JP2002300418A - 高圧発生回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 回路故障が発生してから保護回路が動作する
までの間、異常な高電圧からＣＲＴを保護すること。 【解決手段】 出力される高電圧ＨＶが電圧制限用負荷
回路４２に設定した制限電圧Ｖ2になった時は、電圧制
限用負荷回路４２によりフライバックトランスＦＢＴに
誘起される誘起電力を消費して、高電圧ＨＶの電圧レベ
ルを制限電圧Ｖ2に制限することで、保護回路１２によ
る保護動作が行われるまでの期間において、高圧発生部
２０から出力される高電圧ＨＶがＣＲＴにダメージを与
えるような異常な高電圧になるのを防止するようにし
た。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばモニタ装置
等の陰極線管に備えられる高圧発生回路に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】従来から陰極線管（ＣＲＴ：Cathode-ra
y Tube）を備えた表示装置においては、ＣＲＴのアノー
ドに対して高電圧を供給する高圧発生回路が設けられて
いる。通常、このような高圧発生回路には、高電圧が供
給されるＣＲＴに所定以上の電流が流れてＸ線が発生し
ないように保護する過電流保護回路や、回路故障等によ
り高圧発生回路から所定電圧以上の高電圧がＣＲＴに供
給されるのを防止する過電圧保護回路などが設けられて
いる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記したよ
うな過電流保護回路や過電圧保護回路には、時定数回路
が設けられており、これらの回路が例えばノイズなどに
反応しないように、その応答性を鈍くさせている。しか
しながら、過電圧保護回路に時定数を設けた場合は、例
えば回路故障等により高圧発生回路の高電圧が所定電圧
レベル以上になったとしても、時定数回路による応答遅
れ分だけ過電圧保護回路の動作が遅れることになる。こ
のため、回路故障により高圧発生回路から出力される高
電圧が瞬時に上昇すると、過電圧保護回路が動作する前
に、ＣＲＴに対して、その最大定格電圧以上の高電圧が
印加され、ＣＲＴにダメージを与えてしまうことがあっ
た。

【０００４】そこで、上記したような問題を解決する１
つ手段として、過電圧保護回路に設けられている時定数
回路を削除することが考えられる。しかし、近年、過電
圧保護回路に設けられている時定数回路は、上記したよ
うな目的だけに止まらず、例えばＣＲＴの画面上に表示
する画像の画作りなどにも利用されているため、過電圧
保護回路から時定数回路を取り除くことはできないもの
となっている。

【０００５】そこで、本発明はこのような点を鑑みてな
されたものであり、回路故障時、過電圧保護回路が動作
するまでの期間において、ＣＲＴにダメージを与えるよ
うな異常な高電圧からＣＲＴを保護することができる高
圧発生回路を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の高圧発生回路は、少なくとも、一次側には
一次巻線が巻装され、二次側には二次巻線が巻装されて
おり、一次巻線に断続した一次側電流が入力される二次
巻線から高圧パルスを出力するフライバックトランス
と、高圧パルスを整流することにより得られる高電圧を
出力する高電圧出力手段と、一次側電流を断続すると共
に、高電圧が一定レベルとなるように制御する高電圧制
御手段と、高電圧の電圧レベルに応じた検出電圧に基づ
いて、高電圧が所定電圧レベル以上となったときに保護
動作が行われるように制御する保護手段と、検出電圧に
基づいて、高電圧が所定電圧レベルより高い制限電圧レ
ベルとなったときに、フライバックトランスの誘起電力
を消費して、高電圧を制限電圧レベルに制限する電圧制
限動作を行う電圧制限手段とを備えるようにした。

【０００７】本発明によれば、高電圧レベルが保護手段
の所定電圧レベルより高い制限電圧レベルになった時
は、電圧制限手段によりフライバックトランスに誘起さ
れる誘起電力を消費して、高電圧を制限電圧レベルに制
限することで、保護手段による保護動作が行われるまで
の期間に、出力される高電圧が異常な高電圧になるのを
防止するようにしている。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。図１は、本実施の形態の形態とされる高圧
発生回路の回路構成を示した図である。この図１に示す
ように、本実施の形態の高圧発生回路は、それぞれ一点
鎖線で囲った高圧制御部１０、高圧発生部２０、過電流
検出部３０、過電圧検出部４０から構成される。

【０００９】高圧制御部１０には、例えばスイッチング
素子Ｑ1、フライホイールダイオードＤ1、チョークコイ
ルＨＲＣからなるＰＷＭ（Pulse Width Modulation）制
御方式の昇圧形のチョッパー回路が設けられている。ス
イッチング素子Ｑ1のソースは、図示しない直流電源に
接続され、所定の駆動電圧（直流電圧）＋Ｂが入力され
る。また、スイッチング素子Ｑ1のゲートはコントロー
ル回路１１に接続されると共に、そのドレインはチョー
クコイルＨＲＣを介して後述するフライバックトランス
ＦＢＴの一次巻線Ｎ1の一端（巻終端部側）に接続され
る。フライホイールダイオードＤ1は、図示するような
向きでスイッチング素子Ｑ1のドレインと一次側アース
との間に接続される。

【００１０】一次巻線Ｎ1の一端には、図示するように
共振コンデンサＣ1が接続されると共に、その他端には
コンデンサＣ2が接続される。スイッチング素子Ｑ2のゲ
ートはコントロール回路１１に接続されると共に、その
ドレインが接地される。なお、高圧制御部１０に設けら
れているコントロール回路１１と保護回路１２について
は後述する。

【００１１】高圧発生部２０のフライバックトランスＦ
ＢＴは、一次側に一次巻線Ｎ1と、電圧検出巻線である
三次巻線Ｎ3が巻装され、その二次側に二次巻線Ｎ2a，
Ｎ2bが分割されて巻装される。なお、一次巻線Ｎ1と二
次巻線Ｎ2a，Ｎ2bとはその巻方向が同極性となるように
巻装されている。

【００１２】フライバックトランスＦＢＴの二次巻線Ｎ
2a，Ｎ2bの巻き始め端部には、それぞれ整流ダイオード
Ｄ2、Ｄ3のアノードに接続される。そして整流ダイオー
ドＤ2のカソードが二次巻線Ｎ2aの巻き終り端部に接続
され、整流ダイオードＤ3のカソードが、破線で示した
平滑コンデンサＣ4の正極端子に接続される。なお、破
線で示した平滑コンデンサＣ4は、実際には高圧発生回
路に設けられるものではなく、図示していないＣＲＴの
構造を利用して形成される。

【００１３】整流ダイオードＤ3のカソードと二次側ア
ースとの間には、抵抗Ｒ1，Ｒ2を直列に接続した直列回
路が設けられており、この直列回路により分圧した電圧
が制御電圧として高圧制御部１０のコントロール回路１
１にフィードバックされる。

【００１４】高圧制御部１０のコントロール回路１１
は、高圧発生部２０からフィードバックされる制御電圧
に応じて、１スイッチング周期におけるデューティ比を
変化させたドライブ電圧をスイッチング素子Ｑ1に対し
て供給することで、スイッチング素子Ｑ1の１スイッチ
ング周期におけるオン／オフ期間を制御し、フライバッ
クトランスＦＢＴの一次側に入力する一次側電流をコン
トロールするようにされる。また、コントロール回路１
１は、例えばテレビジョン信号の水平同期信号に対応し
たスイッチング周期でスイッチング素子Ｑ2の動作を制
御するようにされる。

【００１５】このような本実施の形態の高圧発生回路で
は、スイッチング素子Ｑ2がオンからオフになると、フ
ライバックトランスＦＢＴの一次巻線Ｎ1に入力される
一次側電流が共振コンデンサＣ1で共振（振動）し、フ
ライバックトランスＦＢＴの二次巻線Ｎ2a，Ｎ2bにパル
ス状の電流が誘起される。そして、この二次巻線Ｎ2a，
Ｎ2bに誘起されたパルス状の電流を整流ダイオードＤ
2，Ｄ3、及び平滑コンデンサＣ4で整流平滑することで
高電圧ＨＶを得るようにしている。

【００１６】また、この高電圧ＨＶは抵抗Ｒ1，Ｒ2によ
り分圧され、コントロール回路１１に制御電圧としてフ
ィードバックされる。コントロール回路１１は、この制
御電圧に基づいて、スイッチング素子Ｑ1のオン／オフ
期間を制御し、フライバックトランスＦＢＴの一次巻線
Ｎ1に入力する一次側電流をコントロールすることで高
電圧ＨＶの安定化を図るようにしている。

【００１７】また、本実施の形態の高圧発生回路におい
ては、高電圧ＨＶが供給されるＣＲＴに過電流が流れた
り、ＣＲＴを高電圧ＨＶの過電圧から保護するために過
電流検出部３０、過電圧検出部４０及び保護回路１２が
設けられている。

【００１８】過電流検出部３０は、フライバックトラン
スＦＢＴの二次巻線Ｎ2bの巻終端部に接続された抵抗Ｒ
3と時定数回路３１によって構成され、抵抗Ｒ3によって
フライバックトランスＦＢＴの二次側に誘起される電流
を検出電圧Ｖｂに変換した後、時定数回路３１を介して
保護回路１２に供給するようにされる。

【００１９】過電圧検出部４０は、フライバックトラン
スＦＢＴの一次側に巻装された三次巻線Ｎ3を利用して
構成される。この場合、過電圧検出部４０では、三次巻
線Ｎ3に誘起される誘起電流を整流ダイオードＤ4及び平
滑コンデンサＣ3により整流平滑することで得られる高
電圧ＨＶの電圧レベルに比例した検出電圧Ｖａを時定数
回路４１を介して保護回路１２に供給するようにされ
る。

【００２０】保護回路１２は、過電流検出部３０及び過
電圧検出部４０から時定数回路３１，４１を介して供給
される検出電圧Ｖｂ，Ｖａが、それぞれ所定電圧レベル
以上とされる時に、コントロール回路１１により保護動
作が行われるように制御する制御信号を出力する。

【００２１】これにより、例えばＣＲＴの画面が非常に
明るい画面に設定され、ＣＲＴに供給される電流量が増
加して検出電圧Ｖｂが所定の設定レベルとなった時は、
コントロール回路１１は、例えば高電圧ＨＶの電流値が
所定値を越えないように動作する。また、回路故障等に
より、高圧発生回路がＣＲＴに供給される高電圧ＨＶが
上昇し、検出電圧Ｖａが所定の設定レベルとなった時
は、コントロール回路１１は例えばコントロール動作を
停止することになる。

【００２２】ところで、上記した過電流検出部３０及び
過電圧検出部４０にそれぞれ設けられている時定数回路
３１，４１は、上述したように、本来、過電流検出部３
０及び過電圧検出部４０で検出される検出電圧Ｖｂ，Ｖ
ａに対する保護回路１２の応答を遅らせることで、保護
回路１２が検出電圧Ｖｂ，Ｖａに対して過度に応答する
のを防止するために設けられている。

【００２３】しかしながら、このような時定数回路３
１，４１を過電流検出部３０及び過電圧検出部４０に設
けた場合は、逆に検出電圧Ｖｂ、Ｖａに対する保護回路
１２の応答遅れが問題になる。例えば高圧制御部１０の
不具合によって高電圧ＨＶの電圧レベルが急激に上昇す
ると、検出電圧Ｖａによって保護回路１２が動作する前
に、高電圧ＨＶがＣＲＴの定格電圧以上のレベルに達し
てしまい、ＣＲＴにダメージを与えることがある。

【００２４】そこで、本実施の形態の高圧発生回路にお
いては、例えば高電圧ＨＶを検出する検出電圧ラインに
電圧制限手段である電圧制限用負荷回路４２を設け、高
電圧ＨＶの電圧レベルを制限するようにした。

【００２５】図２は、上記した電圧制限用負荷回路４２
の回路構成を示した図である。この図２に示すように、
電圧制限用負荷回路４２は、トランジスタＱ11、コンパ
レータＱ12、抵抗Ｒ11，Ｒ12，Ｒ13、Ｒ14及びツェナー
ダイオードＤｚから構成される。フライバックトランス
ＦＢＴの三次巻線Ｎ3を利用して検出された検出電圧Ｖ
ａは、抵抗Ｒ11，Ｒ12によって分圧されてコンパレータ
Ｑ12の非反転入力端子（＋）に入力される。また検出電
圧Ｖａは、コンパレータＱ12の反転入力端子（−）に基
準電圧を入力するためにツェナーダイオードＤｚの逆方
向電圧Ｖｚを利用した回路が設けられている。即ち、検
出電圧ラインを抵抗Ｒ13を介してツェナーダイオードＤ
ｚのカソードに接続したうえで、このカソードを抵抗Ｒ
14を介してコンパレータＱ12の反転入力端子（−）に接
続することで、コンパレータＱ12の反転入力端子（−）
に、ツェナーダイオードＤｚの逆方向電圧Ｖｚを基準電
圧として印加するようにしている。なお、ツェナーダイ
オードＤｚのアノードは接地される。

【００２６】このように構成される電圧制限用負荷回路
４２では、コンパレータＱ12の非反転入力端子（＋）に
入力される検出電圧Ｖａを抵抗Ｒ11，Ｒ12で分圧した電
圧が、反転入力端子（−）に入力される逆方向電圧Ｖｚ
より高いレベルになると、コンパレータＱ12の出力がハ
イレベルとなり、負荷回路である電力消費用のトランジ
スタＱ11がオンするようになっている。即ち、フライバ
ックトランスＦＢＴの三次巻線Ｎ3を用いて、フライバ
ックトランスＦＢＴに誘起される誘起電力が電圧制限用
負荷回路４２により消費されることになる。

【００２７】ここで、電圧制限用負荷回路４２を構成す
る抵抗Ｒ11，Ｒ12の抵抗値をそれぞれｒ11，ｒ１２、ツ
ェナーダイオードＤｚの逆方向電圧をＶｚとすると、電
圧制限用負荷回路４２が動作を開始する動作開始電圧Ｖ
2は、 （ｒ11＋ｒ12）Ｖｚ／ｒ12 ・・・（式１） となる。

【００２８】そこで、本実施の形態では、電圧制限用負
荷回路４２の動作開始電圧Ｖ2を、保護回路１２が過電
圧保護動作を開始する動作開始電圧Ｖ1より高く、且
つ、ＣＲＴの最大定格電圧に応じた検出電圧Ｖａの電圧
レベルより低くなるように設定しておくことで、検出電
圧Ｖａが電圧制限用負荷回路４２の動作開始電圧Ｖ2と
なった時に、電圧制限用負荷回路４２のトランジスタＱ
11を用いてフライバックトランスＦＢＴに誘起される誘
起電力を消費するようにした。

【００２９】このような動作開始電圧Ｖ2は、フライバ
ックトランスＦＢＴに誘起される誘起電力を消費してい
ることから、フライバックトランスＦＢＴの三次巻線を
利用して高電圧ＨＶの上昇を制限する制限電圧であると
も言える。そこで、以下本明細書では、電圧制限用負荷
回路４２の動作開始電圧Ｖ2のことを制限電圧Ｖ2と表記
することで、保護回路１２の動作開始電圧Ｖ1と区別す
ることとする。

【００３０】以下、図３を用いて本実施の形態の高圧発
生回路の動作について説明していく。図３（ａ）は、電
圧制限用負荷回路４２が設けられていない従来の高圧発
生回路の動作タイミングを示した図であり、同図（ｂ）
は電圧制限用負荷回路４２を備えた本実施の形態の高圧
発生回路の動作タイミングを示した図である。

【００３１】先ず、本実施の形態の高圧発生回路との比
較として、従来の高圧発生回路の動作を、図３（ａ）を
用いて説明しておく。従来の高圧発生回路が正常な動作
状態である場合、フライバックトランスＦＢＴの三次巻
線Ｎ3から検出される検出電圧Ｖａは、保護回路１２の
動作開始電圧Ｖ1以下になっている。ここで、図３
（ａ）に示す時点ｔ1において、高圧発生回路の一次側
に回路故障が生じ、フライバックトランスＦＢＴの二次
側から出力される高電圧ＨＶの電圧レベルが急激に上昇
したとする。すると、フライバックトランスＦＢＴの三
次巻線Ｎ3から検出される検出電圧Ｖａも高電圧ＨＶの
電圧変化に比例して上昇することになる。

【００３２】この場合、検出電圧Ｖａが保護回路１２の
動作開始電圧Ｖ1を越えた時点で、保護回路１２が動作
すれば問題ないが、実際には過電圧検出部４０の時定数
回路４１による応答遅れが生じるため、保護回路１２が
動作を開始するのは、検出電圧Ｖａが動作開始電圧Ｖ1
を越えてから時間Ｔrだけ遅れた時点ｔ2となる。従っ
て、保護回路１２が実際に動作を開始する時点ｔ2で
は、検出電圧Ｖａが保護回路１２の動作開始電圧Ｖ1よ
り電圧△Ｖａだけ高くなっている。これは即ち、時点ｔ
2では、高電圧ＨＶが電圧△ＨＶだけ高くなっているこ
とを意味している。従って、この時点ｔ2における高電
圧ＨＶがＣＲＴの最大定格電圧より高い電圧である時
は、ＣＲＴにダメージを与えてしまうことになる。

【００３３】これに対して、本実施の形態の高圧発生回
路では、従来同様、図３（ｂ）に示す時点ｔ1におい
て、高圧発生回路の一次側に回路が生じ、フライバック
トランスＦＢＴの二次側から出力される高電圧ＨＶの電
圧レベルが急激に上昇したとする。すると、この場合も
フライバックトランスＦＢＴの三次巻線Ｎ3から検出さ
れる検出電圧Ｖａが高電圧ＨＶの電圧上昇に比例して高
くなるが、検出電圧Ｖａが電圧制限用負荷回路４２の動
作開始電圧である制限電圧Ｖ2に達した時点ｔ3で、電圧
制限用負荷回路４２が動作することになる。つまり、電
圧制限用負荷回路４２のトランジスタＱ11がオンにな
り、フライバックトランスＦＢＴに誘起される誘起電力
がトランジスタＱ11により消費される。

【００３４】これにより、検出電圧Ｖａが電圧制限用負
荷回路４２の制限電圧Ｖ2になってから保護回路１２が
動作を開始する時点ｔ2までは、検出電圧Ｖａを制限電
圧Ｖ2の電圧レベルに制限することが可能になる。つま
り、高電圧ＨＶの電圧レベルはＣＲＴの最大定格電圧以
下に制限することが可能になる。

【００３５】従って、このような本実施の形態の高圧発
生回路によれば、保護回路１２による保護動作が開始さ
れるまでの期間は、高電圧ＨＶを制限電圧Ｖ2に応じた
電圧レベルに制限することが可能になるので、回路故障
時における異常な高電圧から、ＣＲＴを保護することが
できるようになる。

【００３６】また、図４（ａ）は上記した電圧制限用負
荷回路４２の他の回路構成例を示した図である。なお、
図２と同一部位には同一番号を付し、詳細な説明は省略
する。この図４（ａ）に示す電圧制限用負荷回路４２に
おいては、上記図２に示した回路構成に加えて抵抗Ｒ15
とトランジスタＱ13が設けられている。この場合、トラ
ンジスタＱ13のコレクタは抵抗Ｒ15を介してコンパレー
タＱ12の反転入力端子（−）に接続され、そのエミッタ
が一次側アースに接続される。また、トランジスタＱ13
のベースはコンパレータＱ12の出力端子に接続される。

【００３７】ここで、抵抗Ｒ15の抵抗値をｒ15、ツェナ
ーダイオードＤｚの逆方向電圧をＶｚとすると、電圧制
限用負荷回路４２が動作を開始する制限電圧Ｖ2(ON)
は、上記（式１）で示されることになる。これに対し
て、電圧制限用負荷回路４２が動作を停止する制限電圧
Ｖ2(OFF)は、 （ｒ15／（ｒ14＋ｒ15））×（（ｒ11＋ｒ12）Ｖｚ／ｒ12）・・・（式２） で示されることになる。

【００３８】つまり、図４（ａ）のように電圧制限用負
荷回路４２を構成した場合は、図４（ｂ）に示されてい
るように、制限電圧Ｖ2(OFF)が制限電圧Ｖ2(ON)より低
くなり、制限電圧Ｖ2(ON)と制限電圧Ｖ2(OFF)との間に
ヒステリシス電圧を与えることができるようになる。従
って、このように電圧制限用負荷回路４２を構成すれ
ば、電圧制限用負荷回路４２を一定の制限電圧でオン／
オフさせるより、安定した電圧制限動作が得られるよう
になるものである。

【００３９】なお、本実施の形態では過電圧検出部４０
の検出電圧ラインに電圧制限用負荷回路４２を設け、保
護回路１２による保護動作が開始されるまでの期間にお
いて、高電圧ＨＶの電圧レベルを制限する場合を例に挙
げて説明したが、本発明としては、例えば過電流検出部
３０の検出電圧ラインに電圧制限用負荷回路を設け、保
護回路１２による保護動作が開始されるまでの期間にお
いて、ＣＲＴに流れる高電圧ＨＶの電流量を制限するこ
とも可能である。

【００４０】また、本実施の形態では、フライバックト
ランスＦＢＴの三次巻線Ｎ3を利用して過電圧検出を行
うようにしているが、本発明の高圧発生回路は、このよ
うな回路構成に限定されるものではない。例えば従来の
高圧発生回路では利用できない高電圧の安定化を図るた
めの制御電圧を用いて過電圧検出を行うことも可能にな
る。これは従来の高圧発生回路では、高電圧ＨＶを分圧
する抵抗Ｒ1，Ｒ2の抵抗値が大きく、時定数の大きい時
定数回路が設けられた制御電圧を利用して過電圧検出を
行うと時定数回路による応答遅れが生じる。このため、
制御電圧を利用して過電圧検出を行った場合は、高電圧
の変化に検出が追いつかず異常電圧を正確に検出するこ
とができないものとされていた。これに対して、本発明
の高圧発生回路によれば、これまでの説明から分かるよ
うに、保護回路１２による保護動作が開始されるまでの
期間は、高電圧が制限電圧に応じた電圧レベルに制限さ
れるので、制御電圧を利用した過電圧検出を行うことが
可能になる。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の高圧発生
回路では、高電圧レベルが保護手段の所定電圧レベルよ
り高い制限電圧レベルになった時は、電圧制限手段によ
りフライバックトランスに誘起される誘起電力を消費し
て、高電圧が制限電圧レベルとなるように制限してい
る。これにより、保護手段による保護動作が行われるま
での期間において、出力される高電圧が異常な高電圧に
なるのを防止することができ、ダメージを与えるような
異常な高電圧からＣＲＴを保護することが可能になる。

【００４２】そして、フライバックトランスに高電圧に
応じた検出電圧を得るための電圧検出巻線を設け、この
電圧検出巻線を利用して電圧制限手段による電圧制限動
作を行うようにすれば、確実に異常な高電圧からＣＲＴ
を保護することができる。

【００４３】また、電圧制限動作がヒステリシス動作と
なるように電圧制限手段を構成すれば、電圧制限動作を
より安定して行うことができるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態とされる高圧発生部の回路
構成を示した図である。

【図２】本実施の形態とされる電圧制限用負荷回路の回
路構成を示した図である。

【図３】本実施の形態とされる電圧制限用負荷回路の動
作説明図である。

【図４】他の実施の形態とされる電圧制限用負荷回路の
回路構成と、その動作説明図である。

【符号の説明】

１０ 高圧制御部、１１ コントロール回路、１２ 保
護回路、２０ 高圧発生部、３０ 過電流検出部、３１
４１ 時定数回路、４０ 過電圧検出部、４２ 電圧
制限用負荷回路、Ｃ1 共振コンデンサ、Ｃ2 コンデン
サ、Ｃ3 Ｃ4平滑コンデンサ、Ｄｚ ツェナーダイオー
ド、Ｄ1 フライホイールダイオード、Ｄ2 Ｄ3 Ｄ4
整流ダイオード、ＦＢＴ フライバックトランス、ＨＲ
Ｃチョークコイル、Ｎ1 一次巻線、Ｎ2a Ｎ2b 二次
巻線、Ｎ3 三次巻線、Ｑ1Ｑ2 Ｑ13 スイッチング素
子、Ｑ11 トランジスタ、Ｑ12 コンパレータ、Ｒ1〜
Ｒ3 Ｒ11〜Ｒ15 抵抗

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5C068 AA20 CA03 CC01 CC06 CC11 GB01 GB03 5G053 AA01 AA09 BA01 BA04 CA01 CA04 DA01 EA03 EB02 EC03 FA06 5H730 AA20 AS04 AS15 BB43 BB57 BB67 BB86 BB88 DD04 DD41 EE07 EE72 EE76 FD01 FD24 FD31 FG01 XX12 XX23 XX32 XX47

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも、一次側には一次巻線が巻装
   され、二次側には二次巻線が巻装されており、一次巻線
   に断続した一次側電流が入力される二次巻線から高圧パ
   ルスを出力するフライバックトランスと、 上記高圧パルスを整流することにより得られる高電圧を
   出力する高電圧出力手段と、 上記一次側電流を断続すると共に、上記高電圧が一定レ
   ベルとなるように制御する高電圧制御手段と、 上記高電圧の電圧レベルに応じた検出電圧に基づいて、
   上記高電圧が所定電圧レベル以上となったときに保護動
   作が行われるように制御する保護手段と、 上記検出電圧に基づいて、上記高電圧が上記所定電圧レ
   ベルより高い制限電圧レベルとなったときに、上記フラ
   イバックトランスの誘起電力を消費して、上記高電圧を
   上記制限電圧レベルに制限する電圧制限動作を行う電圧
   制限手段と、 を備えることを特徴とする高圧発生回路。
2. 【請求項２】 上記フライバックトランスに上記検出電
   圧を得るための電圧検出巻線を設け、 上記電圧制限手段は、上記電圧検出巻線を利用して上記
   高電圧の電圧制限動作を行うことを特徴とする請求項１
   に記載の高圧発生回路。
3. 【請求項３】 上記電圧制限手段は、電圧制限動作がヒ
   ステリシス動作となるように構成されていることを特徴
   とする請求項１に記載に高圧発生回路。