JP4442817B2 - Photoresist stripping solution - Google Patents
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Description
本発明はホトレジスト用剥離液に関する。特には、モリブデン（Ｍｏ）とアルミニウム（Ａｌ系金属）を含む金属層が形成された基板上のホトレジストの剥離に用いられるホトレジスト用剥離液に関する。本発明は半導体素子、液晶パネル素子等の製造に好適に適用される。 The present invention relates to a photoresist stripping solution. In particular, the present invention relates to a photoresist stripping solution used for stripping a photoresist on a substrate on which a metal layer containing molybdenum (Mo) and aluminum (Al-based metal) is formed. The present invention is suitably applied to the manufacture of semiconductor elements, liquid crystal panel elements and the like.
ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子やＬＣＤ等の液晶パネル素子は、シリコンウェーハ、ガラス等の基板上にＣＶＤ蒸着された導電性金属膜やＳｉＯ２膜等の絶縁膜上に、ホトレジストを均一に塗布し、これを選択的に露光、現像処理をしてホトレジストパターンを形成し、このパターンをマスクとして上記導電性金属膜や絶縁膜を選択的にエッチングし、微細回路を形成した後、不要のホトレジスト層を剥離液で除去して製造される。かかる不要のホトレジスト層除去には、従来、安全性、剥離性の点から種々の有機系剥離液が用いられていた（例えば特許文献１〜３等）。 Semiconductor elements such as IC and LSI, and liquid crystal panel elements such as LCD are obtained by uniformly applying a photoresist on an insulating film such as a conductive metal film or SiO 2 film deposited on a substrate such as a silicon wafer or glass. Then, this is selectively exposed and developed to form a photoresist pattern. Using this pattern as a mask, the conductive metal film and the insulating film are selectively etched to form a fine circuit, and then an unnecessary photoresist layer is formed. Is removed with a stripping solution. Conventionally, various organic stripping solutions have been used for such unnecessary photoresist layer removal from the viewpoints of safety and stripping (for example, Patent Documents 1 to 3).
ここで上記ＣＶＤ蒸着された導電性金属膜の材料としては、アルミニウム（Ａｌ）；アルミニウム−ケイ素（Ａｌ−Ｓｉ）、アルミニウム−銅（Ａｌ−Ｃｕ）、アルミニウム−ケイ素−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）等のアルミニウム合金（Ａｌ合金）；チタン（Ｔｉ）；チタンナイトライド（ＴｉＮ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）等のチタン合金（Ｔｉ合金）；タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、タングステン（Ｗ）、窒化タングステン（ＷＮ）、銅（Ｃｕ）等のほか、近年、環境上の観点から、従来のクロム（Ｃｒ）の代替材料としてモリブデン（Ｍｏ）が用いられるようになってきた。金属膜は単層〜複数層にて基板上に形成される。特に液晶素子の製造においては、Ａｌ系金属（Ａｌ、Ａｌ合金）とＭｏを２〜３層、あるいはそれ以上積層した基板の使用が実用化の段階にある。 Here, as the material of the conductive metal film deposited by CVD, aluminum (Al); aluminum-silicon (Al-Si), aluminum-copper (Al-Cu), aluminum-silicon-copper (Al-Si-Cu). Aluminum alloy (Al alloy) such as Titanium (Ti); Titanium alloy (Ti alloy) such as titanium nitride (TiN), Titanium tungsten (TiW); Tantalum (Ta), Tantalum nitride (TaN), Tungsten (W ), Tungsten nitride (WN), copper (Cu), etc. In recent years, molybdenum (Mo) has been used as an alternative material for conventional chromium (Cr) from the viewpoint of the environment. The metal film is formed on the substrate in a single layer to a plurality of layers. Particularly in the production of liquid crystal elements, the use of a substrate in which two or three layers of Al-based metal (Al, Al alloy) and Mo are laminated or more is in the stage of practical use.
しかしながら、従来の剥離液では、Ａｌ系金属、Ｍｏを用いた基板の腐食防止とホトレジストの剥離の両者をともに効果的に達成することが難しく、これら両効果をともに達成できるホトレジスト用剥離液の開発が望まれていた。 However, with conventional stripping solutions, it is difficult to effectively achieve both corrosion prevention and photoresist stripping of substrates using Al-based metals and Mo, and development of a stripping solution for photoresists that can achieve both of these effects. Was desired.
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、最近の微細化、多層化した半導体、液晶表示素子の製造に用いるホトリソグラフィー技術において、Ａｌ系金属（Ａｌ、Ａｌ合金）、Ｍｏ、さらにはその他の金属に対しても腐食を発生せず、かつ、ホトレジスト膜の剥離性に優れたホトレジスト用剥離液を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and in recent photolithographic techniques used for manufacturing miniaturized, multilayered semiconductors, liquid crystal display elements, Al-based metals (Al, Al alloys), Mo, and other An object of the present invention is to provide a photoresist stripping solution which does not corrode even the above metals and is excellent in the peelability of a photoresist film.
上記課題を解決するために本発明は、（ａ）Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンを０．５〜５０質量％、（ｂ）アルカノールアミンを１０〜３０質量％、および（ｃ）水溶性有機溶媒（ただし、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンを除く）を７０〜９５質量％含有し、実質的に水を含まないホトレジスト用剥離液を提供する。 In order to solve the above problems, the present invention provides (a) N, N-diethylhydroxylamine in an amount of 0.5 to 50% by mass, (b) an alkanolamine in an amount of 10 to 30% by mass, and (c) a water-soluble organic solvent. A photoresist stripping solution containing 70 to 95% by mass (excluding N, N-diethylhydroxylamine) and substantially free of water is provided.
また本発明は、少なくともモリブデン（Ｍｏ）およびアルミニウム（Ａｌ系金属）を含む金属層が形成された基板上のホトレジストの剥離に用いる、上記ホトレジスト用剥離液の使用方法を提供する。 The present invention also provides a method for using the photoresist stripping solution used for stripping a photoresist on a substrate on which a metal layer containing at least molybdenum (Mo) and aluminum (Al-based metal) is formed.
本発明に係るホトレジスト用剥離液は、特にＡｌ系金属（Ａｌ、Ａｌ合金）、Ｍｏ、さらにはその他の金属に対しても腐食を発生せず、かつ、ホトレジスト膜の剥離性に優れる。 The stripping solution for photoresists according to the present invention does not cause corrosion, particularly with respect to Al-based metals (Al, Al alloys), Mo, and other metals, and is excellent in the peelability of the photoresist film.
以下、本発明について詳述する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.
本発明では、（ａ）成分としてＮ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンを用いる。（ａ）成分の配合量は、本発明剥離液中０．５〜５０質量％であり、好ましくは５〜２０質量％である。（ａ）成分の配合量を上記範囲内とすることにより、特に優れたモリブデン（Ｍｏ）の防食性能およびホトレジスト膜の剥離性能が得られる。 In the present invention, N, N-diethylhydroxylamine is used as the component (a). (A) The compounding quantity of a component is 0.5-50 mass% in this invention peeling liquid, Preferably it is 5-20 mass%. By making the blending amount of the component (a) within the above range, particularly excellent anticorrosion performance of molybdenum (Mo) and peeling performance of the photoresist film can be obtained.
なお、本発明において（ａ）成分に代えて、剥離液に汎用される他の剥離成分、例えばヒドロキシルアミン（ＨＡ）を用いようとした場合、ＨＡは沸点が低く使用することができず、また、トリメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）ではＭｏに対するダメージが大きく腐食防止を図ることができず、本願発明効果を得ることができない。 In the present invention, in place of the component (a), when other stripping components commonly used in stripping solutions, such as hydroxylamine (HA), are used, HA cannot be used with a low boiling point. Further, trimethylammonium hydroxide (TMAH) has a large damage to Mo and cannot prevent corrosion, and the effect of the present invention cannot be obtained.
（ｂ）成分のアルカノールアミンとしては、例えばモノエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−プロピルエタノールアミン、Ｎ−ブチエタノールアミン、ジエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、Ｎ−メチルイソプロパノールアミン、Ｎ−エチルイソプロパノールアミン、Ｎ−プロピルイソプロパノールアミン、２−アミノプロパン−１−オール、Ｎ−メチル−２−アミノ−プロパン−１−オール、Ｎ−エチル−２−アミノ−プロパン−１−オール、１−アミノプロパン−３−オール、Ｎ−メチル−１−アミノプロパン−３−オール、Ｎ−エチル−１−アミノプロパン−３−オール、１−アミノブタン−２−オール、Ｎ−メチル−１−アミノブタン−２−オール、Ｎ−エチル−１−アミノブタン−２オール、２−アミノブタン−１−オール、Ｎ−メチル−２−アミノブタン−１−オール、Ｎ−エチル−２−アミノブタン−１−オール、３−アミノブタン−１−オール、Ｎ−メチル−３−アミノブタン−１−オール、Ｎ−エチル−３−アミノブタン−１−オール、１−アミノブタン−４−オール、Ｎ−メチル１−アミノブタン−４−オール、Ｎ−エチル−１−アミノブタン−４−オール、１−アミノ−２−メチルプロパン−２−オール、２−アミノ−２−メチルプロパン−１−オール、１−アミノペンタン−４−オール、２−アミノ−４−メチルペンタン−１−オール、２−アミノヘキサン−１−オール、３−アミノヘプタン−４−オール、１−アミノオクタン−２−オール、５−アミノオクタン−４−オール、１−アミノプパン−２，３−ジオール、２−アミノプロパン−１，３−ジオール、トリス（オキシメチル）アミノメタン、１，２−ジアミノプロパン−３−オール、１，３−ジアミノプロパン−２−オール、２−（２−アミノエトキシ）エタノール等が挙げられる。中でもモノイソプロパノールアミン、モノエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミンの中から選ばれる少なくとも１種が好ましく、特にはモノイソプロパノールアミンが最も好ましく用いられる。（ｂ）成分は１種または２種以上を用いることができる。 Examples of component (b) alkanolamines include monoethanolamine, N-methylethanolamine, N-ethylethanolamine, N-propylethanolamine, N-butyethanolamine, diethanolamine, monoisopropanolamine, and N-methylisopropanolamine. N-ethylisopropanolamine, N-propylisopropanolamine, 2-aminopropan-1-ol, N-methyl-2-amino-propan-1-ol, N-ethyl-2-amino-propan-1-ol, 1-aminopropan-3-ol, N-methyl-1-aminopropan-3-ol, N-ethyl-1-aminopropan-3-ol, 1-aminobutan-2-ol, N-methyl-1-aminobutane -2-ol, N-ethyl-1-a Nobutan-2-ol, 2-aminobutan-1-ol, N-methyl-2-aminobutan-1-ol, N-ethyl-2-aminobutan-1-ol, 3-aminobutan-1-ol, N-methyl-3 -Aminobutan-1-ol, N-ethyl-3-aminobutan-1-ol, 1-aminobutane-4-ol, N-methyl 1-aminobutane-4-ol, N-ethyl-1-aminobutane-4-ol, 1-amino-2-methylpropan-2-ol, 2-amino-2-methylpropan-1-ol, 1-aminopentan-4-ol, 2-amino-4-methylpentan-1-ol, 2- Aminohexane-1-ol, 3-aminoheptan-4-ol, 1-aminooctane-2-ol, 5-aminooctane-4-ol, 1-aminop 2,3-diol, 2-aminopropane-1,3-diol, tris (oxymethyl) aminomethane, 1,2-diaminopropan-3-ol, 1,3-diaminopropan-2-ol, 2 -(2-aminoethoxy) ethanol and the like. Among these, at least one selected from monoisopropanolamine, monoethanolamine, and N-methylethanolamine is preferable, and monoisopropanolamine is most preferably used. (B) A component can use 1 type (s) or 2 or more types.
（ｂ）成分の配合量は、本発明剥離液中１０〜３０質量％であり、好ましくは１０〜２０質量％である。（ｂ）成分の配合量を上記範囲内とすることにより、特に優れたホトレジスト膜の剥離性能およびＡｌの防食性能が得られる。 (B) The amount of component is 10 weight to 30% by weight in the present invention the stripping solution, preferably 10 to 20 wt%. By setting the blending amount of the component (b) within the above range, particularly excellent peeling performance of the photoresist film and anticorrosion performance of Al can be obtained.
（ｃ）成分としての水溶性有機溶媒（ただし、（ａ）成分を除く）としては、水と混和性のある有機溶媒であればよく、他の配合成分を溶解させるものであれば任意に使用することができる。このような水溶性有機溶媒としては、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシエチル）スルホン、テトラメチレンスルホン等のスルホン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミド類；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシメチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリドン等のラクタム類；１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン類；エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールや、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルなどのジエチレングリコールモノアルキルエーテル（アルキルは炭素原子数１〜６の低級アルキル）、プロピレングリコール等の多価アルコール類、およびその誘導体が挙げられる。（ｃ）成分は１種または２種以上を用いることができる。中でも、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシドの中から選ばれる少なくとも１種が、ホトレジスト剥離性向上の点から好ましく、特には、ジエチレングリコールモノブチルエーテルとＮ−メチル−２−ピロリドンとの混合液が好ましく用いられる。該混合液において、より一層のホトレジスト膜剥離性向上の点を考慮すると、ジエチレングリコールモノブチルエーテル：Ｎ−メチル−２−ピロリドン＝７：３〜３：７（質量比）の割合で含む態様が特に好ましい。 As the water-soluble organic solvent (excluding component (a)) as the component (c), any organic solvent miscible with water may be used, and any solvent can be used as long as it dissolves other compounding components. can do. Examples of such water-soluble organic solvents include sulfoxides such as dimethyl sulfoxide; sulfones such as dimethyl sulfone, diethyl sulfone, bis (2-hydroxyethyl) sulfone, and tetramethylene sulfone; N, N-dimethylformamide, N-methyl Amides such as formamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylacetamide, N, N-diethylacetamide; N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, N-propyl-2-pyrrolidone, N -Lactams such as hydroxymethyl-2-pyrrolidone and N-hydroxyethyl-2-pyrrolidone; 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, 1,3-diethyl-2-imidazolidinone, 1,3-diisopropyl -2-imidazolidinones such as imidazolidinone; Glycol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol mono Examples include diethylene glycol monoalkyl ethers such as butyl ether (alkyl is a lower alkyl having 1 to 6 carbon atoms), polyhydric alcohols such as propylene glycol, and derivatives thereof. (C) A component can use 1 type (s) or 2 or more types. Among these, at least one selected from diethylene glycol monobutyl ether, N-methyl-2-pyrrolidone, and dimethyl sulfoxide is preferable from the viewpoint of improving the peelability of the photoresist, and in particular, diethylene glycol monobutyl ether and N-methyl-2-pyrrolidone The mixed solution is preferably used. In view of further improving the photoresist film peelability in the mixed solution, an embodiment including a ratio of diethylene glycol monobutyl ether: N-methyl-2-pyrrolidone = 7: 3 to 3: 7 (mass ratio) is particularly preferable. .
（ｃ）成分の配合量は、本発明剥離液中７０〜９５質量％であり、好ましくは７０〜９０質量％である。（ｃ）成分の配合量が上記範囲内とすることにより、特に優れたホトレジスト膜の剥離性能が得られる。
(C) The amount of component is 70 to 95 mass% in the present invention the stripping solution, preferably 70 to 90 wt%. When the blending amount of the component (c) is within the above range, a particularly excellent photoresist film peeling performance can be obtained.
本発明剥離液では、上記（ａ）〜（ｃ）成分以外には、水を実質的に含まない。水を添加成分として含むと、Ａｌ系金属の防食性に劣り、またホトレジスト剥離性も低下する。本発明剥離液では、上記（ａ）〜（ｃ）成分を上記配合量で含有することにより、本願発明効果を奏することができるが、所望によりさらに防食剤を配合してもよい。防食剤としては、芳香族ヒドロキシ化合物（例えば、ピロカテコール、ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、ピロガロール、没食子酸、等）、トリアゾール系化合物（例えば、ベンゾトリアゾール、等）、メルカプト基含有化合物（例えば、１−チオグリセロール、２−メルカプトエタノール、等）、糖アルコール系（例えば、キシリトール、ソルビトール等）などが挙げられるが、これら例示に限定されるものでない。 The stripping solution of the present invention contains substantially no water other than the components (a) to (c). When water is included as an additive component, the corrosion resistance of the Al-based metal is inferior, and the photoresist peelability is also reduced. In the stripping solution of the present invention, the effects of the present invention can be achieved by containing the components (a) to (c) in the above blending amounts, but an anticorrosive agent may be further blended if desired. Examples of the anticorrosive include aromatic hydroxy compounds (eg, pyrocatechol, tert-butylcatechol, pyrogallol, gallic acid, etc.), triazole compounds (eg, benzotriazole, etc.), mercapto group-containing compounds (eg, 1-thio). Glycerol, 2-mercaptoethanol, etc.), sugar alcohols (for example, xylitol, sorbitol, etc.) and the like are exemplified, but are not limited to these examples.
本発明のホトレジスト用剥離液は、ネガ型およびポジ型ホトレジストを含めてアルカリ水溶液で現像可能なホトレジストに有利に使用できる。このようなホトレジストとしては、（i）ナフトキノンジアジド化合物とノボラック樹脂を含有するポジ型ホトレジスト、（ii）露光により酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する化合物およびアルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型ホトレジスト、（iii）露光により酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する基を有するアルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型ホトレジスト、および（iv）光により酸を発生する化合物、架橋剤およびアルカリ可溶性樹脂を含有するネガ型ホトレジスト等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。 The photoresist stripping solution of the present invention can be advantageously used for photoresists that can be developed with an aqueous alkaline solution, including negative and positive photoresists. Such photoresists include (i) a positive photoresist containing a naphthoquinonediazide compound and a novolak resin, (ii) a compound that generates an acid upon exposure, a compound that decomposes by acid and increases its solubility in an aqueous alkali solution, and an alkali-soluble compound. A positive photoresist containing a resin, (iii) a compound that generates an acid upon exposure, a positive photoresist containing an alkali-soluble resin having a group that is decomposed by an acid and increases the solubility in an alkaline aqueous solution, and (iv) by light Examples thereof include, but are not limited to, a negative photoresist containing a compound that generates an acid, a crosslinking agent, and an alkali-soluble resin.
本発明のホトレジスト用剥離液の使用態様は、ホトリソグラフィー法により得られたホトレジストパターンを形成し、これをマスクとして導電性金属膜（特には、Ａｌ系金属、Ｍｏ）や絶縁膜を選択的にエッチングし、微細回路を形成した後ホトレジスト膜を剥離する場合に用いられる。 The photoresist stripping solution of the present invention is used by forming a photoresist pattern obtained by a photolithography method and selectively using a conductive metal film (particularly, Al-based metal, Mo) or an insulating film as a mask. This is used when the photoresist film is removed after etching to form a fine circuit.
本発明では、特に、Ａｌ系金属層およびＭｏ層を２〜３層、あるいはそれ以上の積層構造で有する基板上に形成されたホトレジストの剥離において、ホトレジスト膜の剥離性、基板の防食性のいずれにも優れるという特有の効果を有する。 In the present invention, in particular, in the peeling of a photoresist formed on a substrate having an Al-based metal layer and a Mo layer having a laminated structure of 2 to 3 layers or more, any of the peelability of the photoresist film and the corrosion resistance of the substrate Has a unique effect of being excellent.
ホトレジスト層の形成、露光、現像、およびエッチング処理は、いずれも慣用的な手段であり、特に限定されない。エッチングはウェットエッチング、ドライエッチングのいずれも用いられ得るが、本発明剥離液は、ウェットエッチング後のホトレジスト膜の剥離に特に好適に用いられ得る。 The formation of the photoresist layer, exposure, development, and etching are all conventional means and are not particularly limited. Although either wet etching or dry etching can be used for etching, the stripping solution of the present invention can be particularly suitably used for stripping a photoresist film after wet etching.
本発明の剥離液を用いた剥離処理は通常、浸漬法、シャワー法により施される。剥離時間は、剥離される十分な時間であればよく、特に限定されるものではないが、より短時間で剥離処理可能なものが好ましい。 The stripping treatment using the stripping solution of the present invention is usually performed by an immersion method or a shower method. The peeling time is not particularly limited as long as it is a sufficient time for peeling, but is preferably one that can be peeled in a shorter time.
なお剥離処理を行った後、慣用的に施されている純水や低級アルコール等を用いたリンス処理および乾燥処理を施してもよい。 In addition, after performing a peeling process, you may perform the rinse process and drying process using the pure water, lower alcohol, etc. which are conventionally performed.
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでない。
（実施例１〜６、比較例１〜６）
EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited at all by these examples.
(Examples 1-6, Comparative Examples 1-6)
［ホトレジスト膜の剥離性］
シリコン基板上に、ナフトキノンジアジド化合物とノボラック樹脂からなるポジ型ホトレジストであるＴＦＲ−Ｈ（東京応化工業（株）製）をスピンナーで塗布し、１１０℃にて９０秒間プリベークを施し、膜厚１．５μｍのホトレジスト層を形成した。このホトレジスト層をＮＳＲ−１５０５Ｇ４Ｄ（（株）ニコン製）を用いてマスクパターンを介して露光し、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液にて現像し、ホトレジストパターンを形成した。次いで１６０℃で９０秒間のポストベークを行った。
[Removability of photoresist film]
On a silicon substrate, TFR-H (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.), which is a positive photoresist made of a naphthoquinonediazide compound and a novolak resin, was applied with a spinner, pre-baked at 110 ° C. for 90 seconds, and a film thickness of 1. A 5 μm photoresist layer was formed. This photoresist layer was exposed through a mask pattern using NSR-1505G4D (manufactured by Nikon Corporation) and developed with an aqueous 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution to form a photoresist pattern. Next, post-baking was performed at 160 ° C. for 90 seconds.
次に、上記の条件で形成したホトレジストパターンを有する基板を、下記表１に示すホトレジスト用剥離液（７０℃）に浸漬し、ホトレジストが完全に溶解するまでの時間を測定し、下記評価基準により評価した。結果を表１に示す。
（評価）
Ｓ： 剥離液浸漬後、約２分間でホトレジストが完全に溶解した
Ａ： 剥離液浸漬後、ホトレジストが完全に溶解するのに５分間程度かかった
Ｂ： 剥離液浸漬後、ホトレジストが完全に溶解するのに１０分間程度かかった
Ｃ： 剥離液浸漬後、ホトレジストが完全に溶解するのに１５分間程度かかった
Next, the substrate having the photoresist pattern formed under the above conditions is immersed in a photoresist stripping solution (70 ° C.) shown in Table 1 below, and the time until the photoresist is completely dissolved is measured. evaluated. The results are shown in Table 1.
(Evaluation)
S: The photoresist was completely dissolved in about 2 minutes after immersion in the stripping solution. A: It took about 5 minutes for the photoresist to completely dissolve after immersion in the stripping solution. B: The photoresist was completely dissolved after immersion in the stripping solution. C: It took about 15 minutes for the photoresist to completely dissolve after immersion in the stripping solution.
［Ｍｏ防食性］
シリコン基板上にモリブデン（Ｍｏ）層を形成（２００ｎｍ厚）した後、該基板を、下記表１に示すホトレジスト用剥離液に７０℃、２０分間浸漬し、シート抵抗値を測定し、その結果からＭｏの膜減り量（エッチング量）を求め、Ｍｏ層に対する防食性を、下記評価基準により評価した。結果を表１に示す。なお、シート抵抗値の測定は、ＶＲ−７０（国際電気（株）製）を用いて測定した。
（評価）
Ｓ： 腐食は全くみられなかった
Ａ： 腐食が散見された
Ｂ： 深刻な腐食が発生していた
[Mo corrosion protection]
After forming a molybdenum (Mo) layer (200 nm thickness) on a silicon substrate, the substrate was immersed in a photoresist stripping solution shown in Table 1 below at 70 ° C. for 20 minutes, and the sheet resistance value was measured. The amount of film loss (etching amount) of Mo was determined, and the anticorrosion properties for the Mo layer were evaluated according to the following evaluation criteria. The results are shown in Table 1. The sheet resistance value was measured using VR-70 (made by Kokusai Electric Co., Ltd.).
(Evaluation)
S: No corrosion was observed. A: Corrosion was observed. B: Serious corrosion occurred.
［Ａｌ防食性］
シリコン基板上にＡｌ合金（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）層を形成（２００ｎｍ厚）した後、該基板を、下記表１に示すホトレジスト用剥離液に浸漬し、シート抵抗値を測定し、その結果からＡｌ合金層の膜減り量を求め、Ａｌ合金層に対する防食性を、下記評価基準により評価した。結果を表１に示す。なお、シート抵抗値の測定は、上記Ｍｏ層の腐食試験と同じ測定装置を用いた。
（評価）
Ｓ： 腐食は全くみられなかった
Ａ： 腐食が散見された
Ｂ： 深刻な腐食が発生していた
[Al anticorrosion]
After forming an Al alloy (Al-Si-Cu) layer (200 nm thickness) on a silicon substrate, the substrate was immersed in a photoresist stripping solution shown in Table 1 below, and a sheet resistance value was measured. The amount of film loss of the Al alloy layer was determined, and the anticorrosion properties for the Al alloy layer were evaluated according to the following evaluation criteria. The results are shown in Table 1. The sheet resistance value was measured using the same measuring device as that for the Mo layer corrosion test.
(Evaluation)
S: No corrosion was observed. A: Corrosion was observed. B: Serious corrosion occurred.
表１の結果から明らかなように、実施例１〜６ではＡｌ合金、Ｍｏの両者の防食性に優れるとともに、ホトレジスト膜剥離性にも優れることが確認された。一方、比較例１〜５のいずれにおいても、Ａｌ合金、Ｍｏの両者の防食性、およびホトレジスト膜剥離性の効果の両立は得られなかった。 As is clear from the results in Table 1, in Examples 1 to 6, it was confirmed that both the Al alloy and the Mo were excellent in corrosion resistance and the photoresist film peelability was also excellent. On the other hand, in any of Comparative Examples 1 to 5, it was not possible to achieve both the effects of the corrosion resistance of both the Al alloy and Mo, and the effect of removing the photoresist film.
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