JP2002252190A

JP2002252190A - 半導体基板の研磨方法および半導体基板の研磨装置

Info

Publication number: JP2002252190A
Application number: JP2001046098A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Takayasu; 安淳高
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2001-02-22
Filing date: 2001-02-22
Publication date: 2002-09-06

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体基板の研磨工程において一つの研磨工
程および一つの研磨装置でスクラッチの無い研磨をする
ことができる半導体基板の研磨方法および半導体基板の
研磨装置を提供する。【解決手段】本発明による研磨方法は、研磨工具から
遊離した遊離研磨粒子を半導体基板と研磨工具との間で
押圧しつつ半導体基板と研磨工具とを摩擦することによ
って半導体基板を研磨し、その後、研磨粒子を遊離する
ための動作を停止し、研磨工具へ供給する液体の流量を
増加させ、さらに半導体基板を研磨する。本発明による
研磨装置は、半導体基板のキャリアを介して半導体基板
を研磨工具に押圧しつつプラテンおよびキャリアを相対
的に動作させ、研磨粒子を遊離するためのコンディショ
ナの動作を停止させ、研磨の開始時付近において供給す
る液体の流量よりも多い流量の液体を研磨の終了時付近
において供給し、さらに研磨を行うように制御する制御
装置を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板の研磨
方法および半導体基板の研磨装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造工程の前工程において半導体
基板の研磨が行われ、半導体基板の表面の平坦化および
欠陥の除去が図られている。

【０００３】この工程においては、研磨粒子を含む研磨
工具に液体が供給され、研磨工具の表面の状態を整える
コンディショナが研磨工具に含まれている研磨粒子を遊
離させる。そして半導体基板と研磨工具との間で研磨工
具から遊離した遊離研磨粒子を圧しつつ半導体基板と研
磨工具とを摩擦することによって遊離研磨粒子が半導体
基板の研磨を行う。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、一般に、研磨
工具はウレタン布にAl₂O₃やCeO₂等の研磨粒子を含有し
て形成されている。研磨工具に液体が供給され、コンデ
ィショナが研磨工具を削る。コンディショナが研磨工具
を削ることによって研磨工具からは研磨粒子だけでなく
ウレタン繊維が遊離する。研磨工具に供給される液体は
純水と界面活性剤との混合液である。この界面活性剤は
コンデシショナによるコンディショニングによって同時
に遊離したウレタン繊維および遊離研磨粒子を容易に凝
集させ、ウレタン繊維に多くの遊離研磨粒子を含む凝集
粒子が生成される。

【０００５】凝集粒子は遊離研磨粒子よりも大きいた
め、半導体基板と研磨工具との摩擦によって半導体基板
が必要以上に削られる場合がある。それによって、半導
体基板の表面にスクラッチが発生し、半導体デバイスに
欠陥が生じる。

【０００６】スクラッチが発生したときにはこれを除去
するために、Al₂O₃やCeO₂等の研磨粒子が含まれる研磨
工具による研磨とは別に、シリカ粒子（SiO₂）等の研磨
粒子が含まれる研磨工具によって半導体基板を研磨しな
ければならない。

【０００７】従って、半導体基板にスクラッチの無い研
磨を行うのに、二度の研磨工程および複数の研磨装置が
必要になるという問題がある。

【０００８】本発明は、半導体基板の研磨工程において
単一の研磨装置および単一の研磨工程でも半導体基板に
スクラッチの無い研磨をすることができる半導体基板の
研磨方法および半導体基板の研磨装置を提供することを
目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明による半導体基板
の研磨方法の第１の実施の形態によれば、研磨粒子を有
する研磨工具へ液体を供給して研磨工具から研磨粒子を
遊離させる遊離ステップと、研磨工具から遊離した遊離
研磨粒子を半導体基板と研磨工具との間で押圧しつつ半
導体基板と研磨工具とを摩擦することによって半導体基
板を研磨する第１研磨ステップと、研磨工具から研磨粒
子を遊離するための動作を停止または緩和する停止ステ
ップと、遊離研磨粒子を半導体基板と研磨工具との間で
押圧しつつ半導体基板と研磨工具とを摩擦することによ
って半導体基板を研磨する第２研磨ステップとを有す
る。

【００１０】本発明による半導体基板の研磨方法の第２
の実施の形態によれば、研磨粒子を有する研磨工具へ液
体を供給して研磨工具から研磨粒子を遊離させる遊離ス
テップと、研磨工具から遊離した遊離研磨粒子を半導体
基板と研磨工具との間で押圧しつつ半導体基板と研磨工
具とを摩擦することによって半導体基板を研磨する第１
研磨ステップと、遊離ステップにおいて供給する液体の
流量よりも多い流量の液体を研磨工具へ供給する希釈ス
テップと、遊離研磨粒子を半導体基板と研磨工具との間
で押圧しつつ半導体基板と研磨工具とを摩擦することに
よって半導体基板を研磨する第２研磨ステップとを有す
る。

【００１１】この半導体基板の研磨方法の第２の実施の
形態においては、希釈ステップにおいて供給する液体の
うち遊離ステップにおいて供給する液体の流量に対する
増加分の液体は純水であることことが好ましい。また、
希釈ステップの前または後に、研磨工具から研磨粒子を
遊離するための動作を停止または緩和する停止ステップ
をさらに備えることが好ましい。

【００１２】本発明による半導体基板の研磨装置の第１
の実施の形態によれば、半導体基板を研磨する研磨粒子
を有する研磨工具を支持するプラテンと、研磨工具から
研磨粒子を遊離するコンデショナと、半導体基板を支持
し、研磨工具へ半導体基板を押圧するキャリアと、研磨
粒子に液体を供給するための液体供給装置と、プラテ
ン、コンデショナおよびキャリアの動作をそれぞれ制御
し、かつ液体供給装置が供給する液体の流量を制御する
ことにより、キャリアを介して半導体基板を研磨工具に
押圧しつつプラテンおよびキャリアを相対的に動作さ
せ、続いて、研磨粒子を遊離するためのコンディショナ
の動作を停止または緩和させた後、さらに、キャリアを
介して半導体基板を研磨工具に押圧しつつプラテンおよ
びキャリアを相対的に動作させるように制御を行う制御
装置とを備える。

【００１３】本発明による半導体基板の研磨装置の第２
の実施の形態によれば、半導体基板を研磨する研磨粒子
を有する研磨工具を支持するプラテンと、研磨工具から
研磨粒子を遊離するコンデショナと、半導体基板を支持
し、研磨工具へ半導体基板を押圧するキャリアと、研磨
粒子に液体を供給するための液体供給装置と、プラテ
ン、コンデショナおよびキャリアの動作をそれぞれ制御
し、かつ液体供給装置が供給する液体の流量を制御する
ことにより、キャリアを介して半導体基板を研磨工具に
押圧しつつプラテンおよびキャリアを相対的に動作さ
せ、続いて、研磨の開始時付近において供給する液体の
流量よりも多い流量の液体を研磨の終了時付近において
供給した後、さらに、キャリアを介して半導体基板を研
磨工具に押圧しつつプラテンおよびキャリアを相対的に
動作させるように制御を行う制御装置とを備える。

【００１４】本実施の形態においては、制御装置は、液
体供給装置を制御して研磨の終了時付近において純水を
増加させることによって研磨の開始時付近において供給
する液体の流量よりも多い流量の液体を研磨の終了時付
近において供給することが好ましい。

【００１５】さらに、本実施の形態においては、制御装
置は、液体供給装置を制御して研磨の開始時付近におい
て供給する液体の流量よりも多い流量の液体を研磨の終
了時付近において供給し、コンディショナを制御して研
磨粒子を遊離するための動作を停止または緩和させた
後、キャリアを介して半導体基板を研磨工具に押圧しつ
つプラテンおよびキャリアを相対的に動作させることが
好ましい。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。ただし、本発明は以下の
実施形態に限定されるものではない。

【００１７】図１（Ａ）および（Ｂ）は、本発明による
半導体基板の研磨方法および研磨装置の第１の実施形態
を示す概略図である。図１（Ａ）は第１研磨ステップ、
図１（Ｂ）は第２研磨ステップを示す図である。

【００１８】図２は、本発明による半導体基板の研磨方
法の第１の実施形態を示すフローチャートである。

【００１９】図１（Ａ）を参照し、本実施例による半導
体研磨装置を説明する。本実施例による半導体研磨装置
は、半導体基板１０を研磨する研磨粒子２０を有する研
磨布３０と、研磨布３０から研磨粒子２０を遊離させる
コンデショナ４０と、研磨布３０またはコンデショナ４
０に液体５０を供給するための液体供給装置６０とを備
える。

【００２０】研磨対象となる半導体基板１０はシリコン
基板でもよく、GaAs基板でもよい。半導体基板１０の表
面には半導体装置が形成され、シリコン酸化膜やシリコ
ン窒化膜等の膜（図示せず）がその半導体装置の上を被
覆している。本発明による研磨方法および研磨装置はそ
の半導体装置の上を被覆する膜を平坦化するために用い
られる。また、本発明による研磨方法および研磨装置は
半導体基板の裏面の研磨にも応用できる。

【００２１】研磨材としての研磨粒子２０は酸化アルミ
ニウム（Al₂O₃）や酸化セリウム（CeO₂）でもよく、シ
リカ粒子（SiO₂）や酸化ジルコニウム（ZrO₂）でもよ
い。また、研磨工具としてはウレタン布３１に研磨粒子
２０を含有した研磨布３０が一般的である。コンディシ
ョナ４０にはダイヤモンド粉等が付着されている。液体
供給装置６０は研磨布３０に液体５０を供給する液体タ
ンクおよび液体ポンプ（共に図示せず）を有し、その供
給口の位置を自由に変えられるように伸縮または回動機
構を有している。液体５０は純水または純水と界面活性
剤との混合液である。

【００２２】以下に、図１（Ａ）および（Ｂ）並びに図
２を参照しつつ、本実施例における研磨装置の動作およ
び研磨方法を示す。

【００２３】液体供給装置６０は研磨布３０に液体５０
を一定の流量で供給し、供給された液体５０によって研
磨布３０の表面に液層５５を形成する（Ｓ２１）。尚、
研磨布３０の上に液層５５の無い部分が存在しないよう
に、液体供給装置６０は十分な量の液体５０を研磨布３
０に供給する。

【００２４】コンディショナ４０は研磨布３０を一定の
圧力で削り、研磨粒子２０を液層５５に遊離させる（Ｓ
２２）。従って、液層５５は研磨布３０から遊離した遊
離研磨粒子７０を一定の密度で含む。

【００２５】半導体基板１０はキャリア８０に支持され
る。キャリア８０は半導体基板１０を固定した状態で軸
Ｘを中心に回転する。一方、研磨布３０はプラテン１１
０によって支持され、そのプラテン１１０が軸Ｙを中心
に回転することによって研磨布３０も軸Ｙを中心に回転
する。液層５５に含まれる遊離研磨粒子７０を研磨布３
０と半導体基板１０との間で所定の圧力で圧しつつキャ
リア８０および研磨布３０を回転させることによって、
研磨布３０と半導体基板１０とが相対的に動作し、摩擦
される。それによって、遊離研磨粒子７０が半導体基板
１０を研磨することができる（Ｓ２３）。尚、Ｓ２１か
らＳ２３までが本実施例による研磨方法の開始から第１
研磨ステップまでとなる。

【００２６】しかし、コンディショナ４０は研磨粒子２
０のみならずウレタン布３１からウレタン繊維（図示せ
ず）を遊離させる。従って、研磨布３０と半導体基板１
０との摩擦により、研磨布３０から遊離したウレタン繊
維および遊離研磨粒子７０が研磨布３０と半導体基板１
０との間で凝集する。それによって、遊離研磨粒子７０
よりも大きい凝集粒子９０が生じる。液体５０に界面活
性剤が含まれている場合には、界面活性剤によってウレ
タン繊維および遊離研磨粒子７０の凝集が促進され、凝
集粒子９０が生じやすくなる。

【００２７】前述したように、研磨布３０と半導体基板
１０との間には所定の圧力が印加されているので、半導
体基板１０のうち、遊離研磨粒子７０よりも大きい凝集
粒子９０が存在する箇所に強い荷重が加わる。この半導
体基板１０への局所的な荷重が半導体基板１０のスクラ
ッチ１００の原因になる。

【００２８】そこで、本実施例における研磨装置および
研磨方法は、半導体基板１０のスクラッチ１００を防止
するために、凝集粒子９０を研磨布３０と半導体基板１
０との間から除去する。以下に、図１（Ｂ）および図２
を参照し、凝集粒子９０を除去し、かつスクラッチ１０
０をなくすための第２研磨ステップの動作を説明する。

【００２９】第１研磨ステップの終了後、コンディショ
ナ４０が研磨布３０を削る動作を停止または減速する
（Ｓ２４）。一方、液体供給装置６０は一定の流量の液
体を研磨布３０に供給し続ける（Ｓ２５）。従って、液
層５５に含まれる遊離研磨粒子７０の密度が低下する。
コンディショナ４０が研磨布３０を削る動作を停止また
は減速した後、所定の期間、半導体基板１０を研磨する
（Ｓ２６）が、液層５５に含まれる遊離研磨粒子７０の
密度が低下しているので、凝集粒子９０が生じにくい。

【００３０】既に、生じている凝集粒子９０は研磨布３
０および半導体基板１０の回転による遠心力によって研
磨布３０と半導体基板１０との間から除かれる。また、
研磨布３０の表面にはコンディショナ４０によって削ら
れた凹凸（図示せず）が存在する。遊離研磨粒子７０は
凝集粒子９０よりも小さいため研磨布３０の表面の凹部
に入り込む確率が高いので、凝集粒子９０よりも研磨布
３０と半導体基板１０との間に残る確率が高い。よっ
て、研磨布３０と半導体基板１０との間には凝集粒子９
０が減少する。また、半導体基板１０を研磨するときに
は研磨布３０と半導体基板１０との間に依然と所定の圧
力が印加されており、かつ液層５５には遊離研磨粒子７
０が残存している。従って、既に生じているスクラッチ
１００は液層５５に残存している遊離研磨粒子７０によ
ってなくなり、半導体基板１０はより平坦化される。
尚、コンディショナを使用することなく溶剤によって研
磨粒子を遊離させる方式を採用する研磨装置において
は、Ｓ２４の停止ステップにおいて当該溶剤の供給を停
止させてもよく、若しくは純水等の他の液体を供給して
当該溶剤の濃度を低下させることによって研磨粒子を遊
離させる速度を緩和させてもよい。当該溶剤の研磨布３
０への供給は液体供給装置６０を利用すればよい。

【００３１】本実施例による研磨方法および研磨装置に
よれば、一つの研磨工程および単一の研磨装置によっ
て、半導体基板の研磨においてスクラッチがなくなる。
それによって、半導体基板に素子が形成されている場合
には、その形成された素子が破壊されることなく、汚染
されることもない。また、半導体基板が割れることを防
止できる。さらに、コンディショナ４０が研磨布３０を
必要以上に削ることを防止できるので、研磨布３０の寿
命が長くなる。

【００３２】図３（Ａ）および（Ｂ）は、本発明による
半導体基板の研磨方法および研磨装置の第２の実施形態
のうちの一形態を示す概略図である。図３（Ａ）は第１
研磨ステップ、図３（Ｂ）は第２研磨ステップを示す図
である。

【００３３】図４は、本発明による半導体基板の研磨方
法の第２の実施形態のうちの一形態を示すフローチャー
トである。

【００３４】本実施例による研磨方法および研磨装置に
おいて、図３（Ａ）および図４のＳ４１から図４のＳ４
３は、それぞれ図２（Ａ）および図２のＳ２１から図２
のＳ２３と同じ動作を行う。すなわち、第１研磨ステッ
プまでは第１の実施例と同じである。

【００３５】従って、第１の実施例と同様に、遊離研磨
粒子７０を研磨布３０と半導体基板１０との間で圧しつ
つ研磨布３０と半導体基板１０とを摩擦することによっ
て、遊離研磨粒子７０が半導体基板１０を研磨する。し
かし、凝集粒子９０が生じるため半導体基板１０にスク
ラッチ１００が生じる。

【００３６】そこで、本実施例における研磨装置および
研磨方法も、半導体基板１０のスクラッチ１００を防止
するために、凝集粒子９０を研磨布３０と半導体基板１
０との間から除去する。以下に、図３（Ｂ）および図４
を参照し、凝集粒子９０を除去し、かつスクラッチ１０
０をなくすための第２研磨ステップの動作を説明する。

【００３７】第１研磨ステップにおいて液体供給装置６
０が供給していた流量を増加させる（Ｓ４４）。コンデ
ィショナ４０は依然として研磨布３０を削るが、研磨布
３０に供給される液体の流量が増加するので、液層５５
に含まれる遊離研磨粒子７０の密度が低下する。液体供
給装置６０が供給する液体の流量を増加した後、所定の
期間、半導体基板１０を研磨する（Ｓ４５）。しかし、
液層５５に含まれる遊離研磨粒子７０の密度が低下する
ので、凝集粒子９０が生じにくくなる。

【００３８】また、研磨布３０と半導体基板１０との間
には所定の圧力が印加されるものの、研磨布３０に供給
する液体の流量を増加させることによって、液層５５の
厚さが厚くなる。従って、研磨布３０および半導体基板
１０の回転による遠心力によって、凝集粒子９０は研磨
布３０と半導体基板１０との間から容易に除かれる。

【００３９】さらに、増加する液体の流量のうち増加分
の液体は純水が好ましい。純水を増加させることによっ
て液層５５の界面活性剤が希釈されるため、遊離研磨粒
子７０が凝集しにくくなる。従って、凝集粒子９０が生
じにくくなる。

【００４０】尚、研磨布３０と半導体基板１０との間の
圧力を低下させた場合にも、液層５５の厚さを厚くする
ことができる。しかし、研磨布３０と半導体基板１０と
の間の圧力を低下させると、半導体基板１０の歪み等に
よって、研磨後の保護膜の厚さが半導体基板１０の面内
においてばらついてしまう。従って、研磨布３０と半導
体基板１０との間の圧力を低下させることは好ましくな
い。

【００４１】図５（Ａ）および（Ｂ）は、本発明による
半導体基板の研磨方法および研磨装置の第２の実施形態
のうちの他の形態を示す概略図である。図５（Ａ）は第
１研磨ステップ、図５（Ｂ）は第２研磨ステップを示す
図である。

【００４２】図６は、本発明による半導体基板の研磨方
法の第２の実施形態のうちの他の形態を示すフローチャ
ートである。

【００４３】本実施例においては、図４および図５にお
ける第２の実施形態に対して、第１研磨ステップの後、
コンディショナ４０が研磨布３０を削る動作を停止また
は減速する停止ステップ（Ｓ６４）が付加されている。
本実施例のその他のステップは図４および図５における
第２の実施形態と同様である。液体の流量を増加するス
テップ（Ｓ６５）において、増加する液体の流量のうち
増加分の液体は純水が好ましいことも図４および図５に
おける第２の実施形態と同様である。

【００４４】停止ステップを付加することによって、図
４および図５の実施例に比較して液層５５に含まれる遊
離研磨粒子７０の密度がより低下するので、凝集粒子９
０がさらに生じにくくなる。また、研磨布３０へ供給さ
れる液体５０の流量を変化させない図１および図２の実
施形態と比較しても、液層５５に含まれる遊離研磨粒子
７０の密度がより低下し、凝集粒子９０がより生じにく
くなる。従って、上記した実施形態のうち、研磨布３０
と半導体基板１０との間から凝集粒子９０を最も良く排
除することができ、かつスクラッチ１００を最も良く除
去することができる実施形態は図５および図６の実施形
態である。尚、コンディショナを使用することなく溶剤
によって研磨粒子を遊離させる方式を採用する研磨装置
においては、Ｓ６４の停止ステップにおいて当該溶剤の
供給を停止させてもよく、若しくは純水等の他の液体を
供給して当該溶剤の濃度を低下させることによって研磨
粒子を遊離させる速度を緩和させてもよい。当該溶剤の
研磨布３０への供給は液体供給装置６０を利用すればよ
い。

【００４５】また、本実施例において、研磨布３０へ供
給される液体５０の流量を増加させる希釈ステップ（Ｓ
６５）は、停止ステップ（Ｓ６４）の後に実行される。
しかし、希釈ステップ（Ｓ６５）は、停止ステップ（Ｓ
６４）の前に実行されてもよい。

【００４６】図７は、本発明による半導体基板の研磨装
置のブロック図である。制御装置２００が、プラテン１
１０、コンデショナ４０およびキャリア８０の動作をそ
れぞれ制御し、液体供給装置６０が供給する液体の流量
を制御している。制御装置２００は、図７の実線で示す
ように半導体基板の研磨装置１０００の外部に配備して
もよく、図７の点線で示すように研磨装置１０００の内
部に配備してもよい。研磨装置１０００の外部に配備す
る場合には、制御装置２００としてＣＰＵを有するコン
ピュータを有線または無線で接続すればよい。

【００４７】また、本発明による実施例において、半導
体基板１０を研磨する動作は、第１研磨ステップと第２
研磨ステップとの間で一旦停止することなく、研磨工程
の開始から終了まで連続的に行われることが好ましい。
また、本発明による実施例において、液体供給装置６０
は研磨布３０に液体を供給する。しかし、液体供給装置
６０はコンディショナ４０に液体を供給してもよく、遊
離研磨粒子７０が液体と混合することができれば構成を
限定しない。さらに、液体供給装置６０が供給する液体
は予め研磨粒子を含むスラリであってもよい。

【００４８】

【発明の効果】本発明による半導体基板の研磨方法およ
び半導体基板の研磨装置によれば、一つの研磨工程およ
び一つの研磨装置によって半導体基板を研磨でき、かつ
半導体基板の研磨においてスクラッチがなくなる。

【００４９】本発明による半導体基板の研磨方法および
半導体基板の研磨装置によれば、半導体基板の研磨工程
において半導体基板がより一層平坦化される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による半導体基板の研磨方法および研磨
装置の第１の実施形態を示す概略図。

【図２】本発明による半導体基板の研磨方法の第１の実
施形態を示すフローチャート。

【図３】本発明による半導体基板の研磨方法および研磨
装置の第２の実施形態のうちの一形態を示す概略図。

【図４】本発明による半導体基板の研磨方法の第２の実
施形態のうちの一形態を示すフローチャート。

【図５】本発明による半導体基板の研磨方法および研磨
装置の第２の実施形態のうちの他の形態を示す概略図。

【図６】本発明による半導体基板の研磨方法の第２の実
施形態のうちの他の形態を示すフローチャート。

【図７】本発明による半導体基板の研磨装置のブロック
図。

【符号の説明】

１０半導体基板２０研磨粒子３０研磨工具４０コンディショナ５０液体５５液層６０液体供給装置７０遊離研磨粒子８０キャリア９０凝集粒子１００スクラッチ１１０プラテン２００制御装置１０００半導体基板の研磨装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｂ２４Ｂ 37/00 Ｂ２４Ｂ 37/00 Ｚ 57/02 57/02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】研磨粒子を有する研磨工具へ液体を供給し
て該研磨工具から研磨粒子を遊離させる遊離ステップ
と、前記研磨工具から遊離した遊離研磨粒子を半導体基板と
前記研磨工具との間で押圧しつつ該半導体基板と該研磨
工具とを摩擦することによって前記半導体基板を研磨す
る第１研磨ステップと、前記研磨工具から研磨粒子を遊離するための動作を停止
または緩和する停止ステップと、前記遊離研磨粒子を半導体基板と前記研磨工具との間で
押圧しつつ該半導体基板と該研磨工具とを摩擦すること
によって前記半導体基板を研磨する第２研磨ステップ
と、を有する半導体基板の研磨方法。
【請求項２】研磨粒子を有する研磨工具へ液体を供給し
て該研磨工具から研磨粒子を遊離させる遊離ステップ
と、前記研磨工具から遊離した遊離研磨粒子を半導体基板と
前記研磨工具との間で押圧しつつ該半導体基板と該研磨
工具とを摩擦することによって前記半導体基板を研磨す
る第１研磨ステップと、前記遊離ステップにおいて供給する液体の流量よりも多
い流量の液体を前記研磨工具へ供給する希釈ステップ
と、前記遊離研磨粒子を半導体基板と前記研磨工具との間で
押圧しつつ該半導体基板と該研磨工具とを摩擦すること
によって前記半導体基板を研磨する第２研磨ステップ
と、を有する半導体基板の研磨方法。
【請求項３】前記希釈ステップにおいて供給する液体の
うち前記遊離ステップにおいて供給する液体の流量に対
する増加分の液体は純水であることを特徴とする請求項
２に記載の半導体基板の研磨方法。
【請求項４】前記希釈ステップの前または後に、前記研
磨工具から研磨粒子を遊離するための動作を停止または
緩和する停止ステップをさらに備えることを特徴とする
請求項２または請求項３に記載の半導体基板の研磨方
法。
【請求項５】半導体基板を研磨する研磨粒子を有する研
磨工具を支持するプラテンと、前記研磨工具から研磨粒子を遊離するコンデショナと、前記半導体基板を支持し、前記研磨工具へ前記半導体基
板を押圧するキャリアと、前記研磨粒子に液体を供給するための液体供給装置と、前記プラテン、前記コンデショナおよび前記キャリアの
動作をそれぞれ制御し、かつ前記液体供給装置が供給す
る液体の流量を制御することにより、前記キャリアを介
して前記半導体基板を前記研磨工具に押圧しつつ前記プ
ラテンおよび前記キャリアを相対的に動作させ、続い
て、前記研磨粒子を遊離するための前記コンディショナ
の動作を停止または緩和させた後、さらに、前記キャリ
アを介して前記半導体基板を前記研磨工具に押圧しつつ
前記プラテンおよび前記キャリアを相対的に動作させる
ように制御を行う制御装置と、を備えた半導体基板の研磨装置。
【請求項６】半導体基板を研磨する研磨粒子を有する研
磨工具を支持するプラテンと、前記研磨工具から研磨粒子を遊離するコンデショナと、前記半導体基板を支持し、前記研磨工具へ前記半導体基
板を押圧するキャリアと、前記研磨粒子に液体を供給するための液体供給装置と、前記プラテン、前記コンデショナおよび前記キャリアの
動作をそれぞれ制御し、かつ前記液体供給装置が供給す
る液体の流量を制御することにより、前記キャリアを介
して前記半導体基板を前記研磨工具に押圧しつつ前記プ
ラテンおよび前記キャリアを相対的に動作させ、続い
て、前記研磨の開始時付近において供給する液体の流量
よりも多い流量の液体を前記研磨の終了時付近において
供給した後、さらに、前記キャリアを介して前記半導体
基板を前記研磨工具に押圧しつつ前記プラテンおよび前
記キャリアを相対的に動作させるように制御を行う制御
装置と、を備えた半導体基板の研磨装置。
【請求項７】前記制御装置は、前記液体供給装置を制御
して前記研磨の終了時付近において純水を増加させるこ
とによって前記研磨の開始時付近において供給する液体
の流量よりも多い流量の液体を前記研磨の終了時付近に
おいて供給することを特徴とする請求項６に記載の半導
体基板の研磨装置。
【請求項８】前記制御装置は、前記液体供給装置を制御
して前記研磨の開始時付近において供給する液体の流量
よりも多い流量の液体を前記研磨の終了時付近において
供給し、前記コンディショナを制御して前記研磨粒子を
遊離するための動作を停止または緩和させた後、前記キ
ャリアを介して前記半導体基板を前記研磨工具に押圧し
つつ前記プラテンおよび前記キャリアを相対的に動作さ
せることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の
半導体基板の研磨装置。