JP2002296304A - 磁気センサを用いた電流センサ - Google Patents
磁気センサを用いた電流センサInfo
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】従来の電流センサでは、電流による発生する磁
界が強いために磁気センサに用いる磁気検出素子の動作
範囲を超えてしまっていた。また、平板導体に開口部を
開け、その開口部の中に磁気センサを配置し、開口部内
の磁界をキャンセルし微小磁界とすると、平板導体に開
口部を設るため、平板導体のコストが高くなっていた。 【解決手段】磁気検出素子に磁気検出回路に合せもつ磁
気センサ１を用いた電流センサ３である。その構成は、
電流が流れる平板導体２の表面に対しＹ方向に微小磁界
が発生するので、そのＹ方向の磁界のみを検出する。電
流が流れる平板導体２の幅方向をＸ、電流が流れる方向
をＺ、高さ方向をＹ、平板導体２の表面の中央線をＯと
する。そのとき、磁気センサ１のＹ方向が微小磁界とな
ることを利用し電流が流れる平板導体２の表面の中心線
Ｏよりずらし、磁気センサ１を平板導体２の表面の近傍
垂直方向に配置し、垂直方向の微小磁界のみを検出す
る。
界が強いために磁気センサに用いる磁気検出素子の動作
範囲を超えてしまっていた。また、平板導体に開口部を
開け、その開口部の中に磁気センサを配置し、開口部内
の磁界をキャンセルし微小磁界とすると、平板導体に開
口部を設るため、平板導体のコストが高くなっていた。 【解決手段】磁気検出素子に磁気検出回路に合せもつ磁
気センサ１を用いた電流センサ３である。その構成は、
電流が流れる平板導体２の表面に対しＹ方向に微小磁界
が発生するので、そのＹ方向の磁界のみを検出する。電
流が流れる平板導体２の幅方向をＸ、電流が流れる方向
をＺ、高さ方向をＹ、平板導体２の表面の中央線をＯと
する。そのとき、磁気センサ１のＹ方向が微小磁界とな
ることを利用し電流が流れる平板導体２の表面の中心線
Ｏよりずらし、磁気センサ１を平板導体２の表面の近傍
垂直方向に配置し、垂直方向の微小磁界のみを検出す
る。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、大電流が流れても
微小磁界が発生する個所を用い検出磁界が得られる磁気
センサを用いた超小型の電流センサに関する。
微小磁界が発生する個所を用い検出磁界が得られる磁気
センサを用いた超小型の電流センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年小型・低コストで高感度・高速応答の
磁気センサの要求がますます大きくなっている。それに
ともない、微弱な外部磁界を感度良く検出できるＭＩ素
子が必要となってきている。また、非破壊検出や紙幣検
査に用いることができる高感度の需要も大きくなってい
る。更に、自動車用の電流センサ等として高感度で且つ
広範囲の検出磁界に渡って感知できる電流センサの需要
が多くなっている。
磁気センサの要求がますます大きくなっている。それに
ともない、微弱な外部磁界を感度良く検出できるＭＩ素
子が必要となってきている。また、非破壊検出や紙幣検
査に用いることができる高感度の需要も大きくなってい
る。更に、自動車用の電流センサ等として高感度で且つ
広範囲の検出磁界に渡って感知できる電流センサの需要
が多くなっている。
【０００３】ＭＩ素子を、磁気センサ４１として用い電
流センサ４３にするには、図４に示すように導体４２に
流れる電流に比例する円周磁界を磁気センサ４１で検出
し電流値を計測する構成とする電流センサ４３が一般的
である。
流センサ４３にするには、図４に示すように導体４２に
流れる電流に比例する円周磁界を磁気センサ４１で検出
し電流値を計測する構成とする電流センサ４３が一般的
である。
【０００４】また、ＭＩ素子を、磁気センサ５１として
用い電流センサ５３にするには、図５に示すように導体
５２に開けた穴の中の磁界を磁気センサ５１で検出し、
電流値を計測するものもある。
用い電流センサ５３にするには、図５に示すように導体
５２に開けた穴の中の磁界を磁気センサ５１で検出し、
電流値を計測するものもある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図４に示す電流センサ
４３では発生する磁界が強いため大きな電流を通電した
ときには素子の動作範囲を超えてしまい検出できなくな
るという問題がある。磁界を弱める方法としては素子と
導体との距離を長くする方法もあるがサイズが大きくな
ってしまう。
４３では発生する磁界が強いため大きな電流を通電した
ときには素子の動作範囲を超えてしまい検出できなくな
るという問題がある。磁界を弱める方法としては素子と
導体との距離を長くする方法もあるがサイズが大きくな
ってしまう。
【０００６】図５に示す電流センサ５３では平板導体５
２に開けた穴の中の磁界を検出するため発生する磁界が
キャンセルされて弱くなり大きな電流でも検出できる。
しかし、平板導体５２の構造が複雑になり、平板導体５
２のコストが高くなってしまう問題がある。
２に開けた穴の中の磁界を検出するため発生する磁界が
キャンセルされて弱くなり大きな電流でも検出できる。
しかし、平板導体５２の構造が複雑になり、平板導体５
２のコストが高くなってしまう問題がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本出願人は、電流を流れ
る方向をＺ、その幅方向をＸとするとその導体のＹ方向
の磁界が微小磁界となることを利用し、磁気センサの配
置位置を導体の中央線よりずらして、その平板導体に対
し垂直方向に平板導体表面の近傍又は離さず配置し、微
小磁界となるＹ成分のみを検出する磁気センサを用いた
電流センサにより小型化可能で平板導体のコストが非常
に安くなることで課題を解決している。
る方向をＺ、その幅方向をＸとするとその導体のＹ方向
の磁界が微小磁界となることを利用し、磁気センサの配
置位置を導体の中央線よりずらして、その平板導体に対
し垂直方向に平板導体表面の近傍又は離さず配置し、微
小磁界となるＹ成分のみを検出する磁気センサを用いた
電流センサにより小型化可能で平板導体のコストが非常
に安くなることで課題を解決している。
【０００８】又、磁気センサを配置する位置を導体の中
央線を跨ぎ、その平板導体に対し垂直方向に平板導体表
面の近傍又は離さず配置する二つの磁気センサを用いた
電流センサを提供することで外乱磁界をキャンセルする
磁気センサを用いた電流センサを提供することで課題を
解決している。
央線を跨ぎ、その平板導体に対し垂直方向に平板導体表
面の近傍又は離さず配置する二つの磁気センサを用いた
電流センサを提供することで外乱磁界をキャンセルする
磁気センサを用いた電流センサを提供することで課題を
解決している。
【０００９】本発明は、平板導体に電流を流したとき
に、電流を流す方向をＺ、平板導体表面の幅方向をＸ、
高さ方向をＹとするとＹ方向の磁界が微小磁界となる。
そのＹ方向成分の微小磁界のみを磁気センサで検知する
電流センサである。
に、電流を流す方向をＺ、平板導体表面の幅方向をＸ、
高さ方向をＹとするとＹ方向の磁界が微小磁界となる。
そのＹ方向成分の微小磁界のみを磁気センサで検知する
電流センサである。
【００１０】請求項１は、磁気検出素子に、磁気検出回
路を合せもつ磁気センサを用いた電流センサにおいて、
前記磁気検出素子は、磁気に対し強い指向性をもち、電
流が流れる平板導体表面の中央線よりずらした位置に前
記磁気センサを配置し、且つ、前記平板導体に対し垂直
方向に該磁気センサを該平板導体の近傍又は離さず配置
することで、該平板導体表面に対して垂直方向の磁界の
み検出することを特徴とする磁気センサを用いた電流セ
ンサである。
路を合せもつ磁気センサを用いた電流センサにおいて、
前記磁気検出素子は、磁気に対し強い指向性をもち、電
流が流れる平板導体表面の中央線よりずらした位置に前
記磁気センサを配置し、且つ、前記平板導体に対し垂直
方向に該磁気センサを該平板導体の近傍又は離さず配置
することで、該平板導体表面に対して垂直方向の磁界の
み検出することを特徴とする磁気センサを用いた電流セ
ンサである。
【００１１】請求項２は 磁気検出素子に、磁気検出回
路を合せもつ磁気センサを用いた電流センサにおいて、
前記磁気検出素子は、磁気に対し強い指向性をもち、電
流が流れる平板導体表面の中央線を跨ぎ二つの磁気セン
サを配置し、且つ、前記平板導体に対し垂直方向に夫々
の該二つの磁気センサを同距離だけずらし、該平板導体
の近傍又は離さず配置することで、該平板導体表面に対
し垂直方向の磁界のみ検出することを特徴とする磁気セ
ンサを用いた電流センサである。
路を合せもつ磁気センサを用いた電流センサにおいて、
前記磁気検出素子は、磁気に対し強い指向性をもち、電
流が流れる平板導体表面の中央線を跨ぎ二つの磁気セン
サを配置し、且つ、前記平板導体に対し垂直方向に夫々
の該二つの磁気センサを同距離だけずらし、該平板導体
の近傍又は離さず配置することで、該平板導体表面に対
し垂直方向の磁界のみ検出することを特徴とする磁気セ
ンサを用いた電流センサである。
【００１２】請求項３は、前記磁気に対し強い指向性を
もつ磁気検出素子は、ＭＩ素子であることを特徴とする
請求項１、２記載の磁気センサを用いた電流センサであ
り、請求項４は、前記ＭＩ素子は、絶縁性基板に単層の
磁性薄膜を成膜し、該磁性薄膜の幅方向に磁化容易軸を
整えることを特徴とする請求項３記載の磁気センサを用
いた電流センサであり、請求項５は、前記ＭＩ素子は、
絶縁性基板に二層の磁性薄膜を二層成膜し、該二層の磁
性薄膜には、夫々磁化容易軸が、交差するように整えら
れていることを特徴とする請求項３記載の磁気センサを
用いた電流センサ。
もつ磁気検出素子は、ＭＩ素子であることを特徴とする
請求項１、２記載の磁気センサを用いた電流センサであ
り、請求項４は、前記ＭＩ素子は、絶縁性基板に単層の
磁性薄膜を成膜し、該磁性薄膜の幅方向に磁化容易軸を
整えることを特徴とする請求項３記載の磁気センサを用
いた電流センサであり、請求項５は、前記ＭＩ素子は、
絶縁性基板に二層の磁性薄膜を二層成膜し、該二層の磁
性薄膜には、夫々磁化容易軸が、交差するように整えら
れていることを特徴とする請求項３記載の磁気センサを
用いた電流センサ。
【００１３】請求項６は、前記磁性薄膜は、ＣｏＦｅＮ
ｉ、ＮｉＦｅのメッキ膜及び蒸着膜、或いはＦｅＣｏＳ
ｉＢ，ＣｏＺｒＮｂ，ＦｅＳｉＢ，ＣｏＳｉＢ，ＮｉＦ
ｅを主成分とするアモルファス膜又は、結晶系磁性膜を
成膜し、回転磁場中、及び静止磁場中でアニールするこ
とで幅方向に磁化容易軸を整えるＭＩ素子であることを
特徴とする請求項４記載の磁気センサを用いた電流セン
サであり、請求項７は、前記磁性薄膜は、ＦｅＣｏＳｉ
Ｂ、ＣｏＺｒＮｂ、ＦｅＳｉＢ、ＣｏＳｉＢ、ＮｉＦｅ
を主原料とするアモルファス膜又は、結晶系磁性膜で成
膜し、磁場中により磁化容易軸を整えるＭＩ素子である
ことを特徴とする請求項５記載の磁気センサを用いた電
流センサである。
ｉ、ＮｉＦｅのメッキ膜及び蒸着膜、或いはＦｅＣｏＳ
ｉＢ，ＣｏＺｒＮｂ，ＦｅＳｉＢ，ＣｏＳｉＢ，ＮｉＦ
ｅを主成分とするアモルファス膜又は、結晶系磁性膜を
成膜し、回転磁場中、及び静止磁場中でアニールするこ
とで幅方向に磁化容易軸を整えるＭＩ素子であることを
特徴とする請求項４記載の磁気センサを用いた電流セン
サであり、請求項７は、前記磁性薄膜は、ＦｅＣｏＳｉ
Ｂ、ＣｏＺｒＮｂ、ＦｅＳｉＢ、ＣｏＳｉＢ、ＮｉＦｅ
を主原料とするアモルファス膜又は、結晶系磁性膜で成
膜し、磁場中により磁化容易軸を整えるＭＩ素子である
ことを特徴とする請求項５記載の磁気センサを用いた電
流センサである。
【００１４】
【発明の実施の形態】ここでは、磁気検出素子に磁気検
出回路を合せもつ磁気センサとし、その磁気検出素子が
強い指向性をもった、磁性薄膜を使用したＭＩ素子で実
施形態を説明するが、指向性の強い磁気検出素子を用い
た磁気センサであれば、どのような磁気センサにおいて
も同様な効果が得られる。本発明の各実施形態を図面に
て説明する。本発明の第一の実施形態を図１に沿って説
明する。図１は、本発明に係わる電流センサを示す図で
ある。１が、磁気センサ（ＭＩセンサ）を示し、２が、
平板導体を示している。尚、導体の中心線をＯとする。
これらによって、電流センサ３が構成されている。
出回路を合せもつ磁気センサとし、その磁気検出素子が
強い指向性をもった、磁性薄膜を使用したＭＩ素子で実
施形態を説明するが、指向性の強い磁気検出素子を用い
た磁気センサであれば、どのような磁気センサにおいて
も同様な効果が得られる。本発明の各実施形態を図面に
て説明する。本発明の第一の実施形態を図１に沿って説
明する。図１は、本発明に係わる電流センサを示す図で
ある。１が、磁気センサ（ＭＩセンサ）を示し、２が、
平板導体を示している。尚、導体の中心線をＯとする。
これらによって、電流センサ３が構成されている。
【００１５】図２で示すように、平板導体２のＺ方向に
電流１００［Ａ］を流した場合、導体の周回方向に電流
と比例した磁界が発生する。その磁界の導体表面方向で
の磁界強度を示し、Ｙ方向の磁界強度が微小磁界となっ
ていることがわかる。この磁界は、導体表面の中心部で
は０で幅方向に行くほど強くなる。また中心から幅方向
に、−Ｘ方向に行くと正磁界、＋Ｘ方向に行くと負磁界
となっている。
電流１００［Ａ］を流した場合、導体の周回方向に電流
と比例した磁界が発生する。その磁界の導体表面方向で
の磁界強度を示し、Ｙ方向の磁界強度が微小磁界となっ
ていることがわかる。この磁界は、導体表面の中心部で
は０で幅方向に行くほど強くなる。また中心から幅方向
に、−Ｘ方向に行くと正磁界、＋Ｘ方向に行くと負磁界
となっている。
【００１６】図１の電流センサ３では、導体２の表面方
向の磁界を指向性の強い高感度の磁気センサ１（ＭＩセ
ンサなど）を垂直に平板導体２の近傍又は離さずに測定
することで、Ｘ方向成分の磁界を検出せず、Ｙ方向成分
の磁界のみを検出し、平板導体２に流れる電流を検出し
ている。
向の磁界を指向性の強い高感度の磁気センサ１（ＭＩセ
ンサなど）を垂直に平板導体２の近傍又は離さずに測定
することで、Ｘ方向成分の磁界を検出せず、Ｙ方向成分
の磁界のみを検出し、平板導体２に流れる電流を検出し
ている。
【００１７】磁気センサ１としてＭＩセンサを用いる場
合は、膜厚方向がＸ方向に向くように配置した方がよ
い。大電流用センサでは導体２の表面中心近くの磁界が
弱い場所に配置し、微小電流測定では磁界の強いＸ方向
（幅側）に配置する。
合は、膜厚方向がＸ方向に向くように配置した方がよ
い。大電流用センサでは導体２の表面中心近くの磁界が
弱い場所に配置し、微小電流測定では磁界の強いＸ方向
（幅側）に配置する。
【００１８】従って、平板導体２の表面に磁界の強い場
所、弱い場所があるため従来のように、平板導体と磁気
センサを離して磁界を弱くする必要なく、大電流でも小
型化が可能である。また、従来のように小型化を狙った
大電流センサ用の複雑な形状の穴を開けた平板導体に比
べ、平板導体の形状がただの平板でよいため平板導体の
コストが非常に安くなる。
所、弱い場所があるため従来のように、平板導体と磁気
センサを離して磁界を弱くする必要なく、大電流でも小
型化が可能である。また、従来のように小型化を狙った
大電流センサ用の複雑な形状の穴を開けた平板導体に比
べ、平板導体の形状がただの平板でよいため平板導体の
コストが非常に安くなる。
【００１９】本発明の第二の実施形態を、図３に沿って
説明する。中心線Ｏを跨ぎ磁界を検出する方向が逆にな
るように、二つの磁気センサ１が、中心線から同距離の
Ｘ方向、Ｙ方向の場所に夫々配置し、その磁気センサ間
の勾配磁界を検出する。これにより外乱磁界をキャンセ
ルし電流による磁界のみを検出できる。大電流用のセン
サの場合はセンサ間の距離を短くし、微小電流の場合は
磁気センサ間の距離を長くとる。これによって、電流セ
ンサ３が構成されている。
説明する。中心線Ｏを跨ぎ磁界を検出する方向が逆にな
るように、二つの磁気センサ１が、中心線から同距離の
Ｘ方向、Ｙ方向の場所に夫々配置し、その磁気センサ間
の勾配磁界を検出する。これにより外乱磁界をキャンセ
ルし電流による磁界のみを検出できる。大電流用のセン
サの場合はセンサ間の距離を短くし、微小電流の場合は
磁気センサ間の距離を長くとる。これによって、電流セ
ンサ３が構成されている。
【００２０】特にＭＩ素子の構成は特に図示しないが、
薄膜ＭＩ素子は、単層の磁性薄膜からなるＭＩ素子も二
層の磁性薄膜からなるＭＩ素子も基板は、Ａｌ２Ｏ３、
セラミックウエハ、Ｓｉウエハ、ガラスウエハ等の表面
平滑性を高めた非磁性体基板である。また、表面平滑性
を高めなくとも非磁性基板であればよい。
薄膜ＭＩ素子は、単層の磁性薄膜からなるＭＩ素子も二
層の磁性薄膜からなるＭＩ素子も基板は、Ａｌ２Ｏ３、
セラミックウエハ、Ｓｉウエハ、ガラスウエハ等の表面
平滑性を高めた非磁性体基板である。また、表面平滑性
を高めなくとも非磁性基板であればよい。
【００２１】単層の磁性薄膜からなるＭＩ素子の場合、
絶縁性基板上に軟磁性体薄膜であるＣｏＦｅＮｉ，Ｎｉ
Ｆｅ等のメッキ膜及び蒸着膜、或いはＦｅＣｏＳｉＢ，
ＣｏＺｒＮｂ，ＦｅＳｉＢ，ＣｏＳｉＢ，ＮｉＦｅを主
成分とするアモルファス膜、結晶系磁性膜を成膜し、回
転磁場中、及び静止磁場中でアニールすることで薄膜の
幅方向に磁化容易軸を整え薄膜ＭＩ素子とすることで磁
気特性の向上がはかれる。
絶縁性基板上に軟磁性体薄膜であるＣｏＦｅＮｉ，Ｎｉ
Ｆｅ等のメッキ膜及び蒸着膜、或いはＦｅＣｏＳｉＢ，
ＣｏＺｒＮｂ，ＦｅＳｉＢ，ＣｏＳｉＢ，ＮｉＦｅを主
成分とするアモルファス膜、結晶系磁性膜を成膜し、回
転磁場中、及び静止磁場中でアニールすることで薄膜の
幅方向に磁化容易軸を整え薄膜ＭＩ素子とすることで磁
気特性の向上がはかれる。
【００２２】磁化容易軸が交差するように二層成膜され
た交差異方性ＭＩ素子の場合、絶縁性基板上に軟磁性体
薄膜であるＦｅＣｏＳｉＢ，ＣｏＺｒＮｂ，ＦｅＳｉ
Ｂ，ＣｏＳｉＢ，ＮｉＦｅを主成分とするアモルファス
膜、結晶系磁性膜を成膜し、磁場中で二層の磁性薄膜
が、交差するように磁化容易軸が整えられる。その方法
としては、磁場中スパッタ法がある。
た交差異方性ＭＩ素子の場合、絶縁性基板上に軟磁性体
薄膜であるＦｅＣｏＳｉＢ，ＣｏＺｒＮｂ，ＦｅＳｉ
Ｂ，ＣｏＳｉＢ，ＮｉＦｅを主成分とするアモルファス
膜、結晶系磁性膜を成膜し、磁場中で二層の磁性薄膜
が、交差するように磁化容易軸が整えられる。その方法
としては、磁場中スパッタ法がある。
【００２３】従って、導体に電流を流したときのＹ成分
の微小磁界を検出するように磁気センサ（ＭＩセンサ）
を導体の中央部を除く位置に垂直方向に配置すること
で、ＭＩ素子を用いた磁気センサ（ＭＩセンサ）を用い
た電流センサとするか、外乱磁界の影響を受けず磁気セ
ンサを二つ用いる電流センサとすることで、常に微小磁
界となる磁界を検知できる。
の微小磁界を検出するように磁気センサ（ＭＩセンサ）
を導体の中央部を除く位置に垂直方向に配置すること
で、ＭＩ素子を用いた磁気センサ（ＭＩセンサ）を用い
た電流センサとするか、外乱磁界の影響を受けず磁気セ
ンサを二つ用いる電流センサとすることで、常に微小磁
界となる磁界を検知できる。
【００２４】
【発明の効果】このように本発明では、電流が流れる平
板導体表面の垂直方向が微小磁界となるので、平板導体
表面の近傍又は離さずに磁気センサを該平板導体表面に
対して、その中央線を除く位置に垂直方向となるよう配
置して磁界を検出し、電流センサとするので、従来のよ
うに平板導体表面と磁気センサを離して磁界を弱くする
必要がなく、大電流センサとして用いても小型化が可能
である。また、小型化を狙った大電流用の穴を開け磁界
をキャンセルする複雑な平板導体に比べ、平板導体に穴
を開ける必要がなく平板導体のコストが非常に安くな
る。
板導体表面の垂直方向が微小磁界となるので、平板導体
表面の近傍又は離さずに磁気センサを該平板導体表面に
対して、その中央線を除く位置に垂直方向となるよう配
置して磁界を検出し、電流センサとするので、従来のよ
うに平板導体表面と磁気センサを離して磁界を弱くする
必要がなく、大電流センサとして用いても小型化が可能
である。また、小型化を狙った大電流用の穴を開け磁界
をキャンセルする複雑な平板導体に比べ、平板導体に穴
を開ける必要がなく平板導体のコストが非常に安くな
る。
【図１】本発明の第一の実施形態を示す磁気センサを用
いた電流センサの構造である。
いた電流センサの構造である。
【図２】本発明の平板導体のＺ方向に電流１００［Ａ］
を流した場合の導体表面での磁界強度を示した図であ
る。
を流した場合の導体表面での磁界強度を示した図であ
る。
【図３】本発明の第二の実施形態を示す二つの磁気セン
サを用いた電流センサの構造である。
サを用いた電流センサの構造である。
１、４１、５１・ ・ ・ ・ ・ 磁気センサ ２、４２、５２・ ・ ・ ・ ・ 平板導体 ３、４３、５３・ ・ ・ ・ ・ 電流センサ Ｏ・ ・ ・ ・ ・ 中心線（導体の中心部）
【手続補正書】
【提出日】平成１３年６月２９日（２００１．６．２
９）
９）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図４
【補正方法】追加
【補正内容】
【図４】従来の導体に流れる電流に比例する円周磁界を
磁気センサで検出し電流値を計測する構成とする電流セ
ンサを示す図である。
磁気センサで検出し電流値を計測する構成とする電流セ
ンサを示す図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図５
【補正方法】追加
【補正内容】
【図５】従来のＭＩ素子を磁気センサとして用い電流セ
ンサとした場合の電流センサであり、導体に開けた穴の
中の磁界を磁気センサで検出し、電流値を測定する構成
とした電流センサを示す図である。
ンサとした場合の電流センサであり、導体に開けた穴の
中の磁界を磁気センサで検出し、電流値を測定する構成
とした電流センサを示す図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 風間 拓也 東京都目黒区中目黒２丁目９番地13号 ス タンレー電気株式会社内 (72)発明者 入戸野 公浩 東京都目黒区中目黒２丁目９番地13号 ス タンレー電気株式会社内 Ｆターム(参考） 2G017 AD51 AD62 AD65 2G025 AA05 AB01 2G035 AA17 AD00
Claims (7)
- 【請求項１】磁気検出素子に、磁気検出回路を合せもつ
磁気センサを用いた電流センサにおいて、前記磁気検出
素子は、磁気に対し強い指向性をもち、電流が流れる平
板導体表面の中央線よりずらした位置に前記磁気センサ
を配置し、且つ、前記平板導体に対し垂直方向に該磁気
センサを該平板導体の近傍又は離さず配置することで、
該平板導体表面に対して垂直方向の磁界のみ検出するこ
とを特徴とする磁気センサを用いた電流センサ。 - 【請求項２】磁気検出素子に、磁気検出回路を合せもつ
磁気センサを用いた電流センサにおいて、前記磁気検出
素子は、磁気に対し強い指向性をもち、電流が流れる平
板導体表面の中央線を跨ぎ二つの磁気センサを配置し、
且つ、前記平板導体に対し垂直方向に夫々の該二つの磁
気センサを同距離だけずらし、該平板導体の近傍又は離
さず配置することで、該平板導体表面に対し垂直方向の
磁界のみ検出することを特徴とする磁気センサを用いた
電流センサ。 - 【請求項３】前記磁気に対し強い指向性をもつ磁気検出
素子は、ＭＩ素子であることを特徴とする請求項１、２
記載の磁気センサを用いた電流センサ。 - 【請求項４】前記ＭＩ素子は、絶縁性基板に単層の磁性
薄膜を成膜し、該磁性薄膜の幅方向に磁化容易軸を整え
ることを特徴とする請求項３記載の磁気センサを用いた
電流センサ。 - 【請求項５】前記ＭＩ素子は、絶縁性基板に二層の磁性
薄膜を二層成膜し、該二層の磁性薄膜には、夫々磁化容
易軸が、交差するように整えられていることを特徴とす
る請求項３記載の磁気センサを用いた電流センサ。 - 【請求項６】前記磁性薄膜は、ＣｏＦｅＮｉ、ＮｉＦｅ
のメッキ膜及び蒸着膜、或いはＦｅＣｏＳｉＢ，ＣｏＺ
ｒＮｂ，ＦｅＳｉＢ，ＣｏＳｉＢ，ＮｉＦｅを主成分と
するアモルファス膜、結晶系磁性膜を成膜し、回転磁場
中、及び静止磁場中でアニールすることで幅方向に磁化
容易軸を整えるＭＩ素子であることを特徴とする請求項
４記載の磁気センサを用いた電流センサ。 - 【請求項７】前記磁性薄膜は、ＦｅＣｏＳｉＢ、ＣｏＺ
ｒＮｂ、ＦｅＳｉＢ、ＣｏＳｉＢ、ＮｉＦｅを主原料と
するアモルファス膜又は、結晶系磁性膜で成膜し、磁場
中により磁化容易軸を整えるＭＩ素子であることを特徴
とする請求項５記載の磁気センサを用いた電流センサ。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001095058A JP2002296304A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 磁気センサを用いた電流センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2001095058A JP2002296304A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 磁気センサを用いた電流センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002296304A true JP2002296304A (ja) | 2002-10-09 |
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ID=18949165
Family Applications (1)
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| JP2001095058A Pending JP2002296304A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 磁気センサを用いた電流センサ |
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| JP (1) | JP2002296304A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2001-03-29 JP JP2001095058A patent/JP2002296304A/ja active Pending
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