JP2002217447A

JP2002217447A - 半導体受光装置及び半導体受送信システム

Info

Publication number: JP2002217447A
Application number: JP2001007459A
Authority: JP
Inventors: Masaru Numano; 野優沼
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2001-01-16
Filing date: 2001-01-16
Publication date: 2002-08-02

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】電磁波ノイズに強い半導体受光装置及び半導
体受送信システムを提供する。【解決手段】信号としての光及び雑音としての電磁波
を受けて前記光及び前記電磁波に応じた信号電流と雑音
電流の合成電流を出力する複数のフォトダイオードＲ
と、導電性遮光膜で被われて、電磁波に応じた雑音電流
を出力する複数のダミーフォトダイオードＳとを、ほぼ
マトリクス状に且つ第１の方向及びそれとほぼ直交する
第２の方向のそれぞれについて交互に配列する。また、
発光装置からの光及び前記発光装置から又はそれ以外か
らのの雑音としての電磁波を受けて信号電流と雑音電流
の合成電流を出力する複数のフォトダイオードと、導電
性遮光膜で被われて、電磁波のみを受けてこの電磁波に
応じた雑音電流を出力する複数のダミーフォトダイオー
ドとを、ほぼマトリクス状に且つ第１の方向及びそれと
ほぼ直交する第２の方向のそれぞれについて交互に配列
したものとして構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体受光装置及
び半導体受送信システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】受光ＩＣは、フォトダイオード等の受光
素子を入力素子とした半導体受光装置である。この受光
ＩＣにおいては、外部からの電磁波ノイズに対する耐量
が、回路の安定性に大きく係わる。一般的に半導体ＩＣ
においては、このような外部からの電磁波ノイズに対す
る対策として、Ａｌ等の導電性膜で表面一面を被ってシ
ールドする方法が用いられている。しかし、受光ＩＣで
は、光を受けて電流を出力する受光素子を用いている。
このため、この受光素子の表面をＡｌ等の光を遮る物質
で被うことができず、一般的な半導体ＩＣとは異なる特
別の対策が必要である。

【０００３】受光ＩＣは、通常、半導体発光素子すなわ
ちＬＥＤ（ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄ
ｅ）と組み合わせて用いられる。このように受光ＩＣと
ＬＥＤを組み合わせたものとして、例えば、フォトカプ
ラーがある。フォトカプラーは、ＬＥＤと受光ＩＣとを
光学的に結合して１パッケージに組み込んだ半導体受送
信システムであり、回路間を電気的に絶縁した状態で電
気信号を光を用いて伝達する目的で用いられる。

【０００４】このようなＬＥＤと受光ＩＣを組み合わせ
た半導体受送信システムにおいて、特に問題となるの
は、ＬＥＤからの高周波の電磁波ノイズである。特に、
ＬＥＤと受光ＩＣとの間隔が近接している上述のフォト
カプラーでは、この電磁波ノイズは無視できず、大きな
問題となる。

【０００５】従来、受光ＩＣにおいては、このようなＬ
ＥＤからのノイズ対策として、例えば特公平３−１２７
８７１公報や特公平７−１０５５２４公報に示すよう
に、各種のものがあった。その主な例を、以下、図５〜
図７を参照にして説明する。

【０００６】図５は、このノイズ対策の方法を示す図で
ある。図５の受光ＩＣ２１は、フォトダイオードＲと、
これとは別にこれと同一形状で表面がＡｌ導電性膜で遮
光されたダミーフォトダイオードＳとを設けている。こ
こでフォトダイオードＲとダミーフォトダイオードＳ以
外の部分はＡｌ等の導電性膜２２で被ってシールドして
いる。この図５の装置は、ＬＥＤを、フォトダイオード
ＲとダミーフォトダイオードＳの間、例えば、Ａ点を通
り紙面と垂直な方向を通る線上の適当な点に配置して使
用される。

【０００７】この図５の装置では、ＬＥＤとフォトダイ
オードＲとの距離と、ＬＥＤとダミーフォトダイオード
Ｓとの距離と、を等しくし、これにより、ＬＥＤとフォ
トダイオードＲとの寄生容量と、ＬＥＤとダミーフォト
ダイオードＳとの寄生容量と、を等しくすることを狙い
としている。このように寄生容量が等しくなれば、ＬＥ
Ｄからの電磁波ノイズによって発生する雑音電流（同相
雑音信号電流）は、フォトダイオードＲとダミーフォト
ダイオードＳとで同一になる。従って、フォトダイオー
ドＲからの出力電流とダミーフォトダイオードＳからの
出力電流とを差動アンプ等で差し引きすれば、同相雑音
信号除去比（ＣｏｍｍｏｎＭｏｄｅＲｅｊｅｃｔｉｏ
ｎＲａｔｉｏ：ＣＭＲＲ）を高めることができ、その
出力信号に外部電磁波ノイズの影響は現れない。

【０００８】しかし、図５の装置では、電磁波ノイズに
対する対策は不十分であった。なぜなら、実際には、Ｌ
ＥＤを正確にフォトダイオードＲとダミーフォトダイオ
ードＳの間に位置させることは非常に困難であって、あ
る程度のずれが生じるのが避けられないからである。例
えば、図６に示すように、ＬＥＤがＡ点を通る線上のＢ
点から、Ｂ’点にずれると、Ｂ’点とフォトダイオード
Ｒの中心Ｄとの距離ｂ１と、Ｂ’点とダミーフォトダイ
オードＳの中心Ｄ’との距離ｂ２と、は等しく無くなっ
てしまう。すると、ＬＥＤとフォトダイオードＲとの寄
生容量と、ＬＥＤとダミーフォトダイオードＳとの寄生
容量と、が異なってしまう。このため、ＬＥＤからの電
磁波ノイズによって発生する雑音電流がフォトダイオー
ドＲとダミーフォトダイオードＳとで異なってしまう。
このように、ＬＥＤがＢ点からＢ’点にずれると、電磁
波ノイズを除去できなくなる。しかも、電磁波ノイズの
影響は、ＬＥＤと受光ＩＣとの距離が近くなるに従って
さらに大きくなる。例えば、図６でＬＥＤがＣ点から
Ｃ’点にずれると、Ｂ点からＢ’点にずれた場合と比べ
て、ずれの影響が大きくなる。

【０００９】そこで、このようなＬＥＤのずれの問題を
解決する方法として、図７のように、フォトダイオード
ＲｘとダミーフォトダイオードＳｘとを点対称に配置す
る方法が提案されていた（ｘ＝１、２、３、４）。この
方法は、ＬＥＤがＥ点上からＦ点上にずれたような場合
でも、電流ノイズの影響の増加を是正できるようにしよ
うとしたものである。このことは、ＬＥＤとフォトダイ
オードＲｘとの寄生容量、およびＬＥＤとダミーフォト
ダイオードＳｘとの寄生容量、を考えると理解できる。
すなわちＬＥＤがＦ点上にある場合、ＬＥＤを点光源と
考えると、上述の寄生容量が等しくなる点を結んだ線、
すなわち寄生容量の等高線の１本は２３のようになる。
この等高線２３では、容易に分かるように、フォトダイ
オードＲｘ上にある線の長さと、ダミーフォトダイオー
ドＳｘ上にある線の長さは同じである。従って、ＬＥＤ
からの電磁波ノイズによって、フォトダイオードＲｘか
ら出力される電流の合計と、ダミーフォトダイオードＳ
ｘから出力される電流の合計は等しくなる。よって、こ
の場合は、ＬＥＤからの電磁波ノイズが除去できること
になる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかし、本発明者の試
作・評価の結果からは、フォトダイオードＲｘとダミー
フォトダイオードＳｘを点対称に配置した従来の受光Ｉ
Ｃ（図７）によっても、電磁波ノイズの除去が不十分で
あることが判明した。この理由は、以下のように解析さ
れる。

【００１１】まず、図７の受光ＩＣは、ＬＥＤがＥ点か
らＧ点にずれたような場合は、電磁波ノイズの除去が十
分にできない。すなわち、前述のように寄生容量の等高
線を考えると、ＬＥＤがＧ点上にある場合には、寄生容
量の等高線の１本は２４のようになり、フォトダイオー
ドＲｘ上にある線の長さと、ダミーフォトダイオードＳ
ｘ上にある線の長さは異なってしまう。従って、この場
合は、ＬＥＤからの電磁波ノイズが十分に除去できな
い。このように、図７の装置では、ＬＥＤが特定の方向
にずれた場合にはノイズが十分に除去できないという事
態が生じる。

【００１２】次に、図７の受光ＩＣでは、ＬＥＤからの
電磁波ノイズが点対称の分布であることを前提にしてい
たが（等高線２３、２４）、本発明者の実験によれば、
ＬＥＤからの電磁波ノイズは必ずしも点対称ではないこ
とが判明している。すなわち、本発明者の実験によれ
ば、ＬＥＤからの電磁波ノイズは、光を放出する発光チ
ップだけから発生するのではなく、発光チップ周辺のワ
イヤーやフレームからも発生していることが分かってお
り、これらからの電磁波ノイズの分布は点対称ではない
ことが判明している。このため、図７で示した等高線
は、実際には、ゆがんでいる。よって、図７の受光ＩＣ
では、ＬＥＤがＦ点上にずれた場合でも、実際には、Ｌ
ＥＤからの電磁波ノイズの影響を十分に除去できていな
い。

【００１３】本発明は、かかる課題の認識に基づいてな
されたものである。すなわち、本発明の目的は、電磁波
ノイズに強い半導体受光装置及び半導体受送信システム
を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体受光装置
は、光を受けてその光に応じた電流を出力信号として出
力する半導体受光装置であって、信号としての光及び雑
音としての電磁波を受けて前記光及び前記電磁波に応じ
た信号電流と雑音電流の合成電流を出力する複数のフォ
トダイオードと、導電性遮光膜で被われて、前記光は遮
光され前記電磁波のみを受けてこの電磁波に応じた雑音
電流を出力する複数のダミーフォトダイオードとを、前
記半導体受光装置における受光面にほぼマトリクス状に
且つ第１の方向及びそれとほぼ直交する第２の方向のそ
れぞれについて交互に配列したことを特徴とする。

【００１５】また、本発明の半導体受送信システムは、
光信号を射出する発光装置と、この発光素子からの前記
光信号を受けてこれを電流信号に変換する半導体受光装
置と、を備える光送受信システムであって、前記半導体
受光装置は、前記発光装置からの光及び前記発光装置か
ら又はそれ以外からのの雑音としての電磁波を受けて前
記光及び前記電磁波に応じた信号電流と雑音電流の合成
電流を出力する複数のフォトダイオードと、導電性遮光
膜で被われて、前記光は遮光され前記電磁波のみを受け
てこの電磁波に応じた雑音電流を出力する複数のダミー
フォトダイオードとを、前記半導体受光装置における受
光面にほぼマトリクス状に且つ第１の方向及びそれとほ
ぼ直交する第２の方向のそれぞれについて交互に配列し
たものとして構成されることを特徴とする。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照にしつつ、本発
明の実施の形態について説明する。本実施形態の受光Ｉ
Ｃ（半導体受光装置）及び半導体受送信システムは、受
光ＩＣの受光面に、複数の小さいフォトダイオードと、
複数の小さいダミーフォトダイオードと、を交互に近接
してマトリクス状に配置したことを特徴の１つとする。
これは、電磁波ノイズによりフォトダイオードから発生
する雑音電流と、電磁波ノイズによりダミーフォトダイ
オードから発生する雑音電流とをほぼ等しくして、これ
らの差を演算して出力することにより、電磁波ノイズの
影響が少なくなるようにしたものである。

【００１７】以下、まず、第１の実施の形態では、フォ
トダイオード、ダミーフォトダイオードの受光面を同一
形状の四角形にして、交互に近接して市松模様に配置し
た受光ＩＣについて説明する。次に、第２の実施の形態
では、フォトダイオード、ダミーフォトダイオードの受
光面を同一形状の三角形にした受光ＩＣについて説明す
る。

【００１８】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態の受光ＩＣの受光面を示す図である。３
２個のフォトダイオードＲ（ｉ）と、３２個のダミーフ
ォトダイオードＳ（ｉ）とは受光ＩＣの受光面を構成し
ている（ｉ＝１、２、３、…、３２）。フォトダイオー
ドＲ（ｉ）とダミーフォトダイオードＳ（ｉ）は同一形
状で、その受光面は、図１に示すように、同一形状の正
方形である。これらは、図１に示すように、マトリクス
状に、且つ、交互に、近接して、市松模様に配置され、
フォトダイオードＲ（ｉ）の隣には、ダミーフォトダイ
オードＳ（ｉ）がくるように配置されている。つまり、
フォトダイオードＲ（ｉ）とダミーフォトダイオードＳ
（ｉ）は、第１の方向及びそれとほぼ直交する第２の方
向のそれぞれについて交互に配列されている。そして、
図１に示すように、フォトダイオードＲ（ｉ）とダミー
フォトダイオードＳ（ｉ）の隙間１１がなるべく狭くな
るように配置されている。これらのフォトダイオードＲ
（ｉ）とダミーフォトダイオードＳ（ｉ）の大きさは、
図５、図７と比較すれば分かるように、小さく構成され
ている。

【００１９】ここで、上述のダミーフォトダイオードＳ
（ｉ）の受光面は、Ａｌ導電性膜で遮光されている。そ
して、このＡｌ導電性膜はアノードに配線されている。
なお、以下では、ダミーフォトダイオードＳ（ｉ）に
は、このＡｌ導電性膜およびそれに配線されたアノード
も含まれるものとして説明する。

【００２０】図１の受光ＩＣは、例えば、Ｈ点を通り紙
面と垂直な線上の所定の点に配置されたＬＥＤの光を受
光するものとして使用される。このＬＥＤからの光は、
３２個のフォトダイオードＲ（ｉ）で受光される。そし
てＬＥＤからの光が受光されると、それぞれのフォトダ
イオードＲ（ｉ）から信号電流が発生する。これらの３
２個のフォトダイオードＲ（ｉ）は、電気的に並列に接
続されており、それぞれの信号電流はまとめて回路部に
伝達される。なお、表面がＡｌ遮光膜で被われたダミー
フォトダイオードＳ（ｉ）では、光は受光されず、信号
電流も発生しない。

【００２１】上述のＬＥＤからは、対象とする光の他
に、高周波の電磁波ノイズも生し、それぞれのフォトダ
イオードＲ（ｉ）から、ＬＥＤとの寄生容量により、雑
音電流が出力される。なお、ＬＥＤからは低周波の電磁
波ノイズも発生するが、雑音電流の原因となるのは、主
に、高周波の電磁波ノイズである。そして、この高周波
の電磁波ノイズが発生した場合には、光の場合と異な
り、それぞれのダミーフォトダイオードＳ（ｉ）から
も、ＬＥＤとの寄生容量により、雑音電流が出力され
る。ここでこの雑音電流は、主に、ダミーフォトダイオ
ードＳ（ｉ）のＡｌ遮光膜部分から出力される。なぜな
ら、高周波の電磁波ノイズはＡｌ膜によりひろわれやす
い性質を有するからである。そして、３２個のダミーフ
ォトダイオードＳ（ｉ）も、フォトダイオードと同様
に、並列に接続されており、それぞれの雑音電流はまと
めて回路部に伝達される。なお、上述の電磁波ノイズが
ＬＥＤ以外からのものであっても、同様に考えることが
できる。

【００２２】このようにして、ＬＥＤからの光や電磁波
ノイズによって発生した電流は、受光ＩＣの回路部に伝
達され、演算される。次に、この回路部について説明す
る。

【００２３】図２は、この受光ＩＣの回路部を説明する
ための図である。図中ＬはＬＥＤを表している。このＬ
ＥＤからの光によってフォトダイオードＲ（ｉ）から出
力される信号電流と、このＬＥＤとフォトダイオードＲ
（ｉ）との寄生容量Ｃ_ＲによってフォトダイオードＲ
（ｉ）ら出力される雑音電流と、の合成電流は、まとめ
て、第１アンプ１に入力される。同様に、このＬＥＤと
ダミーフォトダイオードＳ（ｉ）との寄生容量Ｃ_Ｓによ
ってダミーフォトダイオードＳ（ｉ）から出力される雑
音電流は、まとめて、第２アンプ２に入力される。な
お、ここでも、ダミーフォトダイオードＳ（ｉ）には、
Ａｌ導電性膜およびそれに配線されたアノードＳ’
（ｉ）も含まれるとものとして説明している。

【００２４】これらの第１アンプ１、第２アンプ２は、
同一のゲインである。そして、第１アンプ１、第２アン
プ２は、同相除去比の大きい差動アンプであるオペアン
プ３に接続される。このオペアンプ３は、２つの入力信
号の差を演算して出力信号４を出力する働きをする。例
えば、第１アンプ１と第２アンプ２からの信号が等しけ
れば、オペアンプ３の出力信号４はゼロになる。従っ
て、電磁波ノイズによる雑音電流がフォトダイオードＲ
（ｉ）とダミーフォトダイオードＳ（ｉ）とで同じ量だ
け発生すると、これらの電流がそれぞれ第１アンプ１、
第２アンプ２で増幅され、作動アンプで相殺されるの
で、電磁波ノイズの影響がなくなる。

【００２５】以上説明した図１の受光ＩＣは、電磁波ノ
イズの影響を極力抑制することが可能である。そして、
図１の受光ＩＣは、ＬＥＤを受光ＩＣから近い位置に設
置した場合、例えばフォトカプラーの場合に、特に顕著
にこの効果を得ることができる。以下、図３を用いてこ
れを説明する。

【００２６】図３は、図１の受光ＩＣとＬＥＤとを組み
合わせた光受送信システムにおける寄生容量の等高線を
示す図である。寄生容量の等高線は、図３に示すよう
に、同心円状の点対称の形状ではなく、ゆがんだ形状と
なる。これは、前述のように、ＬＥＤからの電磁波ノイ
ズは光を放出する発光チップだけから発生するのではな
く、発光チップ周辺のワイヤーやフレームからも発生し
ており、電磁波ノイズの分布が点対称にならないからで
ある。

【００２７】このゆがんだ形状の等高線においても、本
実施形態の受光ＩＣでは、フォトダイオードＲ（ｉ）上
の等高線の長さと、ダミーフォトダイオードＳ（ｉ）上
の等高線との長さがほぼ同じになる。なぜならば、フォ
トダイオードＲ（ｉ）の隣に必ずダミーフォトダイオー
ドＳ（ｉ）がくるように配置されており、フォトダイオ
ードＲ（ｉ）とダミーフォトダイオードＳ（ｉ）の受光
面の形状が同じで、フォトダイオードＲ（ｉ）とダミー
フォトダイオードＳ（ｉ）の数が同じだからである。ま
た、ここで重要なのは、図３のように、フォトダイオー
ドＲ（ｉ）とダミーフォトダイオードＳ（ｉ）の大きさ
を小さくし、多数のフォトダイオードＲ（ｉ）とダミー
フォトダイオードＳ（ｉ）を設け、かつ、フォトダイオ
ードＲ（ｉ）とダミーフォトダイオードＳ（ｉ）の隙間
１１を狭くしていることである。このようにすることに
より、各等高線において、近似的に、フォトダイオード
Ｒ（ｉ）上とダミーフォトダイオードＳ（ｉ）上の等高
線の長さを等しくすることができる。このことは、例え
ば、等高線１２が通るフォトダイオードＲ（ｉ）とダミ
ーフォトダイオードＳ（ｉ）の長さがほぼ等しくなるこ
とから理解できる。従って、図３の装置では、電磁波ノ
イズによりフォトダイオードＲ（ｉ）から発生する出力
電流の合計と、ダミーフォトダイオードＳ（ｉ）から発
生する出力電流の合計と、がほぼ等しくなる。そして、
これらを図２で説明したように作動アンプ３に入力すれ
ば、ＬＥＤからの電磁波ノイズの影響を減少させること
ができる。

【００２８】そして、上述のような等高線のゆがみは、
ＬＥＤを受光ＩＣから近い位置に設置した場合、例えば
フォトカプラーの場合に、特に大きくなる。従って、本
実施形態の受光ＩＣでは、フォトカプラーのようにＬＥ
Ｄを受光ＩＣから近い位置に設置した場合に、特に顕著
に電磁波ノイズの影響を低減する効果を得ることができ
る。

【００２９】従来の受光ＩＣでは、寄生容量の等高線が
点対称になることを前提にして、ダイオードとフォトダ
イオードを点対称に配置していた。しかし、実際には、
図３に示すように、寄生容量の等高線は点対称にならな
いので、ＬＥＤからのノイズを十分除去できなかった。
これに対し、本実施形態の受光ＩＣでは、本発明者の実
験に基づき、寄生容量の等高線が点対称になららないこ
とを考慮して、ダイオード部とフォトダイオードを交互
に近接してマトリクス状に配置したので、ＬＥＤからの
電磁波ノイズに強い受光ＩＣを提供できるようになっ
た。

【００３０】（第２の実施の形態）第２の実施の形態
は、図４に示すように、フォトダイオードｒ（ｊ）、ダ
ミーフォトダイオードｓ（ｊ）の受光面を同一形状の三
角形にした受光ＩＣである（ｊ＝１、２、３、…、６
４）。

【００３１】第２の実施の形態においても、フォトダイ
オードｒ（ｊ）の隣には、ダミーフォトダイオードｓ
（ｊ）がくるように配置されている。そして、図４から
分かるように、フォトダイオードｒ（ｊ）とダミーフォ
トダイオードｓ（ｊ）の隙間が狭くなるように配置され
ている。また、フォトダイオードｒ（ｊ）とダミーフォ
トダイオードｓ（ｊ）は同一形状で、その受光面は、図
４に示すように、同一形状の三角形である。ここで、フ
ォトダイオードｒ（ｊ）とダミーフォトダイオードｓ
（ｊ）の数は６４個ずつである。これらのフォトダイオ
ードｒ（ｊ）とダミーフォトダイオードｓ（ｊ）の大き
さは図５、図７と比較すれば分かるように、小さく構成
されている。

【００３２】また、受光ＩＣの回路部は、第１の実施の
形態（図２）と同様である。

【００３３】第２の実施の形態のように、フォトダイオ
ードｒ（ｊ）、ダミーフォトダイオードｓ（ｊ）を三角
形の形状にし、これらで平面を埋め尽くす形状にして
も、第１の実施の形態と同様に、ＬＥＤからの電磁波ノ
イズの影響を減らすことができる。

【００３４】以上説明した、第１、第２の実施の形態で
は、フォトダイオード、ダミーフォトダイオードを四角
形の形状にした場合と三角形の形状にした場合について
説明したが、六角形、八角形等、平面を埋め尽くす形状
であれば、他の形状にすることも可能である

【００３５】

【発明の効果】本発明の半導体受光装置及び半導体受送
信システムによれば、半導体受光装置の受光面に、複数
の小さいフォトダイオードと、複数の小さいダミーフォ
トダイオードと、を交互に近接してマトリクス状に配置
したので、電磁波ノイズによりフォトダイオードから出
力される雑音電流と、電磁波ノイズによりダミーフォト
ダイオードから出力される雑音電流とがほぼ等しくな
り、これらの差を演算して出力することで、電磁波ノイ
ズの影響を少なくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係わる受光ＩＣの
受光面を示す図。

【図２】本発明の第１の実施の形態に係わる受光ＩＣの
回路部を説明するための図。

【図３】本発明の第１の実施の形態に係わる受光ＩＣと
ＬＥＤとを組み合わせた光送受信システムにおける寄生
容量の等高線を示す図。

【図４】本発明の第２の実施の形態に係わる受光ＩＣの
受光面を示す図。

【図５】従来の受光ＩＣを示す図。

【図６】従来の受光ＩＣにおける、ＬＥＤからの電磁波
ノイズを説明するための図。

【図７】従来の受光ＩＣを示す図。

【符号の説明】

Ｒ、Ｒｘ、Ｒ（ｉ）、ｒ（ｊ）フォトダイオードＳ、Ｓｘ、Ｓ（ｉ）、ｓ（ｊ）ダミーフォトダイオ
ードＬＬＥＤ（半導体発光素子）３差動アンプ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光を受けてその光に応じた電流を出力信号
として出力する半導体受光装置であって、信号としての光及び雑音としての電磁波を受けて前記光
及び前記電磁波に応じた信号電流と雑音電流の合成電流
を出力する複数のフォトダイオードと、導電性遮光膜で被われて、前記光は遮光され前記電磁波
のみを受けてこの電磁波に応じた雑音電流を出力する複
数のダミーフォトダイオードとを、前記半導体受光装置における受光面にほぼマトリクス状
に且つ第１の方向及びそれとほぼ直交する第２の方向の
それぞれについて交互に配列したことを特徴とする半導
体受光装置。
【請求項２】前記フォトダイオードの受光面と前記ダミ
ーフォトダイオードの受光面とが同一の形状に構成され
ていることを特徴とする請求項１に記載の半導体受光装
置。
【請求項３】前記複数のフォトダイオードから出力され
る合成電流を加算した第１の合成値と、前記複数のダミ
ーフォトダイオードから出力される雑音信号を加算した
第２の合成値と、の演算により、前記第１の合成値から
前記雑音電流を除去した信号電流の合成電流を出力する
演算回路をさらに備えることを特徴とす請求項１または
請求項２に記載の半導体受光装置。
【請求項４】光信号を射出する発光装置と、この発光素
子からの前記光信号を受けてこれを電流信号に変換する
半導体受光装置と、を備える光送受信システムであっ
て、前記半導体受光装置は、前記発光装置からの光及び
前記発光装置から又はそれ以外からのの雑音としての電
磁波を受けて前記光及び前記電磁波に応じた信号電流と
雑音電流の合成電流を出力する複数のフォトダイオード
と、導電性遮光膜で被われて、前記光は遮光され前記電
磁波のみを受けてこの電磁波に応じた雑音電流を出力す
る複数のダミーフォトダイオードとを、前記半導体受光
装置における受光面にほぼマトリクス状に且つ第１の方
向及びそれとほぼ直交する第２の方向のそれぞれについ
て交互に配列したものとして構成されることを特徴とす
る半導体受送信システム。