JP2002261074A

JP2002261074A - 半導体基板の処理方法および処理装置

Info

Publication number: JP2002261074A
Application number: JP2001054878A
Authority: JP
Inventors: Mitsuru Ogawa; 満小川
Original assignee: Orc Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Orc Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2001-02-28
Filing date: 2001-02-28
Publication date: 2002-09-13

Abstract

(57)【要約】【課題】自然酸化膜の内部および表面の有機物を除去
することにより、良好な成膜を行えるようにする。【解決手段】洗浄装置１内で半導体基板のウェット洗
浄を行い（プロセスＡ１）、次に乾燥させる（プロセス
Ａ２）。乾燥が終了した半導体基板に対して、光処理装
置２内で紫外線を照射して光処理（プロセスＡ３）を行
い、製造装置３内で熱処理を施し（プロセスＡ４）、ゲ
ート酸化膜を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
製造工程において半導体基板を処理する方法に関し、特
に、ウェット洗浄・乾燥後の半導体基板に付着した有機
成分の除去に好適な半導体基板の処理方法および処理装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスを製造するプロセスは、
ゲート酸化膜形成工程、ポリシリコン薄膜形成工程など
複数の成膜工程を有する。そして、これらの成膜工程の
前処理として洗浄処理が行われている。

【０００３】ゲート酸化膜形成などの熱処理を行う前の
半導体基板（ウェーハ）は酸、アルカリ薬品を主にした
ウェット洗浄が中心であり、熱処理前に半導体基板表面
を乾燥させる必要がある。そして、使用薬品の純水リン
スや乾燥時に自然酸化膜の成長を防止するのは極めて困
難である。また、前述したウェット洗浄の場合、乾燥が
最終プロセスであり、乾燥後、本処理に入るまではクリ
ーンであるという前提である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ウェット洗浄・乾燥後
の半導体基板に成膜処理を行う際、成膜装置のトラブル
や半導体デバイスの生産状況などにより、半導体基板を
待機させたり、一時的に保管したりすることがある。ま
た、成膜処理を行う時には、半導体基板を成膜装置まで
搬送することになる。このような場合、クリーンルーム
やキャリア治具などから発生する微量の有機物などに曝
されており、その時間に比例して有機物により汚染され
ていく。

【０００５】また、今後、半導体デバイスの集積化、微
細化が進展するにつれて、ゲート酸化膜は益々薄膜化
し、数Å〜１０数Åになると、下記（１）、（２）のよ
うに、自然酸化膜のクリーン度や膜質がゲート酸化膜の
膜質の信頼性に影響を与えることは必至である。

【０００６】（１）洗浄用の洗浄液や純水に混入した有
機成分が洗浄中に自然酸化膜中に取り込まれていたり、
ウェット洗浄・乾燥後の半導体基板表面、すなわち自然
酸化膜上に溶剤や雰囲気中の有機物が付着していたりす
ると、ゲート酸化膜の膜厚が異常酸化により不均一にな
ったり、不純物や欠陥の多いゲート酸化膜が形成された
りする。

【０００７】（２）自然酸化膜中には酸素と未結合のシ
リコン（以下、未結合シリコンという）が多数存在し、
かつ均一に分布していないため、ゲート酸化膜形成時に
酸化種が自然酸化膜中を拡散するモビリティも一様では
ない。このため、ゲート酸化膜と基板シリコンとの界面
が原子レベルでラフになる、マイクロラフネスが発生す
る。特に、基板シリコンと自然酸化膜との界面のインタ
ーフェースは結晶構造的な遷移領域であり、未結合シリ
コンやＳｉ−Ｈ結合が多く存在するため、界面をコント
ロールすることが重要である。

【０００８】自然酸化膜を除去したり、成長を抑制した
りすることは不可能ではないが、工程の追加、窒素パー
ジなどによる酸素の遮断を行う機構が必要になる。つま
り、自然酸化膜は出来る限り薄くすることが重要である
が、それを実現するためには工数の増加および設備の増
加が伴う。

【０００９】なお、ゲート酸化膜を例にして説明した
が、熱処理前の他工程の膜形成についても同様である。

【００１０】本発明はこのような実情に鑑みてなされた
ものであり、ウェット洗浄工程での成長が不可避である
自然酸化膜を除去せず、自然酸化膜を積極的にクリーン
で良質な膜に改質することのできる半導体基板の処理方
法および処理装置を提供することを目的とする。

【００１１】また、本発明はウェット洗浄・乾燥後の半
導体基板に付着した有機物を除去することのできる半導
体基板の処理方法および処理装置を提供することを目的
とする。

【００１２】さらに、本発明は、自然酸化膜の内部およ
び表面の有機物を除去することにより、良好な成膜を行
うことのできる半導体基板の処理方法および処理装置を
提供することを目的とする。

【００１３】そして、本発明は均一で緻密な自然酸化膜
を形成することにより、良好な成膜を行うことのできる
半導体基板の処理方法および処理装置を提供することを
目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板の処
理方法は、ウェット洗浄・乾燥後の半導体基板に対し
て、成膜処理に入る前に酸素を含む雰囲気中で紫外線を
照射することを特徴とするものである。ここで、酸素を
含む雰囲気としては、大気、減圧雰囲気、窒素やアルゴ
ンなどに酸素をドーピングした雰囲気などがある。

【００１５】本発明の半導体基板の処理方法によれば、
ウェット洗浄・乾燥後の半導体基板に付着した有機物は
紫外線により分解され、酸素に紫外線を照射することで
生成された原子状の酸素と反応してＣＯ₂、ＮＯ₂、Ｈ
₂Ｏなどの単純な分子となり、半導体基板の表面から除
去される。

【００１６】また、ウェット洗浄中に半導体基板の表面
に成長した自然酸化膜内部および表面の有機物は紫外線
により分解され、酸素に紫外線を照射することで生成さ
れた原子状の酸素と反応してＣＯ₂、ＮＯ₂、Ｈ₂Ｏな
どの単純な分子となり、半導体基板の表面から除去され
る。

【００１７】さらに、自然酸化膜中に存在する未結合シ
リコンやＳｉ−Ｈ、Ｓｉ−ＯＨは原子状の酸素と反応し
てＳｉ−Ｏ結合となるため、均一で緻密な自然酸化膜と
なる。

【００１８】本発明の半導体基板の処理装置は、ウェッ
ト洗浄・乾燥後の半導体基板に対して、成膜処理を行う
前に酸素を含む雰囲気中で紫外線を照射する装置であっ
て、紫外線照射室と、前記紫外線照射室内を前記雰囲気
に設定する手段と、前記紫外線照射室内に配置された半
導体基板に紫外線を照射する手段とを備え、前記紫外線
照射室をメタルフリーの材質で構成するとともに、前記
半導体基板との接触部、および前記雰囲気に曝される部
材の材質を紫外線に対して耐劣化性を有し、かつ有機物
やメタルを発生しない材質としたことを特徴とするもの
である。

【００１９】本発明の半導体基板の処理装置によれば、
紫外線照射時に半導体基板を汚染することなく、前記本
発明の半導体基板の処理方法を行うことができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。

【００２１】（第１の実施の形態）図１は本発明の第１
の実施の形態の処理方法を説明するためのフロー図であ
る。この図に示すように、本発明の第１の実施の形態
は、ウェット洗浄・乾燥と、光処理と、熱処理とからな
るシリコン半導体デバイスの製造工程である。

【００２２】まず、図示されていない半導体基板に対し
て、洗浄装置１内でウェット洗浄を行い（図１のプロセ
スＡ１）、次に乾燥させる（プロセスＡ２）。次いで、
乾燥が終了した半導体基板に対して、光処理装置２内で
紫外線を照射して光処理（プロセスＡ３）を行い、次に
製造装置３内で熱処理を施し（プロセスＡ４）、ゲート
酸化膜を形成する。

【００２３】ここで、半導体基板の光処理を行うタイミ
ングは、ウェット洗浄・乾燥後、かつ熱処理前であれば
良い。例えば半導体基板を製造装置３内に搬入する直
前、製造装置３のトラブルや生産状況のための待機中、
あるいは一時保管中などである。

【００２４】図２は図１における光処理装置の要部構成
を示す図、図３は光処理により有機物を除去する様子を
説明するための図、図４は膜厚が均一で不純物や欠陥の
少ないゲート酸化膜が形成される様子を説明するための
図、図５は光処理により自然酸化膜を改変する様子を説
明するための図、図６はマイクロラフネスのないゲート
酸化膜が形成される様子を説明するための図である。ま
た、図７は光処理に使用する光源のスペクトルを示す図
である。

【００２５】図３に示すように、ウェット洗浄中（図１
のプロセスＡ１）には、半導体基板11の表面に自然酸化
膜12が成長する。このとき、洗浄液や純水に混入してい
る有機成分13が自然酸化膜12の内部に取り込まれる。ま
た、乾燥後には、溶剤や雰囲気（クリーンルーム内やウ
ェーハ保管容器内）の有機物14が自然酸化膜12の表面に
付着する。この半導体基板11に対して、紫外線を照射し
てプロセスＡ３の光処理を行うと、自然酸化膜12中の有
機成分13および表面の有機物14が分解される。

【００２６】ここで、有機成分13および有機物14が分解
される原理について説明する。光処理のプロセスＡ３で
使用される光源は、例えば図７に示すようなスペクトル
を有する低圧水銀ランプである。図７に示すように、波
長１８５ｎｍと２５４ｎｍの紫外線を効率良く放射す
る。

【００２７】波長１８５ｎｍの紫外線は下記の反応によ
ってオゾンＯ₃を発生する。Ｏ₂→ Ｏ＋ＯＯ＋Ｏ₂→ Ｏ₃

【００２８】波長２５４ｎｍの紫外線はオゾンＯ₃を分
解する。オゾンＯ₃の生成、分解の過程で原子状の酸素
Ｏが発生する。原子状の酸素Ｏは強力な酸化力を持って
いる。

【００２９】また、汚染物質である有機化合物に対し
て、分子の結合エネルギーより強いエネルギーの紫外線
を照射すると、有機化合物が分解され、フリーラジカル
などが生成される。このフリーラジカルは、原子状の酸
素と反応して、ＣＯ₂、ＮＯ₂、Ｈ₂Ｏなどの単純な分
子となり、除去される。

【００３０】なお、波長１７２ｎｍの紫外線を出力する
エキシマランプを用いて原子状の酸素をより効率的に発
生させ、半導体基板に付着した有機物を短時間でドライ
洗浄する装置が知られている。しかし、本実施の形態で
は、光処理の対象となる半導体基板11はウェット洗浄を
経ているため、付着している有機物は極めて微量である
こと、また、極めて薄い自然酸化膜の改質を目的として
いるため、波長２００ｎｍ以下の強い紫外線は不要であ
り、むしろ酸化膜やシリコン同志の結合を切断するなど
半導体基板11にダメージを与え、欠陥を誘起する原因に
なることから、エキシマランプを使用せず、低圧水銀ラ
ンプを用いている。水銀ランプの大半はオゾンの吸収波
長として最適な波長２５４ｎｍの紫外線を発光してい
る。波長１８５ｎｍの紫外線は、半導体基板11に対する
ダメージという点では好ましくはないが、照射している
のはオゾンの生成に必要な最低限の量であり、大半は酸
素に吸収されるので問題ない。

【００３１】図２に示すように、光処理装置２における
紫外線照射室21のチャンバー内の上部には複数の低圧水
銀ランプ22が設けられている。そして、低圧水銀ランプ
22の下方には、半導体基板26を載置するためのウェーハ
ステージ24が設けられている。ウェーハステージ24は、
ステージベース25の上面に固定されている。また、低圧
水銀ランプ22の上方と側面の周囲、およびウェーハステ
ージ24の側面の周囲には石英付き反射板23が設けられて
いる。さらに、紫外線照射室21のチャンバーの側面に
は、半導体基板26を出し入れする時に開くシャッター27
が設けられている。そして、紫外線照射室21のチャンバ
ーの側面には、クリーンルームの雰囲気をケミカルフィ
ルターと高性能フィルター（ＵＬＰＡフィルター）を通
して層流にして取り込むためのクリーンエア取り込み口
28が設けられている。

【００３２】以上のように構成された紫外線照射室21の
チャンバー内で半導体基板にプロセスＡ３の光処理を行
う時には、シャッター27を開き、図示されていない搬送
ロボットにより、半導体基板26をウェーハステージ24上
にセットし、シャッター27を閉じる。低圧水銀ランプ22
で発生した紫外線は、直接、あるいは石英付き反射板23
で反射した後、半導体基板26の表面に照射される。

【００３３】前述したプロセスＡ３で生成される酸素Ｏ
は、光で生成されるため、極めてクリーンである。した
がって、光処理装置２も酸化前処理に対応できるクリー
ン度を保持する必要がある。そこで、本実施の形態で
は、光処理装置２内の紫外線照射室21のチャンバー内
面、および半導体基板26との接触部であるウェーハステ
ージ24をメタルレスとする。また、紫外線照射室21の雰
囲気に曝される部分であるステージベース25の材質を紫
外線に対して耐劣化性を有し、かつ有機物やメタルを発
生しない材質である石英、ＳｉＣ、あるいはナイトライ
ドなどのセラミックとする。同様に、低圧水銀ランプ22
で発生した紫外線を集光するための光反射部材は、表面
を石英で覆われた石英付き反射板23とする。さらに、雰
囲気からの有機物汚染やパーティクルの付着を防止する
ため、クリーンルームの雰囲気をケミカルフィルターと
高性能フィルターを通して層流にして紫外線照射室21の
内部に取り込む。

【００３４】プロセスＡ４では、半導体基板11の表面に
ゲート酸化膜を形成する。ここで、図４に示すとおり、
従来のように光処理を行わなかった場合には、異常酸化
により膜厚が不均一になったり、不純物や欠陥の多いゲ
ート酸化膜16が形成されるのに対し、本実施の形態で
は、光処理により有機成分13および有機物14を除去した
ため、膜厚が均一で、不純物や欠陥の少ないゲート酸化
膜15が形成される。

【００３５】さらに、本実施の形態では、紫外線を照射
することにより、自然酸化膜の内部および表面から有機
成分を除去するだけでなく、自然酸化膜を均一に緻密化
することができる。以下、この点について図５および６
を参照しながら説明する。

【００３６】ウエット洗浄時および乾燥時（図１のステ
ップＡ１、Ａ２）には、図６に示すように、半導体基板
11の表面に自然酸化膜17が成長する。これらの過程で成
長する自然酸化膜17中には未結合シリコンが多い。この
半導体基板11に対して紫外線を照射する（図１のステッ
プＡ３）と、自然酸化膜17中の未結合シリコンやＳｉ−
Ｈ、Ｓｉ−ＯＨの結合を光エネルギーで分解し、かつ発
生した原子状の酸素Ｏで酸化させてＳｉ−Ｏ結合にす
る。これによって、常温で不安定な自然酸化膜17をより
安定で均質、緻密な自然酸化膜18に改変することができ
る。

【００３７】プロセスＡ４では、半導体基板11の表面に
ゲート酸化膜を形成する。ここで、図６に示すとおり、
従来のように光処理を行わなかった場合には、自然酸化
膜17中には未結合シリコンが多数存在し、かつ均一に分
布していないため、ゲート酸化膜形成時に酸化種である
酸素や水蒸気が自然酸化膜中を拡散するモビリティが一
様でないので、ゲート酸化膜20の下端部（ＳｉＯ₂／Ｓ
ｉの界面）にマイクロラフネス21が発生する。一方、本
実施の形態では、酸化種である酸素や水蒸気が一定のモ
ビリティで拡散し、半導体基板11のシリコンと結合し、
ＳｉＯ₂／Ｓｉの界面をより平坦化する。また、界面の
遷移領域の厚みを薄くして、界面準位を減少させるとと
もに、酸化膜への局部的な電界集中を緩和して、絶縁破
壊に強く、リーク電流の小さいゲート酸化膜19を形成す
ることができる。

【００３８】このように、本発明の第１の実施の形態に
よれば、ウェット洗浄・乾燥後の半導体基板11を熱処理
を行う製造装置３へ搬入する前に紫外線を照射し、光処
理を行うので、ウェット洗浄中に自然酸化膜の成長過程
で取り込まれた有機成分、あるいはクリーンルームやウ
ェーハ保管容器からの微量の有機付着物を分解し、膜厚
が均一で、不純物や欠陥の少ないゲート酸化膜を形成す
ることができる。

【００３９】特に、表面に付着する有機成分は曝露時間
に比例して付着量が増加するため、熱処理の直前に光処
理を行うことで、ウェット洗浄・乾燥後の経過時間を気
にすることなく有機物汚染を除去できる。光照射を行わ
ない場合には、ウェット洗浄・乾燥の完了から熱処理ま
での経過時間によって有機物汚染量が変化するため、ウ
ェーハ間やロット間のゲート酸化膜の膜質の安定性、均
一性に影響を及ぼすが、本発明の第１の実施の形態で
は、そのような問題はない。また、長期に生産が停滞す
るトラブルが発生した場合にも、再度ウェット洗浄を行
うことは困難であるが、光処理は何度でも可能である。
つまり、ウェット洗浄・乾燥から本処理であるゲート酸
化膜形成までの時間を短時間にするという時間的制約が
なくなるので、製造工程のフローの自由度が高まる。さ
らに、乾燥後の待機などでのクリーン度のばらつきがな
くなるので、成膜の品質の安定度が向上する。

【００４０】また、本発明の第１の実施の形態によれ
ば、ウェット洗浄・乾燥後の半導体基板11を熱処理を行
う製造装置３へ搬入する前に紫外線を照射し、自然酸化
膜中の未結合シリコンやＳｉ−Ｈ、Ｓｉ−ＯＨの結合を
光エネルギーで分解し、かつ発生した原子状の酸素Ｏで
酸化させてＳｉ−Ｏ結合にすることにより、安定で均
質、緻密な自然酸化膜に改変することができる。また、
ＳｉＯ₂／Ｓｉの界面を平坦化し、界面の遷移領域の厚
みを薄くして、界面準位を減少させるとともに、酸化膜
への局部的な電界集中を緩和して、絶縁破壊に強く、リ
ーク電流の小さいゲート酸化膜を形成することができ
る。

【００４１】さらに、本発明の第１の実施の形態によれ
ば、低圧水銀ランプで発生した紫外線を用いているた
め、紫外線を照射することで、半導体基板11にダメージ
を与え、欠陥を誘起することがない。

【００４２】そして、本発明の第１の実施の形態によれ
ば、光照射装置２における紫外線照射室のチャンバー、
および半導体基板との接触部、および紫外線照射室の雰
囲気に曝される部分の材質を紫外線に対して耐劣化性を
有し、かつ有機物やメタルを発生しない材質である石
英、ＳｉＣ、あるいはナイトライドなどのセラミックと
したので、紫外線照射時に半導体基板が汚染されない。

【００４３】（第２の実施の形態）図８は本発明の第２
の実施の形態の処理方法を説明するためのフロー図であ
る。この図において、図１と同一の構成要素には図１で
使用した符号と同一の符号を付した。

【００４４】図８に示すように、本発明の第２の実施の
形態は、ゲート酸化膜形成のための熱処理を行う製造装
置４の内部で光処理のプロセスＡ３を行うことが特徴で
ある。換言すれば、製造装置４は、第１の実施における
光照射装置２と製造装置３とを一体化したものである。

【００４５】まず、図示されていない半導体基板に対し
て、洗浄装置１内でウェット洗浄を行い（図８のプロセ
スＡ１）、次に乾燥させる（プロセスＡ２）。乾燥が終
了した半導体基板は製造装置４内に搬入される。そし
て、光処理を行い（プロセスＡ３）、その直後に熱処理
（プロセスＡ４）を行う。ここで、光処理を行うタイミ
ングは、熱処理の直前、またはその待機中、または製造
装置４内において熱処理を行う部分への搬送中などであ
る。

【００４６】本発明の第２の実施の形態における各プロ
セスの作用は第１の実施の形態と同じであるため、説明
を省略する。

【００４７】なお、上記第１の実施の形態および第２の
実施の形態は、ゲート酸化膜を形成する前に光処理を行
うものであったが、本発明は、金属の蒸着、スパッタ、
気相成長などの成膜工程の前に光処理を行う場合にも適
用することができる。ただし、これらの場合は付着した
有機物を除去することが主目的となるので、減圧雰囲気
にすることが好適である。

【００４８】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の半
導体基板の処理方法によれば、ウェット洗浄・乾燥後の
半導体基板に対して、成膜処理を行う前に酸素を含む雰
囲気中で紫外線を照射することにより、半導体基板に付
着した有機物を除去することができる。

【００４９】また、本発明の半導体基板の処理方法によ
れば、ウェット洗浄・乾燥後の半導体基板に対して、成
膜処理を行う前に酸素を含む雰囲気中で紫外線を照射す
ることにより、汚染が少なく、より薄く、均質で緻密な
自然酸化膜に改変することができる。

【００５０】そして、本発明による半導体基板の処理方
法の実行後に成膜を行うことにより、欠陥が少なく均質
な成膜が可能になる。また、ウェット洗浄・乾燥から成
膜までの時間的制約がなくなるため、製造工程のフロー
の自由度が高まる。さらに、乾燥後の待機などでのクリ
ーン度のばらつきがなくなるため、成膜の品質の安定度
が向上する。

【００５１】さらに、本発明の半導体基板の処理装置に
よれば、紫外線照射室をメタルフリーの材質で構成する
とともに、半導体基板との接触部、および酸素を含む雰
囲気に曝される部材の材質を紫外線に対して耐劣化性を
有し、かつ有機物やメタルを発生しない材質としたの
で、紫外線照射時に半導体基板が汚染されない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態の光処理方法を説明
するためのフロー図、

【図２】本発明の第１の実施の形態における光処理装置
の構成を示す図、

【図３】本発明の第１の実施の形態において光処理によ
り有機物を除去する様子を説明するための図、

【図４】本発明の第１の実施の形態において膜厚が均一
で不純物や欠陥の少ないゲート酸化膜が形成される様子
を説明するための図、

【図５】本発明の第１の実施の形態において光処理によ
り自然酸化膜を改変する様子を説明するための図、

【図６】本発明の第１の実施の形態においてマイクロラ
フネスのないゲート酸化膜が形成される様子を説明する
ための図、

【図７】光処理に使用する光源のスペクトルを示す図、

【図８】本発明の第２の実施の形態の光処理方法を説明
するためのフロー図である。

【符号の説明】

１洗浄装置２光処理装置３、４製造装置 11、26 半導体基板 21 紫外線照射室 22 低圧水銀ランプ 23 石英付き反射板 24 ウェーハステージ 25 ステージベース A1 ウェット洗浄工程 A2 乾燥工程 A3 光処理工程 A4 熱処理工程

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ウェット洗浄・乾燥後の半導体基板に対
して、成膜処理を行う前に酸素を含む雰囲気中で紫外線
を照射することを特徴とする半導体基板の処理方法。
【請求項２】ウェット洗浄・乾燥後の半導体基板を成
膜処理を行う装置へ搬入する前に紫外線を照射すること
を特徴とする請求項１に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項３】成膜処理を行う装置内において、成膜処
理の前に紫外線を照射することを特徴とする請求項１に
記載の半導体基板の処理方法。
【請求項４】前記紫外線は波長２５４ｎｍおよび１８
５ｎｍを含むものであることを特徴とする請求項１乃至
３のいずれかに記載の半導体基板の処理方法。
【請求項５】請求項１乃至４のいずれかに記載の半導
体基板の処理方法を行った後に成膜を行うことを特徴と
する半導体デバイスの製造方法。
【請求項６】ウェット洗浄・乾燥後の半導体基板に対
して、成膜処理を行う前に酸素を含む雰囲気中で紫外線
を照射する装置であって、紫外線照射室と、前記紫外線
照射室内を前記雰囲気に設定する手段と、前記紫外線照
射室内に配置された半導体基板に紫外線を照射する手段
とを備え、前記紫外線照射室をメタルフリーの材質で構
成するとともに、前記半導体基板との接触部、および前
記雰囲気に曝される部材の材質を紫外線に対して耐劣化
性を有し、かつ有機物やメタルを発生しない材質とした
ことを特徴とする半導体基板の処理装置。