JP2002210861A - 半導体・電子部品用包装材料 - Google Patents
半導体・電子部品用包装材料Info
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- JP2002210861A JP2002210861A JP2001013228A JP2001013228A JP2002210861A JP 2002210861 A JP2002210861 A JP 2002210861A JP 2001013228 A JP2001013228 A JP 2001013228A JP 2001013228 A JP2001013228 A JP 2001013228A JP 2002210861 A JP2002210861 A JP 2002210861A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】包装された半導体・電子部品のバーコード管理
が出来る透明性を備え、より高いレベルでの静電気障害
防止および異物付着防止が達成でき、しかも、十分な防
湿性と屈曲性を有する半導体・電子部品用包装材料を提
供する。 【解決手段】少なくとも以下に記載の導電性基材（Ａ）
と防湿基材（Ｂ）とを含む積層体から成り、導電性基材
（Ａ）は外側に導電性ポリマー含有薄膜を位置させて最
外層として配置され、しかも、積層体の光線透過率が７
０％以上であることを特徴とする半導体・電子部品用包
装材料。 （Ａ）：透明な基材フイルムの表面にポリチオフェン系
導電性ポリマー含有薄膜が形成され且つ必要に応じて当
該薄膜の表面に保護層が形成され、しかも、導電性ポリ
マー含有薄膜側の表面電気抵抗が１０2〜１０6Ω／Ｓ
Ｑ．である導電性基材。 （Ｂ）：透明な基材フイルムの表面にケイ素酸化物薄膜
が形成され且つ透湿度が０．２５ｇ／ｍ2・２４ｈｒｓ
以下である防湿基材。
が出来る透明性を備え、より高いレベルでの静電気障害
防止および異物付着防止が達成でき、しかも、十分な防
湿性と屈曲性を有する半導体・電子部品用包装材料を提
供する。 【解決手段】少なくとも以下に記載の導電性基材（Ａ）
と防湿基材（Ｂ）とを含む積層体から成り、導電性基材
（Ａ）は外側に導電性ポリマー含有薄膜を位置させて最
外層として配置され、しかも、積層体の光線透過率が７
０％以上であることを特徴とする半導体・電子部品用包
装材料。 （Ａ）：透明な基材フイルムの表面にポリチオフェン系
導電性ポリマー含有薄膜が形成され且つ必要に応じて当
該薄膜の表面に保護層が形成され、しかも、導電性ポリ
マー含有薄膜側の表面電気抵抗が１０2〜１０6Ω／Ｓ
Ｑ．である導電性基材。 （Ｂ）：透明な基材フイルムの表面にケイ素酸化物薄膜
が形成され且つ透湿度が０．２５ｇ／ｍ2・２４ｈｒｓ
以下である防湿基材。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体・電子部品
用包装材料に関する。
用包装材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体・電子部品の分野において
は、導電性基材と防湿基材とを含む積層体から成る包装
材料が使用されている。導電性基材は、静電気障害を防
止すると共に、帯電性を防止して包装材料にゴミやホコ
リ等の異物が付着するのを防止するために使用される。
そして基材フイルムの表面に金属蒸着膜またはカーボン
ブラック若しくはグラフアィトの塗布膜が形成された導
電性基材が使用されている。一方、防湿基材は、包装材
料に水分が侵入することにより、包装された製品に錆が
発生したり性能低下が起こることを防止するために使用
される。そして、基材フイルムの表面にアルミニウム箔
膜またはアルミニウム若しくはニッケルの蒸着膜が形成
された防湿基材が使用されている。
は、導電性基材と防湿基材とを含む積層体から成る包装
材料が使用されている。導電性基材は、静電気障害を防
止すると共に、帯電性を防止して包装材料にゴミやホコ
リ等の異物が付着するのを防止するために使用される。
そして基材フイルムの表面に金属蒸着膜またはカーボン
ブラック若しくはグラフアィトの塗布膜が形成された導
電性基材が使用されている。一方、防湿基材は、包装材
料に水分が侵入することにより、包装された製品に錆が
発生したり性能低下が起こることを防止するために使用
される。そして、基材フイルムの表面にアルミニウム箔
膜またはアルミニウム若しくはニッケルの蒸着膜が形成
された防湿基材が使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
様な層構成の従来の包装材料は、透明性についての配慮
がなされていないため、包装された半導体・電子部品の
外部からの確認が容易ではなく、特に、包装された半導
体・電子部品のバーコード管理に当たり、その読み取り
が出来ないという問題がある。また、従来の包装材料の
導電性は、より高いレベルでの静電気障害防止および異
物付着防止の観点からして必ずしも十分とは言えない。
様な層構成の従来の包装材料は、透明性についての配慮
がなされていないため、包装された半導体・電子部品の
外部からの確認が容易ではなく、特に、包装された半導
体・電子部品のバーコード管理に当たり、その読み取り
が出来ないという問題がある。また、従来の包装材料の
導電性は、より高いレベルでの静電気障害防止および異
物付着防止の観点からして必ずしも十分とは言えない。
【０００４】本発明は、上記実情に鑑みなされたもので
あり、その目的は、包装された半導体・電子部品のバー
コード管理が出来る透明性を備え、より高いレベルでの
静電気障害防止および異物付着防止が達成でき、しか
も、十分な防湿性と屈曲性を有する半導体・電子部品用
包装材料を提供することにある。
あり、その目的は、包装された半導体・電子部品のバー
コード管理が出来る透明性を備え、より高いレベルでの
静電気障害防止および異物付着防止が達成でき、しか
も、十分な防湿性と屈曲性を有する半導体・電子部品用
包装材料を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の要旨
は、少なくとも以下に記載の導電性基材（Ａ）と防湿基
材（Ｂ）とを含む積層体から成り、導電性基材（Ａ）は
外側に導電性ポリマー含有薄膜を位置させて最外層とし
て配置され、しかも、積層体の光線透過率が７０％以上
であることを特徴とする半導体・電子部品用包装材料に
存する。
は、少なくとも以下に記載の導電性基材（Ａ）と防湿基
材（Ｂ）とを含む積層体から成り、導電性基材（Ａ）は
外側に導電性ポリマー含有薄膜を位置させて最外層とし
て配置され、しかも、積層体の光線透過率が７０％以上
であることを特徴とする半導体・電子部品用包装材料に
存する。
【０００６】（Ａ）：透明な基材フイルムの表面にポリ
チオフェン系導電性ポリマー含有薄膜が形成され且つ必
要に応じて当該薄膜の表面に保護層が形成され、しか
も、導電性ポリマー含有薄膜側の表面電気抵抗が１０2
〜１０6Ω／ＳＱ．である導電性基材。
チオフェン系導電性ポリマー含有薄膜が形成され且つ必
要に応じて当該薄膜の表面に保護層が形成され、しか
も、導電性ポリマー含有薄膜側の表面電気抵抗が１０2
〜１０6Ω／ＳＱ．である導電性基材。
【０００７】（Ｂ）：透明な基材フイルムの表面にケイ
素酸化物薄膜が形成され且つ透湿度が０．２５ｇ／ｍ2
・２４ｈｒｓ以下である防湿基材。
素酸化物薄膜が形成され且つ透湿度が０．２５ｇ／ｍ2
・２４ｈｒｓ以下である防湿基材。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の半導体・電子部品用包装材料は、導電性基材
（Ａ）と防湿基材（Ｂ）とを含む積層体から成る。そし
て、本発明の好ましい態様においては、積層体の最内層
にシーラントフイルムが配置され、また、積層体の内部
にポリアミドフイルムが配置される。
本発明の半導体・電子部品用包装材料は、導電性基材
（Ａ）と防湿基材（Ｂ）とを含む積層体から成る。そし
て、本発明の好ましい態様においては、積層体の最内層
にシーラントフイルムが配置され、また、積層体の内部
にポリアミドフイルムが配置される。
【０００９】本発明において、導電性基材（Ａ）として
は、透明な基材フイルムの表面にポリチオフェン系導電
性ポリマー含有薄膜が形成され且つ必要に応じて当該薄
膜の表面に保護層が形成され、しかも、導電性ポリマー
含有薄膜側の表面電気抵抗が１０2〜１０6Ω／ＳＱ．で
ある導電性基材を使用する。
は、透明な基材フイルムの表面にポリチオフェン系導電
性ポリマー含有薄膜が形成され且つ必要に応じて当該薄
膜の表面に保護層が形成され、しかも、導電性ポリマー
含有薄膜側の表面電気抵抗が１０2〜１０6Ω／ＳＱ．で
ある導電性基材を使用する。
【００１０】上記の基材フイルムとしては、特に制限さ
れないが、ポリプロピレン、プロピレン系共重合体、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレー
ト、ポリ塩化ビニール、ポリエチレン等、吸湿性の少な
いプラスチックより成る二軸延伸フイルムが好適に使用
される。これらの中では、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステルフイ
ルムが好適である。基材フイルムの厚さは、通常１〜１
００μｍ、好ましくは５〜５０μｍである。
れないが、ポリプロピレン、プロピレン系共重合体、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレー
ト、ポリ塩化ビニール、ポリエチレン等、吸湿性の少な
いプラスチックより成る二軸延伸フイルムが好適に使用
される。これらの中では、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステルフイ
ルムが好適である。基材フイルムの厚さは、通常１〜１
００μｍ、好ましくは５〜５０μｍである。
【００１１】上記のポリチオフェン系導電性ポリマー含
有薄膜は、通常、塗布膜として構成され、導電性ポリマ
ー溶液を塗布した後に乾燥して得られる。ポリチオフェ
ン系導電性ポリマーは、例えばチオフェンの電解重合に
よって得られる。本発明においては導電性ポリマーとし
て公知のポリチオフェン又はその誘導体を使用すること
が出来る。代表的なポリチオフェン系導電性ポリマーと
しては３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンが挙げ
られる。
有薄膜は、通常、塗布膜として構成され、導電性ポリマ
ー溶液を塗布した後に乾燥して得られる。ポリチオフェ
ン系導電性ポリマーは、例えばチオフェンの電解重合に
よって得られる。本発明においては導電性ポリマーとし
て公知のポリチオフェン又はその誘導体を使用すること
が出来る。代表的なポリチオフェン系導電性ポリマーと
しては３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンが挙げ
られる。
【００１２】ポリチオフェン系導電性ポリマーは、例え
ばポリスチレンスルホネート等の樹脂バインダーに分散
して使用することが出来る。導電性ポリマー溶液（塗布
液）の調製には、ポリチオフェン系導電性ポリマー及び
樹脂バインダーを溶解し得る任意の溶剤が使用される。
代表的な溶剤は、水の他、水と混和性を有するアコール
類、有機アミド類、ケトン類、エーテル類などである。
導電性ポリマー溶液の塗布は、グラビアコーター等の公
知の塗布装置を使用して行われる。そして、ポリチオフ
ェン系導電性ポリマー含有薄膜の厚さ（乾燥厚さ）は、
通常０．０１〜５０μ、好ましくは０．０５〜１０μｍ
である。
ばポリスチレンスルホネート等の樹脂バインダーに分散
して使用することが出来る。導電性ポリマー溶液（塗布
液）の調製には、ポリチオフェン系導電性ポリマー及び
樹脂バインダーを溶解し得る任意の溶剤が使用される。
代表的な溶剤は、水の他、水と混和性を有するアコール
類、有機アミド類、ケトン類、エーテル類などである。
導電性ポリマー溶液の塗布は、グラビアコーター等の公
知の塗布装置を使用して行われる。そして、ポリチオフ
ェン系導電性ポリマー含有薄膜の厚さ（乾燥厚さ）は、
通常０．０１〜５０μ、好ましくは０．０５〜１０μｍ
である。
【００１３】上記の保護層は、導電性ポリマー含有薄膜
の保護のために必要に応じて形成される。保護層は、グ
ラビアコーターにより適当な塗布剤を塗布した後に乾燥
して形成される。塗布剤としては、塗膜成分として、例
えば、シロキサン系ポリマーを含む塗布剤（例えばコル
コート社製の「コルコートＮ−１０３Ｘ」）、硝化綿と
ポリアミド系樹脂とを含む塗布剤（例えば大日本インキ
化学工業社製の「ＯＰニス ブライトンＤ−ＭＲＡ」）
等が挙げられる。保護層の厚さは、通常０．０１〜０．
５μｍ、好ましくは０．０５〜０．２μｍである。
の保護のために必要に応じて形成される。保護層は、グ
ラビアコーターにより適当な塗布剤を塗布した後に乾燥
して形成される。塗布剤としては、塗膜成分として、例
えば、シロキサン系ポリマーを含む塗布剤（例えばコル
コート社製の「コルコートＮ−１０３Ｘ」）、硝化綿と
ポリアミド系樹脂とを含む塗布剤（例えば大日本インキ
化学工業社製の「ＯＰニス ブライトンＤ−ＭＲＡ」）
等が挙げられる。保護層の厚さは、通常０．０１〜０．
５μｍ、好ましくは０．０５〜０．２μｍである。
【００１４】本発明において、導電性基材（Ａ）のポリ
チオフェン系導電性ポリマー含有薄膜側（すなわち、薄
膜表面または保護層表面）の表面電気抵抗は１０2〜１
０6Ω／ＳＱ．にする必要がある。この値は、「ＡＳＴ
Ｍ Ｄ２５７−７８」に準拠し、ＴＲＥＫ ＩＮＣ．製
の表面抵抗計「ＭＯＤＥＬ １５０」を使用して測定し
た値を意味する。上記の表面電気抵抗は、主として、樹
脂バインダー中におけるポリチオフェン系導電性ポリマ
ーの濃度によって調節される。公知の導電性ポリマーと
して、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリキノリン、
ポリアセン等があるが、これらの導電性ポリマーでは、
後述する光線透過率を満足した上で上記の表面電気抵抗
を達成することは困難であり、より高いレベルでの静電
気障害や異物付着防止を達成することが出来ない。
チオフェン系導電性ポリマー含有薄膜側（すなわち、薄
膜表面または保護層表面）の表面電気抵抗は１０2〜１
０6Ω／ＳＱ．にする必要がある。この値は、「ＡＳＴ
Ｍ Ｄ２５７−７８」に準拠し、ＴＲＥＫ ＩＮＣ．製
の表面抵抗計「ＭＯＤＥＬ １５０」を使用して測定し
た値を意味する。上記の表面電気抵抗は、主として、樹
脂バインダー中におけるポリチオフェン系導電性ポリマ
ーの濃度によって調節される。公知の導電性ポリマーと
して、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリキノリン、
ポリアセン等があるが、これらの導電性ポリマーでは、
後述する光線透過率を満足した上で上記の表面電気抵抗
を達成することは困難であり、より高いレベルでの静電
気障害や異物付着防止を達成することが出来ない。
【００１５】本発明において、防湿基材（Ｂ）として
は、透明な基材フイルムの表面にケイ素酸化物薄膜（Ｓ
Ｏ薄膜）が形成され且つ透湿度が０．２５ｇ／ｍ2・２
４ｈｒｓ以下である防湿基材を使用する。上記の基材フ
イルムとしては、導電性基材（Ａ）におけるのと同様の
フイルムが使用される。
は、透明な基材フイルムの表面にケイ素酸化物薄膜（Ｓ
Ｏ薄膜）が形成され且つ透湿度が０．２５ｇ／ｍ2・２
４ｈｒｓ以下である防湿基材を使用する。上記の基材フ
イルムとしては、導電性基材（Ａ）におけるのと同様の
フイルムが使用される。
【００１６】ＳＯ薄膜の形成は、例えば、一酸化ケイ
素、二酸化ケイ素、または、それらの混合物などを蒸着
原料とし、真空蒸着法、スパッタリング法またはイオン
プレーティング法の何れかの方法により行うことが出来
る。また、ＳＯ薄膜の厚さは、０．０１〜１μｍ、好ま
しくは０．０５〜０．１μｍである。ＳＯ薄膜の厚さが
０．０１μｍ未満の場合は防湿性能が不十分となり、１
μｍを超える場合は基材フイルムにカールが発生した
り、透明なＳＯ薄膜自体に亀裂や剥離が生じ易い。
素、二酸化ケイ素、または、それらの混合物などを蒸着
原料とし、真空蒸着法、スパッタリング法またはイオン
プレーティング法の何れかの方法により行うことが出来
る。また、ＳＯ薄膜の厚さは、０．０１〜１μｍ、好ま
しくは０．０５〜０．１μｍである。ＳＯ薄膜の厚さが
０．０１μｍ未満の場合は防湿性能が不十分となり、１
μｍを超える場合は基材フイルムにカールが発生した
り、透明なＳＯ薄膜自体に亀裂や剥離が生じ易い。
【００１７】本発明において、防湿基材（Ｂ）の透湿度
は０．２５ｇ／ｍ2・２４ｈｒｓ以下にする必要があ
る。この値は、「ＪＩＳ Ｚ０２２２」に準拠し、４０
℃×９０％ＲＨの環境に調節された１０×１０ｃｍの袋
中に塩化カルシウム２０ｇと共に封入した場合の１日
（２４時間）当たりの重量増加として測定した値を意味
する。
は０．２５ｇ／ｍ2・２４ｈｒｓ以下にする必要があ
る。この値は、「ＪＩＳ Ｚ０２２２」に準拠し、４０
℃×９０％ＲＨの環境に調節された１０×１０ｃｍの袋
中に塩化カルシウム２０ｇと共に封入した場合の１日
（２４時間）当たりの重量増加として測定した値を意味
する。
【００１８】公知の防湿基材、すなわち、前述の基材フ
イルムの表面にアルミニウム箔膜またはアルミニウム若
しくはニッケルの蒸着膜が形成された防湿基材は、不透
明であるばかりでなく、耐ピンホール性折り曲げ時の屈
曲性に欠ける欠点がある。これに対し、本発明で使用す
る防湿基材（Ｂ）は、半導体・電子部品の包装の際に通
常要求される折り曲げ等によりＳＯ薄膜が破壊されたり
ＳＯ薄膜にクラックやピンホールが入ったりすることが
ない。従って、ハンドリングによって経時的に悪化する
ことがない安定した高度の防湿性が発揮される。また、
イルムの表面にアルミニウム箔膜またはアルミニウム若
しくはニッケルの蒸着膜が形成された防湿基材は、不透
明であるばかりでなく、耐ピンホール性折り曲げ時の屈
曲性に欠ける欠点がある。これに対し、本発明で使用す
る防湿基材（Ｂ）は、半導体・電子部品の包装の際に通
常要求される折り曲げ等によりＳＯ薄膜が破壊されたり
ＳＯ薄膜にクラックやピンホールが入ったりすることが
ない。従って、ハンドリングによって経時的に悪化する
ことがない安定した高度の防湿性が発揮される。また、
【００１９】本発明において、シーラントフイルムの構
成樹脂としては、いわゆる低密度ポリエチレンやエチレ
ン共重合体、中でもエチレン−アクリル酸共重合（ＥＡ
Ａ）やエチレン−エチルアクリレート（ＥＥＡ）が好適
に使用される。シーラントフイルムの厚さは、通常１〜
１００μｍ、好ましくは１０〜８０μｍである。
成樹脂としては、いわゆる低密度ポリエチレンやエチレ
ン共重合体、中でもエチレン−アクリル酸共重合（ＥＡ
Ａ）やエチレン−エチルアクリレート（ＥＥＡ）が好適
に使用される。シーラントフイルムの厚さは、通常１〜
１００μｍ、好ましくは１０〜８０μｍである。
【００２０】本発明において、ポリアミドフイルムに
は、ナイロン４、６、７、８、１１、１２、６・６、６
・１０、６・１１、６・１２、６Ｔ、６／６・６、６／
１２、６／６Ｔ、６Ｉ／６Ｔ等が使用される。ポリアミ
ドフイルムは、補強基材として使用され、その厚さは、
通常１〜５０μｍ、好ましくは５〜３０μｍである。
は、ナイロン４、６、７、８、１１、１２、６・６、６
・１０、６・１１、６・１２、６Ｔ、６／６・６、６／
１２、６／６Ｔ、６Ｉ／６Ｔ等が使用される。ポリアミ
ドフイルムは、補強基材として使用され、その厚さは、
通常１〜５０μｍ、好ましくは５〜３０μｍである。
【００２１】本発明の包装材料において、導電性基材
（Ａ）は、外側に導電性ポリマー含有薄膜を位置させて
最外層として配置される。シーラントフイルムは最内層
に配置される。そして、防湿基材（Ｂ）及びポリアミド
フイルムは任意の順序で内部に配置される。防湿基材
（Ｂ）及びポリアミドフイルムは、それぞれ、複数枚使
用してもよい。そして、積層手段としては熱と圧力の作
用を利用する所謂ドライラミネーション法が好適に採用
される。
（Ａ）は、外側に導電性ポリマー含有薄膜を位置させて
最外層として配置される。シーラントフイルムは最内層
に配置される。そして、防湿基材（Ｂ）及びポリアミド
フイルムは任意の順序で内部に配置される。防湿基材
（Ｂ）及びポリアミドフイルムは、それぞれ、複数枚使
用してもよい。そして、積層手段としては熱と圧力の作
用を利用する所謂ドライラミネーション法が好適に採用
される。
【００２２】本発明において、積層体の光線透過率は７
０％以上でなければならない。この値は、「ＪＩＳ Ｋ
７１０５」に準拠し、日本電色工業製の分光光度計「Ｎ
ＤＨ−３００Ａ」を使用して測定した値を意味する。光
線透過率が７０％未満の場合は、包装された半導体・電
子部品のバーコード管理が困難である。すなわち、バー
コード読取性に欠ける。ここで、バーコード読取性と
は、包装材料の下１０ｍｍの位置に置かれたバーコード
がデンソー製バーコードリーダー「ＢＨＴ６０４５」で
読み取れることを意味する。積層体の光線透過率は好ま
しくは８０％以上である。
０％以上でなければならない。この値は、「ＪＩＳ Ｋ
７１０５」に準拠し、日本電色工業製の分光光度計「Ｎ
ＤＨ−３００Ａ」を使用して測定した値を意味する。光
線透過率が７０％未満の場合は、包装された半導体・電
子部品のバーコード管理が困難である。すなわち、バー
コード読取性に欠ける。ここで、バーコード読取性と
は、包装材料の下１０ｍｍの位置に置かれたバーコード
がデンソー製バーコードリーダー「ＢＨＴ６０４５」で
読み取れることを意味する。積層体の光線透過率は好ま
しくは８０％以上である。
【００２３】本発明の包装材料は例えば次の様に使用さ
れる。すなわち、シーラントフイルムを備えている場合
は包装袋に形成して使用される。製袋化は、ヒートシー
ル、超音波シール、高周波シール等の従来公知のシール
方法で行われる。また、シーラントフイルムを備えてい
ない場合は所謂キャリアテープとして使用される。具体
的には、真空成形（エンボス加工）によって包装材料の
表面に収納用のポケットを形成している。そして、ポケ
ット内に半導体・電子部品を収納し、カバーテープで蓋
をした後、リールに巻き取り、ユースポイトに連続的に
供給される。
れる。すなわち、シーラントフイルムを備えている場合
は包装袋に形成して使用される。製袋化は、ヒートシー
ル、超音波シール、高周波シール等の従来公知のシール
方法で行われる。また、シーラントフイルムを備えてい
ない場合は所謂キャリアテープとして使用される。具体
的には、真空成形（エンボス加工）によって包装材料の
表面に収納用のポケットを形成している。そして、ポケ
ット内に半導体・電子部品を収納し、カバーテープで蓋
をした後、リールに巻き取り、ユースポイトに連続的に
供給される。
【００２４】本発明の包装材料は、静電気、異物、水分
などからの保護が必要な全ての半導体・電子部品に適用
される。
などからの保護が必要な全ての半導体・電子部品に適用
される。
【００２５】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明は、その要旨を超えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。なお、以下の諸例にお
いて「部」とあるのは「重量部」を表す。また、表面抵
抗、透湿度、光線透過率、バーコード読取性は、明細書
の本文に記載した方法によって測定した。そして、帯電
圧−半減期はスタテイックメータ（印加電圧１０ＫＶ）
にて測定した。なお、バーコード読取性は、読取可の場
合を○、不可の場合を×で表示した。
するが、本発明は、その要旨を超えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。なお、以下の諸例にお
いて「部」とあるのは「重量部」を表す。また、表面抵
抗、透湿度、光線透過率、バーコード読取性は、明細書
の本文に記載した方法によって測定した。そして、帯電
圧−半減期はスタテイックメータ（印加電圧１０ＫＶ）
にて測定した。なお、バーコード読取性は、読取可の場
合を○、不可の場合を×で表示した。
【００２６】＜導電性基材（Ａ）の作製＞３，４−ポリ
エチレンジオキシチオフェン（導電性ポリマー）／ポリ
スチレンスルホネート（樹脂バインダー）／水とイソプ
ロピルアルコールとの１：１重量比の混合液（溶剤）と
を１：１：９８重量比で混合してポリチオフェン系導電
性ポリマー溶液（塗布液）を調製した。そして、グラビ
アコーターにより二軸延伸ポリエステルフイルム（厚さ
１２μｍ）の片面に塗布液を塗布した後に乾燥して導電
性基材（Ａ）を得た。導電性基材（Ａ）の導電性ポリマ
ー含有薄膜の厚さは０．３μｍ、薄膜側の表面電気抵抗
は２×１０3Ω／ＳＱ．であった。
エチレンジオキシチオフェン（導電性ポリマー）／ポリ
スチレンスルホネート（樹脂バインダー）／水とイソプ
ロピルアルコールとの１：１重量比の混合液（溶剤）と
を１：１：９８重量比で混合してポリチオフェン系導電
性ポリマー溶液（塗布液）を調製した。そして、グラビ
アコーターにより二軸延伸ポリエステルフイルム（厚さ
１２μｍ）の片面に塗布液を塗布した後に乾燥して導電
性基材（Ａ）を得た。導電性基材（Ａ）の導電性ポリマ
ー含有薄膜の厚さは０．３μｍ、薄膜側の表面電気抵抗
は２×１０3Ω／ＳＱ．であった。
【００２７】＜防湿基材（Ｂ）の作製＞真空蒸着法によ
り二軸延伸ポリエステルフイルム（厚さ１２μｍ）の片
面にケイ素酸化物薄膜（ＳＯ薄膜）を異る厚さで形成し
て２種類の防湿基材（Ｂ）を得た。ＳＯ薄膜の平均厚さ
が０．０６μｍの防湿基材（Ｂ１）の透湿度は０．１８
ｇ／ｍ2・２４ｈｒｓ、ＳＯ薄膜の平均厚さが０．１３
μｍの防湿基材（Ｂ２）の透湿度は０．０８ｇ／ｍ2・
２４ｈｒｓであった。
り二軸延伸ポリエステルフイルム（厚さ１２μｍ）の片
面にケイ素酸化物薄膜（ＳＯ薄膜）を異る厚さで形成し
て２種類の防湿基材（Ｂ）を得た。ＳＯ薄膜の平均厚さ
が０．０６μｍの防湿基材（Ｂ１）の透湿度は０．１８
ｇ／ｍ2・２４ｈｒｓ、ＳＯ薄膜の平均厚さが０．１３
μｍの防湿基材（Ｂ２）の透湿度は０．０８ｇ／ｍ2・
２４ｈｒｓであった。
【００２８】実施例１ 導電性基材（Ａ）、防湿基材（Ｂ１）、シーラントフイ
ルム（厚さ５０μｍのＥＡＡ）を使用しドライラミネー
ション法により積層した。層構成は、導電性基材（Ａ）
の導電性ポリマー含有薄膜が最外層として配置され、シ
ーラントフイルムが最内層に配置される様にした。得ら
れた積層体の評価結果を表１及び表２に示す。
ルム（厚さ５０μｍのＥＡＡ）を使用しドライラミネー
ション法により積層した。層構成は、導電性基材（Ａ）
の導電性ポリマー含有薄膜が最外層として配置され、シ
ーラントフイルムが最内層に配置される様にした。得ら
れた積層体の評価結果を表１及び表２に示す。
【００２９】実施例２ 導電性基材（Ａ）、防湿基材（Ｂ２）、シーラントフイ
ルム（厚さ６０μｍのＥＡＡ）、補強基材（厚さ１２μ
ｍのナイロン６・６）を使用しドライラミネーション法
により積層した。層構成は、導電性基材（Ａ）／補強基
材／防湿基材（Ｂ２）／補強基材／シーラントフイルム
とし、導電性基材（Ａ）の各ＳＯ薄膜が外側に位置する
様にした。得られた積層体の評価結果を表１及び表２に
示す。
ルム（厚さ６０μｍのＥＡＡ）、補強基材（厚さ１２μ
ｍのナイロン６・６）を使用しドライラミネーション法
により積層した。層構成は、導電性基材（Ａ）／補強基
材／防湿基材（Ｂ２）／補強基材／シーラントフイルム
とし、導電性基材（Ａ）の各ＳＯ薄膜が外側に位置する
様にした。得られた積層体の評価結果を表１及び表２に
示す。
【００３０】参考例１ ３−メチル−４−ピロールカルボン酸エチルと３−メチ
ル−４−ピロールカルボン酸ブチルとの２：１（モル
比）共重合体（導電性ポリマー）／トルエン５０重量％
−ジメチルホルムアミド５０重量％の混合溶剤とを１：
９重量比で混合してピロール系導電性ポリマー溶液（塗
布液）を調製した。そして、グラビアコーターにより二
軸延伸ポリエステルフイルム（厚さ２５μｍ）の片面に
塗布液を塗布した後に乾燥して導電性基材を得た。導電
性基材の導電性ポリマー含有薄膜の厚さは１．５μｍ、
薄膜側の表面電気抵抗は１．５×１０5Ω／ＳＱ．であ
った。
ル−４−ピロールカルボン酸ブチルとの２：１（モル
比）共重合体（導電性ポリマー）／トルエン５０重量％
−ジメチルホルムアミド５０重量％の混合溶剤とを１：
９重量比で混合してピロール系導電性ポリマー溶液（塗
布液）を調製した。そして、グラビアコーターにより二
軸延伸ポリエステルフイルム（厚さ２５μｍ）の片面に
塗布液を塗布した後に乾燥して導電性基材を得た。導電
性基材の導電性ポリマー含有薄膜の厚さは１．５μｍ、
薄膜側の表面電気抵抗は１．５×１０5Ω／ＳＱ．であ
った。
【００３１】参考例２ 真空蒸着法により二軸延伸ポリエステルフイルム（厚さ
１２μｍ）の片面に酸化アルミニウム薄膜を０．１μｍ
の厚さで形成して防湿基材を得た。得られた防湿基材は
アルミニウム薄膜に起因する白銀色を呈して不透明であ
った。
１２μｍ）の片面に酸化アルミニウム薄膜を０．１μｍ
の厚さで形成して防湿基材を得た。得られた防湿基材は
アルミニウム薄膜に起因する白銀色を呈して不透明であ
った。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【表２】
【００３４】
【発明の効果】以上説明した本発明によれば、包装され
た半導体・電子部品のバーコード管理が出来る透明性を
備え、より高いレベルでの静電気障害防止および異物付
着防止が達成でき、しかも、十分な防湿性と屈曲性を有
する半導体・電子部品用包装材料が提供され、本発明の
工業的価値は顕著である。
た半導体・電子部品のバーコード管理が出来る透明性を
備え、より高いレベルでの静電気障害防止および異物付
着防止が達成でき、しかも、十分な防湿性と屈曲性を有
する半導体・電子部品用包装材料が提供され、本発明の
工業的価値は顕著である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｂ 17/64 Ｂ６５Ｄ 85/38 Ｄ Ｓ Ｆターム(参考） 3E096 BA08 EA02X FA07 FA12 4F100 AA20E AK01C AK12 AK41 AK46C AK57B AK70 AL06 AR00A AR00D BA05 BA10B BA10C BA10E EH66 GB15 GB41 JD04E JG01B JG03 JG04B JK04 JL06 JL12C JM02B JM02E JN01A JN01D YY00B YY00E 4K029 AA11 BA46 BC00 BC08 BD00 CA01 5G333 AA03 AA13 AB18 AB22 BA03 DA03 DA24 DB02 FB13
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも以下に記載の導電性基材
（Ａ）と防湿基材（Ｂ）とを含む積層体から成り、導電
性基材（Ａ）は外側に導電性ポリマー含有薄膜を位置さ
せて最外層として配置され、しかも、積層体の光線透過
率が７０％以上であることを特徴とする半導体・電子部
品用包装材料。 （Ａ）：透明な基材フイルムの表面にポリチオフェン系
導電性ポリマー含有薄膜が形成され且つ必要に応じて当
該薄膜の表面に保護層が形成され、しかも、導電性ポリ
マー含有薄膜側の表面電気抵抗が１０2〜１０6Ω／Ｓ
Ｑ．である導電性基材。 （Ｂ）：透明な基材フイルムの表面にケイ素酸化物薄膜
が形成され且つ透湿度が０．２５ｇ／ｍ2・２４ｈｒｓ
以下である防湿基材。 - 【請求項２】 積層体の最内層にシーラントフイルムが
配置されている請求項１に記載の半導体・電子部品用包
装材料。 - 【請求項３】 積層体の内部にポリアミドフイルムが配
置されている請求項１又は２に記載の半導体・電子部品
用包装材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001013228A JP2002210861A (ja) | 2001-01-22 | 2001-01-22 | 半導体・電子部品用包装材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001013228A JP2002210861A (ja) | 2001-01-22 | 2001-01-22 | 半導体・電子部品用包装材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002210861A true JP2002210861A (ja) | 2002-07-31 |
Family
ID=18880116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001013228A Withdrawn JP2002210861A (ja) | 2001-01-22 | 2001-01-22 | 半導体・電子部品用包装材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002210861A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006116806A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Jsr Corp | 複合フィルム、その製造方法および電極 |
| JP2012223942A (ja) * | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Showa Denko Packaging Co Ltd | 自動包装適性に優れた無塵包装袋 |
| KR20130020608A (ko) * | 2011-08-17 | 2013-02-27 | 나가세케무텍쿠스가부시키가이샤 | 유기 도전막 |
| JP2013043435A (ja) * | 2011-08-26 | 2013-03-04 | Showa Denko Packaging Co Ltd | 自動包装適性に優れた無塵包装袋 |
| JP2013058470A (ja) * | 2011-08-17 | 2013-03-28 | Nagase Chemtex Corp | 有機導電膜 |
| KR101254724B1 (ko) | 2012-09-05 | 2013-04-15 | 정화영 | 대전방지 및 투습방지 필름과 그 제조 방법 |
| US20170062094A1 (en) * | 2014-11-20 | 2017-03-02 | Nitto Denko Corporation | Transparent electroconductive film with protective film |
| JP2017090618A (ja) * | 2015-11-09 | 2017-05-25 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル収納容器の包装構造体及びその包装方法 |
-
2001
- 2001-01-22 JP JP2001013228A patent/JP2002210861A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2006116806A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Jsr Corp | 複合フィルム、その製造方法および電極 |
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| US10183466B2 (en) * | 2014-11-20 | 2019-01-22 | Nitto Denko Corporation | Transparent electroconductive film with protective film |
| TWI737586B (zh) * | 2014-11-20 | 2021-09-01 | 日商日東電工股份有限公司 | 附有保護膜之透明導電性膜 |
| JP2017090618A (ja) * | 2015-11-09 | 2017-05-25 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル収納容器の包装構造体及びその包装方法 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080401 |