JP2002269707A - 磁気ディスクメモリ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 高速性及び使い勝手の改善を図った磁気ディ
スクメモリ装置を提供する。 【解決手段】 書き込みデータに対応した書き込み電流
をライトヘッドに供給して、磁気ディスクへのデータの
書き込み動作を行う磁気ディスクメモリ装置において、
上記ライトヘッドの両端に発生する直流電圧成分を取り
出し、所定の第１電圧に設定されたヘッドショート判定
電圧又は所定の第２電圧に設定されたヘッドオープン判
定電圧とを電圧比較器６０，６１で比較してライトヘッ
ドのショート検出信号又はライトヘッドのオープン検出
信号を得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、磁気ディスクメ
モリ装置に関し、例えば読み出しヘッドとしてＭＲ（磁
気抵抗効果素子）ヘッドを使用し、書き込みヘッドとし
てインダクティブヘッドを使用した複合ヘッドを備えた
磁気ディスクメモリ装置における上記インダクティブヘ
ッドのショート／オープン検出回路に利用して有効な技
術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気ヘッドの両端ショートや断線による
オープンの異常検出回路の例として、特開平１０−３１
８１１号公報がある。同公報においては、図８に示すよ
うなライトドライバ部と電圧検出部、図９に示すような
処理部と判別部からなる異常検出回路を用い、図１０の
タイミングチャートに示すような異常検出動作によって
ヘッドの異常を検出するものである。

【０００３】つまり、図１０に示すようなヘッド電圧
（片側）波形より、図８に示すような電圧検出部を用い
て抵抗分圧により平均電圧を、ピーク検出により最大電
圧と最小電圧を得る。図９に示した処理部では図１０に
示したように最小電圧を平均電圧を中心に正側に折り返
したレベル、最大レベルに一定電圧ＶＤを加えたレベル
を生成し、判別部ではこれらのレベルの比較によりヘッ
ドが正常であるか異常であるかの判定を行う。

【０００４】正常時においては波形は平均電圧に対して
上下対称の形状を有しておらず、平均電圧から最小電圧
までの電位差の方が平均電圧から最大電圧までの電位差
よりも大きい。これに対し、ヘッド両端ショートや断線
によるオープンの状態ではヘッド電圧波形は、平均電圧
に対して上下対称となり、平均電圧から最小電圧までの
電位差と平均電圧から最大電圧までの電位差はほぼ一致
することになる。よって、最小電圧を平均電圧を中心に
正側に折り返したレベルが最大レベルに一定電圧ＶＤを
加えたレベルよりも高い場合にはヘッドは正常、この逆
の場合には異常と判定することで、ヘッド異常を検出で
きる。ここで一定電圧ＶＤは雑音等に対するマージンに
相当する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記公報の異常検出回
路では、ピーク検出を利用しているため、ピークを捕ら
えて保持するためには転送速度以上の帯域の信号処理が
必要となり、高速化のための今後の転送速度上昇におい
ては、異常検出回路の性能的な負担が重くなる。さら
に、上記の異常検出方式は平均電圧に対する波形の非対
称性を利用しているため、電流反転時のフライバック電
圧が下側、あるいは上側の一方にのみ出るようなライト
ドライバ回路にのみ適用でき、上下対称にフライバック
電圧が出るようなライトドライバ回路には適用できな
い。つまり、図８に示したライトドライバ部は、ヘッド
の高電位側はエミッタで低インピーダンスであるが、ヘ
ッドの低電位側はコレクタで高インピーダンスであるた
め、下側にのみフライバック電圧が出る。これとは異な
る方式の、例えばヘッド両端のインピーダンスが等しい
ライトドライバの場合、上下対称にフライバック電圧が
出るために上記異常検出方式は利用できない。

【０００６】また品質管理においてはＨＤＤ製造工程に
おける不良モードの特定が望まれるが、上記公報の異常
検出方式では波形が平均電圧に対して上下対称か非対称
であるかで判定するので、ヘッド異常の種類がショート
であるのかオープンであるのかという異常モードまでは
判別できない。

【０００７】この発明の目的は、高速性及び使い勝手の
改善を図った磁気ディスクメモリ装置を提供することあ
る。この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特
徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになる
であろう。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記の通りである。すなわち、書き込みデータに対応した
書き込み電流をライトヘッドに供給して、磁気ディスク
へのデータの書き込み動作を行う磁気ディスクメモリ装
置であって、上記ライトヘッドの両端に発生する直流電
圧成分を取り出し、所定の第１電圧に設定されたヘッド
ショート判定電圧又は所定の第２電圧に設定されたヘッ
ドオープン判定電圧とを電圧比較器で比較してライトヘ
ッドのショート（両端短絡）検出信号又はライトヘッド
のオープン（両端断線）検出信号を得る。

【０００９】

【発明の実施の形態】図１には、この発明に係る磁気デ
ィスクメモリ装置に設けられるヘッド異常検出回路の一
実施例のブロック図が示されている。ライトドライバ１
０は、差動のライトデータ入力を受けて、インダクティ
ブヘッドからなるライトヘッドに書き込み電流を供給す
る。

【００１０】上記ライトヘッドの両端短絡（ショート）
あるいは両端断線（オープン）を検出するために、上記
ライトヘッドの両端の電圧は、クランプ回路２０を通し
て差動増幅器３０に入力され、ここで増幅される。上記
差動増幅された信号は、絶対値回路４０により差動増幅
信号のうち絶対値的に大きい電圧が取り出されて、不完
全積分器５０に入力されて直流成分が取り出される。

【００１１】この不完全積分器５０で取り出された直流
電圧は、ヘッドショート判定電圧ＶＳを受ける比較器６
０と、ヘッドオープン判定電圧ＶＯを受ける比較器６１
により比較されて、比較器６０からはヘッドショート検
出結果出力を、比較器６１からはヘッドオープン検出結
果出力を得る。

【００１２】つまり、本発明では、高速転送、低インダ
クタンスヘッドに適した磁気ディスクライトヘッド異常
検出方法を提案するものであり、ライトヘッド両端電圧
を差動信号として取り出し、フライバック部分を上記ク
ランプ回路２０でクランプしてブライバック後のライト
電流×ヘッド抵抗で決まる直流電圧を差動増幅器３０で
差動増幅し、絶対値回路４０により差動信号正／負のう
ち高電位部分、あるいは低電位部分のみを取り出して不
完全積分回路５０により積分して、ライト電流×ヘッド
抵抗で決まる直流電圧を取り出し、予め設定した直流の
しきい値（判定）レベルＶＳとＶＯとを比較器６０と６
１によりそれぞれ比較することにより、ライトヘッド両
端のショート（線路の短絡）、オープン（線路の断線）
を別々に検出する。

【００１３】図２には、上記ライトドライバ回路の一実
施例の回路図が示されている。この実施例のライトドラ
イバ回路は、非反転のライトデータと反転のライトデー
タに対応して、ブリッジ回路を構成するトランジスタＱ
１とＱ４又はトランジスタＱ２とＱ３をオン状態にして
書き込み電流を流すものであり、ライトヘッド両端のイ
ンピーダンスが等しいので、フライバック電圧は上下対
称に出る。以下に説明する本発明のヘッド異常検出方法
ではライトヘッドの抵抗成分による直流電圧によって、
ヘッドショートあるいはヘッドオープンを検出のため、
フライバック電圧が同図のように、上下対称でも、ある
いは前記図８のような非対称の回路でもどちらでも適用
可能である。

【００１４】図１において、クランプ回路２０によりラ
イト電流反転時のフライバック電圧をクランプする。フ
ライバック後のヘッド抵抗×ライト電流で決まる電圧で
正常／異常の判定を行うので、正常時の直流成分まで削
ることがないようにクランプ回路２０のクランプ範囲が
設定される。

【００１５】図３には、この発明に係るヘッド異常検出
回路の一実施例の回路図が示されている。この実施例で
は、クランプ動作と差動増幅動作とをエミッタ結合の差
動増幅器で同時に行っており、ＲＬ×ＩＡＭＰで決まる
最大出力振幅によりクランプされずに線形増幅され出力
される範囲を決定し、ＲＥにより利得を決定する。つま
り、ヘッド両端電圧は、トランジスタＱ１０とＱ１１及
び定電流源からなるエミッタフォロワ回路を介して差動
トランジスタＱ１２とＱ１３のベースに供給される。差
動トランジスタＱ１２とＱ１３のコレクタには、それぞ
れに負荷抵抗ＲＬが設けられ、エミッタにはそれぞれに
エミッタ抵抗ＲＥが設けられる。そして、上記エミッタ
抵抗ＲＥの共通接続点と回路の接地電位との間には、バ
イアス電流源ＩＡＭＰが設けられる。

【００１６】絶対値回路は、差動トランジスタＱ１２と
Ｑ１３のコレクタ出力電圧を受け、コレクタ及びエミッ
タが共通化され、共通化されたエミッタに定電流源が設
けられたトランジスタＱ１４とＱ１５からなる。これら
のトランジスタＱ１４とＱ１５は、エミッタフォロワ回
路として動作し、上記差動トランジスタＱ１２とＱ１３
のコレクタ出力電圧のうち、いずれか高い方の電圧−Ｖ
beを出力する。すなわち差動の正側、負側のうち、高電
位側のみを単相で取り出す。つまり、上記トランジスタ
Ｑ１２又はＱ１３のコレクタ出力電圧のうち高電位側か
らトランジスタＱ１４又はＱ１５のベース，エミッタ間
電圧Ｖbe分下がった電位が取り出される。

【００１７】上記のような絶対値回路により、上記ヘッ
ド両端電圧の絶対値をとることにより、ライト電流の極
性の影響を排除し、ヘッド抵抗×ライト電流で決まる電
圧の部分は直流に変換される。このように絶対値をとっ
た信号を抵抗ＲＬＰＦとキャパシタＣＬＰＦからなるロ
ウパスフィルタ（不完全積分器）により時間積分して、
その直流電圧成分を取り出す。この実施例では、単純な
ＲＣの１次低域通過フィルタとなっている。かかる不完
全積分器での時間積分により、クランプ後に残るフライ
バツク電圧部分を平滑化することでフライバック電圧に
よる誤検出を防ぐようにできる。

【００１８】不完全積分された信号を、予め設定された
直流の判定電圧ＶＳ及びＶＯとそれぞれ比較して、この
大小関係により正常かショートあるいはオープンを判定
し、２値出力する。同図には、そのうちショートを検出
する電圧比較器が代表として例示的に示されており、差
動トランジスタＱ１６のベースに、上記不完全積分器で
取り出されたヘッド抵抗×ライト電流に対応した電圧が
印加され、差動トランジスタＱ１７のベースにショート
判定電圧ＶＳが印加される。

【００１９】特に制限されないが、この実施例では、Ｃ
ＭＯＳレベルの判定出力を得るために、上記差動トラン
ジスタＱ１６のコレクタ電流は、Ｐチャンネル型ＭＯＳ
ＦＥＴＭ１０とＭ１１からなる電流ミラー回路に供給さ
れて、その出力電流をＮチャンネル型ＭＯＳＦＥＴＭ１
４とＭ１５からなる電流ミラー回路に供給する。上記差
動トランジスタＱ１７のコレクタ電流は、Ｐチャンネル
型ＭＯＳＦＥＴＭ１２とＭ１３からなる電流ミラー回路
に供給される。そして、上記２つの電流ミラー回路の出
力側のＭＯＳＦＥＴＭ１３とＭ１５のドレインを共通接
続し、ＣＭＯＳレベルに変換された異常検出出力（ショ
ート検出出力）を得るものである。

【００２０】この実施例では、上記ヘッド抵抗×ライト
電流による直流成分が、ショート判定電圧ＶＳより低い
場合は、差動トランジスタＱ１７に電流が流れて、Ｐチ
ャンネル型ＭＯＳＦＥＴＭ１３をオン状態にし、差動ト
ランジスタＱ１６には電流が流れないことにより、Ｎチ
ャンネル型ＭＯＳＦＥＴＭ１５をオフ状態にして、ハイ
レベルの異常検出出力を得る。図示しないが、同様な比
較器が設けられてオープン検出が行われる。このオープ
ン検出用の比較器には、オープン判定用電圧ＶＯが供給
され、上記ヘッド抵抗×ライト電流による直流成分が、
ショート判定電圧ＶＯより高い場合に、オープン異常を
出力する。

【００２１】図４には、この発明に係るヘッド異常検出
回路の動作の一例を説明するための波形図が示されてい
る。ライトデータのハイレベル／ロウレベルに対応し
て、正又は負のライト電流がライトヘッドに流れるよう
にされる。ライトヘッドが正常時には、その両端電圧は
ライト電流の切り換えタイミングでフライバック電圧が
発生し、定常状態ではその抵抗成分とライト電流で決ま
る一定の直流電圧が発生する。

【００２２】これに対して、ライトヘッドの両端がショ
ートした状態では、その両端電圧はライト電流の切り換
えタイミングで寄生インダクタンス成分等によるフライ
バック電圧が発生し、定常状態では両端電圧がゼロにな
る。逆に、ライトヘッドの両端がオープン状態では、そ
の両端電圧はライトドライバの出力に対応して大振幅で
変化する。これらの３通りのヘッド両端電圧は、上記ク
ランプ差動増幅動作によって、それぞれ増幅され、絶対
値回路では極性の影響が排除されて、オープン時、正常
時及びショート時の３通りの電圧波形とされる。これを
不完全積分することにより、オープン時の電圧が最も高
く、正常時が中間電圧となり、ショート時が最も小さな
３通りの直流電圧とされる。オープン判定電圧ＶＯを、
上記オープン時と正常時の中間値に設定し、ショート判
定電圧ＶＳを正常時とショート時の中間電圧に設定する
ことにより、前記のようなオープン／正常／ショートの
３通りの状態判定を行うようにすることができる。

【００２３】この発明に係るヘッド異常検出回路では、
ヘッドインダクタンスではなくヘッド抵抗により異常を
検出する。すなわちヘッド電圧におけるフライバック後
のライト電流×ヘッド抵抗で決まるヘッド両端電位差が
ヘッド両端ショート時は減少し、オープン時は増加する
ことを利用して検出する。このためフライバック部分の
ピークを検出するような、信号帯域よりも高速の処理は
必要とされない。ヘッド両端電圧をクランプして差動増
幅できればよいので、信号帯域とほぼ同し帯域の回路で
実現可能であり、高速化に適している。またヘッド両端
ショート、オープンを区別して判定できるので、ＨＤＤ
装置製造工程における不良の種類を特定でき、品質管理
に役立てることができる。

【００２４】また、近年転送速度向上に伴いライト電流
の立ち上がり／立ち下がり時間を低減するためにヘッド
のインダクタンスが小さくなる傾向にあるため、ヘッド
両端ショート時における線路のインダクタンスによるフ
ライバック電圧と、ヘッド正常時のヘッドインダクタン
スと線路のインダクタンスの合成インダクタンスによる
フライバック電圧の差はほとんどなくなる傾向にある。
よってフライバック部分をピーク検出するような前記従
来のヘッド両端ショート検出方式では検出の精度が確保
できない、あるいは検出が不可能になると考えられる。
これに対して、本願発明に係るヘッド異常検出回路で
は、ヘッド抵抗で検出するため、ヘッドのインダククン
ス減少の影響を受けなく適用範囲を広くできる。

【００２５】さらに、本発明に係るヘッド異常検出回路
では、ライトヘッドのインダクタンスではなく抵抗によ
り直流成分で検出を行うため、ライトドライバ回路がど
んな形式であっても適用可能であり、ライトドライバ回
路による制約を受けない。たとえば前記の図８に示した
ようなヘッド両端のインピーダンスが異なりフライバッ
クが上下非対称に出るようなライトドライバ回路でも、
図２の実施例に示したようにヘッド両端のインピーダン
スが等しくフライバックが上下対称に出るような回路で
もどちらにも適用できる。このため、ヘッド異常検出回
路での制約を受けずにライトドライバ回路の設計が可能
であり、磁気ディスクメモリ装置装置全体としてライト
特性を最大限に最適化できる。

【００２６】図５には、この発明に係る磁気ディスクメ
モリ装置に設けられるヘッド異常検出回路の他の一実施
例のブロック図が示されている。前記図１の実施例で
は、入力回路から不完全積分器までの回路を、ショート
検出用とオープン検出用で共通の回路とするものであ
る。これに対して、この実施例では、ショート検出にと
っては差動増幅器の利得を大きくして正常時とショート
時のレベル差を拡大した方がよいが、出力振幅は有限で
あるのでオープン検出にとっては利得が大きいと正常時
の信号レベルがオープン時のレベルに近づいてしまうの
で利得は小さい方がよいことに着目し、オープン検出用
とショート検出用のそれぞれに対応して各回路を設ける
ものである。

【００２７】すなわち、この発明に係るヘッド異常検出
方法では、ショート検出とオープン検出でそれぞれ利得
の最適値が異なるものであるので、ショート検出系、オ
ープン検出系のように分けて回路を設けことにより、検
出の精度、検出上限の周波数を上げるようにするもので
ある。ショート検出系としては、正常時とショート時の
レベル差を拡大するために差動増幅器３０の利得を大き
くし、オープン検出系としては、正常時の信号レベルが
オープン時のレベルに近づいてしまうのを避けるために
と差動増幅器３１の利得を小さくする。他のクランプ回
路２０と２１、絶対値回路４０と４１及び不完全積分器
５０と５１は、前記実施例と同様な回路により構成され
る。

【００２８】図６には、この発明に係るヘッド異常検出
回路に用いられる差動増幅器の他の一実施例の回路図が
示されている。この実施例では、差動トランジスタＱ１
２とＱ１３のコレクタに設けられる負荷回路を、前記図
２の実施例のような抵抗負荷ＲＬだけでなく、負荷抵抗
ＲＬとダイオードＤ１，Ｄ２の並列の負荷とすること
で、ダイオードの順バイアス電圧により出力振幅、すな
わちクランプ範囲を決定することができる。この構成で
は、差動増幅器としての出力インピーダンスを低減し、
負荷駆動能力を向上できるという利点も生じる。

【００２９】この発明に係るヘッド異常検出回路では、
ヘッドオープン又はヘッドショートの異常検出可能な限
界のデータ周波数が向上するので、ランダムデータの書
き込み時にも常時異常を監視することができ、磁気ディ
スクメモリ装置としての信頼性を向上できる。つまり、
ヘッド異常を検出したら書き込みを再試行する等の処理
によるシステムの信頼性向上も可能となる。

【００３０】図７には、この発明に係る磁気ディスクメ
モリ装置の一実施例のブロック図が示されている。この
実施例の磁気ディスクメモリ装置は、磁気記録面を持つ
複数のディスクと、それを回転駆動する駆動装置（サー
ボ／スピンドル モータコントローラ；Servo/Spindle
Motor Controller) 、上記ディスク面への記録及び再生
を行う読出ＭＲヘッド及び書込インダクティブヘッド
と、そのヘッドとの間でリード／ライト信号を授受する
リード／ライトＩＣ及びリード／ライトＩＣとの間での
信号の授受を行う信号処理ＬＳＩ及びハードディスクコ
ントローラＨＤＣとメモリＤＲＡＭから構成される。

【００３１】上記のように複数の磁気ディスクのそれぞ
れの磁気記録面に対応して読出ＭＲヘッドと書込インダ
クティブヘッドからなる複合ヘッドが設けられる。これ
らのヘッドに対してリード／ライトＩＣが設けられる。
リード／ライトＩＣは、複数ヘッド回路から構成され
る。例えば８個のＭＲヘッドに対して８個のプリアンプ
が設けられ、これらのプリアンプ対して１つのポストア
ンプ出力回路が共通に設けられる。上記リード／ライト
ＩＣは、大記憶容量化のために磁気ディスクの磁気記録
面が８以上のときには、それに対応した複数個が設けら
れる。

【００３２】上記ポストアンプの一対の出力信号は、特
に制限されないが、ＤＣ出力オフセットをカットするよ
う比較的大きな容量値を持つキャパシタを介して信号処
理ＬＳＩに含まれるＡＧＣ（自動利得制御）アンプで増
幅される。このＡＧＣアンプの出力信号は、波形整形回
路により波形整形され、パルス化回路によりパルス信号
として磁気ディススク制御回路（ＨＤＣ）等の上位回路
に読み出しデータとして伝えられる。

【００３３】リード／ライトＩＣに含まれる書き込み系
回路は、複数のライトドライバに対して共通に設けられ
るヘッドドライバを備える。ヘッドドライバの出力信号
は、複数からなるライトドライバの入力に共通に伝えら
れ、選択信号により選択された書込インダクティブヘッ
ドに対応したライトドライバが動作状態となって書込イ
ンダクティブヘッドを駆動する。ライトヘッド異常検出
回路は、前記実施例のような回路からなり、個々のライ
トヘッド（インダクティブヘッド）の両端断線や両端短
絡の異常を検出する。ＩＣコントローラは、リード／ラ
イトＩＣの書き込みモード、読み出しモードの切り換え
信号や、ヘッド異常検出信号をハードディスクコントロ
ーラＨＤＣとの間で授受する。

【００３４】この実施例の磁気ディスクメモリ装置にお
いて、前記のようなヘッド異常検出回路により、ライト
ヘッドの両端ショート、オープンの異常を常時監視する
ことができ、異常が検出された場合はＨＤＣ（Hard Dis
k Controller）からの命令でデータ書き込みの再試行を
行うことにより、システムの信頼性を向上できる。また
磁気ディスク装置製造工程での選別で異常が出力され不
良と判断された場合や、実使用時の故障で異常が出力さ
れた場合でも、ヘッド両端ショートで異常となったの
か、あるいはオープンで異常となつたのか、本発明に係
るヘッド異常検出回路により不良モードを切り分けるこ
とで品質管理に役立てることができ、また製造工程での
救済や修理のための診断が容易になる。

【００３５】上記の実施例から得られる作用効果は、下
記の通りである。すなわち、 （１） 書き込みデータに対応した書き込み電流をライ
トヘッドに供給して、磁気ディスクへのデータの書き込
み動作を行う磁気ディスクメモリ装置において、上記ラ
イトヘッドの両端に発生する直流電圧成分を取り出し、
所定の第１電圧に設定されたヘッドショート判定電圧又
は所定の第２電圧に設定されたヘッドオープン判定電圧
とを電圧比較器で比較してライトヘッドのショート検出
信号又はライトヘッドのオープン検出信号を得ることに
より、ヘッド両端電圧をクランプして差動増幅できれば
よいので、信号帯域とほぼ同じ帯域の回路で実現可能で
あり、高速化に適しているとともに、ヘッド両端ショー
ト、オープンを区別して判定できるという効果が得られ
る。

【００３６】（２） 上記（１）により、磁気ディスク
メモリ装置製造工程における不良の種類を特定でき、品
質管理に役立てることができる。データの転送速度向上
に伴いライト電流の立ち上がり／立ち下がり時間を低減
するためにヘッドのインダクタンスが小さくなる傾向に
あり、かかる状態でもヘッド抵抗で異常を検出するた
め、ヘッドのインダククンス減少の影響を受けなく適用
範囲を広くできるという効果が得られる。

【００３７】（３） 上記（１）により、ライトヘッド
のインダクタンスではなく抵抗により直流成分で検出を
行うため、ライトドライバ回路がどんな形式であっても
適用可能であり、ライトドライバ回路による制約を受け
ず、ヘッド異常検出回路での制約を受けずにライトドラ
イバ回路の設計が可能であり、磁気ディスクメモリ装置
装置全体としてライト特性を最大限に最適化できるとい
う効果が得られる。

【００３８】（４） 上記ライトヘッドの両端に発生す
る直流電圧成分を取り出す回路として、ヘッドショート
検出用に対応された第１回路と、ヘッドオープン検出用
に対応された第２回路とし、第１回路の差動増幅器では
ヘッドショート検出に向けて利得を大きく設定し、上記
第２回路に対応された差動増幅器ではヘッドオープン検
出に向けて利得を小さく設定することにより、検出の精
度、検出上限の周波数を上げるようできるという効果が
得られる。

【００３９】（５） 上記により、ライトヘッドの両端
ショート、オープンの異常を常時監視することができ、
異常が検出された場合はＨＤＣからの命令でデータ書き
込みの再試行を行うことにより、システムの信頼性を向
上でき、あるいは磁気ディスク装置製造工程での選別で
異常が出力され不良と判断された場合や、実使用時の故
障で異常が出力された場合でも、ヘッド両端ショートで
異常となったのか、あるいはオープンで異常となつたの
かが判定して不良モードを切り分けることができ品質管
理に役立てたり、製造工程での救済や修理のための診断
が容易になるという効果が得られる。

【００４０】以上本発明者よりなされた発明を実施例に
基づき具体的に説明したが、本願発明は前記実施例に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種
々変更可能であることはいうまでもない。例えば、上記
クランプ回路や差動増幅器、絶対値回路や直流成分を取
り出す積分器（ロウパスフィルタ）の具体的構成は、種
々の実施形態を採ることができる。この発明は、磁気デ
ィススクメモリ装置に広く利用できる。

【００４１】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。すなわち、書き込みデータに対応した
書き込み電流をライトヘッドに供給して、磁気ディスク
へのデータの書き込み動作を行う磁気ディスクメモリ装
置において、上記ライトヘッドの両端に発生する直流電
圧成分を取り出し、所定の第１電圧に設定されたヘッド
ショート判定電圧又は所定の第２電圧に設定されたヘッ
ドオープン判定電圧とを電圧比較器で比較してライトヘ
ッドのショート検出信号又はライトヘッドのオープン検
出信号を得ることにより、ヘッド両端電圧をクランプし
て差動増幅できればよいので、信号帯域とほぼ同じ帯域
の回路で実現可能であり、高速化に適しているとともに
ヘッド両端ショート、オープンを区別して判定できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る磁気ディスクメモリ装置に設け
られるヘッド異常検出回路の一実施例を示すブロック図
である。

【図２】図１のライトドライバ回路の一実施例を示す回
路図である。

【図３】この発明に係るヘッド異常検出回路の一実施例
を示す回路図である。

【図４】この発明に係るヘッド異常検出回路の動作の一
例を説明するための波形図である。

【図５】この発明に係る磁気ディスクメモリ装置に設け
られるヘッド異常検出回路の他の一実施例を示すブロッ
ク図である。

【図６】この発明に係るヘッド異常検出回路に用いられ
る差動増幅器の他の一実施例を示す回路図である。

【図７】この発明に係る磁気ディスクメモリ装置の一実
施例を示すブロック図である。

【図８】従来のヘッド異常検出回路におけるライトドラ
イバ部と電圧検出部の回路図である。

【図９】従来のヘッド異常検出回路における処理部と判
定部の回路図である。

【図１０】従来のヘッド異常検出回路の動作を説明する
ためのタイミング図である。

【符号の説明】

１０…ライトドライバ、２０，２１…クランプ回路、３
０，３１…差動増幅器、４０，４１…絶対値回路、５
０，５１…不完全積分器、６０，６１…比較器、ＲＬ…
負荷抵抗、ＲＥ…エミッタ抵抗、ＩＡＭＰ…バイアス電
流源、Ｑ１〜Ｑ１７…トランジスタ、Ｍ１〜Ｍ１５…Ｍ
ＯＳＦＥＴ、ＲＬＰＦ…抵抗、ＣＬＰＦ…キャパシタ。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 書き込みデータに対応した書き込み電流
   をライトヘッドに供給して、磁気ディスクにデータの書
   き込み動作を行うようにした磁気ディスクメモリ装置で
   あって、 上記ライトヘッドの両端に発生する直流電圧成分を取り
   出す回路と、 上記回路により形成された直流電圧成分と所定の第１電
   圧に設定されたヘッドショート判定電圧又は所定の第２
   電圧に設定されたヘッドオープン判定電圧とを比較する
   電圧比較器とを備え、 上記電圧比較器によりヘッドショート検出信号又はヘッ
   ドオープン検出信号を得ることを特徴とする磁気ディス
   クメモリ装置。
2. 【請求項２】 請求項１において、 上記ライトヘッドの両端に発生する直流電圧成分を取り
   出す回路は、両端の差電圧を取り出す差動増幅器と、上
   記差動増幅器の差動出力のうち絶対値的に高いレベルの
   出力信号を取り出す絶対値回路と、 上記絶対値回路の出力信号を直流化する積分回路からな
   ることを特徴とする磁気ディスクメモリ装置。
3. 【請求項３】 請求項２において、 上記ライトヘッドの両端に発生する直流電圧成分を取り
   出す回路は、ヘッドショート検出用に対応された第１回
   路と、ヘッドオープン検出用に対応された第２回路から
   なり、 上記第１回路の出力信号は、上記所定の第１電圧に設定
   されたヘッドショート判定電圧とを比較する第１電圧比
   較器に供給され、 上記第２回路の出力信号は、上記所定の第２電圧に設定
   されたヘッドオープン判定電圧とを比較する第２電圧比
   較器に供給され、 上記第１電圧比較器からヘッドショート検出信号を出力
   し、 上記第２電圧比較器からヘッドオープン検出信号を出力
   することを特徴とする磁気ディスクメモリ装置。
4. 【請求項４】 請求項３において、 上記第１回路に対応された差動増幅器は、ヘッドショー
   ト検出に向けて利得が大きく設定され、 上記第２回路に対応された差動増幅器は、ヘッドオープ
   ン検出に向けて、上記第１回路の差動増幅器に比べて利
   得が小さく設定されてなることを特徴とする磁気ディス
   クメモリ装置。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれにおいて、 上記ライトヘッドは、インダクティブヘッドにより構成
   され、読み出し用にＭＲヘッドが用いられるものである
   ことを特徴とする磁気ディスクメモリ装置。