JP2002258116A - 光デバイス及びそれを用いた光モジュール - Google Patents

光デバイス及びそれを用いた光モジュール

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JP2002258116A
JP2002258116A JP2001055718A JP2001055718A JP2002258116A JP 2002258116 A JP2002258116 A JP 2002258116A JP 2001055718 A JP2001055718 A JP 2001055718A JP 2001055718 A JP2001055718 A JP 2001055718A JP 2002258116 A JP2002258116 A JP 2002258116A
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optical
optical fiber
ferrule
coreless
mounting groove
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JP2001055718A
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English (en)
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Michiaki Hiraoka
通明 平岡
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Original Assignee
Kyocera Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】途中に光学素子が配置された光ファイバとフェ
ルール等の部材間を気密的に封止する構造を提供する。 【解決手段】端部にコアレス光ファイバ3を接続した2
つの光ファイバ間に搭載用溝6を設け、光学素子4を配
置した後この溝部を基体5の壁部に含ませ壁部より外に
露出した光ファイバの周囲を壁面と気密的に封止・固定
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射戻り光を遮断
する光アイソレータや光センシング、測定のための波長
板を備えた光デバイスに関する。また、発光素子や受光
素子等の光半導体素子を備えた光通信機器、センサー等
の光モジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】光通信の光源に用いられる発光素子は、
その出射光がある個所で反射して再び素子の活性層に戻
ると、発振状態が乱れ、出射パワーの変動や波長ずれが
生じ、これにより信号が劣化する。特にアナログ信号は
上記の反射戻り光によって劣化し易く、また、高密度な
信号ほど反射戻り光の影響を受け易いため、CATV等
のアナログ伝送データの増加、大容量化、高速化に伴
い、光アイソレータは不可欠な構成要素となってきてい
る。
【0003】通常、発光素子を搭載した光モジュール
は、このような反射戻り光の問題を防止するため、パッ
ケージ内部に、光を一方向のみに透過させる光アイソレ
ータを搭載した構成となっている。
【0004】一方、このような光通信に用いられる光半
導体素子を組み込んだ光モジュールは、温度や湿度等の
環境条件の変化を受けても安定動作が得られるように、
光半導体素子を外界に対し気密封止する必要がある。特
に湿気は光半導体素子の反射防止膜が剥がれたり、レン
ズ等の光学素子端面に結露が生じて出力変動が起こる原
因となっていた。
【0005】従来の、光アイソレータを含む光学系を持
つ光モジュールの構成を、図6を用い説明する。図6に
示すように、光モジュールJ1のレンズを用いた結合系
では、パッケージ10内に発光素子11、第1レンズ1
2aを固定し、パッケージ外部への光取出口16には気
密封止するための無反射コートを施したガラス窓13を
嵌め込み、このガラス窓の外側に光アイソレータ14、
そして第2レンズ12bを設け、この第2レンズ12b
の外側に光ファイバ15の先端を位置決め固定してい
る。なお、図中18は受光素子、19はペルティエクー
ラーである。
【0006】発光素子11から出射された光は第1レン
ズ12aでコリメートされ、ガラス窓13と光アイソレ
ータ14を通過し、第2レンズ12bで集光され光ファ
イバ15に入射される。ここで、第1レンズ12a、第
2レンズ12bには、ボールレンズ、両凸レンズ、非球
面レンズ、またはグレイデッドインデックスレンズ等が
用いられる。
【0007】パッケージ10と蓋17の気密封止は、金
属パッケージを使用するか、あるいはセラミックパッケ
ージに封止用金属板がロウ付けされているものを使用す
ることで、パッケージ10と蓋17の間で抵抗溶接等の
シーム溶接を適用することができる。
【0008】パッケージ外部への光取出口16について
は、この光モジュールが空間光学系を利用し、ガラス窓
13を介して光結合されているために、最初にパッケー
ジ10とガラス窓13を低融点ガラス等で気密封止する
ことが容易に可能である。
【0009】これらの方法によって、光モジュール内の
光半導体素子の特性に影響を及ぼすことのない、Heリ
ーク試験で10-8atm・cc/sec程度の十分な気
密度を保つことができる。
【0010】しかし、このような光モジュールでは、光
アイソレータ14、第1レンズ12a、第2レンズ12
b等は独立した部品として、それぞれが別々のホルダー
に固定された後にアライメントされるので、部品点数が
多く、調整も煩雑で、光モジュール全体が大型化すると
いった問題があった。
【0011】また、光モジュール全体を小型化し光アイ
ソレータを含むアライメントを容易にするために、図7
に示すように、先球7を備えたコア拡大光ファイバ20
を用いた、ファイバスタブに光アイソレータ素子4を実
装した光デバイスJ2が提案されている(特開平10−
68909号公報を参照)。
【0012】この光デバイスJ2は、先端に先球7を形
成したコア拡大光ファイバ20を中心に保持したフェル
ール5に光アイソレータ素子4が配設され、全体がスリ
ーブ21に固定されたファイバスタブ型光デバイスを構
成している。光デバイスJ2では、光ファイバ先端を発
光素子に近づけ直接的な結合を行う先球光ファイバ結合
系を利用するため、光アイソレータを含めたアライメン
トが光アイソレータが無い場合と同等の工数で容易に実
現でき、高機能な光モジュールの低コスト化が図れる。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図7に示すよ
うな光デバイスでは、光ファイバとフェルール等の部材
間の気密封止構造について十分な検討がなされいなかっ
た。
【0014】一般的な光ファイバとフェルールの気密封
止方法について以下に示す。
【0015】簡易的な方法としては接着剤等の樹脂を用
いるが、一般に、樹脂による気密封止では気密度が悪
く、その気密度は接着固定する長さに大きく依存する。
特に、光アイソレータ素子等をフェルール内に配設する
ような光デバイスの場合には、光デバイス全体の大きさ
の制限から、光ファイバを接着固定する長さが確保でき
ず十分な気密度を得ることは難しかった。このため、光
モジュールの気密封止に対する初期性能(例えば、連続
使用10日程度の湿度雰囲気下での性能テスト)は満足
できても、数十年に渡る長期連続使用については問題が
あった。これは、光ファイバと樹脂間や樹脂とフェルー
ル間の界面リークの問題にかかわらず、樹脂固有で持つ
透湿性や吸湿性に左右されるためである。
【0016】また、光ファイバとフェルールの隙間全体
を半田等の金属で充填する方法があるが、光ファイバの
外周にAu等の金属膜を形成する必要があり、非常に高
価であった。さらには、作業性が悪い上、充填が不十分
になり易いという問題があった。仮に気密度が十分得ら
れた場合でも、充填による接合部が長いために、熱膨張
係数差で光ファイバに歪みが生じ、特性劣化や光ファイ
バの断線を招く恐れがあった。
【0017】また、接着剤等の樹脂で光ファイバをフェ
ルールに仮固定した後に、フェルールの前端部あるいは
後端部、その両方を部分的に半田や低融点ガラス等で気
密封止する方法がある。しかし、光素子を配設した光デ
バイスにおいては、配設した光素子の両端に対向する光
ファイバの相対位置が光学特性に最も影響を与えるた
め、仮に、前端部あるいは後端部、ぞの両方で部分的に
気密封止されていても、長期連続使用や環境条件によっ
ては、光素子両端で光ファイバを固定している樹脂部が
劣化し、光ファイバの位置ずれを招き光デバイスの特性
劣化につながる可能性あった。
【0018】本発明では、上述の諸問題を解決し、小型
で集約され、光半導体素子とのアライメントが容易で、
且つ、簡単に気密構造が可能で、長期信頼性に優れた光
デバイス及びそれを備えた光モジュールを提供すること
を目的とする。
【0019】
【課題を解決するための手段】上記の問題を解決するた
めに、本発明の光デバイスは、光ファイバ体を固定した
基体に、前記光ファイバ体を2つに分離する素子搭載用
溝を形成し、該素子搭載用溝に光学素子を固定して成る
光デバイスであって、前記素子搭載用溝内に露出した前
記光ファイバ体の端部と基体と間を気密封止したことを
特徴とする。
【0020】また、前記基体が前記光ファイバ体を収容
したガラス製のフェルールであり、かつ前記素子搭載用
溝内に露出した前記光ファイバ体の端部が前記フェルー
ル及び/または光ファイバ体の熱融着により気密封止さ
れていることを特徴とする。
【0021】また、前記素子搭載用溝に露出した前記光
ファイバ体の端部は、コアレス光ファイバで形成されて
いることを特徴とする。
【0022】また、本発明の光モジュールは、上記光デ
バイスと、該光デバイスに光接続する光半導体素子とを
それぞれ配設したことを特徴とする。
【0023】より具体的には、本発明の光デバイスは、
光ファイバ体が配設された基体に、該光ファイバ体を横
断し、光素子を配設するための素子搭載用溝を形成し、
該素子搭載用溝の両側切断面で前記光ファイバ体と前記
基体が固定・気密封止されていることを特徴とする。
【0024】さらに、前記基体がガラスフェルールであ
って、該ガラスフェルールと前記光ファイバ体が熱融着
により固定・気密封止されていることを特徴とする。
【0025】さらに、前記光ファイバ体が一端に光半導
体素子を光接続させるためのレンズ部を備えた第1シン
グルモード光ファイバ、第1マルチモード光ファイバ、
コアレス光ファイバ、第2マルチモード光ファイバ、第
2シングルモード光ファイバを順次一列に接続してなる
光ファイバ光学系の光ファイバ体であることを特徴とす
る。
【0026】さらに、前記素子搭載用溝が前記コアレス
光ファイバ部の途中に形成され、前記素子搭載用溝に光
素子を配設したことを特徴とする。
【0027】そして、本発明の光モジュールは、基体上
に前記光デバイスと前記光ファイバ体Fの端面に光接続
する光半導体素子とをそれぞれ配設したことを特徴とす
る。
【0028】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態につい
て図面に基づき詳細に説明する。
【0029】図1に示すように、本発明による光デバイ
スS1は、フェルール5に保持された光ファイバ体Fの
途中に光素子を配設してなる。フェルール5には光ファ
イバ体Fを横断するように、素子搭載用溝6が形成して
あり、素子搭載用溝6の両側切断面5cで光ファイバ体
Fとフェルール5を固定・気密封止してなる。
【0030】光ファイバ体Fは、一端に光半導体素子を
光接続させるためのレンズ部を備えた第1シングルモー
ド光ファイバ、第1マルチモード光ファイバ、コアレス
光ファイバ、第2マルチモード光ファイバ、第2シング
ルモード光ファイバを順次一列に接続してなる光学系で
あり、第1シングルモード光ファイバ1aのレンズ部が
フェルール前端面5aから突き出し、コアレス光ファイ
バ3が素子搭載用溝6に位置するようにフェルール5に
保持されている。第2シングルモード光ファイバはフェ
ルール後端面にて研磨加工、もしくは一定長備えた形の
所謂ピグテイル形状としている。フェルール5内で分断
されたコアレス光ファイバ3は素子搭載用溝6内に配設
した光素子(例えば光アイソレータ素子4)を介して光
接続させるようにしている。
【0031】具体的には、光デバイスS1は、アルミ
ナ、ジルコニア、ガラス、金属等からなるフェルール5
内に、一端に光半導体素子を光接続させるためのレンズ
部である先球7を有する第1シングルモード光ファイバ
1a、第1マルチモード光ファイバである第1GIファ
イバ2a、コアを持たないコアレス光ファイバ3(第1
コアレスファイバ3a、第2コアレス光ファイバ3
b)、第2マルチモード光ファイバである第2GIファ
イバ2b、第2シングルモード光ファイバ1bを順次一
列に接続した光ファイバ体Fを収納してなる。第1GI
ファイバ2aと第2GIファイバ2bは同じ長さでP
(ピッチ)>0.25である。GIファイバ端面に点光
源があったときのコリメート条件はP=0.25であ
る、実際に結合効率が最も高いのは、2つのGIファイ
バからのビームウェストが一致する場合である。P=
0.25ではビームウェストはちょうどGIファイバの
出射端面に位置することになり、GIファイバ間に光素
子を挟む場合はビームウェストは一致しない。従ってG
Iファイバの出射端面から離れた位置にビームウェスト
を形成するためにはP>0.25の条件が必要になる。
【0032】また、第1GIファイバ2aから出射され
る光のビームウエストと第1GIファイバ2aの出射端
面までの距離をDとした場合、コアレス光ファイバ3の
長さは2Dであり、第1GIファイバ2a、第2GIフ
ァイバ2bによるビームスポットが中央で一致するよう
に調整されている。
【0033】シングルモード光ファイバを伝播する光は
単一のモードのみが可能で一定のMFDを保っている。
また、第1シングルモード光ファイバ1aの一端に光半
導体素子を光接続させるためのレンズ部である先球7を
備えることにより、光半導体素子と第1シングルモード
光ファイバ1aは高効率に光結合が可能になるが、この
先球7と光半導体素子の相対位置関係、即ち光入射条件
が変化してもシングルモード光ファイバを伝播し出射さ
れる光はパワー以外は常に同一の条件で、レンズ効果を
持つGIファイバ2aに入射するので光結合特性が安定
する。
【0034】なお、この先球7はレンズ効果を有し光半
導体素子に光接続できるものであればその形状は問わな
い。
【0035】また、GIファイバ2bはマルチモード光
ファイバであるため、光入射条件により出射条件が大き
く変化する。このため、光素子配設部での結合特性を保
証することができない。そこで、コアレス光ファイバ3
を接続することにより、予め焦点距離を厳密に調整する
と同時に、光ファイバ間の軸ズレを防止することができ
る。
【0036】光ファイバ体Fとフェルール5の固定・気
密封止は、素子搭載用溝6の両側切断面5cで行うが、
その方法としては、素子搭載用溝6側からフェルール5
外端部に向けて、光ファイバ体Fとフェルール5の隙間
を、半田や低融点ガラスで充填すればよい。
【0037】また、光デバイスS1において、ガラスの
フェルール5を用いた場合は、光ファイバ体Fの固定・
気密封止部がコアレス光ファイバ3の部分であるため、
ガスバーナー、放電、レーザー加熱等を用い、加熱溶融
で光ファイバ体Fとフェルール5と固定・気密封止する
ことも可能である。通常、コアを持つ光ファイバの加熱
溶融は、屈折率を上げるためにコアにドープしたGe等
がクラッドに拡散していまい、光の伝搬モードを損なう
ことがあるが、本発明による光デバイスS1ではコアレ
ス光ファイバ3を用いているために、溶融による固定・
気密封止方法でも光学特性を劣化させることはない。
【0038】作製工程としては、フェルール5に光ファ
イバ体Fを配設し、接着剤等で仮固定した後に、コアレ
ス光ファイバ3の位置でフェルール5と光ファイバ体F
とを一括加工して素子搭載用溝6を形成し、両側切断面
を固定・気密封止する方法がある。
【0039】また、先に素子搭載用溝6を形成したフェ
ルール5に光ファイバ体Fを挿入し、素子搭載用溝6に
コアレス光ファイバ3を露出させるように接着剤や治工
具等で仮固定した後に、両側切断面の固定・気密封止、
その後素子搭載用溝6内でコアレス光ファイバ3を分断
する方法とがある。ここで、フェルール5に溶融させた
光ファイバ体Fのコアレス光ファイバ3を融着して気密
に固定させるようにしてもよい。また、フェルール5と
光ファイバ体Fとを共に高温で溶融させて両者を信頼性
良好に気密に固定させるようにしてもよい。
【0040】そして、この素子搭載用溝6内に、偏光子
19a,19bとファラデー回転子20を一体成形後、
切断して作製した光アイソレータ素子4を設置するとと
もに、光アイソレータ素子4の偏光子19a,19bの
光入出射面とコアレス光ファイバ3の一端部との間に屈
折率をコアレス光ファイバ3に整合させた透光性の屈折
率整合接着剤8を充填する。なお、前述のようにここで
は磁界印加手段は省略する。また、光アイソレータ素子
4の表面は反射量0.2%以下の図不示の反射防止膜が
形成されているものとする。
【0041】第1シングルモード光ファイバ1aの先球
7から入った光は、第1GIファイバ2aによってビー
ム径を拡大され、コアレス光ファイバ3の中央でビーム
ウェストをもつビームとなって光アイソレータ素子4を
通過し、再びコアレス光ファイバ3内を通過し、GIフ
ァイバ2bによりビーム径を収束させられ第2シングル
モード光ファイバbに伝播する。この光デバイスS1
は、後端面5cにおいて第2シングルモードファイバ1
bはその余長を1mほど有し図不示のコネクタがその終
端に取り付けられている。
【0042】本発明によれば、光学系の途中に光アイソ
レータ素子4等の光素子を配設する構成の光デバイスで
あっても、光素子の前後で相対する光ファイバの端面で
固定・気密封止しているために位置ずれが発生しにく
く、容易に長期信頼性に優れた光デバイスが提供でき
る。
【0043】また、ガラスのフェルール5を用いた場合
には、光ファイバの固定・気密封止部がコアレス光ファ
イバ3部分であるため、ガスバーナー、放電、レーザー
加熱等を用いた、加熱溶融による固定・気密封止方法で
あっても、光デバイスの光学特性を劣化させることはな
い。この方法では、他の充填剤を用いることなく固定・
気密封止が可能であるために、事実上、気密度に大きく
影響を及ぼす異材質の界面が少なくなる上、ガラスフェ
ルールと光ファイバの熱膨張係数が近いことから、環境
温度の変化による光ファイバへの応力を抑制でき、耐熱
性に優れた光デバイスが提供できる。当然、工程も簡略
化できるため、光デバイスの低コスト化も図れる。
【0044】さらには、本光学系のコアレス光ファイバ
3部に光素子を配設するために、光素子はほぼアライメ
ントフリーとなる。また、マルチモード光ファイバとし
てGIファイバを用いているが、焦点距離はコアレス光
ファイバ3の長さで調整済みで、光ファイバ体の組み立
て時点で保証されており、光素子の実装後に調整する必
要がない。これは工程の簡略化ばかりでなく、工程の初
期段階で、即ち光素子等を固定する前に結合効率の不具
合が確認できるため、工程トータルの効率化と不良によ
る損害を大幅に減らすことが可能になる。
【0045】また、ここではコアレス光ファイバ3を分
断する素子搭載用溝6内に特に光アイソレータ素子4を
用いる例を示したが、波長板や波長フィルターといった
光素子でも適用可能である。
【0046】また、さらに図5に示すように本発明の光
デバイスS1と光接続させる光半導体素子11とをパッ
ケージ10に内蔵するモジュールM1において、容易に
高い信頼性構造を実現することができる。
【0047】
【実施例】以下に、本発明をより具体化した実施例につ
いて説明する。まず、図2(a)〜(d)を用いて光フ
ァイバ体の構成について説明する。
【0048】図2(a)に示すように、MFDが約10
μmの石英系シングルモード光ファイバ1aの先端に、
Δ=0.85%、コア径が105μm、収束パラメータ
A=3.37×10−6μm−2、GIファイバ2aを
放電加工により融着し、P=0.258(653μm)
になるようGIファイバ2aを切断した。
【0049】周囲の媒質がn=1.46(コアレス光フ
ァイバ3の屈折率に相当)であれば、GIファイバ2a
の端面15から、このGIファイバ2aで形成される出
射光のビームウェストまでの距離は550μmとなる。
【0050】次に、図2(b)に示すように、n=1.
46の屈折率をもつコアレス光ファイバ3をGIファイ
バ2aに放電加工により融着し、1100μmの長さで
切断した。そして、図2(c)に示すように、GIファ
イバ2aと同じ構成のGIファイバ2b、シングルモー
ド光ファイバ1bをこの順に融着接続し、最後に図2
(d)のようにシングルモード光ファイバ1aの一端に
研摩加工によりR=5μmの先球7を形成し光ファイバ
体Fとした。
【0051】次に図3(a)〜(d)を用いて、光ファ
イバ体とフェルールの固定・気密封止方法について説明
する。
【0052】図3(a)に示すように、幅1.5mmの
素子搭載用溝6を形成した直径1.25mm,長さ6.
5mmのジルコニアフェルール5に光ファイバ体Fを配
設し、素子搭載用溝6にコアレス光ファイバ3が位置す
るように仮固定した。仮固定には、エポキシテクノロジ
ー社製熱硬化型エポキシ接着剤エポテック353NDを
用いた。素子搭載用溝6の加工にはDISCO製ダイサ
ーブレードSDC320R10MB01を用いた。
【0053】次に図3(b)に示すように、素子搭載用
溝6の両側切断面で光ファイバ体Fとフェルール5を低
融点ガラス9で気密封止した後に、図3(c)に示すよ
うに、素子搭載用溝6内のコアレス光ファイバ3を横切
るように幅1mmの素子搭載用溝6aを形成した。な
お、この加工には光ファイバ端面の面粗さを抑制する目
的でDISCO製ダイサーブレードNBC−Z2050
を用いた。
【0054】そして、図3(d)に示すように、この素
子搭載用溝6内において、偏光子19a,19b,ファ
ラデー回転子20を一体成形後、切断して作製した光ア
イソレータ素子4を設置した。ここでは、コアレス光フ
ァイバ3と屈折率を整合させた紫外線硬化型接着剤や熱
硬化型の屈折率整合接着剤8(例えばNTTアドバンス
トテクノロジー社の紫外線硬化型エポキシ接着剤#95
39、ダイキン工業社製の紫外線硬化型接着剤オプトダ
イン、エポキシテクノロジー社製熱硬化型接着剤エポテ
ック353ND等)を用いて光アイソレータ素子4とコ
アレス光ファイバ3の間に充填接着し光デバイスS1を
構成した。
【0055】光アイソレータ素子4は、偏光子19a,
19b(厚さ200μm、屈折率1.5)、ファラデー
回転子20(磁性ガーネット、厚さ350μm、屈折率
2.2)から成り、各々の光透過面は反射防止膜を形成
した後に、エポキシ系の透光性の接着剤(例えばエポキ
シテクノロジー社製熱硬化型接着剤エポテック353N
D)で接合されている。なお、光アイソレータ素子4は
10mm角以上の大型の素子で一括アライメントを行い
接着した後に、400μm角に切断されている。厚さは
750μmとなる。また、ここでは自発磁化型のガーネ
ットを用いるため磁石は不要である。
【0056】他の固定・気密封止方法について実施例を
図4(a)〜(d)を用いて説明する。
【0057】図4(a)に示すように、直径1.25m
m,長さ6.5mmのガラスフェルール5に光ファイバ
体Fを配設し、仮固定した。仮固定には、エポキシテク
ノロジー社製熱硬化型エポキシ接着剤エポテック353
NDを用いた。さらに、図4(b)に示すように、コア
レス光ファイバ3の部分で光ファイバ体Fを横切るよう
に幅1mmの素子搭載用溝6を形成した。なお、この加
工にはDISCO製ダイサーブレードSDC320R1
0MB01を用いた。
【0058】次に、図4(c)に示すように、素子搭載
用溝6の両側切断面で光ファイバ体Fとガラスフェルー
ル5を放電による溶着法で気密封止した。ここでは放電
を用いたが、ガスバーナーやレーザー加熱等による局所
加熱法でも可能である。
【0059】そして、図4(d)に示すように、この素
子搭載用溝6内に光アイソレータ4を設置した。ここで
も、コアレス光ファイバ3と屈折率を整合させた紫外線
硬化型接着剤や熱硬化型の屈折率整合接着剤8(例えば
NTTアドバンストテクノロジー社の紫外線硬化型エポ
キシ接着剤#9539、ダイキン工業社製の紫外線硬化
型接着剤オプトダイン、エポキシテクノロジー社製熱硬
化型接着剤エポテック353ND等)を用いて光アイソ
レータ4とコアレス光ファイバ3の間に充填接着し光デ
バイスS1を構成した。
【0060】なお、図5に示す本発明の光デバイスを用
いた光モジュールM1は、発光素子11側の第一シング
ルモード光ファイバ1aの端面は、反射を防ぎ結合効率
も同時に向上させるため先球7としているが、設計によ
ってはレンズを設けても良い。
【0061】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の気密封止
構造及び光デバイス及び光モジュールによれば、以下の
顕著な効果を奏することができる。
【0062】素子搭載用溝の両側切断面で光素子を挟ん
で、相対する光ファイバ体をそれぞれフェルールに固定
・気密封止しているため、双方の光ファイバ体の光軸位
置ずれが発生しにくく、容易に長期信頼性に優れた光デ
バイスが提供できる。また、もともと一本の光ファイバ
体であるためにこれを分断したものは光軸位置ずれは原
理的にないものである。
【0063】また、光ファイバ体を固定した基体にガラ
ス製のフェルールを用いれば、コアレス光ファイバの部
分を加熱溶融することが可能であり、光デバイスの光学
特性を劣化させることはない。さらに、他の充填剤が不
要であるため、異材質の界面が少なくなる上、ガラスフ
ェルールと光ファイバの熱膨張係数が近いことから、環
境温度の変化による光ファイバへの応力を抑制でき、耐
熱性に優れた光デバイスが提供できる。当然、工程も簡
略化できるため、光デバイスの低コスト化も図れる。
【0064】さらに、基本となる光ファイバ体は、マル
チモード光ファイバとコアレス光ファイバの接続部の調
整のみでよく、調整軸が少なく組み立てが容易である。
マルチモード光ファイバに挟まれるコアレス光ファイバ
は、焦点距離調節と軸ずれ防止、組み立ての簡易化の役
割をもつ。
【0065】さらに、光ファイバ体に光学素子を配設す
る場合は、コアレス光ファイバに溝を形成すれば良い。
溝位置はコアレス光ファイバの範囲でさえあればずれて
も全く問題が生じないため極めて作製しやすい。光アイ
ソレータの配設はほぼアライメントフリーで行うことが
できる。
【0066】そして、このような光デバイスを用いるこ
とにより、レンズが不要になり、小型で作製容易、安価
で経時変化の少なく、気密性の優れた光モジュールを提
供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る光デバイスを模式的に説明する断
面図である。
【図2】(a)〜(d)は本発明に係る光ファイバ体の
作製工程を模式的に説明する断面図である。
【図3】(a)〜(d)は本発明に係る光デバイスの作
製工程を模式的に説明する断面図である。
【図4】(a)〜(d)は本発明に係る光デバイスの作
製工程を模式的に説明する断面図である。
【図5】本発明に係る光モジュールを模式的に説明する
断面図である。
【図6】従来の光モジュールを模式的に説明する断面図
である。
【図7】従来のコア拡大光ファイバに光アイソレータを
実装した光デバイスを説明する断面図である。
【符号の説明】
3:コアレス光ファイバ 4:光アイソレータ(光学素子) 5:フェルール(基体) 6:素子搭載用溝 11:発光素子(光半導体素子) F:光ファイバ体 M1:光モジュール S1:光デバイス

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光ファイバ体を固定した基体に、前記光
    ファイバ体を2つに分離する素子搭載用溝を形成し、該
    素子搭載用溝に光学素子を固定して成る光デバイスであ
    って、前記素子搭載用溝内に露出した前記光ファイバ体
    の端部と基体と間を気密封止したことを特徴とする光デ
    バイス。
  2. 【請求項2】 前記基体が前記光ファイバ体を収容した
    ガラス製のフェルールであり、かつ前記素子搭載用溝内
    に露出した前記光ファイバ体の端部が前記フェルール及
    び/または光ファイバ体の熱融着により気密封止されて
    いることを特徴とする請求項1に記載の光デバイス。
  3. 【請求項3】 前記素子搭載用溝に露出した前記光ファ
    イバ体の端部は、コアレス光ファイバで形成されている
    ことを特徴とする請求項1に記載の光デバイス。
  4. 【請求項4】 基板上に、請求項1に記載の光デバイス
    と、該光デバイスに光接続する光半導体素子とをそれぞ
    れ配設したことを特徴とする光モジュール。
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