JP2002257857A

JP2002257857A - プローブカード

Info

Publication number: JP2002257857A
Application number: JP2001055021A
Authority: JP
Inventors: Yoshiyuki Ido; 義幸井戸
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2001-02-28
Filing date: 2001-02-28
Publication date: 2002-09-11

Abstract

(57)【要約】【課題】 α線に起因するソフトエラーが発生しないた
め、このプローブカードを用いた検査装置での判定に誤
りが発生することのないプローブカードを提供するこ
と。【解決手段】半導体ウエハに形成された集積回路の検
査に用いられるプローブカードであって、前記プローブ
カードは、表面から放射されるα線量が５０ｃ／ｃｍ²
・ｈｒ以下のセラミック基板からなることを特徴とする
プローブカード。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウエハ等
に形成された集積回路等が正常に動作するか否かを判定
する検査装置に用いられるプローブカードに関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】半導体チップ（半導体素子）は、単結晶
引き上げ装置を用いて形成されたシリコン単結晶等のイ
ンゴットを、薄くスライスして半導体ウエハを作製した
後、この半導体ウエハに、多数の単位からなる導体回路
を形成し、続いて、これを各単位に分割する工程を経て
製造される。

【０００３】上記半導体チップの製造工程においては、
半導体ウエハ上に多数の単位からなる導体回路を形成し
た後、各単位の半導体素子（半導体チップ）に分割する
前に、これらの回路が正常に動作するか否かを調べる必
要がある。そこで、このような検査には、プローブとい
われる針状の金属をシリコンウエハの端子パッドに押し
当てて電流を流し、導体回路の導通や各回路間の絶縁等
を調べる検査装置が用いられている。

【０００４】現在、半導体素子の高集積化に伴い、シリ
コンウエハ上に形成する回路の集積度も高まり、半導体
素子に形成される端子パッドのピッチも狭まっている。
従って、検査装置に用いるプローブの間隔も狭くする必
要があり、検査装置のヘッド（パフォーマンス基板）
に、プローブを直接取り付けることが困難になってい
る。かかる課題に対応するため、最近では、中継基板
（プローブカード）を介在させて、ヘッド（パフォーマ
ンス基板）に、プローブを配設したコンタクター基板を
取り付けた検査装置が用いられている。

【０００５】上記した検査装置の構成について、特開平
４−１５２２７０号公報、特開平６−１４０４８４号公
報等に詳しく開示されているが、これらの検査装置の中
継基板として用いられるプローブカードは、一般的には
アルミナセラミック基板からなる。そして、このプロー
ブカードは、コンタクター基板の広ピッチの端子とパフ
ォーマンス基板の挟ピッチのプローブとを接続させる役
割を担っている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このようなアルミナ製
のセラミック基板に導体回路が形成された構成のプロー
ブカードを検査装置に設置し、シリコンウエハに形成さ
れた導体回路が正常に動作するか否かを検査すると、ま
れに誤った判定がなされる場合があった。そこで、本発
明者がこの原因について検討を行ったところ、アルミナ
製のプローブカードからα線が出ており、このα線量が
多いと、誤った判定がなされる可能性が高いことを突き
止めた。

【０００７】

【課題を解決するための手段】そこで本発明者は、誤っ
た判定がなされる原因についてさらに検討を行い、この
α線は、後述する所謂ソフトエラーを引き起こし、これ
に起因して誤った判定がなされること、および、このα
線を一定値以下とすることにより、誤った判定を防止す
ることができることを見いだし、本発明を完成するに至
った。

【０００８】即ち、本発明は、半導体ウエハに形成され
た導体回路の検査に用いられるプローブカードであっ
て、上記プローブカードは、表面から放射されるα線量
が５０ｃ／ｃｍ² ・ｈｒ以下のセラミック基板からなる
ことを特徴とするプローブカードである。

【０００９】セラミック基板からのα線量が５０ｃ／ｃ
ｍ² ・ｈｒを超えるプローブカードを上記検査装置に使
用した場合、セラミック基板から発生したα線は、昇降
装置やテスターなどの周辺機器中に付属するコンピュー
ターのメモリセルやＣＰＵに衝突し、一時的なデータの
破壊を引き起こしたり、ＣＰＵの機能を阻害してしま
う。また、検査機器は、ヒータを備えており、ヒータに
は測温素子が配設されているが、発生したα線が検査の
対象である半導体ウエハに飛び込んで電子、正孔の対を
発生させ、これにより発生した静電気が該測温素子に電
気的なノイズを発生させ、測定された温度データが誤っ
て認識されることがある。このような測温素子の誤動作
により、ヒータの温度制御不可能となって、誤った検査
結果が生じてしまう。

【００１０】しかしながら、本発明では、放射されるα
線量が５０ｃ／ｃｍ² ・ｈｒ以下のセラミック基板を用
いているため、上記した検査装置を構成するコンピュー
タや測温素子の誤動作に起因して誤った検査結果が生じ
るのを防止することができる。なお、以下においては、
このような制御機器の誤動作をソフトエラーということ
にする。

【００１１】上記セラミック基板の表面から放射される
α線量は、２ｃ／ｃｍ² ・ｈｒ以下であることが好まし
い。ソフトエラーが発生する可能性が少なくなり、その
結果、検査装置の判定の誤りがさらに減少するからであ
る。

【００１２】上記プローブカードにおいて、上記セラミ
ック基板は、窒化物セラミックまたは炭化物セラミック
からなることが望ましい。本発明のプローブカードの材
質は、セラミックであれば、特に限定されるものではな
く、窒化物セラミック、炭化物セラミックのほかに、ア
ルミナ等の酸化物セラミックも含まれるが、窒化物セラ
ミック、炭化物セラミックの方が熱膨張率もシリコンウ
エハ等に近いため、高温での検査においてプローブの位
置ずれが生じにくいため、接触不良がより発生しにく
く、また、セラミック基板の熱伝導率も高いため、昇
温、降温が迅速に行われ、温度マッチングにより優れる
からである。

【００１３】上記セラミック基板は、少なくとも内部に
スルーホールが設けられていることが好ましい。

【００１４】図１に示すような検査装置では、ヘッド
（パフォーマンス基板）とコンタクター基板との間にプ
ローブカードを介装するため、一方の面から他方の面へ
の導通を図るためのスルーホールが必要となるからであ
る。

【００１５】検査ピッチを拡大するためには、図２に示
したように、セラミック基板の表面に、プローブカード
のピッチを拡大する導体回路を設ける方法が比較的容易
であるため望ましいが、図３に示すように、セラミック
基板の内部にプローブのピッチを拡大するための導体回
路を設けてもよい。

【００１６】上記プローブカードにおいて、上記セラミ
ック基板には、一主面に導体回路が形成されていること
が望ましい。プローブカードによっては、スルーホール
を必要としないものもあり、この場合には、一主面のみ
に導体回路が形成されるからである。また、検査ピッチ
を拡大するためには、図２に示したように、セラミック
基板の表面に、プローブカードのピッチを拡大する導体
回路を設ける方法が比較的容易であるからである。

【００１７】なお、上記セラミック基板の材料の１種で
ある窒化アルミニウムのα線量については、「ニューセ
ラミックス」Ｖｏｌ．１１、Ｎｏ．９１９９８「Ａ
ＬＮセラミックスの最近の進歩と応用」に記載が見られ
るが、半導体製造・検査装置として使用することは記載
も、示唆もされていない。従って、そのこと自体により
本発明の新規性、進歩性が阻却されることはない。

【００１８】また、本発明では、α線量を低減させるこ
とにより、上記した電気的な誤動作とα線量の因果関係
という誰も予想しなかった関連を新規に知見し、以下に
示す方法を用いて実際にα線量を低減させてその効果を
確認しており、このため、発明の構成は単純であるが、
本発明は充分に進歩性を有するものである。

【００１９】α線の発生要因は、窒化物や炭化物の原料
となるアルミナやシリカ中の放射性核種ＵやＴｈであ
る。そこで、本発明では、アルミナやシリカからＵやＴ
ｈを除去し、アルミナ等をセラミック基板の主成分とす
る場合にはそのまま使用し、窒化物セラミックや炭化物
セラミックとする場合には、Ｕ等を除去後、還元窒化法
などで窒化物セラミックスや炭化物セラミックを合成す
る。

【００２０】ＵやＴｈの除去方法は、例えば「粉体粉末
冶金協会講演概要集ｐ１１４Ｓｐｒｉｎｇ１９８
０年」に記載されているように、平均粒子径２〜３μｍ
の多孔質γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ の粒子にチタニウムイソプロポ
キシドのアルコール溶液を含浸させて、アルコキシドを
加水分解してこれをＵ吸着剤とし、これを原料溶液中に
分散させるのである。

【００２１】例えば、ボーキサイトから得られたアルミ
ン酸ソーダ水溶液中にＵ吸着剤を分散させて塩基性条件
でＵを吸着させ、吸着剤を分離後、アルミン酸ソーダを
水酸化アルミニウムにして沈澱させ、乾燥、焼成してア
ルミナとするのである。なお、文献中ではＵにのみ着目
しているが、発明者はＴｈでも同様の効果を確認してい
る。また、市販品でα線量の低いものが存在しており、
それらを入手することもできる。

【００２２】このようにして得られたアルミナ等を、例
えば、還元窒化法で窒化する。還元窒化法とは、ＳｉＯ
₂ やＡｌ₂ Ｏ₃ をカーボンブラック等の炭素により還元
しつつ、窒素ガスと反応させる方法である。

【００２３】なお、特開平９−４８６６８号公報で直接
窒化法や間接窒化法で製造した半導体製造装置用窒化ア
ルミニウム焼結体を開示するが、原料アルミナについて
は言及しておらず、またボーキサイトからＵやＴｈが混
入するので単に直接窒化法で製造してもＵやＴｈ量を減
らすことができない

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明のプローブカードを
図面に基づいて説明する。図１は、本発明のプローブカ
ードが用いられた半導体ウエハの検査装置を模式的に示
す概念図であり、図２（ａ）は、本発明のプローブカー
ドを模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、その平面図
である。

【００２５】この検査装置１０は、検査用の端子の配設
されたパフォーマンス基板２４と、パフォーマンス基板
２４のＸ、Ｙ、Ｚ方向に位置調整を行う昇降装置２２
と、パフォーマンス基板２４を経てシリコンウエハ６０
に電流を印加して適否を判断するテスター２０とを備え
ている。

【００２６】また、パフォーマンス基板２４の下方に
は、順次、プローブ基板３０およびプローブカード４０
が配設されており、プローブ基板３０およびプローブカ
ード４０を経ることにより、配線のピッチが縮小されて
いる。そして、さらにプローブカード４０の下に配設さ
れたコンタクター基板５０のプローブ５２を介して、シ
リコンウエハ６０上に形成された端子パッド６１との接
続が図られるようになっている。

【００２７】なお、コンタクター基板５０には、このコ
ンタクター基板５０を貫通し、上面および下面から突出
するようにプローブ５２が配設されており、上面から突
出したプローブがプローブカードの端子パッドと接触
し、一方の底面から突出したプローブがシリコンウエハ
に設けられた端子パッドと接触するようになっている。

【００２８】また、この検査装置１０は、導体回路が形
成されたシリコンウエハ６０を載置するためのテーブル
２６を備えており、このテーブル２６は、Ｘ、Ｙ、Ｚ方
向に位置調整を行うことができるようになっている。さ
らに、テーブル２６の下方には、シリコンウエハ６０を
加熱するヒータ２８と、シリコンウエハ６０を冷却する
ためにぺルチェ機構等を用いる冷却装置２９とが配設さ
れ、ヒータ２８には図示しない電源から電力が供給され
るようになっている。

【００２９】次に、この検査装置１０を用いたシリコン
ウエハ６０の検査について説明する。先ず、テーブル２
６にシリコンウエハ６０を載置し、シリコンウエハ６０
上に形成された位置決めマークを図示しない光学装置で
読み取り、テーブル２６の位置調整を行う。その後、昇
降装置２２により、パフォーマンス基板２４等を押し下
げ、コンタクター基板５０のプローブ５２を、シリコン
ウエハ６０の所定の端子パッドに押し当てる。なお、図
１では、端子パッドが盛り上がったように記載されてい
るが、実際の端子パッドの厚さは、１〜５０μｍであ
る。

【００３０】この後、引き続き、テスター２０が、パフ
ォーマンス基板２４−プローブ基板３０−プローブカー
ド４０−コンタクター基板５０を介して、シリコンウエ
ハ６０の所定のパッド６１に電流を印加し、シリコンウ
エハに形成された導体回路の導通や絶縁が必要な部分で
絶縁が保たれているか等の特性試験を行う。この際、冷
却装置２９やヒータ２８を用いることにより、シリコン
ウエハを冷却したり、加熱したりしながら検査を行うこ
とができる。

【００３１】次に、プローブカードについて説明する。
図２に示したように、プローブカード４０を構成するセ
ラミック基板４１の内部には、スルーホール４２が設け
られ、底面４１ｂには、コンタクター基板５０のプロー
ブと接触させるための端子パッド４３が設けられるとと
もに、上面には、ピッチを拡大するための導体回路４４
と端子パッド４５とが設けられている。

【００３２】従って、このプローブカード４０を用いる
ことにより、パフォーマンス基板２４に形成された比較
的広いピッチの端子パッドと、シリコンウエハ６０上に
形成された狭ピッチの端子パッド６１との接続を、確実
に行うことができる（図１参照）。

【００３３】本発明のプローブカードを構成するセラミ
ック基板は、その表面から放射されるα線量が５０ｃ／
ｃｍ² ・ｈｒ以下と少ないため、このプローブカードを
用いて半導体ウエハに形成された導体回路の検査を行う
際に、ソフトエラーによる検査の誤りが発生することは
ない。

【００３４】このような放射されるα線量の少ないセラ
ミックは、上述したように、アルミナ等を一旦溶液化に
した後、吸着剤を用いてＵやＴｈを吸着剤に吸着させ、
その含有量を低減させることにより、製造することがで
きる。

【００３５】また、本発明のプローブカード４０は、セ
ラミック基板４１からなるので、樹脂製の基板と比べる
と、常温や高温における機械的特性（強度）に優れ、高
温においても反りや変形がなく、プローブとの接触不良
が発生しにくい。

【００３６】図２では、セラミック基板４１の表面に導
体回路が形成されたプローブカード４０を示したが、導
体回路は、セラミック基板の内部に形成されていてもよ
い。図３（ａ）は、このような内部に導体回路が形成さ
れたウエハプローバを模式的に示した断面図であり、
（ｂ）は、その平面図である。

【００３７】このプローブカード７０では、底面７１ｂ
から上面７１ａに抜けるスルーホール７６が形成されて
いるほか、底面７１ｂからセラミック基板７１の途中ま
での長さのスルーホール７２ａが形成されており、この
スルーホール７２ａの上部から水平方向に図２（ｂ）に
示したパターンとほぼ同様のパターンの導体回路７４が
形成されることにより、ピッチを拡大している。そし
て、導体回路７４の端部に接続されるように形成された
スルーホール７２ｂがさらに上面７１ａに達し、図３
（ｂ）に示すような端子パッド７５のパターンとなって
いる。

【００３８】従って、このプローブカード７０を用いる
ことにより、図２に示したプローブカード４０の場合と
同様に、パフォーマンス基板２４に形成された比較的広
いピッチの端子パッドと、シリコンウエハ６０上に形成
された狭ピッチの端子パッドとの接続を、確実に行うこ
とができる。

【００３９】次に、このようなプローブカード４０を構
成するセラミック基板や導体回路の材質や特性等につい
て、さらに詳しく説明する。

【００４０】上記セラミック基板の材料は、上述したよ
うに、セラミックであれば特に限定されるものではない
が、熱伝導性に優れた炭化物セラミックまたは窒化物セ
ラミックが望ましい。

【００４１】窒化物セラミックとしては、例えば、窒化
アルミニウム、窒化珪素、窒化チタン、窒化硼素等から
選ばれる少なくとも１種以上が望ましい。また、炭化物
セラミックとしては、例えば、炭化珪素、炭化タングス
テン、炭化タンタル、炭化チタン、炭化ジルコニウム等
から選ばれる少なくとも１種以上が望ましい。なかで
も、窒化アルミニウムは、特に熱伝導率が高く、シリコ
ンウエハの温度変化に迅速に追従することから特に好ま
しい。

【００４２】上記セラミック基板は、焼結助剤を含有し
ていてもよい。上記焼結助剤としては、例えば、アルカ
リ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、希土類酸化物
等が挙げられる。これらの焼結助剤のなかでは、Ｃａ
Ｏ、Ｙ₂ Ｏ₃ 、Ｎａ₂ Ｏ、Ｌｉ₂Ｏ、Ｒｂ₂ Ｏが好まし
い。これらの含有量としては、０．１〜２０重量％が好
ましい。また、アルミナを含有していてもよい。

【００４３】上記非酸化物セラミック中には、５重量％
以下の酸素が含有されていてもよい。５重量％程度の酸
素量であれば、焼結を促進させるとともに、耐電圧を確
保でき、高温での反り量を小さくすることができるから
である。

【００４４】上記セラミック基板では、表面のＪＩＳ
Ｂ０６０１に基づく面粗度Ｒｍａｘは、０．０１μｍ
＜Ｒｍａｘ＜１００μｍであることが望ましく、Ｒａ
は、０．００１＜Ｒａ＜１０μｍであることが望まし
い。

【００４５】前記セラミック基板は、その面粗度がＪＩ
ＳＢ０６０１Ｒａ＝０．０１〜１０μｍが最適で
ある。表面の導体回路との密着性を考慮すると大きい方
がよいのであるが、大き過ぎると表皮効果（高周波数の
信号電流は導体回路の表面に局在化して流れる）によ
り、高周波数での測定が困難であり、また、小さい場合
は密着性に問題が発生するからである。

【００４６】セラミック基板の形状は特に限定されない
が、方形、多角形状、円板形状が好ましく、その直径、
最長対角線の長さは、１０〜３５０ｍｍが好ましい。セ
ラミック基板の厚さは、５０ｍｍ以下が好ましく、１０
ｍｍ以下がより好ましい。セラミック基板の厚さが厚す
ぎると、装置の小型化を図ることができず、また、熱容
量が大きくなって、昇温・降温速度が低下し、温度マッ
チング特性が劣化するからである。また、セラミック基
板の厚さを薄くすることにより、プローブカードの電気
抵抗を小さくすることができ、誤った判断の発生を防止
することができる。

【００４７】セラミック基板の平面度は、直径−１０ｍ
ｍ、または、最長対角線長さ−１０ｍｍの測定距離で５
００μｍ以下が好ましい。５００μｍを超えると測定時
の押圧でも反りを矯正できないからである。

【００４８】上記セラミック基板の熱伝導率κは、１０
Ｗ／ｍ・ｋ＜κ＜３００Ｗ／ｍ・ｋが好ましく、１６０
〜２２０Ｗ／ｍ・ｋがより好ましい。熱伝導率を上げる
ことにより、昇温・降温速度が早くなり、温度マッチン
グが良好になるからである。

【００４９】セラミック基板のヤング率Ｅは、２５〜６
００℃で６０ＧＰａ＜Ｅ＜４５０ＧＰａが望ましい。高
温におけるセラミック基板の反りを防止するためであ
る。セラミック基板の曲げ強度σ_f は、２５〜６００℃
で２００ＭＰａ＜σ_f ＜５００ＭＰａが望ましい。押圧
時にセラミック基板が破損するのを防止するためであ
る。なお、押圧時には、セラミック基板に、０．１〜１
０ｋｇ／ｃｍ² 程度の圧力がかかる。

【００５０】前記セラミック基板の気孔率は、５％以下
が望ましい。また、最大気孔の気孔径が５０μｍ以下で
あることが望ましい。１００℃以上の温度での耐電圧を
確保し、機械的な強度が大きくなり、押圧時等における
反り量を小さくすることができるからである。また、こ
のようなセラミック基板は、熱伝導率が高くなり、迅速
に昇温・降温するため、温度マッチングに優れる。

【００５１】なお、最大気孔とは、任意の１０箇所を電
子顕微鏡で撮影し、その視野の中で最も大きな気孔を選
び、その最大気孔の平均値を最大気孔の気孔径として定
義したものである。また、気孔率は０％であってもよ
い。気孔は存在しないことが理想的である。

【００５２】気孔径が５０μｍを超えると高温、特に高
温での耐電圧特性を確保するのが難しくなり、短絡等が
発生するおそれがある。最大気孔の気孔径は、１０μｍ
以下が望ましい。高温（例えば、１００℃以上）での反
り量が小さくなるからである。

【００５３】上記気孔率はアルキメデス法により測定す
る。焼結体を粉砕して有機溶媒中あるいは水銀中に粉砕
物を入れて体積を測定し、粉砕物の重量と体積から真比
重を求め、真比重と見かけの比重から気孔率を計算する
のである。

【００５４】気孔率や最大気孔の気孔径は、焼結時の加
圧時間、圧力、温度、ＳｉＣやＢＮなどの添加物で調整
することができる。上述のように、ＳｉＣやＢＮは焼結
を阻害するため、気孔を導入させることができる。気孔
が存在すると、靱性値が上昇する。従って、余り強度が
下がらない程度に、気孔を存在させてもよい。

【００５５】上記セラミック基板の内部に気孔が存在す
る場合には、この気孔は、閉気孔であることが望まし
い。また、セラミック基板を通過するヘリウムの量（ヘ
リウムリーク量）は、１０^-7Ｐａ・ｍ³ ／ｓｅｃ以下で
あることが望ましい。ヘリームリーク量の小さい緻密な
セラミック基板とすることにより、内部に形成されたス
ルーホール等が空気中の酸素等により腐食されるのを防
止することができるからである。

【００５６】セラミック基板の厚さのばらつきは、±３
％以内が好ましい。コンタクター基板のプローブとの接
触不良をなくすためには、セラミック基板の表面が平坦
である必要があるからである。

【００５７】また、熱伝導率のばらつきは±１０％以内
が好ましい。温度の不均一等に起因する反り等を防止す
ることができるからである。なお、本発明のプローブカ
ードは、１００℃以上で使用することが望ましい。

【００５８】セラミック基板の体積抵抗率ρは、１０¹³
Ω・ｃｍ＜ρ＜１０¹⁶Ω・ｃｍであることが望ましい。
高温でのリーク電流の発生やスルーホール間の絶縁破壊
を防止するためである。

【００５９】上記セラミック基板は、明度がＪＩＳＺ
８７２１の規定に基づく値でＮ６以下のものであるこ
とが望ましい。このような明度を有するものが隠蔽性を
有するため外観がよく、また、輻射熱量が大きく、迅速
に昇温するからである。

【００６０】ここで、明度のＮは、理想的な黒の明度を
０とし、理想的な白の明度を１０とし、これらの黒の明
度と白の明度との間で、その色の明るさの知覚が等歩度
となるように各色を１０分割し、Ｎ０〜Ｎ１０の記号で
表示したものである。そして、実際の測定は、Ｎ０〜Ｎ
１０に対応する色票と比較して行う。この場合の小数点
１位は０または５とする。

【００６１】このような特性を有するセラミック基板
は、セラミック基板中にカーボンを１００〜５０００ｐ
ｐｍ含有させることにより得られる。カーボンには、非
晶質のものと結晶質のものとがあり、非晶質のカーボン
は、セラミック基板の高温における体積抵抗率の低下を
抑制することでき、結晶質のカーボンは、セラミック基
板の高温における熱伝導率の低下を抑制することができ
るため、その製造する基板の目的等に応じて適宜カーボ
ンの種類を選択することができる。

【００６２】非晶質のカーボンは、例えば、Ｃ、Ｈ、Ｏ
だけからなる炭化水素、好ましくは、糖類を、空気中で
焼成することにより得ることができ、結晶質のカーボン
としては、グラファイト粉末等を用いることができる。
また、アクリル系樹脂を不活性雰囲気下で熱分解させた
後、加熱加圧することによりカーボンを得ることができ
るが、このアクリル系樹脂の酸価を変化させることによ
り、結晶性（非晶性）の程度を調整することもできる。

【００６３】本発明では、図２、３に示したように、セ
ラミック基板の内部にスルーホールや導体回路が形成さ
れているが、このスルーホールや導体回路は、タングス
テン、モリブデンなどの高融点金属、タングステンカー
バイド、モリブデンカーバイドなどの導電性セラミック
等により形成さている。

【００６４】スルーホールの直径は、０．１〜１０ｍｍ
が望ましい。断線を防止しつつ、クラックや歪みを防止
できるからである。スルーホールの形状としては特に限
定されないが、例えば、円柱状、角柱状（四角柱、円柱
等）が挙げられる。

【００６５】また、セラミック基板の表面にも、配線の
ピッチを拡大するための導体回路や、上方に配設される
プローブ基板や下方に配設されるコンタクター基板との
接続を図るための端子パッドを形成する必要があるが、
これらスルーホール、導体回路、端子パッド等は、通
常、タングステン、モリブデンなどの高融点金属、タン
グステンカーバイド、モリブデンカーバイドなどの導電
性セラミック等からなることが望ましい。

【００６６】ただし、場合によっては、これらの導体層
は、金、銀、白金等の貴金属やニッケル等の金属からな
るものであってもよい。これらスルーホール、導体回
路、端子パッド等の体積抵抗率は、１〜５０μΩ・ｃｍ
が好ましい。体積抵抗率が、５０μΩを超えると、スル
ーホール等が発熱したりして検査装置が誤った判断を下
す場合がある。

【００６７】セラミック基板の表面または内部にスルー
ホールや導体回路を形成するためには、金属や導電性セ
ラミックからなる導体ペーストを用いることが好まし
い。即ち、セラミック基板の内部にスルーホールや導体
回路を形成する場合には、グリーンシートに形成した貫
通孔に導体ペーストを充填したり、グリーンシート上に
上記導体ペースト層を形成した後、グリーンシートを積
層、焼成することにより、内部にスルーホールや導体回
路を形成する。

【００６８】また、最上層や最下層となるグリーンシー
トの上に導体ペースト層を形成して焼成することによ
り、セラミック基板の表面に導体回路や端子パッドを形
成することができる。

【００６９】一方、セラミック基板を製造した後、その
表面に上記導体ペースト層を形成し、焼成することよっ
ても、導体回路や端子パッドを形成することができる。
また、めっきやスパッタリング等によって端子パッドを
形成してもよい。

【００７０】上記導体ペーストとしては特に限定されな
いが、導電性を確保するため金属粒子または導電性セラ
ミック粒子のほかに、樹脂、溶剤、増粘剤などを含むも
のが好ましい。

【００７１】上記金属粒子や導電性セラミック粒子の材
料としては、上述したものが挙げられる。これら金属粒
子または導電性セラミック粒子の粒径は、０．１〜１０
０μｍが好ましい。０．１μｍ未満と微細すぎると、酸
化されやすく、一方、１００μｍを超えると、焼結しに
くくなり、抵抗値が大きくなるからである。

【００７２】上記金属粒子の形状は、球状であっても、
リン片状であってもよい。これらの金属粒子を用いる場
合、上記球状物と上記リン片状物との混合物であってよ
い。上記金属粒子がリン片状物、または、球状物とリン
片状物との混合物の場合は、金属粒子間の金属酸化物を
保持しやすくなり、導体回路等とセラミック基板との密
着性を確実にすることができるため有利である。

【００７３】上記導体ペーストに使用される樹脂として
は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げら
れる。また、溶剤としては、例えば、イソプロピルアル
コール等が挙げられる。増粘剤としては、セルロース等
が挙げられる。

【００７４】導体ペースト層をセラミック基板の表面に
形成する際には、上記導体ペースト中に上記金属粒子の
ほかに金属酸化物を添加し、上記金属粒子および上記金
属酸化物を焼結させたものとすることが好ましい。この
ように、金属酸化物を金属粒子とともに焼結させること
により、セラミック基板と金属粒子等とをより密着させ
ることができる。

【００７５】上記金属酸化物を混合することにより、セ
ラミック基板との密着性が改善される理由は明確ではな
いが、金属粒子表面や非酸化物からなるセラミック基板
の表面は、その表面がわずかに酸化されて酸化膜が形成
されており、この酸化膜同士が金属酸化物を介して焼結
して一体化し、金属粒子とセラミックとが密着するので
はないかと考えられる。また、セラミック基板を構成す
るセラミックが酸化物の場合は、当然に表面が酸化物か
らなるので、密着性に優れた導体層が形成される。

【００７６】上記金属酸化物としては、例えば、酸化
鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ ₂ Ｏ₃ ）、アル
ミナ、イットリアおよびチタニアからなる群から選ばれ
る少なくとも１種が好ましい。これらの酸化物は、金属
粒子等とセラミック基板との密着性を改善することがで
きるからである。

【００７７】上記酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ
素（Ｂ₂ Ｏ₃ ）、アルミナ、イットリア、チタニアの割
合は、金属酸化物の全量を１００重量部とした場合、重
量比で、酸化鉛が１〜１０、シリカが１〜３０、酸化ホ
ウ素が５〜５０、酸化亜鉛が２０〜７０、アルミナが１
〜１０、イットリアが１〜５０、チタニアが１〜５０で
あって、その合計が１００重量部を超えない範囲で調整
されていることが好ましい。これらの範囲で、これらの
酸化物の量を調整することにより、特にセラミック基板
との密着性を改善することができる。

【００７８】本発明においては、これまで説明してきた
セラミック基板の少なくとも一方の面に樹脂層を介して
導体回路が形成されていてもよい。樹脂層を介すること
で検査時の押圧に追従でき、セラミックに比べて破損な
どが発生しにくい。さらに、樹脂の方が微細配線を引き
回すことができるため、高密度のプローブカードが得ら
れる。さらに、樹脂の方がセラミックより誘電率が小さ
く、伝搬遅延がない。

【００７９】セラミック基板には、スルーホールが形成
されていてもよく、また、導体回路が形成されていても
よい。樹脂層は２層以上あってもよく、その場合が、各
樹脂層上の導体回路同士はバイアホールで接続される。

【００８０】樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド
樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂から選ばれる少
なくとも１種以上を使用できる。また、樹脂は感光化さ
れていることが望ましい。フォトリソグラフィーにより
開口を形成できるからである。樹脂層の厚さは、５〜１
００μｍが望ましい。高温での絶縁性を確保するためで
ある。

【００８１】次に、図４に基づき、本発明のプローブカ
ードの製造方法（製法Ａ）について説明する。（１）原料粉末の製造 α線の発生要因は、酸化物（アルミナ、シリカ）、また
は、炭化物や窒化物の原料となる酸化物（アルミナ、シ
リカ）中の放射性核種ＵやＴｈである。そこで、アルミ
ナやシリカから上述の方法でＵやＴｈを除去した後、還
元窒化法などで窒化物セラミックス等を製造する。ま
た、市販品でα線の低いものが存在しており、それらを
入手することもできる。

【００８２】（２）グリーンシートの作製工程まず、酸化物、窒化物セラミック、炭化物セラミック等
の粉末をバインダ、溶媒等と混合してペーストを調製
し、これを用いてグリーンシートを作製する。上述した
セラミック粉末としては、窒化アルミニウム等を使用す
ることができ、必要に応じて、イットリア等の焼結助剤
を加えてもよい。また、グリーンシートを作製する際、
結晶質や非晶質のカーボンを添加してもよい。

【００８３】また、バインダとしては、アクリル系バイ
ンダ、エチルセルロース、ブチルセロソルブ、ポリビニ
ルアルコールから選ばれる少なくとも１種が望ましい。
さらに溶媒としては、α−テルピネオール、グリコール
から選ばれる少なくとも１種が望ましい。

【００８４】これらを混合して得られるペーストをドク
ターブレード法でシート状に成形してグリーンシート４
００を作製する。グリーンシート４００の厚さは、０．
１〜５ｍｍが好ましい。次に、得られたグリーンシート
に、必要に応じて、スルーホールを形成する貫通孔とな
る部分等を形成する。後述するグリーンシート積層体を
形成した後に、上記加工を行ってもよい。

【００８５】（３）グリーンシート上に導体ペーストを
印刷する工程最上層となるグリーンシート４００上および最下層とな
るグリーンシート上に、上述した導体ペーストを用い、
導体ペーストからなる導体ペースト層４３０、４４０を
形成する。また、スルーホールとなる部分に導体ペース
トを充填し、充填層４２０とする。

【００８６】なお、内部に導体回路を形成する場合に
は、内層となるグリーンシート上に導体ペースト層を形
成すればよい。

【００８７】これらの導電ペースト中には、金属粒子ま
たは導電性セラミック粒子が含まれている。金属粒子の
材料としては、例えば、タングステンまたはモリブデン
等が挙げられ、導電性セラミックとしては、例えば、タ
ングステンカーバイドまたはモリブデンカーバイドが挙
げられる。

【００８８】上記金属粒子であるタングステン粒子また
はモリブデン粒子等の平均粒子径は、０．１〜５μｍが
好ましい。平均粒子が０．１μｍ未満であるか、５μｍ
を超えると、導体ペーストを印刷しにくいからである。

【００８９】このような導体ペーストとしては、例え
ば、金属粒子または導電性セラミック粒子８５〜８７重
量部；アクリル系、エチルセルロース、ブチルセロソル
ブ、ポリビニルアルコールから選ばれる少なくとも１種
のバインダ１．５〜１０重量部；および、α−テルピネ
オール、グリコールから選ばれる少なくとも１種の溶媒
を１．５〜１０重量部を混合した組成物（ペースト）が
挙げられる。

【００９０】（４）グリーンシートの積層工程導体ペースト層４３０、４４０等を有する、最上層とな
るグリーンシート４００と最下層となるグリーンシート
との間に、充填層４２０のみを有するグリーンシート４
００を複数枚積層し、圧着して、積層体を作製する（図
４参照）。

【００９１】（５）グリーンシート積層体の焼成工程次に、グリーンシート積層体の加熱、加圧を行い、グリ
ーンシート４００および内部や外部の導体ペーストを焼
結させ、スルーホール４２等を有するセラミック基板４
１を作製する（図２参照）。加熱温度は、１０００〜２
０００℃が好ましく、加圧の圧力は、１０〜２０ＭＰａ
が好ましい。加熱は、不活性ガス雰囲気中で行う。不活
性ガスとしては、例えば、アルゴン、窒素などを使用す
ることができる。

【００９２】得られたセラミック基板４１に、必要によ
り、加工処理を施し、プローブカードの製造を終了す
る。セラミック基板の内部に導体回路を設ける場合に
は、グリーンシート上に導体ペースト層を形成し、この
グリーンシートの上下に他のグリーンシート積層した
後、焼成すればよい。また、セラミック基板の表面に導
体層を形成する場合には、セラミック基板を製造した
後、スパッタリング法やめっき法を用いることにより導
体層を形成してもよい。

【００９３】また、このような製造方法の他に、以下の
ような製造方法（製法Ｂ）を採用してもよい。即ち、（１）製法Ａ（１）で得られた酸化物セラミック、窒化
物セラミック、炭化物セラミックの粉末に必要に応じて
イットリア等の焼結助剤やバインダ等を配合してスラリ
ーを調製した後、このスラリーをスプレードライ等の方
法で顆粒状にし、この顆粒を金型などに入れて加圧する
ことにより板状などに成形し、生成形体（グリーン）を
作製する。次に、生成形体を６００〜１６００℃までの
温度で仮焼し、ドリルなどでスルーホールとなる貫通孔
を形成する。

【００９４】（２）基板に導体ペーストを印刷する工程導体ペーストは、一般に、金属粒子または導電性ペース
トもしくはこれらの混合物、樹脂、溶剤からなる粘度の
高い流動物である。この導体ペーストをスクリーン印刷
などを用い、導体回路やスルーホール部分に印刷を行う
ことにより、導体ペースト層、スルーホールを形成す
る。なお、導体回路形成は、下記する（３）の焼結工程
の終了後であってもよい。

【００９５】（３）次に、この仮焼体を加熱、焼成して
焼結させ、セラミック製の板状体を製造する。この後、
所定の形状に加工することにより、基板を作製するが、
焼成後にそのまま使用することができる形状としてもよ
い。加圧しながら加熱、焼成を行うことにより、気孔の
ない基板を製造することが可能となる。加熱、焼成は、
焼結温度以上であればよいが、窒化物セラミックまたは
炭化物セラミックでは、１０００〜２５００℃である。

【００９６】さらに、セラミック基板に樹脂層を介して
導体回路を形成する場合について説明する。（１）まず、セラミック基板を製造する。このセラミッ
ク基板には、スルーホールが形成されていてもよく、ま
た、表面または内部に導体回路が形成されていてもよ
い。このようなセラミック基板は、上記製法Ａ、Ｂの方
法で製造することができる。以下は、製法Ａで得られ、
表面にスルーホールが形成されたもので説明する。

【００９７】（２）得られたセラミック基板の両面にチ
タン、モリブデン、ニッケル、クロムなどの金属をスパ
ッタリング、めっき等により導体層を設け、さらに、フ
ォトリソグラフィーにより、エッチングレジストを形成
する。次に、エッチング液で導体層の一部を溶解させ、
エッチングレジストを剥離して導体回路を形成する。導
体回路の厚さは、１〜１０μｍが好ましい。

【００９８】樹脂層を形成しない側の導体回路表面に
は、無電解めっきにより、ニッケルや貴金属（金、白
金，銀、パラジウム）層などの非酸化性金属層を設けて
おく。非酸化性金属層の厚さは、１〜１０μｍがよい。

【００９９】（３）少なくとも一方の面に樹脂層を形成
する。樹脂は感光性樹脂が望ましく、アクリル化された
エポキシ樹脂、アクリル化されたポリイミド樹脂がよ
い。樹脂層は、樹脂フィルムを積層してもよく、液状の
樹脂をスピンコートして形成してもよい。

【０１００】（４）樹脂層を形成した後、加熱乾燥さ
せ、ついで露光、現像処理を行い、開口を形成する。さ
らに、樹脂液を再びスピンコートし、加熱乾燥させ、つ
いで露光、現像処理を行い、開口を形成する。このよう
に、１つの層間樹脂絶縁層を２回に分けて形成する理由
は、どちらか一方の樹脂層にピンホールが形成されてし
まっても、もう一方の樹脂層で絶縁性を確保できるから
である。なお、セラミック基板の表面に形成された導体
回路間に樹脂を充填しておき、導体回路に起因する凹凸
をなくし、平坦化しておいてもよい。また、レーザ光に
より開口を設けてもよい。

【０１０１】（５）次に、樹脂層表面を酸素プラズマ処
理などで改質処理を実施する。表面に水酸基が形成され
るため、金属との密着性が改善される。次に、クロム、
銅などのスパッタリングを実施する。スパッタリング層
の厚さは、０．１〜５μｍが好ましい。つぎにめっきレ
ジストをフォトリソグラフィーで形成し、電解めっきに
よりＣｕ、Ｎｉ層を形成する。厚さは、２〜１０μｍが
望ましい。この後、めっきレジストを剥離し、エッチン
グを行うことにより、スパッタリングのみにより導体層
が形成されている部分を溶解させ、導体回路を形成す
る。

【０１０２】この後、上記（３）〜（５）の工程を繰り
返すことにより、セラミック基板の上に、樹脂と導体回
路とが複数層積層形成されたプローブカードが製造され
る。セラミック基板の上に導体回路と樹脂層とを形成す
る場合、形成する導体回路（樹脂層）は、一層であって
もよく、２層以上であってもよい。

【０１０３】

【実施例】以下、実施例に基づいて本発明をさらに詳細
に説明するが、本発明は、これらの実施例に限定される
ものではない。

【０１０４】（合成例）窒化アルミニウム合成例（１）平均粒子径３μｍの多孔質のγ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ に、
０．５重量％の塩酸を含む１０重量％のチタニウムイソ
プロポキシドのエチルアルコール水溶液を含浸させ、２
５℃で２４時間放置して加水分解させてＵ、Ｔｈ吸着剤
を得た。（２）ボーキサイト粉末１０００重量部を１０％水酸化
ナトリウム水溶液とテフロン（登録商標）容器に入れ、
これをオートクレーブ中で１９０℃、５時間処理して赤
泥とろ別し、アルミン酸ソーダ水溶液を得た。

【０１０５】（３）このアルミン酸ソーダ水溶液を１Ｎ
塩酸でｐＨ＝１２に調整し、吸着剤を分散させて５０℃
で、３時間、３０分間、および、１０分間振動放置させ
た。（４）吸着剤をろ過分離し、ろ過液を塩酸でｐＨ＝８．
５に調整し、水酸化アルミニウムの沈澱を析出沈澱させ
て、蒸留水で洗浄して８０℃で５時間乾燥させた。さら
に空気中で１０００℃にて焼成させ、粉砕することによ
りアルミナ粉末とした。（５）上記（４）で得た２種類のアルミナ粉末１０００
重量部と３５３重量部のグラファイトとをそれぞれ混合
し、窒素気流中、１９５０℃で５時間反応させ、その後
未反応のＣを３５０℃で酸化除去して窒化アルミニウム
とした。

【０１０６】（６）得られた窒化アルミニウムをボール
ミルで砕いて風力分級機で分級し、平均粒子径１．１μ
ｍとした。なお、吸着剤分散後、３時間振動放置した
後、得られたアルミナ（以下、アルミナ粉末Ａという）
を原料として製造された窒化アルミニウム粉末を窒化ア
ルミニウム粉末Ａといい、３０分間振動放置した後、得
られたアルミナ（以下、アルミナ粉末Ｂという）を原料
として製造された窒化アルミニウム粉末を窒化アルミニ
ウム粉末Ｂといい、１０分間振動放置した後、得られた
アルミナ（以下、アルミナ粉末Ｃという）を原料として
製造された窒化アルミニウム粉末を窒化アルミニウム粉
末Ｃということにする。窒化アルミニウム粉末ＡのＵ含
有量は、６７ｐｐｂ、Ｔｈの含有量は、２０ｐｐｂであ
り、窒化アルミニウム粉末ＢのＵの含有量は、６５０ｐ
ｐｂであり、Ｔｈの含有量は、３０ｐｐｂであり、窒化
アルミニウム粉末ＣのＵの含有量は、１８００ｐｐｂで
あり、Ｔｈの含有量は、９０ｐｐｂであった。なお、測
定はＩＣＰ−ＭＳ法により行った。

【０１０７】（実施例１）プローブカードの製造（図
２、４参照）（１）前述の方法により得た平均粒径１．１μｍの窒化
アルミニウム粉末Ｂ１００重量部、イットリア（Ｙ₂ Ｏ
₃ 、平均粒径：０．４μｍ）４重量部、アクリルバイン
ダ１１．５重量部、分散剤０．５重量部および１−ブタ
ノールとエタノールとからなるアルコール５３重量部を
混合したペーストを用い、ドクターブレード法により成
形を行って、厚さ０．４７ｍｍのグリーンシート４００
を作製した。なお、窒化アルミニウム粉末ＢのＵの含有
量は、６５０ｐｐｂであり、Ｔｈの含有量は、３０ｐｐ
ｂである。

【０１０８】（２）次に、このグリーンシート４００を
８０℃で５時間乾燥させた後、スルーホール５８となる
貫通孔等をパンチングにより形成した。

【０１０９】（３）平均粒子径１μｍのタングステンカ
ーバイト粒子１００重量部、アクリル系バインダ３．０
重量部、α−テルピネオール溶媒３．５重量部および分
散剤０．３重量部を混合して導体ペーストＡを調製し
た。

【０１１０】平均粒子径３μｍのタングステン粒子１０
０重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α−テル
ピネオール溶媒３．７重量部および分散剤０．２重量部
を混合して導体ペーストＢを調製した。

【０１１１】この導体ペーストＡを最上層および最下層
となるグリーンシート上にスクリーン印刷で印刷し、導
体回路４４や端子パッド４５用の導体ペースト層４４０
を形成した。印刷パターンは、図２に示したようなパタ
ーンとし、導体ペースト層の幅を７５μｍ、その厚さを
３μｍとした。また、スルーホールとなる部分に導体ペ
ーストＢを充填し、充填層４２０を形成した。

【０１１２】上記処理の終わった２枚のグリーンシート
４００の間に、充填層４２０のみを形成したグリーンシ
ート４００を２５枚、１３０℃、８ＭＰａの圧力で積
層、圧着した。

【０１１３】（４）次に、得られた積層体を窒素ガス
中、６００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１５Ｍ
Ｐａで１０時間ホットプレスし、厚さ５ｍｍの窒化アル
ミニウム焼結体を得た。これを一辺が、６０ｍｍの正方
形に切り出し、内部に直径２００μｍの円柱状のスルー
ホール４２、厚さが３μｍ、幅が７５μｍの導体回路４
４および５００μｍ□の端子パッド４３を有するプロー
ブカード４０の製造を終了した。

【０１１４】（実施例２）プローブカードの製造（図
２、４参照）（１）平均粒径１．１μｍの窒化アルミニウム粉末Ａ１
００重量部、イットリア（Ｙ₂ Ｏ₃ 平均粒径０．４μ
ｍ）４重量部、アクリル系樹脂バインダ１２重量部およ
びアルコールからなる組成物のスプレードライを行い、
顆粒状の粉末を作製した。窒化アルミニウム粉末ＡのＵ
含有量は、６７ｐｐｂ、Ｔｈの含有量は、２０ｐｐｂで
ある。

【０１１５】（２）次に、この顆粒状の粉末を金型に入
れ、平板状に成形して生成形体（グリーン）を得た。こ
の生成形体を１４００℃で仮焼し、処理の終わった成形
体にドリルにより、スルーホール４２用の貫通孔を形成
し、その内部に、実施例１で用いた導体ペーストＢを充
填した。

【０１１６】（３）上記工程を経た成形体から一辺が、
６０ｍｍの正方形を切り出しセラミック製の板状体（セ
ラミック基板４１）とした。

【０１１７】（４）次に、平均粒子径３μｍのタングス
テンカーバイド粒子１００重量部、、アクリル系バイン
ダ１．９重量部、α−テルピネオール溶媒３．７重量部
および分散剤０．２重量部を混合して導体ペーストＣを
調製した。セラミック基板４１の上面４１ａおよび底面
４１ｂに、この導体ペーストＣを用い、スクリーン印刷
により導体回路４４用および端子パッド４３用の導体ペ
ースト層を形成した。

【０１１８】（５）次に、導体ペーストを印刷した基板
を１８００℃、２０ＭＰａでホットプレスし、導体ペー
スト中のタングステン、タングステンカーバイド等を焼
結させるとともに焼結体に焼き付けて導体回路４４を形
成し、内部に直径２００μｍの円柱状のスルーホール４
２、厚さが３μｍ、幅が７５μｍの導体回路４４および
５００μｍ□の端子パッド４３を有するプローブカード
４０の製造を終了した。

【０１１９】（実施例３）実施例２と同様であるが、以
下の工程を変更した。（１）に代えて、ＳｉＣ粉末（平
均粒径：０．３μｍ屋久島電工社製ダイヤシックス
スーパーファインＧＣ−１５）１００重量部、焼結
助剤のＢ ₄Ｃを０．５重量部、アクリル系樹脂バインダ
１２重量部およびアルコールからなる組成物のスプレー
ドライを行い、顆粒状の粉末を作製した。なお、このＳ
ｉＣ粉末のＵの含有量は、８００ｐｐｂ程度であり、Ｔ
ｈの含有量は、５０ｐｐｂ程度である。

【０１２０】（２）に代えて、顆粒状の粉末を金型に入
れ、平板状に成形して生成形体（グリーン）を得た。こ
の生成形体を１９００℃で２０ＭＰａで加圧焼結させ
た。つぎに、表面にガラスペスート（昭栄化学工業社製
Ｇ−５１７７）を塗布し、７００℃で焼成し、表面に
厚さ２μｍのコート層を設けた。その後、（４）では、
一主面のみに導体ペースト層を形成し、（５）のホット
プレスは行なわなかった。この実施例ではスルーホール
を持たないプローブカードとなる。

【０１２１】（実施例４）プローブカードの製造アルミナ粉末Ｂ（平均粒径１．０μｍ）１００重量部、
アクリルバインダ１１．５重量部、分離剤０．５重量部
および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコー
ル５３重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレ
ード法により成形を行って、厚さ０．４７ｍｍのグリー
ンシードを作製し、成形体のホットプレスを１６００
℃、圧力１８０ｋｇ／ｃｍ² で行ったほかは、実施例１
と同様にしてプローブカードを製造した。

【０１２２】（実施例５）プローブカードの製造平均粒径１．１μｍの窒化アルミニウム粉末Ｃ１００重
量部を用いた以外は、実施例１と同様にしてプローブカ
ードを製造した。

【０１２３】（比較例１）実施例１と同様であるが、多
孔質のγ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 処理を実施しなかった。

【０１２４】上記実施例１〜５および比較例１で得られ
たプローブカードについて、放射されるα線量を測定し
た。また、実施例１〜５および比較例１に係るプローブ
カードを、図１に示した検査装置のセットし、予め合格
品であるとわかっている１００個のシリコンウエハを用
い、シリコンウエハを１３０℃まで昇温した後、回路の
動作状態を検査した。これらの試験の結果を表１に示し
た。

【０１２５】 α線量の測定条件測定装置低レベルα線測定装置ＡＣＳ−４０００Ｍ印加電圧１．９ｋＶ計数ガスＰＲ−１０ガス（Ａｒ９０％、メタン１０％）試料面積３８７ｃｍ² 全計数時間９９時間係数効率８０％誤差範囲 ±０．００３ｃ／ｃｍ² ・ｈｒ

【０１２６】

【表１】

【０１２７】上記表１より明らかなように、実施例１〜
５に係るプローブカードから放射されるα線量は、５０
ｃ／ｃｍ² ・ｈｒ以下であり、このプローブカードを用
いた検査装置による検査では、１００回の検査で、全て
製品が合格であるとの判断を下した。

【０１２８】一方、比較例１では、プローブカードから
放射されるα線量が５０ｃ／ｃｍ² ・ｈｒを超え、この
プローブカードを用いた検査装置による検査では、５０
％の製品は、不合格品であるとの判断を下した。これ
は、上述したソフトエラーに起因すると考えられる。こ
のようにα線量が、５０ｃ／ｃｍ² ・ｈｒより大きい
と、ソフトエラーが起こり易くなり、検査装置での検査
に誤りが発生しやすくなる。

【０１２９】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、プロー
ブカードを構成するセラミック基板より放射されるα線
量が、５０ｃ／ｃｍ² ・ｈｒ以下であるので、ソフトエ
ラーによる検査装置の誤作動を生じることがなく、その
結果、シリコンウエハに形成された導体回路の動作状態
について、正確な判断を下すことができる。また、上記
プローブカードは、セラミック基板よりなるので、常
温、高温での機械的強度に優れ、高温においてもプロー
ブとの接触不良や反り、変形等が生じにくい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプローブカードを用いたた検査装置の
構成を示す説明図である。

【図２】（ａ）は、プローブカードの一例を模式的に示
す断面図であり、（ｂ）は、その平面図である。

【図３】（ａ）は、プローブカードの他の一例を模式的
に示す断面図であり、（ｂ）は、その平面図である。

【図４】プローブカードを製造する際のグリーンシート
の積層工程を模式的に示す断面図である。

【符号の説明】

１０検査装置２０テスター２２昇温装置２４パフォーマンス基板２８ヒータ２９冷却装置３０プローブ４０、７０プローブカード４１、７１セラミック基板４１ａ、７１ａ上面４１ｂ、７１ｂ底面４２、７２ａ、７２ｂ、７６スルーホール４３、４５、７３、７５端子パッド４４、７４導体回路５０コンタクター基板６０シリコンウエハ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体ウエハに形成された集積回路の検
査に用いられるプローブカードであって、前記プローブ
カードは、表面から放射されるα線量が５０ｃ／ｃｍ²
・ｈｒ以下のセラミック基板からなることを特徴とする
プローブカード。
【請求項２】前記セラミック基板の表面から放射され
るα線量は、２ｃ／ｃｍ ² ・ｈｒ以下である請求項１に
記載のプローブカード。
【請求項３】前記セラミック基板は、窒化物セラミッ
クまたは炭化物セラミックからなる請求項１または２に
記載のプローブカード。
【請求項４】前記セラミック基板は、少なくとも内部
にスルーホールが設けられている請求項１〜３のいずれ
か１に記載のプローブカード。
【請求項５】前記セラミック基板は、一主面に導体回
路が形成されている請求項１〜４のいずれか１に記載の
プローブカード。