【特許請求の範囲】
【請求項１】 （Ａ）下記一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）のいずれかで表される基を有する繰り返し単位、及び他に脂肪族環状炭化水素基を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有し、且つ（Ｂ）酸発生剤が、トリアリールスルフォニウム塩、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物及び芳香環を有さないスルホニウム塩の群から選択される少なくとも２種含有する混合物であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】
一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）において、Ｒ1b〜Ｒ5bは、各々独立に水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。Ｒ1b〜Ｒ5bの内の２つは、結合して環を形成してもよい。
【請求項２】 （Ａ）の樹脂が、下記一般式（ｐＩ）〜一般式（ｐVI）で示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位及び下記一般式（II）で示される繰り返し単位の群から選択される少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【化２】
（式中、Ｒ11は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基又はｓｅｃ−ブチル基を表し、Ｚは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
Ｒ12〜Ｒ16は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ12〜Ｒ14のうち少なくとも１つ、もしくはＲ15、Ｒ16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ17〜Ｒ21は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ17〜Ｒ21のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。また、Ｒ19、Ｒ21のいずれかは炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ22〜Ｒ25は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ22〜Ｒ25のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。また、Ｒ23とＲ24は、互いに結合して環を形成していてもよい。）
【化３】
式（II）中：
Ｒ11'，Ｒ12'は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子、又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
Ｚ'は、結合した２つの炭素原子（Ｃ−Ｃ）を含み、置換基を有していてもよい脂環式構造を形成するための原子団を表す。
【請求項３】 前記一般式（II）におけるＺ'が、結合した２つの炭素原子（Ｃ−Ｃ）を含み、置換基を有していてもよい有橋式脂環式構造を形成するための原子団を表すことを特徴とする請求項２に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項４】 前記一般式（II）が、下記一般式（II−Ａ）又は一般式（II−Ｂ）であることを特徴とする請求項２に記載のポジ型レジスト組成物。
【化４】
式（II−Ａ）、（II−Ｂ）中：
Ｒ13'〜Ｒ16'は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ5、酸の作用により分解する基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ−Ａ'−Ｒ17'、又は置換基を有していてもよいアルキル基あるいは環状炭化水素基を表す。
ここで、Ｒ5は、置換基を有していてもよい、アルキル基、環状炭化水素基又は下記の−Ｙ基を表す。
Ｘは、酸素原子、硫黄原子、−ＮＨ−、−ＮＨＳＯ2−又は−ＮＨＳＯ2ＮＨ−を表す。
Ａ'は単結合又は２価の連結基を表す。
また、Ｒl3'〜Ｒ16'のうち少なくとも２つが結合して環を形成してもよい。ｎは０又は１を表す。
Ｒ17'は、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ5、−ＣＮ、水酸基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ6、−ＣＯ−ＮＨ−ＳＯ2−Ｒ6又は下記の−Ｙ基を表す。
Ｒ6は、置換基を有していてもよい、アルキル基又は環状炭化水素基を表す。
−Ｙ基；
【化５】
（−Ｙ基中、Ｒ21'〜Ｒ30'は、各々独立に、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。ａ，ｂは１又は２を表す。）
【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
[Claims]
(A) a repeating unit having a group represented by any of the following formulas (V-1) to (V-4), and an aliphatic cyclic hydrocarbon group, A resin whose action increases the dissolution rate in an alkali developer,
(B) It contains a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, and (B) the acid generator does not have a compound having a triarylsulfonium salt or phenacylsulfonium salt structure or an aromatic ring. A positive resist composition comprising a mixture containing at least two members selected from the group of sulfonium salts.
Embedded image
2. The resin of (A) is a repeating unit having a partial structure containing an alicyclic hydrocarbon represented by the following general formulas (pI) to (pVI) and represented by the following general formula (II) The positive resist composition according to claim 1, comprising at least one selected from the group consisting of repeating units.
Embedded image
(Wherein, R 11 represents a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group or a sec-butyl group, and Z represents an alicyclic hydrocarbon group together with a carbon atom. Represents the atomic groups required to form.
R 12 to R 16 each independently represent a linear or branched alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 12 to R 14 , or Either R 15 or R 16 represents an alicyclic hydrocarbon group.
R 17 to R 21 each independently represent a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 17 to R 21 One represents an alicyclic hydrocarbon group. Further, either R 19 or R 21 represents a linear or branched alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms.
R 22 to R 25 each independently represent a linear or branched alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 22 to R 25 is an aliphatic group; Represents a cyclic hydrocarbon group. R 23 and R 24 may be bonded to each other to form a ring. )
Embedded image
In formula (II):
R 11 ′ and R 12 ′ each independently represent a hydrogen atom, a cyano group, a halogen atom, or an alkyl group which may have a substituent.
Z ′ represents an atomic group for forming an alicyclic structure which may have a substituent and has two bonded carbon atoms (C—C).
3. The method according to claim 2, wherein Z ′ in the general formula (II) contains two bonded carbon atoms (CC) and forms a bridged alicyclic structure which may have a substituent. 3. The positive resist composition according to claim 2, wherein
4. The positive resist composition according to claim 2, wherein the general formula (II) is the following general formula (II-A) or general formula (II-B).
Embedded image
In the formulas (II-A) and (II-B):
R 13 ′ to R 16 ′ each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, —COOH, —COOR 5 , a group decomposed by the action of an acid, —C (＝ O) —XA′-R 17 ′ represents an alkyl group or a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent.
Here, R 5 represents an alkyl group, a cyclic hydrocarbon group or the following —Y group which may have a substituent.
X represents an oxygen atom, a sulfur atom, -NH -, - NHSO 2 - or an -NHSO 2 NH-.
A ′ represents a single bond or a divalent linking group.
Further, at least two of R 13 ′ to R 16 ′ may combine to form a ring. n represents 0 or 1.
R 17 ′ is —COOH, —COOR 5 , —CN, a hydroxyl group, an optionally substituted alkoxy group, —CO—NH—R 6 , —CO—NH—SO 2 —R 6 or Represents a -Y group.
R 6 represents an alkyl group or a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent.
A —Y group;
Embedded image
(In the —Y group, R 21 ′ to R 30 ′ each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent. A and b represent 1 or 2.)
5. A pattern forming method, comprising: forming a resist film from the positive resist composition according to claim 1, exposing and developing the resist film.