JP4692799B2 - Resist stripping composition - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路、液晶パネルの半導体素子回路などの製造に用いられるフォトレジスト剥離用組成物に関する。さらに詳しくは、半導体基板上または液晶用ガラス基板上に配線を形成する際に不要となったフォトレジスト残渣を高性能で除去可能なフォトレジスト剥離用組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路、液晶パネルの半導体素子回路などの製造に用いられるフォトレジストを基板上から剥離する際に、剥離用組成物が用いられる。例えば、半導体素子回路または付随する電極部の製造は、以下のように行われる。シリコン、ガラスなどの基板上にＣＶＤやスパッタなどにより形成された金属膜やＳｉＯ２膜などの絶縁膜上にフォトレジストを均一に塗布し、これを露光、現像処理をしてレジストパターンを形成する。パターン形成されたフォトレジストをマスクとして上記金属膜や絶縁膜を選択的にエッチングする。その後、不要となったフォトレジスト層を剥離用組成物を用いて剥離・除去する。これらの操作を繰り返すことにより上記回路または電極部の形成が行われる。ここで上記金属膜としては、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−シリコン−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）などのアルミニウム合金；チタン（Ｔｉ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）などのチタン合金；ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉなどのシリコンが用いられ、これらは単層または複数層にて基板上に形成される。
【０００３】
従来、フォトレジストの剥離には、有機アミン、無機アルカリ、有機酸、無機酸などの化合物を単独もしくは２種以上組合せて有機溶媒あるいは水に溶解し、必要に応じて、添加物を配合した剥離用組成物が用いられている。
【０００４】
例えば、現在モノエタノールアミン（ＭＥＡ）と有機溶媒との混合液からなる非水系の剥離液が広く使用されているが、これらの剥離液は熱やエッチングにより変質したフォトレジスト、もしくはアッシングされたフォトレジスト残渣の剥離性、除去性が十分ではない。更に、非水系の剥離液は、含水系の剥離液に比べて、より高い温度条件下で使用しなければならない。
【０００５】
また、有機アミンと有機溶媒からなる剥離液に、さらに水を加えたフォトレジスト剥離液も広く使用されているが、これらの剥離液もアッシングされた後のレジスト残渣に対する剥離性、除去性が十分ではなく、また金属配線材料に対する腐食性も大きいという欠点を持っている。
【０００６】
一方、特開平１１−２５８８２５号公報には、Ｎ−ヒドロキシアルキル置換のアミン及び含窒素複素環式ヒドロキシ化合物の中から選ばれる少なくとも1種の含窒素有機ヒドロキシ化合物及びピロカテコールを含有してなるレジスト用剥離液が記載されているが、近年、カテコールが発癌性を有することが示唆されており、安全性の面から好ましくない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記の理由から、半導体基板上や液晶用ガラス基板上に形成される金属配線材料を腐食せず、熱やエッチングにより変質したフォトレジスト、もしくはアッシングされたレジスト残渣を効果的に除去し、かつ安全性の高いフォトレジスト剥離用組成物が望まれていた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
発明者は種々の実験を重ねた結果、有機アミンと水、及び必要に応じて水溶性有機溶媒を含有するレジスト剥離用組成物に、さらに特定の化合物を含有させることでレジスト残渣を効果的に除去し、かつ金属配線材料に対する防食性にも優れることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００９】
本発明は、下記一般式（Ｉ）で示される群より選択される少なくとも１種の化合物を含有する、レジスト剥離用組成物に関する。
【００１０】
【化２】
（式中、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ同一または異なっていてもよい水素原子、低級アルキル基、水酸基、カルボキシル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、またはアミノ基を表す）。
【００１２】
好ましい実施態様においては、本発明のレジスト剥離用組成物は、前記（Ａ）一般式（Ｉ）で示される群より選択される少なくとも１種の化合物と、（Ｂ）有機アミン、及び（Ｃ）水を含有する。
【００１３】
また、別の好ましい実施態様においては、本発明のレジスト剥離用組成物は、前記（Ａ）、（Ｂ）、および(Ｃ)に加えて、さらに水溶性有機溶媒（Ｄ）を含有する。
【００１４】
好ましい実施態様においては、前記Ｒ１およびＲ４の少なくとも一つが水酸基である。
【００１５】
さらに好ましい実施態様においては、前記（Ａ）一般式（Ｉ）で示される群より選択される少なくとも１種の化合物がマルトール、もしくはコウジ酸である。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明のレジスト剥離用組成物には、下記一般式（Ｉ）で示される群より選択される少なくとも１種の化合物（以下、化合物（Ａ）ということがある）が含まれる。
【００１７】
【化３】
Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ同一または異なっていてもよい水素原子、低級アルキル基、水酸基、カルボキシル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、またはアミノ基を表す。
【００１９】
低級アルキル基としては、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく用いられる。例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが好ましく用いられる。
【００２０】
ヒドロキシアルキル基としては、炭素数１〜４のヒドロキシアルキル基が好ましく用いられる。例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、ヒドロキシブチル基などが好ましく用いられる。
【００２１】
アルコキシ基としては、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく用いられる。例えば、メトシキ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などが好ましく用いられる。
【００２２】
ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などが好ましく用いられる。
【００２３】
上記一般式（Ｉ）で表される化合物のＲ１およびＲ４の少なくとも一つは水酸基であることが好ましい。
【００２４】
上記化合物としては、Ｒ１が水酸基、Ｒ２がメチル基、Ｒ３およびＲ４が水素原子であるマルトールが好ましく用いられる。また、Ｒ１が水酸基、Ｒ２がエチル基、Ｒ３およびＲ４が水素原子であるエチルマルトールが好ましく用いられる。さらに、Ｒ１およびＲ３が水素原子、Ｒ２がヒドロキシメチル基、そしてＲ４が水酸基であるコウジ酸も好ましく用いられる。
【００２５】
化合物（Ａ）の、レジスト剥離用組成物中の含有量は、０．１〜２０重量％であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１０重量％である。化合物（Ａ）の含有量が０．１重量％未満の場合は、プラズマアッシングにより変質を受けたレジスト残渣に対する剥離性・除去性が得られない傾向にある。他方、２０重量％を超えて含有させた場合、格別な利点はなく経済的にも好ましくない。
【００２６】
本発明のレジスト剥離用組成物は、化合物（Ａ）の他に、一般に有機アミン（Ｂ）と水（Ｃ）を含む。
【００２７】
本発明の組成物に含有される有機アミン（Ｂ）としては次の化合物が挙げられるがこれに限定されない：トリエチレンテトラミン、テトラメチルエチレンジアミンなどのアルキルアミン、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、ジグリコールアミン（ＤＧＡ）などの１級アルカノールアミン；Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールアミン、Ｎ、Ｎ−ジエタノールアミンなどの２級アルカノールアミン；Ｎ、Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ、Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ、Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ、Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシルアミンなどの３級アルカノールアミン；テトラメチルアンモニウム水酸化物、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化物などの４級アンモニウム化合物；など。
【００２８】
これらの中で、モノエタノールアミン、およびジグリコールアミンなどの１級アルカノールアミンが好適に用いられる。
【００２９】
上記有機アミン（Ｂ）は、組成物中に１〜９４重量％含まれることが好ましい。より好ましくは５〜８０重量％である。有機アミン（Ｂ）の含有量が１重量％未満の場合はレジスト残渣除去性が低下する傾向にある。他方、９４重量％を超える場合は、他成分の含有量が減るためレジスト残渣除去性が得られない傾向にある。
【００３０】
水（Ｃ）は組成物中に５〜８５重量％の割合で含有されることが好ましく、より好ましくは５〜６０重量％であり、さらに好ましくは５〜４０重量％である。水の含有量が５重量％未満の場合はレジスト残渣に対する除去性が得られにくくなる傾向にある。他方、８５重量％を超える場合は、他成分の含有量が減るため、レジスト残渣除去性と、金属配線材料に対する防食性が両立できない傾向にある。
【００３１】
本発明のレジスト剥離用組成物には、水溶性有機溶媒（Ｄ）が含有されてもよい。水溶性有機溶媒（Ｄ）としては、次の化合物が用いられ得る：ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ＢＤＧ）、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、エチレングリコール、プロピレングリコールなど。
【００３２】
水溶性有機溶媒（Ｄ）の含有量は、特に限定されない。上記化合物（Ａ）、有機アミン（Ｂ）、水（Ｃ）、および必要に応じてさらに含有される防食剤の残部が水溶性有機溶媒（Ｄ）であり得る。
【００３３】
必要に応じてさらに含有される防食剤としては、アルミニウムや銅に対する当業者が通常用いる防食剤、例えば、１、２、３−ベンゾトリアゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール、２、３−ジヒドロキシナフタレン、２−メルカプトベンゾイミダゾール、Ｄ−ソルビトール、安息香酸などが挙げられる。
【００３４】
上記化合物（Ａ）、有機アミン（Ｂ）、水（Ｃ）および必要に応じて水溶性有機溶媒（Ｄ）を含有する本発明のレジスト剥離用組成物は、基板上からレジスト残渣を剥離するのに用いられる。
【００３５】
次に、半導体基板または液晶用ガラス基板を用いて半導体素子を作製する場合を例に挙げ、本発明の組成物の使用方法を説明する。例えば、基材上にＣＶＤ、スパッタリングなどによりＡｌ合金などの金属膜やＳｉＯ2などの絶縁膜を形成する。次いで、その上にフォトレジストを成膜しフォトマスクを載置して露光し、現像などの処理を行い、パターン形成を行なう。パターン形成されたフォトレジストをエッチングマスクとして金属薄膜をエッチングする。その後、アッシングによりレジストを灰化する。灰化した際に残留するレジスト残渣を、本発明の組成物を用いて剥離・除去する。具体的には、灰化後の基板を、本発明の組成物に浸漬することにより、フォトレジスト残渣が溶解もしくは剥離し、除去される。浸漬温度は通常２４〜７５℃、浸漬時間は３０秒〜３０分である。このようにして、表面に配線などが形成された半導体素子が製造される。
【００３６】
本発明のレジスト剥離用組成物を用いると、フォトレジスト残渣は、容易に基板表面から剥離し、かつ形成されたＡｌ合金などの金属膜を腐食することがない。このような組成物を用いると精度の高いパターン化基板が形成される。
【００３７】
【実施例】
以下に実施例および比較例を示し、本発明の特徴をより一層明確に説明する。本発明がこの実施例に限定されないのはいうまでもない。
【００３８】
シリコン酸化膜上にＴｉ、さらにその上にＴｉＮ、さらにその上にＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉを膜付けした基板を、パターニングされたレジストをマスクとしてＣｌ２とＢＣｌ３を用いてドライエッチングし、続いて酸素と水を用いてプラズマアッシングした時に配線側壁または上部に生成するレジスト残渣を剥離対象物としてレジスト剥離用組成物を評価した。
【００３９】
表１に示す剥離剤組成物の中に上述の対象物を７０℃で１０分浸漬した後、２４℃の純水の中に１分浸漬、さらに新たな２４℃の純水中に１分浸漬した後、２４℃の純水シャワーにて１分水洗し、最後に窒素ガスで乾燥させた。走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて剥離性（残渣除去性の程度）及びアルミニウムの腐食の程度を観察し、比較を行った。結果を表１に示す。なお、表１における剥離性およびアルミニウム防食性の評価は以下の通りである。
【表１】
一般式（Ｉ）で示される化合物（Ａ）を含有する実施例１〜５は、高いレジスト除去性とＡｌ防食性とを有することが示されるが、化合物（Ａ）を含まない比較例１〜５は、プラズマアッシングにより変質を受けたレジスト残渣物に対する剥離性が不十分であり、配線材料に対する防食性も不十分であった。
【００４２】
【発明の効果】
本発明の、一般式（Ｉ）で示される群より選択される化合物（Ａ）を含有するレジスト剥離用組成物、特に有機アミン（Ｂ）および水（Ｃ）を含有するレジスト剥離用組成物は、プラズマアッシングにより変質を受けたレジスト残渣物に対する剥離性に優れ、剥離処理後の水リンスの際に金属配線材料が腐食することがない。本発明のレジスト剥離用組成物は、特に、半導体または液晶用の電子回路などの製造工程などに好ましく用いられ、配線形成時に生成するレジスト残渣が高性能で除去され、しかも金属配線材料を腐食することがない。しかも、カテコールのような発癌性の疑いのある物質を含有していないため、安全性にも優れている。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a photoresist stripping composition used in the manufacture of semiconductor integrated circuits, semiconductor element circuits of liquid crystal panels, and the like. More specifically, the present invention relates to a photoresist stripping composition that can remove a photoresist residue that has become unnecessary when forming a wiring on a semiconductor substrate or a glass substrate for liquid crystal with high performance.
[0002]
[Prior art]
A stripping composition is used when stripping a photoresist used for manufacturing a semiconductor integrated circuit, a semiconductor element circuit of a liquid crystal panel, and the like from a substrate. For example, manufacture of a semiconductor element circuit or an accompanying electrode part is performed as follows. A photoresist is uniformly coated on a metal film formed by CVD or sputtering on a substrate such as silicon or glass, or an insulating film such as SiO 2 film, and this is exposed and developed to form a resist pattern. . The metal film and the insulating film are selectively etched using the patterned photoresist as a mask. Thereafter, the photoresist layer that is no longer needed is stripped and removed using the stripping composition. By repeating these operations, the circuit or the electrode part is formed. Here, as the metal film, aluminum alloys such as aluminum (Al) and aluminum-silicon-copper (Al-Si-Cu); titanium alloys such as titanium (Ti) and titanium nitride (TiN); a-Si, Silicon such as p-Si is used, and these are formed on the substrate in a single layer or multiple layers.
[0003]
Conventionally, for photoresist stripping, a compound such as an organic amine, an inorganic alkali, an organic acid, an inorganic acid or the like is used alone or in combination of two or more, dissolved in an organic solvent or water, and if necessary, blended with additives. The composition for use is used.
[0004]
For example, currently non-aqueous stripping solutions consisting of a mixture of monoethanolamine (MEA) and an organic solvent are widely used. These stripping solutions are photoresists that have been altered by heat or etching, or ashed photo-resist. The resist residue is not sufficiently peelable and removable. Furthermore, the non-aqueous stripping solution must be used under higher temperature conditions than the hydrous stripping solution.
[0005]
In addition, a photoresist stripping solution in which water is further added to a stripping solution composed of an organic amine and an organic solvent is widely used, but these stripping solutions are also sufficiently peelable and removable from the resist residue after ashing. However, it has a drawback that it is highly corrosive to metal wiring materials.
[0006]
On the other hand, JP-A-11-258825 discloses a resist comprising at least one nitrogen-containing organic hydroxy compound selected from N-hydroxyalkyl-substituted amines and nitrogen-containing heterocyclic hydroxy compounds and pyrocatechol. However, in recent years, it has been suggested that catechol has carcinogenicity, which is not preferable from the viewpoint of safety.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
For the above reasons, the metal wiring material formed on the semiconductor substrate or the glass substrate for liquid crystal is not corroded, and the photoresist or ashed resist residue that has been altered by heat or etching is effectively removed and safe. A highly sensitive photoresist stripping composition has been desired.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
As a result of repeating various experiments, the inventor effectively removed a resist residue by adding a specific compound to a resist stripping composition containing an organic amine, water, and, if necessary, a water-soluble organic solvent. The present invention has been completed by finding that it is excellent in corrosion resistance against metal wiring materials.
[0009]
The present invention relates to a resist stripping composition containing at least one compound selected from the group represented by the following general formula (I).
[0010]
[Chemical 2]
(Wherein R 1 to R 4 each represent a hydrogen atom, a lower alkyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, a hydroxyalkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, or an amino group, which may be the same or different).
[0012]
In a preferred embodiment, the resist stripping composition of the present invention comprises (A) at least one compound selected from the group represented by the general formula (I), (B) an organic amine, and (C). Contains water.
[0013]
In another preferred embodiment, the resist stripping composition of the present invention further contains a water-soluble organic solvent (D) in addition to the (A), (B), and (C).
[0014]
In a preferred embodiment, at least one of R 1 and R 4 is a hydroxyl group.
[0015]
In a more preferred embodiment, the (A) at least one compound selected from the group represented by the general formula (I) is maltol or kojic acid.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The resist stripping composition of the present invention contains at least one compound selected from the group represented by the following general formula (I) (hereinafter sometimes referred to as compound (A)).
[0017]
[Chemical 3]
R 1 to R 4 each represent a hydrogen atom, a lower alkyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, a hydroxyalkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, or an amino group, which may be the same or different.
[0019]
As the lower alkyl group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferably used. For example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group and the like are preferably used.
[0020]
As the hydroxyalkyl group, a hydroxyalkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferably used. For example, hydroxymethyl group, hydroxyethyl group, hydroxypropyl group, hydroxybutyl group and the like are preferably used.
[0021]
As the alkoxy group, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is preferably used. For example, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group and the like are preferably used.
[0022]
As the halogen atom, fluorine, chlorine, bromine, iodine and the like are preferably used.
[0023]
In the compound represented by the general formula (I), at least one of R 1 and R 4 is preferably a hydroxyl group.
[0024]
As the above compound, maltol wherein R 1 is a hydroxyl group, R 2 is a methyl group, and R 3 and R 4 are hydrogen atoms is preferably used. Moreover, ethyl maltol where R 1 is a hydroxyl group, R 2 is an ethyl group, and R 3 and R 4 are hydrogen atoms is preferably used. Further, kojic acid in which R 1 and R 3 are hydrogen atoms, R 2 is a hydroxymethyl group, and R 4 is a hydroxyl group is also preferably used.
[0025]
The content of the compound (A) in the resist stripping composition is preferably 0.1 to 20% by weight, more preferably 0.1 to 10% by weight. When the content of the compound (A) is less than 0.1% by weight, the releasability / removability of the resist residue that has been altered by plasma ashing tends not to be obtained. On the other hand, when the content exceeds 20% by weight, there is no particular advantage and this is not economically preferable.
[0026]
The resist stripping composition of the present invention generally contains an organic amine (B) and water (C) in addition to the compound (A).
[0027]
Examples of the organic amine (B) contained in the composition of the present invention include, but are not limited to, the following compounds: alkylamines such as triethylenetetramine and tetramethylethylenediamine, monoethanolamine (MEA), diglycolamine Primary alkanolamines such as (DGA); secondary alkanolamines such as N-methylethanolamine, N-ethylethanolamine, N-butylethanolamine, N, N-diethanolamine; N, N-dimethylethanolamine, N, Tertiary alkanolamines such as N-diethylethanolamine, N, N-dibutylethanolamine, N-methyl-N, N-diethanolamine, N, N-bis (2-hydroxyethyl) cyclohexylamine; tetramethylammonium hydroxide , Trime Quaternary ammonium compounds such as Le (2-hydroxyethyl) ammonium hydroxide; and the like.
[0028]
Among these, primary alkanolamines such as monoethanolamine and diglycolamine are preferably used.
[0029]
The organic amine (B) is preferably contained in the composition in an amount of 1 to 94% by weight. More preferably, it is 5 to 80% by weight. When the content of the organic amine (B) is less than 1% by weight, the resist residue removability tends to be lowered. On the other hand, when it exceeds 94% by weight, the content of other components is reduced, so that the resist residue removability tends not to be obtained.
[0030]
Water (C) is preferably contained in the composition in a proportion of 5 to 85% by weight, more preferably 5 to 60% by weight, and further preferably 5 to 40% by weight. When the water content is less than 5% by weight, it tends to be difficult to obtain removability from the resist residue. On the other hand, when it exceeds 85% by weight, the content of other components is reduced, so that there is a tendency that the resist residue removability and the corrosion resistance against the metal wiring material cannot be compatible.
[0031]
The resist stripping composition of the present invention may contain a water-soluble organic solvent (D). The following compounds may be used as the water-soluble organic solvent (D): diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether (BDG), N, N-dimethylacetamide, N, N- Dimethylformamide, N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, dimethyl sulfoxide (DMSO), ethylene glycol, propylene glycol and the like.
[0032]
The content of the water-soluble organic solvent (D) is not particularly limited. The said compound (A), organic amine (B), water (C), and the remainder of the anticorrosive further contained as needed may be a water-soluble organic solvent (D).
[0033]
The anticorrosive agent further contained as necessary includes anticorrosive agents commonly used by those skilled in the art for aluminum and copper, such as 1,2,3-benzotriazole, 2-mercaptobenzimidazole, 2,3-dihydroxynaphthalene, 2 -Mercaptobenzimidazole, D-sorbitol, benzoic acid and the like.
[0034]
The resist stripping composition of the present invention containing the compound (A), organic amine (B), water (C) and, if necessary, a water-soluble organic solvent (D) strips resist residues from the substrate. Used for.
[0035]
Next, the method for using the composition of the present invention will be described by taking as an example the case of producing a semiconductor element using a semiconductor substrate or a glass substrate for liquid crystal. For example, a metal film such as an Al alloy or an insulating film such as SiO 2 is formed on the substrate by CVD, sputtering, or the like. Next, a photoresist is formed thereon, a photomask is placed thereon, exposure is performed, processing such as development is performed, and pattern formation is performed. The metal thin film is etched using the patterned photoresist as an etching mask. Thereafter, the resist is ashed by ashing. The resist residue remaining upon ashing is stripped and removed using the composition of the present invention. Specifically, the photoresist residue is dissolved or peeled and removed by immersing the ashed substrate in the composition of the present invention. The immersion temperature is usually 24 to 75 ° C., and the immersion time is 30 seconds to 30 minutes. In this way, a semiconductor element having a wiring and the like formed on the surface is manufactured.
[0036]
When the resist stripping composition of the present invention is used, the photoresist residue is easily stripped from the substrate surface and does not corrode the formed metal film such as an Al alloy. When such a composition is used, a highly accurate patterned substrate is formed.
[0037]
【Example】
Examples and Comparative Examples will be shown below to explain the features of the present invention more clearly. Needless to say, the present invention is not limited to this embodiment.
[0038]
A substrate on which Ti is formed on a silicon oxide film, TiN is further formed thereon, and Al-Cu-Si is further formed thereon is dry-etched using Cl 2 and BCl 3 with a patterned resist as a mask. The resist stripping composition was evaluated using a resist residue generated on the side wall or upper part of the wiring when plasma ashing using oxygen and water as a stripping target.
[0039]
The above-mentioned object is immersed in the release agent composition shown in Table 1 for 10 minutes at 70 ° C., then immersed in pure water at 24 ° C. for 1 minute, and further immersed in pure water at 24 ° C. for 1 minute. After that, it was washed with a pure water shower at 24 ° C. for 1 minute and finally dried with nitrogen gas. The peelability (degree of residue removal) and the degree of corrosion of aluminum were observed and compared with a scanning electron microscope (SEM). The results are shown in Table 1. In addition, evaluation of peelability and aluminum corrosion resistance in Table 1 is as follows.
[Table 1]
Examples 1 to 5 containing the compound (A) represented by the general formula (I) are shown to have high resist removability and Al anticorrosion, but Comparative Examples 1 to 1 not containing the compound (A). No. 5 had insufficient peelability to resist residues that had been altered by plasma ashing, and also had insufficient corrosion resistance to wiring materials.
[0042]
【The invention's effect】
The resist stripping composition containing a compound (A) selected from the group represented by the general formula (I) of the present invention, particularly a resist stripping composition containing an organic amine (B) and water (C), In addition, it is excellent in releasability to resist residues that have been altered by plasma ashing, and the metal wiring material is not corroded during water rinsing after the stripping process. The resist stripping composition of the present invention is particularly preferably used in manufacturing processes such as electronic circuits for semiconductors or liquid crystals, and resist residues generated during wiring formation are removed with high performance and corrode metal wiring materials. There is nothing. In addition, since it does not contain a suspected carcinogenic substance such as catechol, it is excellent in safety.
Claims (5)
該（Ｂ）有機アミンが、アルキルアミン、１級アルカノールアミン、２級アルカノールアミン、３級アルカノールアミンおよび４級アンモニウム化合物からなる群より選択される少なくとも１種である、レジスト剥離用組成物。(A) At least one compound selected from the group represented by the following general formula (I):
The resist stripping composition, wherein the organic amine (B) is at least one selected from the group consisting of alkylamines, primary alkanolamines, secondary alkanolamines, tertiary alkanolamines and quaternary ammonium compounds .
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