JP2002278091A - Photoresist remover composition and method for removing photoresist using the same - Google Patents
Photoresist remover composition and method for removing photoresist using the sameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路、
液晶パネルの半導体素子回路等の製造に用いられるフォ
トレジスト剥離剤組成物およびその剥離剤組成物を用い
るフォトレジストの剥離方法に関する。さらに詳しく
は、半導体基板上または液晶用ガラス基板上に配線を形
成するときに、不要となったフォトレジストを高性能で
除去することが可能なフォトレジスト剥離剤組成物に関
する。[0001] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit,
The present invention relates to a photoresist stripping composition used for manufacturing a semiconductor element circuit and the like of a liquid crystal panel and a method of stripping a photoresist using the stripping composition. More specifically, the present invention relates to a photoresist stripper composition capable of removing unnecessary photoresist with high performance when forming wiring on a semiconductor substrate or a glass substrate for liquid crystal.
【０００２】[0002]
【従来の技術】フォトレジスト剥離剤組成物は、半導体
集積回路、液晶パネルの半導体素子回路等の製造に用い
られるフォトレジストを剥離する際に用いられる。例え
ば、半導体素子回路または付随する電極部の製造は、以
下のように行われる：まず、シリコン、ガラス等の基板
上にＡｌ等の金属膜をＣＶＤ、スパッタ等の方法で積層
する；その金属膜の上面にフォトレジストを膜付けし、
その表面に露光、現像等の処理を行ってパターンを形成
する；パターン形成されたフォトレジストをマスクとし
て金属膜をエッチングする；そしてエッチング後、不要
となったフォトレジストを剥離剤組成物を用いて剥離・
除去する。これらの操作を繰り返すことで半導体素子回
路等の形成が行われる。ここで上記金属膜には、例え
ば、アルミニウム（Ａｌ）；アルミニウム−シリコン−
銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）などのアルミニウム合金；チタ
ン（Ｔｉ）；チタンナイトライド（ＴｉＮ）などのチタ
ン合金；あるいはａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉなどのシリコンが
用いられる。これらの金属膜は単層または複数層にて基
板上に形成される。2. Description of the Related Art A photoresist stripping composition is used for stripping a photoresist used for manufacturing a semiconductor integrated circuit, a semiconductor element circuit of a liquid crystal panel, and the like. For example, manufacture of a semiconductor device circuit or an associated electrode portion is performed as follows: First, a metal film such as Al is laminated on a substrate such as silicon or glass by a method such as CVD or sputtering; A photoresist on top of the
A pattern is formed by performing processes such as exposure and development on the surface; the metal film is etched using the patterned photoresist as a mask; and after the etching, the unnecessary photoresist is removed using a stripping agent composition. Peeling
Remove. By repeating these operations, a semiconductor element circuit and the like are formed. Here, for example, aluminum (Al); aluminum-silicon-
Aluminum alloys such as copper (Al-Si-Cu); titanium alloys such as titanium (Ti); titanium nitride (TiN); and silicon such as a-Si and p-Si are used. These metal films are formed on the substrate in a single layer or a plurality of layers.
【０００３】従来、このようなフォトレジスト剥離剤組
成物としては、有機アルカリ、無機アルカリ、有機酸、
無機酸、極性溶剤等の単一溶剤、およびこれらの混合溶
液が用いられている。特にアルカノールアミンと極性溶
剤とを含有する剥離剤が広く使用されている。Conventionally, such photoresist stripping compositions include organic alkalis, inorganic alkalis, organic acids,
Single solvents such as inorganic acids and polar solvents, and mixed solutions thereof are used. In particular, release agents containing alkanolamines and polar solvents are widely used.
【０００４】しかし、アルカノールアミンと極性有機溶
剤とを含有する剥離剤組成物のうち、水を含有しない剥
離剤組成物はエッチングにより変質したフォトレジスト
の剥離性が十分ではない。However, among the stripping compositions containing an alkanolamine and a polar organic solvent, the stripping composition not containing water does not have sufficient stripping properties of a photoresist altered by etching.
【０００５】アルカノールアミンと極性有機溶剤とを含
有する剥離剤組成物のうち、１級および２級アルカノー
ルアミンと極性有機溶剤と水とを含有する剥離剤組成物
はエッチングにより変質したフォトレジストを剥離でき
るが、金属腐食性が大きく、基板上に形成された金属膜
が腐食する恐れがある。３級アルカノールアミンと極性
有機溶剤と水とを含有する剥離剤組成物は、金属腐食性
は小さいものの、エッチングにより変質したフォトレジ
ストの剥離性が十分ではない。[0005] Among the stripping compositions containing an alkanolamine and a polar organic solvent, the stripping composition containing a primary or secondary alkanolamine, a polar organic solvent and water strips a photoresist that has been altered by etching. Although it is possible, the metal corrosiveness is large, and the metal film formed on the substrate may be corroded. A stripper composition containing a tertiary alkanolamine, a polar organic solvent, and water has low metal corrosiveness, but does not have sufficient strippability of a photoresist altered by etching.
【０００６】金属腐食性を抑えるべく、特開平１１−５
２５９０では、分子量が７５以上のアミンを用いること
によりシリコンの腐食性を抑えた、アミンと水と溶剤と
からなる剥離剤組成物が記載されている。これにより、
比較的良好なレジスト剥離性と金属防食性が得られる
が、さらにレジスト剥離性に優れた剥離剤組成物が求め
られている。[0006] Japanese Patent Application Laid-Open No.
No. 2590 describes a release agent composition comprising an amine, water and a solvent, which suppresses the corrosiveness of silicon by using an amine having a molecular weight of 75 or more. This allows
Although relatively good resist stripping properties and metal corrosion protection can be obtained, a stripping composition further excellent in resist stripping properties is required.
【０００７】エッチングにより変質したフォトレジスト
を剥離するためヒドラジン類およびヒドロキシルアミン
類を含有する剥離剤が検討されている。例えば、特開昭
６０−２１０８４２号公報には、水加ヒドラジンと、ケ
トン溶剤とを含有するフォトレジスト剥離剤組成物が記
載されている。特許第２６９１９５２号公報には、ヒド
ロキシルアミンとアルカノールアミンとを含有するフォ
トレジスト剥離剤組成物が記載されている。しかし、ヒ
ドラジン類およびヒドロキシルアミン類は不安定な物質
であり、取り扱いに問題がある。[0007] Strippers containing hydrazines and hydroxylamines have been studied for stripping photoresists that have been altered by etching. For example, JP-A-60-210842 describes a photoresist stripping composition containing hydrazine hydrate and a ketone solvent. Japanese Patent No. 2691952 describes a photoresist stripper composition containing hydroxylamine and alkanolamine. However, hydrazines and hydroxylamines are unstable substances and have problems in handling.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】そこで、変質したフォ
トレジストの剥離性・除去性を損なうことなく、金属腐
食性が小さく、安定で取り扱いが容易なフォトレジスト
剥離剤組成物が望まれている。Therefore, a photoresist stripper composition which has low metal corrosion, is stable and easy to handle without impairing the strippability / removability of the deteriorated photoresist is desired.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
点を解決すべく、種々の実験を重ねた結果、ジエチレン
グリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール
モノエチルエーテル、およびジエチレングリコールモノ
ｎ−ブチルエーテルからなる群より選択される少なくと
も２種のジエチレングリコールモノアルキルエーテル；
水；および３級アルカノールアミンを含有する剥離剤組
成物が、通常のフォトレジストのみならず、エッチング
により変質したフォトレジストに対しても優れた剥離性
を示すこと；およびこの剥離剤組成物は金属腐食性が小
さく、安定であることを見出し、本発明を完成するに至
った。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted various experiments in order to solve the above-mentioned problems, and as a result, have found that the group consisting of diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, and diethylene glycol mono n-butyl ether. At least two diethylene glycol monoalkyl ethers selected;
The stripping composition containing water; and a tertiary alkanolamine exhibits excellent stripping properties not only for ordinary photoresists but also for photoresists altered by etching; The inventors have found that the corrosion resistance is small and stable, and have completed the present invention.
【００１０】本発明のフォトレジスト剥離剤組成物は、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノエチルエーテル、およびジエチレングリ
コールモノｎ−ブチルエーテルからなる群より選択され
る少なくとも２種のジエチレングリコールモノアルキル
エーテル；水；および３級アルカノールアミンを含有す
る。The photoresist stripping composition of the present invention comprises:
It contains at least two diethylene glycol monoalkyl ethers selected from the group consisting of diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, and diethylene glycol mono n-butyl ether; water; and a tertiary alkanolamine.
【００１１】好適な実施態様においては、上記３級アル
カノールアミンは、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−
Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ブチル
エタノールアミン、Ｎ−ｎ−ブチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノ
ールアミン、Ｎ−ｔ−ブチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールア
ミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルイソプロパノールアミン、Ｎ，
Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシルアミ
ン、およびトリエタノールアミンからなる群より選択さ
れる少なくとも１種である。In a preferred embodiment, the tertiary alkanolamine is N, N-dimethylethanolamine, N, N-diethylethanolamine, N-methyl-
N, N-diethanolamine, N, N-di-n-butylethanolamine, Nn-butyl-N, N-diethanolamine, Nt-butyl-N, N-diethanolamine, N, N-diethylisopropanolamine, N,
It is at least one selected from the group consisting of N-bis (2-hydroxyethyl) cyclohexylamine and triethanolamine.
【００１２】好適な実施態様においては、上記フォトレ
ジスト剥離剤組成物中でジエチレングリコールモノアル
キルエーテルの含有量は１種あたり５〜６０重量％、水
の含有量は１０〜６０重量％、そして３級アルカノール
アミンの含有量は３〜６０重量％である。In a preferred embodiment, the content of the diethylene glycol monoalkyl ether is 5 to 60% by weight, the content of water is 10 to 60% by weight and the tertiary level in the photoresist stripping composition. The content of alkanolamine is 3 to 60% by weight.
【００１３】本発明のフォトレジストの剥離方法は、上
記フォトレジスト剥離剤組成物を、フォトレジストを有
する基材に接触させる工程を包含する。The method of stripping a photoresist according to the present invention includes a step of contacting the photoresist stripping composition with a substrate having a photoresist.
【００１４】好適な実施態様においては、上記フォトレ
ジストを有する基材は、シリコン薄膜とフォトレジスト
とをその表面に有する基板である。In a preferred embodiment, the substrate having the photoresist is a substrate having a silicon thin film and a photoresist on its surface.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】本発明の剥離剤組成物に含有され
るジエチレングリコールモノアルキルエーテルは、ジエ
チレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノエチルエーテル、およびジエチレングリコー
ルモノｎ−ブチルエーテルからなる群より選択される少
なくとも２種の化合物である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The diethylene glycol monoalkyl ether contained in the stripping composition of the present invention is at least two kinds selected from the group consisting of diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, and diethylene glycol mono n-butyl ether. Compound.
【００１６】少なくとも２種のジエチレングリコールモ
ノアルキルエーテルを用いると、１種だけの場合、ある
いは他の極性有機溶媒を用いた場合に比較して、エッチ
ングにより変質したフォトレジストの剥離性が向上す
る。When at least two kinds of diethylene glycol monoalkyl ethers are used, the strippability of the photoresist altered by etching is improved as compared with the case of using only one kind or using another polar organic solvent.
【００１７】本発明に用いられる３級アルカノールアミ
ンとしては、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，
Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノー
ルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ブチルエタノールアミン、
Ｎ−ｎ−ブチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ−ｔ
−ブチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエ
チルイソプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒド
ロキシエチル）シクロヘキシルアミン、およびトリエタ
ノールアミンなどが挙げられる。これらは、単独で用い
てもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。The tertiary alkanolamine used in the present invention includes N, N-dimethylethanolamine and N, N-dimethylethanolamine.
N-diethylethanolamine, N-methyldiethanolamine, N, N-di-n-butylethanolamine,
Nn-butyl-N, N-diethanolamine, Nt
-Butyl-N, N-diethanolamine, N, N-diethylisopropanolamine, N, N-bis (2-hydroxyethyl) cyclohexylamine, triethanolamine and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
【００１８】本発明の剥離剤組成物としては、２種のジ
エチレングリコールモノアルキルエーテルとして、ジエ
チレングリコールモノエチルエーテルとジエチレングリ
コールモノｎ−ブチルエーテルとを含有し、３級アルカ
ノールアミンとしてＮ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノール
アミンまたはトリエタノールアミンを含有する組成物が
もっとも好適である。２種のジエチレングリコールモノ
アルキルエーテルとして、ジエチレングリコールモノエ
チルエーテルとジエチレングリコールモノｎ−ブチルエ
ーテルとを含有し、３級アルカノールアミンとしてＮ，
Ｎ−ジエチルエタノールアミンを含有する組成物が次に
好適である。The release agent composition of the present invention contains diethylene glycol monoethyl ether and diethylene glycol mono n-butyl ether as two kinds of diethylene glycol monoalkyl ethers, and N-methyl-N, N- as a tertiary alkanolamine. Compositions containing diethanolamine or triethanolamine are most preferred. It contains diethylene glycol monoethyl ether and diethylene glycol mono n-butyl ether as two kinds of diethylene glycol monoalkyl ethers, and N, N, as a tertiary alkanolamine.
Compositions containing N-diethylethanolamine are then preferred.
【００１９】上記成分に加えて、本発明のフォトレジス
ト剥離剤組成物には、本発明の効果を損なわない範囲
で、防食剤を配合することができる。防食剤としては、
芳香族ヒドロキシ化合物、芳香族メルカプト化合物、ア
セチレンアルコール、カルボキシル基含有有機化合物お
よびその無水物、トリアゾール化合物、糖類、りん酸お
よび硼酸が挙げられる。In addition to the above components, an anticorrosive may be added to the photoresist stripping composition of the present invention as long as the effects of the present invention are not impaired. As an anticorrosive,
Aromatic hydroxy compounds, aromatic mercapto compounds, acetylene alcohol, carboxyl group-containing organic compounds and their anhydrides, triazole compounds, saccharides, phosphoric acid and boric acid.
【００２０】上記ジエチレングリコールモノアルキルエ
ーテルのフォトレジスト剥離剤組成物中の含有量は該ジ
エチレングリコールモノアルキルエーテル１種あたり５
〜６０重量％であることが好ましく、１０〜５０重量％
であることがより好ましい。ジエチレングリコールモノ
アルキルエーテルの含有量が１種あたり５重量％未満で
ある場合には、フォトレジストまたは変質したフォトレ
ジスト膜の除去性が低下する傾向にある。他方、ジエチ
レングリコールモノアルキルエーテルの含有量が１種あ
たり６０重量％を超える場合は、他の剥離剤成分の含有
量が低下するため、フォトレジストまたは変質したフォ
トレジスト膜の除去性が低下する傾向にある。The content of the above-mentioned diethylene glycol monoalkyl ether in the photoresist stripping composition is 5 to 5 per type of the diethylene glycol monoalkyl ether.
６０60% by weight, preferably 10-50% by weight
Is more preferable. When the content of diethylene glycol monoalkyl ether is less than 5% by weight per type, the removability of the photoresist or the deteriorated photoresist film tends to decrease. On the other hand, when the content of diethylene glycol monoalkyl ether is more than 60% by weight per type, the content of other release agent components is reduced, so that the removability of the photoresist or the deteriorated photoresist film tends to be reduced. is there.
【００２１】本発明のフォトレジスト剥離剤組成物にお
いて、水の含有量は１０〜６０重量％であることが好ま
しく、２０〜４０重量％であることがより好ましい。水
の含有量が１０重量％未満である場合には、変質したフ
ォトレジスト膜の除去性が低下する傾向にある。他方、
水の含有量が６０重量％を超える場合は、他の剥離剤成
分の含有量が低下するため、フォトレジストまたは変質
したフォトレジスト膜の除去性が低下する傾向にある。In the photoresist stripping composition of the present invention, the water content is preferably 10 to 60% by weight, more preferably 20 to 40% by weight. If the water content is less than 10% by weight, the removability of the deteriorated photoresist film tends to decrease. On the other hand,
When the content of water exceeds 60% by weight, the content of other release agent components decreases, and thus the removability of the photoresist or the deteriorated photoresist film tends to decrease.
【００２２】本発明のフォトレジスト剥離剤組成物にお
いて、３級アルカノールアミンの含有量は３〜６０重量
％であることが好ましく、５〜４０重量％であることが
より好ましい。３級アルカノールアミンの含有量が３重
量％未満である場合には、フォトレジストまたは変質し
たフォトレジスト膜の除去性が低下する傾向にある。他
方、３級アルカノールアミンの含有量が６０重量％を超
える場合は、他の剥離剤成分の含有量が低下するため、
フォトレジストまたは変質したフォトレジスト膜の除去
性が低下する傾向にある。In the photoresist stripping composition of the present invention, the content of the tertiary alkanolamine is preferably from 3 to 60% by weight, more preferably from 5 to 40% by weight. When the content of the tertiary alkanolamine is less than 3% by weight, the removability of the photoresist or the deteriorated photoresist film tends to decrease. On the other hand, when the content of the tertiary alkanolamine exceeds 60% by weight, the content of other release agent components decreases,
There is a tendency that the removability of the photoresist or the deteriorated photoresist film is reduced.
【００２３】上記防食剤が含有される場合には、該防食
剤の組成物中の含有量は１０重量％以下であることが好
ましい。防食剤が過剰であると、フォトレジストの剥離
性が低下するおそれがある。When the above anticorrosive is contained, the content of the anticorrosive in the composition is preferably 10% by weight or less. If the amount of the anticorrosive is excessive, the peelability of the photoresist may be reduced.
【００２４】本発明の剥離剤組成物は、種々の基材上の
フォトレジストを剥離・除去するのに好適に用いられ
る。本発明の組成物は、特にシリコン薄膜とフォトレジ
ストとをその表面に有する基板の該フォトレジストを剥
離・除去するために好適に用いられる。このような基板
上のフォトレジストの除去に用いたときに該シリコン薄
膜の防食性に優れる。The stripping composition of the present invention is suitably used for stripping and removing photoresist on various substrates. The composition of the present invention is suitably used particularly for peeling and removing the photoresist on a substrate having a silicon thin film and a photoresist on its surface. When used for removing the photoresist on such a substrate, the silicon thin film has excellent corrosion resistance.
【００２５】次に、半導体基板または液晶用ガラス基板
を用いて半導体素子を製造する場合を例に挙げ、本発明
の組成物を用いたフォトレジストの剥離方法を説明す
る。例えばまず、基材上にＳｉなどの金属膜をＣＶＤ、
スパッタリングなどにより形成する。次いで、フォトレ
ジストを用いて成膜し、露光、現像などの処理によりパ
ターン形成を行なう。パターン形成されたフォトレジス
トをマスクとして金属膜をエッチングする。エッチング
後、不要となったフォトレジストを本発明のフォトレジ
スト剥離剤組成物を用いて剥離・除去する。つまり、該
組成物を該フォトレジストを有する基材に接触させるこ
とにより、例えば、該フォトレジストを有する基材を該
組成物中に浸漬することにより、基材上からフォトレジ
ストが除去される。このようにして、配線などが形成さ
れた半導体素子などが製造される。Next, a method for stripping a photoresist using the composition of the present invention will be described by taking as an example the case where a semiconductor element is manufactured using a semiconductor substrate or a glass substrate for liquid crystal. For example, first, a metal film such as Si is CVD-coated on a base material,
It is formed by sputtering or the like. Next, a film is formed using a photoresist, and a pattern is formed by processes such as exposure and development. The metal film is etched using the patterned photoresist as a mask. After the etching, the unnecessary photoresist is stripped and removed by using the photoresist stripping composition of the present invention. That is, the photoresist is removed from the substrate by bringing the composition into contact with the substrate having the photoresist, for example, by immersing the substrate having the photoresist in the composition. In this way, a semiconductor element or the like on which wirings and the like are formed is manufactured.
【００２６】上記のように、本発明のフォトレジスト剥
離剤組成物は、半導体基板上または液晶用ガラス基板上
に配線を形成する場合に不要となったフォトレジスト
を、金属腐食を起こすことなく、剥離・除去することが
可能である。これによって、半導体基板上または液晶用
ガラス基板上に所望の配線を高い精度で形成することが
できる。As described above, the photoresist stripper composition of the present invention removes unnecessary photoresist when forming wiring on a semiconductor substrate or a glass substrate for liquid crystal without causing metal corrosion. It can be peeled and removed. Thereby, a desired wiring can be formed with high precision on the semiconductor substrate or the glass substrate for liquid crystal.
【００２７】以下に実施例に基づいて本発明を説明する
が、本発明がこの実施例に限定されないことはいうまで
もない。The present invention will be described below with reference to examples, but it goes without saying that the present invention is not limited to these examples.
【００２８】実施例１ （１）レジスト剥離性 Ｍｏが蒸着されたガラス基板上に１μｍの厚みとなるよ
うに、フォトレジストを用いて成膜を行った。フォトレ
ジスト膜が形成された基板を１００℃で２分間ベークし
露光した後、２．３８％テトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液で現像した。その
後、ＣＦ４＋Ｏ２ガスでドライエッチングおよびＯ２ガ
スのみでアッシングを行い、表面にフォトレジストが残
存する基板を得た。Example 1 (1) Resist Removability A film was formed using a photoresist on a glass substrate on which Mo was deposited so as to have a thickness of 1 μm. The substrate on which the photoresist film was formed was baked at 100 ° C. for 2 minutes, exposed, and then developed with a 2.38% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution. Thereafter, dry etching was performed using CF 4 + O 2 gas and ashing was performed using only O 2 gas to obtain a substrate having a photoresist remaining on the surface.
【００２９】この基板を表１に示す組成を有するフォト
レジスト剥離剤組成物中に３０℃で１０秒間浸漬した
（表１中の略号については後述）。次いでこれを純水で
洗浄し、Ｎ２ガスを用いたエアーガンで純水を吹き飛ば
し、自然乾燥させた。基板上のフォトレジストの残存の
程度を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、フォトレ
ジスト剥離性を比較した。フォトレジスト剥離性を以下
のように評価した。その結果を表１に示す。 ○：レジスト残渣なし △：わずかにレジスト残渣あり ×：レジスト残渣が多く観察されるThis substrate was immersed in a photoresist stripper composition having the composition shown in Table 1 at 30 ° C. for 10 seconds (abbreviations in Table 1 will be described later). Next, this was washed with pure water, and the pure water was blown off with an air gun using N 2 gas, followed by natural drying. The degree of the photoresist remaining on the substrate was observed with a scanning electron microscope (SEM), and the photoresist peeling properties were compared. The photoresist strippability was evaluated as follows. Table 1 shows the results. ：: No resist residue △: Slight resist residue ×: Many resist residues are observed
【００３０】（２）ｐ−Ｓｉ防食性 ｐ−Ｓｉ基板を表面酸化膜の除去のために、０．５％ふ
っ酸に室温で２分間浸漬した。次いでこれを純水で洗浄
し、Ｎ２ガスを用いたエアーガンで純水を吹き飛ばし、
自然乾燥させた。自然乾燥後、ただちに表１に示す組成
を有するフォトレジスト剥離剤組成物中に４０℃で１０
分間浸漬した。その後、純水で洗浄し、Ｎ２ガスを用い
たエアーガンで純水を吹き飛ばし、自然乾燥させた。処
理後の基板の色変化を目視にて観察し、ｐ−Ｓｉ防食性
を比較し、以下のように評価した。結果を表１に示す。 ○：ｐ−Ｓｉ腐食なし △：わずかにｐ−Ｓｉ腐食あり ×：ｐ−Ｓｉ腐食あり(2) p-Si Corrosion Protection The p-Si substrate was immersed in 0.5% hydrofluoric acid at room temperature for 2 minutes to remove the surface oxide film. Next, this was washed with pure water, and the pure water was blown off with an air gun using N 2 gas.
Air dried. Immediately after air-drying, a 10% dispersion at 40 ° C. was added to a photoresist stripper composition having the composition shown in Table 1.
Soak for minutes. Thereafter, the substrate was washed with pure water, and the pure water was blown off with an air gun using N 2 gas, and the substrate was naturally dried. The color change of the substrate after the treatment was visually observed, and the p-Si corrosion protection was compared and evaluated as follows. Table 1 shows the results. ：: No p-Si corrosion △: Slight p-Si corrosion ×: p-Si corrosion
【００３１】表１における下記の略称は、各々の略称の
右に示す化合物を意味する： ＭＥＡ：モノエタノールアミン ＭＭＡ：Ｎ−メチルモノエタノールアミン ＤＥＧＭＢＥ：ジエチレングリコールモノｎ−ブチルエ
ーテル ＤＥＧＭＥＥ：ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ル ＤＥＧＭＭＥ：ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル ＴＥＡ：トリエタノールアミン ＭＤＥＡ：Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン ＤＭＳＯ：ジメチルスルフォキシド ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドンThe following abbreviations in Table 1 mean the compounds shown to the right of each abbreviation: MEA: monoethanolamine MMA: N-methylmonoethanolamine DEGMBE: diethylene glycol mono n-butyl ether DEGMEE: diethylene glycol monoethyl ether DEGGMME : Diethylene glycol monomethyl ether TEA: triethanolamine MDEA: N-methyl-N, N-diethanolamine DMSO: dimethyl sulfoxide NMP: N-methyl-2-pyrrolidone
【００３２】実施例２〜７ 表１に示す剥離剤組成物を用いたこと以外は実施例１と
同様である。Examples 2 to 7 The same as Example 1 except that the release agent compositions shown in Table 1 were used.
【００３３】比較例１〜３４ 表１に示す剥離剤組成物を用いたこと以外は実施例１と
同様である。Comparative Examples 1 to 34 The same as Example 1 except that the release agent compositions shown in Table 1 were used.
【００３４】[0034]
【表１】 [Table 1]
【００３５】表１から、本発明のフォトレジスト剥離剤
組成物（実施例１〜７）は、エッチングにより変質した
フォトレジストの剥離性およびｐ−Ｓｉ防食性に優れて
いることがわかる。From Table 1, it can be seen that the photoresist stripping compositions of the present invention (Examples 1 to 7) are excellent in stripping properties of the photoresist altered by etching and p-Si corrosion protection.
【００３６】これに対して、有機溶剤（ジエチレングリ
コールモノアルキルエーテルまたはそれ以外の有機溶
剤）および１級アルカノールアミンのみからなるフォト
レジスト剥離剤組成物（比較例１、４、７、９）；有機
溶剤（ジエチレングリコールモノアルキルエーテルまた
はそれ以外の有機溶剤）と２級アルカノールアミンとか
らなるフォトレジスト剥離剤組成物 (比較例１２、１
５、１７、１９)；有機溶剤（ジエチレングリコールモ
ノアルキルエーテルまたはそれ以外の有機溶剤）と３級
アルカノールアミンとからなるフォトレジスト剥離剤組
成物（比較例２１、２４、２７、３０、３２）；１種の
みのジエチレングリコールモノアルキルエーテルと水と
３級アルカノールアミンとからなるフォトレジスト剥離
剤組成物（比較例２２、２３、２５、２６、２８、２
９、３４）；およびジエチレングリコールモノアルキル
エーテル以外の有機溶剤と水と３級アルカノールアミン
とからなるフォトレジスト剥離剤組成物(比較例３１、
３３)は、ｐ−Ｓｉ防食性は良好なものの、レジスト剥
離性が不足していることがわかる。ジエレングリコール
モノアルキルエーテルと水と１級アルカノールアミンと
からなるフォトレジスト剥離剤組成物（比較例２、３、
５、６、１１）；ジエチレングリコールモノアルキルエ
ーテル以外の有機溶剤と水と１級アルカノールアミンと
からなるフォトレジスト剥離剤組成物（比較例８、１
０）；ジエチレングリコールモノアルキルエーテルと水
と２級アルカノールアミンとからなる剥離剤組成物（比
較例１３、１４、１６）；およびジエチレングリコール
モノアルキルエーテル以外の有機溶剤と水と２級アルカ
ノールアミンとからなるフォトレジスト剥離剤組成物
（比較例１８、２０）は、レジスト剥離性は良好なもの
のｐ−Ｓｉ防食性が不足していることがわかる。On the other hand, a photoresist stripping composition comprising only an organic solvent (diethylene glycol monoalkyl ether or another organic solvent) and a primary alkanolamine (Comparative Examples 1, 4, 7, 9); (Diethylene glycol monoalkyl ether or other organic solvent) and a secondary alkanolamine photoresist remover composition (Comparative Examples 12, 1)
5, 17, 19); a photoresist stripping composition comprising an organic solvent (diethylene glycol monoalkyl ether or another organic solvent) and a tertiary alkanolamine (Comparative Examples 21, 24, 27, 30, 32); 1 Photoresist stripper compositions comprising only one species of diethylene glycol monoalkyl ether, water and a tertiary alkanolamine (Comparative Examples 22, 23, 25, 26, 28, 2)
9, 34); and a photoresist stripping composition comprising an organic solvent other than diethylene glycol monoalkyl ether, water and a tertiary alkanolamine (Comparative Example 31,
No. 33) shows that the p-Si anticorrosion property is good, but the resist stripping property is insufficient. Photoresist stripper composition comprising dielene glycol monoalkyl ether, water and primary alkanolamine (Comparative Examples 2, 3,
5, 6, 11); a photoresist stripping composition comprising an organic solvent other than diethylene glycol monoalkyl ether, water and a primary alkanolamine (Comparative Examples 8, 1)
0); a stripping composition comprising diethylene glycol monoalkyl ether, water and a secondary alkanolamine (Comparative Examples 13, 14, 16); and an organic solvent other than diethylene glycol monoalkyl ether, water and a secondary alkanolamine. It can be seen that the photoresist stripper compositions (Comparative Examples 18 and 20) have good resist strippability but lack p-Si corrosion protection.
【００３７】[0037]
【発明の効果】本発明のフォトレジスト剥離剤組成物
は、エッチングにより変質したフォトレジストの剥離性
に優れ、かつ金属腐食性が小さい。従って、本発明の組
成物は、半導体回路の形成などにおけるフォトレジスト
の剥離に効果的に用いられる。Industrial Applicability The photoresist stripping composition of the present invention is excellent in stripping properties of a photoresist altered by etching and has low metal corrosion. Therefore, the composition of the present invention is effectively used for removing a photoresist in the formation of a semiconductor circuit or the like.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西嶋 佳孝 兵庫県龍野市龍野町中井236番地 ナガセ 化成工業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA28 BA01 BA09 GA08 LA03 5F046 MA02 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Yoshitaka Nishijima 236 Nakai, Tatsuno-cho, Tatsuno-shi, Hyogo Nagase Kasei Kogyo Co., Ltd. F-term (reference) 2H096 AA25 AA28 BA01 BA09 GA08 LA03 5F046 MA02
Claims (5)
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、および
ジエチレングリコールモノｎ−ブチルエーテルからなる
群より選択される少なくとも２種のジエチレングリコー
ルモノアルキルエーテル；水；および３級アルカノール
アミンを含有するフォトレジスト剥離剤組成物。1. A photoresist stripper containing at least two diethylene glycol monoalkyl ethers selected from the group consisting of diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, and diethylene glycol mono n-butyl ether; water; and a tertiary alkanolamine. Composition.
−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノ
ールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ブチルエタノールアミン、Ｎ−ｎ
−ブチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ−ｔ−ブチ
ル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルイ
ソプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシ
エチル）シクロヘキシルアミン、およびトリエタノール
アミンからなる群より選択される少なくとも１種であ
る、請求項１に記載のフォトレジスト剥離剤組成物。2. The method of claim 1, wherein the tertiary alkanolamine is N, N
-Dimethylethanolamine, N, N-diethylethanolamine, N-methyl-N, N-diethanolamine, N, N-di-n-butylethanolamine, Nn
-Butyl-N, N-diethanolamine, Nt-butyl-N, N-diethanolamine, N, N-diethylisopropanolamine, N, N-bis (2-hydroxyethyl) cyclohexylamine, and triethanolamine The photoresist stripper composition according to claim 1, which is at least one selected from the group consisting of:
エーテルの含有量が１種あたり５〜６０重量％、水の含
有量が１０〜６０重量％、そして３級アルカノールアミ
ンの含有量が３〜６０重量％である、請求項１または２
に記載のフォトレジスト剥離剤組成物。3. The content of the diethylene glycol monoalkyl ether is 5 to 60% by weight, the content of water is 10 to 60% by weight, and the content of the tertiary alkanolamine is 3 to 60% by weight. , Claim 1 or 2
3. The photoresist stripping composition according to item 1.
フォトレジスト剥離剤組成物を、フォトレジストを有す
る基材に接触させる工程を包含する、フォトレジストの
剥離方法。4. A method for stripping a photoresist, comprising a step of bringing the photoresist stripping composition according to claim 1 into contact with a substrate having a photoresist.
リコン薄膜とフォトレジストとをその表面に有する基板
である、請求項４に記載の方法。5. The method according to claim 4, wherein the substrate having the photoresist is a substrate having a silicon thin film and a photoresist on a surface thereof.
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