JP2002245630A - 情報記録媒体、情報記録方法及び情報記録装置 - Google Patents
情報記録媒体、情報記録方法及び情報記録装置Info
- Publication number
- JP2002245630A JP2002245630A JP2001040290A JP2001040290A JP2002245630A JP 2002245630 A JP2002245630 A JP 2002245630A JP 2001040290 A JP2001040290 A JP 2001040290A JP 2001040290 A JP2001040290 A JP 2001040290A JP 2002245630 A JP2002245630 A JP 2002245630A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- information
- film
- groove
- information recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プリグルーブ境界部で歪みを小さくしたマー
クを形成することにより、記録信号のジッターを低減す
ることができる情報記録媒体を提供する。 【解決手段】 基板と相変化材料を用いた記録膜とを少
なくとも備え、該基板上に、同心円状もしくは螺旋状の
プリグルーブが少なくとも一周にわたって連続して形成
され、かつ情報の記録をレーザー光の照射によって該プ
リグルーブ上またはプリグルーブ間に行う情報記録媒体
において、記録マークの幅がプリグルーブ幅またはプリ
グルーブ間幅よりも広く、記録マーク形状のプリグルー
ブとプリグルーブ間の境界部の一方の側と、境界部のも
う一方の側の両方に接するように接線を引き、これら２
つの接点の間において、該接線から引いた垂線が記録マ
ーク形状と交わる距離の最大値をｂとしたとき、ｂとレ
ーザー波長λ、集光レンズの開口数ＮＡとの関係がｂ≦
０．０５λ／ＮＡを満足することを特徴とする。
クを形成することにより、記録信号のジッターを低減す
ることができる情報記録媒体を提供する。 【解決手段】 基板と相変化材料を用いた記録膜とを少
なくとも備え、該基板上に、同心円状もしくは螺旋状の
プリグルーブが少なくとも一周にわたって連続して形成
され、かつ情報の記録をレーザー光の照射によって該プ
リグルーブ上またはプリグルーブ間に行う情報記録媒体
において、記録マークの幅がプリグルーブ幅またはプリ
グルーブ間幅よりも広く、記録マーク形状のプリグルー
ブとプリグルーブ間の境界部の一方の側と、境界部のも
う一方の側の両方に接するように接線を引き、これら２
つの接点の間において、該接線から引いた垂線が記録マ
ーク形状と交わる距離の最大値をｂとしたとき、ｂとレ
ーザー波長λ、集光レンズの開口数ＮＡとの関係がｂ≦
０．０５λ／ＮＡを満足することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリグルーブが形
成された基板を用いてプリグルーブ上あるいはプリグル
ーブとプリグルーブの間に記録を行う情報記録媒体、情
報記録方法及び情報記録装置に係り、さらに詳細には、
プリグルーブ溝境界部においてもマーク形状が歪まない
ためにジッターが低減できる高密度記録用の情報記録媒
体、情報記録方法及び情報記録装置に関する。
成された基板を用いてプリグルーブ上あるいはプリグル
ーブとプリグルーブの間に記録を行う情報記録媒体、情
報記録方法及び情報記録装置に係り、さらに詳細には、
プリグルーブ溝境界部においてもマーク形状が歪まない
ためにジッターが低減できる高密度記録用の情報記録媒
体、情報記録方法及び情報記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報の多様化に伴い大容量の光情
報記録媒体が注目されている。光情報記録媒体には、再
生専用情報記録媒体、追加記録ができる追記型情報記録
媒体、そして情報の書き換えができる書換型情報記録媒
体がある。このうち書換型情報記録媒体の中には記録膜
に相変化材料を用いたものがある。
報記録媒体が注目されている。光情報記録媒体には、再
生専用情報記録媒体、追加記録ができる追記型情報記録
媒体、そして情報の書き換えができる書換型情報記録媒
体がある。このうち書換型情報記録媒体の中には記録膜
に相変化材料を用いたものがある。
【０００３】相変化型情報記録媒体の記録方式として
は、結晶状態と非晶質状態を作り出して、その反射率差
を利用して情報を記録する方式が用いられている。ここ
で結晶状態は、記録膜を結晶化温度以上に昇温すること
により得られ、非晶質状態は、記録膜を融点以上に昇温
して急速に冷却することによって得られる。記録膜の組
成を適当に選んで、結晶化速度の速い材料を用いると、
照射するレーザー光のパワー変調のみで結晶状態と非晶
質状態を作り出すことができ、いわゆる単一ビームオー
バーライトが可能となる。
は、結晶状態と非晶質状態を作り出して、その反射率差
を利用して情報を記録する方式が用いられている。ここ
で結晶状態は、記録膜を結晶化温度以上に昇温すること
により得られ、非晶質状態は、記録膜を融点以上に昇温
して急速に冷却することによって得られる。記録膜の組
成を適当に選んで、結晶化速度の速い材料を用いると、
照射するレーザー光のパワー変調のみで結晶状態と非晶
質状態を作り出すことができ、いわゆる単一ビームオー
バーライトが可能となる。
【０００４】この情報記録媒体の一つとして、例えば高
密度記録媒体であるＤＶＤ−ＲＷが知られている。この
ＤＶＤ−ＲＷにおいてはランドプリピットフォーマット
が採用されている。ランドプリピットフォーマットは、
トラッキング用のプリグルーブをスパイラル状に形成
し、アドレス情報としてのプリピットをこのプリグルー
ブ間（ランド部）に形成するフォーマットである。かか
るフォーマットに従う情報記録媒体は、データ部とアド
レス部を分けたフォーマットに従うＭＯ等の情報記録媒
体とは異なり、プリグールブ上のみならずプリグルーブ
の横や近傍にも情報を記録でき、連続記録が可能であ
る。
密度記録媒体であるＤＶＤ−ＲＷが知られている。この
ＤＶＤ−ＲＷにおいてはランドプリピットフォーマット
が採用されている。ランドプリピットフォーマットは、
トラッキング用のプリグルーブをスパイラル状に形成
し、アドレス情報としてのプリピットをこのプリグルー
ブ間（ランド部）に形成するフォーマットである。かか
るフォーマットに従う情報記録媒体は、データ部とアド
レス部を分けたフォーマットに従うＭＯ等の情報記録媒
体とは異なり、プリグールブ上のみならずプリグルーブ
の横や近傍にも情報を記録でき、連続記録が可能であ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このＤＶＤ
−ＲＷに非晶質マークの記録を行うと、記録マークの幅
がプリグルーブの幅より大きく、このプリグルーブ境界
部で記録マーク形状が大きく歪んでしまうためにジッタ
ーやエラーレートが高くなるという問題があった。
−ＲＷに非晶質マークの記録を行うと、記録マークの幅
がプリグルーブの幅より大きく、このプリグルーブ境界
部で記録マーク形状が大きく歪んでしまうためにジッタ
ーやエラーレートが高くなるという問題があった。
【０００６】この問題を解決するためには、プリグルー
ブ幅を広くする方法が考えられるが、この方法を用いる
と、プッシュプル信号が小さくなるという別の問題が生
じてしまう。また他の解決手段として、記録マーク幅を
プリグルーブ幅より小さくする方法を用いると、信号振
幅が小さくなるというまた別の問題が生じた。
ブ幅を広くする方法が考えられるが、この方法を用いる
と、プッシュプル信号が小さくなるという別の問題が生
じてしまう。また他の解決手段として、記録マーク幅を
プリグルーブ幅より小さくする方法を用いると、信号振
幅が小さくなるというまた別の問題が生じた。
【０００７】本発明は上記従来技術の問題を解決するた
めになされたものであり、その目的は、プリグルーブ境
界部で歪みを小さくしたマークを形成することにより、
記録信号のジッターを低減することができる情報記録媒
体、情報記録方法及び情報記録装置を提供することにあ
る。
めになされたものであり、その目的は、プリグルーブ境
界部で歪みを小さくしたマークを形成することにより、
記録信号のジッターを低減することができる情報記録媒
体、情報記録方法及び情報記録装置を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者が種々検討した
結果、前記マーク形状が歪む原因は、マークを形成する
際、このプリグルーブ境界部で熱の流れが断熱的とな
り、プリグルーブやプリグルーブ間よりも冷却速度が遅
くなって再結晶化が起こるためであることが分かった。
結果、前記マーク形状が歪む原因は、マークを形成する
際、このプリグルーブ境界部で熱の流れが断熱的とな
り、プリグルーブやプリグルーブ間よりも冷却速度が遅
くなって再結晶化が起こるためであることが分かった。
【０００９】従って、記録マーク形状のプリグルーブと
プリグルーブ間の境界部の一方の側と、境界部のもう一
方の側の両方に接するように接線を引き、これら２つの
接点の間において、該接線から引いた垂線が記録マーク
形状と交わる距離の最大値をｂとしたとき、ｂとレーザ
ー波長λ、集光レンズの開口数ＮＡとの関係を下記の不
等式（１） ｂ≦０．０５λ／ＮＡ・・・（１） とすればよい。
プリグルーブ間の境界部の一方の側と、境界部のもう一
方の側の両方に接するように接線を引き、これら２つの
接点の間において、該接線から引いた垂線が記録マーク
形状と交わる距離の最大値をｂとしたとき、ｂとレーザ
ー波長λ、集光レンズの開口数ＮＡとの関係を下記の不
等式（１） ｂ≦０．０５λ／ＮＡ・・・（１） とすればよい。
【００１０】またランドプリピットを正確に再生するた
め、またプッシュプル信号を最適にするために、プリグ
ルーブ記録を行う際、プリグルーブ幅ｃは、レーザー波
長λ、集光レンズの開口数ＮＡとしたときに下記の不等
式（２） λ／３ＮＡ≧ｃ・・・（２） を満足することが好ましい。この場合、プリグルーブ幅
がレーザーのスポット中心に近くなり、よりマーク形状
の歪みがジッターやエラーレートに影響してしまう。こ
のため、さらに歪みを小さくするために、下記の不等式
（３） ｂ≦０．０３λ／ＮＡ・・・（３） を満足することが好ましい。
め、またプッシュプル信号を最適にするために、プリグ
ルーブ記録を行う際、プリグルーブ幅ｃは、レーザー波
長λ、集光レンズの開口数ＮＡとしたときに下記の不等
式（２） λ／３ＮＡ≧ｃ・・・（２） を満足することが好ましい。この場合、プリグルーブ幅
がレーザーのスポット中心に近くなり、よりマーク形状
の歪みがジッターやエラーレートに影響してしまう。こ
のため、さらに歪みを小さくするために、下記の不等式
（３） ｂ≦０．０３λ／ＮＡ・・・（３） を満足することが好ましい。
【００１１】またプリグルーブ間記録においては、ノイ
ズを低減させるため、またプッシュプル信号を最適にす
るために、プリグルーブ間幅ｄ、レーザー波長λ、集光
レンズの開口数ＮＡとしたときに下記の不等式（４） λ／３ＮＡ≧ｄ・・・（４） を満足することが好ましい。この場合も同様に、プリグ
ルーブ間幅がレーザーのスポット中心に近くなり、より
マーク形状の歪みがジッターやエラーレートに影響して
しまう。このため、さらに歪みを小さくするために、下
記の不等式（３）ｂ≦０．０３λ／ＮＡ・・・（３）を
満足することが好ましい。
ズを低減させるため、またプッシュプル信号を最適にす
るために、プリグルーブ間幅ｄ、レーザー波長λ、集光
レンズの開口数ＮＡとしたときに下記の不等式（４） λ／３ＮＡ≧ｄ・・・（４） を満足することが好ましい。この場合も同様に、プリグ
ルーブ間幅がレーザーのスポット中心に近くなり、より
マーク形状の歪みがジッターやエラーレートに影響して
しまう。このため、さらに歪みを小さくするために、下
記の不等式（３）ｂ≦０．０３λ／ＮＡ・・・（３）を
満足することが好ましい。
【００１２】これらを実現するためには、プリグルーブ
境界部での再結晶化を小さくすることが重要である。そ
のためには、記録膜の結晶化速度に合わせて冷却速度を
コントロールする必要がある。結晶化速度は記録膜材料
に固有の値であって、記録膜組成によって決まる値であ
る。一方、冷却速度は記録膜を中心とした層の構成、各
層の熱伝導率や膜厚、プリグルーブ形状、記録線速度な
ど多くのパラメータに複雑に依存する値である。これら
の関係について鋭意検討した結果、以下の（ｉ）〜（ii
i ）の条件を同時に満たすとき、式（１）及び（３）を
実現できることが分かった。
境界部での再結晶化を小さくすることが重要である。そ
のためには、記録膜の結晶化速度に合わせて冷却速度を
コントロールする必要がある。結晶化速度は記録膜材料
に固有の値であって、記録膜組成によって決まる値であ
る。一方、冷却速度は記録膜を中心とした層の構成、各
層の熱伝導率や膜厚、プリグルーブ形状、記録線速度な
ど多くのパラメータに複雑に依存する値である。これら
の関係について鋭意検討した結果、以下の（ｉ）〜（ii
i ）の条件を同時に満たすとき、式（１）及び（３）を
実現できることが分かった。
【００１３】（ｉ）記録膜の膜厚方向の平均組成を一般
式（Ｓｂa Ｔｅ1-a ） 1-xＭX （ａ及びｘは原子数比）
で表したときに、レーザ波長λ（ｎｍ）、集光レンズの
開口数ＮＡ、記録線速度ｖ（ｍ／ｓ）との間に以下の関
係が成立する。
式（Ｓｂa Ｔｅ1-a ） 1-xＭX （ａ及びｘは原子数比）
で表したときに、レーザ波長λ（ｎｍ）、集光レンズの
開口数ＮＡ、記録線速度ｖ（ｍ／ｓ）との間に以下の関
係が成立する。
【００１４】０．８≦ａ＋（６×１０-4）・λ／（ＮＡ
・ｖ）≦０．９ かつ０．０１≦ｘ≦０．１ または ０．８５≦ａ＋（６×１０-4）・λ／（ＮＡ・ｖ）≦
０．９９ かつ０．１＜ｘ≦０．２５ ただし上記一般式中のＭは、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、
Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ａｒ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓ
ｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉのグループから選ば
れる少なくとも１つの元素。
・ｖ）≦０．９ かつ０．０１≦ｘ≦０．１ または ０．８５≦ａ＋（６×１０-4）・λ／（ＮＡ・ｖ）≦
０．９９ かつ０．１＜ｘ≦０．２５ ただし上記一般式中のＭは、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、
Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ａｒ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓ
ｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉのグループから選ば
れる少なくとも１つの元素。
【００１５】（ii）記録膜、中間膜、放熱膜を順次形成
し、上記中間膜の膜厚を１〜５０ｎｍの範囲に規制す
る。
し、上記中間膜の膜厚を１〜５０ｎｍの範囲に規制す
る。
【００１６】（iii ）放熱膜表面の凹凸の最大値Δｍａ
ｘと平均膜厚ｔの間にΔｍａｘ／ｔ≦０．２０なる関係
が成立する。
ｘと平均膜厚ｔの間にΔｍａｘ／ｔ≦０．２０なる関係
が成立する。
【００１７】上記（ｉ）〜（iii ）の条件について以下
に説明を加える。記録膜の膜厚方向の平均組成を一般式
（Ｓｂa Ｔｅ1-a ） 1-xＭX （ａ及びｘは原子数比）で
表したとき、記録膜の結晶化速度はＳｂ量ａが多いほど
速くなる。一方、記録膜がレーザーよって暖められる時
間は記録線速度ｖと波長λ、開口数ＮＡとしたとき、λ
／（ＮＡ・ｖ）とほぼ比例した量となる。
に説明を加える。記録膜の膜厚方向の平均組成を一般式
（Ｓｂa Ｔｅ1-a ） 1-xＭX （ａ及びｘは原子数比）で
表したとき、記録膜の結晶化速度はＳｂ量ａが多いほど
速くなる。一方、記録膜がレーザーよって暖められる時
間は記録線速度ｖと波長λ、開口数ＮＡとしたとき、λ
／（ＮＡ・ｖ）とほぼ比例した量となる。
【００１８】記録膜の結晶化速度によって最適に調整す
る必要がある。結晶化速度が速すぎると記録マークの再
結晶化が大きくなり、記録マークが歪んでしまうし、一
方、結晶化速度が遅すぎると、オーバライトする場合に
は記録マークが消えないという現象が起こる。０．０１
≦ｘ≦０．１のときに、このような現象が起こらないた
めの最適なλ／（ＮＡ・ｖ）とＳｂ量ａとの関係は図５
に示す範囲となる。０．１＜ｘ≦０．２５のときには図
６に示す範囲となる。
る必要がある。結晶化速度が速すぎると記録マークの再
結晶化が大きくなり、記録マークが歪んでしまうし、一
方、結晶化速度が遅すぎると、オーバライトする場合に
は記録マークが消えないという現象が起こる。０．０１
≦ｘ≦０．１のときに、このような現象が起こらないた
めの最適なλ／（ＮＡ・ｖ）とＳｂ量ａとの関係は図５
に示す範囲となる。０．１＜ｘ≦０．２５のときには図
６に示す範囲となる。
【００１９】また、放熱膜を形成しなかったり、放熱膜
を形成しても中間膜の膜厚が厚すぎる場合には、記録膜
組成を上記の範囲に調整しても記録膜の急冷が実現しに
くく、記録マークの再結晶化が起こる。これを解決する
ためには、中間膜の膜厚を薄くして記録膜の冷却効果を
高める必要がある。中間膜の膜厚を１〜５０ｎｍの範囲
に規制するのが好ましい。膜厚が１ｎｍより薄い場合
は、均一な膜形成が困難になる。一方、中間膜の膜厚が
５０ｎｍを超えると、記録膜の冷却効果が小さくなる。
を形成しても中間膜の膜厚が厚すぎる場合には、記録膜
組成を上記の範囲に調整しても記録膜の急冷が実現しに
くく、記録マークの再結晶化が起こる。これを解決する
ためには、中間膜の膜厚を薄くして記録膜の冷却効果を
高める必要がある。中間膜の膜厚を１〜５０ｎｍの範囲
に規制するのが好ましい。膜厚が１ｎｍより薄い場合
は、均一な膜形成が困難になる。一方、中間膜の膜厚が
５０ｎｍを超えると、記録膜の冷却効果が小さくなる。
【００２０】放熱膜は最も記録膜の冷却効果に影響する
ところである。放熱膜表面の凹凸が大きいと、特にプリ
グルーブ境界部の微小な凹凸など、非常に小さな形状の
違いによって冷却速度が異なり、マーク形状の歪みが大
きくなる。従って、放熱膜表面の凹凸の影響を小さく
し、（iii ）の関係式が成立するようにするとよい。
ところである。放熱膜表面の凹凸が大きいと、特にプリ
グルーブ境界部の微小な凹凸など、非常に小さな形状の
違いによって冷却速度が異なり、マーク形状の歪みが大
きくなる。従って、放熱膜表面の凹凸の影響を小さく
し、（iii ）の関係式が成立するようにするとよい。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を詳細に
説明する。光透過性基板１は、ポリカーボネートによ
り、トラックピッチ０．７４μｍ、溝幅０．３μｍ、溝
深さ３２．６ｎｍでトラッキング用のプリグルーブを螺
旋状に有し、ランドの所定の位置にプリピットを有する
ものを作製した。
説明する。光透過性基板１は、ポリカーボネートによ
り、トラックピッチ０．７４μｍ、溝幅０．３μｍ、溝
深さ３２．６ｎｍでトラッキング用のプリグルーブを螺
旋状に有し、ランドの所定の位置にプリピットを有する
ものを作製した。
【００２２】光透過性基板１の表面上に、（ＺｎＳ）80
（ＳｉＯ2 ）20（モル％）からなる誘電膜２を７５ｎ
ｍ、記録膜３としてＡｇ3.5 Ｉｎ6.5 Ｓｂ60Ｔｅ30（ａ
ｔ％）を２４ｎｍ、中間膜４として（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2 ）20（モル％）を１４ｎｍ、放熱膜５としてＡｌ99
Ｔｉ1 （ｗｔ％）を１５０ｎｍ、保護膜６として紫外線
硬化性樹脂を７μｍ順次積層し、図２に示した積層構造
を有する情報記録媒体を得た。
（ＳｉＯ2 ）20（モル％）からなる誘電膜２を７５ｎ
ｍ、記録膜３としてＡｇ3.5 Ｉｎ6.5 Ｓｂ60Ｔｅ30（ａ
ｔ％）を２４ｎｍ、中間膜４として（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2 ）20（モル％）を１４ｎｍ、放熱膜５としてＡｌ99
Ｔｉ1 （ｗｔ％）を１５０ｎｍ、保護膜６として紫外線
硬化性樹脂を７μｍ順次積層し、図２に示した積層構造
を有する情報記録媒体を得た。
【００２３】以上のようにして作製した光記録媒体を初
期結晶化し、記録線速度３．５ｍ／ｓで回転させ、記録
光として波長６５９ｎｍ、集光レンズの開口数０．６の
レーザー光を記録パワー１３ｍＷ、消去パワー７ｍＷで
照射して、プリグルーブ上に情報を記録した。このとき
の記録方法は、最短マークにおいては２パルスで記録す
るようなマルチパルス記録であり、１チャンネルクロッ
クＴを３８．２ｎｓとしたときに、図３に示すように先
頭パルスを０．５Ｔ、その後に続くマルチパルスを０．
４Ｔ、そして冷却パルスを０．６Ｔ照射する方法であ
る。
期結晶化し、記録線速度３．５ｍ／ｓで回転させ、記録
光として波長６５９ｎｍ、集光レンズの開口数０．６の
レーザー光を記録パワー１３ｍＷ、消去パワー７ｍＷで
照射して、プリグルーブ上に情報を記録した。このとき
の記録方法は、最短マークにおいては２パルスで記録す
るようなマルチパルス記録であり、１チャンネルクロッ
クＴを３８．２ｎｓとしたときに、図３に示すように先
頭パルスを０．５Ｔ、その後に続くマルチパルスを０．
４Ｔ、そして冷却パルスを０．６Ｔ照射する方法であ
る。
【００２４】その後、波長６４８ｎｍ、開口数０．６の
レーザー光をパワー０．３ｍＷで照射して記録した情報
を再生し、ジッターを測定したところ６．９％であっ
た。このときの記録マーク形状をＴＥＭで観察すると、
溝境界部でのマークの接線とマーク形状との最大距離ｂ
は０．００８λ／ＮＡと良好な値が得られた。なお、ｂ
の測定には１０個のマークのｂを測定し、その平均をと
ることとした。
レーザー光をパワー０．３ｍＷで照射して記録した情報
を再生し、ジッターを測定したところ６．９％であっ
た。このときの記録マーク形状をＴＥＭで観察すると、
溝境界部でのマークの接線とマーク形状との最大距離ｂ
は０．００８λ／ＮＡと良好な値が得られた。なお、ｂ
の測定には１０個のマークのｂを測定し、その平均をと
ることとした。
【００２５】このときの記録膜組成を（Ｓｂa Ｔｅ
1-a ）1-x ＭX （ａ及びｘは原子数比）で表すと、ａ＝
０．６７、ｘ＝０．１となり、ａ＋（６×１０-4）・λ
／（ＮＡ・ｖ）は０．８６となった。またこの情報記録
媒体をディスク表面に対して垂直に切断して断面をＴＥ
Ｍで観察し、放熱膜断面の粗さ曲線を狭い範囲で平均化
して放熱膜表面の凹凸の最大値Δｍａｘを測定したとこ
ろ１０ｎｍであり、Δｍａｘ／ｔは０．０６７であっ
た。
1-a ）1-x ＭX （ａ及びｘは原子数比）で表すと、ａ＝
０．６７、ｘ＝０．１となり、ａ＋（６×１０-4）・λ
／（ＮＡ・ｖ）は０．８６となった。またこの情報記録
媒体をディスク表面に対して垂直に切断して断面をＴＥ
Ｍで観察し、放熱膜断面の粗さ曲線を狭い範囲で平均化
して放熱膜表面の凹凸の最大値Δｍａｘを測定したとこ
ろ１０ｎｍであり、Δｍａｘ／ｔは０．０６７であっ
た。
【００２６】上記実施例における記録膜組成のＳｂ量ａ
を変え、基板の溝幅を０．３μｍと０．４μｍにしたと
きの、ジッターとプリグルーブ境界部でのマークの接線
との最大距離ｂとの関係を図４に示す。この図から溝幅
が０．４μｍでｂが０．０５以下のときジッターが８％
以下となる良い結果が得られることが分かった。また溝
幅が０．３μｍでｂが０．０３以下のときジッターが８
％以下の良い値となることも分かった。
を変え、基板の溝幅を０．３μｍと０．４μｍにしたと
きの、ジッターとプリグルーブ境界部でのマークの接線
との最大距離ｂとの関係を図４に示す。この図から溝幅
が０．４μｍでｂが０．０５以下のときジッターが８％
以下となる良い結果が得られることが分かった。また溝
幅が０．３μｍでｂが０．０３以下のときジッターが８
％以下の良い値となることも分かった。
【００２７】上記記録膜のＡｇ、Ｉｎの含有量を一定と
し、Ｓｂ、Ｔｅの含有量を変化させて、マークの歪み量
ｂ、１０回ＯＷジッター、消去比を測定したところ次の
表１のような結果が得られた。
し、Ｓｂ、Ｔｅの含有量を変化させて、マークの歪み量
ｂ、１０回ＯＷジッター、消去比を測定したところ次の
表１のような結果が得られた。
【００２８】
【表１】 この表１から明らかなように０．０１≦ｘ≦０．１の範
囲においてａ＋（６×１０-4）・λ／（ＮＡ・ｖ）の値
が０．７５であると、消去比が小さく１０回の書換えが
不可能である。一方、ａ＋（６×１０-4）・λ／（ＮＡ
・ｖ）の値が０．９５であると、マークの歪み量ｂ値が
大きく、１０回ＯＷジッターが１２％もある。従ってａ
＋（６×１０-4）・λ／（ＮＡ・ｖ）の値は０．８〜
０．９の範囲に規制する必要がある。なお、Ａｇ、Ｉｎ
の含有量の合計を１〜１０ａｔ％の範囲内で変えても表
１と同様の結果が得られた。
囲においてａ＋（６×１０-4）・λ／（ＮＡ・ｖ）の値
が０．７５であると、消去比が小さく１０回の書換えが
不可能である。一方、ａ＋（６×１０-4）・λ／（ＮＡ
・ｖ）の値が０．９５であると、マークの歪み量ｂ値が
大きく、１０回ＯＷジッターが１２％もある。従ってａ
＋（６×１０-4）・λ／（ＮＡ・ｖ）の値は０．８〜
０．９の範囲に規制する必要がある。なお、Ａｇ、Ｉｎ
の含有量の合計を１〜１０ａｔ％の範囲内で変えても表
１と同様の結果が得られた。
【００２９】次にＡｇとＩｎの含有量をそれぞれ５ａｔ
％、１０ａｔ％とし、Ｓｂ、Ｔｅの含有量を変化させ
て、マークの歪み量ｂ、１０回ＯＷジッター、消去比を
測定したところ次の表２のような結果が得られた。
％、１０ａｔ％とし、Ｓｂ、Ｔｅの含有量を変化させ
て、マークの歪み量ｂ、１０回ＯＷジッター、消去比を
測定したところ次の表２のような結果が得られた。
【００３０】
【表２】 この表２から明らかなように０．１＜ｘ≦０．２５の範
囲においてａ＋（６×１０-4）・λ／（ＮＡ・ｖ）の値
が０．８であると、消去比が小さく１０回の書換えが不
可能である。一方、ａ＋（６×１０-4）・λ／（ＮＡ・
ｖ）の値が１．０５であると、マークの歪み量ｂ値が大
きく、１０回ＯＷジッターが１１％もある。従ってａ＋
（６×１０-4）・λ／（ＮＡ・ｖ）の値は０．８５〜
０．９９の範囲に規制する必要がある。なお、Ａｇ、Ｉ
ｎの含有量の合計を１０ａｔ％を超えて２５ａｔ％以下
の範囲で変えても表２と同様の結果が得られた。
囲においてａ＋（６×１０-4）・λ／（ＮＡ・ｖ）の値
が０．８であると、消去比が小さく１０回の書換えが不
可能である。一方、ａ＋（６×１０-4）・λ／（ＮＡ・
ｖ）の値が１．０５であると、マークの歪み量ｂ値が大
きく、１０回ＯＷジッターが１１％もある。従ってａ＋
（６×１０-4）・λ／（ＮＡ・ｖ）の値は０．８５〜
０．９９の範囲に規制する必要がある。なお、Ａｇ、Ｉ
ｎの含有量の合計を１０ａｔ％を超えて２５ａｔ％以下
の範囲で変えても表２と同様の結果が得られた。
【００３１】上記記録膜組成のＭにあたる元素のみをＧ
ｅに変えた以外は上記実施例と同様にして情報記録媒体
を作製し、記録を行なうと、ジッターは７．３％と良好
な値であった。このときの記録マーク形状をＴＥＭで観
察すると、溝境界部分でのマークの接線とマーク形状と
の最大距離ｂは０．０２λ／ＮＡと良好な値が得られ
た。
ｅに変えた以外は上記実施例と同様にして情報記録媒体
を作製し、記録を行なうと、ジッターは７．３％と良好
な値であった。このときの記録マーク形状をＴＥＭで観
察すると、溝境界部分でのマークの接線とマーク形状と
の最大距離ｂは０．０２λ／ＮＡと良好な値が得られ
た。
【００３２】またこのときＳｂ量ａを変えて溝幅を０．
３μｍと０．４μｍにしたときのジッターと最大距離ｂ
との関係を調べると、ＭがＡｇ、Ｉｎであった実施例と
同様に、溝幅が０．４μｍでｂが０．０５以下のときジ
ッターが良い結果が得られ、また溝幅が０．３μｍでｂ
が０．０３以下のときジッターが良い値となることが分
かった。
３μｍと０．４μｍにしたときのジッターと最大距離ｂ
との関係を調べると、ＭがＡｇ、Ｉｎであった実施例と
同様に、溝幅が０．４μｍでｂが０．０５以下のときジ
ッターが良い結果が得られ、また溝幅が０．３μｍでｂ
が０．０３以下のときジッターが良い値となることが分
かった。
【００３３】またＭとしてＳｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、
Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ａｌ、Ｓ
ｉ、Ｐ、Ｓ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂ
ｉを用いた場合も同様に良い特性が得られた。Ａｇ3.5
Ｉｎ6.5 Ｓｂ60Ｔｅ30にＮを１ａｔ％添加した場合、書
換え回数が増え、保存寿命が向上した。Ｎの代わりに
Ｏ、Ａｒを添加添加した場合保存寿命が向上した。
ｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、
Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ａｌ、Ｓ
ｉ、Ｐ、Ｓ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂ
ｉを用いた場合も同様に良い特性が得られた。Ａｇ3.5
Ｉｎ6.5 Ｓｂ60Ｔｅ30にＮを１ａｔ％添加した場合、書
換え回数が増え、保存寿命が向上した。Ｎの代わりに
Ｏ、Ａｒを添加添加した場合保存寿命が向上した。
【００３４】中間膜の膜厚を変えた以外は上記実施例と
同様にして情報記録媒体を作製し、記録を行なうと、膜
厚が１〜５０ｎｍの範囲内ではマーク形状の歪みが小さ
く、ジッターも良好であったが、膜厚が５０ｎｍより厚
いと冷却速度が遅くなり、マーク形状が大きく歪んでい
た。また膜厚が１ｎｍより薄い場合は、均一な膜の形成
が困難である。
同様にして情報記録媒体を作製し、記録を行なうと、膜
厚が１〜５０ｎｍの範囲内ではマーク形状の歪みが小さ
く、ジッターも良好であったが、膜厚が５０ｎｍより厚
いと冷却速度が遅くなり、マーク形状が大きく歪んでい
た。また膜厚が１ｎｍより薄い場合は、均一な膜の形成
が困難である。
【００３５】放熱膜表面の凹凸状態を変えた以外は上記
実施例と同様にして情報記録媒体を作製し、記録を行っ
たところ、Δｍａｘが３０ｎｍより大きくなると、マー
ク形状の歪みが大きく、ジッターも悪かった。
実施例と同様にして情報記録媒体を作製し、記録を行っ
たところ、Δｍａｘが３０ｎｍより大きくなると、マー
ク形状の歪みが大きく、ジッターも悪かった。
【００３６】記録線速度を７ｍ／ｓに変え、Ｓｂ量ａを
０．８≦ａ＋（６×１０-4）・λ／（ＮＡ・ｖ）≦０．
９の間で変化させた以外は上記実施例と同様にして情報
記録媒体を作製し、３．５ｍ／ｓのときと同様のマーク
長の記録を行った。このときの１チャンネルクロックの
長さは１９．１ｎｓとした。
０．８≦ａ＋（６×１０-4）・λ／（ＮＡ・ｖ）≦０．
９の間で変化させた以外は上記実施例と同様にして情報
記録媒体を作製し、３．５ｍ／ｓのときと同様のマーク
長の記録を行った。このときの１チャンネルクロックの
長さは１９．１ｎｓとした。
【００３７】このようにして記録した情報を再生したと
ころ、ジッターは小さい値を示し、マーク形状の歪みも
小さかった。しかしながら、ａ＋（６×１０-4）・λ／
（ＮＡ・ｖ）を０．９より大きくすると、記録線速度が
３．５ｍ／ｓのときと較べてジッターが急速に大きくな
り、マーク形状の歪みも大きいことが分かった。記録線
速度が速い場合、その分結晶化速度も速くなるため、
３．５ｍ／ｓのときよりもプリグルーブ境界部での冷却
速度が遅くなる影響を大きく受けて、再結晶化の度合い
が大きくなり、より結晶化速度の制御、すなわちＳｂ量
ａの最適化が重要となってくる。
ころ、ジッターは小さい値を示し、マーク形状の歪みも
小さかった。しかしながら、ａ＋（６×１０-4）・λ／
（ＮＡ・ｖ）を０．９より大きくすると、記録線速度が
３．５ｍ／ｓのときと較べてジッターが急速に大きくな
り、マーク形状の歪みも大きいことが分かった。記録線
速度が速い場合、その分結晶化速度も速くなるため、
３．５ｍ／ｓのときよりもプリグルーブ境界部での冷却
速度が遅くなる影響を大きく受けて、再結晶化の度合い
が大きくなり、より結晶化速度の制御、すなわちＳｂ量
ａの最適化が重要となってくる。
【００３８】またマークを形成する際、記録膜の冷却過
程の調整は、記録するときのパルス幅やパルス間隔を最
適化することによっても行なうことができる。しかしな
がら本発明の範囲外では、マーク歪みとジッターは多少
良くなるものの、本発明のものに較べるとまだ悪かっ
た。特に記録線速度が速くなると、１チャンネルクロッ
クが短くなり、パルス幅やパルス間隔を細かく制御する
ことができなくなるため、記録線速度が３．５ｍ／ｓの
ときよりもジッターの改善は見られなくなった。従っ
て、記録線速度が速くなるに従い本発明においてＳｂ量
ａの範囲は重要となることが分かった。
程の調整は、記録するときのパルス幅やパルス間隔を最
適化することによっても行なうことができる。しかしな
がら本発明の範囲外では、マーク歪みとジッターは多少
良くなるものの、本発明のものに較べるとまだ悪かっ
た。特に記録線速度が速くなると、１チャンネルクロッ
クが短くなり、パルス幅やパルス間隔を細かく制御する
ことができなくなるため、記録線速度が３．５ｍ／ｓの
ときよりもジッターの改善は見られなくなった。従っ
て、記録線速度が速くなるに従い本発明においてＳｂ量
ａの範囲は重要となることが分かった。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、最適な記録膜の結晶化
速度と熱制御をすることによって、プリグルーブ境界部
でも歪みを小さくしたマークを形成することができ、記
録信号のジッターを低減する効果がある。
速度と熱制御をすることによって、プリグルーブ境界部
でも歪みを小さくしたマークを形成することができ、記
録信号のジッターを低減する効果がある。
【図１】記録マーク形状を上方から見た概略図である。
【図２】本発明の実施形態に係る情報記録媒体の概略断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る情報の記録方法を説明
するための記録波形図である。
するための記録波形図である。
【図４】溝幅を変えたときのｂとジッターとの関係を示
す特性図である。
す特性図である。
【図５】０．０１≦ｘ≦０．１のときの記録膜のＳｂ量
とλ／（ＮＡ・ｖ）との関係を示す特性図である。
とλ／（ＮＡ・ｖ）との関係を示す特性図である。
【図６】０．１＜ｘ≦０．２５のときの記録膜のＳｂ量
とλ／（ＮＡ・ｖ）との関係を示す特性図である。
とλ／（ＮＡ・ｖ）との関係を示す特性図である。
１ 光透過性基板 ２ 誘電膜 ３ 記録膜 ４ 中間膜 ５ 放熱膜 ６ 保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 白井 寛 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 飯村 誠 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 三瓶 哲彦 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 Ｆターム(参考） 5D029 JA01 JB47 JC11 MA27 NA11 5D090 AA01 BB05 CC01 DD01 DD05 EE02
Claims (15)
- 【請求項１】 基板と相変化材料を用いた記録膜とを少
なくとも備え、該基板上に同心円状もしくは螺旋状のプ
リグルーブが少なくとも一周にわたって連続して形成さ
れ、かつ情報の記録をレーザー光の照射によって該プリ
グルーブ上またはプリグルーブ間に行う情報記録媒体に
おいて、 記録マークの幅がプリグルーブ幅またはプリグルーブ間
幅よりも広く、記録マーク形状のプリグルーブとプリグ
ルーブ間の境界部の一方の側と、境界部のもう一方の側
の両方に接するように接線を引き、これら２つの接点の
間において、該接線から引いた垂線が記録マーク形状と
交わる距離の最大値をｂとしたとき、該ｂとレーザー波
長λ、集光レンズの開口数ＮＡとの関係が下記の不等式 ｂ≦０．０５λ／ＮＡ を満足することを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１記載の情報記録媒体において、
情報の記録をプリグルーブ上に行う際、プリグルーブ幅
ｃ、レーザー波長λ、集光レンズの開口数ＮＡとの関係
が下記の不等式 λ／３ＮＡ≧ｃ を満足し、かつｂが下記の不等式 ｂ≦０．０３λ／ＮＡ を満足することを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１記載の情報記録媒体において、
情報の記録をプリブリグルーブ間上に行う際、プリグル
ーブ間幅ｄ、レーザー波長λ、集光レンズの開口数ＮＡ
との関係が下記の不等式 λ／３ＮＡ≧ｄ を満足し、かつｂが下記の不等式 ｂ≦０．０３λ／ＮＡ を満足することを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項４】 基板と相変化材料を用いた記録膜とを少
なくとも備え、該基板上に同心円状もしくは螺旋状のプ
リグルーブが少なくとも一周にわたって連続して形成さ
れ、かつ情報の記録をレーザー光の照射によって該プリ
グルーブ上またはプリグルーブ間に行う情報記録媒体に
おいて、 記録膜の膜厚方向の平均組成を一般式（Ｓｂa Ｔｅ
1-a ） 1-xＭX （ａ及びｘは原子数比）で表したとき
に、レーザ波長λ（ｎｍ）、集光レンズの開口数ＮＡ、
記録線速度ｖ（ｍ／ｓ）との間に下記の関係が成立する
ことを特徴とする情報記録媒体。 ０．８≦ａ＋（６×１０-4）・λ／（ＮＡ・ｖ）≦０．
９ かつ０．０１≦ｘ≦０．１ または ０．８５≦ａ＋（６×１０-4）・λ／（ＮＡ・ｖ）≦
０．９９ かつ０．１＜ｘ≦０．２５ ただし上記一般式中のＭは、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、
Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ａｒ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓ
ｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉのグループから選ば
れる少なくとも１つの元素。 - 【請求項５】 請求項４の情報記録媒体において、記録
膜、中間膜、放熱膜を順次形成し、上記中間膜の膜厚を
１〜５０ｎｍの範囲に規制したことを特徴とする情報記
録媒体。 - 【請求項６】 基板と相変化材料を用いた記録膜とを少
なくとも備え、該基板上に同心円状もしくは螺旋状のプ
リグルーブが少なくとも一周にわたって連続して形成さ
れ、かつ情報の記録をレーザー光の照射によって該プリ
グルーブ上またはプリグルーブ間に行う情報記録媒体に
情報を記録する方法において、 単一ビームオーバライトにより記録、消去、再生を行
い、記録マークの幅がプリグルーブ幅またはプリグルー
ブ間幅よりも広く、記録マーク形状のプリグルーブとプ
リグルーブ間の境界部の一方の側と、境界部のもう一方
の側の両方に接するように接線を引き、これら２つの接
点の間において、該接線から引いた垂線が記録マーク形
状と交わる距離の最大値をｂとしたとき、ｂとレーザー
波長λ、集光レンズの開口数ＮＡとの関係が下記の不等
式 ｂ≦０．０５λ／ＮＡ を満たす記録マーク形状を形成することを特徴とする情
報記録方法。 - 【請求項７】 請求項６記載の情報記録方法において、
情報の記録をプリグルーブ上に行う際、プリグルーブ幅
ｃ、レーザー波長λ、集光レンズの開口数ＮＡとの関係
が下記の不等式 λ／３ＮＡ≧ｃ を満足し、かつｂが下記の不等式 ｂ≦０．０３λ／ＮＡ を満足する記録マークを形成することを特徴とする情報
記録方法。 - 【請求項８】 請求項６記載の情報記録方法において、
情報の記録をプリブリグルーブ間上に行う際、プリグル
ーブ間幅ｄ、レーザー波長λ、集光レンズの開口数ＮＡ
との関係が下記の不等式 λ／３ＮＡ≧ｄ を満足し、かつｂが下記の不等式 ｂ≦０．０３λ／ＮＡ を満足する記録マークを形成することを特徴とする情報
記録方法。 - 【請求項９】 基板と相変化材料を用いた記録膜とを少
なくとも備え、該基板上に同心円状もしくは螺旋状のプ
リグルーブが少なくとも一周にわたって連続して形成さ
れ、かつ情報の記録をレーザー光の照射によって該プリ
グルーブ上またはプリグルーブ間に行う情報記録媒体に
情報を記録する方法において、 記録膜の膜厚方向の平均組成を一般式（Ｓｂa Ｔｅ
1-a ） 1-xＭX （ａ及びｘは原子数比）で表したとき
に、レーザ波長λ（ｎｍ）、集光レンズの開口数ＮＡ、
記録線速度ｖ（ｍ／ｓ）との間に下記の関係が成立する
ことを特徴とする情報記録方法。 ０．８≦ａ＋（６×１０-4）・λ／（ＮＡ・ｖ）≦０．
９ かつ０．０１≦ｘ≦０．１ または ０．８５≦ａ＋（６×１０-4）・λ／（ＮＡ・ｖ）≦
０．９９ かつ０．１＜ｘ≦０．２５ ただし上記一般式中のＭは、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、
Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ａｒ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓ
ｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉのグループから選ば
れる少なくとも１つの元素。 - 【請求項１０】 請求項９の情報記録方法において、記
録膜、中間膜、放熱膜を順次形成し、上記中間膜の膜厚
を１〜５０ｎｍの範囲に規制したことを特徴とする情報
記録方法。 - 【請求項１１】 基板と相変化材料を用いた記録膜とを
少なくとも備え、該基板上に、同心円状もしくは螺旋状
のプリグルーブが少なくとも一周にわたって連続して形
成され、かつ情報の記録をレーザー光の照射によって該
プリグルーブ上またはプリグルーブ間に行う情報記録媒
体に情報の記録を行う情報記録装置において、 所定の集光レンズの開口数ＮＡの条件で所定の波長のレ
ーザー光を照射することにより記録マークの幅がプリグ
ルーブ幅またはプリグルーブ間幅よりも広く、記録マー
ク形状のプリグルーブとプリグルーブ間の境界部の一方
の側と、境界部のもう一方の側の両方に接するように接
線を引き、これら２つの接点の間において、該接線から
引いた垂線が記録マーク形状と交わる距離の最大値をｂ
としたとき、ｂとレーザー波長λ、集光レンズの開口数
ＮＡとの関係が下記の不等式 ｂ≦０．０５λ／ＮＡ を満たす記録マーク形状を形成することを特徴とする情
報記録装置。 - 【請求項１２】 請求項１１記載の情報記録装置におい
て、情報の記録をプリグルーブ上に行う際、プリグルー
ブ幅ｃ、レーザー波長λ、集光レンズの開口数ＮＡとの
関係が下記の不等式 λ／３ＮＡ≧ｃ を満足し、かつｂが下記の不等式 ｂ≦０．０３λ／ＮＡ を満足する記録マークを形成することを特徴とする情報
記録装置。 - 【請求項１３】 請求項１１記載の情報記録装置におい
て、情報の記録をプリブリグルーブ間上に行う際、プリ
グルーブ間幅ｄ、レーザー波長λ、集光レンズの開口数
ＮＡとの関係が下記の不等式 λ／３ＮＡ≧ｄ を満足し、かつｂが下記の不等式 ｂ≦０．０３λ／ＮＡ を満足する記録マークを形成することを特徴とする情報
記録装置。 - 【請求項１４】 基板と相変化材料を用いた記録膜とを
少なくとも備え、該基板上に同心円状もしくは螺旋状の
プリグルーブが少なくとも一周にわたって連続して形成
され、かつ情報の記録をレーザー光の照射によって該プ
リグルーブ上またはプリグルーブ間に行う情報記録媒体
に情報の記録を行う情報記録装置において、 記録膜の膜厚方向の平均組成を一般式（Ｓｂa Ｔｅ
1-a ） 1-xＭX （ａ及びｘは原子数比）で表したとき
に、レーザ波長λ（ｎｍ）、集光レンズの開口数ＮＡ、
記録線速度ｖ（ｍ／ｓ）との間に下記の関係が成立する
ことを特徴とする情報記録装置。 ０．８≦ａ＋（６×１０-4）・λ／（ＮＡ・ｖ）≦０．
９ かつ０．０１≦ｘ≦０．１ または ０．８５≦ａ＋（６×１０-4）・λ／（ＮＡ・ｖ）≦
０．９９ かつ０．１＜ｘ≦０．２５ ただし上記一般式中のＭは、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、
Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ａｒ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓ
ｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉのグループから選ば
れる少なくとも１つの元素。 - 【請求項１５】 請求項１４の情報記録装置において、
記録膜、中間膜、放熱膜を順次形成し、上記中間膜の膜
厚を１〜５０ｎｍの範囲に規制したことを特徴とする情
報記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001040290A JP2002245630A (ja) | 2001-02-16 | 2001-02-16 | 情報記録媒体、情報記録方法及び情報記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001040290A JP2002245630A (ja) | 2001-02-16 | 2001-02-16 | 情報記録媒体、情報記録方法及び情報記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002245630A true JP2002245630A (ja) | 2002-08-30 |
Family
ID=18902926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001040290A Withdrawn JP2002245630A (ja) | 2001-02-16 | 2001-02-16 | 情報記録媒体、情報記録方法及び情報記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002245630A (ja) |
-
2001
- 2001-02-16 JP JP2001040290A patent/JP2002245630A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7050377B1 (en) | Optical recording method and optical recording medium | |
| JP4521054B2 (ja) | 書き換え型光記録媒体 | |
| JP3171103B2 (ja) | 光記録方法および光記録媒体 | |
| WO2005013267A1 (ja) | 光記録方法 | |
| JPH09282661A (ja) | 光記録方法、装置及び光記録媒体 | |
| JP2008506211A (ja) | 光記録媒体及び多層型光記録媒体を用いた光記録方法及び光記録装置 | |
| US7532555B2 (en) | Phase-change recording layer optical recording method | |
| JP2006051803A (ja) | 光学的情報記録媒体、光学的情報記録方法、及び光学的情報記録装置 | |
| US20090116344A1 (en) | Information recording method, information recording medium, and information recording apparatus | |
| JP4546851B2 (ja) | 情報記録方法と光記録媒体 | |
| JP2006221712A (ja) | 相変化型光記録媒体とその記録方法及び転移線速の評価方法 | |
| JP2002245630A (ja) | 情報記録媒体、情報記録方法及び情報記録装置 | |
| JP4303575B2 (ja) | 光記録方法及び記録再生装置 | |
| JP4104067B2 (ja) | 光情報記録媒体及び記録方法 | |
| JP4405739B2 (ja) | 書換え型光記録媒体の光記録方法 | |
| JP2006212880A (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JP2005193663A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2000043414A (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JP2001229539A (ja) | 光記録方法および光記録媒体 | |
| JP2005093027A (ja) | 光情報記録媒体及び記録方法 | |
| JP2005178372A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2003059053A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2006260699A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2007257809A (ja) | 光記録媒体及び光記録方法 | |
| JP2005190661A (ja) | 光記録媒体および光記録方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080513 |