JP2002257935A - 放射線検出装置及びそれを用いた放射線撮像システム - Google Patents
放射線検出装置及びそれを用いた放射線撮像システムInfo
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- JP2002257935A JP2002257935A JP2001062053A JP2001062053A JP2002257935A JP 2002257935 A JP2002257935 A JP 2002257935A JP 2001062053 A JP2001062053 A JP 2001062053A JP 2001062053 A JP2001062053 A JP 2001062053A JP 2002257935 A JP2002257935 A JP 2002257935A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 多層電磁波シールドを用いて、シールド材料
の放射線吸収による感度の低下を抑えながら、電磁波シ
ールド効果を高めた放射線検出装置を提供する。 【解決手段】 多層電磁波シールド１２０は、蛍光体基
台ａ−Ｃ１１５の両面に金属反射層アルミニウム１１４
及び金属層アルミニウム１１６を形成する。蛍光体基台
ａ−Ｃ１１５の片面に２０μｍ厚で形成した場合に比
べ、両面に１０μｍずつ形成すれば、Ｘ線の吸収を変え
ず（増やさず）に、内部反射損失が２倍になり、電磁波
シールド効果を高めることができる。光センサー貼り合
わせ面側に蛍光体ＣｓＩ１１３を形成し、さらに蛍光体
保護層ポリエチレン１１２を形成する。金属層アルミニ
ウム１１６の上部にも絶縁層ポリエチレン１１７を形成
する。ポリエチレンはＣ（炭素）とＨ（水素）の組み合
わせのため、十分にＸ線の吸収は低い。
の放射線吸収による感度の低下を抑えながら、電磁波シ
ールド効果を高めた放射線検出装置を提供する。 【解決手段】 多層電磁波シールド１２０は、蛍光体基
台ａ−Ｃ１１５の両面に金属反射層アルミニウム１１４
及び金属層アルミニウム１１６を形成する。蛍光体基台
ａ−Ｃ１１５の片面に２０μｍ厚で形成した場合に比
べ、両面に１０μｍずつ形成すれば、Ｘ線の吸収を変え
ず（増やさず）に、内部反射損失が２倍になり、電磁波
シールド効果を高めることができる。光センサー貼り合
わせ面側に蛍光体ＣｓＩ１１３を形成し、さらに蛍光体
保護層ポリエチレン１１２を形成する。金属層アルミニ
ウム１１６の上部にも絶縁層ポリエチレン１１７を形成
する。ポリエチレンはＣ（炭素）とＨ（水素）の組み合
わせのため、十分にＸ線の吸収は低い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、放射線を検出して
画像の等倍読み取りを行う放射線検出装置に関し、特に
電磁波シールド効果を高めた放射線検出装置に関する。
画像の等倍読み取りを行う放射線検出装置に関し、特に
電磁波シールド効果を高めた放射線検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来の間接型Ｘ線エリアセンサ
ーの概略断面図である。１０１は基台ガラス、１０２は
光センサー、１０３は光センサー保護膜、１０４は蛍光
体、１０５は金属反射層、１０６は反射層保護膜であ
る。反射層保護膜１０６側から入射してきたＸ線は、蛍
光体１０４で光に変換され、その光が光センサー１０２
で電気信号に変換され、外部に出力される。この間接型
Ｘ線エリアセンサーで、金属反射層１０５の役割は２つ
ある。
ーの概略断面図である。１０１は基台ガラス、１０２は
光センサー、１０３は光センサー保護膜、１０４は蛍光
体、１０５は金属反射層、１０６は反射層保護膜であ
る。反射層保護膜１０６側から入射してきたＸ線は、蛍
光体１０４で光に変換され、その光が光センサー１０２
で電気信号に変換され、外部に出力される。この間接型
Ｘ線エリアセンサーで、金属反射層１０５の役割は２つ
ある。
【０００３】第１に蛍光体１０４でＸ線から変換された
光を上部へ漏らすことなく、光センサー１０２に検出さ
せることである。第２に光センサー１０２は外来電磁波
ノイズに非常に弱いため、金属反射層１０５が電磁波シ
ールドの役目を担っていることである。
光を上部へ漏らすことなく、光センサー１０２に検出さ
せることである。第２に光センサー１０２は外来電磁波
ノイズに非常に弱いため、金属反射層１０５が電磁波シ
ールドの役目を担っていることである。
【０００４】図５は、従来の直接型Ｘ線エリアセンサー
の概略断面図である。１０１は基台ガラス、１０７はＸ
線センサー、１０８はＸ線センサー保護膜、１０９は金
属層、１１０は保護層である。直接型Ｘ線エリアセンサ
ーは、保護層１１０側から入射してきたＸ線を直接Ｘ線
センサー１０７で電気信号に変換し、外部に出力する。
の概略断面図である。１０１は基台ガラス、１０７はＸ
線センサー、１０８はＸ線センサー保護膜、１０９は金
属層、１１０は保護層である。直接型Ｘ線エリアセンサ
ーは、保護層１１０側から入射してきたＸ線を直接Ｘ線
センサー１０７で電気信号に変換し、外部に出力する。
【０００５】直接型Ｘ線エリアセンサーは、間接型Ｘ線
エリアセンサーと違い、Ｘ線を光に変換しないので、金
属層１０９は、光の反射層としての役割はないが、Ｘ線
センサー１０７も外来電磁波ノイズに非常に影響される
ため、電磁波シールド効果が要求される。
エリアセンサーと違い、Ｘ線を光に変換しないので、金
属層１０９は、光の反射層としての役割はないが、Ｘ線
センサー１０７も外来電磁波ノイズに非常に影響される
ため、電磁波シールド効果が要求される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４に
おける光センサー１０２及び図５におけるＸ線センサー
１０７のどちらも外来電磁波ノイズに非常に影響される
ため、より効果の高い電磁波シールドを行う必要があ
る。
おける光センサー１０２及び図５におけるＸ線センサー
１０７のどちらも外来電磁波ノイズに非常に影響される
ため、より効果の高い電磁波シールドを行う必要があ
る。
【０００７】また、効果の高い電磁波シールドを行うた
め、シールド材を厚くし、電磁波シールド効果を高めよ
うとすると、そこでＸ線の吸収が大きくなり、センサー
の感度が低下してしまう。このため、Ｘ線の吸収が少な
い電磁波シールドを行う必要がある。
め、シールド材を厚くし、電磁波シールド効果を高めよ
うとすると、そこでＸ線の吸収が大きくなり、センサー
の感度が低下してしまう。このため、Ｘ線の吸収が少な
い電磁波シールドを行う必要がある。
【０００８】さらに、間接型Ｘ線エリアセンサーの場
合、光の反射層を設ける必要があり、そのため光の反射
率が高い材料を蛍光体上部（Ｘ線入射側）に積層しなけ
ればならない。
合、光の反射層を設ける必要があり、そのため光の反射
率が高い材料を蛍光体上部（Ｘ線入射側）に積層しなけ
ればならない。
【０００９】ここで、図６を参照して、単層の電磁波シ
ールド効果を説明する。一般に電磁波シールド効果は、
吸収損失Ａ、反射損失Ｒ、内部損失Ｂの３つの和で表さ
れる。 全シールド効果：ＳＥ＝Ａ＋Ｒ＋Ｂ これらのうち、吸収損失Ａは、材料の透磁率、導電率及
び厚さｔ１によって決まり、材料が厚いほど吸収損失Ａ
は大きくなる。このため、電磁波シールド効果を高めよ
うと、シールド材料を厚くすれば、吸収損失が増え高い
シールド効果を得ることができるが、Ｘ線の吸収も増え
てしまい、Ｘ線センサーとしての感度が低下してしま
う。
ールド効果を説明する。一般に電磁波シールド効果は、
吸収損失Ａ、反射損失Ｒ、内部損失Ｂの３つの和で表さ
れる。 全シールド効果：ＳＥ＝Ａ＋Ｒ＋Ｂ これらのうち、吸収損失Ａは、材料の透磁率、導電率及
び厚さｔ１によって決まり、材料が厚いほど吸収損失Ａ
は大きくなる。このため、電磁波シールド効果を高めよ
うと、シールド材料を厚くすれば、吸収損失が増え高い
シールド効果を得ることができるが、Ｘ線の吸収も増え
てしまい、Ｘ線センサーとしての感度が低下してしま
う。
【００１０】一般にＸ線の吸収は、材料の厚さをｔ、減
衰係数をμとして、図７（ａ）に示すようにシールド材
料が無いときのＸ線の強度をＩ0、（ｂ）に示すように
シールド材がある時の透過したＸ線の強度をＩとする
と、 Ｉ＝Ｉ0ｅ-μt となり、シールド材料の厚さｔに対し、指数関数的にＸ
線は材料に吸収されてしまう。
衰係数をμとして、図７（ａ）に示すようにシールド材
料が無いときのＸ線の強度をＩ0、（ｂ）に示すように
シールド材がある時の透過したＸ線の強度をＩとする
と、 Ｉ＝Ｉ0ｅ-μt となり、シールド材料の厚さｔに対し、指数関数的にＸ
線は材料に吸収されてしまう。
【００１１】そこで本発明は、放射線検出装置に多層電
磁波シールドを適用することによって、シールド材料の
放射線吸収による感度の低下を抑えながら、電磁波シー
ルド効果を高めた放射線検出装置を提供することを課題
とする。
磁波シールドを適用することによって、シールド材料の
放射線吸収による感度の低下を抑えながら、電磁波シー
ルド効果を高めた放射線検出装置を提供することを課題
とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、図８に示すように、シールド材料を多層に積層し、
各層の界面で起こる反射損失を増やすことによって、電
磁波シールド効果を高めることができる。その際、重要
なことは、積層した際の全層厚を単層の場合と同等以下
にすることである。 ｔ１（単層シールドの層厚）≧ｔ２（多層シールドの全
層厚） 多層にしても全層厚ｔ２が厚くなれば、Ｘ線の吸収が増
えてしまうからである。
め、図８に示すように、シールド材料を多層に積層し、
各層の界面で起こる反射損失を増やすことによって、電
磁波シールド効果を高めることができる。その際、重要
なことは、積層した際の全層厚を単層の場合と同等以下
にすることである。 ｔ１（単層シールドの層厚）≧ｔ２（多層シールドの全
層厚） 多層にしても全層厚ｔ２が厚くなれば、Ｘ線の吸収が増
えてしまうからである。
【００１３】図６に示す単層の場合のシールド効果を、 ＳＥ１＝Ａ＋Ｒ＋Ｂ とすれば、図８に示す多層の場合のシールド効果は、吸
収損失Ａ、反射損失Ｒ、内部反射損失Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３
の和で表され、 ＳＥ２＝Ａ＋Ｒ＋Ｂ１＋Ｂ２＋Ｂ３ となり、内部反射損失Ｂ２及びＢ３の分だけシールド効
果を高められる。このようにシールド材料の層厚を変え
ずに、多層に積層することで、電磁波シールド効果を高
め、かつＸ線の吸収を抑えることができる。
収損失Ａ、反射損失Ｒ、内部反射損失Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３
の和で表され、 ＳＥ２＝Ａ＋Ｒ＋Ｂ１＋Ｂ２＋Ｂ３ となり、内部反射損失Ｂ２及びＢ３の分だけシールド効
果を高められる。このようにシールド材料の層厚を変え
ずに、多層に積層することで、電磁波シールド効果を高
め、かつＸ線の吸収を抑えることができる。
【００１４】その際、シールド材料として用いる金属層
の条件としては、 １．Ｘ線吸収を抑えるため、各層を少しでも薄く、８０
μｍ以下とする。 ２．Ｘ線の吸収が少ない原子番号４０以下の材料を用い
る。 ３．電磁波シールド効果の高い材料、すなわちシート抵
抗が２Ω／□以下のものを用いる。 ４．間接型Ｘ線エリアセンサーの場合は、蛍光体に一番
近い金属層は、光の反射層としても用いるため、光の反
射率が６０％以上の材料を用いなければならない。
の条件としては、 １．Ｘ線吸収を抑えるため、各層を少しでも薄く、８０
μｍ以下とする。 ２．Ｘ線の吸収が少ない原子番号４０以下の材料を用い
る。 ３．電磁波シールド効果の高い材料、すなわちシート抵
抗が２Ω／□以下のものを用いる。 ４．間接型Ｘ線エリアセンサーの場合は、蛍光体に一番
近い金属層は、光の反射層としても用いるため、光の反
射率が６０％以上の材料を用いなければならない。
【００１５】金属層が以上の条件を満足したシールド材
料を多層にして用いることによって、放射線検出装置の
より高い電磁波シールドを行うことができる。
料を多層にして用いることによって、放射線検出装置の
より高い電磁波シールドを行うことができる。
【００１６】また金属層間に挟む保護層は、Ｘ線の吸収
が少ない高分子材料で、例えば、ＰＥＴ(poly ethylene
terephthalate)、ＰＭＭＡ(poly methyl methacrylat
e)、ＰＰ(polypropylene)、ＰＥ(polyethylene)、ＰＶ
Ｃ(poly vinyl chloride)、ＰＳ(polystyrene)、ＰＩ(p
olyimide)等がある。
が少ない高分子材料で、例えば、ＰＥＴ(poly ethylene
terephthalate)、ＰＭＭＡ(poly methyl methacrylat
e)、ＰＰ(polypropylene)、ＰＥ(polyethylene)、ＰＶ
Ｃ(poly vinyl chloride)、ＰＳ(polystyrene)、ＰＩ(p
olyimide)等がある。
【００１７】以上のことから本発明は、入射した放射線
を光に変換するシンチレータと、この光を光電変換して
転送する光センサーとを有する放射線検出装置におい
て、前記シンチレータ形成面上に、金属層と保護層とを
積層した組み合わせを、２回以上繰り返し積層したこと
を特徴とする。
を光に変換するシンチレータと、この光を光電変換して
転送する光センサーとを有する放射線検出装置におい
て、前記シンチレータ形成面上に、金属層と保護層とを
積層した組み合わせを、２回以上繰り返し積層したこと
を特徴とする。
【００１８】また、入射した放射線を電荷に変換する放
射線センサーを有し、この変換された電荷を蓄積し転送
する放射線検出装置において、前記放射線センサー形成
面上に、金属層と保護層とを積層した組み合わせを、２
回以上繰り返し積層したことを特徴とする。
射線センサーを有し、この変換された電荷を蓄積し転送
する放射線検出装置において、前記放射線センサー形成
面上に、金属層と保護層とを積層した組み合わせを、２
回以上繰り返し積層したことを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００２０】（第１の実施の形態）図１は、多層電磁波
シールドを用いた間接型Ｘ線エリアセンサーの概略断面
図である。
シールドを用いた間接型Ｘ線エリアセンサーの概略断面
図である。
【００２１】多層電磁波シールド１２０は、まず蛍光体
基台ａ−Ｃ（アモルファス・カーボン）１１５の両面に
金属反射層アルミニウム１１４及び金属層アルミニウム
１１６を形成する。アルミニウムの原子番号は１３、光
の反射率は８０〜９０％、シート抵抗は厚さが１０μｍ
のとき２．５×１０-3Ω／□である。蛍光体基台ａ−Ｃ
１１５の片面に２０μｍ厚で形成した場合に比べ、両面
に１０μｍずつ形成すれば、Ｘ線の吸収を変えず（増や
さず）に、内部反射損失が２倍になり、電磁波シールド
効果を高めることができる。
基台ａ−Ｃ（アモルファス・カーボン）１１５の両面に
金属反射層アルミニウム１１４及び金属層アルミニウム
１１６を形成する。アルミニウムの原子番号は１３、光
の反射率は８０〜９０％、シート抵抗は厚さが１０μｍ
のとき２．５×１０-3Ω／□である。蛍光体基台ａ−Ｃ
１１５の片面に２０μｍ厚で形成した場合に比べ、両面
に１０μｍずつ形成すれば、Ｘ線の吸収を変えず（増や
さず）に、内部反射損失が２倍になり、電磁波シールド
効果を高めることができる。
【００２２】次に光センサー貼り合わせ面側に蛍光体
（シンチレータ）ＣｓＩ（ヨウ化セシウム）１１３を形
成し、さらに蛍光体保護層ポリエチレン１１２を形成す
る。また、金属層アルミニウム１１６の上部にも絶縁層
ポリエチレン１１７を形成する。ポリエチレンはＣ（炭
素）とＨ（水素）の組み合わせのため、十分にＸ線の吸
収は低い。
（シンチレータ）ＣｓＩ（ヨウ化セシウム）１１３を形
成し、さらに蛍光体保護層ポリエチレン１１２を形成す
る。また、金属層アルミニウム１１６の上部にも絶縁層
ポリエチレン１１７を形成する。ポリエチレンはＣ（炭
素）とＨ（水素）の組み合わせのため、十分にＸ線の吸
収は低い。
【００２３】これら多層電磁波シールド１２０を接着材
１１１を介して、ガラス基台１０１／光センサー１０２
／光センサー保護膜１０３に貼り合わせ、間接型Ｘ線エ
リアセンサーとする。
１１１を介して、ガラス基台１０１／光センサー１０２
／光センサー保護膜１０３に貼り合わせ、間接型Ｘ線エ
リアセンサーとする。
【００２４】絶縁層ポリエチレン１１７側から入射した
Ｘ線は、蛍光体ＣｓＩ１１３で光に変換され、下方に発
した光は直接、上方に発した光は金属反射層アルミニウ
ム１１４で反射されて、光センサー１０２で光電変換さ
れて転送出力される。
Ｘ線は、蛍光体ＣｓＩ１１３で光に変換され、下方に発
した光は直接、上方に発した光は金属反射層アルミニウ
ム１１４で反射されて、光センサー１０２で光電変換さ
れて転送出力される。
【００２５】（第２の実施の形態）図２は、多層電磁波
シールドを用いた直接型Ｘ線エリアセンサーの概略断面
図である。
シールドを用いた直接型Ｘ線エリアセンサーの概略断面
図である。
【００２６】多層電磁波シールド１２１の構成は、保護
層ポリスチレン１１９／金属層クロム１１８の組み合わ
せを３層繰り返し、最後に保護層ポリスチレン１１９を
形成している。金属クロムの原子番号は２４、厚さ１０
μｍでのシート抵抗は、１．２７×１０-2Ω／□であ
る。
層ポリスチレン１１９／金属層クロム１１８の組み合わ
せを３層繰り返し、最後に保護層ポリスチレン１１９を
形成している。金属クロムの原子番号は２４、厚さ１０
μｍでのシート抵抗は、１．２７×１０-2Ω／□であ
る。
【００２７】金属層クロム１１８を単に３０μｍ厚で形
成した場合に比べ、間に５μｍ保護層ポリスチレン１１
９をはさみ、金属層クロム１１８を１０μｍずつ３回に
分けて積層した方が内部反射損失が３倍になり、電磁波
シールド効果を高められる。
成した場合に比べ、間に５μｍ保護層ポリスチレン１１
９をはさみ、金属層クロム１１８を１０μｍずつ３回に
分けて積層した方が内部反射損失が３倍になり、電磁波
シールド効果を高められる。
【００２８】しかし、全層厚が保護層ポリスチレン分５
μｍ×３＝１５μｍだけ増えてしまい、Ｘ線は吸収によ
って減少してしまう。しかし、ポリスチレン１１９は、
ＣとＨの化合物であるため、Ｘ線の吸収は十分に低いの
で、センサー感度の低下は僅かである。
μｍ×３＝１５μｍだけ増えてしまい、Ｘ線は吸収によ
って減少してしまう。しかし、ポリスチレン１１９は、
ＣとＨの化合物であるため、Ｘ線の吸収は十分に低いの
で、センサー感度の低下は僅かである。
【００２９】これら多層電磁波シールド１２１を接着材
１１１を介して、ガラス基台１０１／Ｘ線センサー１０
７／Ｘ線センサー保護膜１０８に貼り合わせ、直接型Ｘ
線エリアセンサーとする。
１１１を介して、ガラス基台１０１／Ｘ線センサー１０
７／Ｘ線センサー保護膜１０８に貼り合わせ、直接型Ｘ
線エリアセンサーとする。
【００３０】保護層ポリスチレン１１９側から入射した
Ｘ線は、Ｘ線センサー１０７で電荷に変換され、この変
換された電荷が蓄積され転送出力される。
Ｘ線は、Ｘ線センサー１０７で電荷に変換され、この変
換された電荷が蓄積され転送出力される。
【００３１】図３は、本発明による放射線検出装置のＸ
線診断システムへの適用例を示したものである。
線診断システムへの適用例を示したものである。
【００３２】Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０
６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透
過し、放射線検出装置（イメージセンサ）６０４０に入
射する。この入射したＸ線には被験者６０６１の体内部
の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して蛍光体
（シンチレータ）によって可視光に変換し、これを光電
変換して、電気信号を得る。この電気信号はデジタル変
換されイメージプロセッサ６０７０により画像処理され
制御室のディスプレイ６０８０で観察できる。
６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透
過し、放射線検出装置（イメージセンサ）６０４０に入
射する。この入射したＸ線には被験者６０６１の体内部
の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して蛍光体
（シンチレータ）によって可視光に変換し、これを光電
変換して、電気信号を得る。この電気信号はデジタル変
換されイメージプロセッサ６０７０により画像処理され
制御室のディスプレイ６０８０で観察できる。
【００３３】また、この画像情報は電話回線６０９０等
の伝送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタ
ールームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光デ
ィスク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医
師が診断することも可能である。またフィルムプロセッ
サ６１００によりフィルム６１１０に記録することもで
きる。
の伝送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタ
ールームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光デ
ィスク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医
師が診断することも可能である。またフィルムプロセッ
サ６１００によりフィルム６１１０に記録することもで
きる。
【００３４】以上の実施形態では、Ｘ線撮像システムを
例に説明したが、放射線を光に変換し、この光を光電変
換する装置構成としても、同様である。なお、放射線と
はＸ線以外のα，β，γ線等を含む。
例に説明したが、放射線を光に変換し、この光を光電変
換する装置構成としても、同様である。なお、放射線と
はＸ線以外のα，β，γ線等を含む。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、放射線
検出装置に多層電磁波シールドを適用することによっ
て、シールド材料の放射線吸収による感度の低下を抑え
ながら、電磁波シールド効果を高めることができる。
検出装置に多層電磁波シールドを適用することによっ
て、シールド材料の放射線吸収による感度の低下を抑え
ながら、電磁波シールド効果を高めることができる。
【００３６】また、適切なシールド材料及び保護層材料
を選択することにより、直接型及び間接型両方の放射線
検出装置の特性に適合した多層電磁波シールドを適用す
ることができる。
を選択することにより、直接型及び間接型両方の放射線
検出装置の特性に適合した多層電磁波シールドを適用す
ることができる。
【図１】多層電磁波シールドを用いた間接型Ｘ線エリア
センサーの概略断面図である。
センサーの概略断面図である。
【図２】多層電磁波シールドを用いた直接型Ｘ線エリア
センサーの概略断面図である。
センサーの概略断面図である。
【図３】本発明による放射線検出装置のＸ線診断システ
ムへの適用例を示す図である。
ムへの適用例を示す図である。
【図４】従来の間接型Ｘ線エリアセンサーの概略断面図
である。
である。
【図５】従来の直接型Ｘ線エリアセンサーの概略断面図
である。
である。
【図６】単層電磁波シールド効果の説明図である。
【図７】（ａ）はシールド材料が無いときのＸ線吸収を
示し、（ｂ）はシールド材がある時のＸ線吸収を示す。
示し、（ｂ）はシールド材がある時のＸ線吸収を示す。
【図８】多層電磁波シールド効果の説明図である。
１０１ 基台ガラス １０２ 光センサー １０３ 光センサー保護膜 １０４ 蛍光体 １０５ 金属反射層 １０６ 反射層保護膜 １０７ Ｘ線センサー １０８ Ｘ線センサー保護膜 １０９ 金属層 １１０ 保護層 １１１ 接着材 １１２ 蛍光体保護層ポリエチレン １１３ 蛍光体ＣｓＩ １１４ 金属反射層アルミニウム １１５ 蛍光体基台ａ−Ｃ（アモルファス・カーボン） １１６ 金属層アルミニウム １１７ 絶縁層ポリエチレン １１８ 金属層クロム １１９ 保護層ポリスチレン １２０ 多層電磁波シールド １２１ 多層電磁波シールド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｈ０４Ｎ 5/32 31/09 Ｈ０５Ｋ 9/00 Ｍ Ｈ０４Ｎ 5/32 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｋ Ｈ０５Ｋ 9/00 31/00 Ａ Ｆターム(参考） 2G088 EE01 FF02 GG16 GG19 GG20 GG21 JJ05 JJ08 JJ10 JJ37 LL11 LL12 4M118 AA01 AA06 AB01 CB11 GA10 5C024 AX16 CY47 CY50 GX07 HX60 5E321 AA50 BB25 CC16 GG11 5F088 BB03 BB07 EA04 HA09 HA15 HA20 JA17 LA08
Claims (5)
- 【請求項１】 入射した放射線を光に変換するシンチレ
ータと、この光を光電変換して転送する光センサーとを
有する放射線検出装置において、 前記シンチレータ形成面上に、金属層と保護層とを積層
した組み合わせを、２回以上繰り返し積層したことを特
徴とする放射線検出装置。 - 【請求項２】 入射した放射線を電荷に変換する放射線
センサーを有し、この変換された電荷を蓄積し転送する
放射線検出装置において、 前記放射線センサー形成面上に、金属層と保護層とを積
層した組み合わせを、２回以上繰り返し積層したことを
特徴とする放射線検出装置。 - 【請求項３】 前記金属層は、厚さが８０μｍ以下で、
シート抵抗が２Ω／□以下であり、かつ原子番号４０以
下の金属または金属化合物であることを特徴とする請求
項１または２記載の放射線検出装置。 - 【請求項４】 前記シンチレータ形成面に一番近い前記
金属層は、光の反射率が６０％以上の金属または金属化
合物であることを特徴とする請求項１記載の放射線検出
装置。 - 【請求項５】 被験者または被験物に放射線を照射する
ための放射線源と、 この放射線を検出する請求項１ないし４のいずれかに記
載の放射線検出装置と、 この検出された信号をデジタル変換して画像処理する画
像処理手段と、 この処理された画像を表示する表示手段とを備えること
を特徴とする放射線撮像システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001062053A JP2002257935A (ja) | 2001-03-06 | 2001-03-06 | 放射線検出装置及びそれを用いた放射線撮像システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001062053A JP2002257935A (ja) | 2001-03-06 | 2001-03-06 | 放射線検出装置及びそれを用いた放射線撮像システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002257935A true JP2002257935A (ja) | 2002-09-11 |
Family
ID=18921254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001062053A Pending JP2002257935A (ja) | 2001-03-06 | 2001-03-06 | 放射線検出装置及びそれを用いた放射線撮像システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002257935A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
2001
- 2001-03-06 JP JP2001062053A patent/JP2002257935A/ja active Pending
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