JP2002217279A - 電子部品処理用器材及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 寸法精度がよく、その寸法精度が温
度の影響を受け難く、軽く、耐薬品性に優れ、さらに、
有機物等が溶出しにくい電気部品製造用部材、及びその
製造方法を提供する。 【解決手段】 導体、液晶表示素子などの製造にお
いてシリコンウェハやガラス基板などの流通、運搬、現
像・エッチングなどの各種薬品処理、脱脂・水洗などの
処理する際に用いられるキャリア、パイプ、チューブ、
タンクなど、電子部品をプリント配線板やハイブリッド
ＩＣに自動で実装する際に電子部品を配列供給するため
のＩＣトレー、キャリアーテープ、それらに保持された
電子部品の保護用セパレーション・フィルムなど電子部
品処理用器材を、耐熱性、耐薬品性、有機物低溶出性な
どに優れた１８．６ｋｇｆ／ｃｍ ^２ の荷重撓み温度で７
０℃以上の熱可塑性飽和ノルボルネン系樹脂を用いて、
製造する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品処理用器
材に関し、さらに詳しくは半導体、液晶表示素子などの
電子部品の製造においてシリコンウェハやガラス基板な
どの流通、運搬、現像・エッチングなどの各種薬品処
理、脱脂・水洗などの処理する際に用いられるキャリ
ア、パイプ、チューブ、タンクなど、電子部品をプリン
ト配線板やハイブリッドＩＣに自動で実装する際に電子
部品を配列供給するためのＩＣトレー、キャリアーテー
プ、それらに保持された電子部品の保護用セパレーショ
ン・フィルムなどに関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩなどの高集積半導体は、シ
リコンウェハ上に電気絶縁層、配線材料層、層間絶縁層
などの積層、不要な層の剥離、接着性改良助剤やフォト
レジストなどの薬品の塗布、薬品の除去・洗浄、露光、
現像、エッチングにより微細画像を焼きつけ、不純物の
拡散など、複雑な工程を経て製造される。これらの各工
程毎に、工程に応じた薬品の塗布、薬品への浸漬、加熱
などの処理を行う。また、微細画像のもととなるガラス
マスクやレチクルも、ガラス基板上をフォトリソグラフ
ィ法により加工して製造されるが、同様の処理が行われ
る。

【０００３】ウェハやガラス基板は、通常キャリアと呼
ばれるカセットに一定枚数毎に収納されて流通し、その
まま各工程間、各処理間を移動する。各処理において、
ウェハやガラス基板は、枚葉処理、すなわち、一枚一枚
別々に処理されることもあるが、通常、効率をよくする
ため、バッチ処理、すなわち、まとめて処理されること
が多い。例えば、現在、レジストの塗布・露光処理はバ
ッチ処理が不可能なため枚葉処理が行われ、現像処理は
枚葉処理、バッチ処理の両方が行われているが、洗浄処
理はバッチ処理で行われることが多い。バッチ処理を行
う場合は、キャリアに収納されたまま処理される。

【０００４】したがって、半導体製造用キャリアは、半
導体製造用装置の規格にあった形状であり、枚葉処理を
する際のウェハやガラス基板の出し入れが自在であるこ
と、出し入れ時に異物の付着やキズの発生がないこと、
加熱処理や薬品処理に耐えることが要求される。加熱処
理の温度は、目的とする各処理によって異なるため、キ
ャリアの材質の耐熱温度が高いほど、キャリアの使用可
能な処理が多くなり好ましい。例えば、酸やアルカリに
よる洗浄などでは、５０〜７０℃以上に加熱される工程
などがあり、従って、成形品として、１８．６ｋｇｆ／
ｃｍ^２の荷重撓み温度で７０℃以上である。

【０００５】また、バッチ処理では、濃硫酸、希硫酸、
硝酸、リン酸、フッ硝酸、バッファード・フッ酸、塩酸
などの酸類；過酸化水素水；テトラメチルアンモニウム
ハイドロオキサイド（ＴＭＡＨＯ）水溶液、コリン水溶
液、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、
アンモニア水；などのアルカリ水溶液；ヘキサメチルジ
シラザン、アセトン、イソプロピルアルコール、エトキ
シエチルアセテート、セロソルブ類、トリクロロエチレ
ンなどの有機溶媒；超純水と呼ばれる精製し除菌した水
などが用いられる。キャリアの材質がこれらの薬品の出
来るだけ多くに対して耐性があるほど、キャリアの使用
可能な処理が多くなり好ましい。

【０００６】キャリアは使用することにより、レジスト
のカス、ゴミや異物などの汚染物が付着し、これらの除
去が困難であるため、適宜更新して使用する。そのた
め、生産性がよく、生産コストが安いものが好ましい。
さらに、汚染物の付着や、現像処理、エッチング処理、
洗浄処理などの終了などが確認しやすいように、透明で
あることが好ましい。

【０００７】半導体製造用キャリアの材質としては、従
来、真鍮などの金属、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリテ
トラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）やペルフルオロアル
コキシフッ素樹脂（ＰＦＡ）などのフッ素樹脂が用いら
れている。このうち、金属製のキャリアは寸法精度や耐
熱性に優れるものの重い、酸への耐性がない、ウェハや
ガラス基板の出し入れ時も擦れのために微少な削れやカ
スが発生する、不透明であるという問題がある。さら
に、金属製キャリアは別々に加工した部品を組み立てる
ために生産性が悪く、高価となるため、現在では殆ど使
用されていない。

【０００８】現在、熱可塑性樹脂製のキャリアが主流で
あり、ＰＰ、ＰＴＦＥ、ＰＦＡが主に用いられている
が、これらの樹脂はいずれも上記の半導体製造用薬品の
多くに耐性があり、吸水性が０．０２％程度以下と低
く、水をはじくため水切れが良いなどの理由で使用され
ている。

【０００９】ＰＰは射出成形による量産が可能であり、
使い捨てによる利用が可能で、比重も０．９程度と軽
い。しかし、不透明であるほかに、射出成形時の収縮が
１．２〜２％とやや大きく寸法精度が悪い、１８．６ｋ
ｇｆ／ｃｍ^２の荷重撓み温度で５０〜６５℃程度と耐熱
性が悪い、線膨張係数が１０〜１８×１０^−５／℃と大
きく、温度変化にともなう寸法変化が大きいという欠点
がある。このため、キャリアからウェハやガラス基板を
一括して移し替える作業の際に、それぞれ所定の位置に
入らずに重なったりするなどの問題があった。

【００１０】ＰＴＦＥは耐熱性が２００℃以上と高く、
滑り摩擦も小さく好適な材料である。しかし、射出成形
ができないため、圧縮成形による粗成形品を削りだし加
工により成形されている。このため、量産が困難であ
り、価格的に問題がある。また、比重も２以上と高く、
削り出し加工に耐えるようにある程度の厚みが必要であ
るため、キャリアはかなり重くなる。さらに、線膨張係
数が１１〜１３×１０^{− ５}／℃と大きく、温度変化にと
もなう寸法変化が大きい。また、不透明である。

【００１１】ＰＦＡは射出成形が可能であり、耐熱性も
２００℃以上と高い。しかし、透明性が不十分であり、
成形時の収縮が４〜５％と非常に大きく、また、線膨張
係数も１２×１０^−５／℃程度と大きく寸法精度の良い
精密な成形品が得られ難いという難点があり、また、樹
脂材料の合成が困難であり大量生産には適さず、価格的
に問題があった。

【００１２】また、前述の工程、処理、移動等の間に、
キャリアから微量な有機物等が溶出すると、精度の高い
製品を製造できないため、キャリアの材質としては、そ
のような有機物等の溶出の少ない樹脂等を選択する必要
がある。

【００１３】これらは、キャリアのみの問題ではなく、
前述の工程、処理、移動を行うために用いられるパイ
プ、バルブ、チューブ、タンク等についても、耐薬品
性、耐熱性、有機物低溶出性（薬液や超純水等を用いる
場合に微少なゴミや極微量の有機物が溶出しにくいこ
と）などが必要である。

【００１４】ＩＣ製造用の配管材としては、有機物溶出
量が比較的少ないポリビニリデンフルオリドやポリエー
テルエーテルケトンが使用されているが、有機物低抽出
性が不十分であり、より有機物低溶出性の配管材が求め
られていた。

【００１５】また、電子部品をプリント配線板やハイブ
リッドＩＣに実装する際に電子部品を配列供給するため
のＩＣトレー、キャリアーテープは成形での高い寸法制
度、低吸湿性、低帯電性、電子部品を保持した状態での
加熱乾燥のための耐熱性などが要求される。

【００１６】このような用途にも、主にポリスチレン、
硬質塩化ビニルなどが使用されているが、加熱により変
形するという問題があった。また、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリブチレンテレフタレートなどの結晶性ポ
リマーも検討されたが、加熱により反りが発生するとい
う問題があった。

【００１７】一方、熱可塑性ノルボルネン軽樹脂は、射
出成形が可能であり量産に適し、耐熱性、耐湿性、耐薬
品性、透明性などに優れた樹脂として注目されている。
しかし、有機溶剤等に対する耐薬品性に優れていること
は知られていたが、半導体製造用等の強酸、強アルカリ
等の薬品にどの程度の耐性があるか、また、他の樹脂と
比較して、有機物の溶出量がどの程度であるかは知られ
ていなかった。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、鋭意研
究の結果、熱可塑性ノルボルネン系樹脂が、各種の強
酸、強アルカリ等に耐性があり、また、樹脂中の有機物
が抽出されにくいために電子部品処理用器材の材料とし
て優れていることを見いだし、本発明を完成するに到っ
た。

【００１９】

【課題を解決するための手段】かくして本発明によれ
ば、電子部品、その製造中間体、またはその製造工程の
処理液と接触する器材であり、その接触面が１８．６ｋ
ｇｆ／ｃｍ ^２ の荷重撓み温度で７０℃以上の熱可塑性飽
和ノルボルネン系樹脂で形成されていることを特徴とす
る電子部品処理用器材及びその製造方法が提供される。

【００２０】

【発明の実施の形態】（熱可塑性ノルボルネン系樹脂）
熱可塑性ノルボルネン系樹脂は、特開平３−１４８８２
号や特開平３−１２２１３７号などで公知の樹脂であ
り、具体的には、ノルボルネン系単量体の開環重合体水
素添加物、ノルボルネン系単量体の付加型重合体、ノル
ボルネン系単量体とオレフィンの付加型重合体、これら
の重合体や重合体水素添加物の変性物などが挙げられ
る。

【００２１】ノルボルネン系単量体も、上記公報や特開
平２−２２７４２４号、特開平２−２７６８４２号など
で公知の単量体であって、例えば、ノルボルネン、その
アルキル、アルキリデン、芳香族置換誘導体およびこれ
ら置換または非置換のオレフィンのハロゲン、水酸基、
エステル基、アルコキシ基、シアノ基、アミド基、イミ
ド基、シリル基等の極性基置換体、例えば、２−ノルボ
ルネン、５−メチル−２−ノルボルネン、５，５−ジメ
チル−２−ノルボルネン、５−エチル−２−ノルボルネ
ン、５−ブチル−２−ノルボルネン、５−エチリデン−
２−ノルボルネン、５−メトキシカルボニル−２−ノル
ボルネン、５−シアノ−２−ノルボルネン、５−メチル
−５−メトキシカルボニル−２−ノルボルネン、５−フ
ェニル−２−ノルボルネン、５−フェニル−５−メチル
−２−ノルボルネン等；ノルボルネンに一つ以上のシク
ロペンタジエンが付加した単量体、その上記と同様の誘
導体や置換体、例えば、１，４：５，８−ジメタノ−
１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−２，３−シクロ
ペンタジエノナフタレン、６−メチル−１，４：５，８
−ジメタノ−１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ−オ
クタヒドロナフタレン、１，４：５，１０：６，９−ト
リメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，５ａ，６，９，
９ａ，１０，１０ａ−ドデカヒドロ−２，３−シクロペ
ンタジエノアントラセン等；シクロペンタジエンの多量
体である多環構造の単量体、その上記と同様の誘導体や
置換体、例えば、ジシクロペンタジエン、２，３−ジヒ
ドロジシクロペンタジエン等；シクロペンタジエンとテ
トラヒドロインデン等との付加物、その上記と同様の誘
導体や置換体、例えば、１，４−メタノ−１，４，４
ａ，４ｂ，５，８，８ａ，９ａ−オクタヒドロフルオレ
ン、５，８−メタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，
８ａ−オクタヒドロ−２，３−シクロペンタジエノナフ
タレン等；等が挙げられる。

【００２２】ノルボルネン系単量体の重合は公知の方法
でよく、必要に応じて、他の共重合可能な単量体と共重
合したり、水素添加することにより熱可塑性飽和ノルボ
ルネン系樹脂である熱可塑性ノルボルネン系重合体水素
添加物とすることができる。また、重合体や重合体水素
添加物を特開平３−９５２３５号などで公知の方法によ
り、α，β−不飽和カルボン酸および／またはその誘導
体、スチレン系炭化水素、オレフィン系不飽和結合およ
び加水分解可能な基を持つ有機ケイ素化合物、不飽和エ
ポキシ単量体を用いて変性させてもよい。

【００２３】分子量はトルエン溶媒によるＧＰＣ（ゲル
・パーミエーション・クロマトグラフィ）分析により測
定した数平均分子量Ｄで１〜２０万、重量平均分子量で
２〜６０万が適当であり、好ましくは数平均分子量で２
〜１０万、重量平均分子量で３〜３０万であり、この範
囲よりも分子量が小さい場合には十分な強度が得られな
い、割れやすいなどの不都合があり、この範囲よりも分
子量が大きいと、成形時の流動性が悪くなり成形しにく
い、樹脂の合成時に再現性よくかつ生産性よく合成しに
くいという不都合が生じる。

【００２４】また、耐光劣化性や耐候劣化性、各種薬品
からの分解や着色などの劣化を受けにくいという点から
はオレフィン性不飽和結合を多く含まないことが好まし
く、そのために重合後の構造単位のなかに１つ以上の炭
素−炭素不飽和結合が存在する場合には水素添加するこ
とが好ましく、その場合、通常、水素添加率は９０％以
上、好ましくは９５％以上、より好ましくは９９％以上
である。

【００２５】熱可塑性飽和ノルボルネン系樹脂は、単量
体の選定、分子量、変性反応などによりその特性が変化
する。例えば、半導体製造用キャリア用の成形材料とし
ては、１８．６ｋｇｆ／ｃｍ^２の荷重撓み温度で７０℃
以上のものであり、９０℃以上のものが好ましく、１１
０℃以上のものがより好ましい。この好ましい条件を満
たすためには、通常、ガラス転移温度（以下、Ｔｇとい
う）が９０℃以上、より好ましくは１１０℃以上、特に
好ましくは１３０℃以上である必要がある。上記の分子
量の範囲であれば、Ｔｇを９０℃以上にするためには、
ホモポリマー水素添加物の場合は一般に、シクロペンタ
ジエンの多量体、その誘導体や置換体、シクロペンタジ
エンとテトラヒドロインデン等との付加物、その誘導体
や置換体など、三環体以上の単量体を用い、共重合また
は共重合体水素添加物の場合には一般に、四環体以上の
単量体由来の構造単位を５０％以上、より好ましくは７
０％以上、特に好ましくは９０％以上含むように重合す
るか、重合後に変性してそれと類似の構造にすればよ
い。ただし、射出成形の熱効率のためには、Ｔｇが２０
０℃以下のものが好ましい。

【００２６】半導体製造用キャリア以外の電子部品処理
用器材についても、耐熱性が必要な場合は、上記のよう
にして、必要な耐熱性をもたせることが好ましい。

【００２７】熱可塑性ノルボルネン系樹脂の比重は単量
体の種類などで若干は変化するが、概ね０．９５〜１．
１である。

【００２８】熱可塑性ノルボルネン系樹脂の吸水性は単
量体の種類などによって変わるが、比較的吸水性のよく
ない極性基を有するノルボルネン系単量体のホモポリマ
ー水素添加物の場合で０．３％以下、極性基を含まない
ノルボルネン系単量体のホモポリマーで０．１％以下、
より好ましくは０．０１％以下の吸水率を持った樹脂の
合成が可能である。極性基を含まない単量体を重合した
樹脂は疎水性が高く、水の接触角で５０°以上好ましく
は８０°以上が可能で水を良く弾くため水キレがよく、
半導体製造用キャリアやトレイなどに適している。

【００２９】また、熱可塑性ノルボルネン系樹脂の成形
収縮率は通常０．７〜０．９％、線膨張係数は６〜８×
１０^−５／℃の範囲にあり、さらに透明性を必要としな
い場合には下記のようにフィラーや繊維等を含有させる
ことにより、成形収縮率を０．２％程度、線膨張係数を
２×１０^−５／℃程度にまで下げることも可能であり、
温度変化をともなう工程に用いる電子部品処理用器材の
成形材料として適している。

【００３０】さらに、熱可塑性ノルボルネン系樹脂は、
その重合、水素添加等の処理に由来する有機の不純物を
含有していても、成形後に水やアルコールなどの有機溶
媒等で洗浄して、表面の有機物を除去すれば、以後、有
機物は８０℃の温水中で１日当りの有機物抽出量が有機
炭素量（ＴＯＣ）で、５００μｇ／ｍ^２以下しか溶出せ
ず、溶出量は実際上、問題とならず、接触した物に有機
物を付着させたり、接触した液に微量の有機物を溶出す
ることは実質的にない。

【００３１】熱可塑性ノルボルネン系樹脂には、所望に
より、フェノール系やリン系などの老化防止剤；フェノ
ール系などの熱劣化防止剤；ベンゾフェノン系やヒンダ
ードアミン系などの紫外線安定剤；脂肪族アルコールの
エステル、多価アルコールの部分エステル及び部分エー
テルなどの助剤；などの各種添加剤を添加してもよい。
また、本発明の目的を損なわない範囲で、ポリブタジエ
ン、ポリイソプレン、ＳＢＳ、ＳＩＳ、ＳＥＢＳなどの
ゴム、ポリスチレン、ポリ（メタ）アクリレート、ポリ
カーボネート、ポリエステル、ポリエーテル、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリスルホンなど他の樹脂などを混合
して用いることもできる。さらに、透明性を必要としな
い電子部品処理用器材に用いる場合は、色分けによる識
別や耐熱性や強度等を改良することを目的として、各種
のタルクやチタン白などの鉱物系やその他のフィラー、
繊維、有機系または無機系の顔料などを用いることもで
きる。

【００３２】一般に、電子部品処理用器材は帯電しにく
いものが好ましく、帯電防止効果を有する添加物を添加
することが好ましい。そのような添加物としては、ステ
アリルアルコール、ベヘニルアルコールなどの長鎖アル
キルアルコール、グリセリンモノステアレート、ペンタ
エリスリトールモノステアレートなどの多価アルコール
の脂肪エステルなどの帯電防止剤や炭素繊維、グラファ
イト、無定型炭素、酸化スズ粉、アンチモン含有酸化ス
ズ粉、金属粉などの帯電防止フィラーや繊維などがあ
る。添加量は添加するものによって異なるが、帯電防止
剤は通常０．０１〜１０重量％程度、帯電防止フィラー
は通常１．０〜２０重量％程度添加し、樹脂の表面抵抗
値を１０^１２Ω以下、好ましくは１０^１０Ω以下、より
好ましくは１０^８Ω以下にすることが好ましい。

【００３３】（電子部品処理用器材）本発明にいう電子
部品処理用器材とは、（Ａ）ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体
やハイブリッドＩＣ、液晶表示素子、発光ダイオードな
どの電子部品と接触する器材、（Ｂ）ウェハ、液晶基
板、これらに透明電極層や保護層などを積層したものな
どの製造中間体と接触する器材、及び（Ｃ）電子部品の
製造工程において製造中間体の処理に用いる薬液や超純
水などの処理液と接触する器材をいう。

【００３４】（Ａ）電子部品と接触する器材、（Ｂ）電
子部品の製造中間体と接触する器材としては、例えば、
タンク、トレイ、キャリア、ケース、シッパー等の処理
用、および移送用容器；キャリアテープ、セパレーショ
ン・フィルム等の保護材；などが挙げられる。（Ｃ）処
理液と接触する器材としては、例えば、パイプ、チュー
ブ、バルブ、流量計、フィルター、ポンプ等などの配管
類；サンプリング容器、ボトル、アンプル、バッグなど
の液用容器類；などが挙げられる。

【００３５】本発明の電子部品処理用器材は、電子部
品、製造中間体、処理液と接触し、その接触面が熱可塑
性ノルボルネン系樹脂からなるものである。該接触面が
熱可塑性ノルボルネン系樹脂からなるものであれば、熱
可塑性ノルボルネン系樹脂を成形したものでも、熱可塑
性ノルボルネン系樹脂で表面を溶液塗布や粉体塗装など
の方法によってコートしたものでもよい。例えば、パイ
プなどは、金属製のパイプの内面を熱可塑性ノルボルネ
ン系樹脂でコートすれば強度に優れ、熱可塑性ノルボル
ネン系樹脂を押し出し成形等で成形すれば軽量のパイプ
が得られる。

【００３６】以下、電子部品処理用器材の例として、半
導体製造用キャリアについて説明する。

【００３７】（半導体製造用キャリアの形状）現在一般
に半導体製造に使用されているウェハは、シリコンの単
結晶で、厚みが５００〜１０００μｍ程度、直径は１．
５、２、２．５、３、３．５、４、５、６、８インチな
どの円形の非常に硬い板である。また、現在一般に使用
されている半導体製造用ガラス基板はガラスまたは合成
コルツ製の板であり、厚みが１／８インチまたは２〜８
ｍｍ程度、一辺が４、５、６、７インチなどの方形の非
常に硬い板であり、その表面に微細な電子回路に相当す
るクロム等からなる画像を形成し、これを介してフォト
レジストの表面に画像状露光をするためのレチクルやフ
ォトマスクと呼ばれる板を形成する。

【００３８】本発明の電子部品処理用器材である半導体
製造用キャリアは、ウェハやガラス基板どうしが接触す
ることなく保持、出し入れ可能であり、キャリアに収納
したまま、ウェハやガラス基板の加熱処理や薬品等への
浸漬処理が可能なようになっている必要がある。一般に
は、面どうしが平行な形で、互いに接触することなく収
納でき、面に平行な方向に一枚づつ接触することなく出
し入れが可能になっている。このような構造としては、
一般に、収納された状態で、ウェハやガラス基板と空間
が交互に層状に何層も積み重ねられた構造を、ウェハや
ガラス基板が取り出し方向以外には動かないように枠組
みされており、その枠組みに溝や突起などを設けること
により、ウェハやガラス基板どうしの間に空間を設けて
いる。さらに、加熱処理や薬品等への浸漬処理が効率的
に、またできるだけ均一にできるように、一般に、ウェ
ハやガラス基板の取り出し方向以外の方向からも、ウェ
ハやガラス基板の間の空間に液体等の流入口を開けてい
る。具体的な例としては、特開平２−６３１１２号、特
開平２−１４３５４５号、特開平２−１６１７４５号、
特開平３−９５９５４号などで公知のものや、図１に示
すもの、ＳＥＭＩ規格のなかに規定されたキャリアなど
を挙げることができる。

【００３９】（半導体製造用キャリアの成形方法）半導
体製造用キャリアの様な複雑な形状のものを得るには、
例えば、金属部品を組み立てて製造したものに熱可塑性
ノルボルネン系樹脂をコートする方法などがある。熱可
塑性ノルボルネン系樹脂からのみ成るものを製造する方
法としては、一般的に削り出し加工か射出成形法しかな
く、どちらでもよい。量産性の点からは、熱可塑性ノル
ボルネン系樹脂のみからなるものを射出成形する方法が
好ましい。

【００４０】射出成形する方法としては、ごく一般的な
射出成形機が使用可能で、成形時の樹脂の温度として
は、概ね２００〜３５０℃程度が適当であり、その他の
条件は一般のポリスチレン等と同様の設定で成形でき
る。ポリカーボネート樹脂などで必要な予備乾燥やホッ
パードライヤは用いても良いが特に必要ない。

【００４１】（半導体製造用キャリアの使用方法）本発
明の半導体製造用キャリアは、熱変形温度以下、通常は
Ｔｇ未満、好ましくはＴｇ−１０℃未満、より好ましく
はＴｇ−２０℃未満程度の環境で使用する。特に、ウェ
ハやガラス基板などを収納することなどにより荷重がか
かる場合は、荷重撓み温度未満で使用することが好まし
い。

【００４２】また、バッチ処理で用いられる一般的な化
学薬品は前述の通りであるが、このうち、強酸化性のあ
る硫酸で表面が炭化し、有機溶剤のうち塩素系溶剤であ
るトリクロロレチレン、トリクレンなどに溶解するが、
その他の薬品については耐性があり、本発明の半導体製
造用キャリアの使用できる処理の範囲は広い。

【００４３】

【実施例】以下に参考例、実施例、及び比較例を挙げて
本発明をさらに具体的に説明する。

【００４４】参考例１ ６−メチル−１，４：５，８−
ジメタノ−１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ−オク
タヒドロナフタレンの開環重合体に水素添加反応して得
られた樹脂（数平均分子量２８，０００、水添率ほぼ１
００％、Ｔｇ１４０℃）の１００重量部に対して０．２
重量部のフェノール系老化防止剤ペンタエリスリチル−
テトラキス（３−（３，５−ジ−ターシャリーブチル−
４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート）を０．２重
量部添加し、二軸混練機（東芝機械製、ＴＥＭ−３５）
を用いて、２４０℃で溶融押し出し方によりペレットと
した。

【００４５】参考例２ 参考例１で得たペレットを下記
の条件で射出成形して、厚さ３ｍｍの５０ｍｍ×５０ｍ
ｍの試験片を得た。成形機： 型締め圧 ３５０トン（東
芝機械株式会社ＩＳ−３５０ＦＢ−１９Ａ）樹脂温：
２８０℃ 金型温度：１００℃（固定側）、１００℃
（可動側）

【００４６】この試験片の比重１．０１、１８．６ｋｇ
ｆ／ｃｍ^２の荷重撓み温度１２０℃、成形収縮率０．７
％、線膨張係数７．０×１０^−５／℃、吸水性０．００
７％、水の接触角８９°、波長４００〜７００ｎｍの範
囲で光線透過率は９０％以上であった。

【００４７】この試験片を、濃硫酸、３０％希硫酸、７
０％硝酸、リン酸、フッ硝酸（フッ酸７重量％、硝酸４
２重量％、水５１重量％）、３７％塩酸、３０％過酸化
水素水、水酸化カリウム飽和水溶液、２９％アンモニア
水、アセトン、イソプロピルアルコール、トリクロロエ
チレン、２．３８重量％ＴＭＡＨＯ水溶液、アルミニウ
ム用エッチング液（濃リン酸８０重量％、硝酸５重量
％、氷酢酸５重量％、水１０重量％）に５分間浸漬し
た。

【００４８】トリクロロエチレンに溶解し、濃硫酸では
表面が炭化したが、その他の薬品による影響は認められ
ず、良好な耐薬品性が示された。

【００４９】参考例３ さらに帯電防止フィラーである
カーボンブラック９部を配合する以外は参考例１と同様
にし、さらに、二軸混練機で処理することを４回繰り返
してペレットを得た。

【００５０】実施例１ 参考例１で得たペレットを参考
例２と同じ条件で射出成形して、図１に示す３インチ・
ウェハ用キャリアを得た。

【００５１】このキャリアに、３インチ・ウェハを収納
して、温度７０℃に３０分間放置したが、異常なかっ
た。

【００５２】実施例２ 参考例３で得たペレットを参考
例２と同様の成形条件で射出成形し、厚さ１ｍｍ、直径
１００ｍｍの試験片を得た。

【００５３】この試験片の表面抵抗値は３×１０^６Ωで
あった。

【００５４】さらにこの試験片をオーブン中で１１０
℃、２４時間の乾燥処理を５回繰り返したが、反り、ね
じれなどの外観の変化は認められなかった。

【００５５】比較例１ 図１に示す３インチ・ウェハ
用キャリアをポリプロピレンで成形し、３インチ・ウェ
ハを収納して、温度７０℃に３０分間放置したところ、
変形し、ウェハを保持できず、キャリアを持ち上げる
と、ウェハが落下した。

【００５６】参考例４ 参考例２で得た試験片２０枚を
８０℃に保持した純水５００ｇ中に２４時間浸漬したと
ころ、抽出された有機物は有機炭素量で一日当り１×１
０^２μｇ／ｍ^２であった。

【００５７】その後、同じ試験片を８０℃で再度純水５
００ｇ中に１４４時間浸漬したところ、抽出された有機
炭素量は一日当り測定限界である７μｇ／ｍ^２以下であ
った。

【００５８】比較例２ 参考例２の試験片の代わりに同
形のポリビニリデンフルオリド製の試験片を用いる以外
は参考例４と同様に処理したところ、８０℃、２４時間
の抽出では、有機炭素量で一日当り６．５×１０^３μｇ
／ｍ^２の有機物が抽出され、８０℃、１４４時間の抽出
では、一日当り７．２×１０^２μｇ／ｍ^２であった。

【００５９】実施例３ 参考例１で得たペレットを単軸
押し出し機（田辺プラスチック機械製、ＶＳ４０）を用
いて、樹脂温度２４０℃で、外径２２ｍｍ、内径１６ｍ
ｍのチューブ状に連続的に押し出し、長さ２ｍ毎に切断
して、管材を得た。この管材を切断して、外径２２ｍ
ｍ、内径１６ｍｍ、長さ２ｍのパイプを得た。

【００６０】試験片２０枚の代わりにこのパイプ４本を
用いる以外は参考例４と同様にして、有機物抽出量を測
定した。８０℃、２４時間の抽出では、１日当り１×１
０^２μｇ／ｍ^２の有機物が抽出され、８０℃、１４４時
間の抽出では、一日当り測定限界である７μｇ／ｍ^２以
下であった。

【００６１】

【発明の効果】寸法精度がよく、その寸法精度が温度の
影響を受け難く、軽く、耐薬品性に優れ、さらに、有機
物等が溶出しにくい電気部品製造用部材が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の半導体製造用キャリアの１例であ
り、本発明の実施例で用いた半導体製造用キャリアの説
明図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｌ 45/00 Ｃ０８Ｌ 65/00 65/00 Ｂ６５Ｄ 85/38 Ｄ Ｓ (72)発明者 夏梅 伊男 東京都千代田区丸の内二丁目６番１号 日 本ゼオン株式会社内 Ｆターム(参考） 3E096 BA08 CA06 CA15 EA02 FA07 FA20 4F073 AA05 AA23 AA25 BA06 BA34 BA45 BB05 EA03 EA11 EA13 4J002 BK001 CE001 DA016 DA026 DA066 DE096 EC066 EH056 FA046 FD106 GN00 GQ00 5F031 CA02 CA05 DA01 DA03 EA02 EA03

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子部品、その製造中間体、またはその
   製造工程の処理液と接触する器材であり、その接触面が
   １８．６ｋｇｆ／ｃｍ ^２ の荷重撓み温度で７０℃以上の
   熱可塑性飽和ノルボルネン系樹脂で形成されていること
   を特徴とする電子部品処理用器材。
2. 【請求項２】 熱可塑性ノルボルネン系樹脂が数平均
   分子量１０，０００〜２００，０００のものである請求
   項１記載の電子部品処理用器材。
3. 【請求項３】 熱可塑性ノルボルネン系樹脂が、帯電
   防止剤を添加したものである請求項１、または２記載の
   電子部品処理用器材。
4. 【請求項４】 半導体製造用キャリアである請求項
   １、２、または３記載の電子部品処理用器材。
5. 【請求項５】 熱可塑性飽和ノルボルネン系樹脂を成形
   後、水又は有機溶媒で洗浄する請求項１記載の電子部品
   処理用器材の製造方法。