JP2002311684A - 帯電装置及び帯電装置を用いた画像形成装置 - Google Patents
帯電装置及び帯電装置を用いた画像形成装置Info
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- JP2002311684A JP2002311684A JP2001116012A JP2001116012A JP2002311684A JP 2002311684 A JP2002311684 A JP 2002311684A JP 2001116012 A JP2001116012 A JP 2001116012A JP 2001116012 A JP2001116012 A JP 2001116012A JP 2002311684 A JP2002311684 A JP 2002311684A
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Abstract
おいて、高出力に耐え、かつ、帯電ムラの少ない電子放
出素子を構成し、安定した高効率の帯電装置を提供す
る。 【解決手段】 導電性基板と、強電界ドリフト層と、表
面電極とを備える帯電装置において、基板の導電性部分
の少なくとも一部を下部電極とし、下部電極上に低抵抗
部と強電界ドリフト部とをストライプ状、もしくは低抵
抗部を網状に形成し、かつ、低抵抗部と下部電極とを熱
的及び電気的に接触させることを特徴とする。
Description
せる帯電装置に係り、特に電子放出による負イオンと電
子を利用して被帯電体を帯電させるようにした帯電装置
及び帯電装置を用いた電子写真方式の画像形成装置に関
するものである。
いられる帯電器においては、基本的に、放電を用いてイ
オンを発生させているため、オゾン及びNOxを発生す
る。比較的放電の悪影響の少ないもので接触型の帯電器
があるが、感光体磨耗、NOx系化合物の表面付着など
の問題が生じる。また、放電により発生するNOxに起
因する物質が感光体に付着し吸湿することで、感光体表
面電位を低下させることにより不良画像が発生するとい
う不具合が問題になっている。
電子写真方式の画像形成装置に対しても、発生するオゾ
ン量を規制するための規格が設定されており、電子写真
プロセスで発生するオゾン量を低減して規制値を超えな
い複写機やプリンタを開発することが要求されている。
電荷発生器が検討されている。例えば、特開平8−20
3418号公報等に開示されているような静電潜像形成
装置に用いられる電荷発生器が知られている。この公報
記載の静電潜像形成装置においては、ライン電極表面に
PN接合の半導体素子、又はエレクトロルミネッセンス
材料よりなる電子放出素子層を設けた電荷発生器、及び
これを一画素単位で独立に駆動させ誘電体上に潜像を形
成している。
源が検討されている。例えば、特許第2966842号
公報には、冷却部材として半導体を用いた電界放射型電
子源が開示されている。特許第3079097号公報に
は、網目状の強電界ドリフト層を形成し、その中に冷却
部を構成した電界放射型電子源が開示されている。
開平8−203418号公報記載の電荷発生器は、基本
的に電子放出素子層を一体で作製されるため、大型の電
子放出素子を作製するために大型の装置が必要となり、
製造コストがかかってしまうという課題が残されてい
る。また、電荷発生器を単純に画像形成装置内に配置す
るだけでは、大きな幅を有する誘電体を帯電させる場合
に、帯電ムラを発生し易いという問題がある。
載の電界放射型電子源の場合、半導体は、熱伝導率が低
く、出力を上げると破壊してしまうという問題が残され
ている。また、上記特許第3079097号公報記載の
電界放射型電子源の場合、冷却部分が分離しているため
網目状の各部分毎に熱のムラができてしまい、これが電
子放出ムラにつながるという問題が残されている。
あり、電子放出素子を用いた帯電装置において、高出力
に耐え、しかも帯電ムラの少ない電子放出素子を構成
し、それにより高効率の帯電装置を提供することを目的
とする。
NOxによる感光体の寿命低下を少なくし、かつ安定し
た高画質の画像形成が可能な電子写真方式の画像形成装
置を提供することを目的とする。
め、請求項1記載の発明は、導電性基板と、該基板の一
表面側に形成された強電界ドリフト部と、該強電界ドリ
フト部上に形成された導電性薄膜よりなる表面電極とを
備え、表面電極を導電性基板に対して正極として直流電
圧を印加することにより導電性基板から注入された電子
が強電界ドリフト部をドリフトし表面電極を通して放出
される電界放射型電子放出素子を有する帯電装置におい
て、前記電子放出素子の少なくとも一部に電気的負性気
体を含む気体を接触させ、放出された電子と電気的負性
気体分子により発生した負イオンとにより被帯電体を帯
電させる構成とし、かつ、前記導電性基板の少なくとも
一部を下部電極として形成し、該下部電極の上に、低抵
抗部と強電界ドリフト部とをストライプ状に、もしくは
低抵抗部を網状に形成し、前記低抵抗部と前記下部電極
とが熱的及び電気的に接触していることを特徴とする。
抗部をシリサイドとしたことを特徴とする。
板と、該基板の一表面側に形成された強電界ドリフト部
と、該強電界ドリフト部上に形成された導電性薄膜より
なる表面電極とを備え、表面電極を導電性基板に対して
正極として直流電圧を印加することにより導電性基板か
ら注入された電子が強電界ドリフト部をドリフトし表面
電極を通して放出される電界放射型電子放出素子を有す
る帯電装置において、前記電子放出素子の少なくとも一
部に電気的負性気体を含む気体を接触させ、放出された
電子と電気的負性気体分子により発生した負イオンとに
より被帯電体を帯電させる構成とし、かつ、前記導電性
基板の少なくとも一部を下部電極として形成し、該下部
電極の上に、シリサイドと強電界ドリフト部のいずれか
を島状に分布するよう形成し、前記シリサイドと前記下
部電極とが熱的及び電気的に接触していることを特徴と
する。
板に導電層を付与して前記導電性基板とし、前記導電層
としてシリサイドを用いたことを特徴とする。
板に導電層を付与して前記導電性基板とし、前記導電層
としてシリコン上のシリサイドを用いたことを特徴とす
る。
基板を用い、該シリコン基板上にシリサイドを形成して
前記導電性基板としたことを特徴とする。
抗部を構成するシリサイドが、ニッケル、パラジウム、
白金のいずれか、または、その組み合わせとのシリサイ
ドであることを特徴とする。
は、導電性部に金属を低抵抗部のパターンに合わせて形
成し、その後に、シリコンをシリサイド形成温度以上で
成膜し、低抵抗部及び強電界ドリフト部となる部分を形
成する過程を含むことを特徴とする。
は、シリコンを基板の導電性部に成膜し、金属を低抵抗
部のパターンに合わせ形成し、その後に、シリコンをシ
リサイド形成温度以上に加熱することにより、低抵抗部
及び強電界ドリフト部となる部分を作製する過程を含む
ことを特徴とする。
は、前記金属が、ニッケル、パラジウム、白金のいずれ
か、またはその組み合わせを用いることを特徴とする。
光体上に静電潜像を保持させて画像を形成する画像形成
装置において、請求項1乃至7記載の帯電装置を用いて
該感光体を帯電させることを特徴とする。
図面を参照しながら具体的に説明する。
素子の基本的構成例を示す。図1は、便宜上、このよう
な平面として表示している。
用される電子放出素子1は、石英基板6上に形成され
た、下部電極5上に半導体層(例えば、単結晶シリコ
ン)が形成され、半導体層を陽極酸化によりポーラス化
し、その後、急速熱酸化(RTO:Rapid The
rmal Oxidation)により多孔質半導体層
(ポーラスシリコン)2を形成する。この多孔質半導体
層2を薄い酸化膜で覆い、最後に、表面に電子がトンネ
ル効果で通過できるような薄膜電極7を形成する。
用感光体である。図示した被帯電体の電極は、感光体の
アルミドラムと考えることができる。この場合、被帯電
体は、電子放出素子1に対し、一定の線速度Sで移動す
ると仮定する。
空中の電子として1mA/cm2程度の電流が観測され
る。バイアス電源9で、電子放出素子の表面電極7と被
帯電体との間に所定の電圧を印加して電界をかける。図
1に示した構成では、大気圧気体であるためイオン化の
効率等で、真空中の電子の場合より低い電流値となる。
しかし、負帯電用のスコロトロン帯電器と同じようにこ
のイオンにより帯電が可能である。
コンから作成された多孔質半導体層(ポーラスシリコ
ン)を用いた。このポーラスシリコンの作成方法につい
ては、例えば、特許第2966842号公報等に開示さ
れる電界放射型電子源に用いられている。しかし、本発
明の電子放出素子としてこれに限られるものではなく、
図1に示した例のように、固体中から電子を放出するも
ので有ればよく、電子の放出量に関係して、帯電効率が
変化するもので有れば適用可能である。
子放出素子としては、MIS(金属−絶縁体−半導体)
構造を有するもの、あるいはMIM(金属−絶縁体−金
属)構造を有するものであってもよい。
体基板の表面を陽極酸化処理により多孔質化した多孔質
半導体層と、(c)該多孔質半導体眉上に形成される金
属薄膜電極と、(d)前記半導体基板の裏面に形成され
るオーミック電極とを有するものであってもよい。
れたタンタルオキサイド(Ta2O 5)膜と前記タンタ
ルオキサイド(Ta2O5)膜上に形成されたZnS膜
と、前記ZnS膜上に形成された上部電極により構成さ
れているエレクトロルミネッセント素子であるもの、等
であってもよい。
帯電機構は、オゾン、NOxの発生量が極めて少ない。
しかし、通常半導体を用いたプロセスでは、単結晶シリ
コンで300mm程度、ポリシリコンやアモルファスシ
リコンでも、大型のものは成膜装置的な制約がある。ま
た、大型化に伴いばらつきの度合いが大きくなる。本構
成では、たとえば、6インチの単結晶プロセスで、多数
のチップを作製し、特性によるクラス分けを行い帯電ム
ラを低減化できる。
る電気的負性気体の負イオン化を説明するための図であ
る。
の構成は、大気の条件により変動するので、必ずしもこ
れに固定されるわけではないが、おおむね図2に示すよ
うな形で、電荷が伝わっていくと考えられる。
4μm程度といわれており、電子での電荷の輸送は大気
中である限り、支配的ではないと考えられる。これら電
子放出素子によるイオン化での帯電機構は、オゾン、N
Oxの発生量が極めて少ない。しかし、電子の放出量が
帯電量に直接影響するため、このムラが直接帯電電位に
影響する。これを防止する構成が必要である。
明するための構成例を示す図である。
(下部電極5)を付与して、導電性基板とし、該基板の
一表面側に形成された強電界ドリフト部2と、強電界ド
リフト部2上に形成された導電性薄膜よりなる表面電極
7とを備え、表面電極7を導電性基板に対して正極とし
て直流電圧を印加することにより導電性基板から注入さ
れた電子が強電界ドリフト部2をドリフトし表面電極7
を通して放出される電界放射型電子放出素子1を有する
帯電装置が構成される。
おいても、電子放出素子1の少なくとも一部に電気的負
性気体を含む気体を接触させ、放出された電子と電気的
負性気体分子により発生した負イオンとにより被帯電体
を帯電させる構成である。
性基板の少なくとも一部を下部電極5として形成し、下
部電極5の上に、低抵抗部3と強電界ドリフト部2とを
ストライプ状に形成し、低抵抗部3と下部電極5とが熱
的及び電気的に接触させる。
網状に形成して低抵抗部3と下部電極5とが熱的及び電
気的に接触させてもよい。
は、低抵抗部3をシリサイドとして構成するとよい。
施例において、前記導電性基板の少なくとも一部を下部
電極5として形成し、下部電極5の上に、低抵抗部3と
して形成したシリサイドと、強電界ドリフト部2のいず
れかを島状に分布するよう形成し、該シリサイド3と下
部電極5とが熱的及び電気的に接触させる構成としても
よい。図1、図2に示したように、この実施例において
も、電子放出素子1の少なくとも一部に電気的負性気体
を含む気体を接触させ、放出された電子と電気的負性気
体分子により発生した負イオンとにより被帯電体を帯電
させる点は同じである。
基板6(例えば、石英ガラス)に導電層を付与して前記
導電性基板とし、前記導電層としてシリサイドを用いる
構成としてもよい。
は、絶縁性基板6(例えば、石英ガラス)に導電層を付
与して前記導電性基板とし、前記導電層としてシリコン
上のシリサイドを用いる構成としてもよい。
シリコン基板を用い、シリコン基板上にシリサイドを形
成して前記導電性基板としてもよい。
は、低抵抗部3を構成するシリサイドには、好適には、
ニッケル、パラジウム、白金のいずれか、または、その
組み合わせとのシリサイドを用いる。
流れる電流の方が、電子放出による電流よりもかなり大
きい、そのためこの素子電流により発生する熱を適宜逃
がしていないと熱暴走が発生し、さらには素子破壊につ
ながっていく。低抵抗部3は、表面電極7とは、十分な
絶縁構造で絶縁が保たれており、素子電流は、強電界ド
リフト部2を流れるようになっている。低抵抗部3にシ
リサイドを用いる理由は、金属をシリコンと一緒に加熱
するとシリサイドになりやすくポリシリコンに比べると
抵抗が低く熱伝導性も高く放熱効果が期待できるからで
ある。
電子放出素子の基板と平行な断面を示す図である。
がっているため、放熱効率が高く、面の一部分が高温に
なるのを防ぐことができる。下部電極5としては、原理
的には、電気伝導性のあるものであれば良い。しかし、
プロセス上、高温に耐えうるもので、シリコンプロセス
に整合性があるものが良い。つまり、アルカリ金属など
の不純物が少なく、シリコンと高温で反応しにくいもの
が望ましい。そのため、シリサイド、シリサイドとシリ
コンの組み合わせたもの(いわゆるポリサイドなど)が
最適である。
おける電子放出素子の基板と平行な断面を示す図であ
る。
フト部2は、図4と同様のものを適用できる。冷却効率
は、図4の実施例に劣るが、下部電極5との熱的な接合
をとり、下部電極5が十分な熱伝導を持つ構成にするこ
とにより、適応できる。
成するシリサイドには、好適には、ニッケル、パラジウ
ム、白金のいずれか、または、その組み合わせとのシリ
サイドを用いた。他のモリブデン、タングステン、タン
タル、チタンなどを用いた場合には、基本的にシリコン
拡散により、シリサイド化反応が進むため段差は比較的
大きくなる構成となる。
方法の一実施例を説明するための図である。
技術を用いて、基板(図示せず)上に形成する。下部電
極5を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、
金属21としての白金をメッシュ構造にパターニングす
ることにより、図6(A)に示す構造が得られる。
VD法により行い、成膜条件は、真空度を20Pa、基
板温度を640℃、モノシランガスの流量を600sc
cmとした。この温度では、白金とシリコンが反応する
ため、白金シリサイドとポリシリコン22のパターンが
形成され、図6(B)に示す構造が得られる。
t%のフッ化水素水溶液とエタノールとを略1:1で混
合した混合液よりなる電解液を用い、白金電極(図示せ
ず)を負極、下部電極5を正極として、ポリシリコン層
22に光照射を行いながら定電流で陽極酸化処理を行う
ことによって、多孔質ポリシリコン層(強電解ドリフト
部2となる)が形成される。
件として、電流密度を10mA/cm2一定、陽極酸化
時間を30秒とするとともに、陽極酸化中に500Wの
タングステンランプによりポリシリコン層22の表面に
光照射を行った。
Therma1 Oxidation)技術によって多
孔質ポリシリコン層(強電界ドリフト部2となる)及び
白金シリサイド(低抵抗部3となる)の急速熱酸化を行
うことにより図6(C)に示す構造が得られる。酸化工
程によって、白金シリサイド3の周囲はシリコン酸化膜
31に覆われる。急速熱酸化の条件としては、酸化温度
を900℃、酸化時間を1時間とした。最後に、表面電
極7として金や白金などの金属薄膜を、例えば蒸着によ
り、形成することによって、図1及び図3に示す構造の
電子放出素子1が得られる。
方法のさらに別の例を説明するための図である。
技術を用いて形成する。下部電極5を形成した後、ポリ
シリコン22を成膜する。ポリシリコン22の成膜は、
LPCVD法により行い、成膜条件は、真空度を20P
a、基板温度を640℃、モノシランガスの流量を60
0sccmとした。次に、フォトリソグラフィ技術を用
いて、金属21としての白金をメッシュ構造にパターニ
ングすることにより、図7(A)に示す構造が得られ
る。
度では、白金とシリコンが反応するため、白金シリサイ
ド(低抵抗部3となる)とポリシリコン22(強電界ド
リフト部2となる)のパターンが形成され、図7(B)
に示す構造が得られる。
ッ化水素水溶液とエタノールとを略1:1で混合した混
合液よりなる電解液を用い、白金電極(図示せず)を負
極、下部電極5を正極として、ポリシリコン層22に光
照射を行いながら定電流で陽極酸化処理を行うことによ
って、多孔質ポリシリコン層(すなわち、強電界ドリフ
ト部2)が形成される。酸化工程によって、白金シリサ
イド3の周囲はシリコン酸化膜31に覆われる。
件として、電流密度を10mA/cm2一定、陽極酸化
時間を30秒とするとともに、陽極酸化中に500Wの
タングステンランプによりポリシリコン層22の表面に
光照射を行った。
多孔質ポリシリコン層(強電界ドリフト部2となる)及
び白金シリサイド(低抵抗部3となる)の急速熱酸化を
行うことにより図7(C)に示す構造が得られる。急速
熱酸化の条件としては、酸化温度を900℃、酸化時間
を1時間とした。最後に、表面電極として金や白金など
の金属薄膜を、例えば蒸着により、形成することによっ
て、図1及び図3に示す構造の電子放出素子が得られ
る。
像形成装置を説明するための概略構成図である。
を画像形成装置に適用する場合について説明する。この
例では、画像形成装置は電子写真方式の複写機やプリン
タとして用いられる静電潜像形成装置である。
動可能に設けられたドラム形状の感光体12を備えてい
る。この感光体12が、本発明の帯電装置10が放出す
る電子とイオンにより帯電される被帯電体である。画像
形成動作が開始されると、感光体12は矢印Sの方向に
中心軸O周りに一定線速度で回動される。
0、現像ローラ16、転写チャージャ14及び除電ブラ
シ18が配備されている。帯電装置10により帯電され
た感光体12は、露光装置20が画像情報にしたがって
発生する光ビームの光走査を受け、感光体上に静電潜像
が記録される。感光体12に近接させた現像ローラ16
の表面には帯電したトナーが供給され、このトナーが感
光体12の静電潜像に付着して画像を顕像化する。すな
わち、トナー像が形成される。
て、被記録体13(通常、被記録体として記録紙を用い
る)が記録タイミングに合わせて感光体12の転写チャ
ージャ14近傍に搬送される。記録紙13が感光体12
を通過する際に、転写チャージャ14によって、トナー
像が転写される。記録紙13はさらに、定着ローラ20
へ搬送され、定着ローラ20で定着されて、画像形成装
置の外側に設けられた排紙トレイに排出される。除電ブ
ラシ18は、感光体12に残った電荷を取り除き、帯電
装置10による感光体12の再帯電に備える。
を、電子写真方式の静電潜像形成装置における帯電器と
して適用することで、従来の電子写真プロセスをほとん
ど変更することなく、オゾンと窒素酸化物が非常に少な
い画像形成装置を構成することができる。また、本発明
の帯電装置10に用いる電子放出素子1は、低抵抗部に
配置する構成としたため、大きな幅の被帯電体に帯電さ
せる場合にも帯電むらを低減させ、安定した帯電効率を
実現することが可能となる。
装置によれば、低いエネルギーの電子による放電を伴わ
ない負イオン形成により被帯電体を帯電させる電子放出
素子を用いているため、オゾン、NOxの発生量が極め
て少ない。また、帯電むらを低減させ、安定した帯電効
率を実現することが可能となる。
の基板横方向への電気的接続により、均一な電場形成が
可能となり、同様に基板横方向への熱的接続により、冷
却効率を上げ、温度分布をより均一にでき、結果として
均一な電子放出となり、被帯電体を均一に帯電させるこ
とが可能となる。
リサイドは、従来のポリシリコンの1/10乃至1/5
0の電気抵抗であり、抵抗ロス分が小さくなため、均一
電場を生成でき、さらに熱伝導性が格段に良いため、蓄
熱による強電界ドリフト層の破壊を防止できる。
リサイドは、従来のポリシリコンの1/10乃至1/5
0の電気抵抗であり、そのため熱伝導性が格段に良いた
め、蓄熱による強電界ドリフト層の破壊を防止できる。
電界ドリフト層を構成するために必要なシリコンは、成
膜時に高温が必要であり、通常の金属は反応してしまい
シリサイドになってしまうため使用できない。金属によ
っては、300℃程度でもシリサイドを形成してしまう
ものもある。そのため、元々シリサイドとしてあれば、
それ以上のシリサイド化は、進行しにくくなるため電子
放出素子を作製するのに余分な反応が起こりにくくな
る。電子放出素子を容易に製造することができる。
分なシリコンがあるとさらに、目的としないシリサイド
化などの反応が起こりにくくなり、容易に電子放出素子
の製造できる。
分なシリコンがあるとさらに、目的としないシリサイド
化などの反応が起こりにくくなり、容易に電子放出素子
の製造できる。
ッケル、パラジウム、白金は、これらの金属の拡散によ
り反応が進んで行き、シリサイドがシリコンの中に進入
するように形成されるため、よりなだらかになっていく
ため、低抵抗部と強電界ドリフト部になる両方の部分を
段差なく形成できる構成となる。
リコンを成膜しながら、金属が存在する部分は、シリサ
イドが形成されていき、同時に作製しているため、低抵
抗部と強電界ドリフト部になる両方の部分を段差なく形
成できる。
散により反応が進んで行き、なだらかになっていくた
め、低抵抗部と強電界ドリフト部になる両方の部分を段
差なく形成できる。
ッケル、パラジウム、白金は、これらの金属の拡散によ
り反応が進んで行き、シリサイドがシリコンの中に進入
するように形成されるため、よりなだらかになっていく
ため、低抵抗部と強電界ドリフト部になる両方の部分を
段差なく形成できる。他のモリブデン、タングステン、
タンタル、チタンなどは、基本的にシリコン拡散によ
り、シリサイド化反応が進むため段差は比較的大きくな
る。
ば、請求項1乃至7記載の帯電装置を使用することによ
り、オゾン、NOxの発生の少ない電子写真方式の画像
形成装置を提供でき、感光体の劣化因子が少なくなり、
高寿命で、環境に配慮した画像形成装置を提供すること
ができる。
子の基本的構成を示す図である。
気体の負イオン化を説明するための図である。
構成例を示す図である。
の基板と平行な断面を示す図である。
出素子の基板と平行な断面を示す図である。
例を説明するための図である。
施例を説明するための図である。
説明するための概略構成図である。
Claims (11)
- 【請求項1】 導電性基板と、該基板の一表面側に形成
された強電界ドリフト部と、該強電界ドリフト部上に形
成された導電性薄膜よりなる表面電極とを備え、表面電
極を導電性基板に対して正極として直流電圧を印加する
ことにより導電性基板から注入された電子が強電界ドリ
フト部をドリフトし表面電極を通して放出される電界放
射型電子放出素子を有する帯電装置において、前記電子
放出素子の少なくとも一部に電気的負性気体を含む気体
を接触させ、放出された電子と電気的負性気体分子によ
り発生した負イオンとにより被帯電体を帯電させる構成
とし、かつ、前記導電性基板の少なくとも一部を下部電
極として形成し、該下部電極の上に、低抵抗部と強電界
ドリフト部とをストライプ状に、もしくは低抵抗部を網
状に形成し、前記低抵抗部と前記下部電極とが熱的及び
電気的に接触していることを特徴とする帯電装置。 - 【請求項2】 前記低抵抗部をシリサイドとしたことを
特徴とする請求項1記載の帯電装置。 - 【請求項3】 導電性基板と、該基板の一表面側に形成
された強電界ドリフト部と、該強電界ドリフト部上に形
成された導電性薄膜よりなる表面電極とを備え、表面電
極を導電性基板に対して正極として直流電圧を印加する
ことにより導電性基板から注入された電子が強電界ドリ
フト部をドリフトし表面電極を通して放出される電界放
射型電子放出素子を有する帯電装置において、前記電子
放出素子の少なくとも一部に電気的負性気体を含む気体
を接触させ、放出された電子と電気的負性気体分子によ
り発生した負イオンとにより被帯電体を帯電させる構成
とし、かつ、前記導電性基板の少なくとも一部を下部電
極として形成し、該下部電極の上に、シリサイドと強電
界ドリフト部のいずれかを島状に分布するよう形成し、
前記シリサイドと前記下部電極とが熱的及び電気的に接
触していることを特徴とする帯電装置。 - 【請求項4】 絶縁性基板に導電層を付与して前記導電
性基板とし、前記導電層としてシリサイドを用いたこと
を特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項記載の帯電
装置。 - 【請求項5】 絶縁性基板に導電層を付与して前記導電
性基板とし、前記導電層としてシリコン上のシリサイド
を用いたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一
項記載の帯電装置。 - 【請求項6】 シリコン基板を用い、該シリコン基板上
にシリサイドを形成して前記導電性基板としたことを特
徴とする請求項1乃至3のいずれか一項記載の帯電装
置。 - 【請求項7】 前記低抵抗部を構成するシリサイドは、
ニッケル、パラジウム、白金のいずれか、または、その
組み合わせとのシリサイドであることを特徴とする請求
項1乃至6のいずれか一項記載の帯電装置。 - 【請求項8】 請求項1乃至6のいずれか一項記載の帯
電装置の製造方法において、導電性部に金属を低抵抗部
のパターンに合わせて形成し、その後に、シリコンをシ
リサイド形成温度以上で成膜し、低抵抗部及び強電界ド
リフト部となる部分を形成する過程を含むことを特徴と
する帯電装置の製造方法。 - 【請求項9】 請求項1乃至6のいずれか一項記載の帯
電装置の製造方法において、シリコンを基板の導電性部
に成膜し、金属を低抵抗部のパターンに合わせ形成し、
その後に、シリコンをシリサイド形成温度以上に加熱す
ることにより、低抵抗部及び強電界ドリフト部となる部
分を作製する過程を含むことを特徴とする帯電装置の製
造方法。 - 【請求項10】 前記金属は、ニッケル、パラジウム、
白金のいずれか、またはその組み合わせを用いることを
特徴とする請求項8記載の帯電装置の製造方法。 - 【請求項11】 感光体上に静電潜像を保持させて画像
を形成する画像形成装置において、請求項1乃至7記載
の帯電装置を用いて該感光体を帯電させることを特徴と
する画像形成装置。
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