JP2002220667A - スパッタリング装置のスパッタ源 - Google Patents
スパッタリング装置のスパッタ源Info
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- JP2002220667A JP2002220667A JP2001019992A JP2001019992A JP2002220667A JP 2002220667 A JP2002220667 A JP 2002220667A JP 2001019992 A JP2001019992 A JP 2001019992A JP 2001019992 A JP2001019992 A JP 2001019992A JP 2002220667 A JP2002220667 A JP 2002220667A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ベアリングに流れる電流を抑制することがで
きるスパッタリング装置のスパッタ源を提供する。 【解決手段】 ターゲット２の背面側に、回転駆動源４
によって回転駆動されるマグネットベース６を配置す
る。マグネットベース６をベアリング８によって静止構
造物に対して回転可能に支承する。マグネットベース６
と一体に回転駆動されるマグネット９をマグネットベー
ス６に固設する。ベアリング８が取り付けられる部分の
静止構造物７を絶縁材料によって形成する。
きるスパッタリング装置のスパッタ源を提供する。 【解決手段】 ターゲット２の背面側に、回転駆動源４
によって回転駆動されるマグネットベース６を配置す
る。マグネットベース６をベアリング８によって静止構
造物に対して回転可能に支承する。マグネットベース６
と一体に回転駆動されるマグネット９をマグネットベー
ス６に固設する。ベアリング８が取り付けられる部分の
静止構造物７を絶縁材料によって形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空下において被
処理基板を成膜処理するためのスパッタリング装置に使
用されるスパッタ源に関する。
処理基板を成膜処理するためのスパッタリング装置に使
用されるスパッタ源に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体製造工程、液晶表示パネル
製造工程、或いはディスク製造工程等の各種の製造工程
において、シリコンウエハ、液晶表示基板、光ディスク
やミニディスク等の被処理基板の成膜処理を行うために
スパッタリング装置が使用されている。
製造工程、或いはディスク製造工程等の各種の製造工程
において、シリコンウエハ、液晶表示基板、光ディスク
やミニディスク等の被処理基板の成膜処理を行うために
スパッタリング装置が使用されている。
【０００３】スパッタリング装置には各種のタイプがあ
るがその代表的なものとして、被処理基板を真空下にお
いて処理するための真空処理室の内部にプラズマを形成
し、このプラズマによってターゲットをスパッタリング
し、ターゲットから放出されたターゲット原子によって
被処理基板の表面に薄膜を形成するようにした装置があ
る。
るがその代表的なものとして、被処理基板を真空下にお
いて処理するための真空処理室の内部にプラズマを形成
し、このプラズマによってターゲットをスパッタリング
し、ターゲットから放出されたターゲット原子によって
被処理基板の表面に薄膜を形成するようにした装置があ
る。
【０００４】また、プラズマを利用するスパッタリング
装置にもいろいろなタイプのものがあるが、そのうちの
１つに磁場を利用して真空処理室の内部にプラズマを形
成する、ＲＦマグネトロンスパッタと呼ばれるタイプが
ある。さらに、このタイプのスパッタリング装置の中に
は、ターゲット全体をなるべく均等にスパッタリングし
てその損耗を均一化するために、ターゲットの背面側に
設けたマグネットを偏心回転させるようにしたものがあ
る。一般に、マグネットを回転させるタイプのスパッタ
源においては、マグネットを含む回転部分を支承するた
めにステンレス鋼製のベアリングが設けられている。
装置にもいろいろなタイプのものがあるが、そのうちの
１つに磁場を利用して真空処理室の内部にプラズマを形
成する、ＲＦマグネトロンスパッタと呼ばれるタイプが
ある。さらに、このタイプのスパッタリング装置の中に
は、ターゲット全体をなるべく均等にスパッタリングし
てその損耗を均一化するために、ターゲットの背面側に
設けたマグネットを偏心回転させるようにしたものがあ
る。一般に、マグネットを回転させるタイプのスパッタ
源においては、マグネットを含む回転部分を支承するた
めにステンレス鋼製のベアリングが設けられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した従
来のスパッタリング装置、例えばＲＦマグネトロンスパ
ッタリング装置においては、アース側に高電圧がかかる
ために、マグネットを含む回転部分を支承しているステ
ンレス鋼製のベアリングを介して、このベアリングが取
り付けられている金属製の静止構造物に電流が流れる。
一例を挙げると、ターゲットの前方にプラズマが発生し
ている場合、マグネット側には２０００Ｖ近くの電圧が
かかり、これにより、ベアリングには計算上で３．８Ａ
の電流が流れる。ベアリングに電流が流れるとグリスが
飛んで潤滑性が失われ、ベアリングのボール及び内外輪
部分においてスパークを起し、表面が粗くなり、やがて
はかじって回らなくなってしまうという問題がある。
来のスパッタリング装置、例えばＲＦマグネトロンスパ
ッタリング装置においては、アース側に高電圧がかかる
ために、マグネットを含む回転部分を支承しているステ
ンレス鋼製のベアリングを介して、このベアリングが取
り付けられている金属製の静止構造物に電流が流れる。
一例を挙げると、ターゲットの前方にプラズマが発生し
ている場合、マグネット側には２０００Ｖ近くの電圧が
かかり、これにより、ベアリングには計算上で３．８Ａ
の電流が流れる。ベアリングに電流が流れるとグリスが
飛んで潤滑性が失われ、ベアリングのボール及び内外輪
部分においてスパークを起し、表面が粗くなり、やがて
はかじって回らなくなってしまうという問題がある。
【０００６】上記の問題を解決するためには、ベアリン
グを絶縁性の材料、例えばセラミクス材料で形成すれば
良いが、セラミクス材料でベアリングを形成する場合に
はその製造コストが増大してしまうという問題がある。
グを絶縁性の材料、例えばセラミクス材料で形成すれば
良いが、セラミクス材料でベアリングを形成する場合に
はその製造コストが増大してしまうという問題がある。
【０００７】そこで、本発明の目的は、ベアリングに流
れる電流を抑制することができるスパッタリング装置の
スパッタ源を提供することにある。
れる電流を抑制することができるスパッタリング装置の
スパッタ源を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明によるスパッタリング装置のスパッタ源は、
ターゲットの背面側に配置され、回転駆動源によって回
転駆動されるマグネットベースと、前記マグネットベー
スを静止構造物に対して回転可能に支承するベアリング
と、前記マグネットベースに固設され、前記マグネット
ベースと一体に回転駆動されるマグネットと、を備え、
前記ベアリングが取り付けられる部分の前記静止構造物
は絶縁材料によって形成されていることを特徴とする。
に、本発明によるスパッタリング装置のスパッタ源は、
ターゲットの背面側に配置され、回転駆動源によって回
転駆動されるマグネットベースと、前記マグネットベー
スを静止構造物に対して回転可能に支承するベアリング
と、前記マグネットベースに固設され、前記マグネット
ベースと一体に回転駆動されるマグネットと、を備え、
前記ベアリングが取り付けられる部分の前記静止構造物
は絶縁材料によって形成されていることを特徴とする。
【０００９】また、好ましくは、前記絶縁材料はセラミ
クス材料である。
クス材料である。
【００１０】また、好ましくは、前記ベアリングが取り
付けられる部分の前記静止構造物は前記マグネットベー
スと同心に配置された円筒状部材から成る。
付けられる部分の前記静止構造物は前記マグネットベー
スと同心に配置された円筒状部材から成る。
【００１１】また、好ましくは、前記マグネットは、前
記ターゲットに対して偏心して回転駆動される。
記ターゲットに対して偏心して回転駆動される。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態による
スパッタリング装置のスパッタ源について図面を参照し
て説明する。
スパッタリング装置のスパッタ源について図面を参照し
て説明する。
【００１３】図１は、本実施形態によるスパッタ源１を
示した縦断面図であり、このスパッタ源１は、ＲＦマグ
ネトロンスパッタ用のものである。
示した縦断面図であり、このスパッタ源１は、ＲＦマグ
ネトロンスパッタ用のものである。
【００１４】スパッタ源１は、被処理基板が対向して配
置されるターゲット２を備えており、このターゲット２
の背面側には回転出力軸３を有するモータ（回転駆動
源）４が配置されている。モータ４の回転出力軸３はタ
ーゲット２と同心に配置されている。モータ４の回転出
力軸３の先端部には、カップリング部材５を介して円形
のマグネットベース６が固設されている。
置されるターゲット２を備えており、このターゲット２
の背面側には回転出力軸３を有するモータ（回転駆動
源）４が配置されている。モータ４の回転出力軸３はタ
ーゲット２と同心に配置されている。モータ４の回転出
力軸３の先端部には、カップリング部材５を介して円形
のマグネットベース６が固設されている。
【００１５】このマグネットベース６は、アース側の静
止構造物の一部を構成するマグネットベース支持部７に
対して、ステンレス鋼製のベアリング８によって回転可
能に支承されている。マグネットベース支持部７は、マ
グネットベース６と同心に配置された円筒状部材から成
る。
止構造物の一部を構成するマグネットベース支持部７に
対して、ステンレス鋼製のベアリング８によって回転可
能に支承されている。マグネットベース支持部７は、マ
グネットベース６と同心に配置された円筒状部材から成
る。
【００１６】そして、本実施形態によるスパッタ源１に
おいては、静止構造物の一部を構成するマグネットベー
ス支持部７がセラミクス材料によって形成されており、
これにより、ベアリング８は静止構造物に対して絶縁さ
れている。
おいては、静止構造物の一部を構成するマグネットベー
ス支持部７がセラミクス材料によって形成されており、
これにより、ベアリング８は静止構造物に対して絶縁さ
れている。
【００１７】マグネットベース６のターゲット２側の面
には、ＰＥＥＫより成る取付部材１３を介して、モータ
４の回転出力軸３に対して偏心した位置にマグネット９
が固設されている。マグネット９はターゲット２に対し
て偏心して回転駆動され、これにより、ターゲット２の
全面が均等に損耗する。
には、ＰＥＥＫより成る取付部材１３を介して、モータ
４の回転出力軸３に対して偏心した位置にマグネット９
が固設されている。マグネット９はターゲット２に対し
て偏心して回転駆動され、これにより、ターゲット２の
全面が均等に損耗する。
【００１８】マグネットベース６は、好ましくは、マグ
ネット９と共にマグネットベース６が回転した際の回転
バランスを確保するためのつり合いおもり部１０を有し
ている。
ネット９と共にマグネットベース６が回転した際の回転
バランスを確保するためのつり合いおもり部１０を有し
ている。
【００１９】また、好ましくは、マグネットベース６の
背面に離間対向してステンレス鋼より成るプレート部材
１１を設け、プレート部材１１がマグネットベース６の
対向する部分と協働してコンデンサ部１２を構成するよ
うにする。プレート部材１１は、円形のマグネットベー
ス６の周縁形状に合わせて環状に形成することが好まし
い。プレート部材１１と、プレート部材１１に対向する
マグネットベース６の表面との離間距離Ｃは、好ましく
は、１ｍｍから２ｍｍの範囲内である。
背面に離間対向してステンレス鋼より成るプレート部材
１１を設け、プレート部材１１がマグネットベース６の
対向する部分と協働してコンデンサ部１２を構成するよ
うにする。プレート部材１１は、円形のマグネットベー
ス６の周縁形状に合わせて環状に形成することが好まし
い。プレート部材１１と、プレート部材１１に対向する
マグネットベース６の表面との離間距離Ｃは、好ましく
は、１ｍｍから２ｍｍの範囲内である。
【００２０】なお、図１において符号１４はアノード部
を示している。
を示している。
【００２１】上記構成より成る本実施形態においては、
マグネットベース支持部７をセラミクス材料によって形
成し、これによりベアリング８をアース側の静止構造物
に対して絶縁したので、ターゲット２の前方にプラズマ
が形成されてマグネット９側に高電圧（例えば２０００
Ｖ近く）がかかった場合においても、ベアリング８に流
れる電流を抑制することができる。
マグネットベース支持部７をセラミクス材料によって形
成し、これによりベアリング８をアース側の静止構造物
に対して絶縁したので、ターゲット２の前方にプラズマ
が形成されてマグネット９側に高電圧（例えば２０００
Ｖ近く）がかかった場合においても、ベアリング８に流
れる電流を抑制することができる。
【００２２】また、マグネットベース６の背面に離間対
向してプレート部材１１を配置してコンデンサ部１２を
形成することにより、ベアリング８に流れる電流をさら
に抑制することができる。
向してプレート部材１１を配置してコンデンサ部１２を
形成することにより、ベアリング８に流れる電流をさら
に抑制することができる。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたように本発明によるスパッタ
リング装置のスパッタ源によれば、ベアリングが取り付
けられる部分の静止構造物を絶縁材料によって形成し、
これによりベアリングを静止構造物に対して絶縁したの
で、ターゲットの前方にプラズマが形成されてマグネッ
ト側に高電圧がかかった場合においても、ベアリングに
流れる電流を抑制することができる。
リング装置のスパッタ源によれば、ベアリングが取り付
けられる部分の静止構造物を絶縁材料によって形成し、
これによりベアリングを静止構造物に対して絶縁したの
で、ターゲットの前方にプラズマが形成されてマグネッ
ト側に高電圧がかかった場合においても、ベアリングに
流れる電流を抑制することができる。
【図１】本発明の一実施形態によるスパッタリング装置
のスパッタ源を示した縦断面図。
のスパッタ源を示した縦断面図。
１ スパッタ源 ２ ターゲット ３ 回転出力軸 ４ モータ ５ カップリング部材 ６ マグネットベース ７ マグネットベース支持部 ８ ベアリング ９ マグネット １０ つり合いおもり部 １１ プレート部材 １２ コンデンサ部 １３ 取付部材 １４ アノード部
Claims (4)
- 【請求項１】ターゲットの背面側に配置され、回転駆動
源によって回転駆動されるマグネットベースと、 前記マグネットベースを静止構造物に対して回転可能に
支承するベアリングと、 前記マグネットベースに固設され、前記マグネットベー
スと一体に回転駆動されるマグネットと、を備え、 前記ベアリングが取り付けられる部分の前記静止構造物
は絶縁材料によって形成されていることを特徴とするス
パッタリング装置のスパッタ源。 - 【請求項２】前記絶縁材料はセラミクス材料であること
を特徴とする請求項１記載のスパッタリング装置のスパ
ッタ源。 - 【請求項３】前記ベアリングが取り付けられる部分の前
記静止構造物は前記マグネットベースと同心に配置され
た円筒状部材から成ることを特徴とする請求項１又は２
に記載のスパッタリング装置のスパッタ源。 - 【請求項４】前記マグネットは、前記ターゲットに対し
て偏心して回転駆動されることを特徴とする請求項１乃
至３のいずれか一項に記載のスパッタリング装置のスパ
ッタ源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001019992A JP2002220667A (ja) | 2001-01-29 | 2001-01-29 | スパッタリング装置のスパッタ源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001019992A JP2002220667A (ja) | 2001-01-29 | 2001-01-29 | スパッタリング装置のスパッタ源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002220667A true JP2002220667A (ja) | 2002-08-09 |
Family
ID=18885772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001019992A Pending JP2002220667A (ja) | 2001-01-29 | 2001-01-29 | スパッタリング装置のスパッタ源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002220667A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006023257A1 (en) * | 2004-08-17 | 2006-03-02 | Tru Vue, Inc. | Magnetron assembly |
| US7399385B2 (en) | 2001-06-14 | 2008-07-15 | Tru Vue, Inc. | Alternating current rotatable sputter cathode |
-
2001
- 2001-01-29 JP JP2001019992A patent/JP2002220667A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7399385B2 (en) | 2001-06-14 | 2008-07-15 | Tru Vue, Inc. | Alternating current rotatable sputter cathode |
| US7905995B2 (en) | 2001-06-14 | 2011-03-15 | Applied Materials, Inc. | Alternating current rotatable sputter cathode |
| WO2006023257A1 (en) * | 2004-08-17 | 2006-03-02 | Tru Vue, Inc. | Magnetron assembly |
| JP2008510073A (ja) * | 2004-08-17 | 2008-04-03 | トゥルー・ヴー・インコーポレーテッド | マグネトロン組立体 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060525 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081127 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081202 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090327 |