JP2002245603A - 磁気記録装置 - Google Patents

磁気記録装置

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JP2002245603A JP2001037935A JP2001037935A JP2002245603A JP 2002245603 A JP2002245603 A JP 2002245603A JP 2001037935 A JP2001037935 A JP 2001037935A JP 2001037935 A JP2001037935 A JP 2001037935A JP 2002245603 A JP2002245603 A JP 2002245603A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、インダクティブヘッドのライト電流
の電流値や電源電圧の電圧値に依存することなく、常に
正しいヘッド異常検出動作が可能な磁気記録装置を提供
することを目的とする。 【解決手段】本発明の磁気記録装置は、ヘッド4と、ラ
イト電流IWRを制御するライト電流設定回路11と、ヘ
ッド電圧HX、HYと基準電圧Vrefとを比較してヘッ
ド4の異常を検出するライトアンセーフ検出回路15
と、を有し、ライト電流IWR及び電源電圧Vccに応じて
基準電圧Vrefを変化させる構成である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体(フ
ロッピーディスク等)への情報記録手段としてインダク
ティブヘッドを有する磁気記録装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図6は従来の磁気記録装置の一構成例を
示すブロック図である。本図に示す磁気記録装置におい
て磁気記録媒体に対する情報の記録を行う際には、ホス
ト(図示せず)からライトドライバ100に対してライ
トデータDWRが入力される。ライトドライバ100は入
力されたライトデータDWRに基づいて、インダクティブ
ヘッド110(以下、ヘッド110と呼ぶ)に供給する
ライト電流IWRの向きを切り換える。このような動作に
より、磁気記録媒体はヘッド110のライト電流IWR
応じた方向に磁化され、ライトデータDWRの書き込みが
行われる。
【0003】上記したライト電流IWRの電流値は、ライ
ト電流設定回路101からライトドライバ100に供給
される制御電流IWRrefの電流値に比例している。な
お、ライト電流設定回路101はホストから与えられる
制御信号CNTに基づいて制御電流IWRref(すなわち
ライト電流IWR)の電流値を変化させる回路である。
【0004】また、従来の磁気記録装置には、比較器1
02、103を入力段に有する第1ライトアンセーフ検
出回路105(以下、第1WUS回路105と呼ぶ)
と、比較器106、107を入力段に有する第2ライト
アンセーフ検出回路109(以下、第2WUS回路10
9と呼ぶ)を始めとする多数の検出回路が設けられてい
る。これら多数の検出回路は、ヘッド110の両端に現
れるヘッド電圧HX、HYと所定の基準電圧(第1、第
2WUS回路105、109については第1、第2基準
電圧Vref1、Vref2)との比較結果に基づいてヘッド1
10の各種異常を検出する回路である。
【0005】本図に示すように、比較器102、103
の非反転入力端子(+)には第1直流電圧源104(第
1基準電圧Vref1)が接続されており、比較器106、
107の非反転入力端子(+)には第2直流電圧源10
8(第2基準電圧Vref2)が接続されている。また、比
較器102、106の各反転入力端子(−)にはヘッド
110の一端(ヘッド電圧HX)が接続されており、比
較器103、107の各反転入力端子(−)にはヘッド
110の他端(ヘッド電圧HY)が接続されている。一
方、比較器102、103の出力端子はそれぞれ第1W
US回路105の入力端子に接続されており、比較器1
06、107の出力端子はそれぞれ第2WUS回路10
9の入力端子に接続されている。
【0006】第1WUS回路105では、ヘッド電圧H
X、HYと第1基準電圧Vref1との比較結果に基づい
て、ライトデータDWRの低周波数異常、ヘッド110の
cc短絡異常、及びヘッド110のGND短絡異常の検
出が行われる。なお、これらの異常検出は、ライトデー
タDWRに応じてヘッド電圧HX、HYに現れる逆起電圧
の立ち下がりを捉えることで行われる。従って、比較器
102、103の閾値レベル(第1基準電圧Vref1)と
しては、上記した各種異常をできる限り正確に検出する
ための最適値を選択する必要がある。或いは、上記と同
様な回路を複数設けて、各種異常を検出するのに最適な
基準電圧を個別に設定する必要がある。
【0007】一方、第2WUS回路109では、ヘッド
電圧HX、HYと第2基準電圧Vre f2との比較結果にラ
イトデータDWRでラッチをかけ、そのラッチ出力に基づ
いてロジカルにヘッド110のオープン異常の検出が行
われる。この場合、比較器106、107における比較
動作では、ヘッド電圧HX、HYが異常波形であること
を検出できれば足りるため、その閾値レベル(第2基準
電圧Vref2)は前述した第1基準電圧Vref1ほど重要で
はない。そこで、第2基準電圧Vref2の電圧値は、ヘッ
ド電圧HX、HYの立ち下がりを遅延なく検出するため
にできるだけ高レベル(電源電圧Vcc付近)に設定され
ている。
【0008】第1、第2WUS回路105、109は、
上記した異常検出動作の結果をそれぞれ異常検出信号W
US1、WUS2としてホストに送出する。これらの異
常検出信号WUS1、WUS2に基づいて、ホストがヘ
ッド110の異常を検出した場合には、磁気記録媒体へ
の書き込みを保障する動作(例えば、書き込み禁止やリ
セット動作)が行われる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】図7は従来におけるヘ
ッド電圧Va〜Vd及び第1、第2基準電圧Vref1、Vre
f2とライト電流IWRとの関係を示す図である。なお、本
図中のVaはヘッド電圧HX、HYが逆起電圧によって
立ち下がる際のピーク電圧を示しており、Vbはヘッド
110の一端が電源電圧Vccに短絡した際に現れる短絡
電圧を示している。また、Vcはヘッド110の一端が
グランドに短絡した際に現れる短絡電圧を示しており、
dはヘッド110がオープンした際に現れるオープン
電圧を示している。
【0010】本図に示すように、ヘッド電圧HX、HY
の挙動(各電圧Va〜Vdの電圧値)はライト電流IWR
電流値に依存して大きく変化する。それに対して、ヘッ
ド110の異常検出動作を行うために設けられた第1、
第2基準電圧Vref1、Vref2の電圧値は、前述の通り、
ライト電流IWRの電流値に依らず一定値に固定されてい
た。そのため、ライト電流IWRの電流値にはヘッド11
0の異常検出動作を正しく行うための制限範囲が存在
し、その制限範囲を超えてライト電流IWRの電流値を変
化させると、異常検出動作が正しく行えなくなるといっ
た課題があった。
【0011】具体的に説明すると、ライト電流IWRを所
定値よりも上げた場合、電源電圧V ccへの短絡電圧Vb
が第1基準電圧Vref1を下回る。そのため、ヘッド11
0の一端が電源電圧Vccに短絡していても、ヘッド11
0は正常であると判断されていた。逆に、ライト電流I
WRを所定値よりも下げた場合、逆起電圧のピーク電圧値
aが第1基準電圧Vref1を上回る。そのため、ヘッド
110が正常状態であっても、ヘッド110は電源電圧
ccへの短絡状態であると判断されていた。
【0012】なお、ヘッド電圧HX、HYの挙動は電源
電圧Vccの電圧値にも依存して変化するため、上記した
ライト電流IWRと同様、電源電圧Vccの電圧値にもヘッ
ド110の異常検出動作を正しく行うための制限範囲が
存在していた。
【0013】また、従来の磁気記録装置は、ヘッド11
0の両端に現れるヘッド電圧HX、HYと少なくとも2
種類の基準電圧(第1、第2基準電圧Vref1、Vref2
との比較結果に基づいてヘッド110の各種異常を検出
する構成であり、その異常検出手段として少なくとも2
つのライトアンセーフ検出回路(第1、第2WUS回路
105、109)が設けられていた。そのため、従来の
磁気記録装置では、チップ面積の拡大や素子数の増大、
及びそれに伴うコストアップが課題であった。
【0014】本発明は上記の問題点に鑑み、インダクテ
ィブヘッドのライト電流の電流値や電源電圧の電圧値に
依存することなく、常に正しい異常検出動作が可能な磁
気記録装置を提供することを目的とする。また、本発明
ではインダクティブヘッドの異常を検出するための回路
(比較器及びライトアンセーフ検出回路)の回路規模を
従来より縮小することも目的としている。
【0015】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る磁気記録装置においては、磁気記録媒
体への情報記録手段であるインダクティブヘッドと、該
インダクティブヘッドに流すライト電流の大きさを制御
する手段と、前記インダクティブヘッドの両端に現れる
ヘッド電圧と所定の基準電圧との比較結果に基づいて前
記インダクティブヘッドの異常を検出する手段と、を有
する磁気記録装置において、前記ライト電流の電流値に
応じて前記基準電圧の電圧値を変化させる構成としてい
る。
【0016】なお、前記基準電圧を発生する回路は、前
記ライト電流に比例した電流を一端が電源電圧に接続さ
れた抵抗に流し、該抵抗の他端から前記基準電圧を取り
出すことにより、前記ライト電流の電流値及び前記電源
電圧の電圧値に応じて前記基準電圧の電圧値を変化させ
る構成にするとよい。また、前記抵抗の他端には、前記
ライト電流に比例した電流を流す第1電流源と、所定の
定電流を流す第2電流源と、をそれぞれ接続するとよ
い。
【0017】また、上記構成から成る磁気記録装置にお
いて、前記基準電圧の電圧値は、常に前記ヘッド電圧が
立ち下がる際のピーク電圧値より高く、かつ前記インダ
クティブヘッドの一端が前記電源電圧に短絡した際に現
れる短絡電圧の電圧値より低くなるように調整するとよ
い。
【0018】
【発明の実施の形態】本発明に係る磁気記録装置とし
て、ここではフロッピーディスクドライブ装置(以下、
FDD装置と呼ぶ)を例に挙げて説明を行う。FDD装
置は磁気記録媒体であるフロッピーディスク(以下、デ
ィスクと呼ぶ)に対し、インダクティブヘッドを介して
情報の記録/再生を行う装置である。なお、FDD装置
はホスト(CPU)からの命令信号に基づいて動作し、
その制御はFDD装置に設けられた1チップのFDDコ
ントロールLSIによって行われる。
【0019】図1は本実施形態のFDD装置に搭載され
るFDDコントロールLSIの要部構成を示すブロック
図である。本図に示す通り、FDDコントロールLSI
1にはコントロール回路2と信号処理回路3とが組み込
まれている。コントロール回路2はホスト(CPU)側
からの命令信号等に基づいて信号処理回路3のコントロ
ールを行うロジック部である。
【0020】信号処理回路3はディスクへ書き込まれる
ライトデータDWR、及びディスクから読み出されるリー
ドデータ(図示せず)を処理する回路であり、ディスク
への情報記録再生手段であるインダクティブヘッド4
(以下、ヘッド4と呼ぶ)の動作を制御するリードライ
ト部としての機能を有する。
【0021】さらに信号処理回路3についての詳細な説
明を行う。ディスクに対する情報の記録を行う際には、
コントロール回路2からライトドライバ10に対してラ
イトデータDWRが入力される。ライトドライバ10は入
力されたライトデータDWRに基づいて、ヘッド4に供給
するライト電流IWRの向きを切り換える。このような動
作により、ディスクはヘッド4のライト電流IWRに応じ
た方向に磁化され、ライトデータDWRの書き込みが行わ
れる。
【0022】上記したライト電流IWRの電流値は、ライ
ト電流設定回路11からライトドライバ10に供給され
る制御電流IWRrefの電流値に比例している。なお、ラ
イト電流設定回路11はホスト(CPU)から与えられ
る制御信号CNTに基づいて制御電流IWRref(すなわ
ちライト電流IWR)の電流値を変化させる回路である。
また、ライト電流設定回路11は後述する基準電圧設定
回路14に対して、制御電流IWRrefに比例した電流I
2を送出する。
【0023】さらに、本実施形態のFDD装置は、比較
器12、13を入力段に有するライトアンセーフ検出回
路15(以下、WUS回路15と呼ぶ)を有している。
WUS回路15は、ヘッド4の両端に現れるヘッド電圧
HX、HYと基準電圧Vrefとの比較結果に基づいてヘ
ッド4の各種異常を検出し、その検出結果を異常検出信
号WUSとしてホスト(CPU)に送出する回路であ
る。
【0024】本図に示すように、比較器12、13の非
反転入力端子(+)はともに基準電圧設定回路14の出
力端子に接続されている。基準電圧設定回路14は、ラ
イト電流設定回路11から入力された電流I2の電流
値、及びFDDコントロールLSI1を駆動する電源電
圧Vccの電圧値に応じてその電圧値が変化する基準電圧
refを生成し、該基準電圧Vrefを比較器12、13の
各非反転入力端子(+)にそれぞれ供給する。
【0025】また、比較器12の反転入力端子(−)は
ヘッド4の一端に接続されており、該端子にはヘッド電
圧HXが印加されている。一方、比較器13の反転入力
端子(−)はヘッド4の他端に接続されており、該端子
にはヘッド電圧HYが印加されている。なお、比較器1
2、13の出力端子はそれぞれWUS回路15の入力端
子に接続されている。
【0026】従って、ヘッド電圧HX、HYはそれぞれ
比較器12、13によって基準電圧Vrefと比較され、
その比較出力はヘッド電圧HX、HYの電圧レベルが基
準電圧VRefより低ければHレベルとなり、高ければL
レベルとなる。
【0027】次に、WUS回路15によるヘッド4の異
常検出動作について説明する。図2はヘッド4の異常検
出動作の一例を示すタイミングチャートである。なお、
本図では説明を簡略化するために、ヘッド電圧としてヘ
ッド電圧HXのみを示し、比較出力として比較器12の
出力のみを示している。
【0028】図中(a)はヘッド4が正常動作を行って
いる場合を示している。この場合、ヘッド電圧HXには
ライトデータDWRの立ち上がり/立ち下がりに応じて若
干遅延した逆起電圧のパルスが現れる。このとき、逆起
電圧の立ち下がりピーク電圧Vaは基準電圧Vrefを下回
るため、比較器12の出力は逆起電圧の立ち下がりに応
じてHレベルとなる。また、ライトデータDWRの周波数
には装置の規格に応じて予め最低値が設定されているた
め、その周波数が正常である場合、比較器12の出力が
Hレベルとなる間隔も所定期間内となる。また、ヘッド
電圧HXに現れる逆起電圧のパルス幅は非常に狭いた
め、比較器12の出力にライトデータDWRの立ち下がり
でラッチをかければ、そのラッチ出力は常にLレベルと
なる。
【0029】図中(b)はライトデータDWRに低周波数
異常が発生した場合を示している。この場合でも、ヘッ
ド電圧HXにはライトデータDWRの立ち上がり/立ち下
がりに応じて若干遅延した逆起電圧のパルスが現れる。
しかし、ライトデータDWRの周波数が低いと逆起電圧の
パルス間隔が長くなるため、比較器12の比較出力がH
レベルとなる間隔も長くなる。従って、WUS回路15
では比較器12の出力がHレベルとなる間隔が所定間隔
よりも長くなった時点で、ライトデータDWRに低周波数
異常が発生したと判断することができる。
【0030】図中(c)はヘッド4の一端が電源電圧V
ccに短絡した場合を示している。この場合でも、ヘッド
電圧HXにはライトデータDWRの立ち上がり/立ち下が
りに応じて若干遅延した逆起電圧のパルスが現れる。し
かし、その逆起電圧の立ち下がりピーク電圧Vbは正常
時に比べて小さく、基準電圧Vrefを下回るまでには至
らない。よって、比較器12の出力は常にLレベルとな
る。従って、WUS回路15では比較器12の出力が常
にLレベルとなった時点で、ヘッド4の一端が電源電圧
ccに短絡したと判断することができる。
【0031】図中(d)はヘッド4の一端がグランドに
短絡した場合を示している。この場合、ヘッド電圧HX
はグランド短絡電圧Vcに張り付いてしまい、基準電圧
refを常に下回るため、比較器12の出力は常にHレ
ベルとなる。従って、WUS回路15では比較器12の
出力が常にHレベルとなった時点で、ヘッド4の一端が
グランドに短絡したと判断することができる。
【0032】図中(e)はヘッド4がオープンした場合
を示している。この場合、ヘッド電圧HXにはライトデ
ータDWRに応じた矩形パルスが現れる。このとき、矩形
パルスの立ち下がりピーク電圧Vdは基準電圧Vrefを下
回るため、比較器12の出力は矩形パルスの立ち下がり
に応じてHレベルとなる。ここで、矩形パルスの立ち上
がり/立ち下がりはライトデータDWRの立ち下がり/立
ち上がりに応じて若干遅延したものとなるため、比較器
12の出力にライトデータDWRの立ち下がりでラッチを
かければ、そのラッチ出力は正常時のようにLレベルと
はならない。従って、WUS回路15では前記ラッチ出
力がLレベルでなければ、ヘッド4がオープンしたと判
断することができる。
【0033】上記に説明した各状態で発生するヘッド電
圧Va〜Vdは、ヘッド4に流れるライト電流IWRや電源
電圧Vccに依存して、後述の図3に示すように大きく変
化する。そのため、ライト電流IWRや電源電圧Vccに依
存することなく、常に正しいヘッド4の異常検出動作を
行うためには、基準電圧Vrefをライト電流IWRや電源
電圧Vccに応じて変化させる必要がある。
【0034】図3は本実施形態におけるヘッド電圧Va
〜Vd及び基準電圧Vrefとライト電流IWRとの関係を示
す図である。なお、本図中の実線Va〜Vdは図2に示し
た電圧Va〜Vdをそれぞれ示している。すなわち、Va
はヘッド電圧HX、HYが逆起電圧によって立ち下がる
際の下側のピーク電圧を示しており、Vbはヘッド4の
一端が電源電圧Vccに短絡した際に現れる短絡電圧を示
している。また、Vcはヘッド4の一端がグランドに短
絡した際に現れる短絡電圧を示しており、Vdはヘッド
4がオープンした際に現れるオープン電圧を示してい
る。
【0035】本図に示すように、各状態で発生するヘッ
ド電圧Va〜Vdは、ライト電流IWRの電流値が増大する
につれて低下する。そこで、本実施形態のFDD装置で
は、基準電圧Vrefの電圧値を常にヘッド電圧HXが立
ち下がる際の下側のピーク電圧Va、Vdより高く、上側
のピーク電圧よりは低く、かつヘッド4の一端が電源電
圧Vccに短絡した際に現れる短絡電圧Vbより低くなる
ように、ライト電流IW Rの電流値が増大するにつれて基
準電圧Vrefが低下するように調整している。
【0036】このような構成とすることにより、従来
(図7参照)のようにライト電流IWRが所定値以上とな
った時点で短絡電圧Vbが基準電圧Vrefを下回ったり、
ライト電流IWRが所定値以下となった時点でピーク電圧
a、Vdが基準電圧Vrefを上回ったりすることがな
い。従って、他の基準電圧及びそれを比較するための回
路を別途設けなくても、ライト電流IWRの電流値を広範
囲に変化させても、正しくヘッド4の異常検出動作を行
うことができる。
【0037】また、本図には示されていないが、各状態
で発生するヘッド電圧Va〜Vdは電源電圧Vccにも依存
して変化する。そこで、本実施形態のFDD装置では、
基準電圧Vrefの電圧値を電源電圧Vccの電圧値に応じ
て変化させている。より具体的に言えば、電源電圧Vcc
の上昇/下降に応じて基準電圧Vrefも上昇/下降させ
ている。このような構成とすることにより、たとえ電源
電圧Vccが変化しても正しくヘッド4の異常検出動作を
行うことができる。
【0038】なお、本実施形態のように、基準電圧V
refの電圧値をライト電流IWRや電源電圧Vccに応じて
変化させる構成とすることにより、従来のように固定さ
れた基準電圧を複数設ける必要がなくなるため、インダ
クティブヘッドの異常を検出するライトアンセーフ検出
回路の回路規模を縮小することが可能となる。
【0039】次に、ライト電流設定回路11及び基準電
圧設定回路14の具体的な回路構成及び動作について説
明する。図4はライト電流設定回路11及び基準電圧設
定回路14の一構成例を示す回路図である。
【0040】まず、ライト電流設定回路11の回路構成
及び動作について説明する。カレントミラーを構成する
pnp型トランジスタ23、24、25の各エミッタは
それぞれ抵抗20、21、22を介して電源電圧Vcc
接続されている。また、各ベースは互いに接続されると
ともに、pnp型トランジスタ26のエミッタにも接続
されている。トランジスタ26のコレクタはグランドに
接続されており、ベースはトランジスタ23のコレクタ
及びnpn型トランジスタ27のコレクタに接続されて
いる。
【0041】トランジスタ27のベースはオペアンプ2
8の出力端に接続されており、エミッタはオペアンプ2
8の反転入力端子(−)に接続される一方で、所定の定
電流I1を生成する定電流源30を介してグランドに接
続されている。なお、定電流源30にはコントロール回
路2から制御信号CNTが入力されており、定電流I1
の電流値は該制御信号CNTに基づいて変化される。ま
た、オペアンプ28の非反転入力端子(+)には直流電
圧源29が接続されている。これにより、定電流I1の
電流値が安定化される。
【0042】一方、カレントミラーを構成するトランジ
スタ24のコレクタはライトドライバ10に接続されて
おり、定電流I1に比例する制御電流IWRrefがライト
ドライバ10に対して供給される。前述した通り、ヘッ
ド4に流れるライト電流IWRの電流値は制御電流I
WRrefの電流値に比例する。従って、定電流I1を制御
することでライト電流IWRを変化させることができる。
また、トランジスタ25のコレクタは基準電圧設定回路
14に接続されており、定電流I1(さらに言えばライ
ト電流IWR)に比例する電流I2が基準電圧設定回路1
4に対して供給される。
【0043】次に、基準電圧設定回路14の回路構成及
び動作について説明する。カレントミラーを構成するn
pn型トランジスタ41、42の各ベースは互いに接続
されるとともに、npn型トランジスタ40のエミッタ
にも接続されている。また、トランジスタ41、42の
各エミッタはそれぞれ抵抗43、44を介してグランド
に接続されている。トランジスタ40のコレクタは電源
電圧Vccに接続されており、ベースはトランジスタ41
のコレクタに接続されている。なお、トランジスタ40
のベースとトランジスタ41のコレクタの接続ノード
は、ライト電流設定回路11を構成するトランジスタ2
5のコレクタに接続されている。従って、トランジスタ
42のコレクタには電流I2(さらに言えばライト電流
WR)に比例した電流I3が流れる。
【0044】トランジスタ42のコレクタは抵抗45を
介して電源電圧Vccに接続される一方で、所定の定電流
I4を生成する定電流源46を介してグランドに接続さ
れている。また、トランジスタ42のコレクタは基準電
圧設定回路14の出力端子に相当しており、バッファ4
7を介して比較器12、13の非反転入力端子(+)に
接続されている。すなわち、基準電圧設定回路14によ
って生成される基準電圧Vrefの電圧値は、次の(1)
式によって求めることができる。
【数1】
【0045】なお、上式中において、Rは抵抗45の抵
抗値を示しており、aはライト電流設定回路11及び基
準電圧設定回路14の回路定数によって任意に調整可能
な比例定数(I3=a・IWR)を示している。
【0046】上記した(1)式から、基準電圧設定回路
14で生成される基準電圧Vrefの電圧値は、ライト電
流IWRの電流値、及び電源電圧Vccの電圧値に応じて変
化することが分かる。また、(1)式中の比例定数a及
び定電流I4を予め調整することにより、前述したよう
に、基準電圧Vrefの電圧値を常にヘッド電圧HXが立
ち下がる際の下側のピーク電圧Va、Vdより高く、上側
のピーク電圧よりは低く、かつヘッド4の一端が電源電
圧Vccに短絡した際に現れる短絡電圧Vbより低くなる
ように調整することができる。
【0047】図5は基準電圧Vrefの調整方法の一例を
示す図である。図中(a)で示すように、ライト電流設
定回路11及び基準電圧設定回路14の回路定数を任意
に設定して比例定数aを調整することにより、ライト電
流IWRに対する基準電圧Vre fの変化率(傾き)を調整
することができる。具体的に言えば、比例定数aを大き
くするほど、基準電圧Vrefはライト電流IWRに対して
急峻に変化するようになる。また、図中(b)で示すよ
うに、定電流I4の電流値を調整することにより、基準
電圧Vrefの絶対値を調整することができる。具体的に
言えば、定電流I4の電流値を大きくするほど、基準電
圧Vrefの絶対値を低く抑えることができる。
【0048】なお、上記した実施形態では、本発明をF
DD装置に適用した例を挙げて説明を行ったが、本発明
はこれに限定されるものではなく、ヘッド電圧と所定の
基準電圧との比較結果に基づいてインダクティブヘッド
の異常検出を行う磁気記録装置に広く適用することがで
きる。
【0049】
【発明の効果】上記したように、本発明に係る磁気記録
装置においては、磁気記録媒体への情報記録手段である
インダクティブヘッドと、該インダクティブヘッドに流
すライト電流の大きさを制御する手段と、前記インダク
ティブヘッドの両端に現れるヘッド電圧と所定の基準電
圧との比較結果に基づいて前記インダクティブヘッドの
異常を検出する手段と、を有する磁気記録装置におい
て、前記ライト電流の電流値に応じて前記基準電圧の電
圧値を変化させる構成としている。
【0050】このような構成とすることにより、ライト
電流の電流値に依存することなく、常に正しくインダク
ティブヘッドの異常検出動作を行うことができる。ま
た、上記構成から成る磁気記録装置であれば、ヘッドの
異常を検出するために基準電圧を複数設ける必要がなく
なるため、インダクティブヘッドの異常を検出するライ
トアンセーフ検出回路の回路規模を従来より縮小するこ
とも可能となる。
【0051】また、上記構成から成る磁気記録装置にお
いて、前記基準電圧を発生する回路は、前記ライト電流
に比例した電流を一端が電源電圧に接続された抵抗に流
し、該抵抗の他端から前記基準電圧を取り出すことによ
り、前記ライト電流の電流値及び前記電源電圧の電圧値
に応じて前記基準電圧の電圧値を変化させる構成として
いる。このような構成とすることにより、基準電圧の電
圧値を回路定数や抵抗値等の変更によって容易に調整す
ることが可能である。
【0052】また、上記構成から成る磁気記録装置にお
いて、前記抵抗の他端には、前記ライト電流に比例した
電流を流す第1電流源と、所定の定電流を流す第2電流
源とをそれぞれ接続するとよい。このような構成であれ
ば、第2電流源に流す定電流を予め調整することによ
り、基準電圧の絶対値を任意に調整することができる。
【0053】なお、上記構成から成る磁気記録装置にお
いて、前記基準電圧の電圧値は、常に前記ヘッド電圧が
立ち下がる際の下側のピーク電圧値より高く、上側のピ
ーク電圧よりは低く、かつ前記インダクティブヘッドの
一端が前記電源電圧に短絡した際に現れる短絡電圧の電
圧値より低くなるように、前記ライト電流の電流値が増
大するにつれて低下するように調整するとよい。
【0054】このような構成とすることにより、ライト
電流が所定値以上となった時点で短絡電圧が基準電圧を
下回ったり、逆にライト電流が所定値以下となった時点
でピーク電圧が前記基準電圧を上回ったりすることがな
い範囲を従来よりも大幅に拡大できるようになるので、
ライト電流の電流値を広範囲に変化させても、正しくイ
ンダクティブヘッドの異常検出動作を行うことができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本実施形態のFDD装置に搭載されるFDD
コントロールLSIの要部構成を示すブロック図であ
る。
【図2】 ヘッド4の異常検出動作の一例を示すタイミ
ングチャートである。
【図3】 本実施形態におけるヘッド電圧Va〜Vd及び
基準電圧Vrefとライト電流IWRとの関係を示す図であ
る。
【図4】 ライト電流設定回路11及び基準電圧設定回
路14の一構成例を示す回路図である。
【図5】 基準電圧Vrefの調整方法の一例を示す図で
ある。
【図6】 従来の磁気記録装置の一構成例を示すブロッ
ク図である。
【図7】 従来におけるヘッド電圧Va〜Vd及び第1、
第2基準電圧Vref1、Vref2とライト電流IWRとの関係
を示す図である。
【符号の説明】
1 FDDコントロールLSI 2 コントロール回路 3 信号処理回路 4 インダクティブヘッド 10 ライトドライバ 11 ライト電流設定回路 12、13 比較器 14 基準電圧設定回路 15 ライトアンセーフ検出回路(WUS回路)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】磁気記録媒体への情報記録手段であるイン
    ダクティブヘッドと、該インダクティブヘッドに流すラ
    イト電流の大きさを制御する手段と、前記インダクティ
    ブヘッドの両端に現れるヘッド電圧と所定の基準電圧と
    の比較結果に基づいて前記インダクティブヘッドの異常
    を検出する手段と、を有する磁気記録装置において、 前記ライト電流の電流値に応じて前記基準電圧の電圧値
    を変化させることを特徴とする磁気記録装置。
  2. 【請求項2】前記基準電圧を発生する回路は、前記ライ
    ト電流に比例した電流を一端が電源電圧に接続された抵
    抗に流し、該抵抗の他端から前記基準電圧を取り出すこ
    とにより、前記ライト電流の電流値及び前記電源電圧の
    電圧値に応じて前記基準電圧の電圧値を変化させること
    を特徴とする請求項1に記載の磁気記録装置。
  3. 【請求項3】前記抵抗の他端には、前記ライト電流に比
    例した電流を流す第1電流源と、所定の定電流を流す第
    2電流源と、がそれぞれ接続されたことを特徴とする請
    求項2に記載の磁気記録装置。
  4. 【請求項4】前記基準電圧の電圧値は、常に前記ヘッド
    電圧が立ち下がる際のピーク電圧値より高く、かつ前記
    インダクティブヘッドの一端が前記電源電圧に短絡した
    際に現れる短絡電圧の電圧値より低いことを特徴とする
    請求項1〜請求項3のいずれかに記載の磁気記録装置。
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