JP2002270427A - インダクタ - Google Patents
インダクタInfo
- Publication number
- JP2002270427A JP2002270427A JP2001066993A JP2001066993A JP2002270427A JP 2002270427 A JP2002270427 A JP 2002270427A JP 2001066993 A JP2001066993 A JP 2001066993A JP 2001066993 A JP2001066993 A JP 2001066993A JP 2002270427 A JP2002270427 A JP 2002270427A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- inductor
- opening
- electrodes
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電体の基板に形成されていても、自己共振
周波数の低下をおこさない、Ｑ値の劣化の少ない空芯径
を有する小型のインダクタを得ること。 【解決手段】 本発明の一実施形態のインダクタ１は、
中央部に開口２Ａの開いた基板２のその開口２Ａを挟ん
で基板２の表裏の周縁部２Ｂ、２Ｃの同一位置に所定の
間隔を開けてパッド５ａ、５ｂ・・・５ｎ、６ａ、６ｂ
・・・６ｎを形成し、その表裏同一位置の各パッドをス
ルーホール７を介して電気的に連結し、前記各パッドに
金ワイヤ３ａ、３ｂ・・・３ｎ、４ａ、４ｂ・・・４ｎ
の一端を接続し、他端をそれらが互いに対向して対応す
る各パッドに隣接するパッドに接続して、開口２Ａの上
下にコイル状構造の伝送線路を形成して構成されてい
る。
周波数の低下をおこさない、Ｑ値の劣化の少ない空芯径
を有する小型のインダクタを得ること。 【解決手段】 本発明の一実施形態のインダクタ１は、
中央部に開口２Ａの開いた基板２のその開口２Ａを挟ん
で基板２の表裏の周縁部２Ｂ、２Ｃの同一位置に所定の
間隔を開けてパッド５ａ、５ｂ・・・５ｎ、６ａ、６ｂ
・・・６ｎを形成し、その表裏同一位置の各パッドをス
ルーホール７を介して電気的に連結し、前記各パッドに
金ワイヤ３ａ、３ｂ・・・３ｎ、４ａ、４ｂ・・・４ｎ
の一端を接続し、他端をそれらが互いに対向して対応す
る各パッドに隣接するパッドに接続して、開口２Ａの上
下にコイル状構造の伝送線路を形成して構成されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波用の各種無
線機器、通信機器、測定器などの高周波回路に用いて好
適なインダクタに関するものである。
線機器、通信機器、測定器などの高周波回路に用いて好
適なインダクタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】先ず、図３及び図４を参照しながら、従
来技術のインダクタの構造を説明する。
来技術のインダクタの構造を説明する。
【０００３】図３は従来技術のインダクタの斜視図、そ
して図４は図３に示したインダクタのＡ―Ａ線上におけ
る断面側面図である。
して図４は図３に示したインダクタのＡ―Ａ線上におけ
る断面側面図である。
【０００４】高周波回路に用いられるインダクタには、
薄膜構造、積層構造、巻線構造のものがあって、用途に
より使い分けられている。薄膜インダクタ、積層インダ
クタは小型であるため、例えば、携帯無線端末のインダ
クタンス素子として使用されているが、誘電体上にイン
ダクタパターンを形成するため、高い自己共振周波数と
高いＱ値を得ることができない。一方、巻線構造のイン
ダクタは、空芯線路を形成できるため、高い自己共振周
波数と高いＱ値を得られるが、その構造上、形状が大き
くなる。
薄膜構造、積層構造、巻線構造のものがあって、用途に
より使い分けられている。薄膜インダクタ、積層インダ
クタは小型であるため、例えば、携帯無線端末のインダ
クタンス素子として使用されているが、誘電体上にイン
ダクタパターンを形成するため、高い自己共振周波数と
高いＱ値を得ることができない。一方、巻線構造のイン
ダクタは、空芯線路を形成できるため、高い自己共振周
波数と高いＱ値を得られるが、その構造上、形状が大き
くなる。
【０００５】図３及び図４に、その従来技術の巻線構造
のインダクタの一例を示した。このインダクタ１０は、
誘電体の基板１１と、この基板１１の表面に互いに平行
に一定な間隔幅を開けて形成された複数の基板上電送線
路１２ａ、１２ｂ・・・１２ｎと、各基板上電送線路１
２ａ、１２ｂ・・・１２ｎの両端部に形成されたワイヤ
ボンディング用パッド１３ａ、１３ｂ・・・１３ｎ、１
４ａ、１４ｂ・・・１４ｎと、最も外側の基板上電送線
路１２ａ、１２ｎの互いに反対側の位置に形成された入
力端子パッド１５と出力端子パッド１６と、複数本の金
のような良導電性の金属ワイヤ電送線路１７ａ、１７ｂ
・・・１７ｎとなどから構成されている。
のインダクタの一例を示した。このインダクタ１０は、
誘電体の基板１１と、この基板１１の表面に互いに平行
に一定な間隔幅を開けて形成された複数の基板上電送線
路１２ａ、１２ｂ・・・１２ｎと、各基板上電送線路１
２ａ、１２ｂ・・・１２ｎの両端部に形成されたワイヤ
ボンディング用パッド１３ａ、１３ｂ・・・１３ｎ、１
４ａ、１４ｂ・・・１４ｎと、最も外側の基板上電送線
路１２ａ、１２ｎの互いに反対側の位置に形成された入
力端子パッド１５と出力端子パッド１６と、複数本の金
のような良導電性の金属ワイヤ電送線路１７ａ、１７ｂ
・・・１７ｎとなどから構成されている。
【０００６】基板上電送線路１２ａ、１２ｂ・・・１２
ｎのそれぞれの一端側のパッド１３ａ、１３ｂ・・・１
３ｎにそれぞれワイヤボンドされているワイヤ電送線路
１７ａ、１７ｂ・・・１７ｎの他端は１本ずつずれた隣
接する基板上電送線路１２ａ、１２ｂ・・・１２ｎの反
対側のパッド１４ａ、１４ｂ・・・１４ｎにワイヤボン
ドされている。例えば、図４に示したような例では、ワ
イヤ電送線路１７ｃの一端が基板上電送線路１２ｃのパ
ッド１３ｃにワイヤボンドされているとすると、そのワ
イヤ電送線路１７ｃの他端が基板上電送線路１２ｃに１
本ずれて隣接した基板上電送線路１２ｄのパッドｄにワ
イヤボンドされている。
ｎのそれぞれの一端側のパッド１３ａ、１３ｂ・・・１
３ｎにそれぞれワイヤボンドされているワイヤ電送線路
１７ａ、１７ｂ・・・１７ｎの他端は１本ずつずれた隣
接する基板上電送線路１２ａ、１２ｂ・・・１２ｎの反
対側のパッド１４ａ、１４ｂ・・・１４ｎにワイヤボン
ドされている。例えば、図４に示したような例では、ワ
イヤ電送線路１７ｃの一端が基板上電送線路１２ｃのパ
ッド１３ｃにワイヤボンドされているとすると、そのワ
イヤ電送線路１７ｃの他端が基板上電送線路１２ｃに１
本ずれて隣接した基板上電送線路１２ｄのパッドｄにワ
イヤボンドされている。
【０００７】このような構造のインダクタ１０は基板上
電送線路１２ａ、１２ｂ・・・１２ｎとワイヤ電送線路
１７ａ、１７ｂ・・・１７ｎとで高周波電流が流れる電
送線路を構成し、その入力端子パッド１５から高周波電
流を入力すると、基板上電送線路１２ａ、パッド１３
ａ、ワイヤ電送線路１７ａ、パッド１４ｂ、次の基板上
電送線路１２ｂ、パッド１３ｂ、ワイヤ電送線路１７ｂ
・・・と次々に高周波電流が流れ、出力端子パッド１６
に達し、磁界が発生し、基板上電送線路１２ａ、１２ｂ
・・・１２ｎとワイヤ電送線路１７ａ、１７ｂ・・・１
７ｎとで形成された空芯構造のインダクタ１０となる。
電送線路１２ａ、１２ｂ・・・１２ｎとワイヤ電送線路
１７ａ、１７ｂ・・・１７ｎとで高周波電流が流れる電
送線路を構成し、その入力端子パッド１５から高周波電
流を入力すると、基板上電送線路１２ａ、パッド１３
ａ、ワイヤ電送線路１７ａ、パッド１４ｂ、次の基板上
電送線路１２ｂ、パッド１３ｂ、ワイヤ電送線路１７ｂ
・・・と次々に高周波電流が流れ、出力端子パッド１６
に達し、磁界が発生し、基板上電送線路１２ａ、１２ｂ
・・・１２ｎとワイヤ電送線路１７ａ、１７ｂ・・・１
７ｎとで形成された空芯構造のインダクタ１０となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な従来構造のインダクタ１０は、伝送線路の一部分が基
板１１上にあるため、寄生キャパシタンスが生じ易く、
高いインダクタンス値と高いＱ値を実現できないという
問題点を有している。
な従来構造のインダクタ１０は、伝送線路の一部分が基
板１１上にあるため、寄生キャパシタンスが生じ易く、
高いインダクタンス値と高いＱ値を実現できないという
問題点を有している。
【０００９】従って、本発明はこのような課題を解決し
ようとするものであって、誘電体の基板に形成されてい
ても、自己共振周波数の低下をおこさない、Ｑ値の劣化
の少ない空芯径を有する小型のインダクタを得ることを
目的とするものである。
ようとするものであって、誘電体の基板に形成されてい
ても、自己共振周波数の低下をおこさない、Ｑ値の劣化
の少ない空芯径を有する小型のインダクタを得ることを
目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明では、インダクタを、中央部が開口した基板の
該開口を挟んだ前記基板の表裏の周縁部に配設された電
極を通じ、前記開口を跨いで１本のコイル状電送線路が
形成されるように順次良導電性ワイヤを接続した構造で
構成している。
に本発明では、インダクタを、中央部が開口した基板の
該開口を挟んだ前記基板の表裏の周縁部に配設された電
極を通じ、前記開口を跨いで１本のコイル状電送線路が
形成されるように順次良導電性ワイヤを接続した構造で
構成している。
【００１１】詳しくは、インダクタを、中央部が開口し
た基板の該開口を挟んだ前記基板の表裏の周縁部の同一
位置に所定の間隔を開けて電極を形成し、該表裏同一位
置の各電極をスルーホールを介して電気的に連結し、前
記各電極に良導電性ワイヤの一端を接続し、他端をそれ
らが互いに対向して対応する各電極に隣接する電極に接
続して、前記開口の上下にコイル状に構成された伝送線
路を形成している。
た基板の該開口を挟んだ前記基板の表裏の周縁部の同一
位置に所定の間隔を開けて電極を形成し、該表裏同一位
置の各電極をスルーホールを介して電気的に連結し、前
記各電極に良導電性ワイヤの一端を接続し、他端をそれ
らが互いに対向して対応する各電極に隣接する電極に接
続して、前記開口の上下にコイル状に構成された伝送線
路を形成している。
【００１２】前記良導電性ワイヤは入力する高周波電流
の周波数が高い場合には金ワイヤが最も効果的であり、
また、前記複数の電極が前記基板の前記開口縁部に千鳥
状に形成するようにしてもよい。
の周波数が高い場合には金ワイヤが最も効果的であり、
また、前記複数の電極が前記基板の前記開口縁部に千鳥
状に形成するようにしてもよい。
【００１３】それ故、請求項１に記載の発明によれば、
コイル状に形成された金属ワイヤからなる電送線路内は
誘電体の存在が極めて少ない空芯構造となり、自己共振
周波数が低下することなく、そしてＱ値が劣化し難くな
る。
コイル状に形成された金属ワイヤからなる電送線路内は
誘電体の存在が極めて少ない空芯構造となり、自己共振
周波数が低下することなく、そしてＱ値が劣化し難くな
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図を用いて、本発明の一実
施形態のインダクタを説明する。
施形態のインダクタを説明する。
【００１５】図１は本発明の一実施形態のインダクタの
斜視図、そして図２は図１に示したインダクタのＡ―Ａ
線上における断面側面図である。
斜視図、そして図２は図１に示したインダクタのＡ―Ａ
線上における断面側面図である。
【００１６】図１において、符号１０Ａは全体として本
発明のインダクタを指す。このインダクタ１は、基板２
を基に構成されており、複数本の金のような良導電性の
金属ワイヤ３ａ、３ｂ・・・３ｎ、４ａ、４ｂ・・・４
ｎが複数のパッド５ａ、５ｂ・・・５ｎ、６ａ、６ｂ・
・・６ｎに形成されたスルーホール７を通してコイル状
に接続されて、空芯構造のインダクタが形成されてい
る。なお、符号８は入力端子パッドを指し、符号９は出
力端子パッドを指す。
発明のインダクタを指す。このインダクタ１は、基板２
を基に構成されており、複数本の金のような良導電性の
金属ワイヤ３ａ、３ｂ・・・３ｎ、４ａ、４ｂ・・・４
ｎが複数のパッド５ａ、５ｂ・・・５ｎ、６ａ、６ｂ・
・・６ｎに形成されたスルーホール７を通してコイル状
に接続されて、空芯構造のインダクタが形成されてい
る。なお、符号８は入力端子パッドを指し、符号９は出
力端子パッドを指す。
【００１７】更に図２も併せて用いて詳しく説明する
と、基板２は中央部が長方形の開口２Ａが開いており、
その２辺の長辺に沿った周縁部２Ｂ、２Ｃの表裏の同一
位置に所定の間隔を開けて複数の電極であるパッド５
ａ、５ｂ・・・５ｎを表側に、パッド６ａ、６ｂ・・・
６ｎを裏側に形成し、それら表裏同一位置の各パッド５
ａ、５ｂ・・・５ｎ、６ａ、６ｂ・・・６ｎをスルーホ
ール７を介して電気的に連結し、そして各パッド５ａ、
５ｂ・・・５ｎに金製のワイヤ３ａ、３ｂ・・・３ｎ
を、裏側のパッド６ａ、６ｂ・・・６ｎに金製のワイヤ
４ａ、４ｂ・・・４ｎの一端をワイヤボンドして接続
し、他端をそれらが互いに対向して対応する各パッド５
ａ、５ｂ・・・５ｎ、６ａ、６ｂ・・・６ｎに隣接して
いるパッドにワイヤボンドして接続して、前記開口２Ａ
の上下にコイル状の伝送線路が形成されてインダクタ１
が構成されている。
と、基板２は中央部が長方形の開口２Ａが開いており、
その２辺の長辺に沿った周縁部２Ｂ、２Ｃの表裏の同一
位置に所定の間隔を開けて複数の電極であるパッド５
ａ、５ｂ・・・５ｎを表側に、パッド６ａ、６ｂ・・・
６ｎを裏側に形成し、それら表裏同一位置の各パッド５
ａ、５ｂ・・・５ｎ、６ａ、６ｂ・・・６ｎをスルーホ
ール７を介して電気的に連結し、そして各パッド５ａ、
５ｂ・・・５ｎに金製のワイヤ３ａ、３ｂ・・・３ｎ
を、裏側のパッド６ａ、６ｂ・・・６ｎに金製のワイヤ
４ａ、４ｂ・・・４ｎの一端をワイヤボンドして接続
し、他端をそれらが互いに対向して対応する各パッド５
ａ、５ｂ・・・５ｎ、６ａ、６ｂ・・・６ｎに隣接して
いるパッドにワイヤボンドして接続して、前記開口２Ａ
の上下にコイル状の伝送線路が形成されてインダクタ１
が構成されている。
【００１８】このように構成された構造のインダクタ１
はその入力端子パッド８から高周波電流を入力すると、
１番目のスルーホール７から基板２の裏側のパッド６ａ
に通じ、順次、ワイヤ４ａ、パッド６ｂへと流れ、その
パッド６ｂからスルーホール７を通じて基板２の表側の
パッド５ａ、ワイヤ３ａ、パッド５ｂへ、そしてまたス
ルーホール７を通じて基板２の上側のパッド６ｃへと順
次流れ、最終的に出力端子パッド９から出力される。こ
のように高周波電流がながれることにより、コイル状に
ワイヤ３ａ、３ｂ・・・３ｎ及びワイヤ４ａ、４ｂ・・
・４ｎで形成された電送線路内に磁界が発生する。
はその入力端子パッド８から高周波電流を入力すると、
１番目のスルーホール７から基板２の裏側のパッド６ａ
に通じ、順次、ワイヤ４ａ、パッド６ｂへと流れ、その
パッド６ｂからスルーホール７を通じて基板２の表側の
パッド５ａ、ワイヤ３ａ、パッド５ｂへ、そしてまたス
ルーホール７を通じて基板２の上側のパッド６ｃへと順
次流れ、最終的に出力端子パッド９から出力される。こ
のように高周波電流がながれることにより、コイル状に
ワイヤ３ａ、３ｂ・・・３ｎ及びワイヤ４ａ、４ｂ・・
・４ｎで形成された電送線路内に磁界が発生する。
【００１９】このように本発明のインダクタ１は基板２
の開口３全体の上下にコイル状の電送線路が形成され
た、内部が空芯の構造で構成されていて、コイルのイン
ダクタンスは基板２上のコイル径とワイヤ３ａ、３ｂ・
・・３ｎ、４ａ、４ｂ・・・４ｎの高さにより決定さ
れ、空芯の径をワイヤボンド時にワイヤアーチを大きく
コントロールすることにより自己共振周波数の低下及び
Ｑ値の劣化を抑制しながら高いインダクタンス値を持つ
インダクタを小型に形成することができるという作用を
有する。
の開口３全体の上下にコイル状の電送線路が形成され
た、内部が空芯の構造で構成されていて、コイルのイン
ダクタンスは基板２上のコイル径とワイヤ３ａ、３ｂ・
・・３ｎ、４ａ、４ｂ・・・４ｎの高さにより決定さ
れ、空芯の径をワイヤボンド時にワイヤアーチを大きく
コントロールすることにより自己共振周波数の低下及び
Ｑ値の劣化を抑制しながら高いインダクタンス値を持つ
インダクタを小型に形成することができるという作用を
有する。
【００２０】パッド５ａ、５ｂ・・・５ｎ及びパッド６
ａ、６ｂ・・・６ｎ５のパターンは、図示の実施例のよ
うに、開口２の長辺に平行な一直線上に形成してもよい
し、チドリ状に形成してもよい。
ａ、６ｂ・・・６ｎ５のパターンは、図示の実施例のよ
うに、開口２の長辺に平行な一直線上に形成してもよい
し、チドリ状に形成してもよい。
【００２１】このような構造を採ることによって基板上
に簡単にインダクタを形成することができ、しかも、そ
のインダクタンス値を巾広く簡単に選択することができ
る。なお、図１には、単体の基板２にコイル状の電送線
路を形成したインダクタ１を図示したものであるが、他
の配線回路が形成されている基板の一部分に形成しても
よいことを付言しておく。
に簡単にインダクタを形成することができ、しかも、そ
のインダクタンス値を巾広く簡単に選択することができ
る。なお、図１には、単体の基板２にコイル状の電送線
路を形成したインダクタ１を図示したものであるが、他
の配線回路が形成されている基板の一部分に形成しても
よいことを付言しておく。
【００２２】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、基板上に空芯構造のインダクタンスの高いインダク
タを極めて小型化して形成することができ、しかも自己
共振周波数を低下させること、そしてＱ値も劣化させる
ことないなど、数々の優れた効果が得られる。
ば、基板上に空芯構造のインダクタンスの高いインダク
タを極めて小型化して形成することができ、しかも自己
共振周波数を低下させること、そしてＱ値も劣化させる
ことないなど、数々の優れた効果が得られる。
【図１】 本発明の一実施形態のインダクタの斜視図で
ある。
ある。
【図２】 図１に示したインダクタのＡ―Ａ線上におけ
る断面側面図である。
る断面側面図である。
【図３】 従来技術のインダクタの斜視図である。
【図４】 図３に示したインダクタのＡ―Ａ線上におけ
る断面側面図である。
る断面側面図である。
１…本発明の一実施形態のインダクタ、２…基板、２Ａ
…開口、３ａ，３ｂ・・・３ｎ，４ａ，４ｂ・・・４ｎ
…ワイヤ、５ａ，５ｂ・・・５ｎ，６ａ，６ｂ・・・６
ｎ…パッド、７…スルーホール、８…入力端子パッド、
９…出力端子パッド
…開口、３ａ，３ｂ・・・３ｎ，４ａ，４ｂ・・・４ｎ
…ワイヤ、５ａ，５ｂ・・・５ｎ，６ａ，６ｂ・・・６
ｎ…パッド、７…スルーホール、８…入力端子パッド、
９…出力端子パッド
Claims (4)
- 【請求項１】 中央部に開口が形成された基板の該開口
を挟んだ前記基板の表裏の周縁部に配設された電極を通
じ、前記開口を跨いで１本のコイル状電送線路が形成さ
れるように順次良導電性ワイヤを接続した構造で構成さ
れていることを特徴とするインダクタ。 - 【請求項２】 中央部に開口が形成された基板の該開口
を挟んだ前記基板の表裏の周縁部の同一位置に所定の間
隔を開けて電極が形成されており、該表裏同一位置の各
電極はスルーホールを介して電気的に連結されていて、
前記各電極に良導電性ワイヤの一端が接続され、他端が
それらが互いに対向して対応している各電極に隣接する
電極に接続して、前記開口の上下にコイル状に構成され
た伝送線路を形成した構造で構成されていることを特徴
とするインダクタ。 - 【請求項３】 前記良導電性ワイヤが金ワイヤであり、
前記各電極にワイヤボンドされていることを特徴とする
請求項１及び請求項２に記載のインダクタ。 - 【請求項４】 前記複数の電極が前記基板の前記開口縁
部に千鳥状に形成されていることを特徴とする請求項１
及び請求項２に記載のインダクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001066993A JP2002270427A (ja) | 2001-03-09 | 2001-03-09 | インダクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001066993A JP2002270427A (ja) | 2001-03-09 | 2001-03-09 | インダクタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002270427A true JP2002270427A (ja) | 2002-09-20 |
Family
ID=18925412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001066993A Pending JP2002270427A (ja) | 2001-03-09 | 2001-03-09 | インダクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002270427A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007110042A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-04-26 | Sony Corp | 受動素子及びその製造方法、受動素子の実装構造及びその実装方法 |
| JP2010266233A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Murata Mfg Co Ltd | 磁界検出装置 |
| JP2013527620A (ja) * | 2010-05-26 | 2013-06-27 | タイコ・エレクトロニクス・コーポレイション | 平面インダクタデバイス |
| JP2015173189A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-10-01 | 株式会社村田製作所 | コイル装置およびコイル装置の製造方法 |
| JP6986796B1 (ja) * | 2021-06-04 | 2021-12-22 | ハイソル株式会社 | コイル構造体 |
| KR20230126445A (ko) * | 2022-02-23 | 2023-08-30 | (주)포인트엔지니어링 | 인덕터 및 그 제조 방법 |
-
2001
- 2001-03-09 JP JP2001066993A patent/JP2002270427A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007110042A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-04-26 | Sony Corp | 受動素子及びその製造方法、受動素子の実装構造及びその実装方法 |
| JP2010266233A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Murata Mfg Co Ltd | 磁界検出装置 |
| JP2013527620A (ja) * | 2010-05-26 | 2013-06-27 | タイコ・エレクトロニクス・コーポレイション | 平面インダクタデバイス |
| JP2015173189A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-10-01 | 株式会社村田製作所 | コイル装置およびコイル装置の製造方法 |
| JP6986796B1 (ja) * | 2021-06-04 | 2021-12-22 | ハイソル株式会社 | コイル構造体 |
| JP2022186186A (ja) * | 2021-06-04 | 2022-12-15 | ハイソル株式会社 | コイル構造体 |
| KR20230126445A (ko) * | 2022-02-23 | 2023-08-30 | (주)포인트엔지니어링 | 인덕터 및 그 제조 방법 |
| WO2023163459A1 (ko) * | 2022-02-23 | 2023-08-31 | (주)포인트엔지니어링 | 인덕터 및 그 제조 방법 |
| KR102655257B1 (ko) * | 2022-02-23 | 2024-04-19 | (주)포인트엔지니어링 | 인덕터 및 그 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4202914B2 (ja) | 平面誘導性部品および平面変成器 | |
| US7952460B2 (en) | Manufacturing of an electronic circuit having an inductance | |
| JP2002134319A (ja) | スパイラルインダクタ | |
| US20030122647A1 (en) | Inductor formed on a silicon substrate and method of manufacturing the same | |
| US10741320B2 (en) | Coil component | |
| KR20190021686A (ko) | 코일 부품 및 그 제조방법 | |
| US7579923B2 (en) | Laminated balun transformer | |
| CN112103284A (zh) | 芯片元件 | |
| JPH1140438A (ja) | 平面型磁気素子 | |
| CN109036798A (zh) | 用于磁芯的通孔以及相关系统和方法 | |
| JP2003036421A (ja) | 非接触型ｉｃカードおよびこれに用いる平面コイル | |
| JP2002270427A (ja) | インダクタ | |
| KR20170079183A (ko) | 코일 부품 | |
| JPH11273949A (ja) | インダクタ素子 | |
| JPH07273292A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP4159346B2 (ja) | バイアスｔ | |
| US20020097128A1 (en) | Electronic component and method of manufacturing | |
| KR20010075974A (ko) | 반도체 집적회로 공정에 의한 인덕터 및 제조 방법 | |
| JP2003347123A (ja) | 薄膜インダクタ及びそれを利用した電子機器 | |
| JPH08316067A (ja) | チョークコイル | |
| US8044514B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| JP3114392B2 (ja) | 薄膜形磁気誘導素子 | |
| JPS59114807A (ja) | プリント多層コイル | |
| JPH0227533Y2 (ja) | ||
| JPH03263805A (ja) | 磁心装置 |