JP2010045114A - 固体撮像装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 シャント配線で垂直転送電極を接続した固体撮像装置において、シャント配線と垂直転送電極とのコンタクト部と遮光膜の開口部との隙間部から光が入り込み、スミアとなって撮像信号のノイズとなることを防止することができる固体撮像装置を得ること。
【解決手段】 半導体基板１０上に行列状に配置された光電変換部１１と、光電変換部１１の列間部に配置された垂直転送チャネルと、光電変換部１１の行間部に配置された垂直転送電極１４と、垂直転送電極１４上に第１の絶縁膜１５を介して積層された遮光膜１６と、遮光膜１６上に第２の絶縁膜１７を介して積層されたシャント配線１８とを備え、オプティカルブラック部１０２の周囲の周辺領域１０３に形成された遮光フィルタ４が、垂直転送電極１４とシャント配線１８とのコンタクト部１９が形成されているコンタクト領域上にも形成されている。
【選択図】 図２

Description

本発明は、固体撮像装置に関するものであり、特にスミア低減のための、シャント配線と垂直転送電極とのコンタクト領域の構造に関する。

近年、固体撮像装置は、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラの撮像装置として需要が拡大している。また、携帯電話に代表される携帯端末装置にカメラ機能を付加することが求められており、固体撮像装置の需要はますます拡大している。固体撮像装置の需要が伸びるのに伴い、高画質化の要求も高まっている。固体撮像装置を高画質化するためには、画素数を増やす多画素化と、Ｓ／Ｎ比を大きくする高感度化の両方が必要である。

固体撮像装置を多画素化するうえでは、固体撮像装置の動作速度を速くすることが前提として必要となる。そして、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）型の固体撮像装置において動作速度を速くするためには、信号電荷を撮像部から電荷の蓄積部に高速に転送する必要がある。

また、放送、業務用ビデオカメラで使われるハイビジョンタイプの固体撮像装置においては、セルサイズが４μｍ以上と大きく、かつ、画素数が多いために、固体撮像装置のチップサイズが大きくなり、配線抵抗の増加が引き起こされる。このため、チップ中央部のセルに印加する電圧が不足するという問題が発生している。

このような課題を解決するためには、垂直転送電極が有する電気抵抗値の影響を低減することが有効であり、このための手段として、対応する垂直転送電極同士を遮光膜を兼ねるシャント配線で共通接続することが提案されている（特許文献１参照）。

また、ハイビジョンタイプの業務用カメラに用いられる固体撮像装置などにおいて、受光部上に受光効率を向上するためのマイクロレンズを形成し、また、受光部が形成する有効画素領域の周辺に、有効画素領域に隣接してオプティカルブラック部が設けられる固体撮像装置が知られている（特許文献２参照）。このオプティカルブラック部は、有効画素領域と同様の構成で形成された光電変換部上の遮光膜に、窓部を形成せずに外光が入射しないようにしたものであり、オプティカルブラック部で黒レベルを検出することで、有効画素領域で得られた信号をより正確なものとするものである。
特開平５−２４３５３７号公報 特許第２９１０１６１号公報

一方、垂直転送電極をシャント配線で接続するためには、垂直転送電極上に形成される遮光膜に開口部を設けて、シャント配線と垂直転送電極とを接続するコンタクト部を形成する必要がある。このとき、垂直転送電極上に形成される遮光膜は金属膜であるため、シャント配線と垂直転送電極とを接続するコンタクト部と、この遮光膜とが接続しないようにする必要があり、製造上の誤差精度を考慮して、遮光膜に形成される開口部は、コンタクト部の断面積よりもやや大きな寸法としなくてはならない。このため、コンタクト部と遮光膜の開口部との間には、隙間部が生じることが避けられない。

このコンタクト部と遮光膜の開口部との間の隙間部から光が入射すると、スミアとなって、受光領域で受光された撮像信号のノイズとなってしまう。特に、受光部上にマイクロレンズが形成され、また、有効画素領域の周囲にオプティカルブラック部が形成された固体撮像装置では、オプティカルブラック部の遮光膜上で反射した後、シャント配線上に形成された平坦化膜やマイクロレンズとの界面で反射されながら有効画素領域に進入する迷光や、マイクロレンズを通って入射方向が変化した外光が、この隙間部から入射する確率が高くなり、固体撮像装置での撮像信号のノイズとなるスミアが発生する可能性が高くなる。

また、業務用カメラに用いられることが多い三板式の固体撮像装置では、受光部上にカラーフィルタが形成されていないため、カラーフィルタで迷光が吸収されることがなく、固体撮像装置内の迷光が、撮像信号のノイズとなる確率がさらに高まってしまう。

本発明はこのような従来技術の課題を解決するものであり、シャント配線で垂直転送電極を接続した固体撮像装置において、シャント配線と垂直転送電極とのコンタクト部と、遮光膜の開口部との隙間部から光が入り込み、スミアとなって撮像信号のノイズとなることを防止することができる固体撮像装置を得ることを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の固体撮像装置は、半導体基板上に行列状に配置された複数の光電変換部と、前記光電変換部の列間部に配置された複数の垂直転送チャネルと、前記光電変換部の行間部に配置され、前記光電変換部の電荷を前記垂直転送チャネルに転送する複数の垂直転送電極と、前記垂直転送電極上に第１の絶縁膜を介して積層された、前記光電変換部の受光部を規定する複数の窓部を有する遮光膜と、前記遮光膜上に第２の絶縁膜を介して積層されたシャント配線とを備え、前記受光部が形成する有効画素領域と、その周囲のオプティカルブラック部とを有し、前記受光部上にマイクロレンズが形成された固体撮像装置において、前記オプティカルブラック部の周囲の周辺領域に形成された遮光フィルタが、前記垂直転送電極と、前記シャント配線とのコンタクト部が形成されているコンタクト領域上にも形成されていることを特徴とする。

本発明の固体撮像装置は、シャント配線と垂直転送電極との間のコンタクト部が形成されたコンタクト領域の、遮光膜に形成された開口部から、外光や迷光が入射して、撮像信号のスミアとなることを防止することができる。

本発明の固体撮像装置は、半導体基板上に行列状に配置された複数の光電変換部と、前記光電変換部の列間部に配置された複数の垂直転送チャネルと、前記光電変換部の行間部に配置され、前記光電変換部の電荷を前記垂直転送チャネルに転送する複数の垂直転送電極と、前記垂直転送電極上に第１の絶縁膜を介して積層された、前記光電変換部の受光部を規定する複数の窓部を有する遮光膜と、前記遮光膜上に第２の絶縁膜を介して積層されたシャント配線とを備え、前記受光部が形成する有効画素領域と、その周囲のオプティカルブラック部とを有し、前記受光部上にマイクロレンズが形成された固体撮像装置において、前記オプティカルブラック部の周囲の周辺領域に形成された遮光フィルタが、前記垂直転送電極と、前記シャント配線とのコンタクト部が形成されているコンタクト領域上にも形成されている。

この構成とすることで、シャント配線と垂直転送電極とのコンタクト部が形成されたコンタクト領域のシャント配線上に、遮光フィルタが形成されているため、遮光膜に形成された開口部とコンタクト部との隙間部を覆うことができる。このため、マイクロレンズを介して入射してきた外光や、マイクロレンズ形成層の界面などで反射してきた迷光が、遮光膜とコンタクト部との隙間部から入射してスミアの原因となることを効果的に防止することができる。

上記本発明にかかる固体撮像装置において、前記コンタクト領域上の遮光フィルタの断面形状が、前記マイクロレンズ側の幅が前記半導体基板側の幅よりも小さく形成されていることが好ましい。このようにすることで、マイクロレンズで集光されて受光部に入射する光は遮らずに、コンタクト領域の遮光膜の開口部部分を効果的に覆うことができる。このため、ケラレが生じて撮像感度が低下することなく、スミア成分を低減した固体撮像装置を得ることができる。

また、前記コンタクト領域上の遮光フィルタの断面形状を、台形状または凸字状または三角形状のいずれかとすることができる。

さらに、前記マイクロレンズが、前記有効画素領域の周辺部分において、前記受光部よりも前記有効画素領域の中心部分側にずれた状態で形成されていて、前記コンタクト領域上の遮光フィルタが、前記受光部よりも前記マイクロレンズと同じ側にずれて形成されていることが好ましい。このようにすることで、特に、ディジタルスチルカメラに搭載された固体撮像装置で、カメラレンズとの射出瞳距離が短いために、有効画素領域の周辺部に入射する光が所定角度以上となる場合に採用される、マイクロレンズが中央よりにシフトして配置された構成であっても、コンタクト領域の開口部から光が入射して、スミアの原因となることを効果的に防止することができる。

以下、本発明にかかる固体撮像装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の実施形態にかかる固体撮像装置の全体構成を示す平面図である。

図１に示すように、本実施形態の固体撮像装置１は、画像を撮像する有効画素領域１０１と、その周囲のオプティカルブラック部１０２，さらに、オプティカルブラック部１０２の周囲の周辺領域１０３とを有している。なお、周辺領域１０３には、光電変換部などは形成されておらず、有効画素領域１０１で取得された撮像信号を周囲に形成されたボンディングパット１０５に引き出すための周辺配線１０４が形成されている。また、金属膜で形成される周辺配線１０４の表面などで外光が反射して、フレアの原因となることを防止するために、周辺領域１０３の基板上には遮光フィルタが形成されている。

図２は、本実施形態にかかる固体撮像装置１の、有効画素領域１０１からオプティカルブラック部１０２、さらに周辺領域１０３にわたる部分の断面構成を示す図である。図２で示す部分は、図１において、Ａとして示した領域に相当する。

図２に示すように、本実施形態の固体撮像装置１は、半導体基板１０上に形成された光電変換を行う撮像機構部分２と、この撮像機構部分２上に順次積層された光学系の部分である、樹脂層３，遮光フィルタ４、平坦化膜５、マイクロレンズ６を有している。

有効画素領域１０１とオプティカルブラック部１０２の半導体基板１０には、フォトダイオードからなる光電変換部１１と、図２では図示しない垂直チャネルが形成されている。なお、説明の便宜上、図２ではオプティカルブラック部１０２の光電変換部１１は、１つ（一行分）のみ形成されているように示しているが、実際の固体撮像装置におけるオプティカルブラック部１０２には、黒レベルの検出を十分行うことができるように、数行分の光電変換部１１が形成されることが多い。

半導体基板１０上には、図示しないベースコート上に、光電変換部１１の配列が形成する行間部に一対の垂直転送電極１４（１４ａ、１４ｂ）が形成されている。この垂直転送電極１４は、光電変換部１１と垂直チャネルとを接続し、光電変換部１１の電荷を、垂直チャネルを介して周辺領域１０３に形成された周辺回線１０４に引き出して、固体撮像装置からの撮像信号とするものである。

垂直転送電極１４上には、第１の絶縁膜１５を介して、タングステンなどの金属膜からなる遮光膜１６が形成されている。有効画素領域１０１の遮光膜１６には、光電変換部１１に対応する部分に窓部１２が形成されていて、この窓部１２によって、光電変換部１１のうち、実際に外光を受光する領域である受光部１１ａが規定される。一方、オプティカルブラック部１０２の遮光膜１６には、窓部１２が形成されていない。このため、オプティカルブラック部１０２の光電変換部１１で得られた電荷情報を黒レベル信号として、有効画素領域１０１の光電変換部１１からの電荷情報から差し引くことで、半導体基板１０上の素子構成によるノイズの影響などを除去した、いわゆる黒浮きのない撮像信号を得ることができる。

遮光膜１６上には、第２の絶縁膜１７を介して、タングステン（Ｗ）などからなるシャント配線１８が形成されている。また、シャント配線１８と垂直転送電極１４とは、第１の絶縁膜１５，遮光膜１６、第２の絶縁膜１７に形成されたスルーホールを介して、コンタクト部１９で接続されている。なお、本明細書では、シャント配線１８と垂直転送電極１４とのコンタクト部１９が形成される領域を、コンタクト領域と称する。

第２の絶縁膜１７とシャント配線１８上には、樹脂層３が形成され、周辺領域１０３の樹脂層３上には、遮光フィルタ４が形成されている。また、本実施形態の固体撮像装置１では、有効画素領域１０１とオプティカルブラック部１０２に形成されたコンタクト領域上にも、パターンニングされた遮光フィルタ４ａが形成されている。この遮光フィルタ４、４ａは、膜厚が０．３μｍ〜１．５μｍの樹脂製フィルタであり、ｂｌａｃｋフィルタ，ｂｌｕｅフィルタ，ｃｙａｎフィルタなどのカラーフィルタが用いられる。また、遮光フィルタ４，４ａは、単層のものに限らず、ｒｅｄフィルタとＢｌｕｅフィルタでｃｙａｎフィルタを形成するなど二層以上が積層される場合がある。遮光フィルタ４，４ａの透過率としては、５％以下が好ましく、ｂｌａｃｋフィルタが最も好ましい。

遮光フィルタ４、４ａ上には厚さが０．３μｍ〜５μｍの平坦化膜５が形成され、平坦化膜５上の受光部１１ａに重なる位置には、受光感度を向上するためのマイクロレンズ６が形成されている。

次に、図３および図４を用いて、本実施形態の固体撮像装置１の撮像機構部分２についてより詳細に説明する。

図３は、本実施形態の固体撮像装置１の、有効画素領域１０１における撮像機構部分２を示す部分拡大平面図である。また、図４は、固体撮像装置１の有効画素領域１０１における撮像機構部分２を示す部分拡大断面図である。図４（ａ）は、光電変換部１１の配列の列方向の断面図であり、図３中のａ−ａ’矢視線の部分を示す。また、図４（ｂ）は、光電変換部１１の配列の行方向の断面図であり、図３中のｂ−ｂ’矢視線の部分を示している。

半導体基板１０には、光電変換部１１が、行方向および列方向の行列状に形成されている。光電変換部１１の配列の列間部分には、光電変換部１１の配列が形成する列方向に垂直チャネル１３が形成されている。

半導体基板１０上には、図示しない絶縁性のベースコートを介して、一対の垂直転送電極１４（１４ａ、１４ｂ）が、光電変換部１１の配列の行間部分に形成されている。垂直転送電極１４ａ、１４ｂは、図３に示すように、光電変換部１１の列間部に相当する部分に凸部が形成された櫛歯状になっていて、本実施形態の固体撮像装置１では、一方の垂直転送電極１４ａが光電変換部１１の上方から、他方の垂直転送電極１４ｂが光電変換部１１の下方から、それぞれ光電変換部１１を包み込むように突出して形成されている。

垂直転送電極１４上には、第１の絶縁膜１５を介して金属製の遮光膜１６が形成されている。遮光膜１６には、それぞれの光電変換部１１に対応した部分に窓部１２が形成されていて、この窓部１２が固体撮像装置１の受光部１１ａを規定している。

遮光膜１６とその窓部１２を覆って第２の絶縁膜１７が形成され、第２の絶縁膜上には、遮光膜としての機能を兼ねるシャント配線１８が形成されている。本実施形態の固体撮像装置１におけるシャント配線１８は、図３に示すように、光電変換部１１の形成する列に対応してこれを覆うように形成され、シャント配線１８の光電変換部１１と重なる領域には開口１８ａが設けられている。光電変換部１１の配列の列間部である、半導体基板１０に設けられた垂直チャネル１３と重なる部分には、隣り合うシャント配線１８同士の絶縁を確保するための隙間部分が設けられている。

光電変換部１１の配列の行間部分には、シャント配線１８と垂直転送電極１４とを接続するコンタクト部１９が形成されている。図３に示すように、本実施形態の固体撮像装置１では、このコンタクト部１９が形成されているコンタクト領域は、隣り合う２列のシャント配線１８について、光電変換部１１の配列の同じ行間部に形成され、２列のシャント配線１８を一組として、２列ごとにそれぞれ互い違いとなるように、光電変換部１１の異なる行間部に形成されている。

コンタクト領域では、一対の垂直転送電極１４ａ、１４ｂのいずれか一方が、それぞれ交互に突出するようになっていて、コンタクト部１８と接続されている。図３に示す部分では、最も左側のシャント配線１８が、一方の垂直転送電極１４ａと接続され、左から二番目のシャント配線１８が、他方の垂直転送電極１４ｂと接続されている。

コンタクト部１９は、通常、シャント配線１８と同じ材料で形成されていて、第１の絶縁膜１５、遮光膜１６，第２の絶縁膜１７に形成されたスルーホールを貫通して、垂直転送電極１４と、シャント配線１８とを接続する。このとき、互いに金属同士である遮光膜１６とコンタクト部１９とが接触しないように、製造工程での誤差なども考慮して、遮光膜１６にはコンタクト部１９の断面よりやや大きな開口部が形成される。このため、遮光膜１６の開口部において、遮光膜１６とコンタクト部１９との間には、一定の隙間部２０が生じ、この隙間部２０から光が入り込み、遮光膜１６や垂直転送電極１４ａ，１４ｂで多重反射し、その基板下の垂直ＣＣＤに漏れこむことが、撮像信号に対するスミアの原因となる。

本実施形態の固体撮像装置１では、図２に示したように、垂直転送電極１４とシャント配線１８とのコンタクト領域と重なる位置に遮光フィルタ４ａが形成されて、この隙間部２０を覆うことができるため、隙間部２０から光が入射してスミアの原因となることを効果的に防止することができる。このため、垂直転送電極１４の抵抗値を実質的に下げることで、撮像信号の引き出し速度が向上できるシャント配線を用いる構成でありながら、撮像信号にスミアの影響が及ぶことを効果的に防止して、ノイズの少ない撮像信号を出力できる固体撮像装置を得ることができる。

また、本実施形態の固体撮像装置１では、オプティカルブラック部１０２に形成されたコンタクト領域も、遮光フィルタ４ａで覆っているために、外光や固体撮像装置内の迷光がオプティカルブラック部１０２の遮光膜１６とコンタクト部１９との隙間部２０から入射して生じる、浮きレベルの発生も防止することができる。

なお、一例を示せば、コンタクト領域とそれを覆う遮光フィルタ４ａの大きさの関係は、コンタクト部１９の断面の大きさが、一辺０．２μｍ〜１．５μｍ程度であるのに対し、遮光膜１６の開口部の大きさが０．４μｍ〜２．０μｍ、コンタクト領域と重なる位置に形成される遮光フィルタ４ａが０．５μｍ〜２．５μｍである。そして、本実施形態の固体撮像装置１では、コンタクト領域と重なる位置に遮光フィルタ４ａを形成したことで、１画素あたりのスミアを１ｄＢ低減することができた。また、オプティカルブラック部１０２での浮きレベルを約１／２０低減することができ、ＯＢ（オプティカルブラック）クランプミスによる画面の黒沈みのない固体撮像装置１を得ることができた。

本実施形態にかかる固体撮像装置１では、コンタクト領域と重なる位置に形成された遮光フィルタ４ａの厚さ方向の断面形状が、光の入射側、すなわちマイクロレンズ６側が小さくなり、一方、反対側の半導体基板１０側が大きくなるようにすることが好ましい。このようにすることで、固体撮像装置１の垂直上方から見た場合に、遮光フィルタ４ａの大きさを確保しつつ、図２に示す断面方向から見た場合には、マイクロレンズ６で集光されて受光部１１ａに向かう入射光が、遮光フィルタ４ａで遮られて、いわゆるケラレが生じることを回避できるからである。

具体的な断面形状としては、台形状、凸字状、三角形状などが考えられる。図５に台形状の遮光フィルタ４ａ、図６に凸字状の遮光フィルタ４ａ、図７に三角形状の遮光フィルタ４ａの例を示す。なお、図５から図７の各図は、このコンタクト領域と重なる位置に形成された遮光フィルタ４ａの断面形状のみが、図２と異なるため、他の部分の説明は省略する。遮光フィルタ４，４ａは、樹脂膜３上の前面に塗布形成された後、いわゆるフォトリソグラフ技術によってパターン化して作成することができ、このとき、異方性エッチングの技術を活用することで、上記に例示したような断面形状の遮光フィルタ４ａを実現することができる。

次に、図８を用いて、本実施形態の固体撮像装置１の応用例について説明する。図８は、本実施形態の固体撮像装置１の応用例の構成を示す断面構成図であり、図２に対応する図面である。

図８に示す、本実施形態の固体撮像装置１の応用例では、平坦化膜５上に形成されたマイクロレンズ６の中心が、対応する受光部１１ａの中心から、図８に矢印で示すように、左側にずれた状態で形成されている。これは、特に固体撮像装置１をディジタルスチルカメラに搭載する場合などには、カメラレンズとＣＣＤとの射出瞳距離が短いため、カメラレンズを通った光が、有効画素領域１０１の水平端部で光入射角度が大きくなることに対応するものである。例えば、有効画素領域１０１の水平端部での光入射角度が２°以上などの大きな値となった場合には、マイクロレンズ６を通った光が受光部１１ａに正確に入射しなくなる可能性があり、これを回避するためにマイクロレンズ６の中心を、光が入射してくる方向である有効画素領域１０１の中心側にずらして形成するのである。

この場合には、図８に示すように、コンタクト領域と重なる位置に形成された遮光フィルタ４ａの中心も、マイクロレンズ６がずれて形成されている方向と同じ方向にずれて形成される。このようにすることで、遮光フィルタ４ａの位置が、コンタクト領域に入射する光の経路に対応した位置となり、外光が、遮光膜１６の開口部とコンタクト部１９との隙間部２０から入射するのを防止することができる。

なお、遮光フィルタ４ａの形成位置は、マイクロレンズ６の形成位置よりも、より撮像機構部分２に近いため、この距離の差に応じて、遮光フィルタ４ａのずれ量ｙを、マイクロレンズ６のずれ量ｘよりも小さくすることが好ましい。また、マイクロレンズ６のずれ方向は、有効画素領域の中心方向へ向けられるため、遮光フィルタ４ａのずれ方向も、対応する位置にあるマイクロレンズ６のずれ方向と同じ方向とすることが好ましい。マイクロレンズ６と遮光フィルタ４ａの具体的なずれ量としては、水平端部で光入射角度が４°の場合に、水平端部でのマイクロレンズ６のずれ量（ｘ）が０．１５μｍ、遮光フィルタ４ａのずれ量（ｙ）が０．１０μｍとすることができる。

以上、本発明の固体撮像装置の実施形態について説明してきたが、本実施形態の固体撮像装置１において、遮光フィルタ４ａの平面的な形状は、コンタクト領域個々に対応するようにドット状に形成してもよい。また、受光部１１ａを覆ってしまわないかぎりにおいて、複数のコンタクト領域を一括して覆うように、例えば、光電変換部１１が形成する配列の行間部に、線状に形成することもできる。さらに、図３に示すように、複数のコンタクト領域が近接して形成されている場合には、それぞれのコンタクト領域のまとまりごとに、遮光フィルタ４ａを形成してもよい。例えば、図３のようにコンタクト領域が分布している場合には、２つずつのコンタクト領域を覆う島状に遮光フィルタ４ａを形成することもできる。

また、上記の説明は、本発明の固体撮像装置の構成を限定するものではない。特に、シャント配線の形状や、シャント配線と垂直転送電極との接続については、いろいろなバリエーションが考えられるが、本発明の固体撮像装置は、そのいずれのバリエーションに対しても、適用することができ、同様の効果を奏することができる。

本発明は、シャント配線構造を有する固体撮像装置として、各分野に利用可能である。

本発明の実施の形態にかかる固体撮像装置の平面構成図である。 本発明の実施の形態にかかる固体撮像装置の断面構成図である。 本発明の実施の形態にかかる固体撮像装置の撮像機構部分を示す平面構成図である。 本発明の実施の形態にかかる固体撮像装置の撮像機構部分を示す断面構成図である。 本発明の実施の形態にかかる固体撮像装置の別の構成例を示す断面構成図である。 本発明の実施の形態にかかる固体撮像装置のさらに別の構成例を示す断面構成図である。 本発明の実施の形態にかかる固体撮像装置の他の構成例を示す断面構成図である。 本発明の実施の形態にかかる固体撮像装置の応用例を示す断面構成図である。

符号の説明

１ 固体撮像装置
２ 撮像機構部分
３ 樹脂層
４、４ａ 遮光フィルタ
５ 平坦化膜
６ マイクロレンズ
１０ 半導体基板
１１ 光電変換部
１２ 窓部
１３ 垂直チャネル
１４、１４ａ、１４ｂ 垂直転送電極
１５ 第１の絶縁膜
１６ 遮光膜
１７ 第２の絶縁膜
１８ シャント配線
１９ コンタクト部
２０ 隙間部
１０１ 有効画素領域
１０２ オプティカルブラック部
１０３ 周辺領域

Claims (4)

1. 半導体基板上に行列状に配置された複数の光電変換部と、
   前記光電変換部の列間部に配置された複数の垂直転送チャネルと、
   前記光電変換部の行間部に配置され、前記光電変換部の電荷を前記垂直転送チャネルに転送する複数の垂直転送電極と、
   前記垂直転送電極上に第１の絶縁膜を介して積層された、前記光電変換部の受光部を規定する複数の窓部を有する遮光膜と、
   前記遮光膜上に第２の絶縁膜を介して積層されたシャント配線とを備え、
   前記受光部が形成する有効画素領域と、その周囲のオプティカルブラック部とを有し、
   前記受光部上にマイクロレンズが形成された固体撮像装置において、
   前記オプティカルブラック部の周囲の周辺領域に形成された遮光フィルタが、前記垂直転送電極と前記シャント配線とのコンタクト部が形成されているコンタクト領域上にも形成されていることを特徴とする固体撮像装置。
2. 前記コンタクト領域上の前記遮光フィルタの断面形状が、前記マイクロレンズ側の幅が前記半導体基板側の幅よりも小さく形成されている請求項１に記載の固体撮像装置。
3. 前記コンタクト領域上の前記遮光フィルタの断面形状が、台形状または凸字状または三角形状のいずれかである請求項２に記載の固体撮像装置。
4. 前記マイクロレンズが、前記有効画素領域の周辺部分において、前記受光部よりも前記有効画素領域の中心部分側にずれた状態で形成されていて、
   前記コンタクト領域上の遮光フィルタが、前記受光部よりも前記マイクロレンズと同じ側にずれて形成されている請求項１から３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。

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