである。一方、
上側の処理液供給ノズル５（第２ノズル）は、スプラッ
シュガード４が排液位置に下降した状態で、薬液供給ノ
ズル６から供給される処理液とは成分の異なる処理液
（たとえば、純水）をスピンチャック１に保持されたウ
エハＷの上面に供給する純水供給ノズルである。A nozzle holding member 45 is attached to the outer peripheral surface of the splash guard 4 so as to extend above the splash guard 4. The nozzle holding member 45 has two processing liquid supply nozzles 5 and 6. Are held up and down with their respective ends being obliquely lowered toward the wafer W. The lower processing liquid supply nozzle 6 (first nozzle) supplies a predetermined processing liquid (for example, BHF (Buffered hysteresis) with the splash guard 4 raised to the recovery position.
drofluoric acid) or DHF (Diluted hydrofluoric)
This is a chemical supply nozzle for supplying a chemical (e.g., acid) to the upper surface of the wafer W held by the spin chuck 1. on the other hand,
The upper processing liquid supply nozzle 5 (second nozzle) is a processing liquid (for example, pure water) having a component different from that of the processing liquid supplied from the chemical liquid supply nozzle 6 when the splash guard 4 is lowered to the drain position. Is supplied to the upper surface of the wafer W held by the spin chuck 1.
【００２３】処理液供給ノズル５，６は、スプラッシュ
ガード４が回収位置に上昇した状態における処理液供給
ノズル６の位置（高さ）とスプラッシュガード４が排液
位置に下降した状態における処理液供給ノズル５の位置
（高さ）とが一致するような間隔を空けて設けられてい
る。すなわち、処理液供給ノズル５，６の間隔は、回収
位置と排液位置と高さの差に等しくなるように設定され
ている。また、処理液供給ノズル５，６は、スピンチャ
ック１に保持されたウエハＷの斜め上方からウエハＷの
上面の予め定める処理液供給位置に同じ入射角（たとえ
ば、２５度）で処理液を供給できるように、それぞれウ
エハＷの上面における処理液の供給位置を調整可能に構
成されている。すなわち、処理液供給ノズル６を例にと
って説明すると、図２に示すように、処理液供給ノズル
６は、ノズル保持部材４５に固定される固定部６１と、
球状部６２１および細長いストレート部６２２からなる
ノズル部６２と、このノズル部６２を固定部６１に取り
付けるためのキャップ６３とを含む構成である。キャッ
プ６３には、球状部６２１の外径よりもやや小さな径の
開口６３１が形成されている。ノズル部６２の球状部６
２１を固定部６１の先端に当接させた状態で、キャップ
６３の開口６３１にストレート部６２２を挿通して、そ
のキャップ６３を固定部６１の先端部に被着することに
より、ノズル部６２を固定部６１に取り付けることがで
きる。そして、キャップ６３を少し緩めた状態で、固定
部６１に対するノズル部６２の取付角度を調整すること
ができ、その調整後にキャップ６３を強く締めることに
より、その調整後の取付角度でノズル部６２を固定部６
１に対して固定することができる。また、固定部６１お
よびノズル部６２内には、図外の処理液供給源から供給
されてくる処理液が流通する処理液流通路６１１，６２
３が形成されており、これらの処理液流通路６１１，６
２３は、固定部６１に対するノズル部６２の取付角度を
調整可能な範囲内で常に連通するようになっている。よ
って、固定部６１に対するノズル部６２（ストレート部
６２２）の取付角度を調整することにより、ノズル部６
２から吐出される処理液の方向を調整することができ、
スピンチャック１に保持されたウエハＷの上面における
処理液供給位置を調整することができる。The processing liquid supply nozzles 5 and 6 are provided with the position (height) of the processing liquid supply nozzle 6 when the splash guard 4 is raised to the recovery position and the processing liquid supply when the splash guard 4 is lowered to the drain position. The nozzles 5 are provided at intervals so as to coincide with the position (height) of the nozzles 5. That is, the interval between the processing liquid supply nozzles 5 and 6 is set so as to be equal to the difference between the collecting position, the liquid discharging position, and the height. Further, the processing liquid supply nozzles 5 and 6 supply the processing liquid at the same incident angle (for example, 25 degrees) to a predetermined processing liquid supply position on the upper surface of the wafer W from obliquely above the wafer W held by the spin chuck 1. In order to make it possible, the supply position of the processing liquid on the upper surface of the wafer W is configured to be adjustable. That is, taking the processing liquid supply nozzle 6 as an example, as shown in FIG. 2, the processing liquid supply nozzle 6 includes a fixing portion 61 fixed to the nozzle holding member 45,
The nozzle unit 62 includes a spherical portion 621 and an elongated straight portion 622, and a cap 63 for attaching the nozzle portion 62 to the fixing portion 61. An opening 631 having a diameter slightly smaller than the outer diameter of the spherical portion 621 is formed in the cap 63. Spherical part 6 of nozzle part 62
By inserting the straight portion 622 through the opening 631 of the cap 63 and attaching the cap 63 to the tip of the fixing portion 61 in a state where the nozzle 21 is in contact with the tip of the fixing portion 61, the nozzle portion 62 is formed. It can be attached to the fixing part 61. Then, with the cap 63 slightly loosened, the mounting angle of the nozzle portion 62 with respect to the fixing portion 61 can be adjusted. After the adjustment, the cap 63 is strongly tightened, so that the nozzle portion 62 is adjusted at the adjusted mounting angle. Fixed part 6
1 can be fixed. Further, inside the fixed portion 61 and the nozzle portion 62, processing liquid flow passages 611 and 62 through which a processing liquid supplied from a processing liquid supply source (not shown) flows.
3 are formed, and these processing liquid flow paths 611, 6
Numeral 23 always communicates within a range where the mounting angle of the nozzle portion 62 with respect to the fixed portion 61 can be adjusted. Therefore, by adjusting the attachment angle of the nozzle portion 62 (straight portion 622) with respect to the fixed portion 61, the nozzle portion 6
2 can adjust the direction of the processing liquid discharged from
The processing liquid supply position on the upper surface of the wafer W held by the spin chuck 1 can be adjusted.
【００２４】ウエハＷの上面における処理液供給位置
は、図３に示すように、スピンチャック１によるウエハ
Ｗの回転中心Ｏを中心とし、ウエハＷの回転半径のほぼ
１／４の長さを半径とする円形領域内に設定されている
ことが好ましい。より具体的には、処理液供給位置Ｐ
は、平面視において、上記円形領域内であって、処理液
供給開始位置である処理液供給ノズル５，６の先端とウ
エハＷの回転中心Ｏとを通る直線Ｌに直交するウエハＷ
の直径Ｍよりも処理液供給ノズル５，６の半円形領域
（直径Ｍ上を含む。）内に設定されていることが好まし
い。さらにまた、その半円形領域内であって、直線Ｌよ
りもスピンチャック１によるウエハＷの回転方向上流側
にある扇形領域（直線Ｌ上を含む。）内に設定されてい
ることがより好ましい。このような領域内に処理液供給
位置Ｐが設定されていることにより、処理液供給ノズル
５，６から回転中のウエハＷの上面に供給された処理液
を、そのウエハＷの回転に伴う遠心力によって、ウエハ
Ｗの上面のほぼ全域に行き渡らせることができ、ウエハ
Ｗの上面に処理液による処理を良好に施すことができ
る。The processing liquid supply position on the upper surface of the wafer W is, as shown in FIG. 3, centered on the rotation center O of the wafer W by the spin chuck 1 and has a radius substantially equal to １ ／ of the rotation radius of the wafer W. Is preferably set in a circular area. More specifically, the processing liquid supply position P
Is a wafer W orthogonal to a straight line L passing through the tip of the processing liquid supply nozzles 5 and 6 at the processing liquid supply start position and the rotation center O of the wafer W in the circular area in plan view.
Is preferably set in a semicircular region (including on the diameter M) of the processing liquid supply nozzles 5 and 6 than the diameter M of the processing liquid supply nozzles 5 and 6. Furthermore, it is more preferable that the area is set within a semicircular area, that is, within a fan-shaped area (including on the straight line L) upstream of the straight line L in the rotation direction of the wafer W by the spin chuck 1. Since the processing liquid supply position P is set in such a region, the processing liquid supplied from the processing liquid supply nozzles 5 and 6 to the upper surface of the rotating wafer W is centrifuged with the rotation of the wafer W. The force can spread over almost the entire upper surface of the wafer W, and the upper surface of the wafer W can be satisfactorily processed with the processing liquid.
【００２５】ただし、ウエハＷの上面における処理液の
拡がり方は、処理液の濃度、処理液供給ノズル５，６か
ら吐出される処理液の流量、スピンチャック１によるウ
エハＷの回転速度などの各条件によって異なるので、処
理液供給位置Ｐは、実際には、試験で良好な結果が得ら
れた領域内に定められるとよい。たとえば、処理対象の
ウエハＷが直径３００mmのベアシリコンウエハであっ
て、処理液が濃度１／１００のＤＨＦであり、処理液供
給ノズル５，６から吐出される処理液の流量が２リット
ル／min、スピンチャック１によるウエハＷの回転速度
が５００rpmに設定されている場合、処理液供給位置Ｐ
は、図４に二点鎖線で囲んで示す矩形状（約５０mm×４
５mm）の領域Ａ内に設定されることが好ましい。また、
図４に二点鎖線で囲んで示す矩形状（約３５mm×２５m
m）の領域Ｂ内に処理液供給位置Ｐが設定されることが
より好ましい。However, the manner in which the processing liquid spreads on the upper surface of the wafer W depends on the concentration of the processing liquid, the flow rate of the processing liquid discharged from the processing liquid supply nozzles 5 and 6, the rotational speed of the wafer W by the spin chuck 1, and the like. Since the processing liquid supply position P varies depending on the conditions, it is preferable that the processing liquid supply position P is actually set in a region where a good result is obtained in the test. For example, the processing target wafer W is a bare silicon wafer having a diameter of 300 mm, the processing liquid is DHF having a concentration of 1/100, and the flow rate of the processing liquid discharged from the processing liquid supply nozzles 5 and 6 is 2 liter / min. When the rotation speed of the wafer W by the spin chuck 1 is set to 500 rpm, the processing liquid supply position P
Is a rectangular shape (approximately 50 mm × 4 mm) surrounded by a two-dot chain line in FIG.
5 mm) is preferably set in the area A. Also,
A rectangular shape (approximately 35 mm × 25 m) shown in FIG.
More preferably, the processing liquid supply position P is set in the region B of m).
【００２６】図５は、この基板処理装置の動作について
説明するための図である。処理前のウエハＷは、図示し
ない搬送ロボットによって搬入されてきて、スピンチャ
ック１に受け渡される。このとき、スプラッシュガード
４は、ウエハＷの搬入を阻害しないように待避位置にあ
る。また、図５には示されていないが、遮断板２も、ウ
エハＷの搬入を阻害しないように、スピンチャック１の
上方に大きく離れた待避位置にある。FIG. 5 is a diagram for explaining the operation of the substrate processing apparatus. The unprocessed wafer W is carried in by a transfer robot (not shown) and delivered to the spin chuck 1. At this time, the splash guard 4 is at the retreat position so as not to hinder the loading of the wafer W. Although not shown in FIG. 5, the blocking plate 2 is also at a retreat position far away from the spin chuck 1 so as not to hinder the loading of the wafer W.
【００２７】スピンチャック１にウエハＷが保持される
と、図５(a)に示すように、スプラッシュガード４が、
待避位置から回収位置まで上昇されて、スプラッシュガ
ード４の回収液捕獲部４２がスピンチャック１に保持さ
れたウエハＷの端面に対向する。この状態で、スピンチ
ャック１（すなわち、ウエハＷ）が予め定める回転速度
で回転される。また、処理液供給ノズル（薬液供給ノズ
ル）６および下面ノズル１４から同じ薬液が吐出され
る。処理液供給ノズル６から吐出される薬液は、ウエハ
Ｗの上面の処理液供給位置Ｐに斜め上方から供給され、
その薬液のウエハＷの上面に沿う方向の速度成分および
ウエハＷの回転に伴って受ける遠心力により、ウエハＷ
の上面を処理液供給ノズル６から離れる方向に流れる。
一方、下面ノズル１４から吐出される薬液は、ウエハＷ
の下面の中心付近に供給されて、ウエハＷの回転に伴っ
て受ける遠心力により、そのウエハＷの下面の中心付近
からウエハＷの回転半径方向外方側へと導かれる。これ
により、ウエハＷの上下面のほぼ全域に薬液が隈無く行
き渡り、ウエハＷの上下面に対して薬液による処理を良
好に行うことができる。When the wafer W is held by the spin chuck 1, as shown in FIG.
After being raised from the retracted position to the collecting position, the collected liquid capturing unit 42 of the splash guard 4 faces the end surface of the wafer W held by the spin chuck 1. In this state, the spin chuck 1 (that is, the wafer W) is rotated at a predetermined rotation speed. Further, the same chemical liquid is discharged from the processing liquid supply nozzle (chemical liquid supply nozzle) 6 and the lower surface nozzle 14. The chemical liquid discharged from the processing liquid supply nozzle 6 is supplied to the processing liquid supply position P on the upper surface of the wafer W from obliquely above,
Due to the velocity component of the chemical solution in the direction along the upper surface of the wafer W and the centrifugal force received as the wafer W rotates, the wafer W
Flows in a direction away from the processing liquid supply nozzle 6.
On the other hand, the chemical discharged from the lower surface nozzle 14
Is supplied near the center of the lower surface of the wafer W, and is guided from the vicinity of the center of the lower surface of the wafer W to the radially outward side of the rotation of the wafer W by the centrifugal force received as the wafer W rotates. As a result, the chemical solution spreads over almost the entire upper and lower surfaces of the wafer W, and the upper and lower surfaces of the wafer W can be satisfactorily processed with the chemical solution.
【００２８】この薬液処理の際に、ウエハＷの周縁から
振り切られて側方に飛散した薬液は、スプラッシュガー
ド４の回収液捕獲部４２に捕獲される。そして、この回
収液捕獲部４２を伝い、回収液捕獲部４２の下端縁から
処理カップ３の回収溝３２へと落下する。こうして回収
溝３２に集められた薬液は、回収ライン３５を介して回
収され、以降の薬液処理に再利用される。これにより、
薬液を使い捨てる構成に比べて、薬液の消費量を格段に
低減することができる。At the time of this chemical processing, the chemical that has been shaken off from the periphery of the wafer W and scattered to the side is captured by the recovery liquid capturing section 42 of the splash guard 4. Then, along the collected liquid capturing section 42, the liquid drops from the lower end edge of the collected liquid capturing section 42 to the collecting groove 32 of the processing cup 3. The chemical solution collected in the collection groove 32 is collected through the collection line 35 and reused in the subsequent chemical solution processing. This allows
Compared to a configuration in which the chemical is disposable, the consumption of the chemical can be significantly reduced.
【００２９】ウエハＷを予め定める時間にわたって薬液
で処理した後は、処理液供給ノズル６および下面ノズル
１４からの薬液の吐出が停止される。そして、図５(b)
に示すように、スプラッシュガード４が、回収位置から
排液位置まで下降されて、スプラッシュガード４の排液
捕獲部４１がスピンチャック１に保持されたウエハＷの
端面に対向する。このとき、スピンチャック１によるウ
エハＷの回転は続けられており、この回転しているウエ
ハＷの上下面に向けて、処理液供給ノズル（純水供給ノ
ズル）５および下面ノズル１４から純水が吐出される。
処理液供給ノズル５から吐出される純水は、ウエハＷの
上面の処理液供給位置Ｐに斜め上方から供給され、その
純水のウエハＷの上面に沿う方向の速度成分およびウエ
ハＷの回転に伴って受ける遠心力により、ウエハＷの上
面を処理液供給ノズル５から離れる方向に流れる。一
方、下面ノズル１４から吐出される純水は、ウエハＷの
下面の中心付近に供給されて、ウエハＷの回転に伴って
受ける遠心力により、そのウエハＷの下面の中心付近か
らウエハＷの回転半径方向外方側へと導かれる。これに
より、ウエハＷの上下面のほぼ全域に純水が隈無く行き
渡り、ウエハＷの上下面に付着した薬液を洗い流すため
のリンス処理が行われる。After processing the wafer W with the chemical for a predetermined time, the discharge of the chemical from the processing liquid supply nozzle 6 and the lower surface nozzle 14 is stopped. Then, FIG. 5 (b)
As shown in (2), the splash guard 4 is lowered from the collecting position to the draining position, and the drain catching portion 41 of the splash guard 4 faces the end surface of the wafer W held by the spin chuck 1. At this time, the rotation of the wafer W by the spin chuck 1 is continued, and pure water is supplied from the processing liquid supply nozzle (pure water supply nozzle) 5 and the lower surface nozzle 14 toward the upper and lower surfaces of the rotating wafer W. Discharged.
Pure water discharged from the processing liquid supply nozzle 5 is supplied from obliquely above to the processing liquid supply position P on the upper surface of the wafer W, and the velocity component of the pure water in the direction along the upper surface of the wafer W and the rotation of the wafer W The resultant centrifugal force causes the wafer W to flow away from the processing liquid supply nozzle 5 on the upper surface of the wafer W. On the other hand, the pure water discharged from the lower surface nozzle 14 is supplied to the vicinity of the center of the lower surface of the wafer W, and the centrifugal force received with the rotation of the wafer W causes the rotation of the wafer W from the vicinity of the center of the lower surface of the wafer W. It is guided radially outward. As a result, the pure water spreads over almost all areas of the upper and lower surfaces of the wafer W, and a rinsing process for washing out the chemical solution attached to the upper and lower surfaces of the wafer W is performed.
【００３０】ウエハＷの周縁から振り切られて側方に飛
散したリンス処理後の純水は、スプラッシュガード４の
排液捕獲部４１に捕獲された後、この排液捕獲部４１を
伝って、回収液捕獲部４２の下端縁から処理カップ３の
回収溝３２へと落下し、排液ライン３４を介して排液さ
れる。こうしてリンス処理が終了すると、処理液供給ノ
ズル５および下面ノズル１４からの純水の吐出が停止さ
れる。そして、スピンチャック１によるウエハＷの回転
速度が上げられて、ウエハＷの表面に付着している液滴
を遠心力で振り切って乾燥させる処理が行われる。この
乾燥処理の際、遮断板２が、退避位置からウエハＷの上
面に近接した近接位置まで下降され、その近接位置でウ
エハＷと同じ方向にほぼ同速度で高速回転される。ま
た、遮断板２の中心部の開口から、ウエハＷと遮断板２
との間の空間に窒素ガスが供給される。これにより、ウ
エハＷと遮断板２との間の空間に窒素ガスの安定した気
流が生じ、ウエハＷの表面に処理液の跡などを残すこと
なく、ウエハＷを良好に乾燥させることができる。After being rinsed off the periphery of the wafer W and scattered to the side, the pure water after the rinsing process is captured by the drain catching portion 41 of the splash guard 4, and then travels through the drain catching portion 41 to be recovered. The liquid falls from the lower edge of the liquid capturing section 42 into the collecting groove 32 of the processing cup 3, and is drained through the drain line 34. When the rinsing process is completed, the discharge of the pure water from the processing liquid supply nozzle 5 and the lower surface nozzle 14 is stopped. Then, the rotation speed of the wafer W by the spin chuck 1 is increased, and a process of drying off the droplets attached to the surface of the wafer W by centrifugal force is performed. During this drying process, the blocking plate 2 is lowered from the retreat position to a close position close to the upper surface of the wafer W, and is rotated at a high speed in the same direction as the wafer W at the close position. Further, the wafer W and the shielding plate 2 are opened from the opening at the center of the shielding plate 2.
Is supplied with nitrogen gas. As a result, a stable gas flow of nitrogen gas is generated in the space between the wafer W and the blocking plate 2, and the wafer W can be dried well without leaving traces of the processing liquid on the surface of the wafer W.
【００３１】乾燥処理の終了後は、遮断板２が近接位置
から退避位置に戻されるとともに、スピンチャック１に
よるウエハＷの回転が停止される。また、スプラッシュ
ガード４が排液位置から退避位置まで下降される。そし
て、図示しない搬送ロボットの働きによって、スピンチ
ャック１に保持されている処理後のウエハＷが搬出され
ていく。以上のように、この実施形態によれば、ウエハ
Ｗの上面に供給される処理液は、エハＷの斜め上方に設
けられた処理液供給ノズル５，６から吐出されて、ウエ
ハＷの上面に対して斜めに入射する。これにより、処理
液は、スムーズにウエハＷの上面に沿った流れを形成
し、ウエハＷの上面を処理液供給ノズル５，６から離れ
る方向に流れる。したがって、ウエハＷの上面における
処理液の跳ね返りが小さいから、この処理液供給時に遮
断板２がウエハＷの上面に近接していなくても、ウエハ
Ｗの表面で跳ね返った処理液が外部に飛散するおそれは
ない。After the drying process is completed, the blocking plate 2 is returned from the close position to the retracted position, and the rotation of the wafer W by the spin chuck 1 is stopped. Further, the splash guard 4 is lowered from the liquid discharging position to the retracted position. Then, the processed wafer W held by the spin chuck 1 is unloaded by the action of a transfer robot (not shown). As described above, according to this embodiment, the processing liquid supplied to the upper surface of the wafer W is discharged from the processing liquid supply nozzles 5 and 6 provided diagonally above the wafer W, and is discharged onto the upper surface of the wafer W. The light enters obliquely. Accordingly, the processing liquid smoothly flows along the upper surface of the wafer W, and flows on the upper surface of the wafer W in a direction away from the processing liquid supply nozzles 5 and 6. Therefore, since the rebound of the processing liquid on the upper surface of the wafer W is small, even if the blocking plate 2 is not close to the upper surface of the wafer W during the supply of the processing liquid, the processing liquid that rebounds on the surface of the wafer W scatters outside. There is no fear.
【００３２】また、ウエハＷの上面に遮断板２が近接し
ていないから、遮断板２に処理液が付着するおそれがな
い。ゆえに、遮断板２の下面から処理液の結晶がウエハ
Ｗ上に落下することによるウエハＷの汚染の問題を招く
おそれがない。なお、この実施形態では、ウエハＷへの
処理液の供給時には、遮断板２は退避位置に退避されて
いるとしたが、たとえば、ウエハＷの上面付近における
気流の乱れを防止する目的で、遮断板２が処理液供給ノ
ズル５，６による処理液の供給を阻害しない高さに配置
されてもよい。このように遮断板２がウエハＷの上面に
近づけられても、ウエハＷの上面における処理液の跳ね
返りが小さいから、遮断板２に多量の処理液が付着する
おそれはなく、遮断板２の下面から処理液や処理液の結
晶がウエハＷ上に落下することによるウエハＷの汚染の
問題を招くおそれはない。Further, since the blocking plate 2 is not close to the upper surface of the wafer W, there is no possibility that the processing liquid adheres to the blocking plate 2. Therefore, there is no possibility of causing a problem of contamination of the wafer W due to the crystal of the processing liquid falling onto the wafer W from the lower surface of the blocking plate 2. In this embodiment, when the processing liquid is supplied to the wafer W, the blocking plate 2 is retracted to the retracted position. However, for example, in order to prevent air flow turbulence near the upper surface of the wafer W, the blocking plate 2 is blocked. The plate 2 may be arranged at a height that does not hinder the supply of the processing liquid by the processing liquid supply nozzles 5 and 6. Even if the blocking plate 2 is brought close to the upper surface of the wafer W in this way, since the rebound of the processing liquid on the upper surface of the wafer W is small, there is no possibility that a large amount of the processing liquid adheres to the blocking plate 2. Therefore, there is no possibility of causing a problem of contamination of the wafer W due to the processing liquid or the crystal of the processing liquid falling on the wafer W.
【００３３】さらにまた、処理液が有するウエハＷの上
面に沿う方向の速度成分が、ウエハＷの上面における処
理液の流れを助勢するから、ウエハ上面の中心に対して
鉛直方向に処理液を供給する構成の装置に比べて、スピ
ンチャック１によるウエハＷの回転速度を低く抑えるこ
とができ、また、ウエハＷに供給される処理液の流量を
小さく抑えることができる。よって、装置のランニング
コストを低減することができる。Further, since the velocity component of the processing liquid in the direction along the upper surface of the wafer W assists the flow of the processing liquid on the upper surface of the wafer W, the processing liquid is supplied vertically to the center of the upper surface of the wafer W. The rotation speed of the wafer W by the spin chuck 1 can be kept low, and the flow rate of the processing liquid supplied to the wafer W can be kept low as compared with the apparatus having the configuration described above. Therefore, the running cost of the device can be reduced.
【００３４】また、処理液供給ノズル５，６がスプラッ
シュガード４に取り付けられていることにより、処理液
供給ノズル５，６を適切な位置に配置しておけば、スプ
ラッシュガード４が回収位置にある時の処理液供給ノズ
ル６の位置とスプラッシュガード４が排液位置にある時
の処理液供給ノズル５の位置とを一致させることがで
き、処理液供給ノズル５，６からウエハＷの上面の同じ
位置Ｐに処理液を供給することができる。これにより、
処理液供給ノズル５から処理液を吐出させる時と処理液
供給ノズル６から処理液を吐出させる時とで、処理液の
流量やスピンチャック１によるウエハＷの回転速度など
を変更することなく、ウエハＷの上面に対して同様に処
理液を供給することができる。Further, since the processing liquid supply nozzles 5 and 6 are attached to the splash guard 4, if the processing liquid supply nozzles 5 and 6 are arranged at appropriate positions, the splash guard 4 is at the recovery position. The position of the processing liquid supply nozzle 6 when the splash guard 4 is at the drain position and the position of the processing liquid supply nozzle 5 when the splash guard 4 is at the drain position can be made to coincide with each other. The processing liquid can be supplied to the position P. This allows
When the processing liquid is discharged from the processing liquid supply nozzle 5 and when the processing liquid is discharged from the processing liquid supply nozzle 6, the wafer W can be used without changing the flow rate of the processing liquid, the rotation speed of the wafer W by the spin chuck 1, and the like. The processing liquid can be similarly supplied to the upper surface of W.
【００３５】この発明の一実施形態の説明は以上の通り
であるが、この発明は、他の形態で実施することもでき
る。たとえば、上述の実施形態では、ウエハＷの下面に
は、ウエハＷの下面中央に近接した下面ノズル１４から
処理液が供給されるとしているが、ウエハＷの斜め下方
に処理液供給ノズルを配置し、この処理液供給ノズルか
らウエハＷの下面に対して斜めに処理液が供給されるよ
うにしてもよい。こうすることにより、ウエハＷの下面
における処理液の跳ね返りを抑制することができる。While the embodiment of the present invention has been described above, the present invention can be embodied in other forms. For example, in the above-described embodiment, the processing liquid is supplied to the lower surface of the wafer W from the lower surface nozzle 14 close to the center of the lower surface of the wafer W. Alternatively, the processing liquid may be supplied obliquely from the processing liquid supply nozzle to the lower surface of the wafer W. By doing so, the rebound of the processing liquid on the lower surface of the wafer W can be suppressed.
【００３６】また、処理対象の基板は、ウエハＷに限ら
ず、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ
パネル用ガラス基板および磁気／光ディスク用基板など
の他の種類の基板であってもよい。その他、特許請求の
範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すこ
とが可能である。The substrate to be processed is not limited to the wafer W, but may be another type of substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a plasma display panel, and a magnetic / optical disk substrate. In addition, various design changes can be made within the scope of the matters described in the claims.
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構
成を説明するための概念図である。FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】処理液供給ノズルの構成を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a processing liquid supply nozzle.
【図３】処理液供給ノズルによる処理液供給位置を説明
するための平面図である。FIG. 3 is a plan view for explaining a processing liquid supply position by a processing liquid supply nozzle.
【図４】処理液供給ノズルによる処理液供給位置のさら
に具体的な例を説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a more specific example of a processing liquid supply position by a processing liquid supply nozzle.
【図５】この基板処理装置の動作について説明するため
の図であり、(a)はスプラッシュガードが回収位置にあ
る時の状態を示し、(b)はスプラッシュガードが排液位
置にある時の状態を示している。5A and 5B are diagrams for explaining the operation of the substrate processing apparatus, wherein FIG. 5A shows a state when the splash guard is at a collecting position, and FIG. 5B shows a state when the splash guard is at a liquid discharging position. The state is shown.
１ スピンチャック ２ 遮断板 ３ 処理カップ ４ スプラッシュガード ５ 処理液供給ノズル ６ 処理液供給ノズル １１ チャック回転駆動機構 ３１ 排液溝 ３２ 回収溝 ３４ 排液ライン ３５ 回収ライン ４１ 排液捕獲部 ４２ 回収液捕獲部 ４４ スプラッシュガード昇降駆動機構 Ｌ 直線 Ｍ 直径 Ｏ 回転中心 Ｐ 処理液供給位置 Ｗ ウエハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Spin chuck 2 Blocking plate 3 Processing cup 4 Splash guard 5 Processing liquid supply nozzle 6 Processing liquid supply nozzle 11 Chuck rotation drive mechanism 31 Drainage groove 32 Recovery groove 34 Drainage line 35 Recovery line 41 Drainage capture part 42 Recovery liquid capture Part 44 splash guard lifting drive mechanism L straight line M diameter O rotation center P processing liquid supply position W wafer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新原 薫 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁 目天神北町１番地の１ 大日本スクリーン 製造株式会社内 Ｆターム(参考） 3B201 AA02 AA03 AB23 AB33 AB47 BB22 BB91 BB93 CC12 CC13 CD33 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Kaoru Niihara 4-chome, Horikawa-dori-Terauchi, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 1F, Tenjin Kitamachi 1 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. F term (reference) 3B201 AA02 AA03 AB23 AB33 AB47 BB22 BB91 BB93 CC12 CC13 CD33
Claims (9)
装置であって、 基板をほぼ水平に保持して回転させる基板保持回転手段
と、 この基板保持回転手段に保持された基板の側方を取り囲
むように設けられており、基板から周囲に飛散する処理
液を捕獲するための飛沫捕獲手段と、 この飛沫捕獲手段に取り付けられており、上記基板保持
回転手段に保持された基板に対して、平面視で基板の外
方から処理液を供給するための処理液供給手段とを含む
ことを特徴とする基板処理装置。1. A substrate processing apparatus for performing processing using a processing liquid on a substrate, comprising: substrate holding and rotating means for holding and rotating the substrate substantially horizontally; and a side of the substrate held by the substrate holding and rotating means. And a droplet capturing means for capturing the processing liquid scattered from the substrate to the surroundings, attached to the droplet capturing means, and provided to the substrate held by the substrate holding and rotating means. A processing liquid supply means for supplying a processing liquid from outside the substrate in plan view.
所定の上方位置と下方位置との間で昇降させる昇降駆動
手段をさらに含み、 上記飛沫捕獲手段は、上記上方位置に上昇した状態で上
記基板保持回転手段に保持された基板の端面に対向する
第１の処理液捕獲面と、上記下方位置に下降した状態で
上記基板保持回転手段に保持された基板の端面に対向す
る第２の処理液捕獲面とを有するものであることを特徴
とする請求項１記載の基板処理装置。2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a lifting drive unit for raising and lowering the droplet capturing unit between a predetermined upper position and a lower position, wherein the droplet capturing unit is raised to the upper position. A first processing liquid capturing surface facing the end surface of the substrate held by the substrate holding / rotating means; and a second processing liquid capturing surface facing the end surface of the substrate held by the substrate holding / rotating means in a state of being lowered to the lower position. 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a processing liquid capturing surface.
液が流通する第１の捕獲液流通路と、 上記第２の処理液捕獲面で捕獲された処理液が流通する
第２の捕獲液流通路とをさらに含むことを特徴とする請
求項２記載の基板処理装置。3. A first capture liquid flow passage through which the processing liquid captured on the first processing liquid capture surface flows, and a second capture liquid flow passage through which the processing liquid captured by the second processing liquid capture surface flows. 3. The substrate processing apparatus according to claim 2, further comprising a capture liquid flow passage.
が上記上方位置に上昇した状態で予め定める第１の処理
液を基板に供給する第１ノズルと、上記飛沫捕獲手段が
上記下方位置に下降した状態で上記第１の処理液とは成
分の異なる第２の処理液を基板に供給する第２ノズルと
を含むものであることを特徴とする請求項２または３記
載の基板処理装置。4. The processing liquid supply means includes: a first nozzle for supplying a predetermined first processing liquid to a substrate in a state where the droplet capturing means has risen to the upper position; and wherein the droplet capturing means has a lower position. 4. The substrate processing apparatus according to claim 2, further comprising a second nozzle for supplying a second processing liquid having a different component from the first processing liquid to the substrate when the first processing liquid is lowered.
手段に保持された基板の上面に処理液を供給するもので
あることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記
載の基板処理装置。5. The substrate according to claim 1, wherein said processing liquid supply means supplies the processing liquid to an upper surface of the substrate held by said substrate holding and rotating means. Processing equipment.
手段に保持された基板の上面において、上記基板保持回
転手段による基板の回転中心を中心とし、当該基板の回
転半径のほぼ１／４の長さを半径とする円形領域内に処
理液を供給するものであることを特徴とする請求項５記
載の基板処理装置。6. The processing liquid supply means is provided on the upper surface of the substrate held by the substrate holding / rotating means, with the center of rotation of the substrate by the substrate holding / rotating means as the center, and about １ ／ of the radius of rotation of the substrate. 6. The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the processing liquid is supplied into a circular region having a radius equal to the length of the substrate.
置と上記基板の回転中心とを通る直線の基板上面への投
影直線に直交する基板直径よりも上記処理液供給開始位
置側の半円形領域内に処理液を供給するものであること
を特徴とする請求項６記載の基板処理装置。7. A processing liquid supply means, wherein the processing liquid supply start position is a half of a substrate diameter closer to the processing liquid supply start position than a substrate diameter orthogonal to a straight line projected on the upper surface of the substrate through a rotation center of the substrate. 7. The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the processing liquid is supplied into the circular area.
始位置と上記基板の回転中心とを通る直線の基板上面へ
の投影直線よりも基板回転方向に関して上流側の扇形領
域内に処理液を供給するものであることを特徴とする請
求項７記載の基板処理装置。8. The processing liquid supply means includes a processing liquid in a fan-shaped region upstream of a straight line passing through the processing liquid supply start position and the rotation center of the substrate on a substrate upper surface with respect to a straight line projected on the upper surface of the substrate. 8. The substrate processing apparatus according to claim 7, wherein the substrate is supplied.
上面に近接した位置に、その基板の上面に対向して配置
される対向板をさらに含むことを特徴とする請求項１な
いし８のいずれかに記載の基板処理装置。9. The apparatus according to claim 1, further comprising an opposing plate disposed at a position close to the upper surface of the substrate held by said substrate holding and rotating means, and disposed opposite to the upper surface of said substrate. The substrate processing apparatus according to any one of the above.
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