JP2002294485A

JP2002294485A - 溶融塩および溶融塩を用いたケイ素含有膜の形成方法

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Publication number: JP2002294485A
Application number: JP2001096818A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Katayama; 山靖片; Masakazu Yokomizo; 溝正和横; Takashi Miura; 浦隆美; Tomiya Kishi; 富也岸; Makoto Aritsuka; 塚眞在
Original assignee: Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 2001-03-29
Filing date: 2001-03-29
Publication date: 2002-10-09

Abstract

(57)【要約】【解決手段】本発明の溶融塩は、４級アンモニウムまた
はその誘導体（Ａ）とヘキサフルオロケイ酸またはその
誘導体（Ｂ）から得られる。本発明の溶融塩を用いたケ
イ素含有膜の形成方法は、上記溶融塩を電気分解するこ
とにより行われる。【効果】本発明によれば、ケイ素の様な電気化学的ポテ
ンシャルが卑な材料であっても電析に供することがで
き、またイオン導電性が高く、室温付近で電析操作が可
能な電析用溶融塩、および該溶融塩を用いた電析技術に
よるケイ素含有膜の形成方法を提供することができる。
さらに、本発明の電析技術を用いた場合、ＣＶＤ法やス
パッタリング法と比較して簡便な装置であっても基材に
成膜させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明は、溶融塩および該溶融塩を
用いたケイ素含有膜の形成方法に関する。詳しくは、本
発明は、電析に用いることのできる新規な溶融塩、およ
び該溶融塩を用い、電気化学的方法によりケイ素膜を被
着（電析）するケイ素膜の形成方法に関する。

【０００２】

【発明の技術的背景】現在、一般的なケイ素膜の形成方
法としては、ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やスパッタリング法が良く知
られている。ＣＶＤ法は、モノシラン（ＳｉＨ₄）ガス
やジシラン（Ｓｉ₂Ｈ₆）ガスを熱あるいはグロー放電に
より分解し、基材にケイ素を被着させる方法である。ま
た、スパッタリング法は、ケイ素のターゲットにアルゴ
ンイオンなど衝突させ、飛散したケイ素を基材に被着さ
せる方法である。

【０００３】これらの技術は、大規模集積回路（ＬＳ
Ｉ）やＴＦＴ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏ
ｒ）液晶素子、太陽電池など、産業上重要な製品の製造
に広く応用されている。しかし、ＣＶＤ法、スパッタリ
ング法の装置は、被着対象物である基材が大きくなるに
伴い大型化し、幅が２０〜３０ｃｍの基材であってもか
なり大がかりな装置となる。ＴＦＴ液晶素子などを製造
する場合、さらに大きなサイズの基材を用いるため、装
置は一層大型化し、簡便な方法によって膜形成できない
のが現状である。

【０００４】さらに上記方法は、ケイ素被着に用いた場
合、基材温度が比較的高くなるため、被着対象物（基
材）の材質が制限され好ましくない。一方、電気化学的
手法により基材に膜を形成する方法（以下、電析とす
る。）は、例えば、金、銀、銅、ニッケルなどを基材表
面にメッキする技術として広く使用されている。電析を
行う装置は、上記の様な比較的大面積の基材を用いるこ
とができ、さらに室温付近で金属膜を被着させることが
できる等の利点があるため、電析によるケイ素含有膜を
形成する方法の開発が望まれている。

【０００５】しかし、電析にケイ素の様な電気化学ポテ
ンシャルが卑な材料を用いる場合、該材料は酸素との親
和性が非常に強くなるので、いわゆるメッキ液に水溶液
を使用することができず、ケイ素含有膜の形成に電析を
用いることは困難である。そのため、ケイ素の電析につ
いての前例は少なく、四フッ化珪素（ＳｉＦ₄）のアル
コール溶液を用いて水銀上に電析を試みた例（Ｈ．Ｎ．
Ｗａｒｒｅｎ；Ｃｈｅｍ．Ｎｅｗｓ．，６７，３０３
（１９９３））、ハロゲン化ケイ素（Ｈ_nＳｉＸ_4-n ，
ｎ＝０〜３，Ｘ＝Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）の有機溶媒溶液から
電析を試みた例（Ａ．Ｅ．Ａｕｓｔｉｎ；Ｕ．Ｓ．Ｐａ
ｔ．３９９０９５３）、ケイ酸エチルの酢酸溶液から電
析を試みた例（Ｙ．Ｔａｋｅｄａ他；Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２８，１２１１（１９８
１））、ケイフッ化カリウム、ケイフッ化アンモニウム
の有機溶媒溶液から電析を試みた例（武田保雄ほか；電
気化学，５１，２１５（１９８３））、ケイフッ化カリ
ウムとアルカリ金属フッ化物からなる高温溶融塩から電
析を試みた例（Ｕ．Ｃｏｈｅｎほか；Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３，３８１（１９７６））
などが知られている程度である。

【０００６】ケイ素成分を含有する溶液を用いる電析に
おいては、溶媒自体の電気化学的安定性に制限を受ける
ため、電析に適用できる電位範囲（電気化学的電位窓）
は狭くなり、電位がこの範囲を越えると溶媒自体の分解
が起こるという問題が生じる。また、溶媒はイオン導電
性が一般的に低いため、比較的小さい電流密度において
も電解電圧が上がりやすく、ひいては溶媒の電気化学的
電位窓の制約を受けやすいといった問題があった。

【０００７】一方、溶融塩を用いる電析では、前記の問
題は軽減されるものの、塩を溶融状態とするために数百
℃以上の高温に加熱し、さらに、電析時においても溶融
状態を維持するために高温に保つ必要がある。そのた
め、常温操作が可能な上記電析と比較して、溶融塩の高
温維持や溶融塩の固結防止などに対する装置への配慮、
さらに高温に耐えうる基材の選択等を行わなければなら
ないといった問題があった。

【０００８】このため、ケイ素の様な電気化学的ポテン
シャルが卑な材料であっても電析に供することができ、
イオン導電性が高く、また従来法に比べより低温条件で
電析操作が可能な電析用溶融塩の開発が望まれていた。

【０００９】

【発明の目的】本発明は、ケイ素の様な電気化学的ポテ
ンシャルが卑な材料であっても電析に供することがで
き、イオン導電性が高く、また従来法に比べより低温条
件で電析操作が可能な電析用溶融塩、および該溶融塩を
用いた電析技術を提供することを目的としている。

【００１０】

【発明の概要】本発明に係る溶融塩は、（Ａ）４級アン
モニウムまたはその誘導体と、（Ｂ）ヘキサフルオロケ
イ酸またはその誘導体とから得られることを特徴として
いる。

【００１１】本発明に用いられる前記４級アンモニウム
は、（ａ１）下記一般式［Ｉ］で表わされる非環状４級
アンモニウムＮＲ¹Ｒ²Ｒ³Ｒ⁴ ・・・［Ｉ］（式［Ｉ］中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は、それぞれ独立に
１価のアルキル基を示す。）および／または（ａ２）下
記一般式［II］で表されるイミダゾリウム

【００１２】

【化２】

【００１３】（式［II］中、Ｒ⁵およびＲ⁷は、それぞれ
独立に１価のアルキル基を示し、Ｒ⁶は水素またはメチ
ル基を示す。）であることが望ましい。本発明に用いら
れるイミダゾリウム（ａ２）は、１−エチル−３−メチ
ルイミダゾリウムであることが望ましい。

【００１４】本発明に係るケイ素含有膜の形成方法は、
上記の溶融塩を電気分解することを特徴としている。

【００１５】

【発明の具体的説明】以下、本発明について具体的に説
明する。本発明の溶融塩は、４級アンモニウムまたはそ
の誘導体（Ａ）と、ヘキサフルオロケイ酸またはその誘
導体（Ｂ）から得られる。４級アンモニウムまたはその誘導体（Ａ）本発明の溶融塩を得るには、４級アンモニウムまたはそ
の誘導体（Ａ）が用いられる。まず、４級アンモニウム
について説明する。

【００１６】４級アンモニウム本発明に用いられる４級アンモニウムは、非環状４級ア
ンモニウム（ａ１）であってもよく、また、イミダゾリ
ウム（ａ２）であってもよく、これらを任意の割合で組
み合わせて用いたものであってもよい。以下、このよう
な非環状４級アンモニウム（ａ１）およびイミダゾリウ
ム（ａ２）について、さらに詳しく説明する非環状４級アンモニウム（ａ１）本発明に用いられる４級アンモニウムとして、好ましく
用いることのできる非環状４級アンモニウム（ａ１）
は、下記一般式［Ｉ］で表される。

【００１７】ＮＲ¹Ｒ²Ｒ³Ｒ⁴ …［Ｉ］（式［Ｉ］中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は、それぞれ独立に
１価のアルキル基を示す）式［Ｉ］中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は、それぞれ独立に1
価のアルキル基であればよく、特に限定されるものでは
ないが、炭素数５以下、好ましくは３以下のアルキル基
であることが望ましく、特に好ましくは、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ
³およびＲ⁴のうち、３つがメチル基であり、１つがメチ
ル基以外のアルキル基（炭素数５以下、好ましくは２ま
たは３である。）であることが望ましい。

【００１８】このような非環状４級アンモニウム（ａ
１）としては、具体的には、たとえば、エチルトリメチ
ルアンモニウム、プロピルトリメチルアンモニウム、ブ
チルトリメチルアンモニウム、ペンチルトリメチルアン
モニウムなどを挙げることができ、なかでもエチルトリ
メチルアンモニウム、プロピルトリメチルアンモニウム
が好ましい。

【００１９】このような非環状４級アンモニウム（ａ
１）から得られる溶融塩は、後述する温度範囲において
溶融した状態で得ることができ、取り扱いが容易であり
好ましい。イミダゾリウム（ａ２）本発明に用いられる４級アンモニウムとして、好ましく
用いることのできるイミダゾリウム（ａ２）は、下記一
般式［II］で表される。

【００２０】

【化３】

【００２１】（式［II］中、Ｒ⁵およびＲ⁷は、それぞれ
独立に１価のアルキル基を示し、Ｒ⁶は水素またはメチ
ル基を示す。）イミダゾリウムは、上記一般式［II］において、Ｒ⁵、
Ｒ⁷の一方がメチル基、もう一方が炭素数２以上のアル
キル基、さらにＲ⁶が水素であることが好ましく、本発
明においては、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム
を用いることが特に好ましい。

【００２２】４級アンモニウム（Ａ）がこのようなイミ
ダゾリウム（ａ２）を含有する場合には、電気化学的な
安定性の面から好ましく、また、そのような４級アンモ
ニウム（Ａ）から得られる溶融塩は、後述する温度範囲
において溶融した状態で得ることができ、取り扱いが容
易であり好ましい。また、本発明では、イミダゾリウム
（ａ２）の他に、環状４級アンモニウムであるピリジニ
ウムを用いることもできる。そのようなピリジニウムは
下記一般式［III］で表される。

【００２３】

【化４】

【００２４】（式［III］中、Ｒ⁸〜Ｒ¹²は、水素または
アルキル基を示す。）４級アンモニウム誘導体本発明に用いられる４級アンモニウム誘導体は、上記記
載の４級アンモニウムの誘導体としてなる。４級アンモ
ニウム誘導体としては、たとえば、上述した４級アンモ
ニウムのフッ化物、塩化物、臭化物などのハロゲン化
物；上述した４級アンモニウムの水酸化物などが挙げら
れる。

【００２５】本発明の溶融塩の調製には、これらの４級
アンモニウム誘導体のうち、４級アンモニウムのハロゲ
ン化物、特に塩化物を用いるのが、ヘキサフルオロケイ
酸またはその誘導体（Ｂ）との反応性がよく好ましい。
このような化合物としては、具体的には、たとえば、１
‐エチル−３‐メチルイミダゾリウムクロライド、１−
プロピル−３−メチルイミダゾリウムクロライドなどが
挙げられる。

【００２６】ヘキサフルオロケイ酸またはその誘導体
（Ｂ）本発明の溶融塩を得るには、ヘキサフルオロケイ酸また
はその誘導体（Ｂ）が用いられる。ヘキサフルオロケイ
酸の誘導体としては、ヘキサフルオロケイ酸アンモニウ
ム、ヘキサフルオロケイ酸ソーダ、ヘキサフルオロケイ
酸カリウムなどが挙げられる。本発明においては、ヘキ
サフルオロケイ酸を用いることが望ましい。

【００２７】溶融塩本発明の溶融塩は、上述した４級アンモニウムまたはそ
の誘導体（Ａ）とヘキサフルオロケイ酸またはその誘導
体（Ｂ）から得られる。本発明の溶融塩を調製する方法
は、特に限定されるものではなく、たとえば、４級アン
モニウムまたはその誘導体（Ａ）と、ヘキサフルオロケ
イ酸またはその誘導体（Ｂ）とを混合反応させることで
容易に得ることができる。

【００２８】本発明の溶融塩は、具体的には以下の方法
により調製することができる。例えば、１−エチル−３
−メチルイミダゾリウム＝ヘキサフルオロシリケート
は、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムクロライド
とヘキサフルオロケイ酸水溶液を混合し、一定時間攪拌
をし、その後、ＨＣｌとＨ₂Ｏを除去することにより得
ることができる。この際、反応を促進するために適宜加
熱することができる。また、ＨＣｌとＨ₂Ｏを除去する
に際しては、減圧下で加熱しながら除去することも可能
である。

【００２９】本発明において溶融塩とは、０〜３００
℃、好ましくは０〜２００℃、さらに好ましくは０〜１
５０℃、特に好ましくは０〜１００℃の温度範囲におい
て溶融状態である塩を指す。本発明の溶融塩は、本発明
の目的を損なわない範囲で、必要に応じて溶融塩溶媒を
含有していてもよい。

【００３０】そのような溶融塩溶媒としては、１−エチ
ル−３−メチルイミダゾリウム＝テトラフルオロボレー
トや、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム＝ビス
（トリフルオロメタンスルフォン）イミドなどのイミダ
ゾリウム系溶融塩溶媒が挙げられる。これらは電気化学
的に不活性であるため、電気化学的反応の溶融塩溶媒と
して使用されることがある。

【００３１】また、本発明において、溶融塩には、本発
明の目的を損なわない範囲で、必要に応じて硼素、リ
ン、砒素などを含む化合物を含有していてもよい。該溶
融塩を用いてケイ素含有膜を形成する際に、これらの元
素がケイ素含有膜に取り込まれることは、本発明におい
ては何ら制限するものではない。ケイ素含有膜の形成方法本発明のケイ素含有膜の形成方法は、上述した本発明の
溶融塩を電気分解することにより行われる。

【００３２】このような形成方法には、最も簡単な方法
として、本発明の溶融塩に浸漬した一対の導電性電極を
用い、電極間に直流成分を含む電流を通じさせる方法を
挙げることができ、この方法により容易に元素状ケイ素
を含む膜を形成することができる。この場合、カソード
（還元反応の起こる電極）が作用極であり、カソードに
元素状ケイ素を含む膜が形成する。作用極には各種導電
性材料が使用可能であり、目的に応じて金属材料や導電
性酸化物を適宜使用できる。

【００３３】金属材料の例としては、鉄、ニッケル、コ
バルト、銅、銀、金、白金などが挙げられ、好ましくは
銅、ニッケル、銀である。また、金属材料に替えて、不
純物を高濃度でドープしたケイ素を用いることもでき
る。導電性酸化物の例としては、インジウム−錫系酸化
物、ルテニウム酸化物などが挙げられ、好ましくはイン
ジウム−錫系酸化物である。

【００３４】一方、対極は電気を通じる機能があればよ
いが、対極自身が溶解し、作用極側に電析することによ
り不都合が生じることは考慮する必要がある。対極とし
ては、一般的な例として白金などの安定な貴金属が挙げ
られるが、高濃度の不純物をドープしたケイ素を使用す
ることも可能である。本発明のケイ素含有膜を形成させ
る場合、作用極と対極だけでなる系で電気分解を行う
と、条件によっては作用極の電位が安定しない場合があ
る。このような場合、電位を安定させるために、参照電
極を用いる３電極系として電気分解を行うことも可能で
ある。参照電極は、電気分解を行う溶融塩系内で電位が
安定していることが必要である。

【００３５】本発明の様な溶融塩を用いる系で安定な電
位を示す参照電極としては、銀線と銀のビス（トリフル
オロメタンスルフォン）イミド銀塩の１−エチル−３−
メチルイミダゾリウム＝ビス（トリフルオロメタンスル
フォン）イミド溶液からなる参照電極が使用できる。前
記参照電極を使用する場合は、参照電極に対する作用極
の電位を一定に保ちながら電気分解を行うことが可能で
あり、電気分解で起こる反応の制御が比較的容易にな
る。この場合、市販のポテンシオスタット等を用いるこ
とが好ましい。

【００３６】作用極の電位範囲としては、−１〜−３
Ｖ、好ましくは−２〜−３Ｖ、さらに好ましくは−２．
３〜−２．８Ｖであることが望ましく、参照電極を使用
する場合は、その範囲から選ばれる電位を一定に保ちな
がら行われる。本発明のケイ素含有膜の形成時における
溶融塩の温度は、電気分解の際に直流電流が流れること
に支障がない限り特に制限されず、溶融塩が固化しない
上述の温度範囲以上であれば問題がなく、温度上限も特
に制限されないが、使用する装置機械および基板材質が
制限を受けない温度範囲であればよい。

【００３７】そのような温度範囲としては、０〜３００
℃、好ましくは０〜２００℃、さらに好ましくは０〜１
５０℃、特に好ましくは０〜１００℃であることが望ま
しい。その形成された膜は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰ
Ｓ）によるケイ素膜の同定によりケイ素含有膜であるこ
とが確認され、また、ケイ素含有膜の膜厚は、必要に応
じて所望の範囲で得ることができる。

【００３８】

【発明の効果】本発明によれば、ケイ素の様な電気化学
的ポテンシャルが卑な材料であっても電析に供すること
ができ、またイオン導電性が高く、室温付近で電析操作
が可能な電析用溶融塩、および該溶融塩を用いた電析技
術によるケイ素含有膜の形成方法を提供することができ
る。

【００３９】さらに、本発明の電析技術を用いた場合、
ＣＶＤ法やスパッタリング法と比較して簡便な装置であ
っても基材に成膜させることができる。

【００４０】

【実施例】以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体
的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定される
ものではない。なお、以下の製造例、実施例および比較
例において、構成元素比率の測定はパーキンエルマー２
４００型元素分析装置、イオン交換クロマトグラフィ
ー、ＩＣＰ発光分光分析を併用して行い、ケイ素の同定
はＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）により行った。

【００４１】

【製造例】［１−エチル−３−メチルイミダゾリウム＝
ヘキサフルオロシリケートの調製］１−メチルイミダゾ
ール４０ｇとエチルクロライド６０ｇを容器に仕込み、
７０℃還留下において７２時間反応させた。反応後、ア
セトニトリルと酢酸エチルを用いて再結晶させ、１―エ
チル−３−メチルイミダゾリウムクロライド４５ｇを得
た。

【００４２】得られた１−エチル−３−メチルイミダゾ
リウムクロライド２２ｇとヘキサフルオロケイ酸の２０
重量％水溶液７２ｇを混合し、２時間攪拌した後、約３
０ｍｍＨｇ減圧下、温度１３０℃の条件で揮発成分を除
去した。得られた溶融塩は室温で粘調な流動体であっ
た。得られた溶融塩は、その構成元素比率を測定したと
ころ、Ｃ：２４．４モル％、Ｈ：４９．５モル％、Ｎ：
８．０モル％、Ｓｉ：２．５モル％、Ｆ：１５モル％で
あり、溶融塩は１−エチル−３−メチルイミダゾリウム
＝ヘキサフルオロシリケートであることが確認された。

【００４３】

【実施例１】製造例で得られた１−エチル−３−メチル
イミダゾリウム＝ヘキサフルオロシリケート２０ｇを小
型セルに仕込み、温度を５０℃に保ちながら、見かけの
面積２ｃｍ²の銀製板を作用極、白金スパイラルコイル
を対極、Ａｇ／ビス（トリフルオロメタンスルフォン）
イミド銀塩の飽和１−エチル−３−メチルイミダゾリウ
ム＝ビス（トリフルオロメタンスルフォン）イミド溶液
電極を参照電極として、該参照電極に対して−１〜−３
Ｖの範囲でサイクリックボルタンメトリーを行った。そ
の結果、図１に示す様に−２．０〜−２．５Ｖの範囲に
還元電流のピークが認められた。

【００４４】そこで、サイクリックボルタンメトリーの
場合と同じ温度、電極構成にて、参照電極に対して−
２．２Ｖで定電位電解を行った。作用極の銀板上に膜の
形成が認められたため、該膜をＸ線光電子分光法（ＸＰ
Ｓ）にて分析したところ、ケイ素に起因するピークが認
められ、ケイ素含有膜であることが確認された。

【００４５】

【実施例２】製造例で得られた１−エチル−３−メチル
イミダゾリウム＝ヘキサフルオロシリケート３．６ｇと
１−エチル−３−メチルイミダゾリウム＝ビス（トリフ
ルオロメタンスルフォン）イミド３９ｇを混合し、２時
間攪拌し、溶融塩を得た。

【００４６】得られた溶融塩２０ｇを用い、温度を２５
℃とした以外は、実施例１と同様の方法でサイクリック
ボルタンメトリーを行った。その結果、図２に示す様に
−２．０〜−２．５Ｖの範囲に還元電流のピークが認め
られた。そこで、サイクリックボルタンメトリーの場合
と同じ温度、電極構成にて、参照電極に対して−２．２
Ｖで定電位電解を行った。

【００４７】作用極の銀板上に膜の形成が認められたた
め、該膜をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）にて分析をした
ところ、ケイ素に起因するピークが認められ、ケイ素含
有膜であることが確認された。

【００４８】

【比較例１】１−エチル−３−メチルイミダゾリウム＝
ビス（トリフルオロメタンスルフォン）イミド２０モ
ル溶液２０ｇを小型セルに仕込み、実施例２と同じ温
度、電極構成にて参照電極に対する電位で＋１〜−３Ｖ
の範囲でサイクリックボルタンメトリーを行った。

【００４９】その結果、全ての電位領域において還元電
流のピークは認められず、また、ケイ素含有膜の形成も
認められなかった。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１のサイクリックボンタンメトリーに
よる電流−電位曲線を示す。

【図２】実施例２のサイクリックボンタンメトリーに
よる電流−電位曲線を示す。

【図３】比較例１のサイクリックボンタンメトリーに
よる電流−電位曲線を示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者美浦隆神奈川県横浜市港北区日吉３−14−１慶應義塾大学理工学部応用化学科内 (72)発明者岸富也神奈川県横浜市港北区日吉３−14−１慶應義塾大学理工学部応用化学科内 (72)発明者在塚眞千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（Ａ）４級アンモニウムまたはその誘導体
と、（Ｂ）ヘキサフルオロケイ酸またはその誘導体とか
ら得られることを特徴とする溶融塩。
【請求項２】前記４級アンモニウムが、（ａ１）下記一
般式［Ｉ］で表わされる非環状４級アンモニウムＮＲ¹Ｒ²Ｒ³Ｒ⁴ …［Ｉ］（式［Ｉ］中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は、それぞれ独立に
１価のアルキル基を示す。）および／または（ａ２）下
記一般式［II］で表されるイミダゾリウム【化１】（式［II］中、Ｒ⁵およびＲ⁷は、それぞれ独立に１価の
アルキル基を示し、Ｒ⁶は水素またはメチル基を示
す。）であることを特徴とする請求項１に記載の溶融
塩。
【請求項３】前記イミダゾリウム（ａ２）が１−エチル
−３−メチルイミダゾリウムであることを特徴とする請
求項２に記載の溶融塩。
【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載の溶融塩を
電気分解することを特徴とするケイ素含有膜の形成方
法。