JP2002298762A - カソードレイチューブの抗電磁気輻射及び抗フラッシュの複数層塗膜及びその製造方法 - Google Patents
カソードレイチューブの抗電磁気輻射及び抗フラッシュの複数層塗膜及びその製造方法Info
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- JP2002298762A JP2002298762A JP2001083483A JP2001083483A JP2002298762A JP 2002298762 A JP2002298762 A JP 2002298762A JP 2001083483 A JP2001083483 A JP 2001083483A JP 2001083483 A JP2001083483 A JP 2001083483A JP 2002298762 A JP2002298762 A JP 2002298762A
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- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 抗電磁気輻射特性が好ましく、且つ、表面硬
度が高く、且つ、抗指紋性が好ましく、且つ、量産性が
好ましい複数層塗膜を提供する。 【解決手段】 ガラスパネルを用意するステップと、前
記ガラスパネルに付着層をスパッタリング形成するステ
ップと、前記付着層に吸収層をスパッタリング形成する
ステップと、前記吸収層に導電層をスパッタリング形成
するステップと、前記導電層に保護層をスパッタリング
形成するステップと、噴霧プロセスによって前記保護層
に抗フラッシュ材料を塗膜するステップとを有する。
度が高く、且つ、抗指紋性が好ましく、且つ、量産性が
好ましい複数層塗膜を提供する。 【解決手段】 ガラスパネルを用意するステップと、前
記ガラスパネルに付着層をスパッタリング形成するステ
ップと、前記付着層に吸収層をスパッタリング形成する
ステップと、前記吸収層に導電層をスパッタリング形成
するステップと、前記導電層に保護層をスパッタリング
形成するステップと、噴霧プロセスによって前記保護層
に抗フラッシュ材料を塗膜するステップとを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カソードレイチュ
ーブに用いられる抗電磁気輻射及び抗フラッシュの複数
層塗膜に係るものであり、特に抗電磁気輻射特性が好ま
しく、且つ、表面硬度が高く、且つ、抗指紋性が好まし
く、且つ、量産性が好ましい複数層塗膜に係るものであ
る。
ーブに用いられる抗電磁気輻射及び抗フラッシュの複数
層塗膜に係るものであり、特に抗電磁気輻射特性が好ま
しく、且つ、表面硬度が高く、且つ、抗指紋性が好まし
く、且つ、量産性が好ましい複数層塗膜に係るものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の表示器に用いられるカソードレイ
チューブは大体ガラスパネルの表面に化学（旋回または
噴霧）塗膜法によって１層または複数層の塗膜層を形成
することによって消費者の表示器のイメージ品質のニー
ズを満たすが、カソードレイチューブの業者も皆品質の
よりいいカソードレイチューブを提供することに努めて
いる。そのため、カソードレイチューブの表面光学特性
とその表面の電磁気特性とが国際化の電気用品の使用安
全規範要求に満たしているかが品質の高低を評価する標
準となっている。しかしながら、前記の従来の化学塗膜
の製造プロセスの実施による場合、品質が将来マーケッ
トのもっと高い標準の要求を満たせなくなる。
チューブは大体ガラスパネルの表面に化学（旋回または
噴霧）塗膜法によって１層または複数層の塗膜層を形成
することによって消費者の表示器のイメージ品質のニー
ズを満たすが、カソードレイチューブの業者も皆品質の
よりいいカソードレイチューブを提供することに努めて
いる。そのため、カソードレイチューブの表面光学特性
とその表面の電磁気特性とが国際化の電気用品の使用安
全規範要求に満たしているかが品質の高低を評価する標
準となっている。しかしながら、前記の従来の化学塗膜
の製造プロセスの実施による場合、品質が将来マーケッ
トのもっと高い標準の要求を満たせなくなる。
【０００３】また、従来のカソードレイチューブのガラ
スパネルの表面に化学（旋回または噴霧）塗膜した方法
によって形成される一層または複数層の塗膜層が、その
ガラスパネル表面の機能特性が依然として不足なところ
がある。その一、銀幕面の抵抗係数は現在の場合では単
位面積１０３オームより小さくなるのが難しく、そのた
め、抗電磁気輻射性を有しにくい、その二、ガラスパネ
ル表面の光透過率は依然として制御の要件となってお
り、その三、反射率バンドワイドス（ＢａｎｄＷｉｄｔ
ｈ）が狭い。
スパネルの表面に化学（旋回または噴霧）塗膜した方法
によって形成される一層または複数層の塗膜層が、その
ガラスパネル表面の機能特性が依然として不足なところ
がある。その一、銀幕面の抵抗係数は現在の場合では単
位面積１０３オームより小さくなるのが難しく、そのた
め、抗電磁気輻射性を有しにくい、その二、ガラスパネ
ル表面の光透過率は依然として制御の要件となってお
り、その三、反射率バンドワイドス（ＢａｎｄＷｉｄｔ
ｈ）が狭い。
【０００４】また、従来のカソードレイチューブのガラ
スパネル表面に膜（ＰＥＴフィルムを貼り付けること、
例えばＴＯＹＯ社の提案）を貼り付けてもいいが、現在
では光学特性と低抵抗性の面ではニーズを満たすことが
できるが、当該膜の硬度が足りず、鉛筆硬度は単に３―
４Ｈ、摩耗しやすく、マーケットのニーズにまだ満足で
きない。
スパネル表面に膜（ＰＥＴフィルムを貼り付けること、
例えばＴＯＹＯ社の提案）を貼り付けてもいいが、現在
では光学特性と低抵抗性の面ではニーズを満たすことが
できるが、当該膜の硬度が足りず、鉛筆硬度は単に３―
４Ｈ、摩耗しやすく、マーケットのニーズにまだ満足で
きない。
【０００５】また、カソードレイチューブのガラスパネ
ルの表面にすべてスパッタリング法によって塗膜層を形
成する場合、現在の段階では大部分の製品の使用のニー
ズを満たすことができるが、依然として抗汚れ性と抗指
紋性が好ましくない課題を有し、他に、製造プロセスに
時間がかかり、コストが高くなり、生産過程の量のニー
ズを満足できず、これらはすべて解決を待っている課題
である。
ルの表面にすべてスパッタリング法によって塗膜層を形
成する場合、現在の段階では大部分の製品の使用のニー
ズを満たすことができるが、依然として抗汚れ性と抗指
紋性が好ましくない課題を有し、他に、製造プロセスに
時間がかかり、コストが高くなり、生産過程の量のニー
ズを満足できず、これらはすべて解決を待っている課題
である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の表示器のカソー
ドレイチューブのガラスパネルの表面の単層または複数
層塗膜層は化学塗膜の方式によって実施されるため、ガ
ラスパネル表面の導電性が抗電磁気輻射の特性を満たし
にくく、且つ、反射バンドワイドスが狭い、且つ、光透
過率の制御に掌握しにくい課題を有することに鑑みて、
且つ、現在の技術では、ガラスパネルにスパッタリング
を実施しても抗指紋性を有しにくく、且つ、製造プロセ
スに時間がかかり、量産のニーズを満たすことができな
いなどの課題に鑑みて、本発明の発明者は研究開発を進
め、遂に、本発明の“カソードレイチューブの抗電磁気
輻射及び抗フラッシュ複数層塗膜及びその製造方法”を
提案するように至った。
ドレイチューブのガラスパネルの表面の単層または複数
層塗膜層は化学塗膜の方式によって実施されるため、ガ
ラスパネル表面の導電性が抗電磁気輻射の特性を満たし
にくく、且つ、反射バンドワイドスが狭い、且つ、光透
過率の制御に掌握しにくい課題を有することに鑑みて、
且つ、現在の技術では、ガラスパネルにスパッタリング
を実施しても抗指紋性を有しにくく、且つ、製造プロセ
スに時間がかかり、量産のニーズを満たすことができな
いなどの課題に鑑みて、本発明の発明者は研究開発を進
め、遂に、本発明の“カソードレイチューブの抗電磁気
輻射及び抗フラッシュ複数層塗膜及びその製造方法”を
提案するように至った。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、カソードレイ
チューブのガラスパネルの表面にスパッタリング層を形
成し、それから当該スパッタリング層に噴霧塗膜を実施
して抗フラッシュ層を形成し、抗電磁気輻射と抗フラッ
シュの目的を図るものである。
チューブのガラスパネルの表面にスパッタリング層を形
成し、それから当該スパッタリング層に噴霧塗膜を実施
して抗フラッシュ層を形成し、抗電磁気輻射と抗フラッ
シュの目的を図るものである。
【０００８】また、本発明は、スパッタリング法によっ
て形成されるスパッタリング層の構成が繊細で、導電性
を向上でき、また、表面の構成が平たく、抗フラッシュ
層の噴霧塗膜の実施に利する塗膜とその製造方法を提供
することをその次の目的とする。
て形成されるスパッタリング層の構成が繊細で、導電性
を向上でき、また、表面の構成が平たく、抗フラッシュ
層の噴霧塗膜の実施に利する塗膜とその製造方法を提供
することをその次の目的とする。
【０００９】また、本発明は、スパッタリング塗膜と噴
霧塗膜とを結合するガラスパネルの塗膜の特性が硬度が
高く、抗摩耗性が好ましく、且つ、良好的な抗指紋性を
有し、且つ、ガラスパネル表面の導電性が高く、低抵抗
（単位面積が１０２オムより小さくなる）であるので、
優れる抗電磁気輻射性を有し、現在のマーケットの交流
電場（ＡＥＦ）を低下させる、ユーザー安全性規範の条
件を満たすことができ、また、スパッタリング層と抗フ
ラッシュ層との隣接する保護層を合わせることによって
全体の塗膜層に抗フラッシュの特性を有するばかりか、
広いバンドワイドスの抗反射特性を有する塗膜とその製
造方法を提供することをその他の目的とする。
霧塗膜とを結合するガラスパネルの塗膜の特性が硬度が
高く、抗摩耗性が好ましく、且つ、良好的な抗指紋性を
有し、且つ、ガラスパネル表面の導電性が高く、低抵抗
（単位面積が１０２オムより小さくなる）であるので、
優れる抗電磁気輻射性を有し、現在のマーケットの交流
電場（ＡＥＦ）を低下させる、ユーザー安全性規範の条
件を満たすことができ、また、スパッタリング層と抗フ
ラッシュ層との隣接する保護層を合わせることによって
全体の塗膜層に抗フラッシュの特性を有するばかりか、
広いバンドワイドスの抗反射特性を有する塗膜とその製
造方法を提供することをその他の目的とする。
【００１０】また、本発明はガラスパネルの光透過率を
調整可能にすることができることをその他の目的とす
る。
調整可能にすることができることをその他の目的とす
る。
【００１１】また、本発明は、その結合方式によって製
造環境の要求を低下させることができると共に、その製
造プロセスを簡素化でき、歩留まりが高く、製造に利す
る長所を有する塗膜とその製造プロセスを提供すること
をその他の目的とする。
造環境の要求を低下させることができると共に、その製
造プロセスを簡素化でき、歩留まりが高く、製造に利す
る長所を有する塗膜とその製造プロセスを提供すること
をその他の目的とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１に示すのは本発明の好適な実
施の形態であり、本発明によって形成される抗電磁気輻
射と抗フラッシュの複数層塗膜がカソードレイチューブ
２１に応用でき、このカソードレイチューブ２１には主
に密封ガラス管体２２を有し、当該管体２２にはガラス
パネル２３とネック２４と中間円錐体２５が接続され、
前記ガラスパネル２３の内側表面に蛍光層２６が塗膜さ
れ、当該蛍光層２６には複数個のそれぞれ発光できる蛍
光画素を有し、カラー電子ビームが前記ガラスパネル２
３の内側表面の蛍光画素にフォーカスする場合、当該画
素が有色光を発光し、前記ガラスパネル２３に視覚イメ
ージを表示する。前記カソードレイチューブ２１の密封
ガラス管体２２のネック２４に複数本のリニア配列の電
子ガム２７が設けられ、複数本の前記ガラスパネル２３
の蛍光層２６にフォーカスする電子ビーム２８を生成
し、前記電子ビーム２８が磁極偏向部材２９を通ってか
ら、水平及び垂直方向へ折り曲げ、且つ、蛍光層２６に
フォーカスする。前記それぞれのユニットが従来の技術
であるので、その他詳細な説明は省略する。
施の形態であり、本発明によって形成される抗電磁気輻
射と抗フラッシュの複数層塗膜がカソードレイチューブ
２１に応用でき、このカソードレイチューブ２１には主
に密封ガラス管体２２を有し、当該管体２２にはガラス
パネル２３とネック２４と中間円錐体２５が接続され、
前記ガラスパネル２３の内側表面に蛍光層２６が塗膜さ
れ、当該蛍光層２６には複数個のそれぞれ発光できる蛍
光画素を有し、カラー電子ビームが前記ガラスパネル２
３の内側表面の蛍光画素にフォーカスする場合、当該画
素が有色光を発光し、前記ガラスパネル２３に視覚イメ
ージを表示する。前記カソードレイチューブ２１の密封
ガラス管体２２のネック２４に複数本のリニア配列の電
子ガム２７が設けられ、複数本の前記ガラスパネル２３
の蛍光層２６にフォーカスする電子ビーム２８を生成
し、前記電子ビーム２８が磁極偏向部材２９を通ってか
ら、水平及び垂直方向へ折り曲げ、且つ、蛍光層２６に
フォーカスする。前記それぞれのユニットが従来の技術
であるので、その他詳細な説明は省略する。
【００１３】図２に示すように、本発明の特徴は、カソ
ードレイチューブ２１のガラスパネル２３の外側表面に
スパッタリング層と抗フラッシュ層とを有する塗膜層３
１を形成することにある。当該塗膜層３１にはスパッタ
リング層３２と抗フラッシュ層３３などを含む。そのう
ち、スパッタリング層には付着層３４と光吸収層３５と
導電層３６と保護層３７とを含み、これらの複数の層が
すべてスパッタリング法によって形成される。そのう
ち、付着層３４の主要成分は二酸化珪素などであり、ス
パッタリング材料の付着性を向上でき、膜の剥がれを避
けられ、当該層の厚さは１０―２０ｎｍである。また、
前記光吸収層３５は主要成分がクロムまたは亜鉛または
それらの金属酸化物でもよい。光の透過率を制御する用
途に用い、当該層の厚さは１０―２０ｎｍであり、ま
た、前記導電層３６は主要成分がＩＴＯなどの導電性材
料であり、これらの層がスパッタリング法によってガラ
スパネルに形成されるため、その導電層３６などが緊密
的で平たい、且つ、抵抗値が単位面積１００オームに達
することができ、その厚さはほぼ２０―４０ｎｍであ
り、且つ当該導電層３６と外部保護鋼製帯と接させ、当
該導電層をアースさせる。こうする場合、カソードレイ
チューブ２１のガラスパネル２３の表面に抗電磁気輻射
機能を有させることができる。また、前記保護層３７は
主に二酸化珪素を主要な成分とし、導電層３６を保護
し、後の抗フラッシュ層の噴霧施工の際の酸性の抗フラ
ッシュ原料と導電層３６と反応を生じることを防止で
き、抵抗の増加を避けられ、当該層の厚さはほぼ２０―
３０ｎｍである。前記スパッタリング層３２の全厚さは
ほぼ８０―１１０ｎｍに制御される。
ードレイチューブ２１のガラスパネル２３の外側表面に
スパッタリング層と抗フラッシュ層とを有する塗膜層３
１を形成することにある。当該塗膜層３１にはスパッタ
リング層３２と抗フラッシュ層３３などを含む。そのう
ち、スパッタリング層には付着層３４と光吸収層３５と
導電層３６と保護層３７とを含み、これらの複数の層が
すべてスパッタリング法によって形成される。そのう
ち、付着層３４の主要成分は二酸化珪素などであり、ス
パッタリング材料の付着性を向上でき、膜の剥がれを避
けられ、当該層の厚さは１０―２０ｎｍである。また、
前記光吸収層３５は主要成分がクロムまたは亜鉛または
それらの金属酸化物でもよい。光の透過率を制御する用
途に用い、当該層の厚さは１０―２０ｎｍであり、ま
た、前記導電層３６は主要成分がＩＴＯなどの導電性材
料であり、これらの層がスパッタリング法によってガラ
スパネルに形成されるため、その導電層３６などが緊密
的で平たい、且つ、抵抗値が単位面積１００オームに達
することができ、その厚さはほぼ２０―４０ｎｍであ
り、且つ当該導電層３６と外部保護鋼製帯と接させ、当
該導電層をアースさせる。こうする場合、カソードレイ
チューブ２１のガラスパネル２３の表面に抗電磁気輻射
機能を有させることができる。また、前記保護層３７は
主に二酸化珪素を主要な成分とし、導電層３６を保護
し、後の抗フラッシュ層の噴霧施工の際の酸性の抗フラ
ッシュ原料と導電層３６と反応を生じることを防止で
き、抵抗の増加を避けられ、当該層の厚さはほぼ２０―
３０ｎｍである。前記スパッタリング層３２の全厚さは
ほぼ８０―１１０ｎｍに制御される。
【００１４】本発明において、スパッタリング製造プロ
セスを実施することによってスパッタリング層３２を形
成してから、ガラスパネル２３を３０―１００°Ｃまで
予め加熱し、抗フラッシュ材料を噴霧加工の方式によっ
て保護層３７に塗膜し、その後、前記ガラスパネル２３
とその上に塗膜される材料を１５０―１８０°Ｃの温度
で２０―４０分間焼き、それからガラスパネルを室温ま
で冷却し、これで保護層３７に抗フラッシュ層３３が形
成される。当該抗フラッシュ層３３の単位面積の膜の厚
さは０．００１−０．０１ｍｇ／ｃｍ２である。
セスを実施することによってスパッタリング層３２を形
成してから、ガラスパネル２３を３０―１００°Ｃまで
予め加熱し、抗フラッシュ材料を噴霧加工の方式によっ
て保護層３７に塗膜し、その後、前記ガラスパネル２３
とその上に塗膜される材料を１５０―１８０°Ｃの温度
で２０―４０分間焼き、それからガラスパネルを室温ま
で冷却し、これで保護層３７に抗フラッシュ層３３が形
成される。当該抗フラッシュ層３３の単位面積の膜の厚
さは０．００１−０．０１ｍｇ／ｃｍ２である。
【００１５】前記抗フラッシュ材料のポリマーの重量平
均分子量は１５００―４０００ｇ／ｍｏｌｅであり、水
溶液で調和し、成分には５―１５％の珪素酸化物（化学
式はＳｉ（ＯＥｔ）４であり、Ｅｔはエチルである）
と、０．０５―０．１％の硝酸と３０―４０％のエタノ
ールと５―１０％のイソプロプルアルコールと５―１０
％のカルビノールと３―８％のメチルアセトンと０．１
―０．５％の界面活性剤ＰＯＰ（Ｐｏｌｙａｌｋｌｅｎ
ｅ Ｏｘｉｄｅ−ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｐｏｌｙｄｉｍｅｔ
ｈｙｌｓｉｏｘａｎｅｓ）などを含む。
均分子量は１５００―４０００ｇ／ｍｏｌｅであり、水
溶液で調和し、成分には５―１５％の珪素酸化物（化学
式はＳｉ（ＯＥｔ）４であり、Ｅｔはエチルである）
と、０．０５―０．１％の硝酸と３０―４０％のエタノ
ールと５―１０％のイソプロプルアルコールと５―１０
％のカルビノールと３―８％のメチルアセトンと０．１
―０．５％の界面活性剤ＰＯＰ（Ｐｏｌｙａｌｋｌｅｎ
ｅ Ｏｘｉｄｅ−ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｐｏｌｙｄｉｍｅｔ
ｈｙｌｓｉｏｘａｎｅｓ）などを含む。
【００１６】本発明のスパッタリングと抗フラッシュ塗
膜とをカソードレイチューブ２１のガラスパネル２３の
外表面に利用する後、前記ガラスパネル２３の表面抵抗
はテストによって単位面積が８０―１００オームである
と発見され、且つ、その鉛筆硬度が９Ｈより大きく、且
つ、その表面値（Ｇｌｏｓｓ Ｖａｌｕｅ）はほぼ４０
―７０％であり、抗指紋特性を有すると証明される。
膜とをカソードレイチューブ２１のガラスパネル２３の
外表面に利用する後、前記ガラスパネル２３の表面抵抗
はテストによって単位面積が８０―１００オームである
と発見され、且つ、その鉛筆硬度が９Ｈより大きく、且
つ、その表面値（Ｇｌｏｓｓ Ｖａｌｕｅ）はほぼ４０
―７０％であり、抗指紋特性を有すると証明される。
【００１７】図３は本発明の抗電磁気輻射と抗フラッシ
ュ層の複数層塗膜の施工フローチャートである。図３に
示すように、本発明の製造プロセスによる場合、まず、 ステップ１００：ガラスパネルを用意する。 ステップ２００：前記ガラスパネルに付着層をスパッタ
リング形成する。 ステップ２０２：前記付着層に吸収層をスパッタリング
形成する。 ステップ２０４：前記吸収層に導電層をスパッタリング
形成する。 ステップ２０６：前記導電層に保護層をスパッタリング
形成する。 ステップ３００：前記保護層に噴霧加工によって抗フラ
ッシュ材料を塗膜する。
ュ層の複数層塗膜の施工フローチャートである。図３に
示すように、本発明の製造プロセスによる場合、まず、 ステップ１００：ガラスパネルを用意する。 ステップ２００：前記ガラスパネルに付着層をスパッタ
リング形成する。 ステップ２０２：前記付着層に吸収層をスパッタリング
形成する。 ステップ２０４：前記吸収層に導電層をスパッタリング
形成する。 ステップ２０６：前記導電層に保護層をスパッタリング
形成する。 ステップ３００：前記保護層に噴霧加工によって抗フラ
ッシュ材料を塗膜する。
【００１８】前記ステップ３００において、ガラスパネ
ルを３０―１００°Ｃまで予め加熱してから抗フラッシ
ュ材料を噴霧加工によって前記保護層に塗膜してもよ
い。
ルを３０―１００°Ｃまで予め加熱してから抗フラッシ
ュ材料を噴霧加工によって前記保護層に塗膜してもよ
い。
【００１９】抗反射特性について、図４に示すように、
本発明によるガラスパネル２３の抗反射塗膜のガラスパ
ネルの反射率数値分析表に示すように、本発明の塗膜に
よる場合、バンドワイドスが４００―７００ｎｍの範囲
内で反射光を効果的に減少でき、ワイドバンドの抗反射
効果を有する。
本発明によるガラスパネル２３の抗反射塗膜のガラスパ
ネルの反射率数値分析表に示すように、本発明の塗膜に
よる場合、バンドワイドスが４００―７００ｎｍの範囲
内で反射光を効果的に減少でき、ワイドバンドの抗反射
効果を有する。
【図１】本発明の好適な実施の形態のカソードレイチュ
ーブの縦断面図である。
ーブの縦断面図である。
【図２】本発明のカソードレイチューブのガラスパネル
にスパッタリング層と抗フラッシュ層とを形成する塗膜
層の一部断面図である。
にスパッタリング層と抗フラッシュ層とを形成する塗膜
層の一部断面図である。
【図３】本発明の抗電磁気輻射及び抗フラッシュの複数
層塗膜の形成フローチャートである。
層塗膜の形成フローチャートである。
【図４】本発明の抗反射率の分析図である。
２１ カソードレイチューブ ２２ 密封ガラス管体 ２３ ガラスパネル ２４ ネック ２５ 中間円錐体 ２６ 蛍光層 ２７ 電子ガム ２８ 電子ビーム ３１ 塗膜層 ３２ スパッタリング層 ３３ 抗フラッシュ層 ３４ 付着層 ３５ 光吸収層 ３６ 導電層 ３７ 保護層
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4D075 AE03 BB85X BB85Y BB85Z BB92X BB92Y BB92Z CA02 CA21 CA22 CA25 CB07 DB13 DC24 EA06 EC01 EC02 EC07 EC35 EC54 5C028 AA01 AA02 AA07 5C032 AA02 DD02 DE01 DE03 DE05 DF01 DF05 DG01 DG02 DG10
Claims (19)
- 【請求項１】 カソードレイチューブにはガラスパネル
を有すると共に、複数層塗膜には、前記ガラスパネルの
外表面部においてスパッタリング塗膜の方法によって塗
膜した複数層のスパッタリング層と、噴霧塗膜の方式に
よって前記スパッタリング層の外表面に均一的に塗膜し
た抗フラッシュ層とを有することを特徴とするカソード
レイチューブの抗電磁気輻射及び抗フラッシュの複数層
塗膜。 - 【請求項２】 前記複数層の抗電磁気輻射層はスパッタ
リング塗膜法によって形成され、当該塗膜には、前記カ
ソードレイチューブのガラスパネルの外側表面に塗膜さ
れる付着層と、前記付着層の外側表面に塗膜される光吸
収層と、前記光吸収層の外側表面に塗膜される導電層
と、前記導電層の外側表面に塗膜される保護層とを含む
ことを特徴とする請求項１に記載のカソードレイチュー
ブの抗電磁気輻射及び抗フラッシュの複数層塗膜。 - 【請求項３】 前記付着層の構成成分は二酸化珪素を有
するものを主とし、当該付着層の厚さはほぼ１０―２０
ｎｍであることを特徴とする請求項２に記載のカソード
レイチューブの抗電磁気輻射及び抗フラッシュの複数層
塗膜。 - 【請求項４】 前記光吸収層の構成成分はクロムまたは
クロムの金属酸化物を有する物を主とし、当該光吸収層
の厚さはほぼ１０―２０ｎｍであることを特徴とする請
求項２に記載のカソードレイチューブの抗電磁気輻射及
び抗フラッシュの複数層塗膜。 - 【請求項５】 前記導電層の構成成分はＩＴＯを有する
ものを主とし、当該付着層の厚さはほぼ２０―４０ｎｍ
であることを特徴とする請求項２に記載のカソードレイ
チューブの抗電磁気輻射及び抗フラッシュの複数層塗
膜。 - 【請求項６】 前記保護層の構成成分は二酸化珪素を有
するものを主とし、当該付着層の厚さはほぼ２０―３０
ｎｍであることを特徴とする請求項２に記載のカソード
レイチューブの抗電磁気輻射及び抗フラッシュの複数層
塗膜。 - 【請求項７】 前記導電層は導体を介してアース端に接
続されることを特徴とする請求項２に記載のカソードレ
イチューブの抗電磁気輻射及び抗フラッシュの複数層塗
膜。 - 【請求項８】 前記抗フラッシュ層の塗膜材料として水
解ポリマーを採用すると共に、当該水解ポリマーには、 珪素酸化物５―１５ｗｔ％と酸類０．０５―０．１ｗｔ
％とアルコール類５―５０ｗｔ％と２−メチルアセトン
３―８ｗｔ％と界面活性剤０．１―０．５ｗｔ％とを含
むことを特徴とする請求項１に記載のカソードレイチュ
ーブの抗電磁気輻射及び抗フラッシュの複数層塗膜。 - 【請求項９】 前記珪素酸化物にはＳｉ（ＯＥｔ）４を
含むと共に、前記Ｅｔはエチルで、前記水解ポリマーの
重量平均分子量は１５００―４０００ｇ／ｍｏｌｅであ
り、前記酸類には硫酸や硝酸や塩酸などを含み、また、
前記アルコール類にはイソプロプルアルコールやカルビ
ノールやエタノールなどを含み、また、前記界面活性剤
はＰＯＰ（Ｐｏｌｙａｌｋｌｅｎｅ Ｏｘｉｄｅ−ｍｏ
ｄｉｆｉｅｄ Ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘａ
ｎｅｓ）であることを特徴とする請求項８に記載のカソ
ードレイチューブの抗電磁気輻射及び抗フラッシュの複
数層塗膜。 - 【請求項１０】 前記抗フラッシュ層の厚さはほぼ０．
００１―０．０１ｍｇ／ｃｍ２であることを特徴とする
請求項１に記載のカソードレイチューブの抗電磁気輻射
及び抗フラッシュの複数層塗膜。 - 【請求項１１】 ガラスパネルを用意するステップと、 前記ガラスパネルに付着層をスパッタリング形成するス
テップと、 前記付着層に吸収層をスパッタリング形成するステップ
と、 前記吸収層に導電層をスパッタリング形成するステップ
と、 前記導電層に保護層をスパッタリング形成するステップ
と、 噴霧プロセスによって前記保護層に抗フラッシュ材料を
塗膜するステップとを有することを特徴とするカソード
レイチューブの抗電磁気輻射及び抗フラッシュの複数層
塗膜の製造方法。 - 【請求項１２】 前記付着層の構成成分として二酸化珪
素を含むものを採用し、当該付着層の厚さは１０―２０
ｎｍであることを特徴とする請求項１１に記載のカソー
ドレイチューブの抗電磁気輻射及び抗フラッシュの複数
層塗膜の製造方法。 - 【請求項１３】 前記光吸収層の構成成分はクロムまた
はクロムの金属酸化物を有する物を主とし、当該光吸収
層の厚さはほぼ１０―２０ｎｍであることを特徴とする
請求項１１に記載のカソードレイチューブの抗電磁気輻
射及び抗フラッシュの複数層塗膜の製造方法。 - 【請求項１４】 前記導電層の構成成分はＩＴＯを有す
るものを主とし、当該付着層の厚さはほぼ２０―４０ｎ
ｍであることを特徴とする請求項１１に記載のカソード
レイチューブの抗電磁気輻射及び抗フラッシュの複数層
塗膜の製造方法。 - 【請求項１５】 前記保護層の構成成分は二酸化珪素を
有するものを主とし、当該付着層の厚さはほぼ２０―３
０ｎｍであることを特徴とする請求項１１に記載のカソ
ードレイチューブの抗電磁気輻射及び抗フラッシュの複
数層塗膜の製造方法。 - 【請求項１６】 前記導電層は導体を介してアース端に
接続されることを特徴とする請求項１１に記載のカソー
ドレイチューブの抗電磁気輻射及び抗フラッシュの複数
層塗膜の製造方法。 - 【請求項１７】 前記抗フラッシュ層の塗膜材料として
水溶液の調和材料を採用すると共に、当該水溶液には、 珪素酸化物５―１５ｗｔ％と酸類０．０５―０．１ｗｔ
％とアルコール類５―５０ｗｔ％と２−メチルアセトン
３―８ｗｔ％と界面活性剤０．１―０．５ｗｔ％とを含
むことを特徴とする請求項１１に記載のカソードレイチ
ューブの抗電磁気輻射及び抗フラッシュの複数層塗膜の
製造方法。 - 【請求項１８】 前記珪素酸化物にはＳｉ（ＯＥｔ）４
を含むと共に、前記Ｅｔはエチルで、前記水解ポリマー
の重量平均分子量は１５００―４０００ｇ／ｍｏｌｅで
あり、前記酸類には硫酸や硝酸や塩酸などを含み、ま
た、前記アルコール類にはイソプロプルアルコールやカ
ルビノールやエタノールなどを含み、また、前記界面活
性剤はＰＯＰ（Ｐｏｌｙａｌｋｌｅｎｅ Ｏｘｉｄｅ−
ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏ
ｘａｎｅｓ）であることを特徴とする請求項１６に記載
のカソードレイチューブの抗電磁気輻射及び抗フラッシ
ュの複数層塗膜の製造方法。 - 【請求項１９】 前記抗フラッシュ層の厚さはほぼ０．
００１―０．０１ｍｇ／ｃｍ２であることを特徴とする
請求項１１に記載のカソードレイチューブの抗電磁気輻
射及び抗フラッシュの複数層塗膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001083483A JP2002298762A (ja) | 2001-03-22 | 2001-03-22 | カソードレイチューブの抗電磁気輻射及び抗フラッシュの複数層塗膜及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001083483A JP2002298762A (ja) | 2001-03-22 | 2001-03-22 | カソードレイチューブの抗電磁気輻射及び抗フラッシュの複数層塗膜及びその製造方法 |
Publications (1)
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|---|---|
| JP2002298762A true JP2002298762A (ja) | 2002-10-11 |
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ID=18939287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001083483A Pending JP2002298762A (ja) | 2001-03-22 | 2001-03-22 | カソードレイチューブの抗電磁気輻射及び抗フラッシュの複数層塗膜及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002298762A (ja) |
-
2001
- 2001-03-22 JP JP2001083483A patent/JP2002298762A/ja active Pending
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