JP2002270942A - 高周波信号入力端子付光送信モジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】回路基板からの１０ＧＨｚ以上の周波数成分を
含む正相信号及び逆相信号の相補的な信号を嵩高い同軸
コネクタを使用することなく入力して動作する光送信モ
ジュール、従って同軸ケーブルの配置部を必要とせずに
実装することが出来て、回路基板を小型化する。 【解決手段】光を出射する半導体レーザ素子１２と、半
導体レーザ素子１２を駆動する半導体回路素子１４を内
包するパッケージ２２は、半導体レーザ素子１２からの
光を伝送するための光ファイバ１６を固定する光ファイ
バ支持面４４、これと対向する対向面４６が設けられて
いる。対向面４６には正相信号を半導体回路素子１４に
入力する正相信号用リードピン３１と、逆相信号を半導
体回路素子に入力する逆相信号用リードピン３２が対向
面４６を貫通して備える。半導体回路素子１４は、正相
信号用リードピン３１と逆相信号用リードピン３２から
入力された１０ＧＨｚ以上の周波数成分を含む正相信号
及び逆相信号の相補的な信号を受けて単相信号に変換し
て半導体レーザ素子１２に出力する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信で光源とし
て用いられる光送信モジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】図５は、従来技術による光送信モジュー
ル９０の典型的な構成を示す斜視図である。光通信で光
源として用いる従来技術による光送信モジュール９０に
おいて、２．５ＧＨｚ以上の高周数成分を含む正相信号
及び逆相信号の相補的な信号をパッケージ外部からパッ
ケージ内部に伝送するのに、正相信号と逆相信号のイン
ピーダンス整合を目的として、一般的なバタフライ型パ
ッケージ９２の側面にＳＭＡ型またはＧＰＯ型などの同
軸コネクタ９１ｂを備えた構成とするのが一般的であっ
た。そして同軸コネクタ９１ｂは、同軸コネクタ９１ｂ
自体の大きさによる制約から、光ファイバ９４が固定さ
れた光ファイバ支持面９３と対向するパッケージ側面に
備えることができず、光ファイバ９４が固定された光フ
ァイバ支持面９３と直交するパッケージ側面に備えるの
が一般的であった。

【０００３】図６は、従来技術による光送信モジュール
９０を回路基板９５に実装した典型的な構成を示す図で
ある。回路基板９５は主に、同軸コネクタ９１ｂを備え
た光送信モジュール９０と、電気素子９８及び同軸コネ
クタ９１ａを含むこの光送信モジュール９０を制御する
ための電気回路部９６から構成されている。そして、従
来技術による光送信モジュール９０では、２．５GHz以
上の高周波数成分を含む正相信号及び逆相信号の相補的
な信号を光送信モジュール９０に入力するために光送信
モジュール９０と回路基板９５の電気回路部９６との間
は、電気回路部９６に設けた同軸コネクタ９１ａと光送
信モジュール９０に設けられた同軸コネクタ９１bとを
同軸ケーブル９７で結ぶのが一般的であった。ここで、
光送信モジュール９０には、光送信モジュール９０から
出射される光を導出する光ファイバ９４が備えられてお
り、この光ファイバ９４が備えられた光送信モジュール
９０の光ファイバ支持面９３は回路基板９５からの光信
号の出力端として、回路基板９５の一辺９５ａに沿うよ
うに配置する必要がある。また電気回路部９６は、回路
基板９５を設計する際の自由度を確保する観点から回路
基板９５の一辺９５ａと対向する他辺９５ｂに沿うよう
に配置する必要がある。ここで、同軸ケーブル９７を伝
送する高周波信号を劣化させないために、電気回路部９
６に設けた同軸コネクタ９１ａと光送信モジュール９０
に設けた同軸コネクタ９１bとを結ぶ同軸ケーブル９７
は緩やかな曲率の円弧に沿うよう回路基板９５に配置さ
れ、同軸ケーブル９７の長さは少なくとも４〜５ｃｍが
必要とされた。しかし、この構成では回路基板９５には
同軸ケーブル９７の配置部が必要となり、この配置部が
回路基板９５の小型化に対して制約要素になるという大
きな問題点があった。

【０００４】更に、同軸コネクタ９１b自体の外形寸法
上の制約は、光送信モジュール９０自体の低背化への制
約となっていた。光送信モジュール９０の小型化、とり
わけ光送信モジュール９０のパッケージ部分の小型化は
近年の光伝送装置の小型化に対して求められる命題でも
あった。

【０００５】このような問題点と併せて解決が望まれて
いる問題として、高速動作が可能な光送信モジュールが
求められている。例えば、最近では、光送信モジュール
に対して、１０ＧＨｚ以上の周波数成分を含む駆動信号
で動作することが求められている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、１０
ＧＨｚ以上の高周波数成分を含む正相信号及び逆相信号
の相補的な信号を入力して動作する光送信モジュールに
おいて、この光送信モジュールを実装した回路基板の設
計上の自由度を損なうことなく回路基板の小型化を可能
にする小型な光送信モジュールを提供することを課題と
する。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の光送信モジュールは、光を出射する半導体
レーザ素子と、半導体レーザ素子を駆動する半導体回路
素子であって、高周波数成分を含む正相信号及び逆相信
号の相補的な信号を受けこれを単相信号に変換して半導
体レーザ素子に出力する半導体回路素子と、上記半導体
レーザ素子と上記半導体回路素子を内包し、上記半導体
レーザ素子から出射する光を伝送する光ファイバを固定
する光ファイバ支持面からなるパッケージとを備える光
送信モジュールであり、上記パッケージの上記光ファイ
バ支持面と対向する上記パッケージの対向面には上記正
相信号を上記半導体回路素子に入力する正相信号用リー
ドピンと、上記逆相信号を上記半導体回路素子に入力す
る逆相信号用リードピンと、を上記対向面を貫通して備
えることを特徴とする。

【０００８】光送信モジュールに入力する高周波数成分
を含む正相信号及び逆相信号の相補的な信号の入力端子
を同軸コネクタに変えてリードピンとしたことにより、
回路基板と光送信モジュールの電気的な接続はこのリー
ドピンを回路基板上の電気回路部とハンダ材などを介し
て電気的に接続することによって実現することが出来
る。このため、回路基板から正相信号と逆相信号の相補
的な信号を光送信モジュールに入力する際に用いる同軸
ケーブルが不要となり、よって回路基板上に同軸ケーブ
ルの配置部が不要となる。従って、本発明による光送信
モジュールによれば実装する回路基板の小型化を実現す
ることが出来る。

【０００９】加えて、光送信モジュールに入力する高周
波数成分を含む正相信号及び逆相信号の相補的な信号の
入力端子を同軸コネクタに変えてリードピンとしたこと
により、光ファイバを固定する光ファイバ支持面と対向
する小さな対向面であっても正相信号及び逆相信号の相
補的な信号の入力端子を設けることが可能となる。従っ
て、本発明の光送信モジュールによれば実装する回路基
板の設計上の自由度を損なうことなく小型化することが
出来る。

【００１０】更に、光送信モジュールに入力する高周波
数成分を含む正相信号及び逆相信号の相補的な信号の入
力端子を同軸コネクタに変えてリードピンとしたことに
より、パッケージの対向面に、正相信号のリードピンと
逆相信号のリードピンはパッケージ底面と平行となる平
面上に設けることが可能となる。このため、パッケージ
の対向面に、同軸コネクタの場合と比較して正相信号及
び逆相信号の相補的な信号の入力端子をパッケージの高
さ方向に対して小さく備えることが可能となる。従っ
て、パッケージの高さが同軸コネクタの大きさに制約さ
れることがなくなり、よって光送信モジュールを低背化
することが出来る。

【００１１】本発明の光送信モジュールは、正相信号用
リードピン及び逆相信号用リードピンはパッケージ底面
と平行となる平面上において上記対向面に対して略垂直
になるよう設けられ、更に上記正相信号用リードピン及
び上記逆相信号用リードピンが設けられた上記平面であ
って上記正相信号用リードピン及び上記逆相信号用リー
ドピンの両側には上記対向面に対して略垂直に貫通する
接地用リードピンを備えることが好適である。

【００１２】これによって、１０ＧＨｚ以上の高周波数
成分を含む正相信号及び逆相信号の相補的な信号におい
ても、パッケージの対向面からそれぞれ外側へ突出した
正相信号用リードピンの正相信号と逆相信号用リードピ
ンの逆相信号との相互干渉を抑制することが可能にな
り、従ってパッケージの対向面からそれぞれ外側へ突出
した正相信号用リードピンと逆相信号用リードピンのイ
ンピーダンスを整合させることが出来る。

【００１３】本発明の光送信モジュールは、正相信号用
リードピンと、逆相信号用リードピンと、接地用リード
ピン、のパッケージ内部はコプレーナ型伝送路とするこ
とが好適である。

【００１４】これによって、高周波数成分を含む正相信
号及び逆相信号の相補的な信号においても、パッケージ
内部における正相信号用リードピンと逆相信号用リード
ピンのインピーダンスを整合させることが出来る。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の特徴、並びに利点は、添
付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の説明
する以下の詳細な記述から容易に明らかになる。

【００１６】図１は本実施形態にかかる光送信モジュー
ル１０の平面断面図、図２は図１におけるＡ−Ｂの縦断
面図である。また、図３は本実施形態にかかる光送信モ
ジュールを実装した回路基板の構成図である。

【００１７】図１及び図２において、光送信モジュール
１０は、光を出射する半導体レーザ素子１２と、半導体
レーザ素子１２を駆動する半導体回路素子１４とを含む
半導体素子アセンブリ２０がパッケージ２２によって内
包されており、半導体レーザ素子１２から出射する光を
入射させる光ファイバ１６がパッケージ２２の光ファイ
バ支持面２２ａに固定され、光ファイバ支持面２２ａに
対向するパッケージ２２の対向面２２ｂには１０ＧＨｚ
以上の高周波数成分を含む正相信号及び逆相信号の相補
的な信号を入力するためのリードピン３０を備えてい
る。

【００１８】このため、図３において、回路基板９５か
ら正相信号と逆相信号の相補的な信号を光送信モジュー
ルに入力する際に用いる同軸ケーブルが不要となり、よ
って回路基板上に同軸ケーブルの配置部が不要となる。
従って、光送信モジュール１０を実装する回路基板９５
を小型化することが出来る。

【００１９】加えて、光送信モジュール１０は、１０Ｇ
Ｈｚ以上の高周波数成分を含む正相信号及び逆相信号の
相補的な信号の入力端子として同軸コネクタに変えてリ
ードピン３０としたため、パッケージ２２の対向面２２
ｂのような小さな側面であっても高周波数成分を含む正
相信号及び逆相信号の相補的な信号の入力端子を備える
ことが出来る。従って、光送信モジュール１０を実装す
る回路基板９５の設計上の自由度を損なうことがない。

【００２０】更に、図１及び図２において光送信モジュ
ール１０は、１０ＧＨｚ以上の高周波数成分を含む正相
信号及び逆相信号の相補的な信号の入力端子として同軸
コネクタに変えてリードピン３０を備えているため、パ
ッケージ２２の高さが同軸コネクタの大きさに制約され
ることがなくなり、よって光送信モジュールを低背化す
ることが出来る。

【００２１】パッケージ２２は、Ａ−Ｂ軸と平行に沿っ
て伸びる第１側面２２ｃ及び第２側面２２ｄと、Ａ−Ｂ
軸と垂直となり光ファイバの一端部が固定される光ファ
イバ支持面２２ａ、光ファイバ支持面と対向する対向面
２２ｂを備える。

【００２２】１０ＧＨｚ以上の高周波数成分を含む正相
信号及び逆相信号の相補的な信号を入力するためのリー
ドピン３０は正相信号用リードピン３１と逆相信号用リ
ードピン３２を含み、正相信号用リードピン３１と逆相
信号用リードピン３２はパッケージ２２の底面２２ｅと
平行となる平面上において上記対向面２２ｂに対して略
垂直になるよう設けられる。そして、正相信号用リード
ピン３１と逆相信号用リードピン３２はパッケージ外部
とパッケージ内部をパッケージの対向面２２ｂで貫通す
るよう設けられている。

【００２３】更に、正相信号用リードピン３１は、パッ
ケージ外部で入力端子となる正相信号用外部リードピン
３１ａと、パッケージの対向面２２ｂを外部から内部へ
貫通する正相信号用貫通リードピン３１ｂと、パッケー
ジ内部の正相信号用内部リードピン３１ｃとから構成さ
れている。逆相信号用リードピン３２も同様に、逆相信
号用外部リードピン３２ａと、逆相信号用貫通リードピ
ン３２ｂと、逆相信号用内部リードピン３２ｃから構成
されている。

【００２４】パッケージ２２の対向面２２ｂには、正相
信号用リードピン３１及び逆相信号用リードピン３２が
設けられた平面と同一な上記平面であって上記正相信号
用リードピン３１及び逆相信号用リードピン３２の両側
に上記対向面２２ｂに対して略垂直に貫通するよう接地
用リードピン５０が設けられている。そして、接地用リ
ードピン５０はパッケージ外部とパッケージ内部をパッ
ケージの対向面２２ｂで貫通するよう設けられている。

【００２５】接地用リードピン５０は、パッケージ外部
の接地用外部リードピン（接地用外部導体）５０ａと、
パッケージ２２の対向面２２ｂを外部から内部へ貫通す
る接地用貫通リードピン（接地用貫通部導体）５０ｂ
と、パッケージ内部での接地用内部リードピン（接地用
内部導体）５０ｃから構成されている。

【００２６】正相信号用外部リードピン３１ａ、逆相信
号用外部リードピン３２ａ、接地用外部リードピン５０
ａは互いに長さ及び断面形状がほぼ等しくなるよう設け
られている。そして、パッケージ低面２２ｅと平行とな
る平面上において、接地用外部リードピン５０ａ、正相
信号用外部リードピン３１ａ、接地用外部リードピン５
０ａ、逆相信号用外部リードピン３２ａ、接地用外部リ
ードピン５０ａの順に配列されている。

【００２７】よって、１０ＧＨｚ以上の高周波数成分を
含む正相信号及び逆相信号においても、正相信号用外部
リードピン３１ａの正相信号と逆相信号用外部リードピ
ン３２ａの逆相信号の相互干渉を抑制することが可能で
あり、よって正相信号用外部リードピン３１ａと逆相信
号用外部リードピン３２ａのインピーダンスを整合させ
ることが出来る。

【００２８】パッケージ２２の対向面２２ｂであって、
正相信号用貫通リードピン３１ｂと、逆相信号用貫通リ
ードピン３２ｂと、接地用貫通リードピン５０ｂ、それ
ぞれの周辺部分は電気的絶縁材料で形成されている。こ
のため、正相信号用貫通リードピン３１ｂの正相信号と
逆相信号用貫通リードピン３２ｂの逆相信号の相互干渉
を抑制することが可能であり、よって正相信号用貫通リ
ードピン３１ｂと逆相信号用貫通リードピン３２ｂのイ
ンピーダンスを整合させることが出来る。

【００２９】正相信号用リードピン３１と、逆相信号用
リードピン３２と、接地用リードピン５０のパッケージ
２２内部は、以下に詳述するようコプレーナ型伝送路と
して形成される。

【００３０】正相信号用内部リードピン３１ｃ、逆相信
号用内部リードピン３２ｃ、接地用内部リードピン（接
地用内部導体）５０ｃは、誘電体材料からなる内部基板
５４の上面５４ａに搭載されている。

【００３１】正相信号用内部リードピン３１ｃと逆相信
号用内部リードピン３２ｃは、ストライプ形状を有して
直線的に延伸し、延伸する長さ及び延伸方向に直交する
断面の形状が互いに等しくなるよう設けられている。

【００３２】正相信号用内部リードピン３１ｃ及び逆相
信号用内部リードピン３２ｃ、それぞれの両側には接地
用内部リードピン（接地用内部導体）５０ｃが設けられ
ている。接地用リードピン（接地用内部導体）５０ｃは
正相信号用内部リードピン３１ｃ又は逆相信号用内部リ
ードピン３２ｃと一定の間隙を残して内部基板５４の上
面５４ａを覆うよう設けられる。

【００３３】よって、１０ＧＨｚ以上の周波数成分を含
む正相信号及び逆相信号においても、正相信号用内部リ
ードピン３１ｃの正相信号と逆相信号用内部リードピン
３２ｃの逆相信号の相互干渉を抑制することが可能であ
り、よって正相信号用内部リードピン３１ｃと逆相信号
用内部リードピン３２ｃのインピーダンスを整合させる
ことが出来る。

【００３４】内部基板５４の上面５４ａのパッケージ底
面２２ｅからの高さは、正相信号用リードピン３１及び
逆相信号用リードピン３２が対向面２２ｅに対して略垂
直に延伸するよう規定される。

【００３５】パッケージ第１側面２２ｃ及びパッケージ
第２側面２２ｄには、それぞれの側面においてパッケー
ジ外部とパッケージ内部を貫通するよう、高周波数成分
を含む正相信号及び逆相信号の入力以外に用いられる複
数のリードピン（以下、第１側面リードピン６０及び第
２側面リードピン６１）が設けられている。

【００３６】第１側面リードピン６０及び第２側面リー
ドピン６１のパッケージ底面２２ｅからの高さは、対向
面２２ｂに設けられた正相信号用リードピン３１、逆相
信号用リードピン３２、接地用リードピン５０のパッケ
ージ底面からの高さとほほ等しくなるよう規定されてい
る。また第１側面リードピン６０及び第２側面リードピ
ン６１は、パッケージ底面２２ｅと略平行となるよう設
けられている。

【００３７】第１側面リードピン６０及び第２側面リー
ドピン６１は、後述する受光素子（図示せず）、温度検
知素子６２の信号入出力端子、半導体回路素子１４のバ
イアス電流供給用端子などとして用いられる。

【００３８】半導体素子アセンブリ２０は、更に半導体
回路素子１４と半導体レーザ素子１２を搭載する搭載面
６４ａとレンズ支持部６４ｂを有する搭載部材６４を備
える。レンズ支持部６４ｂは搭載面６４ａに略垂直とな
るよう延伸している。

【００３９】半導体回路素子１４、半導体レーザ素子１
２はこの順に、内部基板５４からＡ−Ｂ軸に沿って互い
に近接して搭載面６４ａに搭載され、搭載部材６４を介
してパッケージ底面２２ｅに固定されている。

【００４０】半導体レーザ素子１２は更に、チップキャ
リアなどのチップ搭載部品６３を介して搭載部材６４に
固定されている。そして半導体レーザ素子１２から出射
される光の光軸は、Ａ−Ｂ軸と平行となるよう設けられ
ている。

【００４１】正相信号用内部リードピン３１ｃ及び逆相
信号用内部リードピン３２ｃと半導体回路素子１４との
電気的接続のため、正相信号用内部リードピン３１ｃ及
び逆相信号用内部リードピン３２ｃの上面６７のパッケ
ージ底面２２ｅからの高さと、半導体回路素子１４ａに
設けられた正相信号用及び逆相信号用それぞれのワイヤ
リングパッド（図示せず）のパッケージ底面２２ｅから
の高さは、ほぼ等しくなるよう規定される。

【００４２】そして、正相信号用内部リードピン端３１
ｄ及び逆相信号用内部リードピン端３２ｄと半導体回路
素子上面１４ａに設けられたワイヤリングパッドとの間
は、それぞれ互いに長さ、断面形状の等しいボディング
ワイヤ７０で電気的に接続されている。

【００４３】同様に、チップ搭載部品６３の上面６３ａ
には半導体レーザ素子１２と電気的に接続した半導体レ
ーザ素子１２への高周数信号の入力部となるワイヤリン
グパッド（図示せず）が設けられ、上記ワイヤリングパ
ッドのパッケージ底面２２ｅからの高さと半導体素子上
面１４ａに設けられたワイヤリングパッドのパッケージ
底面２２ｅからの高さは、ほぼ等しくなるよう規定され
る。

【００４４】そして、正相信号用内部リードピン端３１
ｄ及び逆相信号用内部リードピン端３２ｄ、半導体回路
素子１４、半導体レーザ素子１２を搭載したチップ搭載
部品６３は、Ａ−Ｂ軸に沿って互いにそれぞれ近接して
配置される。よって、正相信号用内部リードピン端３１
ｄと半導体回路素子１４との間、逆相信号用内部リード
ピン端３２ｄと半導体回路素子１４との間、半導体回路
素子１４とチップ搭載部品６３との間のボンディングワ
イヤ７０，７１は、短い長さで構成することが出来る。

【００４５】上記の通り、光送信モジュール１０の正相
信号用リードピン３１と逆相信号用リードピン３２は、
１０ＧＨｚ以上の高周波数成分を含む正相信号及び逆相
信号に対してインピーダンスが整合し、またボンディン
グワイヤ７０、７１は互いに長さ、断面形状の等しく短
い長さで構成されるため、インピーダンス不整合に起因
する信号伝送特性の劣化、誤動作が防止され、光送信モ
ジュール１０の安定動作が実現する。

【００４６】半導体レーザ素子１２は、第１出射面１２
ａと、これに対向するは第２出射面１２ｂを有する。

【００４７】半導体回路素子１４は、図４に示すような
構成となつている。すなわち、入力端子Ｉ１から入力さ
れた正相信号、入力端子Ｉ２から入力された逆相信号を
増幅して出力する増幅器８０と、増幅器８０から出力さ
れた信号によって駆動する差動アンプとから主に構成さ
れる。差動アンプは、増幅器８０によって増幅された正
相信号がゲートに入力されるＦＥＴ１と、増幅器８０に
よって増幅された逆相信号がゲートに入力されるＦＥＴ
２がとからなり、ＦＥＴ１のソースとＦＥＴ２のソース
とは互いに接続され共通なソースとなっている。この共
通ソースには、変調電流制御用ＦＥＴ３が接続されてお
り、この変調電流制御用ＦＥＴ３によって、ＦＥＴ１及
びＦＥＴ２に振り分ける総電量が制御される。上記の構
成によって、ＦＥＴ１側のドレイン側からは正相信号が
出力され、ＦＥＴ２側ドレイン側からは逆相信号が出力
されることになる。また、ＦＥＴ２のドレインと変調電
流制御用ＦＥＴ３のソース間には、半導体レーザ素子１
２に対して、上記正相信号と逆相信号に加えてバイアス
電流（直流電流）を与えるためのバイアス電流制御用Ｆ
ＥＴ４が設けられている。バイアス電流制御用ＦＥＴ４
により、半導体レーザ素子が駆動するしきい値電流をバ
イアスする電流として与えることで、上記正相信号及び
逆相信号によってのみ半導体レーザの発光、消光を制御
することが可能となる。より具体的には、半導体レーザ
素子のアノード側は接地電位となっていることから、カ
ソード側の電位が負となることで半導体レーザ素子を発
光することになる。バイアス電流は、図１においてパッ
ケージ第１側面に設けられた第１側面リードピン６０ａ
及び第１側面リードピン６０ａと半導体回路素子を結ぶ
ボンディングワイヤ８１を介して供給される。

【００４８】図１及び図２において、光ファイバ１６
は、一端１６ａとこれに対向する他端（図示せず）を有
し、光ファイバの一端１６ａにはフェルール１９が備え
られ、一端１６ａと対向する光ファイバ１６の他端（図
示せず）には光結合デバイス（図示せず）が備えられて
いる。

【００４９】パッケージ２２のファイバ支持面２２ａに
は、半導体レーザ素子１２から出射する光を透過させる
光透過板８２、円筒形状を有し光透過板８２の位置に合
わせて設けられるガイド部８３、光ファイバの一端１６
ａに備えられたフェルール１９をガイド部８３に固定す
るスリーブ８４が備えられている。

【００５０】フェルール１９は、その一端１９ａをガイ
ド部８３に挿入した状態で半導体レーザ素子１２の第１
出射面１２ａからの出射光に対して、光送信モジュール
１０として最適な出力光となるよう位置調整された後
に、スリーブ８４を介してガイド部８３に溶接などで固
定される。

【００５１】光送信モジュール１０は、更に受光素子
（図示せず）、サーミスター等の温度検知素子６２、集
光レンズからなる集光レンズ部８５を備えてもよい。

【００５２】受光素子は、半導体レーザ素子の第２出射
面１２ｂから出射される光を受光可能なよう第２出射面
１２ｂと対向面２２ｂの間となる搭載部材６４の上面６
４ａ又は内部基板５４の上面５４ａ上に配置され、半導
体レーザ素子１２の第２出射面１２ｂから出射される光
を検出し電気信号に変換する。変換された電気信号は受
光素子とパッケージ第２側面２２ｄの第２側面リードピ
ン６１ａ、６１ｂを結ぶボンディングワイヤ（図示せ
ず）、第２側面リードピン６１ａ、６１ｂを介してパッ
ケージの外に出力される。

【００５３】サーミスター等の温度検知素子６２は、半
導体レーザ素子１２に近接して配置される。そして検出
した電気信号は、温度検知素子６２とパッケージ第１側
面２２ｃの第１側面リードピン６０ｃを結ぶボンディン
グワイヤ８６、パッケージ第１側面の第１側面リードピ
ン６０ｃを介してパッケージの外に出力される。

【００５４】集光レンズ部８５は、半導体レーザ素子１
２ａから出射される光を集光し光ファイバ端１６ａに入
射させるよう搭載部材６４のレンズ支持部６４ｂに固定
される。

【００５５】ここで、半導体レーザモジュール１０は、
１０ＧＨｚ以上の周波数成分を含む正相信号及び逆相信
号を差動入力により正相信号リードピン３１及び逆相信
号用リードピン３２に入力してもよい。

【００５６】これにより、１０ＧＨｚ以上の高周波数成
分を含む正相信号及び逆相信号は、パッケージ外部から
飛来する電磁ノイズ等による擾乱に対する耐性が向上
し、光送信モジュールの動作をより安定的にすることが
出来る。

【００５７】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
わる光送信モジュールでは、１０ＧＨｚ以上の高周波数
成分を含む正相信号及び逆相信号の相補的な信号の入力
端子をリードピンとすることが出来る。これにより、回
路基板から１０ＧＨｚ以上の高周波数成分を含む正相信
号及び逆相信号の相補的な信号を入力する際に同軸ケー
ブルが不要となり回路基板上に同軸ケーブルの配置を設
ける必要がなくなる。その結果、回路基板を小型化する
ことが出来る。

【００５８】更に、本発明に係わる光送信モジュールで
は、光ファイバを固定する光ファイバ支持面と対向する
対向面に、１０ＧＨｚ以上の高周波数成分を含む正相信
号及び逆相信号の相補的な信号の入力端子として、正相
信号用リードピンと逆相信号用リードピンを備えること
が可能となる。その結果、発明にかかわる光送信モジュ
ールを実装する回路基板の設計上の自由度を損なうこと
がない。

【００５９】また、本発明に係わる光送信モジュールで
は、１０ＧＨｚ以上の高周波数成分を含む正相信号及び
逆相信号の相補的な信号の入力端子をリードピンとした
ことにより、正相信号のリードピンと逆相信号のリード
ピンはパッケージ底面と平行となる平面上に設けること
が可能となる。よって、パッケージの高さが同軸コネク
タの大きさに制約されなくなり、その結果光送信モジュ
ールの低背化をすることが出来る。

【００６０】更に、正相信号用リードピンと逆相信号用
リードピンは、１０ＧＨｚ以上の高周波数成分を含む正
相信号及び逆相信号に対してもインピーダンスが整合
し、更にボンディングワイヤ７０と７１は互いに長さ、
断面形状の等しい短い長さで構成されるため、インピー
ダンス不整合に起因する信号伝送特性の劣化、誤動作が
防止され、光送信モジュール１０の安定動作が実現す
る。

【００６１】従って、１０ＧＨｚ以上の高周波数成分を
含む正相信号及び逆相信号の相補的な信号を入力して動
作する光送信モジュールにおいて、この光送信モジュー
ルを実装した回路基板の設計上の自由度を損なうことな
く回路基板の小型化を可能にする小型な光送信モジュー
ルが提供された。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態にかかる光送信モジュールの
平面断面図である。

【図２】本発明の実施形態にかかる図１のＡ−Ｂの縦断
面図である

【図３】本発明の光送信モジュールを実装した回路基板
の構成図である。

【図４】本発明の実施形態にかかる半導体回路素子の回
路構成図である。

【図５】従来技術による光送信モジュールの斜視図であ
る。

【図６】従来技術による光送信モジュールを実装した回
路基板の構成図である。

【符号の説明】

１０、９０…光送信モジュール、１２…半導体レーザ素
子、１４…半導体回路素子、１６、９４…光ファイバ、
１９…フェルール、２０…半導体素子アセンブリ、２
２、９２…パッケージ、３１…正相信号用リードピン、
３２…逆相信号用リードピン、２２ｃ…パッケージ第１
側面、２２ｄ…パッケージ第２側面、２２ａ、９３…フ
ァイバ支持側面、２２ｂ、９９…対向面、５０…接地用
リードピン、５４…内部基板、６０…第１側面リードピ
ン、６１…第２側面リードピン、６２…温度検知素子、
６３…チップ搭載部品、６４…搭載部材、７０、７１、
８１、８７…ボンディングワイヤ、８２…光透過板、８
３…ガイド部、８４…スリーブ、８５…集光レンズ部、
９１ａ、９１ｂ…同軸コネクタ、９５…回路基板、９６
…電気回路部、９７…同軸ケーブル、９８…電気素子

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光を出射する半導体レーザ素子と、 前記半導体レーザ素子を駆動する半導体回路素子であっ
   て、高周波数成分を含む正相信号及び逆相信号の相補的
   な信号を受けこれを単相信号に変換して前記半導体レー
   ザ素子に出力する半導体回路素子と、 前記半導体レーザ素子と前記半導体回路素子を内包し、
   前記半導体レーザ素子から出射する光を伝送する光ファ
   イバを固定する光ファイバ支持面からなるパッケージ
   と、を備える光送信モジュールであって、前記パッケー
   ジの前記光ファイバ支持面と対向する前記パッケージの
   対向面には前記正相信号を前記半導体回路素子に入力す
   る正相信号用リードピンと、前記逆相信号を前記半導体
   回路素子に入力する逆相信号用リードピンと、を前記対
   向面を貫通して備える、ことを特徴とする光送信モジュ
   ール。
2. 【請求項２】前記正相信号用リードピン及び前記逆相信
   号用リードピンはパッケージ底面と平行となる平面上に
   おいて前記対向面に対して略垂直になるよう設けられ、
   更に前記正相信号用リードピン及び前記逆相信号用リー
   ドピンが設けられた前記平面であって前記正相信号用リ
   ードピン及び前記逆相信号用リードピンの両側には前記
   対向面に対して略垂直に貫通するよう接地用リードピン
   を備える、ことを特徴とする請求項１に記載の光送信モ
   ジュール。
3. 【請求項３】前記正相信号用リードピンと、前記逆相信
   号用リードピンと、前記接地用リードピンの前記パッケ
   ージ内部はコプレーナ型伝送路である、ことを特徴とす
   る請求項２に記載の光送信モジュール。