JP2002252342A - 固体撮像装置およびカメラシステム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＣＣＤ固体撮像装置の小型化および多画素化
の要望に対して、金属遮光膜の張り出し量を小さくし、
受光部の開口面積を広げる手法をとると、スミアが悪化
する。 【解決手段】 受光部１５がマトリクス状に配置される
とともに、受光部１５の垂直列ごとに配されて受光部１
５から読み出された信号電荷を垂直転送する垂直レジス
タ１７とを有する撮像部を具備するＣＣＤ固体撮像装置
において、画素分離のチャネルストップ領域３２を、平
面視で垂直レジスタ１７の転送電極２７，２８の下に完
全に隠れた状態で形成するとともに、受光部１５の行方
向の一方側で受光部１５の表面側の正電荷蓄積領域とオ
ーバーラップさせて当該正電荷蓄積領域と電気的に接続
した構造とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置およ
びカメラシステムに関し、特に固体撮像装置における撮
像部の構造およびその撮像部を具備する固体撮像装置を
撮像デバイスとして用いたカメラシステムに関する。

【０００２】

【従来の技術】固体撮像装置、例えばＣＣＤ(Charge Co
upled Device)固体撮像装置における撮像部の構成の一
例を図１４に示す。ここでは、ある垂直列における隣り
合う２画素分のユニットセル（単位画素）について示し
ている。

【０００３】撮像部は、入射光を光電変換する受光部
（センサ）１０１、この受光部１０１から読み出された
信号電荷を垂直転送する垂直レジスタ１０２、信号電荷
の読み出しや垂直転送に必要な電圧を与える２層構造の
転送電極１０３，１０４、これら転送電極１０３，１０
４を行ごとに画素間でつなぐ配線１０５，１０６および
画素分離のためのチャネルストップ領域１０７によって
構成されている。

【０００４】なお、図１４において、（Ａ）の構造と
（Ｂ）の構造とはチャネルストップ領域１０７のパター
ンの形状が異なっているが、これらが一般的なチャネル
ストップ領域１０７のパターン形状である。図１５に、
図１４（Ａ）のＸ−Ｘ′矢視断面（Ａ）およびＹ−Ｙ′
矢視断面（Ｂ）をそれぞれ示す。

【０００５】図１４と図１５との対応関係において、受
光部１０１はＮ型拡散領域１１１に対応し、垂直レジス
タ１０２はＮ型拡散領域１１２に対応し、チャネルスト
ップ領域１０７はＰ＋型拡散領域１１３に対応してい
る。Ｎ型拡散領域１１２の上のＰ＋型拡散領域１１４は
正電荷蓄積領域である。Ｎ型拡散領域１１２の下のＰ型
拡散領域１１５はウェル領域である。シリコン基板１１
６の表面上には酸化膜１１７が形成されている。また、
受光部１０１の開口部１０１Ａを除く全面に亘って、金
属遮光膜１１８によって覆われている。

【０００６】ところで、最近、ＣＣＤ固体撮像装置に対
して小型化および多画素化が強く望まれている。それに
伴って、ＣＣＤ固体撮像装置では特性確保が非常に困難
になってきている。例えば、ユニットセルの面積が小さ
くなるに伴って開口部１０１Ａの面積（以下、単に開口
面積と記す）も小さくなるため、感度低下が大きな問題
となる。これを回避するために、従来、金属遮光膜１１
８の張り出し量を小さくし、受光部１０１の開口面積を
広げる手法がとられていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金属遮
光膜１１８の張り出し量を小さくすると、スミアが悪化
するという新たな問題が発生するため、必要以上に開口
面積を拡大することはできなかった。その結果、スミア
特性をある程度確保した状態で、できる限り開口面積を
拡大して感度を確保するという設計が行われていた。

【０００８】ここで、スミアについて説明する。スミア
とは、強い光が撮像部へ入射した際に、発生した電子の
一部が受光部１０１ではなく、垂直レジスタ１０２内に
漏れ込み、それが原因となって再生画面上に縦筋として
見える現象である。スミアが発生する原因としては、次
の５つの現象が挙げられる。これら５つの現象（ａ）〜
（ｅ）について、対応する図１６（Ａ）〜（Ｅ）を用い
て説明する。

【０００９】（ａ）入射光が金属遮光膜１１８を突き抜
けて垂直レジスタ１０２に達し、垂直レジスタ１０２内
で光電変換されて電子が発生する。 （ｂ）受光部１０１に入射した斜め光が垂直レジスタ１
０２に達し、垂直レジスタ１０２内で光電変換されて電
子が発生する。 （ｃ）受光部１０１に入射した斜め光が垂直レジスタ１
０２の近傍まで達し、その到達位置で光電変換されて発
生した電子が垂直レジスタ１０２に移動する。 （ｄ）受光部１０１に入射した斜め光が、シリコン基板
１１６と金属遮光膜１１８の張り出し部分との間で多重
反射を繰り返した後垂直レジスタ１０２に達し、垂直レ
ジスタ１０２内で光電変換されて電子が発生する。 （ｅ）受光部１０１に入射した斜め光が、シリコン基板
１１６と金属遮光膜１１８の張り出し部分との間で多重
反射を繰り返した後垂直レジスタ１０２の近傍まで達
し、その到達位置で光電変換されて発生した電子が垂直
レジスタ１０２に移動する。

【００１０】上述した５つの現象（ａ）〜（ｅ）を抑え
ることができれば、スミア特性を改善することができ
る。

【００１１】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、ユニットセル面積が
縮小化の傾向にある現状において、スミア特性を改善し
て感度向上を可能とした固体撮像装置およびこれを撮像
デバイスとして用いたカメラシステムを提供することに
ある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明による固体撮像装
置は、入射光を光電変換する受光部がマトリクス状に配
置されるとともに、当該受光部の垂直列ごとに配されて
受光部から読み出された信号電荷を垂直転送する垂直転
送部とを有する撮像部を備え、受光部の各々を分離する
チャネルストップ領域が、平面視で垂直転送部の転送電
極の下に完全に隠れた状態で形成されるとともに、受光
部の行方向の少なくとも一方側で受光部の表面側の電荷
蓄積領域と電気的に接続された構造となっている。そし
て、当該構造の撮像部を具備する固体撮像装置は、カメ
ラシステムにおいて、その撮像デバイスとして用いられ
る。

【００１３】上記構成の固体撮像装置またはこれを撮像
デバイスとして用いたカメラシステムにおいて、チャネ
ルストップ領域は受光部の各々を分離する、即ち画素分
離を行うことに加えて、受光部表面側の電荷蓄積領域に
対して所定の電位を与える作用をなす。このチャネルス
トップ領域が受光部の行方向の少なくとも一方側で電荷
蓄積領域と電気的に接続されることで、当該チャネルス
トップ領域を垂直転送部横で電荷蓄積領域に対してオー
バーラップさせて電気的に接続しなくて済むため、平面
視で垂直転送部の転送電極の下に完全に隠れた状態で形
成できる。その結果、外部から入射した光に起因して垂
直転送部横で発生した電子が、垂直転送部よりも受光部
へ移動する確率が高くなる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明が適
用される固体撮像装置、例えばインターライン転送方式
のＣＣＤ固体撮像装置の一例を示す概略構成図である。
本例に係るＣＣＤ固体撮像装置は、撮像部１１、水平レ
ジスタ１２および出力部１３を有する構成となってい
る。

【００１５】撮像部１１は、ユニットセル(単位画素)１
４が平面マトリクス状に多数配置された構成となってい
る。ユニットセル１４は、入射光をその光量に応じた電
荷量の信号電荷に光電変換して蓄積する受光部（セン
サ）１５、この受光部１５から信号電荷を読み出す読み
出しゲート部１６およびこの読み出しゲート部１６によ
って読み出された信号電荷を垂直方向（行方向）に転送
する垂直レジスタ（垂直転送部）１７から構成されてい
る。垂直レジスタ１７は当然のことながら、垂直列ごと
に画素間で連続している。

【００１６】上記構成のＣＣＤ固体撮像装置において、
本発明は、撮像部１１の構造を特徴としている。以下、
具体的な実施の形態について説明する。

【００１７】［第１実施形態］図２は、本発明の第１実
施形態に係る撮像部１１の構成を示す平面パターン図で
ある。ここでは、ある垂直列における隣り合う２画素分
のユニットセル１４について示している。また、図３に
は、図２のＸ−Ｘ′矢視断面（Ａ）およびＹ−Ｙ′矢視
断面（Ｂ）をそれぞれ示している。

【００１８】ユニットセル１４において、受光部１５は
シリコン基板２１内に形成されたＮ型拡散領域２２から
なり、その基板表面側にＰ＋型拡散領域２３が形成され
た構成となっている。垂直レジスタ１７はシリコン基板
２１の表面側に形成されたＮ型拡散領域２４からなり、
その下にＰ型拡散領域２５が形成された構成となってい
る。

【００１９】垂直レジスタ１７において、Ｎ型拡散領域
２４の上方には、酸化膜２６を介して１層目の転送電極
（図中、二点鎖線で示す）２７および２層目の転送電極
（図中、一点鎖線で示す）２８が設けられている。１層
目の転送電極２７は、読み出しゲート部１６のゲート電
極を兼ねている。また、２層構造の転送電極２７，２８
は、行ごとに画素間で配線２９，３０によってそれぞれ
つながれている。そして、これら配線２９，３０を通し
て転送電極２７，２８に対して、受光部１５からの信号
電荷の読み出しや垂直レジスタ１７での電荷転送に必要
な電圧が与えられる。また、受光部１５の開口部１５Ａ
を除く全面に亘って、金属遮光膜３１によって覆われて
いる。

【００２０】マトリクス状画素配列の各列間および各行
間には、隣の列の画素および隣の行の画素との間で画素
分離を行うためのチャネルストップ領域３２が、Ｐ＋型
拡散領域によって形成されている。このチャネルストッ
プ領域３２は、特に図２から明らかなように、隣の列の
画素との間では、平面視で転送電極２７，２８の下に完
全に隠れるように形成されている。一方、隣の行の画素
との間では、例えば受光部１５の行方向の一方側（垂直
レジスタ１７の転送上流側）においてＰ＋型拡散領域２
３とオーバーラップすることで、Ｐ＋型拡散領域２３と
の電気的な接続を行うように形成されている。

【００２１】上記構成のユニットセル１４において、受
光部１５のＰ＋型拡散領域２３は電荷蓄積領域、本例で
は正電荷蓄積領域であり、このＰ＋型拡散領域２３には
電気的に接続された状態にあるチャネルストップ領域３
２を通して、デバイス外部から与えられた接地（ＧＮ
Ｄ）電位（０Ｖ）が印加される。このように、Ｐ＋型拡
散領域２３を接地電位とすることで、入射光に関係なく
受光部１５のシリコン基板２１と酸化膜２５との界面
（Ｓｉ−ＳｉＯ２界面）で発生する電子を、Ｐ＋型拡散
領域２３に蓄積された正孔と再結合させる。この正電荷
蓄積領域の作用により、暗電流を防止することができ
る。

【００２２】このように、Ｐ＋型拡散領域２３に対して
外部から接地電位を印加する必要があることから、チャ
ネルストップ領域３２は、受光部１５の行方向の一方側
においてＰ＋型拡散領域２３とオーバーラップした状態
で形成され、Ｐ＋型拡散領域２３と電気的に接続されて
いる。これにより、隣の列の画素との間では、従来のよ
うに、チャネルストップ領域３２をＰ＋型拡散領域２３
とオーバーラップさせて、電気的に接続する必要がなく
なるため、平面視でチャネルストップ領域３２が転送電
極２７，２８の下に完全に隠れる構造を採ることができ
る。

【００２３】上述したように、平面視でチャネルストッ
プ領域３２が転送電極２７，２８の下に完全に隠れる構
造を採ることで、垂直レジスタ１７の横におけるチャネ
ルストップ領域３２の近傍で、外部からの入射光に基づ
く光電変換によって発生した電子は、垂直レジスタ１７
の横でチャネルストップ領域３２がＰ＋型拡散領域２３
とオーバーラップしている従来技術に比べて、垂直レジ
スタ１７よりも受光部１４へ移動する確率が高くなる。
したがって、チャネルストップ領域３２の近傍における
光電変換に起因するスミアを減少させることができる。

【００２４】その理由について、図４および図５を用い
て詳細に説明する。なお、図４はスミアの発生原因の現
象として挙げた図１６（Ｃ）に相当し、図５は同図
（Ｅ）に相当する。また、図４（Ａ）および図５（Ａ）
は従来例に係る構造（以下、単に従来構造と記す）の場
合を、図４（Ｂ）および図５（Ｂ）は本実施形態に係る
構造（以下、単に本構造と記す）の場合をそれぞれ示し
ている。

【００２５】図４において、入射光に起因して発生し
た電子は、従来構造および本構造のいずれでも受光部１
５（Ｎ型拡散領域２２）へ移動する確率が高い。また、
入射光に起因して発生した電子は、従来構造では垂直
レジスタ１７へ移動する確率も受光部１５へ移動する確
率もほぼ等しいが、本構造では受光部１５へ移動する確
率の方が高い。さらに、入射光に起因して発生した電
子は、従来構造では受光部１５よりも垂直レジスタ１７
へ移動する確率が高いが、本構造では垂直レジスタ１７
へ移動する確率も受光部１５へ移動する確率もほぼ等し
い。

【００２６】以上から明らかなように、チャネルストッ
プ領域３２が転送電極２７，２８の下に完全に隠れるよ
うにすることで、受光部１５に入射した斜め光が垂直レ
ジスタ１７の近傍まで達し、その到達位置で光電変換さ
れて発生した電子が、垂直レジスタ１７よりも受光部１
５へ移動する確率が高くなるため、スミアを減少させる
ことができる。

【００２７】図５において、シリコン基板２１と金属遮
光膜３１の張り出し部分との間で多重反射した後、シリ
コン基板２１に入射した光に起因して発生した電子
は、従来構造および本構造のいずれでも受光部１５へ移
動する確率が高い。また、シリコン基板２１と金属遮光
膜３１の張り出し部分との間で多重反射した後、シリコ
ン基板２１に入射した光に起因して発生した電子は、
従来構造では垂直レジスタ１７へ移動する確率も受光部
１５へ移動する確率もほぼ等しいが、本構造では受光部
１５へ移動する確率の方が高い。さらに、シリコン基板
２１と金属遮光膜３１の張り出し部分との間で多重反射
した後、シリコン基板２１に入射した光に起因して発
生した電子は、従来構造では受光部１５よりも垂直レジ
スタ１７へ移動する確率が高いが、本構造では垂直レジ
スタ１７へ移動する確率も受光部１５へ移動する確率も
ほぼ等しい。

【００２８】以上から明らかなように、チャネルストッ
プ領域３２が転送電極２７，２８の下に完全に隠れるよ
うにすることで、シリコン基板２１と金属遮光膜３１の
張り出し部分との間で多重反射した後、シリコン基板２
１に入射した光に起因して発生した電子が、垂直レジス
タ１７よりも受光部１５へ移動する確率が高くなるた
め、スミアを減少させることができる。

【００２９】上述したように、垂直レジスタ１７の横の
チャネルストップ領域３２が受光部１５内に張り出して
いる場合にはチャネルストップ領域３２がスミア特性に
大きな影響を与えるのに対して、チャネルストップ領域
３２の行間に位置する部分が受光部１５内に張り出して
いたとしても、その部分は垂直レジスタ１７から距離的
に離れているため、スミア特性に大きな影響を及ぼすこ
とはない。

【００３０】［第２実施形態］図６は、本発明の第２実
施形態に係る撮像部１１の構成を示す平面パターン図で
ある。ここでも、ある垂直列における隣り合う２画素分
のユニットセル１４について示している。また、図７に
は、図６のＸ−Ｘ′矢視断面（Ａ）およびＹ−Ｙ′矢視
断面（Ｂ）をそれぞれ示している。図６および図７にお
いて、図２および図３と同等部分には同一符号を付して
示している。

【００３１】本実施形態に係る撮像部１１では、チャネ
ルストップ領域３３が、特に図７から明らかなように、
隣の列の画素との間では平面視で転送電極２７，２８の
下に完全に隠れるように形成されるとともに、隣の行の
画素との間では受光部１５の行方向の他方側（垂直レジ
スタ１７の転送下流側）においてＰ＋型拡散領域２３と
オーバーラップし、当該領域２３との電気的な接続をな
すように形成された構造となっている。

【００３２】このように、隣の行の画素との間において
チャネルストップ領域３３を受光部１５の行方向の他方
側でＰ＋型拡散領域２３とオーバーラップさせた場合に
も、平面視でチャネルストップ領域３３を転送電極２
７，２８の下に完全に隠れる構造を採ることができる。
この構造を採ることで、第１実施形態に係る撮像部１１
の構造の場合と同じ作用により、垂直レジスタ１７の横
におけるチャネルストップ領域３３の近傍で光電変換に
よって発生した電子が垂直レジスタ１７よりも受光部１
５へ移動する確率が高くなるので、スミアを減少させる
ことができる。

【００３３】［第３実施形態］図８は、本発明の第３実
施形態に係る撮像部１１の構成を示す平面パターン図で
ある。ここでも、ある垂直列における隣り合う２画素分
のユニットセル１４について示している。また、図９に
は、図８のＸ−Ｘ′矢視断面（Ａ）およびＹ−Ｙ′矢視
断面（Ｂ）をそれぞれ示している。図８および図９にお
いて、図２および図３と同等部分には同一符号を付して
示している。

【００３４】本実施形態に係る撮像部１１では、チャネ
ルストップ領域３４が、特に図９から明らかなように、
隣の列の画素との間では平面視で転送電極２７，２８の
下に完全に隠れるように形成されるとともに、隣の行の
画素との間では受光部１５の行方向の両側においてＰ＋
型拡散領域２３とオーバーラップし、当該領域２３との
電気的な接続をなすように形成された構造となってい
る。

【００３５】このように、隣の行の画素との間において
チャネルストップ領域３４を受光部１５の行方向の両側
でＰ＋型拡散領域２３とオーバーラップさせた場合に
も、平面視でチャネルストップ領域３４を転送電極２
７，２８の下に完全に隠れる構造を採ることができる。
この構造を採ることで、第１実施形態に係る撮像部１１
の構造の場合と同じ作用により、垂直レジスタ１７の横
におけるチャネルストップ領域３４の近傍で光電変換に
よって発生した電子が垂直レジスタ１７よりも受光部１
５へ移動する確率が高くなるので、スミアを減少させる
ことができる。

【００３６】以上説明したように、隣の行の画素との間
において、チャネルストップ領域３２，３３，３４を受
光部１５の行方向の片側または両側でＰ＋型拡散領域２
３とオーバーラップさせて電気的な接続を行うことによ
り、平面視でチャネルストップ領域３３を転送電極２
７，２８の下に完全に隠れる構造を採ることができるの
で、暗電流を増加させることなく、スミア特性を改善で
きる。また、スミア特性を改善できることにより、金属
遮光膜３１の張り出し量を減らすことができるため、そ
の分だけ受光部１５の開口面積を拡大できる。つまり、
感度向上を図ることも可能となる。

【００３７】なお、隣の行の画素間におけるチャネルス
トップ領域３２，３３，３４の形状としては、図１０
（Ａ），（Ｂ）、図１１（Ａ），（Ｂ）および図１２
（Ａ），（Ｂ）に示す形状など、様々な変形例が考えら
れる。図１０（Ａ），（Ｂ）は第１実施形態に係るチャ
ネルストップ領域３２の形状の変形例を、図１１
（Ａ），（Ｂ）は第２実施形態に係るチャネルストップ
領域３３の形状の変形例を、図１２（Ａ），（Ｂ）は第
３実施形態に係るチャネルストップ領域３４の形状の変
形例をそれぞれ示している。

【００３８】いずれの変形例に係る構造の場合において
も、隣の行の画素間においてチャネルストップ領域３
２，３３，３４の一部が受光部１５内に張り出してＰ＋
型拡散領域（正電荷蓄積領域）２３とオーバーラップし
ているのに対して、垂直レジスタ１７の横のチャネルス
トップ領域３２，３３，３４が転送電極２７，２８の下
に完全に隠れているのが特徴である。

【００３９】なお、上記各実施形態では、２層電極構造
のインターライン方式ＣＣＤ固体撮像装置に適用した場
合を例に採って説明したが、これに限られるものではな
く、単層電極構造のＣＣＤ固体撮像装置や全画素読み出
し方式ＣＣＤ固体撮像装置など固体撮像装置全般に対し
て本構造は適用可能である。

【００４０】図１３は、本発明に係るカメラシステムの
構成の概略を示すブロック図である。図１３において、
被写体（図示せず）からの像光（入射光）は、レンズ４
１等の光学系を通してＣＣＤイメージャ（撮像デバイ
ス）４２の撮像面上に結像される。このＣＣＤイメージ
ャ４２として、先述した第１〜第３実施形態あるいはそ
れらの変形例に係るＣＣＤ固体撮像装置が用いられる。

【００４１】ＣＣＤイメージャ４２は、ＣＣＤ駆動回路
４３により、画素からの信号電荷の読み出し、この読み
出した信号電荷の垂直転送、水平転送などの各種の駆動
が行われる。このＣＣＤイメージャ４２の出力信号は、
信号処理回路４４においてＣＤＳ（相関二重サンプリン
グ）などの信号処理が行われる。

【００４２】このように、ビデオカメラやデジタルスチ
ルカメラ等のカメラシステムにおいて、その撮像デバイ
スとして、第１〜第３実施形態あるいはそれらの変形例
に係るＣＣＤ固体撮像装置を用いることにより、これら
ＣＣＤ固体撮像装置は暗電流を増加させることなくスミ
ア特性を改善できるとともに感度向上が図れるため、よ
り高画質の撮像を実現できることになる。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
画素分離用のチャネルストップ領域を平面視で垂直転送
部の転送電極の下に完全に隠れた状態で形成するととも
に、受光部の行方向の少なくとも一方側で受光部の表面
側の電荷蓄積領域と電気的に接続した構造としたことに
より、暗電流を増加させることなくスミア特性を改善で
きる。また、スミア特性を改善できることによって金属
遮光膜の張り出し量を小さくでき、これによりスミア特
性を維持しつつ受光部の開口面積を拡大できるため、感
度向上を図ることも可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明が適用されるインターライン転送方式Ｃ
ＣＤ固体撮像装置の一例を示す概略構成図である。

【図２】本発明の第１実施形態に係る撮像部の構成を示
す平面パターン図である。

【図３】本発明の第１実施形態に係る撮像部の構成を示
す断面構造図であり、（Ａ）は図２のＸ−Ｘ′矢視断面
を、（Ｂ）は図２のＹ−Ｙ′矢視断面をそれぞれ示して
いる。

【図４】スミアが減少する理由の説明図（その１）であ
り、（Ａ）は従来例に係る構造の場合を、（Ｂ）は第１
実施形態に係る構造の場合をそれぞれ示している。

【図５】スミアが減少する理由の説明図（その２）であ
り、（Ａ）は従来例に係る構造の場合を、（Ｂ）は第１
実施形態に係る構造の場合をそれぞれ示している。

【図６】本発明の第２実施形態に係る撮像部の構成を示
す平面パターン図である。

【図７】本発明の第２実施形態に係る撮像部の構成を示
す断面構造図であり、（Ａ）は図６のＸ−Ｘ′矢視断面
を、（Ｂ）は図６のＹ−Ｙ′矢視断面をそれぞれ示して
いる。

【図８】本発明の第３実施形態に係る撮像部の構成を示
す平面パターン図である。

【図９】本発明の第３実施形態に係る撮像部の構成を示
す断面構造図であり、（Ａ）は図８のＸ−Ｘ′矢視断面
を、（Ｂ）は図８のＹ−Ｙ′矢視断面をそれぞれ示して
いる。

【図１０】第１実施形態に係るチャネルストップ領域の
形状の変形例を示す平面パターン図である。

【図１１】第２実施形態に係るチャネルストップ領域の
形状の変形例を示す平面パターン図である。

【図１２】第３実施形態に係るチャネルストップ領域の
形状の変形例を示す平面パターン図である。

【図１３】本発明に係るカメラシステムの構成の概略を
示すブロック図である。

【図１４】従来例に係る撮像部の構成を示す平面パター
ン図である。

【図１５】従来例に係る撮像部の構成を示す断面構造図
であり、（Ａ）は図１４（Ａ）のＸ−Ｘ′矢視断面を、
（Ｂ）は図１４（Ａ）のＹ−Ｙ′矢視断面をそれぞれ示
す

【図１６】スミア発生の原因の説明図である。

【符号の説明】

１１…撮像部、１２…水平レジスタ、１４…ユニットセ
ル、１５…受光部、１７…垂直レジスタ、２３…正電荷
蓄積領域（Ｐ＋型拡散領域）、２７，２８…転送電極、
３１…金属遮光膜、３２，３３，３４…チャネルストッ
プ領域

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 入射光を光電変換する受光部がマトリク
   ス状に配置されるとともに、前記受光部の垂直列ごとに
   配されて前記受光部から読み出された信号電荷を垂直転
   送する垂直転送部とを有する撮像部を備え、 前記受光部の各々を分離するチャネルストップ領域が、
   平面視で前記垂直転送部の転送電極の下に完全に隠れた
   状態で形成されるとともに、前記受光部の行方向の少な
   くとも一方側で前記受光部の表面側の電荷蓄積領域と電
   気的に接続されていることを特徴とする固体撮像装置。
2. 【請求項２】 被写体を撮像する撮像デバイスとして、 入射光を光電変換する受光部がマトリクス状に配置され
   るとともに、前記受光部の垂直列ごとに配されて前記受
   光部から読み出された信号電荷を垂直転送する垂直転送
   部とを有する撮像部を備え、前記受光部の各々を分離す
   るチャネルストップ領域が、平面視で前記垂直転送部の
   転送電極の下に完全に隠れた状態で形成されるととも
   に、前記受光部の行方向の少なくとも一方側で前記受光
   部の表面側の電荷蓄積領域と電気的に接続されてなる固
   体撮像装置を用いたことを特徴とするカメラシステム。