JP2002246155A

JP2002246155A - セラミックヒータ

Info

Publication number: JP2002246155A
Application number: JP2001041024A
Authority: JP
Inventors: Satoru Kariya; 悟苅谷
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2001-02-16
Filing date: 2001-02-16
Publication date: 2002-08-30

Abstract

(57)【要約】【課題】加熱面の温度が均一であり、かつ、抵抗発熱
体に断線が発生することがないセラミックヒータを提供
すること。【解決手段】その表面に曲線を含む所定パターンの抵
抗発熱体が形成され、前記抵抗発熱体に溝または切欠が
形成されることによって、前記抵抗発熱体の抵抗値が調
整されたセラミックヒータであって、前記溝または切欠
が、前記抵抗発熱体のパターンにおける曲線部分では、
前記抵抗発熱体の幅に対して、内周側の縁から７０％以
内の距離となる領域内に形成されているセラミックヒー
タ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、主に、半導体産業
において使用される乾燥用、スパッタリング用等のセラ
ミックヒータ、および、静電チャックやウエハプローバ
用のチャックトップ板として用いることができるセラミ
ックヒータに関し、特には、半導体製造、検査装置用セ
ラミックヒータに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、エッチング装置や化学的気相成長
装置等を含む半導体製造・検査装置等として、ステンレ
ス鋼やアルミニウム合金などの金属製基材を用いたヒー
タやウエハプローバ等が用いられてきた。

【０００３】しかし、金属製のヒータは、ヒータ板が厚
いため、ヒータの重量が重く、嵩張る等の問題があり、
さらに、これらに起因して温度追従性にも問題があっ
た。

【０００４】そこで、特開平１１−４０３３０号公報等
には、基板として、熱伝導率が高く、強度も大きい窒化
物セラミックや炭化物セラミックを使用し、これらのセ
ラミックからなる板状体（セラミック基板）の表面に、
金属粒子を焼結して形成した発熱体を設けてなるセラミ
ックヒータが開示されている。

【０００５】このような、セラミックヒータを製造する
際に抵抗発熱体を形成する方法としては、従来、所定形
状のセラミック基板を製造した後、スクリーン印刷等の
方法を用いた塗布法により抵抗発熱体を形成する方法
や、スパッタリング等の物理的蒸着法やめっき法を用い
て抵抗発熱体を形成する方法があった。

【０００６】塗布法により抵抗発熱体を形成する方法で
は、所定形状のセラミック基板を製造した後、このセラ
ミック基板の表面に、スクリーン印刷等の方法を用いて
発熱体パターンの導体ペースト層を形成し、加熱、焼成
を行って、抵抗発熱体を形成していた。

【０００７】しかし、この方法では、比較的低コストで
抵抗発熱体を形成することができるものの、印刷の厚さ
がばらつくため、形成した抵抗発熱体の抵抗値にばらつ
きが発生するという問題を抱えていた。

【０００８】また、スパッタリング等の物理的蒸着法や
めっき法を用いて抵抗発熱体を形成する方法では、所定
形状のセラミック基板を製造した後、セラミック基板の
所定領域に、これらの方法により金属層を形成してお
き、その後、発熱体パターンの部分を覆うようにエッチ
ングレジストを形成した後、エッチング処理を施すこと
により、所定パターンの抵抗発熱体を形成したり、ま
た、初めに、発熱体パターン以外の部分を樹脂等で被覆
しておき、この後、上記処理を施すことにより、一度の
処理でセラミック基板の表面に所定パターンの抵抗発熱
体を形成していた。

【０００９】しかし、このスパッタリングやめっき等の
方法では、精密なパターンを形成することができるもの
の、所定パターンの抵抗発熱体を形成するために、セラ
ミック基板表面にフォトリソグラフィーの手法を用いて
エッチングレジストやめっきレジスト等を形成する必要
があるため、コストが高くつくという問題があった。

【００１０】これらの問題を解決するための方法とし
て、精密な発熱体パターンを比較的低コストで形成する
ことができるという利点を持つ方法、つまり、所定幅の
帯状または円環形状の導体層を形成した後、レーザ光照
射装置等を用い、発熱体パターン以外の部分を除去する
（トリミングする）ことにより、精密な発熱体パターン
の形成を行なったり、上記方法により抵抗発熱体を形成
した後、レーザ光を照射することにより、抵抗発熱体の
一部を除去する（トリミングする）ことで、抵抗発熱体
に溝や切欠を形成し抵抗値を精密に調整する方法が行な
われてきた。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな方法によって、抵抗発熱体の抵抗値を精度よく調整
するには、レーザ光を照射して形成した溝または切欠に
隣接する部分に、並行して複数回レーザ光を照射する等
して、抵抗発熱体に形成する溝や切欠の幅を広げる必要
があり、抵抗発熱体の抵抗値のばらつきが略なくなるま
で、溝や切欠の幅を広げると、抵抗発熱体に形成される
溝または切欠の幅が広くなり、かつ、レーザ光を照射す
る操作も煩雑になるため、抵抗発熱体をトリミングする
際，抵抗発熱体に断線が発生することがあった。また、
レーザ光を照射する時間が長くなり、生産性が低下する
という問題が発生した。

【００１２】さらに、抵抗発熱体に形成する溝や切欠の
幅が広がるため、抵抗発熱体における電流通路の幅が局
所的に狭くなってしまうため、このような方法によって
抵抗発熱体の抵抗値を調整したセラミックヒータにおい
て、発熱時、または、昇温と降温とを繰り返すことによ
って、抵抗発熱体が断線することがあった。

【００１３】そこで、本発明者等は研究した結果、抵抗
発熱体に形成する溝や切欠の幅を広げなければならない
のは、以下のような理由によることを突き止めた。即
ち、抵抗発熱体のパターンが曲線を含む場合、その曲線
部分において、抵抗発熱体の内周側ほど電流密度（単位
断面積あたりの電流値）が高く、外周側ほど電流密度が
低くなり、そのため、抵抗発熱体の外周部分の一部を除
去したのでは、抵抗発熱体の抵抗値の変化が小さく、抵
抗発熱体の抵抗値を所望するように調整するためには、
溝や切欠の幅を広げなければならない。このため、上述
した断線等の問題が発生するのである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
さらに検討を重ねた結果、抵抗発熱体の抵抗値を調整す
る際、抵抗発熱体のパターンにおける曲線部分では、抵
抗発熱体の内周側に、溝または切欠を形成することによ
り、抵抗発熱体に形成する溝や切欠の幅を広くする必要
がなくなり、抵抗発熱体のトリミング時における断線
や、昇温と降温とを繰り返すことによる断線を防ぐこと
ができ、さらに、レーザ照射時間を短縮することによ
り、生産性の低下を抑えることができることを見出し、
本発明を完成させるに至った。

【００１５】すなわち、本発明は、セラミック基板の表
面に曲線を含む所定パターンの抵抗発熱体が形成され、
上記抵抗発熱体に溝または切欠が形成されることによっ
て、上記抵抗発熱体の抵抗値が調整されたセラミックヒ
ータであって、上記溝または切欠が、上記抵抗発熱体の
パターンにおける曲線部分では、上記抵抗発熱体の幅に
対して、内周側の縁から７０％以内の距離となる領域内
に形成されていることを特徴とするセラミックヒータで
ある。なお、本発明において、抵抗発熱体のパターンの
曲線部分における、抵抗発熱体の幅とは、抵抗発熱体の
内周側の縁に接する接線に直交する直線を引いて測定し
た際の抵抗発熱体の幅をいうこととし、また、内周側の
縁からの距離とは、上記抵抗発熱体の幅と同一方向で測
定した抵抗発熱体の内周側の縁からの距離をいうことと
する。

【００１６】本発明のセラミックヒータによれば、抵抗
発熱体に溝または切欠が形成されることにより、抵抗発
熱体の抵抗値が調整されているため、発熱量のばらつき
が小さく、加熱面の温度が均一となる。また、抵抗発熱
体パターンの曲線部分では、電流密度の高くなる抵抗発
熱体の内周側に溝または切欠が形成されるため、効率よ
く抵抗発熱体がトリミングされ、その結果、抵抗発熱体
に形成する溝または切欠の幅が広くならず、抵抗発熱体
のトリミング時におけるレーザ光を照射する時間が短縮
され、生産性の低下を抑えることができる。さらに、抵
抗発熱体に形成される溝または切欠の幅が広くなること
がないため、抵抗発熱体における溝または切欠が形成さ
れた箇所での電流通路の幅を広くとることができ、その
結果、抵抗発熱体のトリミング時における断線、およ
び、セラミックヒータの発熱時や、昇温と降温とを繰り
返すことによる断線を防ぐことができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明のセラミックヒータは、セ
ラミック基板の表面に曲線を含む所定パターンの抵抗発
熱体が形成され、上記抵抗発熱体に溝または切欠が形成
されることによって、上記抵抗発熱体の抵抗値が調整さ
れたセラミックヒータであって、上記溝または切欠が、
上記抵抗発熱体のパターンにおける曲線部分では、上記
抵抗発熱体の幅に対して、内周側の縁から７０％以内の
距離となる領域内に形成されていることを特徴とするセ
ラミックヒータである。

【００１８】図１は、本発明のセラミックヒータにおい
て、溝および切欠が形成されている抵抗発熱体の一部を
模式的に示した平面図である。

【００１９】抵抗発熱体１２のパターンは、同心円の一
部を描くように形成された円弧からなる区画１２１、１
２３と、その端部を繋ぐように形成された屈曲線からな
る区画１２２、１２４とから構成されている。従って、
区画１２１〜１２４は、いずれも抵抗発熱体１２のパタ
ーンにおける曲線部分である。

【００２０】区画１２１において、領域１２１ａは、抵
抗発熱体１２の幅に対して、内周側の縁から７０％以内
の距離となる領域であり、その領域１２１ａ内に、切欠
１３１が形成されている。同様に、区画１２２〜１２４
において、領域１２２ａ〜１２４ａは、それぞれ、抵抗
発熱体１２の幅に対して、内周側の縁から７０％以内の
距離となる領域である。そして、領域１２２ａ内に、切
欠１３２が形成されており、領域１２３ａ内に、溝１３
３が形成されており、領域１２４ａ内に、溝１３４が形
成されている。

【００２１】なお、切欠とは、抵抗発熱体の幅を局所的
に狭くするために、抵抗発熱体の側面を含むように形成
された一種の切れ込みをいう。または、溝または切欠
は、抵抗発熱体の厚みが部分的に部分的に薄くなるよう
に形成されていてもよく、溝または切欠の底部がセラミ
ック基板の表面に届くように形成されていてもよい。

【００２２】図１に示すように、本発明において、抵抗
発熱体に形成される溝は、抵抗発熱体に電流が流れる方
向と概ね平行であることが望ましく、また、抵抗発熱体
に形成される切欠の主壁面は、抵抗発熱体に電流が流れ
る方向と概ね平行であることが望ましい。抵抗発熱体に
断線が発生することを抑制することができるからであ
る。なお、本発明において、切欠の主壁面とは、切欠が
形成された部分の壁面であって、側面方向から観察可能
な面をいうことにする。さらに、概ね平行であるとは、
電流の流れる方向と切欠の主壁面とが、数学的に平行で
あることのみをいうものではなく、切欠の主壁面と電流
の流れる方向とのなす角が鋭角であることを含むものと
する。

【００２３】本発明では、抵抗発熱体のパターンにおけ
る曲線部分において、上記抵抗発熱体の幅に対して、内
周側の縁から７０％以内の距離となる領域内であれば、
溝が形成されていてもよく、切欠が形成されていてもよ
く、溝および切欠が混在していてもよい。また、抵抗発
熱体パターンの同一箇所に、溝が２本以上平行に形成さ
れていてもよく、溝と切欠とが形成されていてもよい。

【００２４】抵抗発熱体のパターンにおける曲線部分に
おいて、溝または切欠が形成される位置は、上記抵抗発
熱体の幅に対して、内周側の縁から７０％以内の距離と
なる領域内である。なお、抵抗発熱体に溝または切欠が
形成される位置は、上記抵抗発熱体の幅に対して、内周
側の縁から５０％以内の距離となる領域内であることが
望ましい。

【００２５】さらに、切欠を形成する場合、上記切欠
は、抵抗発熱体に断線が発生することを防止する点か
ら、抵抗発熱体の幅に対して、内周側の縁から４０％以
内の距離となる領域に形成することがより望ましい。

【００２６】なお、抵抗発熱体のパターンに直線部分が
含まれる場合、その直線部分において、溝または切欠が
形成される位置は、特に限定されるものではない。

【００２７】本発明において、抵抗発熱体の溝または切
欠を形成した箇所における、電流通路の太さ（幅）は、
電流通路一本あたりが０．５〜５ｍｍであることが望ま
しい。太い（幅の広い）電流通路を確保することによ
り、抵抗発熱体の発熱時における断線や、昇温と降温と
を繰り返すことによる断線の発生を抑制することができ
るのであるが、電流通路一本あたりが５ｍｍを超える
と、抵抗発熱体が太く（幅が広く）なってしまい、その
結果、抵抗発熱体に所定の抵抗値が得られないおそれが
ある。一方、電流通路一本あたりが０．５ｍｍ未満であ
ると、電流通路が細く（幅が狭く）なってしまい、その
結果、抵抗発熱体に、発熱時による断線や、昇温と降温
とを繰り返すことによる断線が発生するおそれがある。

【００２８】また、上述した方法によりトリミングを行
う場合、抵抗発熱体パターンの幅は０．６ｍｍ以上が望
ましい。０．６ｍｍ未満では、抵抗発熱体をトリミング
する際、断線が生じるおそれがあるからである。なお、
抵抗発熱体のパターンに直線部分が含まれる場合、該直
線部分の幅は、形成した溝または切欠の幅が９０％以下
となるように設定することが望ましい。溝または切欠の
幅が抵抗発熱体の幅に対して９０％を超えると、抵抗発
熱体をトリミングする際、断線が生じるおそれがあるか
らである。

【００２９】上記溝の幅は、１〜１００μｍ程度が望ま
しい。幅が１００μｍを超えると、断線等が発生しやす
くなり、一方、幅が１μｍ未満では、抵抗発熱体の抵抗
値を調整することが困難となるからである。また、レー
ザ光によるトリミングを行う場合、レーザのスポット径
は、１μｍ〜２ｃｍで調整する。

【００３０】また、上記溝または切欠は、抵抗発熱体の
厚さの２０％以上の深さを有することが望ましく、５０
％以上の深さを有することがより望ましい。２０％未満
では、抵抗値の変化がほとんどないからである。

【００３１】抵抗発熱体の抵抗値のばらつきは、抵抗発
熱体を印刷する際に、その厚さや幅等を均一化すること
により２５％以下に抑制しておくことが望ましい。抵抗
発熱体の印刷段階でばらつきを小さくした方が、トリミ
ングによる調整を行いやすいからである。

【００３２】上記トリミングは、抵抗発熱体の抵抗値を
測定し、その測定値に基づいて行うことが望ましい。抵
抗値の精度よい調整が可能になるからである。抵抗値の
測定は、抵抗発熱体パターンを複数に分割し、各区画に
ついて抵抗値を測定する。そして、抵抗値が低い区画に
ついてトリミング処理を実施する。

【００３３】トリミング処理が終わった後、再度抵抗値
測定を実施し、必要があればさらにトリミングを実施し
てもよい。すなわち、抵抗値測定とトリミングは１回だ
けではなく、２回以上実施してもよい。

【００３４】トリミングは、抵抗発熱体ペーストを印刷
した後焼成し、その後に実施することが望ましい。焼成
により抵抗値が変動してしまうからであり、また、レー
ザ光を用いてトリミングする場合、焼成前にトリミング
すると、レーザ光の照射により、剥離してしまう可能性
があるからである。

【００３５】また、最初に抵抗発熱体ペーストを面状
（いわゆるベタ状）に印刷し、トリミングによりパター
ン化してもよい。最初からパターン状に印刷しようとす
ると、印刷方向により厚さのばらつきが発生するが、面
状に印刷する場合には均一な厚さで印刷することができ
るため、これをトリミングしてパターン化することによ
り、均一な厚さの発熱体パターンを得ることができる。

【００３６】また、上述したトリミングは、レーザ光の
照射や、サンドブラスト、ベルトサンダー等の研磨処理
を用いて行うことができる。しかし、通常、抵抗発熱体
は金属もしくは金属および酸化物からなる導体ペースト
により形成されるため、上述した形状の溝は、レーザ光
を用いたトリミング（以下、レーザトリミングともい
う）により形成することが望ましい。金属はレーザで蒸
発除去されるがセラミックは除去されないからである。
その結果、除去残渣がなく、セラミック基板を傷つける
ことなく、精度よいトリミングを実現することができ
る。

【００３７】図２は、セラミック基板に形成された抵抗
発熱体の抵抗値を調整するために用いるレーザトリミン
グ装置の概要を示すブロック図である。ステージ１０ｃ
上には、図２に示したように、所定パターンの抵抗発熱
体１２が形成されたセラミック基板１１が固定用突起１
０ｂ等を用いてステージ１０ｃ上に固定されている。

【００３８】このステージ１０ｃには、モータ等（図示
せず）が設けられているとともに、このモータ等は制御
部１７に接続されており、制御部１７からの信号でモー
タ等を駆動させることにより、ステージ１０ｃをθ方向
（セラミック基板の回転方向）およびｘ−ｙ方向に自由
に移動させることができるようになっている。

【００３９】一方、このステージ１０ｃの上方には、ガ
ルバノミラー１５が設けられているが、このガルバノミ
ラー１５は、モータ１６によりｘ方向に自由に角度を変
更することができるようになっており、同じくステージ
１０ｃの上方に配置されたレーザ照射装置２５から照射
されたレーザ光２２が、このガルバノミラー１５に当た
って反射し、セラミック基板１１を照射するように構成
されている。

【００４０】また、モータ１６およびレーザ照射装置２
５は、制御部１７に接続されており、制御部１７からの
信号でモータ１６、レーザ照射装置２５を駆動させるこ
とにより、ガルバノミラー１５をｘ方向を軸として所定
の角度回転させる。また、制御部１７からの信号でステ
ージ１０ｃに設けられたモータ（図示せず）を駆動させ
ることにより、ステージ１０ｃをθ方向へ回転させる。
ガルバノミラー１５のｘ方向を軸とした回転、および、
ステージ１０ｃのθ方向についての回転により、セラミ
ック基板１１上の照射位置を自由に設定することができ
るようになっている。なお、ステージ１０ｃは、θ方向
についての回転だけではなく、ｘ−ｙ方向への移動も可
能である。

【００４１】このように、セラミック基板１１を載置し
たステージ１０ｃおよび／またはガルバノミラー１５を
動かすことにより、セラミック基板１１上の任意の位置
にレーザ光２２を照射することができる。

【００４２】一方、ステージ１０ｃの上方には、カメラ
２１も設置されており、これにより、セラミック基板１
１上の抵抗発熱体１２の位置（ｘ、ｙ）を認識すること
ができるようになっている。このカメラ２１は、記憶部
１８に接続され、これによりセラミック基板１１上の抵
抗発熱体１２の位置（ｘ、ｙ）等を認識し、その位置に
レーザ光２２を照射する。

【００４３】また、入力部２０は、記憶部１８に接続さ
れるとともに、端末としてキーボード等（図示せず）を
有しており、記憶部１８やキーボード等を介して、所定
の指示等が入力されるようになっている。

【００４４】さらに、このレーザトリミング装置は、演
算部１９を備えており、カメラ２１により認識されたセ
ラミック基板１１の位置や抵抗発熱体１２の厚さ等のデ
ータに基づいて、レーザ光２２の照射位置、照射速度、
レーザ光の強度等を制御するための演算を行い、この演
算結果に基づいて制御部１７からモータ１６、レーザ照
射装置２５等に指示を出し、ガルバノミラー１５を回転
させるか、または、ステージ１０ｃを移動または回転さ
せながらレーザ光２２を照射し、抵抗発熱体１２にトリ
ミングを行い、溝または切欠を形成する。

【００４５】また、このレーザトリミング装置は、抵抗
測定部２３を有している。抵抗測定部２３は、複数のテ
スタピン２４を備えており、抵抗発熱体１２を複数の区
画に区分し、各区画毎にテスタピン２４を接触させて、
形成された抵抗発熱体パターンの抵抗値を測定する。そ
して、測定された抵抗値に基づき、抵抗値が低い区画に
レーザを照射し、溝または切欠を形成することにより、
その抵抗値を調整し、抵抗値のばらつきが少ない抵抗発
熱体とする。

【００４６】次に、このようなレーザトリミング装置を
用いたセラミックヒータの製造方法について具体的に説
明する。ここでは、本発明の要部である抵抗発熱体の抵
抗値を調整するためにレーザトリミングにより溝または
切欠を形成する工程について詳しく説明し、それ以外の
工程については、後ほど詳しく説明するので、ここでは
簡単に説明する。

【００４７】（１）最初に、セラミック基板の製造を行
うが、まず、セラミック粉末と樹脂とからなる生成形体
を作製する。この生成形体の作製方法としては、セラミ
ック粉末と樹脂とを含む顆粒を製造した後、これを金型
等に投入してプレス圧をかけることにより作製する方法
と、グリーンシートを積層圧着することにより作製する
方法とがあり、内部に静電電極等の他の導体層を形成す
るか否か等により、より適切な方法を選択する。この
後、生成形体の脱脂、焼成を行うことにより、セラミッ
ク基板を製造する。この後、セラミック基板にリフター
ピンを挿通するための貫通孔の形成、測温素子を埋設す
るための有底孔の形成等を行う。

【００４８】（２）次に、このセラミック基板１１上
に、スクリーン印刷等により導体ペースト層を形成し、
焼成することにより抵抗発熱体１２とする。めっき法や
スパッタリング等の物理蒸着法を用いて抵抗発熱体１２
を形成してもよい。めっきの場合には、めっきレジスト
を形成することにより、スパッタリング等の場合には、
選択的なエッチングを行うことにより、抵抗発熱体１２
を形成することができる。ただし、スクリーン印刷の場
合には、めっき法等に比べて、抵抗発熱体の厚さの不均
一の問題が発生し易いため、トリミングにより抵抗値を
調整する方法が有効である。

【００４９】また、この抵抗発熱体を形成する際、上記
抵抗発熱体の面粗度Ｒａは、０．０１μｍ以上であるこ
とが望ましい。抵抗発熱体表面におけるレーザ光の反射
を防止し、設定通りの幅や深さ等を有する溝または切欠
を形成することができるからである。

【００５０】（３）次に、ステージ１０ｃに形成された
セラミック基板１１の側面と接触する固定用突起１０ｂ
とリフターピンを挿入する貫通孔に嵌合する嵌合用突起
（図示せず）とを用いて、セラミック基板１１をステー
ジ１０ｃ上に固定する。

【００５１】（４）固定されたセラミック基板１１をカ
メラ２１で撮影することにより、抵抗発熱体１２の形成
位置が記憶部１８に記憶される。

【００５２】（５）次に、レーザトリミング装置の抵抗
測定部２３により、形成された抵抗発熱体１２の各部分
の抵抗値を測定する。抵抗値の測定は、抵抗発熱体パタ
ーンを複数に区分し、テスターピン２４を用いて、各区
画の抵抗値を測定することにより行う。このようにして
測定した抵抗発熱体の抵抗値のデータを記憶部１８に取
り込む。

【００５３】そして、抵抗発熱体１２の位置（形状）デ
ータ、抵抗発熱体の各部分における抵抗値のデータ、抵
抗発熱体の特性（材料、厚さ等）に基づいて決定される
レーザ照射の強度等の照射条件のデータ等に基づき、抵
抗発熱体１２の抵抗値が低い部分について、演算部１９
でどの程度の長さ、深さ、幅の溝または切欠を形成すれ
ばよいかの演算を行い、その結果が制御データとして記
憶部に１８に記憶される。

【００５４】このとき、抵抗発熱体１２が同心円からな
るパターンを基本としていると、そのパターンの大部分
は、セラミック基板１１の中心からの距離ｒと回転角θ
とで表すことができ、制御データは、例えば、レーザ照
射開始位置として、中心Ａからの距離ｒ₁ と角度θ₁ と
で設定し、溝または切欠を形成するためにレーザを照射
する距離を、回転距離（θ₁ −θ₂ ）で設定することが
できる。すなわち、位置設定のためのシステムおよびプ
ログラムを単純化することが可能となり、容易に、迅速
にかつ正確に求められる抵抗発熱体の抵抗値を調整する
ことかできる。

【００５５】（６）次に、記憶されたトリミングデータ
に従い、実際に、トリミング処理を実施する。具体的に
は、トリミングデータに基づき、制御部１７から制御信
号を発生させ、ガルバノミラー１５のモータ１６、およ
び／または、テーブル１０ｃのモータを駆動させなが
ら、レーザ光２２を照射することにより、トリミング処
理を実施する。

【００５６】また、抵抗発熱体１２のパターンの曲線部
分においては、抵抗発熱体１２の幅に対して、内周側の
縁から７０％以内の距離となる領域内に、レーザ光を照
射し，溝または切欠を形成する。

【００５７】なお、抵抗発熱体に溝または切欠を形成す
る際、抵抗発熱体に断線が発生することを防止する点か
ら、抵抗発熱体に電流が流れる方向と概ね平行にレーザ
光を照射することが望ましい。また、形成する溝、また
は、切欠の主壁面が、抵抗発熱体に電流が流れる方向と
概ね平行になるように、溝または切欠を形成することが
望ましい。

【００５８】さらに、抵抗発熱体に一つの溝または切欠
を形成する際、レーザ光の照射は１回に限定されず、複
数回レーザ光を照射することができる。すなわち、上記
溝または切欠の幅を調整するため、初めに形成した溝ま
たは切欠に隣接する部分並行して、レーザ光を照射して
いき、溝または切欠の幅を拡張していくことができる。

【００５９】そのとき、１本のレーザ光により形成され
る溝または切欠の幅は、５０〜５００μｍが望ましく、
１００〜１５０μｍがより望ましい。５０μｍ未満で
は、レーザ照射回数が増えてしまい、５００μｍを超え
るようなレーザでは、セラミック基板にダメージを与え
るからである。また、一つの溝または切欠を形成する
際、レーザ光を照射する回数は１〜１０回が望ましく、
２〜３回がより望ましい。

【００６０】このようにして抵抗発熱体の抵抗値を調整
するために、抵抗発熱体に溝または切欠を形成する際、
レーザ光照射により抵抗発熱体のトリミングすべき部分
はトリミングするものの、その下に存在するセラミック
基板には、レーザ光照射により大きな影響を与えないこ
とが重要になる。

【００６１】従って、レーザ光は、導体層等を構成する
金属粒子等には良好に吸収され、一方、セラミック基板
に吸収されにくいものを選定する必要がある。このよう
なレーザの種類としては、例えば、ＹＡＧレーザ、炭酸
ガスレーザ、エキシマ（ＫｒＦ）レーザ、ＵＶ（紫外
線）レーザ等が挙げられる。これらのなかでは、ＹＡＧ
レーザ、エキシマ（ＫｒＦ）レーザが最適である。

【００６２】ＹＡＧレーザとしては、日本電気社製のＳ
Ｌ４３２Ｈ、ＳＬ４３６Ｇ、ＳＬ４３２ＧＴ、ＳＬ４１
１Ｂなどを採用することができる。レーザとしては、２
ｋＨｚ以下の周波数のパルス光を用いることが望まし
く、１ｋＨｚ以下の周波数のパルス光を用いることがよ
り望ましい。極めて短い時間に大きなエネルギーを抵抗
発熱体に照射することができ、セラミック基板に対する
ダメージを小さくすることができるからである。また、
ファーストパルスのエネルギーが大きくならず、設定通
りの幅の溝を形成することができる。レーザ光のパルス
の周波数が２ｋＨｚを超えると、ファーストパルスのエ
ネルギーが大きくなりすぎ、設定よりも幅の広い溝が形
成されるため、設定通りの形状の抵抗発熱体を形成する
ことができない。

【００６３】また、加工スピードは、１００ｍｍ／秒以
下が望ましい。１００ｍｍ／秒を超えると、周波数を高
くしないかぎり、溝を形成することができないからであ
る。前述のように、周波数は２ｋＨｚ以下を上限とする
ため、１００ｍｍ／秒以下が望ましい。

【００６４】なお、レーザの出力は０．３Ｗ以上が望ま
しい。０．３Ｗ未満であれば、抵抗発熱体のパターンを
形成するために除去すべき導体層を完全にトリミングで
きない可能性があるからである。特に抵抗発熱体が金属
粒子の焼結体の場合は、０．３Ｗ以上の出力でトリミン
グすることで、セラミック基板まで到達するトリミング
が実現でき、導体層を完全に除去することができる。

【００６５】トリミングは、導体ペースト層に施しても
よいが、上述したように、抵抗発熱体ペーストを印刷し
た後焼成して導体層を形成し、その後に実施することが
望ましい。焼成により抵抗値が変動したり、ペーストが
レーザ光の照射に起因して剥離することがあるからであ
る。本発明は、導体ペーストを円環状（いわゆるベタ
状）に形成し、トリミングによりパターン化する方法で
あるので、均一な厚さの発熱体パターンを得ることがで
きる。

【００６６】このようなレーザトリミングにより抵抗値
が調整される抵抗発熱体のパターンは、特に限定される
ものではないが、例えば、以下に示すような抵抗発熱体
パターンが形成されたセラミックヒータが挙げられる。

【００６７】図３は、本発明のセラミックヒータを模式
的に示す底面図であり、図４は、その部分拡大断面図で
ある。なお、図４に示した抵抗発熱体１２ａ〜１２ｇに
は、トリミングにより形成された溝または切欠は示して
いない。

【００６８】このセラミックヒータ１０は、円板状に形
成されたセラミック基板１１の加熱面１１ａの反対側で
ある底面１１ｂに、抵抗発熱体１２（１２ａ〜１２ｇ）
が形成されている。

【００６９】この抵抗発熱体１２は、加熱面１１ａの全
体の温度が均一になるように加熱するため、同心円の一
部を描くように繰り返して形成された円弧および同心円
を基本として構成されるパターンにより形成されてい
る。

【００７０】すなわち、最も外周に近い抵抗発熱体１２
ａ〜１２ｄは、同心円を４分割した円弧状のパターンが
繰り返して形成され、隣り合う円弧の端部は、屈曲線に
より接続され一連の回路を構成している。そして、この
ようなパターンの抵抗発熱体１２ａ〜１２ｄからなる４
つの回路が、外周を取り囲むように近接して形成され、
全体的に円環状のパターンを構成している。

【００７１】また、この抵抗発熱体１２ａ〜１２ｄから
なる回路の端部は、クーリングスポット等の発生を防止
するために、円環状パターンの内側に形成されており、
そのため、外側の回路の端部は内側の方に向かって延設
されている。

【００７２】外周に形成された抵抗発熱体１２ａ〜１２
ｄの内側には、そのごく一部が切断された同心円パター
ンの回路からなる抵抗発熱体１２ｅ、１２ｆ、１２ｇが
形成されており、この抵抗発熱体１２ｅ、１２ｆ、１２
ｇでは、隣り合う同心円の端部が、順次直線からなる抵
抗発熱体で接続されることにより一連の回路が構成され
ている。

【００７３】また、それぞれの抵抗発熱体１２ａ〜１２
ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇの間には、帯状（円環状）
の発熱体非形成領域が設けられており、中心部分にも、
円形の発熱体非形成領域が設けられている。

【００７４】従って、全体的に見ると、円環状の抵抗発
熱体形成領域と発熱体非形成領域とが、外側から内側に
交互に形成されており、これらの領域をセラミック基板
の大きさ（口径）や厚さ等を考慮して、適当に設定する
ことにより、加熱面の温度を均一にすることができるよ
うになっている。

【００７５】また、抵抗発熱体１２ａ〜１２ｇは、トリ
ミング処理された後、図４に示すように、腐食等を防止
するために、金属被覆層１２０が形成されており、その
端部には、半田層を介して外部端子３３が接続されてい
る。

【００７６】このセラミック基板１１には、発熱体非形
成領域となる位置に３個の貫通孔３５が設けられてお
り、シリコンウエハ３９等の被加熱物をセラミック基板
１１の加熱面１１ａに接触させた状態で載置して加熱す
るほか、図４に示すように、これらの貫通孔３５にリフ
ターピン３６を挿通し、リフターピン３６でシリコンウ
エハ３９等の被加熱物を保持することにより、セラミッ
ク基板１１より一定の距離離間させた状態で被加熱物を
加熱することができるようになっている。

【００７７】また、このリフターピン３６を上下させる
ことにより、搬送機からシリコンウエハ３９等の被加熱
物を受け取ったり、被加熱物をセラミック基板１１上に
載置したり、被加熱物を支持したまま加熱したりするこ
とができるようになっている。セラミック基板１１の加
熱面１１ａに凹部等を形成し、この凹部等に加熱面１１
ａからわずかに突出するように支持ピンを設置し、この
支持ピンでシリコンウエハ３９を支持することより、シ
リコンウエハ３９を加熱面から５〜５０００μｍ離間さ
せた状態で支持し、加熱等を行ってもよい。

【００７８】セラミック基板１１の底面１１ｂの発熱体
非形成領域には、有底孔３４が形成されており、この有
底孔３４には、熱電対等の測温素子３７が挿入され、セ
ラミック基板１１の加熱面１１ａに近い部分の温度を測
定することができるようになっている。

【００７９】上記抵抗発熱体パターンを有するセラミッ
クヒータでは、円板状のセラミック基板に、同心円の一
部を描くように繰り返して形成された円弧と屈曲線の組
み合わせで一連の回路が構成されたパターン（以下、円
弧繰り返しパターンともいう）と、一部が切断された同
心円が隣り合う端部で直線的に接続され、一連の回路が
構成されているパターン（以下、同心円状パターンとも
いう）で抵抗発熱体が構成されているため、このような
抵抗発熱体パターンの大部分は、セラミック基板の中心
からの距離ｒと回転角（θ₁ −θ₂ ）とで表すことがで
きる。

【００８０】従って、レーザトリミングを行う際にも、
セラミック基板を中心に回転させれば、比較的容易に抵
抗発熱体の抵抗値を調整することができ、このような方
法により抵抗値が調整された抵抗発熱体を有するセラミ
ックヒータでは、加熱面の温度が均一になり、半導体ウ
エハ等の被加熱物を均一な温度で加熱することができ
る。

【００８１】本発明のセラミックヒータは、図３に示し
たパターンを有する抵抗発熱体に限定されるものではな
く、例えば、上記した円弧繰り返しパターン、同心円状
パターンや屈曲線の繰り返しパターン等を単独を形成し
てもよく、これらのパターンを任意に組み合わせてもよ
い。

【００８２】図５は、本発明のセラミックヒータの別の
実施形態を模式的に示した底面図である。なお、図５で
は、トリミングにより抵抗発熱体に形成されている溝ま
たは切欠は示していない。

【００８３】このセラミックヒータでは、図５に示すよ
うに、屈曲線を主体とする、それぞれが幅広の円環状に
形成されている抵抗発熱体６２ａ〜６２ｄ、６２ｅ、６
２ｆが、円環状の発熱体非形成領域および中心部分にあ
る発熱体非形成領域を挟んで、全体的に放射状に形成さ
れている。また、その他の部分は、図６に示したセラミ
ックヒータ１０の場合と同様に構成されており、有底孔
６４や貫通孔６５等が同様に形成されている。

【００８４】なお、セラミック基板の表面に形成される
抵抗発熱体は、図３、５に示すように、少なくとも２以
上の回路に分割されていることが望ましい。回路を分割
することにより、各回路に投入する電力を制御して発熱
量を変えることができ、半導体ウエハの加熱面の温度を
調整することができるからである。

【００８５】このような抵抗発熱体パターンを形成する
際、図５に示したような抵抗発熱体の配線間が広いパタ
ーンの場合には、スクリーン印刷により抵抗発熱体を容
易に形成することができるが、図３に示したようなその
間隔が狭く複雑な（混みいった）パターンを形成する場
合には、幅広い帯状の線からなる円環状の導体層を形成
しておき、レーザ光を用いて抵抗発熱体でない部分（不
要部分）をトリミングする方法が、比較的容易に抵抗発
熱体を形成することができるため有利である。

【００８６】セラミック基板の表面に抵抗発熱体を形成
する場合に、抵抗発熱体の厚さは、１〜３０μｍが好ま
しく、１〜１０μｍがより好ましい。また、抵抗発熱体
の幅は、０．１〜２０ｍｍが好ましく、０．１〜５ｍｍ
がより好ましい。抵抗発熱体は、その幅や厚さにより抵
抗値に変化を持たせることができるが、上記した範囲が
最も実用的である。

【００８７】抵抗発熱体は、断面形状が矩形であっても
楕円であってもよいが、偏平であることが望ましい。偏
平の方が加熱面に向かって放熱しやすいため、加熱面の
温度分布ができにくいからである。断面のアスペクト比
（抵抗発熱体の幅／抵抗発熱体の厚さ）は、１０〜５０
００であることが望ましい。この範囲に調整することに
より、抵抗発熱体の抵抗値を大きくすることができると
ともに、加熱面の温度の均一性を確保することができる
からである。

【００８８】抵抗発熱体の厚さを一定とした場合、アス
ペクト比が上記範囲より小さいと、セラミック基板の加
熱面方向への熱の伝搬量が小さくなり、抵抗発熱体のパ
ターンに近似した熱分布が加熱面に発生してしまい、逆
にアスペクト比が大きすぎると抵抗発熱体の中央の直上
部分が高温となってしまい、結局、抵抗発熱体のパター
ンに近似した熱分布が加熱面に発生してしまう。従っ
て、温度分布を考慮すると、断面のアスペクト比は、１
０〜５０００であることが好ましいのである。

【００８９】抵抗発熱体の抵抗値のばらつきに関し、平
均抵抗値に対する抵抗値のばらつきは５％以下が望まし
く、１％がより望ましい。本発明の抵抗発熱体は複数回
路に分割しているが、このように抵抗値のばらつきを小
さくすることにより、抵抗発熱体の分割数を減らすこと
ができ温度を制御しやすくすることができる。さらに、
昇温の過渡時の加熱面の温度を均一にすることが可能と
なる。

【００９０】通常、このような抵抗発熱体は、導電性を
確保するための金属粒子や導電性セラミック粒子を含有
する導体ペーストをセラミック基板上に塗布し、焼成す
ることにより形成する。この導体ペーストとしては特に
限定されないが、上記金属粒子または導電性セラミック
が含有されているほか、樹脂、溶剤、増粘剤などを含む
ものが好ましい。

【００９１】上記金属粒子としては、例えば、貴金属
（金、銀、白金、パラジウム）、鉛、タングステン、モ
リブデン、ニッケルなどが好ましい。これらは、単独で
用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの金
属は、比較的酸化しにくく、発熱するに充分な抵抗値を
有するからである。上記導電性セラミックとしては、例
えば、タングステン、モリブデンの炭化物などが挙げら
れる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用
してもよい。

【００９２】これら金属粒子または導電性セラミック粒
子の粒径は、１〜１００μｍが好ましい。１μｍ未満と
微細すぎると、抵抗発熱体の表面の粗度Ｒａが０．０１
μｍ未満となりやすく、レーザ光を用いた照射によるト
リミングの際、レーザ光を反射しやすくなり、設定通り
の溝または切欠を形成することができず、一方、金属粒
子等の粒径が１００μｍを超えると、焼結しにくくな
り、抵抗値が大きくなるからである。

【００９３】上記金属粒子の形状は、球状であっても、
リン片状であってもよいが、球状がより好ましい。抵抗
発熱体の面粗度がより粗くなりやすいからである。ま
た、リン片状であっても、そのアスペクト比（幅または
長さ／厚さ）が余り大きくないものであれば、抵抗発熱
体の形成面に対して垂直または斜めになり易いため、表
面の粗度を大きくすることができる。

【００９４】これらの金属粒子を用いる場合、上記球状
物と上記リン片状物との混合物であってよい。上記金属
粒子がリン片状物、または、球状物とリン片状物との混
合物の場合は、金属粒子間に金属酸化物を保持しやすく
なり、抵抗発熱体と窒化物セラミック等との密着性を確
実にし、かつ、抵抗値を大きくすることができるため有
利である。さらに、針状粒子で、余りアスペクト比（直
径に対する長さ）が余り大きくないものであれば、やは
り抵抗発熱体の形成面に対して垂直または斜めになり易
いため、表面の粗度を大きくすることができる。

【００９５】導体ペーストに使用される樹脂としては、
例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などが挙げられ
る。また、溶剤としては、例えば、イソプロピルアルコ
ールなどが挙げられる。増粘剤としては、セルロースな
どが挙げられる。

【００９６】導体ペーストには、金属粒子に金属酸化物
を添加したものを使用し、これをセラミック基板上に塗
布した後、金属粒子等と金属酸化物を焼結させたものと
することが望ましい。このように、金属酸化物を金属粒
子とともに焼結させることにより、セラミック基板であ
る窒化物セラミック等と金属粒子とをより密着させるこ
とができるからである。

【００９７】金属酸化物を混合することにより、窒化物
セラミック等との密着性が改善される理由は明確ではな
いが、金属粒子表面や窒化物セラミック等の表面は、わ
ずかに酸化されて酸化膜が形成されており、この酸化膜
同士が金属酸化物を介して焼結して一体化し、金属粒子
と窒化物セラミック等とが密着するのではないかと考え
られる。また、セラミック基板を構成するセラミックが
酸化物セラミックの場合は、当然に表面が酸化物からな
るので、密着性に優れた導体層が形成される。

【００９８】上記金属酸化物としては、例えば、酸化
鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ ₂ Ｏ₃ ）、アル
ミナ、イットリアおよびチタニアからなる群から選ばれ
る少なくとも１種が好ましい。これらの酸化物は、抵抗
発熱体の抵抗値を大きくすることなく、金属粒子と窒化
物セラミック等との密着性を改善することができるから
である。

【００９９】上記酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ
素（Ｂ₂ Ｏ₃ ）、アルミナ、イットリア、チタニアの割
合は、金属酸化物の全量を１００重量部とした場合、重
量比で、酸化鉛が１〜１０、シリカが１〜３０、酸化ホ
ウ素が５〜５０、酸化亜鉛が２０〜７０、アルミナが１
〜１０、イットリアが１〜５０、チタニアが１〜５０で
あって、その合計が１００重量部を超えない範囲で調整
されていることが望ましい。これらの範囲で、これらの
酸化物の量を調整することにより、特に窒化物セラミッ
ク等との密着性を改善することができる。

【０１００】上記金属酸化物の金属粒子に対する添加量
は、０．１重量％以上１０重量％未満が好ましい。ま
た、このような構成の導体ペーストを使用して抵抗発熱
体１２を形成した際の面積抵抗率は、１〜４５ｍΩ／□
が好ましい。

【０１０１】面積抵抗率が４５ｍΩ／□を超えると、印
加電圧量に対して発熱量は大きくなりすぎて、セラミッ
ク基板の表面に抵抗発熱体１２を設けたセラミック基板
１１では、その発熱量を制御しにくいからである。な
お、金属酸化物の添加量が１０重量％以上であると、面
積抵抗率が５０ｍΩ／□を超えてしまい、発熱量が大き
くなりすぎて温度制御が難しくなり、温度分布の均一性
が低下する。また、必要に応じて面積抵抗率を５０ｍΩ
／□〜１０Ω／□にすることができる。面積抵抗率を大
きくすると、パターンを幅を広くすることができるた
め、断線の問題がない。

【０１０２】抵抗発熱体がセラミック基板の表面に形成
される場合には、抵抗発熱体の表面部分に、金属被覆層
が形成されていることが望ましい。内部の金属焼結体が
酸化されて抵抗値が変化するのを防止するためである。
形成する金属被覆層の厚さは、０．１〜１０μｍが好ま
しい。このような金属被覆層は、上記トリミング処理を
行った後に形成する。

【０１０３】金属被覆層を形成する際に使用される金属
は、非酸化性の金属であれば特に限定されないが、具体
的には、例えば、金、銀、パラジウム、白金、ニッケル
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上を併用してもよい。これらのなかでは、ニッケルが
好ましい。

【０１０４】抵抗発熱体には、電源と接続するための端
子が必要であり、この端子は、半田を介して抵抗発熱体
に取り付けるが、ニッケルは、半田の熱拡散を防止する
からである。接続端子としては、例えば、コバール製の
ものが挙げられる。

【０１０５】本発明のセラミックヒータにおけるセラミ
ック基板は、円板であることが望ましく、その直径は２
００ｍｍを超えるものが望ましい。このような直径が大
きい基板は、大口径の半導体ウエハを載置することがで
きるからである。セラミック基板の直径は、特に１２イ
ンチ（３００ｍｍ）以上であることが望ましい。次世代
の半導体ウエハの主流となるからである。

【０１０６】また、本発明のセラミックヒータのセラミ
ック基板の厚さは、２５ｍｍ以下であることが望まし
い。上記セラミック基板の厚さが２５ｍｍを超えると温
度追従性が低下するからである。また、その厚さは、
１．５ｍｍを超え５ｍｍ以下であることがより望まし
い。５ｍｍより厚くなると、熱が伝搬しにくくなり、加
熱の効率が低下する傾向が生じ、一方、１．５ｍｍ以下
であると、セラミック基板中を伝搬する熱が充分に拡散
しないため加熱面に温度ばらつきが発生することがあ
り、また、セラミック基板の強度が低下して破損する場
合があるからである。

【０１０７】本発明のセラミックヒータでは、基板の材
料としてセラミックを使用しているが、セラミックとし
ては特に限定されず、例えば、窒化物セラミック、炭化
物セラミックおよび酸化物セラミック等を挙げることが
できる。セラミック基板の材料として、これらのなかで
は、窒化物セラミックや炭化物セラミックが好ましい。
熱伝導特性に優れるからである。

【０１０８】上記窒化物セラミックとしては、例えば、
窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタ
ン等が挙げられる。また、上記炭化物セラミックとして
は、炭化珪素、炭化チタン、炭化硼素等が挙げられる。
さらに、上記酸化物セラミックとしては、アルミナ、コ
ージェライト、ムライト、シリカ、ベリリア等が挙げら
れる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用
してもよい。これらのなかでは、窒化アルミニウムが最
も好ましい。熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・Ｋと最も高いか
らである。

【０１０９】ただし、セラミック基板は、レーザ光が吸
収されにくい材質のものが好ましく、例えば、窒化アル
ミニウム基板の場合には、炭素含有量が５０００ｐｐｍ
以下の炭素含有量が少ないものが好ましい。また、表面
を研磨して表面の面粗度をＪＩＳＢ０６０１Ｒａ
で２０μｍ以下にすることが望ましい。面粗度が大きい
場合は、レーザ光を吸収してしまうからである。また必
要に応じて、抵抗発熱体とセラミック基板の間に耐熱性
セラミック層を設けてもよい。例えば、非酸化物系セラ
ミックの場合は、表面に酸化物セラミックを形成してお
いてもよい。

【０１１０】上記方法を用い、抵抗発熱体をセラミック
基板の表面に形成する方法としては、セラミック基板の
所定領域に導体ペーストを面状（円環状）に塗布した
後、レーザトリミングにて発熱体パターンを形成する方
法、または、導体ペーストを焼き付けた後、レーザトリ
ミングを行い、所定パターンの抵抗発熱体を形成する方
法が挙げられる。これらの方法のうち、導体ペーストを
焼き付けた後、抵抗発熱体パターンを形成する方法が、
レーザ光の照射による導体ペースト層の剥離等が発生し
ないため好ましい。

【０１１１】なお、金属の焼結は、金属粒子同士および
金属粒子とセラミックとが融着していれば充分である。
また、めっき法やスパッタリング等の方法を用いて所定
領域に導体層を形成し、レーザトリミングによる抵抗発
熱体パターンの形成を行ってもよい。

【０１１２】次に、上述したレーザトリミング工程以外
の本発明のセラミックヒータの製造方法について、図６
に基づいて説明する。図６（ａ）〜（ｄ）は、レーザ処
理を含む本発明のセラミックヒータの製造方法の一部を
模式的に示す断面図である。

【０１１３】（１）セラミック基板の作製工程窒化アルミニウム等のセラミックの粉末に、必要に応じ
て、イットリア（Ｙ₂ Ｏ ₃ ）等の焼結助剤、Ｎａ、Ｃａ
を含む化合物、バインダ等を配合してスラリーを調製し
た後、このスラリーをスプレードライ等の方法で顆粒状
にし、この顆粒を金型などに入れて加圧することにより
板状などに成形し、生成形体（グリーン）を作製する。
なお、ドクターブレード法等により形成したグリーンシ
ートを積層することにより生成形体を作製してもよい。

【０１１４】次に、生成形体に、必要に応じて、シリコ
ンウエハ３９等の被加熱物を運搬等するためのリフター
ピン３６を挿入する貫通孔３５となる部分や熱電対など
の測温素子３７を埋め込むための有底孔３４となる部分
等を形成する。

【０１１５】次に、この生成形体を加熱、焼成して焼結
させ、セラミック製の板状体を製造する。この後、所定
の形状に加工することにより、セラミック基板１１を作
製する（図６（ａ）参照）が、焼成後にそのまま使用す
ることができる形状としてもよい。また、例えば、上下
より加圧しながら加熱、焼成を行うことにより、気孔の
ないセラミック基板１１を製造することが可能となる。
加熱、焼成は、焼結温度以上であればよいが、例えば、
窒化物セラミックでは、１０００〜２５００℃である。

【０１１６】なお、通常は、焼成を行った後に、貫通孔
３５や測温素子３７を挿入するための有底孔３４を設け
る。貫通孔３５等は、表面研磨後に、ＳｉＣ粒子等を用
いたサンドブラスト等のブラスト処理を行うことにより
形成することができる。

【０１１７】（２）セラミック基板に導体ペーストを印
刷する工程導体ペーストは、一般に、金属粒子、樹脂、溶剤からな
る粘度の高い流動物である。この導体ペーストの粘度
は、比較的均一な厚さの導体層を形成することができる
点から、７０〜９０Ｐａ・ｓが好ましい。

【０１１８】この導体ペーストをスクリーン印刷などを
用い、抵抗発熱体の回路が複数となるように、抵抗発熱
体パターンとなる導体ペースト層を形成する。加熱焼成
の温度は、５００〜１０００℃が好ましい。また、導体
ペースト中に上述した酸化物を添加しておくと、金属粒
子、セラミック基板および酸化物が焼結して一体化する
ため抵抗発熱体１２とセラミック基板１１との密着性が
向上する。

【０１１９】抵抗発熱体のパターンは、セラミック基板
全体を均一な温度にする必要があることから、図３に示
すような同心円の一部を描くように繰り返して形成され
た円弧、または、同心円を基本とするパターンが望まし
い。なお、上記した方法のほか、めっきにより導体層を
形成することもできる。

【０１２０】（３）導体ペーストの焼成セラミック基板１１の底面に印刷した導体ペースト層を
加熱焼成して、樹脂、溶剤を除去するとともに、金属粒
子を焼結させ、セラミック基板１１の底面に焼き付け、
抵抗発熱体１２を形成（図６（ｂ）参照）する。加熱焼
成の温度は、５００〜１０００℃が好ましい。

【０１２１】（４）抵抗発熱体の抵抗値の調整この後、上述したトリミング方法を用いて、切欠１３１
を形成する（図６（ｃ）参照）。このとき、上記抵抗発
熱体のパターンにおける曲線部分では、上記抵抗発熱体
の幅に対して、内周側の縁から７０％以内の距離となる
領域内に、切欠を形成する。なお、抵抗発熱体には、切
欠ではなく、溝を形成してもよい。

【０１２２】（５）金属被覆層の形成抵抗発熱体１２表面には、図４に示したように、金属被
覆層１２０を設けることが望ましい。金属被覆層１２０
は、電解めっき、無電解めっき、スパッタリング等によ
り形成することができるが、量産性を考慮すると、無電
解めっきが最適である。

【０１２３】（６）端子等の取り付け抵抗発熱体１２のパターンの端部に電源との接続のため
の端子（外部端子３３）を半田を介して取り付ける（図
６（ｄ）参照）。また、有底孔３４に熱電対等の測温素
子３７を挿入し、ポリイミド等の耐熱樹脂等を用いて封
止し、セラミックヒータの製造を終了する。

【０１２４】なお、本発明のセラミックヒータでは、セ
ラミック基板の内部に静電電極を設けることにより静電
チャックとして使用することができ、また、表面にチャ
ップトップ導体層を設け、内部にガード電極やグランド
電極を設けることによりウエハプローバとして使用する
ことができる。

【０１２５】

【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明する。（実施例１）セラミックヒータの製造（図３、４、６参
照） (1) 窒化アルミニウム粉末（平均粒径：０．６μｍ）１
００重量部、イットリア（平均粒径：０．４μｍ）４重
量部、アクリルバインダ１２重量部およびアルコールか
らなる組成物のスプレードライを行い、顆粒状の粉末を
作製した。

【０１２６】(2) 次に、この顆粒状の粉末を金型に入
れ、平板状に成形して生成形体（グリーン）を得た。

【０１２７】(3) 次に、この生成形体を１８００℃、圧
力：２０ＭＰａでホットプレスし、厚さがほぼ３ｍｍの
窒化アルミニウム板状体を得た。次に、この板状体から
直径２１０ｍｍの円板体を切り出し、セラミック製の板
状体（セラミック基板１１）とした。このセラミック基
板にドリル加工を施し、シリコンウエハのリフターピン
３６を挿入する貫通孔３５、熱電対を埋め込むための有
底孔３４（直径：１．１ｍｍ、深さ：２ｍｍ）を形成し
た。

【０１２８】(4) 上記(3) で得たセラミック基板１１
に、スクリーン印刷にて導体ペースト層を形成した。印
刷パターンは、図３に示したようなパターンであった。
上記導体ペーストとしては、Ａｇ：４８重量％、Ｐｔ：
２１重量％、ＳｉＯ₂ ：１．０重量％、Ｂ₂ Ｏ₃ ：１．
２重量％、ＺｎＯ：４．１重量％、ＰｂＯ：３．４重量
％、酢酸エチル：３．４重量％、ブチルカルビトール：
１７．９重量％からなる組成のものを使用した。この導
体ペーストは、Ａｇ−Ｐｔペーストであり、銀粒子（昭
栄化学社製Ａｇ−５４０）は、平均粒径が４．５μｍ
のリン片状のものであった。また、Ｐｔ粒子（昭栄化学
社製Ｐｄ−２２１）は、平均粒径６．８μｍの球状で
あった。また、このときの導体ペーストの粘度は８０Ｐ
ａ・ｓであった。

【０１２９】(5) さらに、発熱体パターンの導体ペース
ト層を形成した後、セラミック基板１１を８５０℃で１
０〜２０分間、加熱焼成して、導体ペースト中のＡｇ、
Ｐｔを焼結させるとともにセラミック基板１１に焼き付
けた。

【０１３０】抵抗発熱体のパターンは、図３に示したよ
うに、１２ａ〜１２ｇの７チャンネルである。各チャン
ネル（抵抗発熱体１２ａ〜１２ｇ）のトリミング前のチ
ャンネル内の抵抗値のばらつきは、７．４〜１２．４％
であった。なお、チャンネルとは、制御を行う際に、同
一電圧を印加して一の制御を行う回路をいうが、本実施
例では、連続体として形成された各抵抗発熱体（１２ａ
〜１２ｇ）を示す。

【０１３１】また、各チャンネル（抵抗発熱体１２ａ〜
１２ｇ）内の抵抗ばらつきは、以下のようにして求め
た。すなわち、まず、チャンネル内を２０分割し、分割
した範囲内の両端で抵抗を測定し、その平均を平均分割
抵抗値とし、さらに、チャンネル内の最高抵抗値と最低
抵抗値との差と平均分割抵抗値とから、ばらつきを計算
した。また、各チャンネル（抵抗発熱体１２ａ〜１２
ｇ）内の抵抗値は、分割して測定した全抵抗値の総和で
ある。

【０１３２】(6) 次に、トリミング用の装置として、波
長が１０６０ｎｍのＹＡＧレーザ（日本電気製Ｓ１４
３ＡＬ出力３Ｗ、パルス周波数設定範囲０．１〜４
０ｋＨｚ）を用い、パルス周波数を１．０ｋＨｚに設定
した。この装置は、Ｘ−Ｙステージ、ガルバノミラー、
ＣＣＤカメラ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを備え、また、ステ
ージとガルバノミラーを制御するコントローラを内蔵
し、コントローラは、コンピュータ（日本電気製ＦＣ
−９８２１）に接続されている。コンピュータは、演算
部と記憶部を兼ねるＣＰＵを有している。また、記憶部
と入力部を兼ねるハードディスクと３．５インチＦＤド
ライブを有している。

【０１３３】このコンピュータにＦＤドライブから発熱
体パターンデータを入力し、また、抵抗発熱体の位置を
読み取って（読み取りは、導体層の特定箇所またはセラ
ミック基板に形成されたマーカを基準にする）、必要な
制御データを演算し、発熱体パターンを電流が流れる方
向に沿って概ね平行に照射し、セラミック基板に到達す
る溝を形成することにより、抵抗値を調整した。

【０１３４】このとき、抵抗発熱体のパターンの曲線部
分において、溝を形成した位置は、上記抵抗発熱体の幅
に対して、内周側の縁から５０％の距離となる位置であ
った。これは、抵抗発熱体の幅に対して、内周側の縁か
ら７０％の距離となる領域内に、上記溝が形成されるよ
うに設定した値である。上記溝を形成する際、最初に形
成した溝（幅：５０μｍ）に近接するように、レーザ光
を照射し、溝の幅を拡張することによって、抵抗発熱体
の抵抗値を調節した。抵抗発熱体パターンの曲線部分に
おいて、溝の幅を拡張するためにレーザを照射した回数
は２回であった。

【０１３５】また、抵抗発熱体は、厚さが５μｍ、幅
２．４ｍｍであった。レーザは、１ｋＨｚの周波数で、
０．４Ｗの出力、バイトサイズは１０μｍ、加工スピー
ドは１０ｍｍ／秒であった。

【０１３６】このようにトリミングを行い、抵抗発熱体
の抵抗値を調整した後のチャンネル（抵抗発熱体１２ａ
〜１２ｇ）の抵抗値のばらつきは、±１．０％と大きく
減少した。

【０１３７】(8) 次に、電源との接続を確保するための
外部端子３３を取り付ける部分にＮｉめっきした後、ス
クリーン印刷により、銀−鉛半田ペースト（田中貴金属
社製）を印刷して半田層を形成した。次いで、半田層の
上にコバール製の外部端子３３を載置して、４２０℃で
加熱リフローし、外部端子３３を抵抗発熱体１２の表面
に取り付けた。 (9) 温度制御のための熱電対をポリイミドで封止し、セ
ラミックヒータ１０を得た。

【０１３８】（実施例２）セラミックヒータの製造（図
３、４、６参照）抵抗発熱体に切欠を形成することによって、抵抗発熱体
の抵抗値を調整した以外は、実施例１と同様にしてセラ
ミックヒータを製造した。このとき、抵抗発熱体のパタ
ーンの曲線部分において、上記切欠の幅は、上記抵抗発
熱体の幅に対して、内周側の縁から１０％以内の距離と
なるようにした。これは、抵抗発熱体の幅に対して、内
周側の縁から７０％の距離となる領域内に、上記切欠が
形成されるように設定した値である。なお、抵抗発熱体
の抵抗値を調整した後のチャンネル（抵抗発熱体１２ａ
〜１２ｇ）の抵抗値のばらつきが、実施例１と同じ（±
１．０％）になるまで、抵抗発熱体の抵抗値の調整を行
った。上記切欠を形成する際、最初に形成した切欠
（幅：５０μｍ、深さ：５μｍ）に近接するように、レ
ーザ光を照射し、切欠の幅を拡張することによって、抵
抗発熱体の抵抗値を調節した。抵抗発熱体パターンの曲
線部分において、切欠の幅を拡張するためにレーザを照
射した回数は２回であった。

【０１３９】（実施例３）セラミックヒータの製造（図
５参照）抵抗発熱体を、図５に示したように、屈曲線の繰り返し
パターンとし、抵抗発熱体に形成する溝の位置を、上記
抵抗発熱体の幅に対して、内周側の縁から３０％の距離
となる位置とした以外は、実施例１と同様にして、セラ
ミックヒータを製造した。これは、抵抗発熱体の幅に対
して、内周側の縁から７０％の距離となる領域内に、上
記溝が形成されるように設定した値である。なお、抵抗
発熱体の抵抗値を調整した後のチャンネル（抵抗発熱体
６２ａ〜６２ｆ）の抵抗値のばらつきが、実施例１と同
じ（±１．０％）になるまで、抵抗発熱体の抵抗値の調
整を行った。上記溝を形成する際、最初に形成した溝
（幅：５０μｍ）に近接するように、レーザ光を照射
し、溝の幅を拡張することによって、抵抗発熱体の抵抗
値を調節した。抵抗発熱体パターンの曲線部分におい
て、溝の幅を拡張するためにレーザを照射した回数は２
回であった。

【０１４０】（実施例４）セラミックヒータの製造（図
５参照）抵抗発熱体に切欠を形成することによって、抵抗発熱体
の抵抗値を調整した以外は、実施例３と同様にしてセラ
ミックヒータを製造した。このとき、抵抗発熱体のパタ
ーンの曲線部分において、上記切欠の幅は、上記抵抗発
熱体の幅に対して、内周側の縁から２０％以内の距離と
なるようにした。これは、抵抗発熱体の幅に対して、内
周側の縁から７０％の距離となる領域内に、上記切欠が
形成されるように設定した値である。なお、抵抗発熱体
の抵抗値を調整した後のチャンネル（抵抗発熱体６２ａ
〜６２ｆ）の抵抗値のばらつきが、実施例１と同じ（±
１．０％）になるまで、抵抗発熱体の抵抗値の調整を行
った。上記切欠を形成する際、最初に形成した切欠
（幅：５０μｍ、深さ：５μｍ）に近接するように、レ
ーザ光を照射し、切欠の幅を拡張することによって、抵
抗発熱体の抵抗値を調節した。抵抗発熱体パターンの曲
線部分において、切欠の幅を拡張するためにレーザを照
射した回数は２回であった。

【０１４１】（実施例５）セラミックヒータの製造（図
３参照）抵抗発熱体に形成する溝の位置を、上記抵抗発熱体の幅
に対して、内周側の縁から６０％の距離となる位置とし
た以外は、実施例１と同様にして、セラミックヒータを
製造した。これは、抵抗発熱体の幅に対して、内周側の
縁から７０％の距離となる領域内に、上記溝が形成され
るように設定した値である。なお、抵抗発熱体の抵抗値
を調整した後のチャンネル（抵抗発熱体１２ａ〜１２
ｇ）の抵抗値のばらつきが、実施例１と同じ（±１．０
％）になるまで、抵抗発熱体の抵抗値の調整を行った。
上記溝を形成する際、最初に形成した溝（幅：５０μ
ｍ）に近接するように、レーザ光を照射し、溝の幅を拡
張することによって、抵抗発熱体の抵抗値を調節した。
抵抗発熱体パターンの曲線部分において、溝の幅を拡張
するためにレーザを照射した回数は２回であった。

【０１４２】（実施例６）セラミックヒータの製造（図
３参照）抵抗発熱体に切欠を形成することによって、抵抗発熱体
の抵抗値を調整した以外は、実施例１と同様にしてセラ
ミックヒータを製造した。このとき、抵抗発熱体のパタ
ーンの曲線部分において、上記切欠の幅は、上記抵抗発
熱体の幅に対して、内周側の縁から２０％以内の距離と
なるようにした。これは、抵抗発熱体の幅に対して、内
周側の縁から７０％の距離となる領域内に、上記切欠が
形成されるように設定した値である。なお、抵抗発熱体
の抵抗値を調整した後のチャンネル（抵抗発熱体１２ａ
〜１２ｇ）の抵抗値のばらつきが、実施例１と同じ（±
１．０％）になるまで、抵抗発熱体の抵抗値の調整を行
った。上記切欠を形成する際、最初に形成した切欠
（幅：１００μｍ、深さ：５μｍ）に近接するように、
レーザ光を照射し、切欠の幅を拡張することによって、
抵抗発熱体の抵抗値を調節した。抵抗発熱体パターンの
曲線部分において、切欠の幅を拡張するためにレーザを
照射した回数は２回であった。

【０１４３】（比較例１）セラミックヒータの製造（図
３参照）抵抗発熱体に形成する溝の位置を、上記抵抗発熱体の幅
に対して、内周側の縁から７５％の距離となる位置とし
た以外は、実施例１と同様にして、セラミックヒータを
製造した。これは、抵抗発熱体の幅に対して、内周側の
縁から７０％の距離となる領域内に、上記溝が形成され
ないように設定した値である。なお、抵抗発熱体の抵抗
値を調整した後のチャンネル（抵抗発熱体１２ａ〜１２
ｇ）の抵抗値のばらつきが、実施例１と同じ（±１．０
％）になるまで、抵抗発熱体の抵抗値の調整を行った。
上記溝を形成する際、最初に形成した溝（幅：１００μ
ｍ）に近接するように、レーザ光を照射し、溝の幅を拡
張することによって、抵抗発熱体の抵抗値を調節した。
抵抗発熱体パターンの曲線部分において、溝の幅を拡張
するためにレーザを照射した回数は５回であった。

【０１４４】（比較例２）セラミックヒータの製造（図
３参照）抵抗発熱体に切欠を形成することによって、抵抗発熱体
の抵抗値を調整した以外は、実施例１と同様にしてセラ
ミックヒータを製造した。このとき、抵抗発熱体のパタ
ーンの曲線部分において、上記切欠は、上記抵抗発熱体
の外周側の縁を含むように形成した。これは、抵抗発熱
体の幅に対して、内周側の縁から７０％の距離となる領
域内に、上記切欠が形成されないように設定した位置で
ある。なお、抵抗発熱体の抵抗値を調整した後のチャン
ネル（抵抗発熱体１２ａ〜１２ｇ）の抵抗値のばらつき
が、実施例１と同じ（±１．０％）になるまで、抵抗発
熱体の抵抗値の調整を行った。上記切欠を形成する際、
最初に形成した切欠（幅：１００μｍ、深さ：５μｍ）
に近接するように、レーザ光を照射し、切欠の幅を拡張
することによって、抵抗発熱体の抵抗値を調節した。抵
抗発熱体パターンの曲線部分において、切欠の幅を拡張
するためにレーザを照射した回数は６回であった。

【０１４５】上記工程を経て得られた実施例１〜６、比
較例１および２に係るセラミックヒータに調温器（オム
ロン社製Ｅ５ＺＥ）を取り付け、以下の指標で評価し
た。その結果を表１に示す。

【０１４６】評価方法（１）溝および切欠の形状の測定実施例および比較例に係るセラミックヒータについて、
抵抗発熱体に形成した溝または切欠の幅と深さとを、キ
ーエンス社製レーザ変位計を用いて測定した。その結
果から平均値を計算し表１に示した。

【０１４７】（２）レーザ照射回数実施例および比較例に係るセラミックヒータについて、
一つの溝または切欠にレーザを照射した回数の平均値を
計算し、その結果を表１に示した。

【０１４８】（３）抵抗値の測定実施例および比較例に係るセラミックヒータについて、
テスターピン２４を用いて、抵抗発熱体の抵抗値を測定
し、平均の抵抗値に対する抵抗値のばらつきを計算し
た。その結果を表１に示す。なお、抵抗値のばらつきと
は、平均の抵抗値と各部分の抵抗値との差をとり、平均
の抵抗値で割った際の最も大きな割合（％）をいうもの
とする。

【０１４９】（４）加熱面の温度測定上記実施例および比較例に係るセラミックヒータについ
て、設定温度を３００℃にして、１０分間の通電と、１
０分間の電力供給の遮断とを１０００回繰り返し、その
後、２００℃に昇温して、セラミックヒータの加熱面の
温度をサーモビュア（日本データム社製ＩＲ−１６２
０１２−００１２）により測定し、最低温度と最高温度
との温度差を求めた。その結果を表１に示す。表１の温
度差とは、最低温度と最高温度との温度差である。

【０１５０】

【表１】

【０１５１】表１より明らかなように、抵抗発熱体に溝
を形成して抵抗値を調整した場合（実施例１、３、５お
よび比較例１）、比較例１に係るセラミックヒータの抵
抗値のばらつきを、実施例１、３、５に係るセラミック
ヒータの抵抗値のばらつきと同じにするためには、レー
ザーの照射回数を増やし、溝の幅を広くする必要があっ
た。また、抵抗発熱体に切欠を形成して溝を形成して抵
抗値を調整した場合（実施例２、４、６および比較例
２）、比較例２に係るセラミックヒータの抵抗値のばら
つきを、実施例２、４、６に係るセラミックヒータの抵
抗値のばらつきと同じにするためには、レーザーの照射
回数を増やし、切欠の幅を広くする必要があった。

【０１５２】これは、実施例に係るセラミックヒータで
は、電流密度の高くなる抵抗発熱体の内周側に溝または
切欠が形成されているため、効率よく抵抗発熱体をトリ
ミングすることができ、その結果、抵抗発熱体に形成す
る溝または切欠の幅が広くならず、レーザー光を照射す
る回数を減らすことができたのに対し、比較例に係るセ
ラミックヒータでは、電流密度の低い抵抗発熱体の外周
側に溝または切欠が形成されているため、トリミングに
よる抵抗発熱体の抵抗値の変化が小さく、その結果、抵
抗発熱体に形成する溝または切欠の幅が広くなり、レー
ザー光を照射する回数が多くなったと考えられる。

【０１５３】また、実施例および比較例に係るセラミッ
クヒータは、いずれも加熱面の面内温度が均一であった
が、各セラミックヒータの抵抗発熱体の状態を詳細に調
べた結果、比較例１に係るセラミックヒータでは、１０
％程度の抵抗発熱体に加熱溶融による断線が発生してお
り、比較例２に係るセラミックヒータでは、１５％程度
の抵抗発熱体に加熱溶融による断線が発生していた。ま
た、その断線は、抵抗発熱体パターンの曲線部分で溝ま
たは切欠が形成された箇所において、特に多く発生して
いた。なお、実施例に係るセラミックヒータにおいて
は、断線は発生していなかった。

【０１５４】実施例に係るセラミックヒータには、断線
が発生せず、比較例に係るセラミックヒータには、断線
が発生したのは、実施例に係るセラミックヒータでは、
電流密度の高くなる抵抗発熱体の内周側に溝または切欠
が形成され、効率よく抵抗発熱体をトリミングすること
ができ、抵抗発熱体に形成される溝または切欠の幅が広
くなることがなく、電流密度が過度に高くなることがな
く、その結果、セラミックヒータの発熱時や、昇温と降
温とを繰り返すことによる断線を防ぐことができたのに
対し、比較例に係るセラミックヒータでは、電流密度の
低くなる抵抗発熱体の外周側に溝または切欠が形成され
ているため、トリミングによる抵抗発熱体の抵抗値の変
化が小さく、効率よく抵抗発熱体をトリミングすること
ができず、抵抗発熱体に形成される溝または切欠の幅が
広くなってしまい、抵抗発熱体の内周側で電流密度が過
度に高くなり、その結果、セラミックヒータの発熱時
や、昇温と降温とを繰り返すことによる断線が発生した
と考えられる。

【０１５５】

【発明の効果】本発明のセラミックヒータであれば、抵
抗発熱体に溝または切欠が形成されることにより、抵抗
発熱体の抵抗値が調整されているため、発熱量のばらつ
きが小さく、加熱面の温度が均一となる。また、抵抗発
熱体パターンの曲線部分では、電流密度の高くなる抵抗
発熱体の内周側に溝または切欠が形成されるため、効率
よく抵抗発熱体をトリミングすることができ、電流密度
が過度に高くなることがなく、その結果、抵抗発熱体に
形成する溝または切欠の幅が広くならず、抵抗発熱体の
トリミング時におけるレーザ光を照射する時間が短縮さ
れ、生産性の低下を抑えることができる。さらに、抵抗
発熱体に形成された溝または切欠の幅が広くなることが
ないため、抵抗発熱体における溝または切欠が形成され
た箇所での電流通路の幅を広くとることができ、その結
果、抵抗発熱体のトリミング時における断線を防ぐこと
ができ、また、抵抗発熱体に過度に電流密度が高くなる
部分がないため、セラミックヒータの発熱時や、昇温と
降温とを繰り返すことによる断線を防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のセラミックヒータにおいて、溝および
切欠が形成されている抵抗発熱体の一部を模式的に示し
た平面図である。

【図２】セラミック基板に形成された抵抗発熱体の抵抗
値を調整するために用いるレーザトリミング装置の概要
を示すブロック図である。

【図３】本発明のセラミックヒータを模式的に示す底面
図である。

【図４】図３に示したセラミックヒータの部分拡大断面
図である。

【図５】本発明のセラミックヒータの別の実施形態を模
式的に示した底面図である。

【図６】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のセラミックヒータ
の製造工程の一部を模式的に示す断面図である。

【符号の説明】

１０、６０セラミックヒータ１１、６１セラミック基板１１ａ加熱面１１ｂ底面１２（１２ａ〜１２ｇ）、６２（６２ａ〜６２ｆ）抵
抗発熱体１２０金属被覆層１２１〜１２４区画１２１ａ〜１２４ａ領域１３１、１３２切欠１３３、１３４溝１０ｂ固定用突起１０ｃステージ１２ｍ導体層１５ガルバノミラー１６モータ１７制御部１８記憶部１９演算部２０入力部２１カメラ２２レーザ光２３抵抗測定部２４テスターピン２５レーザ照射装置３３外部端子３４、６４有底孔３５、６５貫通孔３６リフターピン３９シリコンウエハ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミック基板の表面に曲線を含む所定
パターンの抵抗発熱体が形成され、前記抵抗発熱体に溝
または切欠が形成されることによって、前記抵抗発熱体
の抵抗値が調整されたセラミックヒータであって、前記
溝または切欠が、前記抵抗発熱体のパターンにおける曲
線部分では、前記抵抗発熱体の幅に対して、内周側の縁
から７０％以内の距離となる領域内に形成されているこ
とを特徴とするセラミックヒータ。