JP2002308671A - 耐還元性誘電体組成物及びそれを用いたセラミック電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、中高圧用として優れた電気的特性
が発現できる耐還元性誘電体組成物を提供し、該耐還元
性誘電体組成物を用いて初期特性及び耐久信頼性等のば
らつきが小さい卑金属内部電極積層セラミックコンデン
サに代表されるセラミック電子部品を提供することを目
的としている。 【解決手段】 本発明の耐還元性誘電体組成物は、ＢＥ
Ｔの比表面積値が３．０〜５．０ｍ²／ｇの範囲内にあ
り、且つＢａ／Ｔｉのモル比が０．９９５〜１．００６
の範囲内にある主成分であるＢａＴｉＯ₃に対して、添
加物として金属の酸化物または焼成により金属の酸化物
になる化合物を含有し、焼結助剤としてＳｉＯ₂系の化
合物を含有することを特徴とするものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、内部電極が卑金属
から成り、ＪＩＳ規格Ｂ特性或いはＥＩＡ規格Ｘ７Ｒ特
性を満足し、スイッチング電源回路、ＤＣ−ＤＣコンバ
ータ回路、照明用インバータ回路等に中高圧用として広
く使用される積層セラミックコンデンサに代表されるセ
ラミック電子部品及びそれを製造する為の耐還元性誘電
体組成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ノート型パソコン等に代表される
様に電子機器の軽薄短小化に伴いそれに使用される重要
な受動部品の１つであるセラミックコンデンサも従来の
円板型から積層型への移行が急速に進み、スイッチング
電源回路やＤＣ−ＤＣコンバータ回路の小型化及び樹脂
モールド化に寄与している。また、信用調査機関のデー
タによると西暦２００５年にはセラミックコンデンサの
積層化率は９０％を超える事が確実であり、低定格電圧
品のみならず中高圧品、更には安全規格品の領域にまで
積層化が波及するのは時間の問題である。

【０００３】例えば、スイッチング電源回路の１次側ス
ナバ用としては定格電圧が６３０ＶＤＣでＪＩＳ規格Ｂ
特性或いはＥＩＡ規格Ｘ７Ｒ特性を満足する中高圧用積
層セラミックコンデンサが多数使用されており、一大市
場を形成しつつある。

【０００４】通常の積層セラミックコンデンサは、セラ
ミック誘電体層と内部電極層が交互に複数積層されて静
電容量を取得する有効層が形成され、その有効層の上下
に全体の寸法調整と内部気密封止の為にセラミック誘電
体層のみから成る無効層が形成されている。そして、内
部電極層の電気的接続は、それらの終端部分が露出した
両端面に外部電極を設けることによって行い、これら外
部電極表面には半田付け実装を容易に且つ支障なく行え
る様に、Ｎｉ鍍金の上にＳｎ鍍金又はＳｎ−Ｐｂ系の半
田鍍金が層状に施された構造となっている。

【０００５】従来から、この様な積層セラミックコンデ
ンサに使用される誘電体組成物は、主成分であるＢａＴ
ｉＯ₃に数種類の添加物を加えたものが主流であり、例
えば特公平３−２３５０４号公報にはＢａＴｉＯ₃にＮ
ｂ₂Ｏ₅とＣｏＯを加えた組成物が開示されており、これ
によるとＮｂ₂Ｏ₅とＣｏＯが静電容量の温度変化率を平
坦化する成分として作用し、ＥＩＡ規格Ｘ７Ｒ特性を満
足することが記載されている。同じく特公平３−６１２
８７号公報にはＢａＴｉＯ₃にＮｂ₂Ｏ₅、ＣｏＯ、Ｃｅ
Ｏ₂及びＺｎＯを加えた組成物が開示されており、Ｎｂ₂
Ｏ₅とＣｏＯが静電容量の温度変化率を平坦化し、Ｃｅ
Ｏ₂は焼成温度を低下し、ＺｎＯは電気特性を改善する
ことが記載されている。

【０００６】しかしながら上記誘電体組成物は、内部電
極としてＰｄ系貴金属の使用を前提としたものであり、
特に高積層数高静電容量の品種において原材料コストの
面で問題があった。これを解決する方法として、Ｐｄ系
の貴金属に代わりコストの安いＮｉあるいはＮｉを主成
分とする合金を使用することが公知であり、積層セラミ
ックコンデンサに占める卑金属内部電極品の割合は急増
している。

【０００７】Ｎｉは卑金属であるので、従来の貴金属の
積層セラミックコンデンサの様に酸素雰囲気中で焼成す
る事は不可能で、低酸素分圧雰囲気中においてＮｉが酸
化されないように焼成しなければならない。セラミック
コンデンサ用として公知であるＢａＴｉＯ₃に代表され
るペロブスカイト酸化物は、１０００℃以上の高温にお
いてＮｉの酸化還元平衡酸素分圧以下の雰囲気に晒され
ると還元され、絶縁抵抗値が低下したり、電界を印加し
た状態での信頼性試験、いわゆる負荷寿命での不良率が
増大し、コンデンサ用セラミック誘電体としての機能を
果たさなくなる。

【０００８】この課題に対し、これらペロブスカイト酸
化物が、ＡサイトとＢサイトに存在するイオンの化学量
論比を変化させたり、あるいは結晶格子中にドナーとな
って固溶しうる、例えば遷移金属イオン等を添加したり
することによって、前述のような熱処理を行っても還元
されにくくなる性質を利用して、ペロブスカイト酸化物
と微量の添加物から構成される多くの耐還元性誘電体組
成物が考案され、開示されている。以前の耐還元性誘電
体組成物は、静電容量の温度変化率が大きいＪＩＳ規格
Ｆ特性が主流であったが、近年積極的な材料開発が行わ
れ、温度変化率が小さいＪＩＳ規格Ｂ特性或いはＥＩＡ
規格Ｘ７Ｒ特性が薄層大容量積層セラミックコンデンサ
に適用されている。例えば特開平８−１２４７８４号公
報には主成分としてＢａＴｉＯ₃を副成分としてＭｇ
Ｏ、Ｙ₂Ｏ₃、ＢａＯ及びＣａＯから選ばれる少なくとも
１種とＳｉＯ₂とを含有するＮｉ及びＮｉ系合金等の卑
金属が使用可能な耐還元性誘電体組成物が開示されてい
る。また、特開平９−１７１９３８号公報にはＢａＴｉ
Ｏ₃系の主成分に対して、副成分としてＭｇＯ、及び焼
結助剤成分としてＬｉ₂Ｏ−Ｂ₂Ｏ₃−（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ₂
系の酸化物を含有した耐還元性誘電体組成物が開示され
ている。これにより、静電容量の温度変化率が小さく、
しかも安価なＮｉ系の内部電極を使用した大容量の積層
セラミックコンデンサが主として１６〜５０ＶＤＣの低
定格電圧品を中心に商品化されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
耐還元性誘電体組成物の多くは低定格電圧大容量の積層
セラミックコンデンサ用として開発されたものであり、
定格電圧が６３０ＶＤＣ以上の中高圧用としては電気的
特性上不向きであった。その上、従来の耐還元性誘電体
組成物は主成分であるペロブスカイト酸化物に対する微
量添加物の均一な分散性や反応性を考慮して設計された
ものであるとは言い難く、工程上制御しえない要因によ
って製品の特性、品質が変動し、歩留まりの低下や信頼
性不良を引き起こしている。例えば、従来のプロセスで
ある仮焼混合法により作製した耐還元性誘電体組成物は
微量添加物の中でも特にＬｉ₂Ｏ−Ｂ₂Ｏ₃−（Ｓｉ，Ｔ
ｉ）Ｏ₂系やＢａＯ−ＳｉＯ₂系等の焼結助剤成分を均一
に分散させることが難しく、焼結助剤成分が不均一に分
散した組成物であった。その結果、焼成時の反応過程で
局部的な異常反応を起こし、結晶粒子径のばらつきが大
きくなりしかもポアーが多い不均質な微細構造となり、
静電容量や誘電体損失のばらつきが生じ、絶縁破壊電圧
が低く、また超加速寿命試験（ＨＡＬＴ）における故障
時間の分布が広く、平均故障時間が短いという問題点を
有していた。また、焼結助剤成分を均一に分散しても、
主成分であるＢａＴｉＯ₃粉末のＢＥＴの比表面積値や
Ｂａ／Ｔｉモル比の大小により作製した積層セラミック
コンデンサの結晶粒子径及び微細組織が大きく異なる
為、電気特性の中でも特に静電容量の温度変化率が大き
く変動していた。

【００１０】そこで本発明は以上の様な課題を解決し、
主成分であるＢａＴｉＯ₃粉末のＢＥＴの比表面積値と
Ｂａ／Ｔｉモル比を限定し、且つ焼結助剤成分が偏析す
ることなく主成分中に均一に分散し、中高圧用として優
れた電気的特性が発現できる耐還元性誘電体組成物を提
供し、該耐還元性誘電体組成物を用いて初期特性及び耐
久信頼性等のばらつきが小さい卑金属内部電極積層セラ
ミックコンデンサに代表されるセラミック電子部品を提
供することを目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の耐還元性誘電体組成物は、ＢＥＴの比表面積
値が３．０〜５．０ｍ²／ｇの範囲内にあり、且つＢａ
／Ｔｉのモル比が０．９９５〜１．００６の範囲内にあ
る主成分であるＢａＴｉＯ₃に対して、少なくとも添加
物としてＤｙの酸化物または焼成によりＤｙの酸化物に
なる化合物、Ｍｇの酸化物または焼成によりＭｇの酸化
物になる化合物、Ｍｎの酸化物または焼成によりＭｎの
酸化物になる化合物を含有し、少なくとも焼結助剤とし
てＢａ_{1- X}Ｃａ_XＳｉＯ₃の一般式で表され、Ｘが０≦Ｘ
≦１の範囲内からなる成分を含有するものである。これ
により、優れた耐還元性を有し、また非常に制御された
結晶粒子径と緻密で均質な微細構造を有し、中高圧用と
して遜色のない電気的特性を有する積層セラミックコン
デンサを製造するための耐還元性誘電体組成物が得られ
る。

【００１２】また、ＢＥＴの比表面積値が３．０〜５．
０ｍ²／ｇの範囲内にあり、且つＢａ／Ｔｉのモル比が
０．９９５〜１．００６の範囲内にある主成分であるＢ
ａＴｉＯ₃１００モルに対して、前記添加物及び焼結助
剤の添加量を規定することにより、さらに良好な電気的
特性と信頼性を有する耐還元性誘電体組成物が得られ
る。

【００１３】また、本発明の耐還元性誘電体組成物は、
Ｂａ_1-XＣａ_XＳｉＯ₃の一般式で表され、Ｘが０≦Ｘ≦
１の範囲内からなる焼結助剤成分を、Ｃａ及びＢａの酢
酸塩水溶液とＳｉの金属アルコキシドエタノール溶液と
の混合溶液を攪拌しながらアンモニア水を滴下して調整
するものである。これにより、Ｃａ、Ｂａ及びＳｉを含
有する焼結助剤成分が、ＢＥＴの比表面積値とＢａ／Ｔ
ｉのモル比が限定された主成分であるＢａＴｉＯ₃粒子
の周囲に均一にコーティングされる為、焼成時に局部的
な異常反応がなく焼結助剤成分が均一に分散された非常
に制御された結晶粒子径と緻密な組織を形成することが
可能な耐還元性誘電体組成物が得られる。

【００１４】また、本発明のセラミック電子部品は有効
層及び無効層を形成しているセラミック誘電体層を前記
の耐還元性誘電体組成物で構成したチップ型、モールド
型及びリード型の積層セラミックコンデンサであり、主
として中高圧用としてそれぞれの特徴を生かしてユーザ
の要望に応じた使い分けが可能となる。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、ＢＥＴの比表面積値が３．０〜５．０ｍ²／ｇの範
囲内にあり、且つＢａ／Ｔｉのモル比が０．９９５〜
１．００６の範囲内にある主成分であるＢａＴｉＯ₃に
対して、添加物として金属の酸化物または焼成により金
属の酸化物になる化合物を含有し、焼結助剤としてＳｉ
Ｏ₂系の化合物を含有することを特徴とする耐還元性誘
電体組成物であり、優れた電気的特性と耐久信頼性を有
する卑金属内部電極積層セラミックコンデンサを形成す
ることが可能な耐還元性誘電体組成物を実現できるとい
う作用を有する。

【００１６】本発明の請求項２に記載の発明は、ＢＥＴ
の比表面積値が３．０〜５．０ｍ²／ｇの範囲内にあ
り、且つＢａ／Ｔｉのモル比が０．９９５〜１．００６
の範囲内にある主成分であるＢａＴｉＯ₃に対して、少
なくとも添加物としてＤｙの酸化物または焼成によりＤ
ｙの酸化物になる化合物、Ｍｇの酸化物または焼成によ
りＭｇの酸化物になる化合物、Ｍｎの酸化物または焼成
によりＭｎの酸化物になる化合物を含有し、少なくとも
焼結助剤としてＢａ_1-XＣａ_XＳｉＯ₃の一般式で表さ
れ、Ｘが０≦Ｘ≦１の範囲内からなる成分を含有するこ
とを特徴とする耐還元性誘電体組成物であり、優れた耐
還元性を有し、中高圧用として遜色のない電気的特性を
有する卑金属内部電極積層セラミックコンデンサを形成
することが可能な耐還元性誘電体組成物を実現できると
いう作用を有する。

【００１７】本発明の請求項３に記載の発明は、ＢＥＴ
の比表面積値が３．０〜５．０ｍ²／ｇの範囲内にあ
り、且つＢａ／Ｔｉのモル比が０．９９５〜１．００６
の範囲内にある主成分であるＢａＴｉＯ₃に対して、添
加物としてＤｙの酸化物または焼成により酸化物になる
化合物を酸化物Ｄｙ₂Ｏ₃換算で０．２〜１．３モル、Ｍ
ｇの酸化物または焼成により酸化物になる化合物を酸化
物ＭｇＯ換算で０．１〜１．２モル、Ｍｎの酸化物また
は焼成により酸化物になる化合物を酸化物Ｍｎ₃Ｏ₄換算
で０．０２〜０．１２モル含有し、焼結助剤としてＢａ
_1-XＣａ_XＳｉＯ₃の一般式で表され、Ｘが０≦Ｘ≦１の
範囲内からなる成分を０．５〜３．５モル含有すること
を特徴とする耐還元性誘電体組成物であり、焼成温度に
おいてＮｉの酸化還元平衡酸素分圧以下の雰囲気中で優
れた耐還元性が得られ、良好な電気的特性と高度な耐久
信頼性を有するＮｉ内部電極積層セラミックコンデンサ
を形成することが可能な耐還元性誘電体組成物を実現で
きるという作用を有する。

【００１８】本発明の請求項４に記載の発明は、請求項
２，３に記載の発明において、Ｂａ _1-XＣａ_XＳｉＯ₃の
一般式で表され、Ｘが０≦Ｘ≦１の範囲内からなる成分
は、Ｃａ及びＢａの酢酸塩水溶液とＳｉの金属アルコキ
シドエタノール溶液との混合溶液を攪拌しながら該混合
溶液にアンモニア水を滴下して調整するものであり、Ｃ
ａ、Ｂａ及びＳｉを含有する焼結助剤成分が均一に分散
されると同時に、ＢＥＴの比表面積値とＢａ／Ｔｉのモ
ル比が限定された主成分であるＢａＴｉＯ₃粒子の周囲
に均一にコーティングされる為、焼成時に局部的な異常
反応がなく焼結助剤成分が均一に分散された非常に制御
された結晶粒子径と緻密な組織を形成することが可能な
耐還元性誘電体組成物を実現できるという作用を有す
る。

【００１９】本発明の請求項５に記載の発明は、第１の
複数のセラミック誘電体層の間にＮｉ或いはＮｉを主成
分とする合金より成る内部電極層を設けた有効層及び第
２の複数のセラミック誘電体層より成る無効層を有した
基体と、基体の両端部から側部に至るように設けられ、
内部電極層と電気的に接合された一対の外部電極とを備
えたチップ型のセラミック電子部品であって、セラミッ
ク誘電体層を請求項１〜４いずれか１記載の耐還元性誘
電体組成物で構成するものであり、非常に制御された結
晶粒子径と緻密な微細組織を有し、良好な電気的特性と
耐久信頼性とを兼ね備え、回路基板等に表面実装可能な
中高圧用の積層セラミックコンデンサに代表されるセラ
ミック電子部品を実現できるという作用を有する。

【００２０】本発明の請求項６に記載の発明は、第１の
複数のセラミック誘電体層の間にＮｉ或いはＮｉを主成
分とする合金より成る内部電極層を設けた有効層及び第
２の複数のセラミック誘電体層より成る無効層を有した
基体と、基体の両端部から側部に至るように設けられ、
内部電極層と電気的に接合された一対の外部電極と、外
部電極にそれぞれ接続された端子とを備え、基体及び外
部電極が樹脂により埋め込まれたモールド型のセラミッ
ク電子部品であって、セラミック誘電体層を請求項１〜
４いずれか１記載の耐還元性誘電体組成物で構成するも
のであり、非常に制御された結晶粒子径と緻密な微細組
織を有し、良好な電気的特性と耐久信頼性とを兼ね備
え、異常電圧による沿面放電がなく、さらにたわみ等の
機械的応力に対して優れた耐久性を有する表面実装型の
中高圧用積層セラミックコンデンサに代表されるセラミ
ック電子部品を実現できるという作用を有する。

【００２１】本発明の請求項７に記載の発明は、第１の
複数のセラミック誘電体層の間にＮｉ或いはＮｉを主成
分とする合金より成る内部電極層を設けた有効層及び第
２の複数のセラミック誘電体層より成る無効層を有した
基体と、基体の両端部から側部に至るように設けられ、
内部電極層と電気的に接合された一対の外部電極と、外
部電極にそれぞれ接続されたリード線とを備え、基体及
び外部電極が樹脂により被覆されたリード型のセラミッ
ク電子部品であって、セラミック誘電体層を請求項１〜
４いずれか１記載の耐還元性誘電体組成物で構成するも
のであり、非常に制御された結晶粒子径と緻密な微細組
織を有し、良好な電気的特性と耐久信頼性とを兼ね備
え、異常電圧による沿面放電がなく、さらに回路基板に
はリード線が半田付けされる為、たわみ等の機械的応力
が一切印加されない中高圧用の積層セラミックコンデン
サに代表されるセラミック電子部品を実現できるという
作用を有する。

【００２２】そして、本発明の請求項８に記載の発明
は、請求項５〜７に記載の発明において、前記外部電極
は上層、下層の二層構造であり、下層は基体の端面のみ
に設けられたものであり、外部電極を２層構造にするこ
とにより卑金属内部電極層との電気的接続が完璧になる
為、高度な信頼性を有するセラミック電子部品を実現で
きるという作用を有する。

【００２３】発明の実施において使用するＢａＴｉＯ₃
のＢＥＴの比表面積値とＢａ／Ｔｉのモル比は、製造す
る積層セラミックコンデンサの性能及び還元雰囲気焼成
における耐還元性の観点から限定される。ＢＥＴの比表
面積値が５．０ｍ²／ｇを超えるＢａＴｉＯ₃から成る耐
還元性誘電体組成物を用いた積層セラミックコンデンサ
は静電容量の温度変化率が大きくなり、ＥＩＡ規格Ｘ７
Ｒ特性を満足させることが困難となり、また３．０ｍ²
／ｇ未満のＢａＴｉＯ₃から成る耐還元性誘電体組成物
を用いた積層セラミックコンデンサは絶縁破壊電圧が低
く、設計した定格電圧を保証することが困難となるため
いずれも好ましくない。

【００２４】ＢＥＴ法による比表面積値測定原理は、予
め大きさが既知のＮ₂分子を一定の質量のＢａＴｉＯ₃粉
末に付着させて、その付着したＮ₂の分子数により粉体
の表面積を知るものであるが、実際の測定方法はＮ₂ガ
スの沸点である−１９５℃でＮ₂ガスの圧力を変えて粉
末に吸着されるＮ₂ガスの体積を測定したデータに以下
に示したＢＥＴの式を適用する（等温吸着）。

【００２５】

【数１】

【００２６】ＢａＴｉＯ₃のＢａ／Ｔｉのモル比が１．
００５を超えると静電容量が小さくなる傾向があり、実
用上では１．００６まで許容できる。また０．９９５未
満では静電容量の温度変化率が大きくなるためいずれも
好ましくない。さらに、ＢａＴｉＯ₃の反応性について
はそれが小さい方がＢ特性あるいはＸ７Ｒ特性の発現が
容易であるので、結晶化度の高い粉末を使用するのが好
ましい。このようなＢａＴｉＯ₃粉末を製造する工程に
おいて混入する不純物としては、バリウム以外のアルカ
リ土類金属や鉄、珪素及びアルミニウム等があるが、こ
れら不純物は数千ｐｐｍのオーダで含有されていても特
に支障はない。

【００２７】Ｂａ_1-XＣａ_XＳｉＯ₃の一般式で表され、
Ｘが０≦Ｘ≦１の範囲内からなる焼結助剤成分の出発材
料であるＣａ及びＢａの酢酸塩及びＳｉのアルコキシド
は一般的市販品が使え、これらに含有される不純物は似
通った化学的性質を有する金属であるため、前述のＢａ
ＴｉＯ₃と同様に数千ｐｐｍのオーダで含有されていて
も特に支障はない。また、アルコキシドを溶解させるエ
タノールも一般的な市販品が使用できる。

【００２８】これら酢酸塩やアルコキシドは水−エタノ
ール溶液中で水和したイオンとして存在し、後のアンモ
ニア水の滴下によって微細な水酸化物をコロイド状懸濁
液の形で生成し、これをＢａＴｉＯ₃粉末と混合した
際、均一な状態で分散されるのが望ましい為、アンモニ
ア水の濃度は１モル／リットル以下、工程の設備的、時
間的余裕がある場合にはより低濃度にするのが望まし
い。アンモニア水の濃度が１モル／リットルを超えて濃
厚になると、前述の水酸化物が偏って生成し組成的に不
均一な状態でＢａＴｉＯ₃粉末と混合される為、最終的
に組成不均一な耐還元性誘電体組成物となり、本発明の
意図するところとは全く異なった結果となる。

【００２９】ＢａＴｉＯ₃粉末に対して添加される各添
加物の量は、製造する積層セラミックコンデンサの誘電
率と誘電体損失、静電容量の温度変化率、絶縁抵抗、絶
縁破壊電圧、高温負荷寿命及び焼成温度における耐還元
性の観点から限定される。ＢａＴｉＯ₃１００モルに対
しＤｙ₂Ｏ₃が１．３モルを超えると焼成による緻密化が
不完全になる為誘電率が低下し、また０．２モル未満に
なると静電容量の温度変化率が大きくなり、高温負荷寿
命が短くなる。ＢａＴｉＯ₃１００モルに対しＭｇＯが
１．２モルを超えると誘電率の低下と誘電体損失の増大
を招き、また０．１モル未満になると焼成温度における
耐還元性が損なわれ、電気的特性及び寿命の全般にわた
って劣化する。ＢａＴｉＯ₃１００モルに対しＭｎ₃Ｏ₄
が０．１２モルを超えると誘電体損失が増加し、また
０．０２モル未満になると絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧が
低下し、高温負荷寿命が短くなる。

【００３０】さらに、ＢａＴｉＯ₃１００モルに対しＢ
ａ_1-XＣａ_XＳｉＯ₃の一般式で表され、Ｘが０≦Ｘ≦１
の範囲内からなる焼結助剤成分が３．５モルを超えると
誘電率が低下すると同時に高温負荷寿命が劣化し、また
０．５モル未満になると焼結助剤としての効果が得られ
ず、焼成による緻密化が不完全となり電気的特性及び寿
命の全般にわたって劣化する。

【００３１】

【実施例】次に、本発明の具体例をセラミック電子部品
の１つである積層セラミックコンデンサを取上げて説明
する。

【００３２】（実施例１）実験の概略は、（表１）に示
した組成表に従って、主成分であるＢａＴｉＯ₃粉末
（堺化学製ＢＴ−０３）と添加剤であるＤｙ₂Ｏ₃、Ｍｇ
Ｏ及びＭｎ₃Ｏ₄との配合物と、Ｃａ，Ｂａ及びＳｉより
成る焼結助剤成分のコロイド状懸濁液をボールミルで混
合して各々の出発原料粉末を作製する。

【００３３】なお、本実施例１において、ＢａＴｉＯ₃
はＢＥＴの比表面積値が４．０ｍ²／ｇで、Ｂａ／Ｔｉ
のモル比が１．０００の粉末を使用し、焼結助剤成分の
組成はＢａ_0.5Ｃａ_0.5ＳｉＯ₃とした。

【００３４】

【表１】

【００３５】使用する原材料のメーカとグレードは（表
２）にまとめて記載した。

【００３６】

【表２】

【００３７】次に、作製した粉末を使用して、形状が３
２１６サイズで定格電圧が６３０ＶＤＣを保証し１００
００ＰＦの静電容量値が取得可能な積層セラミックコン
デンサを試作して総合評価するものである。

【００３８】以下に積層セラミックコンデンサの詳細な
試作手順と評価方法について説明する。

【００３９】主成分であるＢａＴｉＯ₃粉末（ＢＥＴの
比表面積値が４．０ｍ²／ｇで、Ｂａ／Ｔｉのモル比が
１．０００）及び添加剤であるＤｙ₂Ｏ₃、ＭｇＯ及びＭ
ｎ₃Ｏ₄の各粉末を（表１）の組成表に基づいて電子天秤
で所定量を秤量し、５ｍｍφのＺｒＯ₂質ボールが３５
０ｇ入った内容積が６００ＣＣのポリエチレン製ポット
ミル中に投入する。

【００４０】次に、（表１）の組成表に基づいてＢａ、
Ｃａの酢酸塩及びＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）の
所定量を電子天秤で秤量した後、酢酸塩は１００ＣＣの
純水に、またＴＥＯＳは１５０ＣＣのエタノールに別々
に溶解させる。そして、酢酸塩水溶液をエタノール溶液
中に投入して攪拌を続けながら１規定のアンモニア水を
所定量滴下して、焼結助剤成分より成るコロイド状懸濁
液を得た。

【００４１】次に、該コロイド状懸濁液を上記ボールミ
ル中に投入し１００ｒｐｍの回転速度で２０時間混合し
た。混合物は１５０メッシュのシルクスクリーンで濾過
して、テフロン（登録商標）シートを敷いたステンレス
バット中に投入し、ドラフト中で加温しながらエタノー
ル分を揮発させ、アルミ泊で蓋をして１５０℃の温度で
乾燥した。乾燥した塊状物はアルミナ乳鉢中で解砕した
後、３２メッシュのナイロン篩を通過してアルミナ製坩
堝に入れて４００℃／２時間の条件で熱処理してスラリ
ー用粉末とした。

【００４２】次に、スラリー用粉末の所定量を溶剤及び
可塑剤と共に混合することにより湿潤した。湿潤後、ポ
リビニルブチラール樹脂より成るビヒクルを混合してシ
ート成形用スラリーを作製した。

【００４３】次に、該スラリーを１５０メッシュのシル
クスクリーンで濾過した後、成膜してセラミック生シー
トを得た。そして、該セラミック生シートと、Ｎｉペー
ストより作製した内部電極シートを用いて転写工法によ
り所定の積層仕様に基づいて積層した後、切断してグリ
ーンチップを得た。

【００４４】次に、得られたグリーンチップを面取りし
た後、その両端面にＮｉペーストを塗布し乾燥した後、
脱脂した。そして、回転式雰囲気炉により還元雰囲気焼
成を実施した。焼成は、グリーンガス、ＣＯ₂及びＮ₂に
より調整したＮｉの平衡酸素分圧よりも２桁程度低い酸
素分圧雰囲気中で１２５０℃の温度で２時間保持した。

【００４５】そして、焼成したチップの両端面に上層外
部電極となるＡｇペーストを塗布して大気中で焼き付け
た後、Ｎｉ鍍金及びその上にＳｎ鍍金を施して本実施例
１のチップ型積層セラミックコンデンサを完成させた。

【００４６】ここで、図１は本発明のセラミック電子部
品の一実施例を示す断面図である。本実施例１で作製し
たチップ型積層セラミックコンデンサは、図１に示して
いるように、ＢａＴｉＯ₃質セラミック誘電体層１３と
Ｎｉを含む内部電極層１２ａ，１２ｂ，１２ｃとを交互
に積層して形成された静電容量取得層となる有効層の上
下に無効層としてＢａＴｉＯ₃質セラミック誘電体層１
３が積層されて積層体１１が形成されており、該積層体
１１の両端部に前記内部電極層１２ｂ，１２ｃと電気的
に接合されたＮｉ質下層外部電極１４が設けられ、その
上にＡｇ質上層外部電極１５が設けられた構成である。

【００４７】次に、試作したチップ型積層セラミックコ
ンデンサの電気特性を評価した。静電容量（Ｃａｐ）と
誘電体損失（ｔａｎδ）はＹＨＰ製ＬＣＲメータ４２８
４Ａを使用して１Ｖ／１ＫＨｚの信号電圧下で測定し
た。絶縁抵抗値（ＩＲ）はアドバンテスト社製絶縁抵抗
計Ｒ８３４０Ａを使用して５００ＶＤＣを１分間印加し
て測定した。絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）は菊水電子製耐圧
計を使用して空気中で直流破壊電圧を測定した。静電容
量の温度変化率（Ｃａｐ−ＴＣ）は恒温槽にＹＨＰ製Ｌ
ＣＲメータ４２８４Ａを接続して−５５〜＋１２５℃の
範囲内で測定した。静電容量と誘電体損失は各々２０個
測定に供し、絶縁抵抗値と絶縁破壊電圧は各々１０個、
温度変化率は２個測定し、平均値を算出してそれらの結
果を（表３）に示した。

【００４８】

【表３】

【００４９】ここで、（表３）の試料Ｎｏは（表１）の
試料Ｎｏに対応している。また、これらの表中の試料Ｎ
ｏに※印を記したものは、電気的特性や焼結性などの評
価項目の内少なくとも１つについて良好な結果が得られ
なかった試料である。

【００５０】（表１）及び（表３）より明らかな様に、
ＢａＴｉＯ₃１００モルに対しＤｙ₂Ｏ₃が１．３モルを
超えると、１２５０℃の焼成で若干焼結性が劣化するた
め、静電容量が低下し、また０．２モル未満になると静
電容量の温度変化率が大きくなる傾向にあった。ＢａＴ
ｉＯ₃１００モルに対しＭｇＯが１．２モルを超えると
静電容量の低下と誘電体損失の増大を招き、また０．１
モル未満になると焼成時の耐還元性が損なわれる為、誘
電体損失が増大し、絶縁破壊電圧及び絶縁抵抗が劣化し
た。ＢａＴｉＯ₃１００モルに対しＭｎ₃Ｏ₄が０．１２
モルを超えると静電容量の低下と誘電体損失の増加を招
き、また０．０２モル未満になると絶縁抵抗及び絶縁破
壊電圧が急激に劣化した。さらに、ＢａＴｉＯ₃１００
モルに対しＢａ_0.5Ｃａ_0.5ＳｉＯ₃の一般式で表される
焼結助剤成分が３．５モルを超えると誘電率が低下し、
また０．５モル未満になると焼結助剤としての効果が得
られず、焼成による緻密化が不完全となり電気的特性の
全般にわたって劣化した。

【００５１】これに対し、本発明範囲内の耐還元性誘電
体組成物により作製した積層セラミックコンデンサは、
良好な焼結性と電気特性とを有し、またＥＩＡ規格Ｘ７
Ｒ特性及びＪＩＳ規格Ｂ特性を満足し、形状が３２１６
サイズで定格電圧が６３０ＶＤＣを保証し、１００００
ＰＦの静電容量値を有する中高圧用チップ型積層セラミ
ックコンデンサとして使用可能なものであった。

【００５２】以上の様に、本発明の耐還元性誘電体組成
物によれば、良好な焼結性と電気特性を有し、内部電極
としてＮｉを用いた中高圧用のチップ型積層セラミック
コンデンサを実現することができる。

【００５３】（実施例２）主成分であるＢａＴｉＯ₃粉
末（ＢＥＴの比表面積値が３．８ｍ²／ｇで、Ｂａ／Ｔ
ｉのモル比が１．０００）及び添加剤であるＤｙ₂Ｏ₃、
ＭｇＯ及びＭｎ₃Ｏ₄の各粉末を（表１）の試料Ｎｏ．１
８の組成に基づいて、電子天秤で所定量を秤量し、５ｍ
ｍφのＺｒＯ₂質ボールが２１００ｇ入った内容積が２
８００ＣＣのボールミル中に投入する。

【００５４】次にＢａ、Ｃａの酢酸塩及びＴＥＯＳ（テ
トラエトキシシラン）の所定量を試料Ｎｏ．１８の組成
に基づいて電子天秤で秤量した後、酢酸塩は６００ＣＣ
の純水に、またＴＥＯＳは９００ＣＣのエタノールに別
々に溶解させる。そして、該酢酸塩水溶液をエタノール
溶液中に投入して攪拌を続けながら１規定のアンモニア
水を２４０ＣＣ滴下して、焼結助剤成分より成るコロイ
ド状懸濁液を得た。

【００５５】次に、該コロイド状懸濁液を上記ボールミ
ル中に投入し５０ｒｐｍの回転速度で２０時間混合し
た。混合物は１５０メッシュのシルクスクリーンで濾過
して、テフロンシートを敷いたステンレスバット中に投
入し、ドラフト中で加温しながらエタノール分を揮発さ
せ、アルミ泊で蓋をして１５０℃の温度で乾燥した。乾
燥した塊状物はアルミナ乳鉢中で解砕した後、３２メッ
シュのナイロン篩を通過してアルミナ製坩堝に入れて４
００℃／２時間（昇降温速度：２００℃／Ｈ）の条件で
熱処理してスラリー用粉末を約７００ｇ作製した。

【００５６】そして、実施例１と同様の手順により積層
セラミックコンデンサ素子を作製した。次に、該積層セ
ラミックコンデンサ素子の両端面に端子を半田付けした
後、素子本体部をエポキシ系の熱硬化性樹脂に埋込んで
モールド型の積層セラミックコンデンサを完成させた。

【００５７】ここで、図２は、本発明のセラミック電子
部品の一実施例を示す断面図である。本実施例２で作製
したモールド型積層セラミックコンデンサは、図２に示
しているように、ＢａＴｉＯ₃質セラミック誘電体層２
３とＮｉを含む内部電極層２２ａ，２２ｂ，２２ｃとを
交互に積層して形成された静電容量取得層となる有効層
の上下に無効層としてＢａＴｉＯ₃質セラミック誘電体
層２３が積層されて積層体２１が形成されており、該積
層体２１の両端部に内部電極層２２ｂ，２２ｃと電気的
に接合されたＮｉ質下層外部電極２４が設けられ、その
上にＡｇ質上層外部電極２５が設けられた構成である。
そして、熱硬化性樹脂で構成される外装材２６に埋込ま
れた積層体２１の両端部から導電性の端子２７が引出さ
れ、該端子２７を介して回路基板に表面実装できるよう
に構成されるものである。

【００５８】次に、本実施例２のモールド型積層セラミ
ックコンデンサのたわみ強度を測定した。たわみ強度は
表面実装用電子部品の信頼性を判断する為の重要な評価
項目であり、専用のプリント基板に被試験品を半田付け
した後、専用の治具で３点曲げを付加させながら静電容
量を測定し、静電容量値が急激に低下した時点での基板
のたわみ幅（ｍｍ）をたわみ強度とするものである。こ
のたわみ強度測定の概念図を図４に示した。通常、静電
容量値が急激に低下した時点で被試験品に亀裂が発生し
ている場合が多い。本実施例２のモールド型積層セラミ
ックコンデンサの場合、たわみ幅が１５ｍｍを越えても
静電容量値の低下がなく安定していた。同時に、図１で
示した実施例１のチップ型積層セラミックコンデンサの
場合、たわみ幅（ｍｍ）が７ｍｍで静電容量値が急激に
低下して亀裂が発生した被試験品が見られた。たわみ強
度の規格は最小値が２．０ｍｍであるため双方共全く問
題のないレベルであるが、明らかにモールド型の方が優
れていた。

【００５９】また、図１で示した実施例１のチップ型積
層セラミックコンデンサは、規格外の異常電圧に対し
て、積層体表面の結露等が原因となり沿面リークが発生
することがあるが、図２で示した本実施例２のモールド
型積層セラミックコンデンサは、その可能性がなく耐久
信頼性の高いものであった。

【００６０】以上の様に、本発明の積層セラミックコン
デンサは、熱硬化性樹脂で埋込みモールド型にすること
により高い信頼性と優れた表面実装性を実現することが
できる。

【００６１】（実施例３）（表１）の試料Ｎｏ．１８の
組成に基づいて、実施例１と同様の手順により積層セラ
ミックコンデンサ素子を作製した。次に、該積層セラミ
ックコンデンサ素子の両端面にリード線を半田付けした
後、素子本体部をエポキシ系の外装材で被覆してリード
型の積層セラミックコンデンサを完成させた。

【００６２】ここで、図３は、本発明のセラミック電子
部品の一実施例を示す断面図である。本実施例３で作製
したリード型積層セラミックコンデンサは、図３に示し
ているように、ＢａＴｉＯ₃質セラミック誘電体層３３
とＮｉを含む内部電極層３２ａ，３２ｂ，３２ｃとを交
互に積層して形成された静電容量取得層となる有効層の
上下に無効層としてＢａＴｉＯ₃質セラミック誘電体層
３３が積層されて積層体３１が形成されており、該積層
体３１の両端部に前記内部電極層３２ｂ，３２ｃと電気
的に接合されたＮｉ質下層外部電極３４が設けられ、そ
の上にＡｇ質上層外部電極３５が設けられた構成であ
る。そして、外装材３６に被覆された積層体３１の両端
部から導電性のリード線３７が引出され、該リード線３
７を介して回路基板に半田付けできるように構成される
ものである。

【００６３】本実施例のリード型積層セラミックコンデ
ンサは、異常電圧による沿面放電の心配がなく、さらに
回路基板にはリード線が半田付けされる為たわみ等の機
械的応力が一切印加されず、回路設計上優位性のあるも
のである。

【００６４】（実施例４）（表１）の試料Ｎｏ．１８の
組成に基づいて、ＢＥＴの比表面積値とＢａ／Ｔｉのモ
ル比を変化させたＢａＴｉＯ₃の粉末を使用して、実施
例１と同様の手順により形状が３２１６サイズで定格電
圧が６３０ＶＤＣを保証し１００００ＰＦの静電容量値
が取得可能なチップ型の積層セラミックコンデンサを作
製した。使用したＢａＴｉＯ₃粉末のＢＥＴの比表面積
値とＢａ／Ｔｉのモル比を（表４）に示した。

【００６５】

【表４】

【００６６】そして、作製したチップ型の積層セラミッ
クコンデンサの静電容量、静電容量の温度変化率及び絶
縁破壊電圧を評価した。静電容量（Ｃａｐ）はＹＨＰ製
ＬＣＲメータ４２８４Ａを使用して１Ｖ／１ＫＨｚの信
号電圧下で測定した。絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）は菊水電
子製耐圧計を使用して空気中で直流破壊電圧を測定し
た。静電容量の温度変化率（Ｃａｐ−ＴＣ）は恒温槽に
ＹＨＰ製ＬＣＲメータ４２８４Ａを接続して−５５〜＋
１２５℃の範囲内で測定した。静電容量は各々２０個測
定に供し、絶縁破壊電圧は各々１０個、静電容量の温度
変化率は２個測定し、平均値を算出してこれらの結果を
（表５）に示した。ここで、（表５）の試料Ｎｏは（表
４）の試料Ｎｏに対応している。また、これらの表中の
試料Ｎｏに※印を記したものは、上記評価項目の内少な
くとも１つについて良好な結果が得られなかった試料で
ある。

【００６７】

【表５】

【００６８】（表４）及び（表５）より明らかな様に、
使用したＢａＴｉＯ₃粉末のＢＥＴの比表面積値が５．
０ｍ²／ｇを超えると静電容量の温度変化率が大きくな
りＥＩＡ規格Ｘ７Ｒ特性から外れ、また３．０ｍ²／ｇ
未満になると絶縁破壊電圧が低くなり中高圧用としての
保証が難しくなる傾向にあった。さらに、Ｂａ／Ｔｉの
モル比が１．００５を超えると静電容量が小さくなる傾
向があったが、実用上モル比は１．００６まで許容でき
ることがわかった。また、０．９９５未満では静電容量
の温度変化率が大きくなる傾向にあった。また、Ｂａ／
Ｔｉのモル比が０．９９５未満になると還元雰囲気焼成
中に耐還元性が損なわれ、上記特性以外の電気特性であ
る絶縁抵抗値が劣化する傾向にあった。図５に本発明範
囲内のＢａＴｉＯ₃粉末のＢＥＴの比表面積値とＢａ／
Ｔｉのモル比を示した。なお、図５は、本発明範囲内の
ＢａＴｉＯ₃粉末のＢＥＴ比表面積値とＢａ／Ｔｉモル
比を示すグラフである。この範囲内のＢａＴｉＯ₃粉末
を使用することにより、優れた耐還元性を有し、中高圧
用として遜色のない電気的特性を有する卑金属内部電極
積層セラミックコンデンサを形成することが可能な耐還
元性誘電体組成物を得ることができる。

【００６９】（実施例５）実験の概略は、実施例１と同
様に、（表１）に示した組成表に従って、主成分である
ＢａＴｉＯ₃粉末（堺化学製ＢＴ−０３）と添加剤であ
るＤｙ₂Ｏ₃、ＭｇＯ及びＭｎ₃Ｏ₄との配合物と、Ｃａ，
Ｂａ及びＳｉより成る焼結助剤成分のコロイド状懸濁液
をボールミルで混合して各々の出発原料粉末を作製す
る。

【００７０】なお、本実施例５において、ＢａＴｉＯ₃
はＢＥＴの比表面積値が３．８ｍ²／ｇで、Ｂａ／Ｔｉ
のモル比が１．００３の粉末を使用し、焼結助剤成分の
組成はＢａ_0.5Ｃａ_0.5ＳｉＯ₃とした。

【００７１】使用する原材料のメーカとグレードも、実
施例１の場合と同様に、（表２）に示したものを使用し
た。

【００７２】次に、作製した粉末を使用して、形状が３
２１６サイズで定格電圧が６３０ＶＤＣを保証し１００
００ＰＦの静電容量値が取得可能な積層セラミックコン
デンサを試作して総合評価するものである。

【００７３】積層セラミックコンデンサの詳細な試作手
順と評価方法についても、実施例１と同様である。

【００７４】まず、主成分であるＢａＴｉＯ₃粉末（Ｂ
ＥＴの比表面積値が３．８ｍ²／ｇで、Ｂａ／Ｔｉのモ
ル比が１．００３）及び添加剤であるＤｙ₂Ｏ₃、ＭｇＯ
及びＭｎ₃Ｏ₄の各粉末を（表１）の組成表に基づいて電
子天秤で所定量を秤量し、５ｍｍφのＺｒＯ₂質ボール
が３５０ｇ入った内容積が６００ＣＣのポリエチレン製
ポットミル中に投入する。

【００７５】次に、（表１）の組成表に基づいてＢａ、
Ｃａの酢酸塩及びＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）の
所定量を電子天秤で秤量した後、酢酸塩は１００ＣＣの
純水に、またＴＥＯＳは１５０ＣＣのエタノールに別々
に溶解させる。そして、酢酸塩水溶液をエタノール溶液
中に投入して攪拌を続けながら１規定のアンモニア水を
所定量滴下して、焼結助剤成分より成るコロイド状懸濁
液を得た。

【００７６】次に、該コロイド状懸濁液を上記ボールミ
ル中に投入し１００ｒｐｍの回転速度で２０時間混合し
た。混合物は１５０メッシュのシルクスクリーンで濾過
して、テフロンシートを敷いたステンレスバット中に投
入し、ドラフト中で加温しながらエタノール分を揮発さ
せ、アルミ泊で蓋をして１５０℃の温度で乾燥した。乾
燥した塊状物はアルミナ乳鉢中で解砕した後、３２メッ
シュのナイロン篩を通過してアルミナ製坩堝に入れて４
００℃／２時間の条件で熱処理してスラリー用粉末とし
た。

【００７７】次に、スラリー用粉末の所定量を溶剤及び
可塑剤と共に混合することにより湿潤した。湿潤後、ポ
リビニルブチラール樹脂より成るビヒクルを混合してシ
ート成形用スラリーを作製した。

【００７８】次に、該スラリーを１５０メッシュのシル
クスクリーンで濾過した後、成膜してセラミック生シー
トを得た。そして、該セラミック生シートと、Ｎｉペー
ストより作製した内部電極シートを用いて転写工法によ
り所定の積層仕様に基づいて積層した後、切断してグリ
ーンチップを得た。

【００７９】次に、得られたグリーンチップを面取りし
た後、その両端面にＮｉペーストを塗布し乾燥した後、
脱脂した。そして、回転式雰囲気炉により還元雰囲気焼
成を実施した。焼成は、グリーンガス、ＣＯ₂及びＮ₂に
より調整したＮｉの平衡酸素分圧よりも２桁程度低い酸
素分圧雰囲気中で１２５０℃の温度で２時間保持した。

【００８０】そして、焼成したチップの両端面に上層外
部電極となるＡｇペーストを塗布して大気中で焼き付け
た後、Ｎｉ鍍金及びその上にＳｎ鍍金を施して本実施例
のチップ型積層セラミックコンデンサを完成させた。

【００８１】本実施例５で作製したチップ型積層セラミ
ックコンデンサも、実施例１と同様であり、図１に示し
ている。

【００８２】次に、試作したチップ型積層セラミックコ
ンデンサの電気特性を評価した。静電容量（Ｃａｐ）と
誘電体損失（ｔａｎδ）はＹＨＰ製ＬＣＲメータ４２８
４Ａを使用して１Ｖ／１ＫＨｚの信号電圧下で測定し
た。絶縁抵抗値（ＩＲ）はアドバンテスト社製絶縁抵抗
計Ｒ８３４０Ａを使用して５００ＶＤＣを１分間印加し
て測定した。絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）は菊水電子製耐圧
計を使用して空気中で直流破壊電圧を測定した。静電容
量の温度変化率（Ｃａｐ−ＴＣ）は恒温槽にＹＨＰ製Ｌ
ＣＲメータ４２８４Ａを接続して−５５〜＋１２５℃の
範囲内で測定した。静電容量と誘電体損失は各々２０個
測定に供し、絶縁抵抗値と絶縁破壊電圧は各々１０個、
温度変化率は２個測定し、平均値を算出してそれらの結
果を（表６）に示した。

【００８３】

【表６】

【００８４】ここで、（表６）の試料Ｎｏは（表１）の
試料Ｎｏに対応している。また、これらの表中の試料Ｎ
ｏに※印を記したものは、電気的特性や焼結性などの評
価項目の内少なくとも１つについて良好な結果が得られ
なかった試料である。

【００８５】（表１）及び（表６）より明らかな様に、
ＢａＴｉＯ₃１００モルに対しＤｙ₂Ｏ₃が１．３モルを
超えると、１２５０℃の焼成で若干焼結性が劣化するた
め、静電容量が低下し、また０．２モル未満になると静
電容量の温度変化率が大きくなる傾向にあった。ＢａＴ
ｉＯ₃１００モルに対しＭｇＯが１．２モルを超えると
静電容量の低下と誘電体損失の増大を招き、また０．１
モル未満になると焼成時の耐還元性が損なわれる為、誘
電体損失が増大し、絶縁破壊電圧及び絶縁抵抗が劣化し
た。ＢａＴｉＯ₃１００モルに対しＭｎ₃Ｏ₄が０．１２
モルを超えると静電容量の低下と誘電体損失の増加を招
き、また０．０２モル未満になると絶縁抵抗及び絶縁破
壊電圧が急激に劣化した。さらに、ＢａＴｉＯ₃１００
モルに対しＢａ_0.5Ｃａ_0.5ＳｉＯ₃の一般式で表される
焼結助剤成分が３．５モルを超えると誘電率が低下し、
また０．５モル未満になると焼結助剤としての効果が得
られず、焼成による緻密化が不完全となり電気的特性の
全般にわたって劣化した。

【００８６】これに対し、本発明範囲内の耐還元性誘電
体組成物により作製した積層セラミックコンデンサは、
良好な焼結性と電気特性とを有し、またＥＩＡ規格Ｘ７
Ｒ特性及びＪＩＳ規格Ｂ特性を満足し、形状が３２１６
サイズで定格電圧が６３０ＶＤＣを保証し、１００００
ＰＦの静電容量値を有する中高圧用チップ型積層セラミ
ックコンデンサとして使用可能なものであった。

【００８７】以上の様に、本発明の耐還元性誘電体組成
物によれば、良好な焼結性と電気特性を有し、内部電極
としてＮｉを用いた中高圧用のチップ型積層セラミック
コンデンサを実現することができる。

【００８８】

【発明の効果】以上の様に本発明によれば、ＢＥＴの比
表面積値が３．０〜５．０ｍ²／ｇの範囲内にあり、且
つＢａ／Ｔｉのモル比が０．９９５〜１．００６の範囲
内にある主成分であるＢａＴｉＯ₃に対して、少なくと
も添加物としてＤｙの酸化物または焼成によりＤｙの酸
化物になる化合物、Ｍｇの酸化物または焼成によりＭｇ
の酸化物になる化合物、Ｍｎの酸化物または焼成により
Ｍｎの酸化物になる化合物を含有し、少なくとも焼結助
剤としてＢａ_1-XＣａ_XＳｉＯ₃の一般式で表され、Ｘが
０≦Ｘ≦１の範囲内からなる成分を含有するものであ
り、Ｂａ_1-XＣａ_XＳｉＯ₃成分を溶液の状態で主成分及
び添加物の粉末と混合するため、Ｃａ、Ｂａ及びＳｉを
含有する成分が主成分であるＢａＴｉＯ₃粒子の周囲に
均一にコーティングされ、焼成時に局部的な異常反応が
なく焼結助剤成分が均一に分散された非常に制御された
結晶粒子径と緻密な組織を形成することが可能な耐還元
性誘電体組成物が得られる。また、セラミック誘電体層
を前記の耐還元性誘電体組成物で構成することにより、
良好な電気特性と耐久信頼性を有し、主として中高圧用
としてそれぞれの特徴を生かしてユーザの要望に応じた
回路設計が可能なチップ型、モールド型及びリード型の
積層セラミックコンデンサに代表されるセラミック電子
部品を製造することができるという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のセラミック電子部品の一実施例を示す
断面図

【図２】本発明のセラミック電子部品の一実施例を示す
断面図

【図３】本発明のセラミック電子部品の一実施例を示す
断面図

【図４】たわみ強度測定の概念図

【図５】本発明範囲内のＢａＴｉＯ₃粉末のＢＥＴ比表
面積値とＢａ／Ｔｉモル比を示すグラフ

【符号の説明】

１１，２１，３１ 積層体 １２ａ，２２ａ，３２ａ 内部電極層 １２ｂ，２２ｂ，３２ｂ 内部電極層 １２ｃ，２２ｃ，３２ｃ 内部電極層 １３，２３，３３ セラミック誘電体層 １４，２４，３４ Ｎｉ質下層外部電極 １５，２５，３５ Ａｇ質上層外部電極 ２６，３６ 外装材 ２７ 端子 ３７ リード線 ３８ 半田

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 日高 晃男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 山本 益裕 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4G031 AA03 AA04 AA06 AA07 AA11 AA19 AA30 AA39 BA09 BA26 CA03 CA04 CA08 GA02 GA03 GA05 5E001 AB03 AC06 AH01 AJ01 AJ02 5E082 AB03 EE04 EE23 FG03 5G303 AA01 AB02 AB07 AB14 BA12 CA01 CB03 CB17 CB18 CB35 CB41 CC03

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ＢＥＴの比表面積値が３．０〜５．０ｍ²
   ／ｇの範囲内にあり、且つＢａ／Ｔｉのモル比が０．９
   ９５〜１．００６の範囲内にある主成分であるＢａＴｉ
   Ｏ₃に対して、添加物として金属の酸化物または焼成に
   より金属の酸化物になる化合物を含有し、焼結助剤とし
   てＳｉＯ₂系の化合物を含有することを特徴とする耐還
   元性誘電体組成物。
2. 【請求項２】ＢＥＴの比表面積値が３．０〜５．０ｍ²
   ／ｇの範囲内にあり、且つＢａ／Ｔｉのモル比が０．９
   ９５〜１．００６の範囲内にある主成分であるＢａＴｉ
   Ｏ₃に対して、少なくとも添加物としてＤｙの酸化物ま
   たは焼成によりＤｙの酸化物になる化合物、Ｍｇの酸化
   物または焼成によりＭｇの酸化物になる化合物、Ｍｎの
   酸化物または焼成によりＭｎの酸化物になる化合物を含
   有し、少なくとも焼結助剤としてＢａ_1-XＣａ_XＳｉＯ₃
   の一般式で表され、Ｘが０≦Ｘ≦１の範囲内からなる成
   分を含有することを特徴とする耐還元性誘電体組成物。
3. 【請求項３】ＢＥＴの比表面積値が３．０〜５．０ｍ²
   ／ｇの範囲内にあり、且つＢａ／Ｔｉのモル比が０．９
   ９５〜１．００６の範囲内にある主成分であるＢａＴｉ
   Ｏ₃に対して、添加物としてＤｙの酸化物または焼成に
   より酸化物になる化合物を酸化物Ｄｙ₂Ｏ₃換算で０．２
   〜１．３モル、Ｍｇの酸化物または焼成により酸化物に
   なる化合物を酸化物ＭｇＯ換算で０．１〜１．２モル、
   Ｍｎの酸化物または焼成により酸化物になる化合物を酸
   化物Ｍｎ₃Ｏ₄換算で０．０２〜０．１２モル含有し、焼
   結助剤としてＢａ_1-XＣａ_XＳｉＯ₃の一般式で表され、
   Ｘが０≦Ｘ≦１の範囲内からなる成分を０．５〜３．５
   モル含有することを特徴とする耐還元性誘電体組成物。
4. 【請求項４】前記、Ｂａ_1-XＣａ_XＳｉＯ₃の一般式で表
   され、Ｘが０≦Ｘ≦１の範囲内からなる成分は、Ｃａ及
   びＢａの酢酸塩水溶液とＳｉの金属アルコキシドエタノ
   ール溶液との混合溶液を攪拌しながら該混合溶液にアン
   モニア水を滴下して調整することを特徴とする請求項
   ２，３いずれか１記載の耐還元性誘電体組成物。
5. 【請求項５】第１の複数のセラミック誘電体層の間にＮ
   ｉ或いはＮｉを主成分とする合金より成る内部電極層を
   設けた有効層及び第２の複数のセラミック誘電体層より
   成る無効層を有した基体と、前記基体の両端部から側部
   に至るように設けられ、前記内部電極層と電気的に接合
   された一対の外部電極とを備えたチップ型のセラミック
   電子部品であって、前記セラミック誘電体層を請求項１
   〜４いずれか１記載の耐還元性誘電体組成物で構成した
   ことを特徴とするセラミック電子部品。
6. 【請求項６】第１の複数のセラミック誘電体層の間にＮ
   ｉ或いはＮｉを主成分とする合金より成る内部電極層を
   設けた有効層及び第２の複数のセラミック誘電体層より
   成る無効層を有した基体と、前記基体の両端部から側部
   に至るように設けられ、前記内部電極層と電気的に接合
   された一対の外部電極と、前記外部電極にそれぞれ接続
   された端子とを備え、前記基体及び外部電極が樹脂によ
   り埋め込まれたモールド型のセラミック電子部品であっ
   て、前記セラミック誘電体層を請求項１〜４いずれか１
   記載の耐還元性誘電体組成物で構成をしたこと特徴とす
   るセラミック電子部品。
7. 【請求項７】第１の複数のセラミック誘電体層の間にＮ
   ｉ或いはＮｉを主成分とする合金より成る内部電極層を
   設けた有効層及び第２の複数のセラミック誘電体層より
   成る無効層を有した基体と、前記基体の両端部から側部
   に至るように設けられ、前記内部電極層と電気的に接合
   された一対の外部電極と、前記外部電極にそれぞれ接続
   されたリード線とを備え、前記基体及び外部電極が樹脂
   により被覆されたリード型のセラミック電子部品であっ
   て、前記セラミック誘電体層を請求項１〜４いずれか１
   記載の耐還元性誘電体組成物で構成したことを特徴とす
   るセラミック電子部品。
8. 【請求項８】前記外部電極は上層、下層の二層構造であ
   り、下層は前記基体の端面のみに設けたことを特徴とす
   る請求項５〜７いずれか１記載のセラミック電子部品。