JP2002303513A - 観測装置 - Google Patents

観測装置

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JP2002303513A
JP2002303513A JP2001159787A JP2001159787A JP2002303513A JP 2002303513 A JP2002303513 A JP 2002303513A JP 2001159787 A JP2001159787 A JP 2001159787A JP 2001159787 A JP2001159787 A JP 2001159787A JP 2002303513 A JP2002303513 A JP 2002303513A
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Moritoshi Ando
護俊 安藤
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Abstract

(57)【要約】 【課題】観測対象物およびその周辺部分が高温で発光し
ており、減光フィルタを使用した観測対象物の目視によ
る形状観測が困難な場合においても、観測対象物の形状
観測を行うことができるようにした観測装置を提供す
る。 【解決手段】CZ法で成長中の結晶4について、同一面
ないし略同一面について、0°方向の偏光による画像、
45°方向の偏光による画像、90°方向の偏光による
画像を取得し、偏光特性の傾きを算出して結晶4の表面
の傾きを求め、結晶4の形状観測可能な明るさ画像を作
成して表示する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、観測対象物の画像
を得ることにより観測対象物の形状観測を行う観測装
置、および、観測対象物の画像を得ることにより観測対
象物の温度分布観測を行う観測装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、単結晶製造法の一種として、CZ
(Czochralski)法が知られている。CZ法は、坩堝に
入れた結晶素材を加熱して熔解液とし、単結晶の種結晶
を上から垂らして結晶素材の熔解液に漬け、ゆっくり回
転させながら引き上げることにより単結晶を成長させる
という方法であり、シリコンや光学結晶などの単結晶を
製造する場合に使用されている。
【0003】図23は光学結晶の一種であるLiTaO3
の単結晶をCZ法で製造する場合を説明するための概略
的部分斜視図である。図23中、1は坩堝、2は結晶素
材の熔解液、3は種結晶、4は成長中の結晶を示してい
るが、通常は、成長中の結晶4の上部から四方に4本の
凸状部5〜8が発生する。このような凸状部5〜8が発
生する場合には、成長中の結晶4が単結晶として順調に
成長していることが分かっている。
【0004】しかし、時には、成長中の結晶4に正常な
凸状部5〜8のほかに、通常では発生しない異常な凸状
部、例えば、図24に示すような凸状部9、10が発生
することがある。このように通常では発生しない異常な
凸状部9、10が発生した場合、成長中の結晶4が双晶
化していることが分かっている。したがって、凸状部
9、10のような通常では発生しない異常な凸状部が発
生した場合には、結晶4は使用することができないもの
となっているので、以後の結晶成長を中止する必要があ
る。
【0005】そこで、LiTaO3 の単結晶をCZ法で製
造する場合には、周期的に炉の外部から成長中の結晶4
を観測する必要があるが、結晶4の温度は1700°K
の高温となっており、結晶4や炉の内壁が自ら発光して
いる。この発光は強度が強く、赤外線を含んでいるた
め、肉眼で直接、炉内部の成長中の結晶4を観測するこ
とができない。
【0006】ここで、物体が高温になると発光する現象
は、黒体輻射として知られており、そのピーク波長は、
物体の温度(°K)×波長(μm)=2898から求め
ることができ、物体温度が1700°Kの場合には、
1.5μmである。図25は物体温度が1700°Kの
場合の発光波長と発光強度の関係を示す図であり、発光
波長がピーク波長である1.5μmよりも短くなると、
発光強度が弱くなる傾向にあることがわかる。
【0007】そこで、LiTaO3 の単結晶をCZ法で製
造する場合には、図24に示すように、緑ないし青色の
濃い減光フィルタ11を使用して、目視により、炉の内
部の成長中の結晶4を観測することが行われていた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかし、減光フィルタ
11を使用した目視による観測では、成長中の結晶4の
形状を明るさの変化として観測することになるが、炉の
内部では、成長中の結晶4と周辺部分との温度差が極め
て小さく、また、成長中の結晶4の表面温度は場所によ
る温度差が殆どないため、成長中の結晶4の形状を正確
に観測することが難しいという問題点があった。
【0009】また、炉内の温度は、炉内の断熱材、加熱
用コイルに加える電力、坩堝の大きさ、結晶4の大きさ
等の様々な要因が影響しあっている。結晶4を成長させ
る場合には、熔解液2の温度や、結晶4の温度分布を計
測し、適正な温度となっていることを確認する必要があ
るが、結晶4のような高温の固体の温度計測は熱電対の
ような接触式のセンサを使うことができないので、放射
温度計のような非接触方式の温度計を用いて温度計測が
行われている。
【0010】しかし、放射温度計による温度計測では、
結晶4の表面で反射された光と結晶4が放射する光を合
算した光を観測することになるため、結晶4の正確な温
度分布観測を行うことができないという問題点があっ
た。また、炉壁に設けられた観測窓に汚れがある場合に
も、結晶4の正確な温度計測を行うことができないとい
う問題点があった。
【0011】本発明は、かかる点に鑑み、観測対象物お
よびその周辺部分が高温で発光しており、減光フィルタ
を使用した観測対象物の目視による形状観測が困難な場
合においても、観測対象物の形状観測を行うことができ
るようにした観測装置、および、観測対象物およびその
周辺部分が高温で発光している場合においても、観測対
象物の正確な温度分布観測を行うことができるようにし
た観測装置を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明中、第1発明の観
測装置は、観測対象物の偏光方向の異なる偏光による複
数の画像を取得するための撮像手段と、この撮像手段に
より取得した複数の画像を処理して観測対象物の明るさ
画像を作成する画像処理手段と、この画像処理手段によ
り作成された観測対象物の明るさ画像を表示する画像表
示手段を有するというものである。
【0013】第1発明によれば、観測対象物の偏光方向
の異なる偏光による複数の画像を処理して観測対象物の
明るさ画像を作成し、これを表示することができるの
で、観測対象物およびその周辺部分が高温で発光してお
り、減光フィルタを使用した観測対象物の目視による形
状観測が困難な場合においても、観測対象物の形状観測
可能な明るさ画像を得ることができる。
【0014】本発明中、第2発明の観測装置は、観測対
象物からの光を観測対象物の表面で反射した光と観測対
象物が放射した光とに分離する光分離手段を有するとい
うものである。
【0015】第2発明によれば、光分離手段により分離
された観測対象物が放射した光に含まれる近接した2個
の波長の光による観測対象物の同一ラインの2個のライ
ン画像を得るようにする場合には、観測対象物およびそ
の周辺部分が高温で発光している場合であっても、2色
法による物体の温度計測法を実行することができるの
で、観測対象物の温度分布観測を行うことができる。
【0016】なお、光分離手段により分離された観測対
象物で反射した光による観測対象物の2次元画像を得る
ようにする場合には、観測対象物およびその周辺部分が
高温で発光しており、減光フィルタを使用した観測対象
物の目視による形状観測が困難な場合においても、観測
対象物の形状観測を行うことができる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、図1〜図22を参照して、
第1発明の第1実施形態〜第3実施形態および第2発明
の第1実施形態〜第3実施形態について、LiTaO3
単結晶をCZ法で製造する場合に使用する観測装置を例
にして説明する。なお、図1、図2、図11〜図18、
図20〜図22において、図23、図24に対応する部
分には同一符号を付し、その重複説明は省略する。
【0018】(第1発明の第1実施形態・・図1〜図1
2)図1は第1発明の第1実施形態の概念図である。図
1中、12、13、14は観測対象物である右周りに回
転させながら引き上げている成長中の結晶4の同一面な
いし略同一面を時間をずらして結晶4から見て同一方向
および同一距離から同一倍率で、かつ、異なる偏光方向
の偏光により撮像するための撮像手段である。
【0019】撮像手段12は、垂直方向(以下、90°
方向という)の偏光による結晶4の画像を取得するため
のものであり、15は光軸、16は減光フィルタ、17
は透過軸(偏光子に仮想した軸であり、偏光子を透過し
た光の偏光方向に平行な軸をいう)を光軸15に直交す
る面上で90°方向とする偏光子、18はテレビカメラ
である。なお、減光フィルタ16および偏光子17はテ
レビカメラ18に取り付けられる。
【0020】撮像手段13は、水平方向に対して45°
方向(以下、45°方向という)の偏光による結晶4の
画像を取得するためのものであり、19は光軸、20は
減光フィルタ、21は透過軸を光軸19に直交する面上
で45°方向とする偏光子、22はテレビカメラ18と
同一倍率のテレビカメラである。なお、減光フィルタ2
0および偏光子21はテレビカメラ22に取り付けられ
る。
【0021】撮像手段14は、水平方向(以下、0°方
向という)の偏光による結晶4の画像を取得するための
ものであり、23は光軸、24は減光フィルタ、25は
透過軸を光軸23に直交する面上で0°方向とする偏光
子、26はテレビカメラ18と同一倍率のテレビカメラ
である。なお、減光フィルタ24および偏光子25はテ
レビカメラ26に取り付けられる。
【0022】また、27はテレビカメラ18が撮像した
画像を蓄積する画像蓄積手段、28はテレビカメラ22
が撮像した画像を蓄積する画像蓄積手段、29はテレビ
カメラ26が撮像した画像を蓄積する画像蓄積手段であ
る。
【0023】また、30は画像蓄積手段27、28、2
9から画像を読み出して、成長中の結晶4の明るさ画像
を作成する画像処理手段、31は画像処理手段30が作
成した画像を表示する画像表示手段である。
【0024】図2は撮像手段12、13、14の配置例
を示す図であり、図2Aは概略的平面図、図2B、図2
Cおよび図2Dは概略的側面図である。図2中、Aは結
晶4上の点であり、A点は、結晶4が右周りに回転する
ことにより、A点を含む平面座標上のB1点、B2点お
よびB3点を順に通過することになる。Pは結晶4の回
転中心である。
【0025】そこで、例えば、A点を画面中央とする画
像を得ようとする場合には、撮像手段12は、例えば、
光軸15がB1点を含み、光軸15と平面座標上のP−
Q1線とが角度αをなし、光軸15と水平方向とが角度
βをなし、かつ、前端部12AがB1点から距離Lにあ
るように配置される。
【0026】撮像手段13は、例えば、光軸19がB2
点を含み、光軸19と平面座標上のP−Q2線とが角度
αをなし、光軸19と水平方向とが角度βをなし、か
つ、前端部13AがB2点から距離Lにあるように配置
される。
【0027】撮像手段14は、例えば、光軸23がB3
点を含み、光軸23と平面座標上のP−Q3線とが角度
αをなし、光軸23と水平方向とが角度βをなし、か
つ、前端部14AがB3点から距離Lにあるように配置
される。
【0028】このように、撮像手段12、13、14
は、観測対象物である回転しながら成長する結晶4の同
一面ないし略同一面を時間をずらして結晶4から見て同
一方向、同一距離から同一倍率で撮像できるように配置
される。なお、撮像手段12、13、14により、結晶
4の同一面ないし略同一面を時間をずらして結晶4から
見て同一方向から撮像する場合には、撮像手段12、1
3、14の結晶4に対する観測方向は異なっているが、
結晶4の周辺部分から結晶4に入射する光は均等とみる
ことができるので、観測条件は同じである。
【0029】このように構成された第1発明の第1実施
形態においては、偏光方向を90°方向とする偏光によ
る結晶4の画像がテレビカメラ16により取得され、偏
光方向を45°方向とする偏光による結晶4の画像がテ
レビカメラ22により取得され、偏光方向を0°方向と
する偏光による結晶4の画像がテレビカメラ26により
取得される。
【0030】そして、テレビカメラ16により取得され
た画像は画像蓄積手段27に蓄積され、テレビカメラ2
2により取得された画像は画像蓄積手段28に蓄積さ
れ、テレビカメラ26により取得された画像は画像蓄積
手段29に蓄積される。
【0031】その後、画像蓄積手段27、28、29か
ら結晶4の同一面ないし略同一面を撮像した画像が読み
出され、画像処理手段30により結晶4の表面の傾きが
計算され、形状観測可能な明るさ画像が作成され、画像
表示手段31に表示される。
【0032】ここで、図3は高温の球体から放射される
発光の偏光状態を説明するための概略的斜視図である。
高温の球体32から放射される発光は、観測方向と球面
の法線との角度が小さいときには出射面に平行な偏光
(p)と垂直な偏光(s)とが含まれることになり、観
測方向と球面の法線との角度が大きいほど、出射面に平
行な偏光(p)の割合の方が出射面に垂直な偏光(s)
の割合より大きいものとなる。なお、出射面が観測方向
に平行な球体32上の大円(u)の半径方向に一致しな
い場合には、出射面の水平方向に対する角度だけ傾いた
偏光が得られることになる。
【0033】また、図4は誘電体の板にランダム偏光を
入射した場合の反射光の偏光状態を説明するための概略
的斜視図であり、誘電体の板33にランダム偏光34を
入射すると、反射光35は、反射面に平行な偏光(s)
と入射面に平行な偏光(p)を含むことになる。なお、
図5は誘電体の板33に入射する反射面に平行な偏光
(s)および入射面に平行な偏光(p)の入射角と反射
率の関係を示している。
【0034】したがって、図6に示すように、誘電体の
球体36にランダム偏光が入射すると、反射光は、反射
面に平行な偏光(s)および入射面に平行な偏光(p)
を含むことになるが、観測方向を一定とし、誘電体の球
体36への入射角を変化させると、反射面に平行な偏光
(s)の反射率と入射面に平行な偏光(p)の反射率が
変化することになる。また、観測方向に対し直交方向へ
入射点が回転した場合には、偏光の比は一定で、その回
転角が変化することになる。
【0035】そこで、高温で発光する誘電体の球体を観
測した場合、観測される偏光は、反射光の偏光と発光の
偏光を合成した偏光となるが、結晶4の表面の或る場所
からの反射光が、ブリュースターの条件を満たし、反射
面に平行な直線偏光となっている場合がある。ここで、
例えば、反射面に平行な直線偏光が、図7Aに示すよう
に水平方向の直線偏光である場合、結晶4の発光は、図
7Bに示すように水平方向の偏光と垂直方向の偏光を含
むことになるので、観測される偏光は、図7Cに示すよ
うな両者を合算した成分を持つ偏光になる。
【0036】図8は偏光子を介して観測される偏光特性
を説明するための図であり、もし、図8Aに示すよう
に、反射面に平行な偏光(s)と入射面に平行な偏光
(p)の偏光強度が等しければ、偏光子を介して観測さ
れる偏光強度は、破線37で示すように、偏光子の透過
軸の方向38の角度にかかわらず、一定となる。しか
し、図8Bに示すように、反射面と平行な偏光(s)と
入射面に平行な偏光(p)の偏光強度が異なる場合に
は、偏光子を介して観測される偏光強度は、破線39で
示すようなものとなる。
【0037】ここで、図8に示すように、反射面に平行
な偏光(s)と入射面に平行な偏光(p)の偏光強度が
異なる場合において、反射面が水平方向に対して傾いて
いると、偏光子を介して観測される偏光特性は回転する
ことになる。例えば、図9に示すように、反射面が水平
方向に対して角度θだけ傾いている場合、偏光子を介し
て観測される偏光特性は、破線40で示すように、図8
に示す偏光特性を角度θだけ傾けたものとなる。このこ
とから、偏光子を介して観測される偏光特性を観測すれ
ば、高温で発光する誘電体の球体における反射面の角度
が分かることになる。
【0038】図10は偏光特性と反射面の傾きの関係を
説明するための図であり、反射面に平行な偏光(s)の
電気ベクトルをQ、入射面に平行な偏光(p)の電気ベ
クトルをP、透過軸を0°方向とする偏光子を介して観
測される偏光の強度をI0 、透過軸を45°方向とする
偏光子を介して観測される偏光の強度をI45、透過軸を
90°方向とする偏光子を介して観測される偏光の強度
をI90とし、ストロークパラメータS0 、S1 、S2
それぞれ、S0 =I0 +I90、S1 =2I0 −S0 、S
2 =2I45−I0 と定義すると、数1が成立する。
【0039】
【数1】
【0040】したがって、高温で発光する誘電体の球体
の場合、透過軸を0°方向とする偏光子を介して観測さ
れる偏光強度I0 と、透過軸を45°方向とする偏光子
を介して観測される偏光強度I45と、透過軸を90°方
向とする偏光子を介して観測される偏光強度I90を観測
し、ストロークパラメータS0 、S1 、S2 を求める
と、反射面の傾き(θ)は、θ=1/2・tan-1(S
2 /S1 )で算出することができることになる。
【0041】ここで、第1発明の第1実施形態によれ
ば、結晶4の同一面ないし略同一面を時間をずらして同
一方向、同一距離から同一倍率で撮像し、結晶4の同一
面ないし略同一面について、90°方向の偏光による画
像、45°方向の偏光による画像、0°方向の偏光によ
る画像を取得することができる。
【0042】例えば、図11Aは結晶4の或る面を撮像
した画像であり、図11Aはテレビカメラ18で撮像し
た90°方向の偏光による画像、図11Bはテレビカメ
ラ22で撮像した45°方向の偏光による画像、図11
Cはテレビカメラ26で撮像した0°方向の偏光による
画像である。
【0043】ここで、結晶4や結晶素材の熔解液2で反
射せずに周辺部分から直接、撮像手段12、13、14
に入射する光はランダム偏光であるので、テレビカメラ
18、22、26では同じ強度の画像となる。また、結
晶素材の熔解液2の表面は水平面であるので、一定の偏
光を有している。また、結晶4の表面は偏光を有してい
るが方向によって偏光の程度が異なる。
【0044】そこで、第1発明の第1実施形態では、直
線偏光が観測された点は、結晶4あるいは熔解液2の表
面であるので、このような点から得られる3方向の偏光
の強度I0 、I45、I90に基づいて、ストロークパラメ
ータS0 、S1 、S2 を求めることにより、結晶4の表
面の角度を算出するという処理を行う。
【0045】したがって、第1発明の第1実施形態によ
れば、結晶4およびその周辺部分が高温で発光してお
り、減光フィルタを使用した結晶4の目視による形状観
測が困難な場合においても、結晶4の形状観測可能な明
るさ画像を得ることができるので、結晶4の形状観測を
行うことができる。
【0046】なお、結晶4の同一面ないし略同一面につ
いて、0°方向の偏光による画像、45°方向の偏光に
よる画像および90°方向の偏光による画像をそれぞれ
複数取得し、それぞれ平均化処理を行うようにする場合
には、0°方向の偏光による画像、45°方向の偏光に
よる画像および90°方向の偏光による画像について、
S/N比の良好な画像を得ることができ、結晶4の表面
の角度を高精度に算出することができる。
【0047】また、図12に示すように、画像表示手段
31の表示面42に結晶4の回転角が90°ずつ異なる
明るさ画像43A、43B、43C、43Dを同時に表
示するようにしても良く、このようにする場合には、結
晶4の全周囲を同時に観測することができる。
【0048】(第1発明の第2実施形態・・図13)図
13は第1発明の第2実施形態の概念図である。図13
中、44はテレビカメラ、45は回転可能な偏光子、4
6は偏光子45を回転させるモータ、47は偏光子の回
転角を検出する回転エンコーダである。
【0049】また、48は偏光子45の回転角が予め決
められた角度、例えば、水平方向に対して、0°、45
°、90°、180°、225°、270°の角度でタ
イミング信号を出力するタイミング信号作成手段であ
り、テレビカメラ44は、撮像タイミング信号が出力さ
れたタイミングで撮像を行うようにされている。
【0050】また、49はテレビカメラ44が撮像した
画像を蓄積する画像蓄積手段、50は画像蓄積手段49
から画像を読み出して、第1発明の第1実施形態の場合
と同様の処理を行い成長中の結晶4の明るさ画像を作成
する画像処理手段、51は画像処理手段50が作成した
画像を表示する画像表示手段である。
【0051】第1発明の第2実施形態においても、結晶
4の同一面ないし略同一面を時間をずらして同一方向、
同一距離から同一倍率で撮像し、結晶4の同一面ないし
略同一面について、0°方向の偏光による画像、45°
方向の偏光による画像、90°方向の偏光による画像を
取得することができる。
【0052】したがって、第1発明の第2実施形態によ
っても、第1発明の第1実施形態と同様に、結晶4およ
びその周辺部分が高温で発光しており、減光フィルタを
使用した結晶4の目視による形状観測が困難な場合にお
いても、結晶4の形状観測可能な明るさ画像を得ること
ができるので、結晶4の形状観測を行うことができる。
【0053】なお、第1発明の第2実施形態において
は、結晶4の一回転毎に偏光角の異なる画像が撮像され
ることになるが、結晶4の引き上げ速度は遅いので一回
転しても形状に大きな変化はない。
【0054】(第1発明の第3実施形態・・図14)図
14は第1発明の第3実施形態の概念図である。図14
中、52はテレビカメラ、53は左右に移動可能とされ
た偏光子板であり、54は透過軸を90°方向とする偏
光子、55は透過軸を45°方向とする偏光子、56は
透過軸を0°方向とする偏光子である。
【0055】また、57はテレビカメラ52が撮像した
画像を蓄積する画像蓄積手段、58は画像蓄積手段57
から画像を読み出して、第1発明の第1実施形態の場合
と同様の処理を行い成長中の結晶4の明るさ画像を作成
する画像処理手段、59は画像処理手段58が作成した
画像を表示する画像表示手段である。
【0056】第1発明の第3実施形態においても、結晶
4の同一面ないし略同一面を時間をずらして同一方向、
同一距離から同一倍率で撮像し、結晶4の同一面ないし
略同一面について、0°方向の偏光による画像、45°
方向の偏光による画像、90°方向の偏光による画像を
取得することができる。
【0057】したがって、第1発明の第3実施形態によ
っても、第1発明の第1実施形態と同様に、結晶4およ
びその周辺部分が高温で発光しており、減光フィルタを
使用した結晶4の目視による形状観測が困難な場合にお
いても、結晶4の形状観測可能な明るさ画像を得ること
ができるので、結晶4の形状観測を行うことができる。
【0058】(第2発明の第1実施形態・・図15)図
15は第2発明の第1実施形態の概念図である。図15
中、60、61は炉壁に設けられた二重の観測窓であ
り、60は内側の観測窓、61は外側の観測窓である。
なお、62、63は炉内のガスにより観測窓60の炉内
側の面に付着した汚れを示している。
【0059】また、64は観測窓60、61を透過した
炉内からの光を集光して結晶4の画像を結像するための
結像レンズ、65は透明なガラスからなるビームスプリ
ッタ、65Aはビームスプリッタ65のガラス面の法線
である。
【0060】ここで、可視光で結晶4を観測すると、炉
壁を光源として結晶4の表面で反射した光と結晶4が放
射した光とを合算した光を観測することになる。このと
き、炉壁を光源として結晶4の表面で反射した光は、図
16Aに示すように、反射面に平行な偏光(s)が強
く、結晶4が放射する光は、図16Bに示すように、入
射面に平行な偏光(p)が強くなる。したがって、結晶
4の形状を観測するには、結晶4の表面で反射した光の
うち、s方向の偏光を観測すれば良く、結晶4の温度を
観測するには、結晶4が放射する光のうち、p方向の偏
光を観測すれば良いことになる。
【0061】そこで、ビームスプリッタ65は、そのガ
ラス面の法線方向が結晶4の回転軸66と光学系の光軸
67とが作る平面と平行になるように、かつ、そのガラ
ス面と観測角との角度がビームスプリッタ65の材料か
ら求められるブリュースター角となるように配置する。
このようにすると、ビームスプリッタ65で反射される
光は結晶4の表面で反射した光だけとなり、ビームスプ
リッタ65を透過する光は結晶4が放射した光だけとな
る。なお、観測角度は、結晶4の表面で反射した光の水
平偏光成分が多くなるように、なるべく、低い方が望ま
しい。
【0062】また、68は2次元CCDセンサであり、
2次元CCDセンサ68は、その撮像面にビームスプリ
ッタ65で反射した光、すなわち、結晶4の表面で反射
した光による結晶4の画像が結像されるように配置され
る。結晶4の表面で反射した光の強度は結晶4の表面の
角度の影響を受けるため、このように2次元CCDセン
サ68を設けると、2次元CCDセンサ68で観測され
る光強度から結晶4の形状を計測することができる。
【0063】また、69はビームスプリッタ65を透過
した光、すなわち、結晶4が放射した光のうち、p方向
の光のみを通過させる偏光子、70はカラーラインCC
Dセンサであり、70Rは赤色ライン画像用ラインCC
Dセンサ、70Gは緑色ライン画像用ラインCCDセン
サ、70Bは青色ライン画像用ラインCCDセンサであ
る。
【0064】図17はカラーラインCCDセンサ70の
配置例を説明するための図である。カラーラインCCD
センサ70は、結晶4の回転軸66と光学系の光軸67
とが作る平面71と結晶4の表面が交わるライン72が
観測ラインとなるように、例えば、緑色ライン画像用ラ
インCCDセンサ70Gのセンサ配列ラインの中心が平
面71と平行かつ交わるように配置される。
【0065】ここで、円錐形の結晶4が放射する光を観
測する場合、観測される結晶4の発光量は、観測方向と
観測ライン72の法線72Aとが作る角度βに依存す
る。このため、結晶4の発光量は、結晶面の角度が分か
らないと決定できない。結晶4の結晶面の角度が簡単に
分かるのは、結晶4の回転軸66と光軸67とが作る平
面71と結晶4の表面とが交わるライン72上である。
このライン72内にある結晶角度は結晶4の引き上げ速
度と結晶4の成長速度との比で決まるため、ほぼ一定で
ある。そこで、カラーラインCCDセンサ70は、結晶
上のライン72が観測ラインとなるように配置されてい
る。
【0066】図18は第2発明の第1実施形態の動作を
説明するための図である。図18Aは成長中の結晶4な
どを示しており、A、B、C、Dは種結晶3の4個の面
を示している。第2発明の第1実施形態では、カラーラ
インCCDセンサ70により、結晶4が所定角度回転す
るごとに、例えば、結晶4が2度回転するごとに結晶4
のライン画像が撮像される。
【0067】図18BはカラーラインCCDセンサ70
の出力画像を示しており、73Rは赤色ライン画像用ラ
インCCDセンサ70Rの出力画像、73Gを緑色ライ
ン画像用ラインCCDセンサ70Gの出力画像、73B
は青色ライン画像用ラインCCDセンサ70Bの出力画
像である。
【0068】青色ライン画像用ラインCCDセンサ70
Bの出力画像73Bにおいて、74は種結晶3の部分の
画像、75は種結晶3と結晶4との間のネックの部分の
画像、76は結晶4の部分の画像、Av、Bv、Cv、
Dvは種結晶3のA面、B面、C面、D面の画像、5
v、6v、7v、8vは凸状部5、6、7、8のライン
画像である。
【0069】図18Cは2次元CCDセンサ68により
得られる2次元画像を示している。2次元CCDセンサ
68により得られる2次元画像とカラーラインCCDセ
ンサ70により得られるライン画像とを対応させること
により、カラーラインCCDセンサ70が撮像した部分
(観測ライン)を知ることができる。
【0070】したがって、カラーラインCCDセンサ7
0により得られる赤色ライン画像、緑色ライン画像、青
色ライン画像のうち、2個のライン画像、例えば、緑色
ライン画像と青色ライン画像を使用して2色法による物
体の温度計測法を使用する場合には、結晶4の表面温度
を計測することができる。
【0071】図19は2色法による物体の温度計測法を
説明するための図であり、発光している物体の発光波長
と発光強度の関係を示している。物体の発光強度は物体
の温度が上昇すると増大する。また、近接した2つの発
光波長(λ1、λ2)と発光強度との関係(傾き角)は
温度によって変化する。そこで、2色の波長に対して観
測光の発光強度を求めて、その差から発光強度の傾き角
を求めると物体の温度が分かることになる。この温度計
測法では、波長依存性がない汚れであれば、汚れによる
光量減衰の影響を受けない温度観測が可能となる。
【0072】なお、緑色ライン画像用ラインCCDセン
サ70Gと青色ライン画像用ラインCCDセンサ70B
の間隔は分かっているので、遅延を考慮することによ
り、正確に同一観測ラインの緑色ライン画像および青色
ライン画像を得ることは可能であるが、市販のカラーラ
インCCDセンサは、緑色ライン画像用ラインCCDセ
ンサと青色ライン画像用ラインCCDセンサの間隔は数
十μm程度であるから、遅延を考慮しなくとも、同時に
撮像した緑色ライン画像と青色ライン画像を同一観測ラ
インの画像として取り扱っても問題はない。
【0073】以上のように、第2発明の第1実施形態に
よれば、2次元CCDセンサ68により得られる結晶4
の2次元画像から結晶4の形状を観測することができる
と共に、カラーラインCCDセンサ70により得られる
ライン画像を使用した2色法による物体の温度計測法を
実行することにより、結晶4の温度分布を観測すること
ができる。
【0074】(第2発明の第2実施形態・・図20)図
20は第2発明の第2実施形態の概念図である。図20
中、77は偏光子69を透過した光、すなわち、結晶4
が放射した光の中のp方向の偏光の中の特定の波長の偏
光だけを反射し、それ以外の偏光は透過する色分離フィ
ルタ、78は色分離フィルタ77で反射した光の波長に
近接した、かつ、2色法による物体の温度計測が可能な
波長の偏光のみを透過する波長フィルタである。
【0075】また、79は色分離フィルタ77で反射し
た光による結晶4の画像が結像されるモノクロラインC
CDセンサ、80は波長フィルタ78を透過した光によ
る結晶4の画像が結像されるモノクロラインCCDセン
サである。
【0076】すなわち、第2発明の第2実施形態は、図
15に示す第2発明の第1実施形態が備えるカラーライ
ンCCDセンサ70の代わりに、色分離フィルタ77と
波長フィルタ78とモノクロラインCCDセンサ79、
80を設け、その他については、図15に示す第2発明
の第1実施形態と同様に構成したものである。
【0077】モノクロラインCCDセンサ79、80
は、結晶4の回転軸66と光学系の光軸67とが作る平
面と結晶4の表面とが交わるラインを観測ラインとして
ライン画像を得ることができるように配置され、これら
モノクロラインCCDセンサ79、80により、結晶4
が所定角度回転するごとに、例えば、結晶4が2度回転
するごとに結晶4のライン画像が撮像される。
【0078】したがって、第2発明の第2実施形態によ
れば、2次元CCDセンサ68により得られる結晶4の
2次元画像から結晶4の形状を観測することができると
共に、モノクロラインCCDセンサ79、80により得
られる2個のライン画像を使用した2色法による物体の
温度計測法を実行することにより、結晶4の温度分布を
観測することができる。
【0079】また、色分離フィルタ77および波長フィ
ルタ78を使用して近接した2個の波長の光をモノクロ
ラインCCDセンサ79、80に与えるようにしている
ので、第2発明の第1実施形態の場合よりも近接した2
個の波長の光を使用した2色法による物体の温度計測を
行うことができ、第2発明の第1実施形態よりも精度の
高い結晶4の温度分布観測を行うことができる。
【0080】(第2発明の第3実施形態・・図21)図
21は第2発明の第3実施形態の概念図である。図21
中、81はカラーTVカメラであり、第2発明の第3実
施形態は、図15に示す第2発明の第1実施形態が備え
るカラーラインCCDセンサ70の代わりに、カラーT
Vカメラ81を設け、その他については、図15に示す
第2発明の第1実施形態と同様に構成したものである。
【0081】なお、カラーTVカメラ81は、結晶4の
回転軸66と光学系の光軸67とが作る平面と結晶4の
表面とが交わるラインのカラーライン画像が2次元カラ
ー画像の中の一水平ライン画像として含まれるように配
置され、所定の時間間隔で撮像が行われる。
【0082】したがって、第2発明の第3実施形態によ
れば、2次元CCDセンサ68により得られる結晶4の
2次元画像から結晶4の形状を観測することができると
共に、カラーTVカメラ81の出力画像のうち、結晶4
の回転軸66と光学系の光軸67とが作る平面と結晶4
の表面とが交わるラインを撮像している水平ライン画像
に含まれる、例えば、緑色ライン画像と青色ライン画像
を使用した2色法による物体の温度計測法を実行するこ
とにより、結晶4の温度分布観測を行うことができる。
【0083】なお、カラーTVカメラ81は、同一水平
ライン上に各色に対するセンサが配列されていることか
ら、結晶4の回転方向に対するセンサの位置の差が発生
しないので、第2発明の第3実施形態は、結晶4が低速
な回転をしている場合に使用して好適である。
【0084】(第2発明の第4実施形態・・図22)図
22は第2発明の第4実施形態の概念図である。82は
色分離フィルタ77で反射された光による結晶4の画像
が結像されるモノクロTVカメラ、83は波長フィルタ
78を透過した光による結晶4の画像が結像されるモノ
クロTVカメラである。
【0085】すなわち、第2発明の第4実施形態は、図
20に示す第2発明の第2実施形態が備えるモノクロラ
インCCDセンサ79、80の代わりに、モノクロTV
カメラ82、83を設け、その他については、図20に
示す第2発明の第2実施形態と同様に構成したものであ
る。
【0086】モノクロTVカメラ82、83は、結晶4
の回転軸66と光学系の光軸67とが作る平面と結晶4
の表面とが交わるラインのライン画像が2次元画像の中
の一水平ライン画像として含まれるように配置され、結
晶4が所定角度回転するごとに撮像が行われる。
【0087】したがって、第2発明の第4実施形態によ
れば、2次元CCDセンサ68により得られる結晶4の
2次元画像から結晶4の形状を観測することができると
共に、モノクロTVカメラ82、83の出力画像のう
ち、結晶4の回転軸66と光学系の光軸67とが作る平
面と結晶4の表面とが交わるラインのライン画像を使用
した2色法による物体の温度計測法を実行することによ
り、結晶4の温度分布観測を行うことができる。
【0088】また、色分離フィルタ77および波長フィ
ルタ78を使用して近接した波長の光をモノクロライン
CCDセンサ79、80に与えるようにしているので、
図21に示す第2発明の第3実施形態の場合よりも近接
した2個の波長の光を使用した2色法による物体の温度
計測を行うことができ、図20に示す第2発明の第2実
施形態よりも精度の高い結晶4の温度観測を行うことが
できる。
【0089】また、モノクロTVカメラ82、83を使
用しているので、多数の水平ラインのうち、結晶4の回
転軸66と光学系の光軸67とが作る平面と結晶4の表
面とが交わるラインを撮像した水平ラインの画像を使用
すれば足りるので、結晶4の回転方向の機械的な位置合
わせは不要となる。
【0090】
【発明の効果】以上のように、本発明中、第1発明によ
れば、観測対象物およびその周辺部分が高温で発光して
おり、減光フィルタを使用した観測対象物の目視による
形状観測が困難な場合においても、観測対象物の形状観
測可能な明るさ画像を得ることができるので、観測対象
物の形状観測を行うことができる。
【0091】本発明中、第2発明によれば、光分離手段
により分離された観測対象物が放射する光に含まれる近
接した2個の波長の光による観測対象物の同一ラインの
2個のライン画像を得るようにする場合には、観測対象
物およびその周辺部分が高温で発光している場合であっ
ても、2色法による物体の温度計測法を実行することが
できるので、観測対象物の温度分布観測を行うことがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1発明の第1実施形態の概念図である。
【図2】第1発明の第1実施形態が備える撮像手段の配
置例を示す図である。
【図3】高温の球体から放射される発光の偏光状態を説
明するための概略的斜視図である。
【図4】誘電体の板にランダム偏光を入射した場合の反
射光の偏光状態を説明するための概略的斜視図である。
【図5】誘電体の板に入射する反射面に平行な偏光およ
び入射面に平行な偏光の入射角と反射率の関係を示す図
である。
【図6】誘電体の球体からの反射光の偏光状態を説明す
るための図である。
【図7】偏光の合成例を説明するための図である。
【図8】偏光子を介して観測される偏光特性を説明する
ための図である。
【図9】偏光子を介して観測される偏光特性を説明する
ための図である。
【図10】偏光特性と反射面の傾きの関係を説明するた
めの図である。
【図11】第1発明の第1実施形態により得ることがで
きる画像例を示す図である。
【図12】画像表示手段への画像表示例を示す図であ
る。
【図13】第1発明の第2実施形態の概念図である。
【図14】第1発明の第3実施形態の概念図である。
【図15】第2発明の第1実施形態の概念図である。
【図16】結晶4からの光の性質を説明するための図で
ある。
【図17】第2発明の第1実施形態が備えるカラーライ
ンCCDセンサの配置例を説明するための図である。
【図18】第2発明の第1実施形態の動作を説明するた
めの図である。
【図19】2色法による物体の温度計測法を説明するた
めの図である。
【図20】第2発明の第2実施形態の概念図である。
【図21】第2発明の第3実施形態の概念図である。
【図22】第2発明の第4実施形態の概念図である。
【図23】LiTaO3 の単結晶をCZ法で製造する場合
を説明するための概略的部分斜視図である。
【図24】LiTaO3 の単結晶をCZ法で製造する場合
を説明するための概略的部分斜視図である。
【図25】物体温度が1700°Kの場合の発光波長と
発光強度の関係を示す図である。
【符号の説明】
(図1) 12〜14 撮像手段 15、19、23 光軸 16、20、24 減光フィルタ 17、21、25 偏光子 18、22、26 テレビカメラ (図13) 44 テレビカメラ 45 回転可能な偏光子 46 モータ (図14) 52 テレビカメラ 53 偏光子板 54、55、56 偏光子 (図15) 60、61 観測窓 62、63 汚れ 64 結像レンズ 65 ビームスプリッタ 68 2次元CCDセンサ 69 偏光子 70 カラーラインCCDセンサ (図20) 77 色分離フィルタ 78 波長フィルタ 79、80 モノクロラインCCDセンサ (図21) 81 カラーTVカメラ (図22) 82、83 モノクロTVカメラ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2F065 AA35 AA51 BB07 BB15 BB16 CC00 DD04 DD12 FF41 FF49 FF66 GG09 JJ03 JJ05 JJ26 LL22 LL24 LL34 LL46 QQ24 QQ26 SS02 SS13 2G066 AA04 AA15 AC20 BA14 BB02 BB15 CA01 CA16 4G077 AA02 BC37 CF10 EH04 EH06 PF52 PF53

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】観測対象物の偏光方向の異なる偏光による
    複数の画像を取得するための撮像手段と、 該撮像手段により取得した複数の画像を処理して前記観
    測対象物の明るさ画像を作成する画像処理手段と、 該画像処理手段により作成された前記観測対象物の明る
    さ画像を表示する画像表示手段を有することを特徴とす
    る観測装置。
  2. 【請求項2】前記偏光方向の異なる偏光は、偏光方向が
    45°ずつ異なる3方向の偏光であることを特徴とする
    請求項1記載の観測装置。
  3. 【請求項3】前記複数の画像の処理には、前記観測対象
    物の同一点ないし略同一点からの光の前記3方向の偏光
    強度に基づいて前記観測対象物の表面の傾きを算出する
    工程が含まれることを特徴とする請求項2記載の観測装
    置。
  4. 【請求項4】観測対象物からの光を前期観測対象物の表
    面で反射した光と前記観測対象物が放射した光とに分離
    する光分離手段を有することを特徴とする観測装置。
  5. 【請求項5】前記光分離手段により分離された前期観測
    対象物の表面で反射した光による前記観測対象物の2次
    元画像を得るための撮像手段を有することを特徴とする
    請求項4記載の観測装置。
  6. 【請求項6】前記光分離手段により分離された前記観測
    対象物が放射した光に含まれる2色法による温度計測が
    可能な2個の波長の光による前記観測対象物の同一ライ
    ンの2個のライン画像を得るための撮像手段を有するこ
    とを特徴とする請求項4記載の観測装置。
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