JP2002223139A - 弾性表面波フィルタの金属膜の製造方法 - Google Patents
弾性表面波フィルタの金属膜の製造方法Info
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- JP2002223139A JP2002223139A JP2001020076A JP2001020076A JP2002223139A JP 2002223139 A JP2002223139 A JP 2002223139A JP 2001020076 A JP2001020076 A JP 2001020076A JP 2001020076 A JP2001020076 A JP 2001020076A JP 2002223139 A JP2002223139 A JP 2002223139A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＤＴ（櫛歯状電極）の面積を拡大すること
なく、耐電力性を確保することができる弾性表面波フィ
ルタの金属膜の製造方法を提供する。 【解決手段】 弾性表面波フィルタの金属膜の製造方法
において、誘電体基板上にＣｒ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｃｒをメ
タルスパッタ後、メタル付きウエハを２００℃から２５
０℃で加熱する。
なく、耐電力性を確保することができる弾性表面波フィ
ルタの金属膜の製造方法を提供する。 【解決手段】 弾性表面波フィルタの金属膜の製造方法
において、誘電体基板上にＣｒ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｃｒをメ
タルスパッタ後、メタル付きウエハを２００℃から２５
０℃で加熱する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面弾性波または
弾性表面波（ＳＡＷと略す）フィルタ（デュプレクサ等
のＳＡＷ製品を含む）に係り、特に、そのフィルタの電
極膜の製造に関するものである。
弾性表面波（ＳＡＷと略す）フィルタ（デュプレクサ等
のＳＡＷ製品を含む）に係り、特に、そのフィルタの電
極膜の製造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＳＡＷフィルタのメタルは、米国
特許第５７７４９６２号に示されるように、Ａｌ−Ｃｕ
／Ｃｕ／Ａｌ−Ｃｕで構成されており、そのメタルの作
製はスパッタ、ＣＶＤ、蒸着等による膜付けと、エッチ
ングによるパターン形成によりなされている。
特許第５７７４９６２号に示されるように、Ａｌ−Ｃｕ
／Ｃｕ／Ａｌ−Ｃｕで構成されており、そのメタルの作
製はスパッタ、ＣＶＤ、蒸着等による膜付けと、エッチ
ングによるパターン形成によりなされている。
【０００３】また、メタルの作製時の加熱は２００℃以
下で行うことが明示されている。
下で行うことが明示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
メタルの膜構成では加熱なしに製造した電極用の膜の場
合、標準のＩＤＴ（櫛歯状電極）の大きさでは耐電力性
が不足するため、ＩＤＴ部分の面積を拡大し、耐電力性
を確保する必要があった。
メタルの膜構成では加熱なしに製造した電極用の膜の場
合、標準のＩＤＴ（櫛歯状電極）の大きさでは耐電力性
が不足するため、ＩＤＴ部分の面積を拡大し、耐電力性
を確保する必要があった。
【０００５】本発明は、上記状況に鑑み、ＩＤＴ（櫛歯
状電極）の面積を拡大することなく、耐電力性を確保す
ることができる弾性表面波フィルタの金属膜の製造方法
を提供することを目的とする。
状電極）の面積を拡大することなく、耐電力性を確保す
ることができる弾性表面波フィルタの金属膜の製造方法
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕弾性表面波フィルタの金属膜の製造方法におい
て、誘電体基板上にＣｒ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｃｒをメタルス
パッタ後、メタル付きウエハを２００℃から２５０℃に
加熱することを特徴とする。
成するために、 〔１〕弾性表面波フィルタの金属膜の製造方法におい
て、誘電体基板上にＣｒ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｃｒをメタルス
パッタ後、メタル付きウエハを２００℃から２５０℃に
加熱することを特徴とする。
【０００７】〔２〕弾性表面波フィルタの金属膜の製造
方法において、誘電体基板上にＣｒ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉ
をメタルスパッタ後、メタル付きウエハを２００℃から
２５０℃に加熱することを特徴とする。
方法において、誘電体基板上にＣｒ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉ
をメタルスパッタ後、メタル付きウエハを２００℃から
２５０℃に加熱することを特徴とする。
【０００８】〔３〕上記〔１〕又は〔２〕記載の弾性表
面波フィルタの金属膜の製造方法において、前記Ａｌ−
ＣｕのＣｕの含有量が０．５から２％であることを特徴
とする。
面波フィルタの金属膜の製造方法において、前記Ａｌ−
ＣｕのＣｕの含有量が０．５から２％であることを特徴
とする。
【０００９】〔４〕上記〔１〕又は〔２〕記載の弾性表
面波フィルタの金属膜の製造方法において、前記メタル
は櫛歯状電極を含むことを特徴とする。
面波フィルタの金属膜の製造方法において、前記メタル
は櫛歯状電極を含むことを特徴とする。
【００１０】〔５〕上記〔１〕又は〔２〕記載の弾性表
面波フィルタの金属膜の製造方法において、前記メタル
パターン形成後から弾性表面波フィルタ完成（ＰＫＧ搭
載、キャップ封止の工程終了後）までの間において、２
００℃から２５０℃に加熱することを特徴とする。
面波フィルタの金属膜の製造方法において、前記メタル
パターン形成後から弾性表面波フィルタ完成（ＰＫＧ搭
載、キャップ封止の工程終了後）までの間において、２
００℃から２５０℃に加熱することを特徴とする。
【００１１】〔６〕上記〔１〕又は〔２〕記載の弾性表
面波フィルタの金属膜の製造方法において、前記弾性表
面波フィルタ完成後（ＫＧ搭載、キャップ封止の工程終
了後）までの間において、２００℃から２５０℃に加熱
することを特徴とする。
面波フィルタの金属膜の製造方法において、前記弾性表
面波フィルタ完成後（ＫＧ搭載、キャップ封止の工程終
了後）までの間において、２００℃から２５０℃に加熱
することを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１３】図１は本発明の第１実施例を示す弾性表面
波フィルタの櫛歯状電極の鳥瞰図、図２はその弾性表面
波フィルタの櫛歯状電極の形成工程断面図である。
波フィルタの櫛歯状電極の鳥瞰図、図２はその弾性表面
波フィルタの櫛歯状電極の形成工程断面図である。
【００１４】まず、図２（ａ）に示すように、ＬｉＴａ
Ｏ3 の基板１上にＣｒ膜２をスパッタで形成する。その
上に連続してＡｌ−０．５％Ｃｕ膜３をスパッタで形成
する。さらに連続してＣｒ膜４をスパッタで形成し、パ
ターンを形成するためにフォトリソを行い、レジストパ
ターン５を形成する。
Ｏ3 の基板１上にＣｒ膜２をスパッタで形成する。その
上に連続してＡｌ−０．５％Ｃｕ膜３をスパッタで形成
する。さらに連続してＣｒ膜４をスパッタで形成し、パ
ターンを形成するためにフォトリソを行い、レジストパ
ターン５を形成する。
【００１５】次いで、図２（ｂ）に示すように、エッチ
ングを実施してＩＤＴ（櫛歯状電極部）及び反射器（図
示なし）とそれぞれを結ぶ導体パターンを形成する。図
において、６は酸化膜である。
ングを実施してＩＤＴ（櫛歯状電極部）及び反射器（図
示なし）とそれぞれを結ぶ導体パターンを形成する。図
において、６は酸化膜である。
【００１６】ここで完成したウエハをＮ2 雰囲気内で、
例えば２５０℃２時間加熱（アニール）する。
例えば２５０℃２時間加熱（アニール）する。
【００１７】なお、アニール用の加熱は、恒温槽、アニ
ール炉、シンター炉等で実施することができる。
ール炉、シンター炉等で実施することができる。
【００１８】その後、酸化膜やＷ／Ｂパッド作製工程を
経て、ウエハプロセスを終了する。
経て、ウエハプロセスを終了する。
【００１９】ＳＡＷフィルタにおける耐電力に関するメ
カニズムは、第１に、高周波振動によるメタルのヒロッ
ク、ボイドの発生に起因する。
カニズムは、第１に、高周波振動によるメタルのヒロッ
ク、ボイドの発生に起因する。
【００２０】単純にスパッタ等でメタル膜を形成した場
合は、メタル内にＣｕがばら撒かれているのみで、ヒロ
ック、ボイドの抑制には通じない。
合は、メタル内にＣｕがばら撒かれているのみで、ヒロ
ック、ボイドの抑制には通じない。
【００２１】しかし、加熱することにより、メタル内で
金属原子（Ｃｕ原子）は、近くの同じ原子のそばに転移
するように圧力がかかるので、ばら撒かれているＣｕ原
子がＡｌ粒界との界面に移動する。
金属原子（Ｃｕ原子）は、近くの同じ原子のそばに転移
するように圧力がかかるので、ばら撒かれているＣｕ原
子がＡｌ粒界との界面に移動する。
【００２２】この加熱によって移動するＣｕが、Ａｌ粒
界の表面に集中するため、Ａｌのヒロック、ボイドを抑
制し、耐電力性を向上させる。また同時に、加熱により
Ｃｕ同士が強く結合し、同時にＡｌのヒロック、ボイド
を抑制することになる。
界の表面に集中するため、Ａｌのヒロック、ボイドを抑
制し、耐電力性を向上させる。また同時に、加熱により
Ｃｕ同士が強く結合し、同時にＡｌのヒロック、ボイド
を抑制することになる。
【００２３】図３は本発明の製造方法により得られた金
属膜（メタル）の応力の測定結果を示す図（温度２００
℃）であり、図４は本発明の製造方法により得られた金
属膜（メタル）の応力の測定結果を示す図（温度２５０
℃）であり、これに対比して、図５は金属膜（メタル）
の応力の測定結果を示す図（温度３００℃）を示してい
る。なお、それらの図において、横軸に温度（℃）、縦
軸に応力（ｄｙｎｅ／ｃｍ2 ）を表している。
属膜（メタル）の応力の測定結果を示す図（温度２００
℃）であり、図４は本発明の製造方法により得られた金
属膜（メタル）の応力の測定結果を示す図（温度２５０
℃）であり、これに対比して、図５は金属膜（メタル）
の応力の測定結果を示す図（温度３００℃）を示してい
る。なお、それらの図において、横軸に温度（℃）、縦
軸に応力（ｄｙｎｅ／ｃｍ2 ）を表している。
【００２４】これらの図から明らかなように、アニール
時間の変化に対する応力の変化を示しており、２００
℃、２５０℃では加熱時間が変化しても昇温降温とも同
じ軌跡をたどり、加熱による膜質に変化がないが、加熱
温度が３００℃になるとメタル内の潜在応力が加熱時間
とともに変化し、膜質が変化していることが分かる。
時間の変化に対する応力の変化を示しており、２００
℃、２５０℃では加熱時間が変化しても昇温降温とも同
じ軌跡をたどり、加熱による膜質に変化がないが、加熱
温度が３００℃になるとメタル内の潜在応力が加熱時間
とともに変化し、膜質が変化していることが分かる。
【００２５】図６は本発明にかかるアニールの水準のデ
ータを示す図であり、ＣＷ８３６．５ＭＨｚ、２．５
Ｗ、８５℃で実験を行った。
ータを示す図であり、ＣＷ８３６．５ＭＨｚ、２．５
Ｗ、８５℃で実験を行った。
【００２６】この図において、上段に示す２００℃０．
５Ｈのアニールでは効果は小さいが、中段に示す２５０
℃０．５Ｈ、及び下段に示す２５０℃１Ｈでは寿命が延
びている。この図から、アニール効果が顕著に現れてい
ることがわかる。
５Ｈのアニールでは効果は小さいが、中段に示す２５０
℃０．５Ｈ、及び下段に示す２５０℃１Ｈでは寿命が延
びている。この図から、アニール効果が顕著に現れてい
ることがわかる。
【００２７】例えば、図７はＳＡＷフィルタの寿命のデ
ータを示す図であり、入力端子Ｔｘから８３６．５ＭＨ
ｚでＣＷを入力し、１Ｗ（ワット）１時間で１Ｗ単位で
ステップアップする試験を行った。
ータを示す図であり、入力端子Ｔｘから８３６．５ＭＨ
ｚでＣＷを入力し、１Ｗ（ワット）１時間で１Ｗ単位で
ステップアップする試験を行った。
【００２８】従来のメタルがＣｒ／Ａｌ−０．５％Ｃｕ
／Ｃｒでアニール無しの場合は、メタルの寿命（耐電力
性）はせいぜい６Ｗまで、メタルがＣｒ／Ａｌ−２％Ｃ
ｕ／Ｃｒでアニール無しの場合は、せいぜい８Ｗまでで
ある。これに対して、本発明の場合は、メタルがＣｒ／
Ａｌ−０．５％Ｃｕ／Ｃｒで２００℃で０．５Ｈのアニ
ール有りの場合は、メタルの寿命（耐電力性）は７Ｗま
でに延び、メタルがＣｒ／Ａｌ−０．５％Ｃｕ／Ｃｒで
２５０℃で０．５Ｈのアニール有りの場合は、メタルの
寿命（耐電力性）は８Ｗまでに延び、メタルがＣｒ／Ａ
ｌ−０．５％Ｃｕ／Ｃｒで２５０℃で１Ｈのアニール有
りの場合は、メタルの寿命（耐電力性）は９Ｗまで延び
ている。
／Ｃｒでアニール無しの場合は、メタルの寿命（耐電力
性）はせいぜい６Ｗまで、メタルがＣｒ／Ａｌ−２％Ｃ
ｕ／Ｃｒでアニール無しの場合は、せいぜい８Ｗまでで
ある。これに対して、本発明の場合は、メタルがＣｒ／
Ａｌ−０．５％Ｃｕ／Ｃｒで２００℃で０．５Ｈのアニ
ール有りの場合は、メタルの寿命（耐電力性）は７Ｗま
でに延び、メタルがＣｒ／Ａｌ−０．５％Ｃｕ／Ｃｒで
２５０℃で０．５Ｈのアニール有りの場合は、メタルの
寿命（耐電力性）は８Ｗまでに延び、メタルがＣｒ／Ａ
ｌ−０．５％Ｃｕ／Ｃｒで２５０℃で１Ｈのアニール有
りの場合は、メタルの寿命（耐電力性）は９Ｗまで延び
ている。
【００２９】以上から明らかなように、本発明によれ
ば、メタルの耐電力性の向上を図ることができることは
明らかである。
ば、メタルの耐電力性の向上を図ることができることは
明らかである。
【００３０】上記したアニールは、メタルスパッタ工程
直後から部品として完成までのすべてのタイミングでの
加熱、つまり、部品として完成（またはその後マザーボ
ードに搭載されてからも、リフロー時も含む）後の加熱
によって行うことができる。
直後から部品として完成までのすべてのタイミングでの
加熱、つまり、部品として完成（またはその後マザーボ
ードに搭載されてからも、リフロー時も含む）後の加熱
によって行うことができる。
【００３１】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。
る。
【００３２】上記実施例では、メタルはＣｒ／Ａｌ−Ｃ
ｕ／Ｃｒについて説明したが、メタル構成が下層Ｃｒ／
Ａｌ−Ｃｕ／上層Ｔｉの場合であっても同様の作用効果
を奏することができる。
ｕ／Ｃｒについて説明したが、メタル構成が下層Ｃｒ／
Ａｌ−Ｃｕ／上層Ｔｉの場合であっても同様の作用効果
を奏することができる。
【００３３】例えば、図７の最下段に示すように、メタ
ルがＣｒ／Ａｌ−２％Ｃｕ／Ｔｉで２５０℃で１Ｈのア
ニール有りの場合は、耐電力性は９Ｗまでに延びてい
る。
ルがＣｒ／Ａｌ−２％Ｃｕ／Ｔｉで２５０℃で１Ｈのア
ニール有りの場合は、耐電力性は９Ｗまでに延びてい
る。
【００３４】このように、メタルがＣｒ／Ａｌ−２％Ｃ
ｕ／Ｔｉの場合にも、結果として寿命の向上が見られ、
アニールにより同じ作用が発生している。
ｕ／Ｔｉの場合にも、結果として寿命の向上が見られ、
アニールにより同じ作用が発生している。
【００３５】特に、上層のＴｉは上層のＣｒに比べ、エ
ッチング時の選択比が小さく、レジストに対するエッチ
ングパワーが少なくてもパターン形成できるため、でき
上がりの寸法制御性が良好になる。
ッチング時の選択比が小さく、レジストに対するエッチ
ングパワーが少なくてもパターン形成できるため、でき
上がりの寸法制御性が良好になる。
【００３６】次に、本発明の第３実施例について説明す
る。
る。
【００３７】中層のＡｌ−ＣｕのＣｕ含有量が０．５〜
２％の範囲である場合上記したように、図７における寿
命試験の結果から明らかなように、結果として寿命の向
上が見られ、アニールにより同じ作用が発生している。
２％の範囲である場合上記したように、図７における寿
命試験の結果から明らかなように、結果として寿命の向
上が見られ、アニールにより同じ作用が発生している。
【００３８】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００３９】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、弾性表面波フィルタの金属膜における耐電力性
の向上を図ることができ、ＩＤＴ（櫛歯状電極）の面積
を拡大することなく、耐電力性を確保することができ
る。
よれば、弾性表面波フィルタの金属膜における耐電力性
の向上を図ることができ、ＩＤＴ（櫛歯状電極）の面積
を拡大することなく、耐電力性を確保することができ
る。
【図１】本発明の第１実施例を示す弾性表面波フィルタ
の櫛歯状電極の鳥瞰図である。
の櫛歯状電極の鳥瞰図である。
【図２】本発明の第１実施例を示す弾性表面波フィルタ
の櫛歯状電極の形成工程断面図である。
の櫛歯状電極の形成工程断面図である。
【図３】本発明の製造方法により得られた金属膜（メタ
ル）の応力の測定結果を示す図（その１）である。
ル）の応力の測定結果を示す図（その１）である。
【図４】本発明の製造方法により得られた金属膜（メタ
ル）の応力の測定結果を示す図（その２）である。
ル）の応力の測定結果を示す図（その２）である。
【図５】金属膜（メタル）の応力の測定結果を示す図
（温度３００℃）を示す図である。
（温度３００℃）を示す図である。
【図６】本発明にかかるアニールの水準のデータを示す
図である。
図である。
【図７】ＳＡＷフィルタの寿命のデータを示す図であ
る。
る。
１ ＬｉＴａＯ3 の基板 ２，４ Ｃｒ膜 ３ Ａｌ−０．５％Ｃｕ膜 ５ レジストパターン ６ 酸化膜
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 AA04 BA07 BA17 BA23 BB02 BD02 CA05 GA01 5J097 AA26 DD29 FF03 HA02 KK07 KK09
Claims (6)
- 【請求項１】 誘電体基板上にＣｒ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｃｒ
をメタルスパッタ後、メタル付きウエハを２００℃から
２５０℃に加熱することを特徴とする弾性表面波フィル
タの金属膜の製造方法。 - 【請求項２】 誘電体基板上にＣｒ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉ
をメタルスパッタ後、メタル付きウエハを２００℃から
２５０℃に加熱することを特徴とする弾性表面波フィル
タの金属膜の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の弾性表面波フィル
タの金属膜の製造方法において、前記Ａｌ−ＣｕのＣｕ
の含有量が０．５から２％であることを特徴とする弾性
表面波フィルタの金属膜の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１又は２記載の弾性表面波フィル
タの金属膜の製造方法において、前記メタルは櫛歯状電
極を含むことを特徴とする弾性表面波フィルタの金属膜
の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１又は２記載の弾性表面波フィル
タの金属膜の製造方法において、前記メタルパターン形
成後から弾性表面波フィルタ完成までの間において、２
００℃から２５０℃に加熱することを特徴とする弾性表
面波フィルタの金属膜の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１又は２記載の弾性表面波フィル
タの金属膜の製造方法において、前記弾性表面波フィル
タ完成後までの間において、２００℃から２５０℃に加
熱することを特徴とする弾性表面波フィルタの金属膜の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001020076A JP2002223139A (ja) | 2001-01-29 | 2001-01-29 | 弾性表面波フィルタの金属膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001020076A JP2002223139A (ja) | 2001-01-29 | 2001-01-29 | 弾性表面波フィルタの金属膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002223139A true JP2002223139A (ja) | 2002-08-09 |
Family
ID=18885843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001020076A Pending JP2002223139A (ja) | 2001-01-29 | 2001-01-29 | 弾性表面波フィルタの金属膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002223139A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101398111B1 (ko) | 2013-03-14 | 2014-05-27 | 주식회사 세미텍 | 직류전압의 이중화 부스트 출력 제어 장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999054995A1 (fr) * | 1998-04-21 | 1999-10-28 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | Dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface et son procede de production, dispositif de communication mobile comprenant ce dernier |
-
2001
- 2001-01-29 JP JP2001020076A patent/JP2002223139A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999054995A1 (fr) * | 1998-04-21 | 1999-10-28 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | Dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface et son procede de production, dispositif de communication mobile comprenant ce dernier |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101398111B1 (ko) | 2013-03-14 | 2014-05-27 | 주식회사 세미텍 | 직류전압의 이중화 부스트 출력 제어 장치 |
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