JP2002238255A - 擬似共振ic電源回路 - Google Patents
擬似共振ic電源回路Info
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Abstract
が安定して反転・非反転するようにする。 【解決手段】本発明は発振信号に基づいて発生されたパ
ルス信号にてパルス幅変調回路31をセットし、負荷電
圧に応じて発振レベル比較回路29からの信号のレベル
が変化することによりパルス幅変調回路31を反転し、
MOSFET10をオン・オフし、一次巻線に電圧を加
えられる電圧を制御し、前記発振レベル比較回路29か
らの信号をノア回路34に加え、発振幅変調回路31に
RSET信号が加わっているときに、パルス信号が前記
SET端子に加わるのを阻止する。
Description
スイッチング電源に用いられる擬似共振IC電源回路に
関する。
の電子機器にはスイッチング電源として擬似共振IC電
源回路が使用される。
回路部分のブロック図である。前記集積回路のパッケー
ジには端子1、端子2、端子3、端子4及び端子5を有
する。前記端子4と端子5間にはパワーMOSFET1
0のソース電極・ドレイン電極が接続されている。また
パワーMOSFET10のドレイン電極にはセンサーM
OSFET11のドレイン電極が接続されている。
の発振された鋸歯状波信号は発振エッジ回路23でパル
ス信号に変換され、ラッチ回路24に加わる。基準電圧
発生回路25は端子1に加えられた電源電圧Vccから
基準電圧Vrefを発生する。低電圧検出回路26は電
源電圧Vccが前記基準電圧Vrefと所定電圧とを比
較し、電源電圧Vcc所定電圧以下の場合は停止信号を
発生し、電源電圧Vccが所定電圧以上になると停止解
除信号を発生し、前記発振回路22を動作させる。
ccが決められた電圧より高い場合を検出し、停止信号
をラッチ回路24に加えてラッチする。異常加熱検出回
路28はチップが異常な温度上昇を検出するもので、チ
ップが異常な温度まで上昇すると停止信号をラッチ回路
24に加えてラッチする。
生回路25からの基準電圧Vrefと前記センサーMO
SFET11からの検出され抵抗30を介して加えられ
る電圧及び後述する負荷電圧に応じて変化する電圧が重
畳された検出電圧とを比較する。パルス幅変調回路31
はRS−フリップフロップよりなり、SET端子には前
記ラッチ回路24からの信号がインバータ33を介して
加えられ、RSET端子には発振レベル比較回路29か
らの信号が加えられる。前記パルス幅変調回路31のQ
バー端子よりの信号はドライバー36を介して前記パワ
ーMOSFET10とセンサーMOSFET11のゲー
トに加えられる。
準電圧発生回路25より基準電圧Vrefを発生する。
前記電源電圧Vccが設定電圧以上になると低電圧検出
回路26からの停止解除信号が発振回路22に加わる。
またこのときエッジ回路37からの信号も前記発振回路
22に加わり発振を開始して鋸波状波信号を発生する。
加わり、パルス信号に変換されラッチ回路24に加わ
る。このとき高電圧検出回路27からは停止信号が検出
されないので、前記パルス信号はラッチ回路24を介し
てパルス幅変調回路31のSET端子に加わる。
のSET端子にパルス信号が加わると、前記パルス幅変
調回路31のQバー端子の信号はローレベルとなる。こ
のときドライバー36には低電圧検出回路26の停止信
号が加えられているので、前記ドライバー回路36は動
作状態となっており、パルス幅変調回路31のQバー端
子のローレベル信号はドライバー回路36で反転された
ハイレベルの信号をパワーMOSFET10及びセンサ
ーMOSFET11のそれぞれのゲートに加わる。
MOSFET11のゲートに前記パルス幅変調回路31
のQバー端子のローレベル信号をドライバー回路36で
反転しハイレベルにされた信号が加わると、これらパワ
ーMOSFET10及びセンサーMOSFET11をオ
ンされる。するとパワーMOSFET10のドレイン電
極・ソース電極を介して機器にあるトランスの一次巻線
に商業電源から整流された電流が流れる。
じてトランスの二次巻線に電流が所定の負荷電圧が得ら
れる。負荷電圧が所定の電圧以下のときは発振回路22
より発振され発振エッジ回路23で変換されたパルス信
号が前述したようにパルス幅変調回路31のSET端子
に供給し続けるので、パルス幅変調回路31のQバー端
子の信号はローレベルのままである。
る前記センサーMOSFET11から検出され抵抗30
を介して加えられる電圧及び負荷電圧に応じて変化する
電圧が重畳された検出電圧が前記基準電圧発生回路25
からの基準電圧Vrefより僅かでも大きくなると、前
記発振レベル比較回路29から発生される信号がハイレ
ベルとなり、パルス幅変調回路31のRSET端子にリ
セット信号を加え、前記パルス幅変調回路31のQバー
端子の信号をハイレベルに反転する。
MOSFET10のゲートに加わる信号がローレベルと
なるので、前記パワーMOSFET10はオフされの
で、機器にあるトランスの一次巻線に商業電源から加わ
る電流が遮断される。
負荷電圧が低下すると再び発振レベル比較回路29に加
えられる前記センサーMOSFET11から検出され抵
抗30を介して加えられる電圧及び負荷に応じて変化す
る電圧が重畳された検出電圧が前記基準電圧発生回路2
5からの基準電圧Vrefより小さくなると、前記発振
レベル比較回路29から発生される信号がローレベルと
なり、パルス幅変調回路31のRSET端子にリセット
信号が加わらない。
いるので、前記発振エッジ回路23からパルス幅変調回
路31のSET端子にパルス信号が加わり、前記パルス
幅変調回路31のQバー端子の信号は再びローレベルと
なる。前記パルス幅変調回路31のQバー端子のローレ
ベル信号はパワーMOSFET10及びセンサーMOS
FET11のそれぞれのゲートに加わり、これらパワー
MOSFET10及びセンサーMOSFET11をオン
する。
ン電極・ソース電極を介して機器にあるトランスの一次
巻線に商業電源から整流された電流が流れる。前記トラ
ンスの一次巻線に流れる電流に応じてトランスの二次巻
線に電流が流れ所定の負荷電圧が得られる。
回路からの発振信号に基づいて発生されるパルス信号に
てパルス幅変調回路をセットし、発振レベル比較回路か
らの信号にてパルス幅変調回路を反転し、前記パルス幅
変換回路のQバー端子に生じる信号で前記MOSFET
をオン・オフし、一次巻線に電圧を加えられる電圧を制
御し、二次巻線から取り出される出力電圧を調整し、所
定の負荷電圧を得ている。
比較回路からのリセット信号にてパルス幅変調回路を反
転しているときにも、発振回路は発振し続けるため前記
パルスがパルス幅変調回路のSET端子に加わるため、
その度パルス幅変調回路はセットし、Qバー端子は一時
的にローレベルにされ、MOSFETをオンし動作を不
安定にする。
平滑した電圧が加えら且つMOSFETのドレイン電極
・ソース電極が接続された一次巻線と出力電圧を取り出
す二次巻線及びバイアス巻線よりなるトランスと、前記
バイアス巻線に得られる電源電圧に基づいて基準電圧を
発生する基準電圧発生回路と、発振回路からの発振信号
よりパルス信号を発生する発振エッジ回路と、前記負荷
電圧の変化に応じて発生する信号のレベルを変化する発
振レベル比較回路と、前記発振エッジ回路よりの信号と
発振レベル比較回路からの信号がノア回路を介して加え
られるSET端子と発振レベル比較回路からの信号が加
えられるRSET端子とを有するパルス幅変調回路とよ
りなり、前記パルス信号にてパルス幅変調回路をセット
し、発振レベル比較回路からのリセット信号にてパルス
幅変調回路を反転し、前記パルス幅変換回路のQバー端
子に生じる信号で前記MOSFETをオン・オフし、一
次巻線に電圧を加えられる電圧を制御し、二次巻線から
取り出される出力電圧を調整し、前記発振レベル比較回
路からの信号をノア回路に加え、発振幅変調回路のRS
ET端子にリセット信号が加わっているときに、パルス
信号が前記MOSFETのSET端子に加わるのを阻止
する擬似共振IC電源回路を提供するものである。
する。従来と同じ回路部分は同じ番号を付す。
ける集積回路部分のブロック図である。前記集積回路の
パッケージPには端子1、端子2、端子3、端子4及び
端子5を有する。前記端子4と端子5間にはパワーMO
SFET10のソース電極。ドレイン電極が接続されて
いる。またパワーMOSFET10のドレイン電極には
センサーMOSFET11のドレイン電極が接続されて
いる。
の発振された鋸歯状波信号は発振エッジ回路23でパル
ス信号に変換され、ラッチ回路24に加わる。基準電圧
発生回路25は端子1に加えられた電源電圧Vccから
基準電圧Vrefを発生する。前記電源電圧Vccが所
定電圧より以上になると低電圧検出回路26から停止解
除信号を発生し前記発振回路22に電圧が加えられ、該
発振回路22を動作させる。高電圧検出回路27は逆に
前記電源電圧Vccが決められた電圧より高い場合を検
出し、停止信号をラッチ回路24に加えラッチする。異
常過熱検出回路28はチップが異常な温度上昇を検出す
るもので、チップが異常な温度まで上昇すると、停止信
号をラッチ回路24に加えラッチする。
生回路25からの基準電圧Vrefと前記センサーMO
SFET11から検出され抵抗30を介して加えられた
電圧及び後述する負荷電圧に応じて変化する電圧が重畳
された検出電圧とを比較し、基準電圧が大きいときには
発生される信号はローレベルである。しかし前記負荷電
圧等に応じて供給される電圧が基準電圧より大きくなる
と前記発振レベル比較回路29からハイレベルの信号を
発生する。
ロップよりなり、SET端子には前記ラッチ回路24を
通過したパルス信号と発振レベル比較回路29からの信
号がノア回路34介して加えられる。又RSET端子に
は発振レベル比較回路29からの信号が加えられる。前
記パルス幅変調回路31のQバー端子よりの信号はドラ
イバー36を介して前記パワーMOSFET10とセン
サーMOSFET11のゲートに加えられる。
電源回路の回路図である。全波整流回路41にはチョー
クコイル40を介して端子Xと端子Yの商業電源Vin
が加えられる。トランス42一次巻線と出力電圧を取り
出す二次巻線及びバイアス巻線よりなる。前記一次巻線
43の一端に前記全波整流回路41の端子Sに接続さ
れ、他端がパッケージPの端子5に接続され、MOSF
ETのドレイン・ソース電極を介して前記全波整流回路
41の端子Tに接続されている。
流された直流電圧を平滑する。前記整流し平滑された直
流電圧は起動抵抗47を介してパッケージPの端子1に
加えられ集積回路の電源電圧Vccとなる。又バイアス
巻線44の一端はダイオード48を介して前記端子1に
接続される。
ド50及びコンデンサ51が接続されている。フォトカ
プラ52は発光ダイオード53とフォトトランジスタ5
4とよりなり、フォトトランジスタ54の一端はパッケ
ージPの端子3に接続されている。
り出される負荷電圧の変化を検出するもので、ベースに
分割抵抗56、57が接続され、エミッタにツエーナー
ダイオード58が接続されている。
に加えられた商業電源は全波整流回路41で整流され、
平滑回路46で平滑された後起動抵抗47を介してパッ
ケージPの端子1に電源電圧Vccとして加えられる。
と基準電圧発生回路25より基準電圧Vrefを発生す
る。このとき電源電圧Vccが低いときは低電圧検出回
路26から停止信号が発生され、前記電源電圧Vccが
設定電圧より高くなると停止解除信号を発生し発振回路
22に加わる。またこのときエッジ回路37からの信号
も前記発振回路22に加わり発振を開始し、鋸波状波信
号を発生する。
加わり、パルス信号に変換されラッチ回路24に加わ
る。このとき高電圧検出回路27からは停止信号が発生
されないので、前記パルス信号はラッチ回路24を介し
てノア回路34に加わる。前記ノア回路34の他端子に
加わるパルス比較回路29よりの信号はローレベルであ
るので、前記パルス信号はノア回路34を通過しパルス
幅変調回路31の端子Sに加わる。
のSET端子にパルス信号が加わると、前記パルス幅変
調回路31のQバー端子の信号はローレベルとなる。こ
のときドライバー36には低電圧検出回路26よりの停
止解除信号が加えられているので、前記ドライバー回路
36は動作状態となっており、前記パルス幅変調回路3
1のQバー端子のローレベル信号はパワーMOSFET
10及びセンサーMOSFET11のそれぞれのゲート
に加わる。
MOSFET11のゲートに前記パルス幅変調回路31
のQバー端子のローレベル信号が加わると、これらパワ
ーMOSFET10及びセンサーMOSFET11をオ
ンされる。するとパワーMOSFET10のドレイン電
極・ソース電極を介してトランスの一次巻線に前記整流
され平滑された直流電圧が加わる。
電圧に応じてトランスの二次巻線に所定の二次電圧が得
られる。得られた二次電圧はダイオード50及びコンデ
ンサ51で整流平滑され、端子Mと端子Nから取り出さ
れ負荷電圧として負荷に供給される。
MOSFET10のドレイン電流値が基準値以下のとき
は発振回路22より発振され発振エッジ回路23で変換
されたパルス信号が前述したようにパルス幅変調回路3
1のSET端子に供給し続けるので、パルス幅変調回路
31のQバー端子の信号はローレベルのままである。
荷電圧の変化は分割抵抗56、57で検出され、トラン
ジスタ55のベース電圧を変化する。即ち負荷電圧が上
がるとトランジスタ55のベース電圧は上昇し、トラン
ジスタ55を介して発光ダイオード53に流れる電流が
増加し発光も増加する。それによりフォトトランジスタ
54の抵抗値が下がり、端子3に加わる電圧が大きくな
る。
負荷電圧に応じて電圧が前記基準電圧発生回路25から
の基準電圧Vrefより僅かでも大きくなると、前記発
振レベル比較回路29からハイレベルの信号を発生し、
パルス幅変調回路31のRSET端子にリセット信号を
加え、前記パルス幅変調回路31のQバー端子の信号を
ハイレベルにする。
MOSFET10のゲートに加わる信号がローレベルと
なるので、前記パワーMOSFET10はオフされの
で、機器にあるトランスの一次巻線に商業電源からの電
流が流れない。このとき発振回路22は発振し続けパル
ス信号がラッチ回路24に供給し続けるが、ノア回路3
4の発振レベル比較回路29から加えられる信号がハイ
レベルであるため、前記パルス信号は阻止され、パルス
幅変調回路31のSET端子には加えられず、前記パル
ス幅変調回路31が一時的にもセットされることがな
い。
負荷電圧が低下すると再び発振レベル比較回路29に加
えられる電圧が前記基準電圧発生回路25からの基準電
圧Vrefより小さくなると、前記発振レベル比較回路
29から発生される信号がローレベルとなるため、パル
ス幅変調回路31のRSET端子がローレベルとなる。
ので、前記発振エッジ回路23からパルス幅変調回路3
1のSET端子にパルス信号が加わり、前記パルス幅変
調回路31のQバー端子の信号は再びローレベルとな
る。前記パルス幅変調回路31のQバー端子のローレベ
ル信号はパワーMOSFET10及びセンサーMOSF
ET11のそれぞれのゲートに加わり、これらパワーM
OSFET10及びセンサーMOSFET11をオンす
る。
ン電極・ソース電極を介して機器にあるトランスの一次
巻線に商業電源から整流された電流が流れる。前記トラ
ンスの一次巻線に流れる電流に応じてトランスの二次巻
線に電流が所定の負荷電圧が得られる。
路からの発振信号に基づいて発生されたパルス信号にて
パルス幅変調回路をセットし、負荷電圧に応じて発振レ
ベル比較回路信号の信号のレベルが変化することにより
パルス幅変調回路を反転し、前記パルス幅変換回路のQ
バー端子に生じる信号で前記MOSFETをオン・オフ
し、一次巻線に加えられる電圧を制御し、二次巻線から
取り出される出力電圧を調整する。
信号をノア回路に加え、発振幅変調回路のRSET端子
にRSET信号が加わっているときに、パルス信号が前
記MOSFETのSET端子に加わるのを阻止するの
で、パルス幅変調回路がリセットされているときに、発
振回路が発振し続けても前記パルス幅変調回路にセット
信号が加わらず動作が安定になる。
積回路のブロック図である。
る。
ルス幅変調回路の各部分の波形図である。
回路のブロック図である。
ス幅変調回路の各部分の波形図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 商業電源を整流平滑した電圧が加えら且
つMOSFETのドレイン電極・ソース電極が接続され
た一次巻線と出力電圧を取り出す二次巻線及びバイアス
巻線とを有するトランスと、 前記バイアス巻線より得られる電源電圧に基づいて基準
電圧を発生する基準電圧発生回路と、 発振回路からの発振信号よりパルス信号を発生する発振
エッジ回路と、 前記二次巻線に生じた負荷電圧の変化に応じ発生される
信号のレベルを変化する発振レベル比較回路と、 前記発振エッジ回路よりの信号と発振レベル比較回路か
らの信号が論理回路を介して加えられるSET端子と発
振レベル比較回路からの信号が加えられるRSET端子
とを有するパルス幅変調回路とよりなり、 前記パルス信号にてパルス幅変調回路をセットし、その
とき前記パルス幅変調回路のQバーまたはQ端子に生じ
る信号で前記MOSFETをオンし一次巻線に入力電圧
を加え、 発振レベル比較回路からの信号をパルス幅変調回路のR
SET端子に加え、パルス幅変調回路を反転しQバーま
たはQ端子を反転し、前記MOSFETをオフし、一次
巻線に加わる電圧を遮断し二次巻線から出力電圧を取り
出すと共に、前記発振レベル比較回路からの信号を論理
回路に加えパルス信号が前記パルス幅変調回路のSET
端子に加わるのを阻止することを特徴とする擬似共振I
C電源回路。 - 【請求項2】 前記パルス幅変調回路はRS―フリップ
フロップであることことを特徴とする請求項1記載の擬
似共振IC電源回路。 - 【請求項3】 前記論理回路はノア回路よりなり、該ノ
ア回路は発振レベル比較回路からの信号がローレベルの
とき前記パルス信号を通過し、前記発振レベル比較回路
からの信号がハイレベルのとき前記パルス信号を阻止す
る事を特徴とする請求項1記載の擬似共振IC電源回
路。 - 【請求項4】 フォトカプラを用い、負荷電圧の変化に
応じて前記フォトカプラの発光ダイオードの輝度を変化
させ、該発光ダイオードの輝度の変化を前記トランスの
バイアス巻線に接続されたフォトトランジスタにて検出
しパルス幅変調回路に加え、該パルス幅変調回路で基準
電圧発生回路からの基準電圧と比較し発生される信号を
変化させることを特徴とする請求項1記載の擬似共振I
C電源回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001035365A JP2002238255A (ja) | 2001-02-13 | 2001-02-13 | 擬似共振ic電源回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001035365A JP2002238255A (ja) | 2001-02-13 | 2001-02-13 | 擬似共振ic電源回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002238255A true JP2002238255A (ja) | 2002-08-23 |
Family
ID=18898815
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001035365A Pending JP2002238255A (ja) | 2001-02-13 | 2001-02-13 | 擬似共振ic電源回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002238255A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7301786B2 (en) | 2005-03-10 | 2007-11-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Quasi resonant type switching power supply apparatus with overcurrent limiting |
-
2001
- 2001-02-13 JP JP2001035365A patent/JP2002238255A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7301786B2 (en) | 2005-03-10 | 2007-11-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Quasi resonant type switching power supply apparatus with overcurrent limiting |
CN100435463C (zh) * | 2005-03-10 | 2008-11-19 | 三洋电机株式会社 | 准谐振类型开关电源单元及使用其的准谐振开关电源装置 |
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