JP2002235081A - エレクトロルミネセンス燐光体の製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネセンス燐光体の製造方法Info
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- JP2002235081A JP2002235081A JP2001374180A JP2001374180A JP2002235081A JP 2002235081 A JP2002235081 A JP 2002235081A JP 2001374180 A JP2001374180 A JP 2001374180A JP 2001374180 A JP2001374180 A JP 2001374180A JP 2002235081 A JP2002235081 A JP 2002235081A
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- hexakis
- dimethylamido
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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- C09K11/56—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
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- C09K11/565—Chalcogenides with zinc cadmium
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 硫化亜鉛ベースのエレクトロルミネセンス燐
光体の半減期を改善する。 【解決手段】 硫化亜鉛ベースのエレクトロルミネセン
ス燐光体の半減期を改善するための方法であって：反応
用の容器に燐光体の粒子を充填すること；不活性ガスで
粒子を流動化させること；反応用容器及び、それの内容
物を２００度に加熱すること；反応用容器にヘキサキス
（ジメチルアミド）ジアルミニウムを反応容器に導入す
ること；ヘキサキス(ジメチルアミド)ジアルミニウムを
燐光体の粒子と１０分間反応させること；のステップか
ら成る方法が提供される。
光体の半減期を改善する。 【解決手段】 硫化亜鉛ベースのエレクトロルミネセン
ス燐光体の半減期を改善するための方法であって：反応
用の容器に燐光体の粒子を充填すること；不活性ガスで
粒子を流動化させること；反応用容器及び、それの内容
物を２００度に加熱すること；反応用容器にヘキサキス
（ジメチルアミド）ジアルミニウムを反応容器に導入す
ること；ヘキサキス(ジメチルアミド)ジアルミニウムを
燐光体の粒子と１０分間反応させること；のステップか
ら成る方法が提供される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は硫化亜鉛をベースに
したエレクトロルミネセンス燐光体、特に、そのような
燐光体の改善した寿命のための方法に関する。
したエレクトロルミネセンス燐光体、特に、そのような
燐光体の改善した寿命のための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】燐光体は電磁放射以外の形式のエネルギ
ーによって励起されることにより、通常、スペクトルの
可視領域の電磁放射を発する材料の既知の部類である。
燐光体は通常、それらが影響を受けやすい、またはそれ
らの感度が高いエネルギーのタイプによって名前が付け
られる。例えば、陰極ルミネセンス燐光体は電子または
陰極線の衝突によって励起及び放射し；光ミネセンス燐
光体は化学線の衝突により励起及び放射し；Ｘ線ミネセ
ンス燐光体はＸ線の衝突により励起及び放射し：エレク
トロルミネセンス燐光体は通常、交流によって供給され
る、電場の効果によって励起及び放射する。本発明が特
に最も関係するのは燐光体の後者のタイプである。
ーによって励起されることにより、通常、スペクトルの
可視領域の電磁放射を発する材料の既知の部類である。
燐光体は通常、それらが影響を受けやすい、またはそれ
らの感度が高いエネルギーのタイプによって名前が付け
られる。例えば、陰極ルミネセンス燐光体は電子または
陰極線の衝突によって励起及び放射し；光ミネセンス燐
光体は化学線の衝突により励起及び放射し；Ｘ線ミネセ
ンス燐光体はＸ線の衝突により励起及び放射し：エレク
トロルミネセンス燐光体は通常、交流によって供給され
る、電場の効果によって励起及び放射する。本発明が特
に最も関係するのは燐光体の後者のタイプである。
【０００３】商業上のエレクトロルミネセンス燐光体は
大抵の場合、ホスト構造に取り込まれる、銅及び（また
は）マンガン及び（または）塩化物の中の１つまたは複
数の活性化剤によって活性化される硫化亜鉛（zinc sul
fide）のホスト材料（host material）に基づいてい
る。これらの燐光体は表示装置や腕時計の表面のための
ランプまたは照明源として利用される。燐光体を有機結
合剤（organic binder）に分散し、プラスチックに積層
する１つの種類と、燐光体をセラミック誘電体に分散
し、金属板に融合（または、熔解）する２つ目の多様な
種類との、２つの基本的な種類の材料が利用される。
大抵の場合、ホスト構造に取り込まれる、銅及び（また
は）マンガン及び（または）塩化物の中の１つまたは複
数の活性化剤によって活性化される硫化亜鉛（zinc sul
fide）のホスト材料（host material）に基づいてい
る。これらの燐光体は表示装置や腕時計の表面のための
ランプまたは照明源として利用される。燐光体を有機結
合剤（organic binder）に分散し、プラスチックに積層
する１つの種類と、燐光体をセラミック誘電体に分散
し、金属板に融合（または、熔解）する２つ目の多様な
種類との、２つの基本的な種類の材料が利用される。
【０００４】プラスチックの類はより経済的であるが、
マイラー（商標）等の、安価なプラスチックに封入され
た燐光体の光の出力は急速に劣化する。エレクトロルミ
ネセンス燐光体の寿命は「半減期」によって記述され
る。燐光体の半減期は光の出力が、通常、最初の２４時
間後に測定される初期の光の出力の半分になる時点であ
る。
マイラー（商標）等の、安価なプラスチックに封入され
た燐光体の光の出力は急速に劣化する。エレクトロルミ
ネセンス燐光体の寿命は「半減期」によって記述され
る。燐光体の半減期は光の出力が、通常、最初の２４時
間後に測定される初期の光の出力の半分になる時点であ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような燐光体の半
減期を延ばすことができれば、それはこの分野において
非常に有用である。
減期を延ばすことができれば、それはこの分野において
非常に有用である。
【０００６】したがって、本発明の目的は従来技術の欠
点を軽減することである。本発明のもう１つの目的はエ
レクトロルミネセンス燐光体の半減期を増大させること
である。
点を軽減することである。本発明のもう１つの目的はエ
レクトロルミネセンス燐光体の半減期を増大させること
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の１つの側面にお
いて、これらの目的は硫化亜鉛ベースのエレクトロルミ
ネセンス燐光体の半減期を改善するための方法によって
達成される。その方法は：反応用の容器に燐光体の粒子
を充填する（または、入れる）こと；不活性ガスで粒子
を流動化させること；反応用容器及び、それの内容物を
２００度に加熱すること；反応用容器にヘキサキス（ジ
メチルアミド）ジアルミニウム（hexakis(dimethylamid
o)dialuminum）を反応容器に導入する（または、入れる
こと）こと；ヘキサキス(ジメチルアミド)ジアルミニウ
ムを燐光体の粒子と１０分間反応させること；
いて、これらの目的は硫化亜鉛ベースのエレクトロルミ
ネセンス燐光体の半減期を改善するための方法によって
達成される。その方法は：反応用の容器に燐光体の粒子
を充填する（または、入れる）こと；不活性ガスで粒子
を流動化させること；反応用容器及び、それの内容物を
２００度に加熱すること；反応用容器にヘキサキス（ジ
メチルアミド）ジアルミニウム（hexakis(dimethylamid
o)dialuminum）を反応容器に導入する（または、入れる
こと）こと；ヘキサキス(ジメチルアミド)ジアルミニウ
ムを燐光体の粒子と１０分間反応させること；
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の他の目的、長所及び可能
性と共に本発明をより理解するために、以下に詳細な説
明がなされる。
性と共に本発明をより理解するために、以下に詳細な説
明がなされる。
【０００９】エレクトロルミネセンス燐光体をヘキサキ
ス(ジメチルアミド)ジアルミニウム及び窒素と共に処理
することにより、交流によって励起される（または、電
力が与えられる）プラスチックのランプへの取り込み後
の半減期に予想外の改善を示す燐光体が得られた。
ス(ジメチルアミド)ジアルミニウム及び窒素と共に処理
することにより、交流によって励起される（または、電
力が与えられる）プラスチックのランプへの取り込み後
の半減期に予想外の改善を示す燐光体が得られた。
【００１０】燐光体は以下に説明されるように製造され
た。反応用の容器は多孔質ガラスを備えた底部が備えら
れた、１５ｃｍのパイレックス（登録商標）管を使用し
た。そのような容器は通常、化学蒸着処理で使用され
る。この反応用容器にオスラムシルバニア（Towanda, P
A）から入手可能なシルバニアタイプ７２３等の、硫化
亜鉛ベースのエレクトロルミネセンス燐光体が２５.０
ｋｇが加えられた。燐光体の粒子を流動化させるため
に、１０リットル／分の比率（または、速度）で反応用
容器の底部から窒素が流された。それと同時に、容器及
びそれの内容物が２００℃まで加熱された。窒素と燐光
体粒子の混合物が２００℃に達した後、（１３０℃で）
溶融したヘキサキス(ジメチルアミド)ジアルミニウムを
含むバブラーを通して（３８.９リットル／分の比率
で）窒素を１０分間、バブリング（すなわち、液体中を
細かい気泡として気体を通過させること）させることに
よって、流動床または流動層（fluid bed）の中にヘキ
サキス(ジメチルアミド)ジアルミニウムを給送した。１
０分間の期間の終了時に、容器から２５０グラムの燐光
体が取り出され、それに引き続いて、大気中で急冷さ
れ、−３２５メッシュのステンレススチールのふるいで
ふるい分けられ、さらにプラスチックランプ内に挿入す
るための処理がなされた。このランプの測定結果は表１
に示されている。
た。反応用の容器は多孔質ガラスを備えた底部が備えら
れた、１５ｃｍのパイレックス（登録商標）管を使用し
た。そのような容器は通常、化学蒸着処理で使用され
る。この反応用容器にオスラムシルバニア（Towanda, P
A）から入手可能なシルバニアタイプ７２３等の、硫化
亜鉛ベースのエレクトロルミネセンス燐光体が２５.０
ｋｇが加えられた。燐光体の粒子を流動化させるため
に、１０リットル／分の比率（または、速度）で反応用
容器の底部から窒素が流された。それと同時に、容器及
びそれの内容物が２００℃まで加熱された。窒素と燐光
体粒子の混合物が２００℃に達した後、（１３０℃で）
溶融したヘキサキス(ジメチルアミド)ジアルミニウムを
含むバブラーを通して（３８.９リットル／分の比率
で）窒素を１０分間、バブリング（すなわち、液体中を
細かい気泡として気体を通過させること）させることに
よって、流動床または流動層（fluid bed）の中にヘキ
サキス(ジメチルアミド)ジアルミニウムを給送した。１
０分間の期間の終了時に、容器から２５０グラムの燐光
体が取り出され、それに引き続いて、大気中で急冷さ
れ、−３２５メッシュのステンレススチールのふるいで
ふるい分けられ、さらにプラスチックランプ内に挿入す
るための処理がなされた。このランプの測定結果は表１
に示されている。
【００１１】
【表１】
【００１２】表において、光の出力はフートランバート
（FtL）で測定されており、効率はルーメン／ワット（L
m/W）で測定された。
（FtL）で測定されており、効率はルーメン／ワット（L
m/W）で測定された。
【００１３】
【発明の効果】表１から判るように、試験されたサンプ
ルの各々に顕著な改善が達成されている。最初の例で
は、半減期が１００７時間から１２８４時間に延びてお
り、もう１つの例では、半減期が４７９時間から５１６
時間に延びている。
ルの各々に顕著な改善が達成されている。最初の例で
は、半減期が１００７時間から１２８４時間に延びてお
り、もう１つの例では、半減期が４７９時間から５１６
時間に延びている。
【００１４】目下のところ本発明の好まれる実施例と考
えられる実施例が説明されてきたが、付随する請求の範
囲によって規定される本発明の範囲から外れることな
く、多様な変更や改良が可能であることは当業者にとっ
て、明らかであるだろう。
えられる実施例が説明されてきたが、付随する請求の範
囲によって規定される本発明の範囲から外れることな
く、多様な変更や改良が可能であることは当業者にとっ
て、明らかであるだろう。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB03 AB04 AB11 AB18 DA05 DB02 EA03 FA00 4H001 CA04 CF01 XA16 XA30 YA17 YA25 YA29
Claims (3)
- 【請求項１】 硫化亜鉛ベースのエレクトロルミネセン
ス燐光体の半減期を改善するための方法であって：反応
用の容器に燐光体の粒子を充填すること；不活性ガスで
粒子を流動化させること；反応用容器及び、それの内容
物を２００度に加熱すること；反応用容器にヘキサキス
（ジメチルアミド）ジアルミニウムを反応容器に導入す
ること；ヘキサキス(ジメチルアミド)ジアルミニウムを
燐光体の粒子と１０分間反応させること；のステップか
ら成る方法。 - 【請求項２】 前記ヘキサキス(ジメチルアミド)ジアル
ミニウムが窒素を介して前記反応用容器に運ばれる、請
求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記ヘキサキス(ジメチルアミド)ジアル
ミニウムがそれの溶融した供給物から運ばれる、請求項
２に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US25620300P | 2000-12-18 | 2000-12-18 | |
| US09/965161 | 2001-09-27 | ||
| US60/256203 | 2001-09-27 | ||
| US09/965,161 US6569357B2 (en) | 2000-12-18 | 2001-09-27 | Method of making electroluminescent phosphor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002235081A true JP2002235081A (ja) | 2002-08-23 |
Family
ID=26945199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001374180A Abandoned JP2002235081A (ja) | 2000-12-18 | 2001-12-07 | エレクトロルミネセンス燐光体の製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6569357B2 (ja) |
| EP (1) | EP1215265A3 (ja) |
| JP (1) | JP2002235081A (ja) |
| KR (1) | KR20020048900A (ja) |
| CN (1) | CN1368533A (ja) |
| CA (1) | CA2363384A1 (ja) |
| TW (1) | TW525408B (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6064150A (en) * | 1998-01-12 | 2000-05-16 | Osram Sylvania Inc. | Nitride coated particle and composition of matter comprised of such particles |
| CA2305033A1 (en) * | 1999-04-12 | 2000-10-12 | Osram Sylvania Inc. | Moisture insensitive electroluminescent phosphor |
| US6171650B1 (en) * | 1999-09-28 | 2001-01-09 | Osram Sylvania Inc. | Moisture insensitive electroluminescent phosphor |
-
2001
- 2001-09-27 US US09/965,161 patent/US6569357B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-21 CA CA002363384A patent/CA2363384A1/en not_active Abandoned
- 2001-12-07 JP JP2001374180A patent/JP2002235081A/ja not_active Abandoned
- 2001-12-11 TW TW090130620A patent/TW525408B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-12-17 KR KR1020010080162A patent/KR20020048900A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-12-18 EP EP01130098A patent/EP1215265A3/en not_active Withdrawn
- 2001-12-18 CN CN01143714A patent/CN1368533A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1215265A2 (en) | 2002-06-19 |
| US6569357B2 (en) | 2003-05-27 |
| US20020113225A1 (en) | 2002-08-22 |
| TW525408B (en) | 2003-03-21 |
| KR20020048900A (ko) | 2002-06-24 |
| EP1215265A3 (en) | 2004-01-28 |
| CN1368533A (zh) | 2002-09-11 |
| CA2363384A1 (en) | 2002-06-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041207 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20050916 |