JP2002268208A - 水溶性フォトレジスト - Google Patents
水溶性フォトレジストInfo
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- JP2002268208A JP2002268208A JP2001068183A JP2001068183A JP2002268208A JP 2002268208 A JP2002268208 A JP 2002268208A JP 2001068183 A JP2001068183 A JP 2001068183A JP 2001068183 A JP2001068183 A JP 2001068183A JP 2002268208 A JP2002268208 A JP 2002268208A
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- photoresist
- soluble photoresist
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Abstract
(57)【要約】
【課題】シャドウマスク及びリードフレームの製造工程
で、パターン露光、現像工程において、パターン露光後
の焼き置き時間の変動に対し現像後のパターン寸法再現
性に優れた水溶性レジストを提供することを目的とす
る。 【解決手段】水溶性高分子と重クロム酸アルカリとを含
む水溶性フォトレジストに対し、窒素原子をヘテロ原子
として１個或いは複数個有するヘテロ環式化合物が１重
量％より多く１０重量％以下添加され、かつ、硼酸ある
いは酢酸が添加されていることを特徴とする水溶性フォ
トレジスト。
で、パターン露光、現像工程において、パターン露光後
の焼き置き時間の変動に対し現像後のパターン寸法再現
性に優れた水溶性レジストを提供することを目的とす
る。 【解決手段】水溶性高分子と重クロム酸アルカリとを含
む水溶性フォトレジストに対し、窒素原子をヘテロ原子
として１個或いは複数個有するヘテロ環式化合物が１重
量％より多く１０重量％以下添加され、かつ、硼酸ある
いは酢酸が添加されていることを特徴とする水溶性フォ
トレジスト。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高精細ＣＲＴ用シ
ャドウマスク、アパーチャグリル及びファインピッチ仕
様のリードフレーム等の製造に用いられるフォトレジス
トに係わるもので、かぶりの少ない焼き置き寸法安定性
の良い水溶性フォトレジストに関する。
ャドウマスク、アパーチャグリル及びファインピッチ仕
様のリードフレーム等の製造に用いられるフォトレジス
トに係わるもので、かぶりの少ない焼き置き寸法安定性
の良い水溶性フォトレジストに関する。
【０００２】
【従来の技術】シャドウマスク及びリードフレームの製
造では従来から裏止めニス方式が採用され、エッチング
の均一性、安定性など品質面等の理由からウェブ状のロ
ール方式が採用されており、シャドウマスク及びリード
フレは、金属基材を脱脂、前処理し、レジストコートし
て感光層を形成し、パターン露光、現像、硬膜・バーニ
ング等の一連のパターニング処理にてレジストパターン
を形成し、レジストパターンをエッチングマスクにして
金属基材をエッチングし、レジストパターン剥離、水洗
及び乾燥工程を経て作製されている。
造では従来から裏止めニス方式が採用され、エッチング
の均一性、安定性など品質面等の理由からウェブ状のロ
ール方式が採用されており、シャドウマスク及びリード
フレは、金属基材を脱脂、前処理し、レジストコートし
て感光層を形成し、パターン露光、現像、硬膜・バーニ
ング等の一連のパターニング処理にてレジストパターン
を形成し、レジストパターンをエッチングマスクにして
金属基材をエッチングし、レジストパターン剥離、水洗
及び乾燥工程を経て作製されている。
【０００３】金属基材としては、鉄、ニッケル３６％含
有鉄合金、４２ニッケル鉄合金、純銅、銅合金、ステン
レス鋼などがある。金属基材は巻きグセが付かない程度
に所定数量ロール状に巻かれているものを使用する。
有鉄合金、４２ニッケル鉄合金、純銅、銅合金、ステン
レス鋼などがある。金属基材は巻きグセが付かない程度
に所定数量ロール状に巻かれているものを使用する。
【０００４】レジストとしてはカゼイン、ポリビニルア
ルコール、ゼラチン等の水溶性高分子が使用され、感光
剤としては重クロム酸アンモニウムが一般に使用され
る。金属基材にレジストを塗布後、６０〜８０℃で１０
〜２０分プリベークして、膜厚６〜８μｍの感光層を形
成し、次に、パターン露光を行う。露光量は一般にコダ
ック社製ステップタブレットＮｏ．２で３〜６段の範囲
となるような露光条件に設定される。
ルコール、ゼラチン等の水溶性高分子が使用され、感光
剤としては重クロム酸アンモニウムが一般に使用され
る。金属基材にレジストを塗布後、６０〜８０℃で１０
〜２０分プリベークして、膜厚６〜８μｍの感光層を形
成し、次に、パターン露光を行う。露光量は一般にコダ
ック社製ステップタブレットＮｏ．２で３〜６段の範囲
となるような露光条件に設定される。
【０００５】露光後市水で露光された感光層を現像し、
５％無水クロム酸で１５〜３０秒浸漬後、水洗、硬膜し
て、金属基材上にレジストパターンを形成する。次に、
レジストパターンを１８０〜２００℃で１０〜１５分バ
ーニングして、レジスト皮膜に耐エッチング性を持たせ
る。次に、レジストパターンをエッチングマスクにして
塩化第二鉄液により基材金属の露出部分をエッチングし
た後、高濃度、高温度の苛性ソーダ水溶液でレジストパ
ターンを剥膜し、水洗、乾燥して所望のシャドウマスク
及びリードフレームを作製する。
５％無水クロム酸で１５〜３０秒浸漬後、水洗、硬膜し
て、金属基材上にレジストパターンを形成する。次に、
レジストパターンを１８０〜２００℃で１０〜１５分バ
ーニングして、レジスト皮膜に耐エッチング性を持たせ
る。次に、レジストパターンをエッチングマスクにして
塩化第二鉄液により基材金属の露出部分をエッチングし
た後、高濃度、高温度の苛性ソーダ水溶液でレジストパ
ターンを剥膜し、水洗、乾燥して所望のシャドウマスク
及びリードフレームを作製する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、シャドウマス
ク及びリードフレームを工業的に大量生産を行う場合に
は、各工程の処理時間が同一でないこと、工場の休日等
の関係から、各工程間で留め置く場合がある。その場
合、特に、カゼインやポリビニルアルコールなどの水溶
性高分子の重クロム酸系フォトレジストでは暗反応、残
反応が顕著に進行し、パターン露光から現像までの経過
日数に応じてパターン寸法が次第に小さくなるという問
題がある。即ち、パターン露光後の焼き置き時間により
寸法がばらつくという現象でエッチング時間の調整をし
ないと規格内の製品が得られず、この焼き置きが製品を
安定して生産するのに問題となっている。この現象はい
わゆるかぶりの現象でレジスト中の含水率と密接な関係
があるといわれているが、重クロム酸アルカリが常温で
不安定な為８０℃３０分程度の熱風乾燥においても起る
もので有効な対策が取れないのが実情である。
ク及びリードフレームを工業的に大量生産を行う場合に
は、各工程の処理時間が同一でないこと、工場の休日等
の関係から、各工程間で留め置く場合がある。その場
合、特に、カゼインやポリビニルアルコールなどの水溶
性高分子の重クロム酸系フォトレジストでは暗反応、残
反応が顕著に進行し、パターン露光から現像までの経過
日数に応じてパターン寸法が次第に小さくなるという問
題がある。即ち、パターン露光後の焼き置き時間により
寸法がばらつくという現象でエッチング時間の調整をし
ないと規格内の製品が得られず、この焼き置きが製品を
安定して生産するのに問題となっている。この現象はい
わゆるかぶりの現象でレジスト中の含水率と密接な関係
があるといわれているが、重クロム酸アルカリが常温で
不安定な為８０℃３０分程度の熱風乾燥においても起る
もので有効な対策が取れないのが実情である。
【０００７】本発明は上記問題点に鑑み考案されたもの
で、シャドウマスク及びリードフレームの製造工程で、
パターン露光、現像工程において、パターン露光後の焼
き置き時間の変動に対し現像後のパターン寸法再現性に
優れた水溶性レジストを提供することを目的とする。
で、シャドウマスク及びリードフレームの製造工程で、
パターン露光、現像工程において、パターン露光後の焼
き置き時間の変動に対し現像後のパターン寸法再現性に
優れた水溶性レジストを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記問題
を解決するために、まず請求項１においては、水溶性高
分子に感光剤として重クロム酸アルカリを添加した水溶
性フォトレジストにおいて、窒素原子をヘテロ原子とし
て１個或いは複数個有するヘテロ環式化合物が、前記水
溶性高分子に対して１重量％より多く１０重量％以下添
加され、かつ、硼酸が添加されていることを特徴とする
水溶性フォトレジストとしたものである。
を解決するために、まず請求項１においては、水溶性高
分子に感光剤として重クロム酸アルカリを添加した水溶
性フォトレジストにおいて、窒素原子をヘテロ原子とし
て１個或いは複数個有するヘテロ環式化合物が、前記水
溶性高分子に対して１重量％より多く１０重量％以下添
加され、かつ、硼酸が添加されていることを特徴とする
水溶性フォトレジストとしたものである。
【０００９】また、請求項２においては、水溶性高分子
に感光剤として重クロム酸アルカリを添加した水溶性フ
ォトレジストにおいて、窒素原子をヘテロ原子として１
個或いは複数個有するヘテロ環式化合物が、前記水溶性
高分子に対して１重量％より多く１０重量％以下添加さ
れ、かつ、酢酸が添加されていることを特徴とする水溶
性フォトレジストとしたものである。
に感光剤として重クロム酸アルカリを添加した水溶性フ
ォトレジストにおいて、窒素原子をヘテロ原子として１
個或いは複数個有するヘテロ環式化合物が、前記水溶性
高分子に対して１重量％より多く１０重量％以下添加さ
れ、かつ、酢酸が添加されていることを特徴とする水溶
性フォトレジストとしたものである。
【００１０】さらにまた、請求項３においては、前記ヘ
テロ環式化合物がイミダゾールであることを特徴とする
請求項１または請求項２記載の水溶性フォトレジストと
したものである。
テロ環式化合物がイミダゾールであることを特徴とする
請求項１または請求項２記載の水溶性フォトレジストと
したものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の水溶性フォトレジスト
は、水溶性高分子に重クロム酸アルカリを添加した水溶
性フォトレジストに、ヘテロ環式化合物を所定量添加
し、かつ、硼酸または酢酸を添加することにより暗反
応、残反応を抑制することを可能にしたものである。水
溶性高分子としてはカゼイン、ポリビニルアルコール、
ゼラチン等があるが好ましいものとしてはカゼイン、ポ
リビニルアルコールを挙げることができる。重クロム酸
アルカリとしては重クロム酸アンモニウムが良く、水溶
性高分子に対しては３〜１８重量％の添加量が好ましい
が８重量％前後で顕著なかぶり抑制効果が得られる。
は、水溶性高分子に重クロム酸アルカリを添加した水溶
性フォトレジストに、ヘテロ環式化合物を所定量添加
し、かつ、硼酸または酢酸を添加することにより暗反
応、残反応を抑制することを可能にしたものである。水
溶性高分子としてはカゼイン、ポリビニルアルコール、
ゼラチン等があるが好ましいものとしてはカゼイン、ポ
リビニルアルコールを挙げることができる。重クロム酸
アルカリとしては重クロム酸アンモニウムが良く、水溶
性高分子に対しては３〜１８重量％の添加量が好ましい
が８重量％前後で顕著なかぶり抑制効果が得られる。
【００１２】ヘテロ環式化合物としては、例えばイミダ
ゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、ベンゾト
リアゾール、ピリミジン、インダゾール、プリンおよび
これらの誘導体を挙げることができる。これらの中で特
に顕著な効果が見られたものはイミダゾールであった。
ヘテロ環式化合物の添加量は１重量％より多く１０重量
％以下が良い。
ゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、ベンゾト
リアゾール、ピリミジン、インダゾール、プリンおよび
これらの誘導体を挙げることができる。これらの中で特
に顕著な効果が見られたものはイミダゾールであった。
ヘテロ環式化合物の添加量は１重量％より多く１０重量
％以下が良い。
【００１３】また、ヘテロ環式化合物、水溶性高分子、
重クロム酸アンモニウムを所定量混ぜると感光液がアル
カリ性となり感度が極端に低くなるので酸でＰＨ調製し
て、ＰＨは４．０〜８．０が好ましく、６．０前後がさ
らに好ましい。酸としては１／１０ｍｏｌ／Ｌの塩酸、
希硫酸、酢酸、硼酸、クエン酸等常用される酸で良い
が、酢酸は好ましく、さらに好ましくは硼酸を使用する
と感度がより安定し、焼き置きの寸法安定性が他の酸を
使用した場合より優れている。
重クロム酸アンモニウムを所定量混ぜると感光液がアル
カリ性となり感度が極端に低くなるので酸でＰＨ調製し
て、ＰＨは４．０〜８．０が好ましく、６．０前後がさ
らに好ましい。酸としては１／１０ｍｏｌ／Ｌの塩酸、
希硫酸、酢酸、硼酸、クエン酸等常用される酸で良い
が、酢酸は好ましく、さらに好ましくは硼酸を使用する
と感度がより安定し、焼き置きの寸法安定性が他の酸を
使用した場合より優れている。
【００１４】ヘテロ環式化合物の添加量は１０重量％よ
り多いとレジスト皮膜が溶解しやすくなってくる為、パ
ターン寸法が大きくなってしまうので良くない。また、
１重量％以下であると顕著な効果が得られない。
り多いとレジスト皮膜が溶解しやすくなってくる為、パ
ターン寸法が大きくなってしまうので良くない。また、
１重量％以下であると顕著な効果が得られない。
【００１５】
【実施例】以下実施例により本発明を更に詳細に説明す
る。 ＜実施例１＞まず、６０℃のウォータバスでイオン交換
水１７８重量部にイミダゾール０．８８重量部、硼酸
８．０重量部を溶解させた後、硼砂を少しずつ添加して
ＰＨを８．０とした。次に、硫酸カゼインの原粉２２重
量部を攪拌しながらこれに全量加えた。溶液のＰＨは７
前後となる為更にこの溶液に硼砂を少しずつ溶解させＰ
Ｈを８．０とした。得られた上記液に１０％重クロム酸
アンモニウム水溶液を１７．６重量部添加して水溶性フ
ォトレジストＡを作製した。
る。 ＜実施例１＞まず、６０℃のウォータバスでイオン交換
水１７８重量部にイミダゾール０．８８重量部、硼酸
８．０重量部を溶解させた後、硼砂を少しずつ添加して
ＰＨを８．０とした。次に、硫酸カゼインの原粉２２重
量部を攪拌しながらこれに全量加えた。溶液のＰＨは７
前後となる為更にこの溶液に硼砂を少しずつ溶解させＰ
Ｈを８．０とした。得られた上記液に１０％重クロム酸
アンモニウム水溶液を１７．６重量部添加して水溶性フ
ォトレジストＡを作製した。
【００１６】次に、０．１ｍｍ厚のアパーチャグリル用
鉄材（東洋鋼鈑（株）製）をアルカリ脱脂して、水溶性
フォトレジストＡをスピンコートで塗布し、６０℃３０
分のプリベークを行って膜厚７μｍの感光層を形成し
た。次に、線幅１００μｍのテストパターンの入ったマ
スクを用いて３ｋｗの超高圧水銀灯を有する露光機でコ
ダック社ステップタブレットＮｏ．２で３．０段になる
ようにパターン露光して、２０℃５０％ＲＨのクリーン
ルームの環境で焼き置き試料を０日〜４日放置して、現
像処理後のレジストパターン寸法を測定した。
鉄材（東洋鋼鈑（株）製）をアルカリ脱脂して、水溶性
フォトレジストＡをスピンコートで塗布し、６０℃３０
分のプリベークを行って膜厚７μｍの感光層を形成し
た。次に、線幅１００μｍのテストパターンの入ったマ
スクを用いて３ｋｗの超高圧水銀灯を有する露光機でコ
ダック社ステップタブレットＮｏ．２で３．０段になる
ようにパターン露光して、２０℃５０％ＲＨのクリーン
ルームの環境で焼き置き試料を０日〜４日放置して、現
像処理後のレジストパターン寸法を測定した。
【００１７】＜実施例２＞まず、実施例１と同様の方法
で、硼酸の代わりに３０％酢酸を同モル数２５．９ｇを
添加し、実施例１と同様にＰＨ調製を行い、水溶性フォ
トレジストＢを作製した。次に、実施例１と同様な方法
で、０．１ｍｍ厚のアパーチャグリル用鉄材（東洋鋼鈑
（株）製）をアルカリ脱脂して、水溶性フォトレジスト
Ｂをスピンコートで塗布し、６０℃３０分のプリベーク
を行って膜厚７μｍの感光層を形成した。次に、線幅１
００μｍのテストパターンの入ったマスクを用いて３ｋ
ｗの超高圧水銀灯を有する露光機でコダック社ステップ
タブレットＮｏ．２で３．０段になるようにパターン露
光して、２０℃５０％ＲＨのクリーンルームの環境で焼
き置き試料を０日〜４日放置して、現像処理後のレジス
トパターン寸法を測定した。
で、硼酸の代わりに３０％酢酸を同モル数２５．９ｇを
添加し、実施例１と同様にＰＨ調製を行い、水溶性フォ
トレジストＢを作製した。次に、実施例１と同様な方法
で、０．１ｍｍ厚のアパーチャグリル用鉄材（東洋鋼鈑
（株）製）をアルカリ脱脂して、水溶性フォトレジスト
Ｂをスピンコートで塗布し、６０℃３０分のプリベーク
を行って膜厚７μｍの感光層を形成した。次に、線幅１
００μｍのテストパターンの入ったマスクを用いて３ｋ
ｗの超高圧水銀灯を有する露光機でコダック社ステップ
タブレットＮｏ．２で３．０段になるようにパターン露
光して、２０℃５０％ＲＨのクリーンルームの環境で焼
き置き試料を０日〜４日放置して、現像処理後のレジス
トパターン寸法を測定した。
【００１８】＜比較例１＞まず、６０℃のウォータバス
でイオン交換水１７８重量部に硼砂でＰＨ調整しながら
硫酸カゼインの原粉２２重量部を攪拌しながら溶解さ
せ、ＰＨ８．０のカゼイン溶液を調製した。次に、１０
％重クロム酸アンモニウム水溶液１７．６重量部を添加
して水溶性フォトレジストＣを作製した。次に、実施例
１と同様の方法で、０．１ｍｍ厚のアパーチャグリル用
鉄材（東洋鋼鈑（株）製）をアルカリ脱脂して、水溶性
フォトレジストＣをスピンコートで塗布し、６０℃３０
分のプリベークを行って膜厚７μｍの感光層を形成し
た。次に、線幅１００μｍのテストパターンの入ったマ
スクを用いて３ｋｗの超高圧水銀灯を有する露光機でコ
ダック社ステップタブレットＮｏ．２で３．０段になる
ようにパターン露光して、２０℃５０％ＲＨのクリーン
ルームの環境で焼き置き試料を０日〜４日放置して、現
像処理後のレジストパターン寸法を測定した。
でイオン交換水１７８重量部に硼砂でＰＨ調整しながら
硫酸カゼインの原粉２２重量部を攪拌しながら溶解さ
せ、ＰＨ８．０のカゼイン溶液を調製した。次に、１０
％重クロム酸アンモニウム水溶液１７．６重量部を添加
して水溶性フォトレジストＣを作製した。次に、実施例
１と同様の方法で、０．１ｍｍ厚のアパーチャグリル用
鉄材（東洋鋼鈑（株）製）をアルカリ脱脂して、水溶性
フォトレジストＣをスピンコートで塗布し、６０℃３０
分のプリベークを行って膜厚７μｍの感光層を形成し
た。次に、線幅１００μｍのテストパターンの入ったマ
スクを用いて３ｋｗの超高圧水銀灯を有する露光機でコ
ダック社ステップタブレットＮｏ．２で３．０段になる
ようにパターン露光して、２０℃５０％ＲＨのクリーン
ルームの環境で焼き置き試料を０日〜４日放置して、現
像処理後のレジストパターン寸法を測定した。
【００１９】＜実施例３＞まず、８０℃のウォータバス
でイオン交換水１８０重量部にイミダゾール０．８８重
量部、硼酸８．０重量部を溶解させた後、硼砂でＰＨを
８．０に調整しながらポリビニルアルコールのパウダー
を２２重量部攪拌溶解させた。次に、１０％重クロム酸
アンモニウム水溶液１１．０重量部を添加して、水溶性
フォトレジストＤを作製した。次に、実施例１と同様の
方法で、０．１ｍｍ厚のアパーチャグリル用鉄材（東洋
鋼鈑（株）製）をアルカリ脱脂して、水溶性フォトレジ
ストＣをスピンコートで塗布し、６０℃３０分のプリベ
ークを行って膜厚７μｍの感光層を形成した。次に、線
幅１００μｍのテストパターンの入ったマスクを用いて
３ｋｗの超高圧水銀灯を有する露光機でコダック社ステ
ップタブレットＮｏ．２で４．０段になるようにパター
ン露光して、２０℃５０％ＲＨのクリーンルームの環境
で焼き置き試料を０日〜４日放置して、現像処理後のレ
ジストパターン寸法を測定した。
でイオン交換水１８０重量部にイミダゾール０．８８重
量部、硼酸８．０重量部を溶解させた後、硼砂でＰＨを
８．０に調整しながらポリビニルアルコールのパウダー
を２２重量部攪拌溶解させた。次に、１０％重クロム酸
アンモニウム水溶液１１．０重量部を添加して、水溶性
フォトレジストＤを作製した。次に、実施例１と同様の
方法で、０．１ｍｍ厚のアパーチャグリル用鉄材（東洋
鋼鈑（株）製）をアルカリ脱脂して、水溶性フォトレジ
ストＣをスピンコートで塗布し、６０℃３０分のプリベ
ークを行って膜厚７μｍの感光層を形成した。次に、線
幅１００μｍのテストパターンの入ったマスクを用いて
３ｋｗの超高圧水銀灯を有する露光機でコダック社ステ
ップタブレットＮｏ．２で４．０段になるようにパター
ン露光して、２０℃５０％ＲＨのクリーンルームの環境
で焼き置き試料を０日〜４日放置して、現像処理後のレ
ジストパターン寸法を測定した。
【００２０】＜実施例４＞まず、実施例３と同様の方法
で、硼酸の代わりに３０％酢酸を同モル数２５．９ｇを
添加し、実施例３と同様にＰＨ調製を行い、水溶性フォ
トレジストＥを作製した。次に、実施例３と同様な方法
で、０．１ｍｍ厚のアパーチャグリル用鉄材（東洋鋼鈑
（株）製）をアルカリ脱脂して、水溶性フォトレジスト
Ｅをスピンコートで塗布し、６０℃３０分のプリベーク
を行って膜厚７μｍの感光層を形成した。次に、線幅１
００μｍのテストパターンの入ったマスクを用いて３ｋ
ｗの超高圧水銀灯を有する露光機でコダック社ステップ
タブレットＮｏ．２で４．０段になるようにパターン露
光して、２０℃５０％ＲＨのクリーンルームの環境で焼
き置き試料を０日〜４日放置して、現像処理後のレジス
トパターン寸法を測定した。
で、硼酸の代わりに３０％酢酸を同モル数２５．９ｇを
添加し、実施例３と同様にＰＨ調製を行い、水溶性フォ
トレジストＥを作製した。次に、実施例３と同様な方法
で、０．１ｍｍ厚のアパーチャグリル用鉄材（東洋鋼鈑
（株）製）をアルカリ脱脂して、水溶性フォトレジスト
Ｅをスピンコートで塗布し、６０℃３０分のプリベーク
を行って膜厚７μｍの感光層を形成した。次に、線幅１
００μｍのテストパターンの入ったマスクを用いて３ｋ
ｗの超高圧水銀灯を有する露光機でコダック社ステップ
タブレットＮｏ．２で４．０段になるようにパターン露
光して、２０℃５０％ＲＨのクリーンルームの環境で焼
き置き試料を０日〜４日放置して、現像処理後のレジス
トパターン寸法を測定した。
【００２１】＜比較例２＞まず、８０℃のウォータバス
でイオン交換水１８０重量部に、硼砂でＰＨを８．０に
調整しながらポリビニルアルコールのパウダーを２２重
量部を攪拌溶解させた。次に、１０％重クロム酸アンモ
ニウム水溶液１１．０重量部を添加して水溶性フォトレ
ジストＦを作製した。次に、実施例３と同様な方法で、
０．１ｍｍ厚のアパーチャグリル用鉄材（東洋鋼鈑
（株）製）をアルカリ脱脂して、水溶性フォトレジスト
Ｆをスピンコートで塗布し、６０℃３０分のプリベーク
を行って膜厚７μｍの感光層を形成した。次に、線幅１
００μｍのテストパターンの入ったマスクを用いて３ｋ
ｗの超高圧水銀灯を有する露光機でコダック社ステップ
タブレットＮｏ．２で４．０段になるようにパターン露
光して、２０℃５０％ＲＨのクリーンルームの環境で焼
き置き試料を０日〜４日放置して、現像処理後のレジス
トパターン寸法を測定した。
でイオン交換水１８０重量部に、硼砂でＰＨを８．０に
調整しながらポリビニルアルコールのパウダーを２２重
量部を攪拌溶解させた。次に、１０％重クロム酸アンモ
ニウム水溶液１１．０重量部を添加して水溶性フォトレ
ジストＦを作製した。次に、実施例３と同様な方法で、
０．１ｍｍ厚のアパーチャグリル用鉄材（東洋鋼鈑
（株）製）をアルカリ脱脂して、水溶性フォトレジスト
Ｆをスピンコートで塗布し、６０℃３０分のプリベーク
を行って膜厚７μｍの感光層を形成した。次に、線幅１
００μｍのテストパターンの入ったマスクを用いて３ｋ
ｗの超高圧水銀灯を有する露光機でコダック社ステップ
タブレットＮｏ．２で４．０段になるようにパターン露
光して、２０℃５０％ＲＨのクリーンルームの環境で焼
き置き試料を０日〜４日放置して、現像処理後のレジス
トパターン寸法を測定した。
【００２２】実施例１〜実施例４及び比較例１〜比較例
２で作製した焼き置き試料を同一現像条件で現像処理し
たレジストパターンの寸法を測定した結果を表１に示
す。
２で作製した焼き置き試料を同一現像条件で現像処理し
たレジストパターンの寸法を測定した結果を表１に示
す。
【００２３】
【表１】
【００２４】表１の結果から明らかなように、イミダゾ
ールと硼酸あるいは酢酸添加した水溶性レジストを用い
て感光層を作製し、パターン露光して焼き置きした実施
例１〜実施例４の試料の放置日数に対する現像後のパタ
ーン寸法変化量は少なく、比較例１及び２の無添加品に
比べパターン寸法変化量が抑制されているのが確認され
た。
ールと硼酸あるいは酢酸添加した水溶性レジストを用い
て感光層を作製し、パターン露光して焼き置きした実施
例１〜実施例４の試料の放置日数に対する現像後のパタ
ーン寸法変化量は少なく、比較例１及び２の無添加品に
比べパターン寸法変化量が抑制されているのが確認され
た。
【００２５】
【発明の効果】上記したように、本発明の水溶性フォト
レジストを用いて感光層を形成し、パターン露光した後
焼き置きしても、焼き置き寸法の安定化が図れ、品質の
均一化、生産性の向上が図れる。また、高精細、ファイ
ン化対応の商品展開が可能となる。
レジストを用いて感光層を形成し、パターン露光した後
焼き置きしても、焼き置き寸法の安定化が図れ、品質の
均一化、生産性の向上が図れる。また、高精細、ファイ
ン化対応の商品展開が可能となる。
Claims (3)
- 【請求項１】水溶性高分子に感光剤として重クロム酸ア
ルカリを添加した水溶性フォトレジストにおいて、窒素
原子をヘテロ原子として１個或いは複数個有するヘテロ
環式化合物が、前記水溶性高分子に対して１重量％より
多く１０重量％以下添加され、かつ、硼酸が添加されて
いることを特徴とする水溶性フォトレジスト。 - 【請求項２】水溶性高分子に感光剤として重クロム酸ア
ルカリを添加した水溶性フォトレジストにおいて、窒素
原子をヘテロ原子として１個或いは複数個有するヘテロ
環式化合物が、前記水溶性高分子に対して１重量％より
多く１０重量％以下添加され、かつ、酢酸が添加されて
いることを特徴とする水溶性フォトレジスト。 - 【請求項３】前記ヘテロ環式化合物がイミダゾールであ
ることを特徴とする請求項１または請求項２記載の水溶
性フォトレジスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001068183A JP2002268208A (ja) | 2001-03-12 | 2001-03-12 | 水溶性フォトレジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001068183A JP2002268208A (ja) | 2001-03-12 | 2001-03-12 | 水溶性フォトレジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002268208A true JP2002268208A (ja) | 2002-09-18 |
Family
ID=18926410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001068183A Pending JP2002268208A (ja) | 2001-03-12 | 2001-03-12 | 水溶性フォトレジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002268208A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20200174374A1 (en) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of storing photoresist coated substrates and semiconductor substrate container arrangement |
-
2001
- 2001-03-12 JP JP2001068183A patent/JP2002268208A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20200174374A1 (en) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of storing photoresist coated substrates and semiconductor substrate container arrangement |
| US12025919B2 (en) * | 2018-11-30 | 2024-07-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of storing photoresist coated substrates and semiconductor substrate container arrangement |
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