JP2002289599A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JP2002289599A JP2002289599A JP2001089162A JP2001089162A JP2002289599A JP 2002289599 A JP2002289599 A JP 2002289599A JP 2001089162 A JP2001089162 A JP 2001089162A JP 2001089162 A JP2001089162 A JP 2001089162A JP 2002289599 A JP2002289599 A JP 2002289599A
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- Japan
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- supply pipe
- tank
- stop valve
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液体原料供給配管からタンクを安全に取り外
す。 【解決手段】 液体原料供給配管３５のナット３６近傍
に第一継手３７が介設され、第一継手３７の上流側には
第一止め弁３８が、下流側には第二止め弁３９が、第二
止め弁３９の下流側には第二継手４０が介設されてい
る。タンク３２にはタンク挿入端部がタンク３２内の液
体原料３１の上方空間３２ａに開口した送出ガス供給配
管４３が接続され、ナット４４の近傍には継手４５と止
め弁４６が介設されている。タンク３２の交換時は送出
ガス供給配管４３の止め弁４６と液体原料供給配管３５
の第一止め弁３８と第二止め弁３９とが閉じられた後、
送出ガス供給配管４３の継手４５と液体原料供給配管３
５の第一継手３７とを外す。 【効果】 タンク側分離端の漏洩は第一止め弁で、気化
器側分離端の漏洩は第二止め弁で止められるため、第一
継手取外時の液体原料の漏洩を防止できる。
す。 【解決手段】 液体原料供給配管３５のナット３６近傍
に第一継手３７が介設され、第一継手３７の上流側には
第一止め弁３８が、下流側には第二止め弁３９が、第二
止め弁３９の下流側には第二継手４０が介設されてい
る。タンク３２にはタンク挿入端部がタンク３２内の液
体原料３１の上方空間３２ａに開口した送出ガス供給配
管４３が接続され、ナット４４の近傍には継手４５と止
め弁４６が介設されている。タンク３２の交換時は送出
ガス供給配管４３の止め弁４６と液体原料供給配管３５
の第一止め弁３８と第二止め弁３９とが閉じられた後、
送出ガス供給配管４３の継手４５と液体原料供給配管３
５の第一継手３７とを外す。 【効果】 タンク側分離端の漏洩は第一止め弁で、気化
器側分離端の漏洩は第二止め弁で止められるため、第一
継手取外時の液体原料の漏洩を防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置に関
し、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic ChemicalVapo
r Deposition ）装置に利用して有効な技術に関する。
し、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic ChemicalVapo
r Deposition ）装置に利用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memo
rry ）のキャパシタ（Capacitor ）の静電容量部（絶縁
膜）の材料としての高誘電体薄膜を形成するのに、Ｔａ
2 Ｏ5 （五酸化タンタル）が使用されて来ている。Ｔａ
2 Ｏ5 は高い誘電率を持つため、微細面積で大きな静電
容量を得るのに適している。そして、生産性や膜質等の
観点からＤＲＡＭの製造方法においては、Ｔａ2 Ｏ5 は
ＭＯＣＶＤ装置によって成膜することが要望されてい
る。
rry ）のキャパシタ（Capacitor ）の静電容量部（絶縁
膜）の材料としての高誘電体薄膜を形成するのに、Ｔａ
2 Ｏ5 （五酸化タンタル）が使用されて来ている。Ｔａ
2 Ｏ5 は高い誘電率を持つため、微細面積で大きな静電
容量を得るのに適している。そして、生産性や膜質等の
観点からＤＲＡＭの製造方法においては、Ｔａ2 Ｏ5 は
ＭＯＣＶＤ装置によって成膜することが要望されてい
る。
【０００３】Ｔａ2 Ｏ5 の成膜に使用されるＭＯＣＶＤ
装置は、半導体集積回路の一例であるＤＲＡＭが作り込
まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）を処理す
る処理室と、この処理室に一端が接続された原料ガス供
給配管と、この原料ガス供給配管の他端に接続されて液
体原料を気化させる気化器と、この気化器に液体原料を
供給する液体原料供給装置とを備えており、液体原料供
給装置から気化器に液体原料を供給し、この液体原料を
気化器において気化させ、気化させた原料ガスを処理室
に供給することにより処理室内のウエハにＴａ2 Ｏ5 膜
を形成するように構成されている。
装置は、半導体集積回路の一例であるＤＲＡＭが作り込
まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）を処理す
る処理室と、この処理室に一端が接続された原料ガス供
給配管と、この原料ガス供給配管の他端に接続されて液
体原料を気化させる気化器と、この気化器に液体原料を
供給する液体原料供給装置とを備えており、液体原料供
給装置から気化器に液体原料を供給し、この液体原料を
気化器において気化させ、気化させた原料ガスを処理室
に供給することにより処理室内のウエハにＴａ2 Ｏ5 膜
を形成するように構成されている。
【０００４】従来のＭＯＣＶＤ装置における液体原料供
給装置として、例えば、図３に示されているものがあ
る。すなわち、液体原料供給装置３０Ａは液体原料３１
を貯溜するタンク３２を備えており、タンク３２の天井
壁の注入口３３の片脇には液体原料３１を気化器に供給
する液体原料供給配管３５の一端部が接続されている。
液体原料供給配管３５の基端部はタンク３２にダブルナ
ット３６によって締結されており、液体原料供給配管３
５のダブルナット３６から若干離間した位置には継手３
７が介設されている。液体原料供給配管３５における継
手３７のタンク３２側には止め弁（コック）３８が介設
されている。タンク３２の天井壁の反対側には液体原料
を送り出すための送出ガス４２を供給する送出ガス供給
配管４３の一端が接続されており、送出ガス供給配管４
３の基端部はタンク３２にナット４４によって締結され
ている。送出ガス供給配管４３におけるナット４４から
若干離間した位置には継手４５が介設されており、送出
ガス供給配管４３における継手４５のタンク３２側には
止め弁４６が介設されている。
給装置として、例えば、図３に示されているものがあ
る。すなわち、液体原料供給装置３０Ａは液体原料３１
を貯溜するタンク３２を備えており、タンク３２の天井
壁の注入口３３の片脇には液体原料３１を気化器に供給
する液体原料供給配管３５の一端部が接続されている。
液体原料供給配管３５の基端部はタンク３２にダブルナ
ット３６によって締結されており、液体原料供給配管３
５のダブルナット３６から若干離間した位置には継手３
７が介設されている。液体原料供給配管３５における継
手３７のタンク３２側には止め弁（コック）３８が介設
されている。タンク３２の天井壁の反対側には液体原料
を送り出すための送出ガス４２を供給する送出ガス供給
配管４３の一端が接続されており、送出ガス供給配管４
３の基端部はタンク３２にナット４４によって締結され
ている。送出ガス供給配管４３におけるナット４４から
若干離間した位置には継手４５が介設されており、送出
ガス供給配管４３における継手４５のタンク３２側には
止め弁４６が介設されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記した液体原料供給
装置３０Ａにおいて、タンク３２の交換は液体原料供給
配管３５の止め弁３８および送出ガス供給配管４３の止
め弁４６が閉じられた状態で継手３７および４５を外す
ことによって実施されるが、液体原料供給配管３５の継
手３７の弛め方によってはこの部分に残留した液体原料
が勢いよく飛散する場合がある。また、液体原料の種類
によっては空気中の水分と反応して固化したり、空気中
で気化したりするものがある。固化する液体原料の場合
には液体原料供給配管３５の内部に残った滴が固化する
ことにより、液体原料供給配管３５の目詰まりやパーテ
ィクルの発生源になったりするため、成膜処理に悪影響
を及ぼす。気化する液体原料の場合にはクリーンルーム
の雰囲気を汚染するため、これまた成膜処理に悪影響を
及ぼす。
装置３０Ａにおいて、タンク３２の交換は液体原料供給
配管３５の止め弁３８および送出ガス供給配管４３の止
め弁４６が閉じられた状態で継手３７および４５を外す
ことによって実施されるが、液体原料供給配管３５の継
手３７の弛め方によってはこの部分に残留した液体原料
が勢いよく飛散する場合がある。また、液体原料の種類
によっては空気中の水分と反応して固化したり、空気中
で気化したりするものがある。固化する液体原料の場合
には液体原料供給配管３５の内部に残った滴が固化する
ことにより、液体原料供給配管３５の目詰まりやパーテ
ィクルの発生源になったりするため、成膜処理に悪影響
を及ぼす。気化する液体原料の場合にはクリーンルーム
の雰囲気を汚染するため、これまた成膜処理に悪影響を
及ぼす。
【０００６】次に、液体原料供給配管３５をダブルナッ
ト３６において外す場合について説明する。タンク３２
から気化器への液体原料３１の供給は送出ガス供給配管
４３から不活性ガス等の送出ガス４２をタンク３２に供
給してタンク３２の内圧を上昇させることにより実行さ
れる。このため、液体原料３１の供給を停止しても、タ
ンク３２の内圧は高い。したがって、ダブルナット３６
の弛め方の手順によってはタンク３２に残留した液体原
料３１が噴き出す場合がある。例えば、送出ガス供給配
管４３を少し弛めてタンク３２の内圧を外部と等しくし
てからダブルナット３６を弛めれば噴出を防止すること
ができるが、手順を間違える危惧がある。また、ダブル
ナット３６において外した場合には止め弁３８が無くな
るため、タンク３２の内部が空気と接触することにな
り、タンク３２の内部で液体原料が固化したり、タンク
３２の内部から気化した原料ガスが漏洩する危惧があ
る。さらに、タンク３２を誤って倒した場合にはタンク
３２の液体原料供給配管の取外し口から液体原料が漏洩
する可能性がある。
ト３６において外す場合について説明する。タンク３２
から気化器への液体原料３１の供給は送出ガス供給配管
４３から不活性ガス等の送出ガス４２をタンク３２に供
給してタンク３２の内圧を上昇させることにより実行さ
れる。このため、液体原料３１の供給を停止しても、タ
ンク３２の内圧は高い。したがって、ダブルナット３６
の弛め方の手順によってはタンク３２に残留した液体原
料３１が噴き出す場合がある。例えば、送出ガス供給配
管４３を少し弛めてタンク３２の内圧を外部と等しくし
てからダブルナット３６を弛めれば噴出を防止すること
ができるが、手順を間違える危惧がある。また、ダブル
ナット３６において外した場合には止め弁３８が無くな
るため、タンク３２の内部が空気と接触することにな
り、タンク３２の内部で液体原料が固化したり、タンク
３２の内部から気化した原料ガスが漏洩する危惧があ
る。さらに、タンク３２を誤って倒した場合にはタンク
３２の液体原料供給配管の取外し口から液体原料が漏洩
する可能性がある。
【０００７】本発明の目的は、液体原料供給配管からタ
ンクを安全に取り外すことができる基板処理装置を提供
することにある。
ンクを安全に取り外すことができる基板処理装置を提供
することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る基板処理装
置は、基板を処理する処理室と、液体原料を貯溜するタ
ンクと、このタンクに接続され前記液体原料を前記処理
室に供給する液体原料供給配管と、この液体原料供給配
管の途中に介設された継手とを備えている基板処理装置
において、前記液体原料供給配管における前記継手の上
流側と下流側とに第一の止め弁と第二の止め弁とがそれ
ぞれ介設されていることを特徴とする。
置は、基板を処理する処理室と、液体原料を貯溜するタ
ンクと、このタンクに接続され前記液体原料を前記処理
室に供給する液体原料供給配管と、この液体原料供給配
管の途中に介設された継手とを備えている基板処理装置
において、前記液体原料供給配管における前記継手の上
流側と下流側とに第一の止め弁と第二の止め弁とがそれ
ぞれ介設されていることを特徴とする。
【０００９】前記した手段においては、タンクの交換は
液体原料供給配管の第一の止め弁と第二の止め弁とを閉
じた状態で継手を外すことによって実施される。これに
より、液体原料供給配管が継手において分離されても、
液体原料供給配管の両方の分離端開口は第一の止め弁と
第二の止め弁とによってそれぞれ閉止されているため、
いずれの側の液体原料の漏洩を防止することができる。
液体原料供給配管の第一の止め弁と第二の止め弁とを閉
じた状態で継手を外すことによって実施される。これに
より、液体原料供給配管が継手において分離されても、
液体原料供給配管の両方の分離端開口は第一の止め弁と
第二の止め弁とによってそれぞれ閉止されているため、
いずれの側の液体原料の漏洩を防止することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面に即して説明する。
面に即して説明する。
【００１１】本実施の形態において、本発明に係る基板
処理装置はＭＯＣＶＤ装置として構成されており、この
ＭＯＣＶＤ装置はＤＲＡＭの製造方法におけるキャパシ
タの静電容量部のＴａ2 Ｏ5 膜を成膜する工程（以下、
キャパシタ形成工程という。）に使用される。
処理装置はＭＯＣＶＤ装置として構成されており、この
ＭＯＣＶＤ装置はＤＲＡＭの製造方法におけるキャパシ
タの静電容量部のＴａ2 Ｏ5 膜を成膜する工程（以下、
キャパシタ形成工程という。）に使用される。
【００１２】図１に示されているように、ＭＯＣＶＤ装
置１０は処理室１１を形成したチャンバ１２を備えてお
り、チャンバ１２は枚葉式コールドウオール形減圧ＣＶ
Ｄ装置として構成されている。チャンバ１２の下部には
処理室１１を排気するための排気管１３が接続されてお
り、チャンバ１２の上部には処理室１１に酸素（Ｏ2 ）
ガスを供給するための酸素ガス供給管１４が接続されて
いる。チャンバ１２の底壁には支持軸１５が回転自在か
つ昇降自在に挿通されており、支持軸１５は図示しない
駆動装置によって回転かつ昇降駆動されるように構成さ
れている。支持軸１５の処理室１１における上面には被
処理基板であるウエハ１を保持するためのサセプタ１６
が配置されている。支持軸１５の上端部の内部にはヒー
タ１７がサセプタ１６に保持されたウエハ１を均一に加
熱するように装備されている。チャンバ１２の側壁の一
部にはウエハ１を出し入れするためのウエハ搬入搬出口
１８が開設されており、ウエハ搬入搬出口１８はゲート
１９によって開閉されるようになっている。
置１０は処理室１１を形成したチャンバ１２を備えてお
り、チャンバ１２は枚葉式コールドウオール形減圧ＣＶ
Ｄ装置として構成されている。チャンバ１２の下部には
処理室１１を排気するための排気管１３が接続されてお
り、チャンバ１２の上部には処理室１１に酸素（Ｏ2 ）
ガスを供給するための酸素ガス供給管１４が接続されて
いる。チャンバ１２の底壁には支持軸１５が回転自在か
つ昇降自在に挿通されており、支持軸１５は図示しない
駆動装置によって回転かつ昇降駆動されるように構成さ
れている。支持軸１５の処理室１１における上面には被
処理基板であるウエハ１を保持するためのサセプタ１６
が配置されている。支持軸１５の上端部の内部にはヒー
タ１７がサセプタ１６に保持されたウエハ１を均一に加
熱するように装備されている。チャンバ１２の側壁の一
部にはウエハ１を出し入れするためのウエハ搬入搬出口
１８が開設されており、ウエハ搬入搬出口１８はゲート
１９によって開閉されるようになっている。
【００１３】チャンバ１２の天井壁には原料ガスを処理
室１１へ供給するための原料ガス供給配管２０の一端が
接続されており、原料ガス供給配管２０の他端には液体
原料を気化させる気化器２１が接続されている。気化器
２１には一端がキャリアガスを供給するキャリアガス供
給源２２に接続されたキャリアガス供給配管２３の他端
が接続されており、キャリアガス供給配管２３の途中に
は可変流量制御弁２４が介設されている。そして、気化
器２１には図２に示された液体原料供給装置３０が接続
されている。
室１１へ供給するための原料ガス供給配管２０の一端が
接続されており、原料ガス供給配管２０の他端には液体
原料を気化させる気化器２１が接続されている。気化器
２１には一端がキャリアガスを供給するキャリアガス供
給源２２に接続されたキャリアガス供給配管２３の他端
が接続されており、キャリアガス供給配管２３の途中に
は可変流量制御弁２４が介設されている。そして、気化
器２１には図２に示された液体原料供給装置３０が接続
されている。
【００１４】図２に示されているように、液体原料供給
装置３０は液体原料３１を貯溜するタンク３２を備えて
おり、タンク３２の天井壁の中央部にはキャップ３４に
よって閉塞された注入口３３が開設されている。タンク
３２の天井壁の注入口３３の片脇には液体原料３１を気
化器２１に供給する液体原料供給配管３５の一端部が接
続されている。図１に示されているように、液体原料供
給配管３５の他端部は気化器２１に接続されており、液
体原料供給配管３５の途中には液体流量計４７および開
閉弁４８がタンク３２側から順に介設されている。
装置３０は液体原料３１を貯溜するタンク３２を備えて
おり、タンク３２の天井壁の中央部にはキャップ３４に
よって閉塞された注入口３３が開設されている。タンク
３２の天井壁の注入口３３の片脇には液体原料３１を気
化器２１に供給する液体原料供給配管３５の一端部が接
続されている。図１に示されているように、液体原料供
給配管３５の他端部は気化器２１に接続されており、液
体原料供給配管３５の途中には液体流量計４７および開
閉弁４８がタンク３２側から順に介設されている。
【００１５】図２に示されているように、液体原料供給
配管３５のタンク３２側の端部３５ａはタンク３２内へ
深く挿入されており、タンク３２に貯溜された液体原料
３１の液中で開口するようになっている。液体原料供給
配管３５の基端部はタンク３２に締結手段としてのダブ
ルナット３６によって締結されており、液体原料供給配
管３５のダブルナット３６から若干離間した位置には第
一の継手３７が介設されている。液体原料供給配管３５
における第一の継手３７のタンク３２側（以下、上流側
とする。）には第一の止め弁３８が介設されており、第
一の継手３７の下流側には第二の止め弁３９が介設され
ている。液体原料供給配管３５における第二の止め弁３
９の下流側には第二の継手４０が介設されている。
配管３５のタンク３２側の端部３５ａはタンク３２内へ
深く挿入されており、タンク３２に貯溜された液体原料
３１の液中で開口するようになっている。液体原料供給
配管３５の基端部はタンク３２に締結手段としてのダブ
ルナット３６によって締結されており、液体原料供給配
管３５のダブルナット３６から若干離間した位置には第
一の継手３７が介設されている。液体原料供給配管３５
における第一の継手３７のタンク３２側（以下、上流側
とする。）には第一の止め弁３８が介設されており、第
一の継手３７の下流側には第二の止め弁３９が介設され
ている。液体原料供給配管３５における第二の止め弁３
９の下流側には第二の継手４０が介設されている。
【００１６】図２に示されているように、タンク３２の
天井壁の液体原料供給配管３５と反対側の片脇には液体
原料を送り出すための送出ガス４２を供給する送出ガス
供給配管４３の一端が接続されており、図１に示されて
いるように、送出ガス供給配管４３の他端は送出ガス供
給源４１に接続されている。送出ガス供給配管４３のタ
ンク３２への挿入端部はタンク３２内における液体原料
３１の上方空間３２ａにおいて開口されており、送出ガ
ス供給配管４３の基端部はタンク３２に締結手段として
のナット４４によって締結されている。送出ガス供給配
管４３におけるナット４４から若干離間した位置には継
手４５が介設されており、送出ガス供給配管４３におけ
る継手４５のタンク３２側には止め弁４６が介設されて
いる。
天井壁の液体原料供給配管３５と反対側の片脇には液体
原料を送り出すための送出ガス４２を供給する送出ガス
供給配管４３の一端が接続されており、図１に示されて
いるように、送出ガス供給配管４３の他端は送出ガス供
給源４１に接続されている。送出ガス供給配管４３のタ
ンク３２への挿入端部はタンク３２内における液体原料
３１の上方空間３２ａにおいて開口されており、送出ガ
ス供給配管４３の基端部はタンク３２に締結手段として
のナット４４によって締結されている。送出ガス供給配
管４３におけるナット４４から若干離間した位置には継
手４５が介設されており、送出ガス供給配管４３におけ
る継手４５のタンク３２側には止め弁４６が介設されて
いる。
【００１７】次に、以上の構成に係るＭＯＣＶＤ装置１
０が使用されるＤＲＡＭの製造方法におけるキャパシタ
形成工程を説明する。
０が使用されるＤＲＡＭの製造方法におけるキャパシタ
形成工程を説明する。
【００１８】本実施の形態において、キャパシタの静電
容量部はＴａ2 Ｏ5 膜によって形成される。したがっ
て、ＭＯＣＶＤ装置１０の処理室１１に搬入されるウエ
ハ１には、キャパシタの静電容量部を形成する前の所定
のパターンが形成されている。そして、液体原料供給装
置３０のタンク３２にはＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 （ペンタ
・エトキシ・タンタル。以下、ＰＥＴａという。）が液
体原料３１として貯溜される。また、タンク３２の第一
の止め弁３８および第二の止め弁３９がいずれも開かれ
る。
容量部はＴａ2 Ｏ5 膜によって形成される。したがっ
て、ＭＯＣＶＤ装置１０の処理室１１に搬入されるウエ
ハ１には、キャパシタの静電容量部を形成する前の所定
のパターンが形成されている。そして、液体原料供給装
置３０のタンク３２にはＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 （ペンタ
・エトキシ・タンタル。以下、ＰＥＴａという。）が液
体原料３１として貯溜される。また、タンク３２の第一
の止め弁３８および第二の止め弁３９がいずれも開かれ
る。
【００１９】所定のパターンが形成されたウエハ１は図
示しないハンドリング装置によって保持されて、ゲート
１９が開放されたウエハ搬入搬出口１８から処理室１１
に搬入されるとともに、サセプタ１６の上に受け渡され
る。サセプタ１６に受け渡されたウエハ１はヒータ１７
によって所定の温度に加熱され、支持軸１５によって上
昇されて回転される。処理室１１は排気管１３に接続さ
れた真空ポンプ（図示せず）によって、所定の圧力に排
気される。処理室１１が所定の圧力に安定すると、図１
に二点鎖線矢印で示されているように、酸素ガス供給管
１４から酸素ガス５０が供給される。
示しないハンドリング装置によって保持されて、ゲート
１９が開放されたウエハ搬入搬出口１８から処理室１１
に搬入されるとともに、サセプタ１６の上に受け渡され
る。サセプタ１６に受け渡されたウエハ１はヒータ１７
によって所定の温度に加熱され、支持軸１５によって上
昇されて回転される。処理室１１は排気管１３に接続さ
れた真空ポンプ（図示せず）によって、所定の圧力に排
気される。処理室１１が所定の圧力に安定すると、図１
に二点鎖線矢印で示されているように、酸素ガス供給管
１４から酸素ガス５０が供給される。
【００２０】液体原料供給装置３０の送出ガス供給配管
４３の止め弁４６が開かれて、送出ガス供給源４１から
送出ガス４２がタンク３２の上方空間３２ａに供給され
ると、送出ガス４２がタンク３２に貯溜された液体原料
３１の液面を押し下げるため、液体原料３１が液体原料
供給配管３５に送り出される。そして、液体原料供給配
管３５の開閉弁４８が開かれることにより、液体原料３
１としてのＰＥＴａが液体原料供給配管３５を通じて気
化器２１に供給される。
４３の止め弁４６が開かれて、送出ガス供給源４１から
送出ガス４２がタンク３２の上方空間３２ａに供給され
ると、送出ガス４２がタンク３２に貯溜された液体原料
３１の液面を押し下げるため、液体原料３１が液体原料
供給配管３５に送り出される。そして、液体原料供給配
管３５の開閉弁４８が開かれることにより、液体原料３
１としてのＰＥＴａが液体原料供給配管３５を通じて気
化器２１に供給される。
【００２１】気化器２１に供給された液体原料３１であ
るＰＥＴａは噴霧されて微粒子化するとともに、気化器
２１に内蔵されたカートリッジヒータによって加熱され
ることにより効果的に気化して、原料ガスになる。一
方、気化器２１にはキャリアガスとして、例えば、Ｎ2
（窒素）ガス等の不活性ガスがキャリアガス供給源２２
からキャリアガス供給配管２３を通じて導入される。
るＰＥＴａは噴霧されて微粒子化するとともに、気化器
２１に内蔵されたカートリッジヒータによって加熱され
ることにより効果的に気化して、原料ガスになる。一
方、気化器２１にはキャリアガスとして、例えば、Ｎ2
（窒素）ガス等の不活性ガスがキャリアガス供給源２２
からキャリアガス供給配管２３を通じて導入される。
【００２２】図１に示されているように、気化器２１に
おいてＰＥＴａが気化して構成された原料ガス５１はキ
ャリアガス５２と混合し、気化器２１からガス供給配管
２０を流通して、処理室１１に流入する。処理室１１に
流入したＰＥＴａの気化ガスである原料ガス５１は充分
に気化しているため、ウエハ１の上でＴａ2 Ｏ5 となっ
てサセプタ１６に保持されて加熱されたウエハ１の上に
熱ＣＶＤ反応によって堆積する。この堆積により、ウエ
ハ１の表面にはＴａ2 Ｏ5 膜２が形成される。
おいてＰＥＴａが気化して構成された原料ガス５１はキ
ャリアガス５２と混合し、気化器２１からガス供給配管
２０を流通して、処理室１１に流入する。処理室１１に
流入したＰＥＴａの気化ガスである原料ガス５１は充分
に気化しているため、ウエハ１の上でＴａ2 Ｏ5 となっ
てサセプタ１６に保持されて加熱されたウエハ１の上に
熱ＣＶＤ反応によって堆積する。この堆積により、ウエ
ハ１の表面にはＴａ2 Ｏ5 膜２が形成される。
【００２３】Ｔａ2 Ｏ5 膜の形成処理について予め設定
された時間が経過すると、気化器２１の液体原料供給配
管３５の開閉弁４８およびキャリアガス供給配管２３の
可変流量制御弁２４が閉じられることにより、液体原料
３１としてのＰＥＴａおよびキャリアガスの供給が停止
される。
された時間が経過すると、気化器２１の液体原料供給配
管３５の開閉弁４８およびキャリアガス供給配管２３の
可変流量制御弁２４が閉じられることにより、液体原料
３１としてのＰＥＴａおよびキャリアガスの供給が停止
される。
【００２４】以上のようにしてＴａ2 Ｏ5 膜２を形成さ
れたウエハ１はハンドリング装置によって処理室１１か
ら搬出される。以降、前述した作業が繰り返されること
により、ウエハ１にＴａ2 Ｏ5 膜２が形成処理されて行
く。
れたウエハ１はハンドリング装置によって処理室１１か
ら搬出される。以降、前述した作業が繰り返されること
により、ウエハ１にＴａ2 Ｏ5 膜２が形成処理されて行
く。
【００２５】本実施の形態に係るＭＯＣＶＤ装置１０に
おいて、タンク３２の交換は送出ガス供給配管４３の止
め弁４６が閉じられるとともに、液体原料供給配管３５
の第一の止め弁３８および第二の止め弁３９の双方が閉
じられ、その後に、送出ガス供給配管４３の継手４５お
よび液体原料供給配管３５の第一の継手３７をそれぞれ
外すことによって実施される。
おいて、タンク３２の交換は送出ガス供給配管４３の止
め弁４６が閉じられるとともに、液体原料供給配管３５
の第一の止め弁３８および第二の止め弁３９の双方が閉
じられ、その後に、送出ガス供給配管４３の継手４５お
よび液体原料供給配管３５の第一の継手３７をそれぞれ
外すことによって実施される。
【００２６】液体原料供給配管３５における第一の継手
３７の上流側の止め弁３８と下流側の止め弁３９とがそ
れぞれ閉じられることにより、液体原料供給配管３５が
第一の継手３７において分離されても、液体原料供給配
管３５のタンク３２側の分離端の開口からの漏洩は第一
の止め弁３８によって止められ、液体原料供給配管３５
の気化器２１側の分離端の開口からの漏洩は第二の止め
弁３９によって止められるため、第一の継手３７が弛め
られて外されても液体原料３１が漏洩するのを防止する
ことができる。
３７の上流側の止め弁３８と下流側の止め弁３９とがそ
れぞれ閉じられることにより、液体原料供給配管３５が
第一の継手３７において分離されても、液体原料供給配
管３５のタンク３２側の分離端の開口からの漏洩は第一
の止め弁３８によって止められ、液体原料供給配管３５
の気化器２１側の分離端の開口からの漏洩は第二の止め
弁３９によって止められるため、第一の継手３７が弛め
られて外されても液体原料３１が漏洩するのを防止する
ことができる。
【００２７】本実施の形態によれば、タンク３２の交換
作業に際して、液体原料供給配管３５に残留した液体原
料３１の漏洩を防止することができるため、タンク３２
の交換作業を安全に実施することができる。また、液体
原料供給配管３５での異物の発生や詰まり等の発生を防
止することができる。その結果、ＭＯＣＶＤ装置の安全
性を向上させることができるとともに、処理室において
形成される成膜の膜質やその他の品質および信頼性を高
めることができる。
作業に際して、液体原料供給配管３５に残留した液体原
料３１の漏洩を防止することができるため、タンク３２
の交換作業を安全に実施することができる。また、液体
原料供給配管３５での異物の発生や詰まり等の発生を防
止することができる。その結果、ＭＯＣＶＤ装置の安全
性を向上させることができるとともに、処理室において
形成される成膜の膜質やその他の品質および信頼性を高
めることができる。
【００２８】以上本発明者によってなされた発明を実施
の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもな
い。
の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもな
い。
【００２９】例えば、液体原料としては、ＰＥＴａを使
用するに限らず、ＮｂＯ5 （五酸化ニオブ）を成膜する
ためのＮｂ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 （ペンタ・エトキシ・ニオ
ブ）、ＴｉＯｘ（チタンオキサイド）を成膜するための
Ｔｉ（ＯＣ3 Ｈ7 ）4 （テトラ・イソプロピル・チタ
ン）、ＺｒＯ2 （二酸化ジルコニウム）を成膜するため
のＺｒ（ＯＣ4 Ｈ9 ）4 （テトラ・ブトキシ・ジルコニ
ウム）、ＨｆＯ2 （二酸化ハウフニウム）を成膜するた
めのＨｆ（ＯＣ4 Ｈ9 ）4 （テトラ・ブトキシ・ハウフ
ニウム）等を使用してもよい。
用するに限らず、ＮｂＯ5 （五酸化ニオブ）を成膜する
ためのＮｂ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 （ペンタ・エトキシ・ニオ
ブ）、ＴｉＯｘ（チタンオキサイド）を成膜するための
Ｔｉ（ＯＣ3 Ｈ7 ）4 （テトラ・イソプロピル・チタ
ン）、ＺｒＯ2 （二酸化ジルコニウム）を成膜するため
のＺｒ（ＯＣ4 Ｈ9 ）4 （テトラ・ブトキシ・ジルコニ
ウム）、ＨｆＯ2 （二酸化ハウフニウム）を成膜するた
めのＨｆ（ＯＣ4 Ｈ9 ）4 （テトラ・ブトキシ・ハウフ
ニウム）等を使用してもよい。
【００３０】また、ＤＲＡＭの製造方法におけるキャパ
シタ形成工程に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、ＦＲＡＭ（ferro electric
ＲＡＭ）のキャパシタ形成のためのＰＺＴ（ＰｂＺｒＴ
ｉＯ3 ）あるいはイリジウム、ルテニウム、銅等の金属
膜およびそれらの金属酸化膜の成膜技術にも適用するこ
とができる。
シタ形成工程に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、ＦＲＡＭ（ferro electric
ＲＡＭ）のキャパシタ形成のためのＰＺＴ（ＰｂＺｒＴ
ｉＯ3 ）あるいはイリジウム、ルテニウム、銅等の金属
膜およびそれらの金属酸化膜の成膜技術にも適用するこ
とができる。
【００３１】基板処理装置は枚葉式コールドウオール形
ＣＶＤ装置に構成するに限らず、枚葉式ホットウオール
形ＣＶＤ装置や枚葉式ウオーム（Warm）ウオール形ＣＶ
Ｄ装置等に構成してもよい。
ＣＶＤ装置に構成するに限らず、枚葉式ホットウオール
形ＣＶＤ装置や枚葉式ウオーム（Warm）ウオール形ＣＶ
Ｄ装置等に構成してもよい。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
液体原料を貯溜するタンクを安全に交換することができ
る。
液体原料を貯溜するタンクを安全に交換することができ
る。
【図１】本発明の一実施の形態であるＭＯＣＶＤ装置を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図２】その液体原料供給装置を示す一部省略一部切断
正面図である。
正面図である。
【図３】従来の液体原料供給装置を示す一部省略一部切
断正面図である。
断正面図である。
１…ウエハ（基板）、２…Ｔａ2 Ｏ5 膜、１０…ＭＯＣ
ＶＤ装置（基板処理装置）、１１…処理室、１２…チャ
ンバ、１３…排気管、１４…酸素ガス供給管、１５…支
持軸、１６…サセプタ、１７…ヒータ、１８…ウエハ搬
入搬出口、１９…ゲート、２０…原料ガス供給配管、２
１…気化器、２２…キャリアガス供給源、２３…キャリ
アガス供給配管、２４…可変流量制御弁、３０…液体原
料供給装置、３０Ａ…従来の液体原料供給装置、３１…
液体原料、３２…タンク、３２ａ…上方空間、３３…注
入口、３４…キャップ、３５…液体原料供給配管、３５
ａ…端部、３６…ダブルナット、３７…第一の継手、３
８…第一の止め弁、３９…第二の止め弁、４０…第二の
継手、４１…送出ガス供給源、４２…送出ガス、４３…
送出ガス供給配管、４４…ナット、４５…継手、４６…
止め弁、４７…液体流量計、４８…開閉弁、５０…酸素
ガス、５１…原料ガス、５２…キャリアガス。
ＶＤ装置（基板処理装置）、１１…処理室、１２…チャ
ンバ、１３…排気管、１４…酸素ガス供給管、１５…支
持軸、１６…サセプタ、１７…ヒータ、１８…ウエハ搬
入搬出口、１９…ゲート、２０…原料ガス供給配管、２
１…気化器、２２…キャリアガス供給源、２３…キャリ
アガス供給配管、２４…可変流量制御弁、３０…液体原
料供給装置、３０Ａ…従来の液体原料供給装置、３１…
液体原料、３２…タンク、３２ａ…上方空間、３３…注
入口、３４…キャップ、３５…液体原料供給配管、３５
ａ…端部、３６…ダブルナット、３７…第一の継手、３
８…第一の止め弁、３９…第二の止め弁、４０…第二の
継手、４１…送出ガス供給源、４２…送出ガス、４３…
送出ガス供給配管、４４…ナット、４５…継手、４６…
止め弁、４７…液体流量計、４８…開閉弁、５０…酸素
ガス、５１…原料ガス、５２…キャリアガス。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板を処理する処理室と、液体原料を貯
溜するタンクと、このタンクに接続され前記液体原料を
前記処理室に供給する液体原料供給配管と、この液体原
料供給配管の途中に介設された継手とを備えている基板
処理装置において、前記液体原料供給配管における前記
継手の上流側と下流側とに第一の止め弁と第二の止め弁
とがそれぞれ介設されていることを特徴とする基板処理
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001089162A JP2002289599A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001089162A JP2002289599A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002289599A true JP2002289599A (ja) | 2002-10-04 |
Family
ID=18944132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001089162A Pending JP2002289599A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002289599A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100618690B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2006-09-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 제조용 전구체 저장통 |
| JP2009260349A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Praxair Technol Inc | 試薬送出装置と送出方法 |
| WO2009155506A2 (en) * | 2008-06-20 | 2009-12-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates | Melt purification and delivery system |
| KR20110031472A (ko) * | 2008-06-20 | 2011-03-28 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 용융물 정제 및 배송 시스템 |
-
2001
- 2001-03-27 JP JP2001089162A patent/JP2002289599A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100618690B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2006-09-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 제조용 전구체 저장통 |
| JP2009260349A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Praxair Technol Inc | 試薬送出装置と送出方法 |
| WO2009155506A2 (en) * | 2008-06-20 | 2009-12-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates | Melt purification and delivery system |
| WO2009155506A3 (en) * | 2008-06-20 | 2010-03-11 | Varian Semiconductor Equipment Associates | Melt purification and delivery system |
| KR20110031472A (ko) * | 2008-06-20 | 2011-03-28 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 용융물 정제 및 배송 시스템 |
| US8545624B2 (en) | 2008-06-20 | 2013-10-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method for continuous formation of a purified sheet from a melt |
| KR101647076B1 (ko) | 2008-06-20 | 2016-08-09 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 용융물 정제 및 배송 시스템 |
| US9567691B2 (en) | 2008-06-20 | 2017-02-14 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Melt purification and delivery system |
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