JP2002203708A - High-voltage resistor unit - Google Patents

High-voltage resistor unit

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JP2002203708A
JP2002203708A JP2001248457A JP2001248457A JP2002203708A JP 2002203708 A JP2002203708 A JP 2002203708A JP 2001248457 A JP2001248457 A JP 2001248457A JP 2001248457 A JP2001248457 A JP 2001248457A JP 2002203708 A JP2002203708 A JP 2002203708A
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JP
Japan
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resistor
ceramic substrate
resin
voltage
slit groove
Prior art date
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Application number
JP2001248457A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiro Tanaka
義宏 田中
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-voltage resistor unit which is small in size, excellent in withstand voltage properties, and high in reliability. SOLUTION: A high-voltage resistor unit is equipped with a ceramic board 10 provided with resistors 12 and an electrode 11 on its front surface, and the ceramic board 10 is covered with a resin coating layer 17. A slit groove 15 is cut in the surface of the ceramic board 10 between the resistors 12 or between the resistor 12 and the electrode 11, and the resin coating layer 17 fills partly in the slit groove 15.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はテレビジョン受像機
やディスプレイモニターなどのフォーカス電圧を調整す
るためのフォーカスパックや、高圧電源などに用いられ
る高圧用抵抗器に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a focus pack for adjusting a focus voltage of a television receiver, a display monitor, or the like, and a high-voltage resistor used for a high-voltage power supply or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、テレビジョン受像機やディスプレ
イ装置などのフォーカス電圧調整を行なうため、フォー
カスパックと呼ばれる高圧用可変抵抗器が広く用いられ
ている。このような高圧用可変抵抗器の一部、あるいは
高圧電源には、セラミック基板上に抵抗体および電極を
形成し、このセラミック基板の周囲を樹脂被覆層で被覆
した構造のブリーダ抵抗器が用いられている。
2. Description of the Related Art Hitherto, a high-voltage variable resistor called a focus pack has been widely used for adjusting a focus voltage of a television receiver, a display device or the like. As a part of such a high-voltage variable resistor or a high-voltage power supply, a bleeder resistor having a structure in which a resistor and an electrode are formed on a ceramic substrate and the periphery of the ceramic substrate is covered with a resin coating layer is used. ing.

【0003】このようなブリーダ抵抗器の耐電圧性能
は、セラミック基板と樹脂被覆層との密着性によって確
保される。しかし、セラミック基板と樹脂との熱膨張率
差によって樹脂の歪応力が大きくなり、セラミック基板
と樹脂との間に剥離やクラックを生じやすくなる。樹脂
の剥離やクラックが生じると、動作時の高電圧により放
電破壊を生じる可能性がある。
[0003] The withstand voltage performance of such a bleeder resistor is ensured by the adhesion between the ceramic substrate and the resin coating layer. However, the strain stress of the resin increases due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the ceramic substrate and the resin, so that peeling and cracking tend to occur between the ceramic substrate and the resin. If resin peeling or cracking occurs, discharge breakdown may occur due to high voltage during operation.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】このような剥離やクラ
ックによる放電事故や故障を防止するため、図1に示す
ように、セラミック基板の周辺部分に複数の凹凸部を形
成した高圧用抵抗器が提案されている(特開昭64−5
5804号公報参照)。図において、1はセラミック基
板、2は電極、3は抵抗体である。セラミック基板1の
周辺部には(a)のような切込み4や(b)のような凹
溝5が形成され、セラミック基板1の周囲は絶縁樹脂6
でコーティングされている。
As shown in FIG. 1, a high-voltage resistor having a plurality of concave and convex portions formed around a ceramic substrate to prevent a discharge accident or a failure due to such peeling or cracking. It has been proposed (JP-A-64-5)
No. 5804). In the figure, 1 is a ceramic substrate, 2 is an electrode, and 3 is a resistor. A notch 4 as shown in FIG. 4A and a concave groove 5 as shown in FIG. 5B are formed in the peripheral portion of the ceramic substrate 1.
Coated with.

【0005】しかしながら、上記のようにセラミック基
板1の周辺部に凹凸部4,5を設けても、セラミック基
板1の表面と樹脂6との間の密着性向上には殆ど寄与し
ないため、耐電圧特性が必ずしも向上しない。また、凹
凸部4,5を設けるために、セラミック基板1に特別な
加工が必要であり、加工コストの上昇を招く恐れがあっ
た。
However, even if the uneven portions 4 and 5 are provided on the peripheral portion of the ceramic substrate 1 as described above, it hardly contributes to the improvement of the adhesion between the surface of the ceramic substrate 1 and the resin 6. The characteristics are not always improved. In addition, special processing is required for the ceramic substrate 1 in order to provide the concave and convex portions 4 and 5, which may cause an increase in processing cost.

【0006】そこで、本発明の目的は、小型で耐電圧性
能に優れ、信頼性の高い高圧用抵抗器を提供することに
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a high-voltage resistor having a small size, excellent withstand voltage performance, and high reliability.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、表面に抵抗体および電極を形成したセラ
ミック基板を備え、このセラミック基板の少なくとも抵
抗体を形成した面に樹脂被覆層を形成してなる高圧用抵
抗器において、上記セラミック基板の表面であって、抵
抗体間、電極間、または抵抗体と電極との間にスリット
溝が形成され、このスリット溝に上記樹脂被覆層の一部
が入り込んでいることを特徴とする高圧用抵抗器を提供
する。
According to the present invention, there is provided a ceramic substrate having a resistor and an electrode formed on a surface thereof, and a resin coating layer formed on at least the surface of the ceramic substrate on which the resistor is formed. In the formed high-voltage resistor, a slit groove is formed on the surface of the ceramic substrate, between the resistors, between the electrodes, or between the resistor and the electrode, and the slit groove is formed of the resin coating layer. Provided is a high-voltage resistor characterized in that a part thereof enters.

【0008】本発明では、セラミック基板の抵抗体間、
電極間、および抵抗体と電極との間のように、電位差の
ある部分にスリット溝が形成され、このスリット溝に樹
脂被覆層の一部が入り込んでいる。樹脂被覆型の高圧用
抵抗器の耐電圧性能は、セラミック基板表面の沿面耐電
圧性能で決まり、セラミック基板と樹脂との密着性に大
きく影響される。セラミック基板の表面の電位差のある
部分にスリット溝を設けることにより、セラミック基板
の表面が立体的になり、この部分に樹脂が入り込むこと
により、単なる平面の沿面耐圧から立体的な絶縁構造に
変わり、耐電圧性能が大幅に向上する。また、樹脂自体
の密着性能の影響を受けにくくなり、特性が安定し、信
頼性が向上する。このように、スリット溝に樹脂が入り
込むことによって耐電圧性能が向上するため、抵抗体や
電極を近い距離に配置でき、抵抗器の小型化が可能とな
る。本発明のスリット溝は、沿面距離を確保できればよ
く、深い溝である必要がないので、セラミック基板の強
度低下が殆どない。
In the present invention, between the resistors of the ceramic substrate,
A slit groove is formed in a portion having a potential difference, such as between the electrodes and between the resistor and the electrode, and a part of the resin coating layer enters the slit groove. The withstand voltage performance of the resin-coated high-voltage resistor is determined by the creeping withstand voltage performance of the ceramic substrate surface, and is greatly affected by the adhesion between the ceramic substrate and the resin. By providing a slit groove in a portion of the surface of the ceramic substrate where there is a potential difference, the surface of the ceramic substrate becomes three-dimensional, and resin enters into this portion, which changes from a simple flat surface withstand voltage to a three-dimensional insulating structure, The withstand voltage performance is greatly improved. Further, the resin is hardly affected by the adhesion performance of the resin itself, the characteristics are stabilized, and the reliability is improved. As described above, since the withstand voltage performance is improved by the resin entering the slit groove, the resistor and the electrode can be arranged at a short distance, and the size of the resistor can be reduced. The slit groove of the present invention only needs to ensure a creepage distance and does not need to be a deep groove, so that the strength of the ceramic substrate hardly decreases.

【0009】請求項2のように、スリット溝をレーザ加
工により形成するのが望ましい。レーザ加工の場合に
は、セラミック基板に抵抗体や電極を形成した後で溝加
工できるので、従来の穴あけや切込みなどのような特別
な加工が不要であり、安価である。
It is desirable that the slit groove is formed by laser processing. In the case of laser processing, since a groove can be formed after a resistor or an electrode is formed on a ceramic substrate, special processing such as conventional drilling or cutting is unnecessary, and it is inexpensive.

【0010】請求項3のように、スリット溝の深さをセ
ラミック基板の厚みの1/10以下とするのがよい。ス
リット溝の深さをセラミック基板の厚みの1/10以上
とすると、セラミック基板の強度低下を招き、樹脂の硬
化収縮応力によってセラミック基板が割れる恐れがある
からである。
It is preferable that the depth of the slit groove is not more than 1/10 of the thickness of the ceramic substrate. This is because if the depth of the slit groove is 1/10 or more of the thickness of the ceramic substrate, the strength of the ceramic substrate is reduced, and the ceramic substrate may be broken by the curing shrinkage stress of resin.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】本発明の一実施形態である高圧用
抵抗器を図2,図3に基づいて説明する。この高圧用抵
抗器は高圧電源に用いられるブリーダ抵抗の例を示して
いる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A high-voltage resistor according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. This high-voltage resistor shows an example of a bleeder resistor used for a high-voltage power supply.

【0012】高圧用抵抗器は、アルミナなどの長方形の
セラミック基板10を備え、その表面の両端部には銀な
どの一対の電極11が形成され、その間に蛇行状の抵抗
体12が形成されている。なお、抵抗体12のパターン
は図2の形状に限定されるものではない。上記電極11
および抵抗体12は、セラミック基板10上に印刷して
焼成されたものである。抵抗体12は、ガラス材による
保護層13で覆われている。電極11の上には半田14
によりリード端子16が接続されている。
The high-voltage resistor includes a rectangular ceramic substrate 10 made of alumina or the like. A pair of electrodes 11 made of silver or the like is formed at both ends of the surface, and a meandering resistor 12 is formed therebetween. I have. The pattern of the resistor 12 is not limited to the shape shown in FIG. The above electrode 11
The resistor 12 is printed on the ceramic substrate 10 and fired. The resistor 12 is covered with a protective layer 13 made of a glass material. Solder 14 is placed on electrode 11
Is connected to the lead terminal 16.

【0013】上記セラミック基板10の表面であって、
抵抗体12の間や、抵抗体12と電極11との間のよう
に、電位差の生じる部分の間には、細いスリット溝15
が形成されている。特に、電位差の大きな部分(例えば
抵抗体12と電極11との間)には複数本のスリット溝
15が形成されている。これらスリット溝15はレーザ
加工によって形成され、その深さは10〜30μm、幅
は40〜60μmとするのが望ましい。なお、スリット
溝15の深さをセラミック基板10の厚みの1/10以
下とすれば、セラミック基板10の強度低下を防止でき
るので、望ましい。
The surface of the ceramic substrate 10
A thin slit groove 15 is provided between portions where a potential difference occurs, such as between the resistor 12 and between the resistor 12 and the electrode 11.
Are formed. In particular, a plurality of slit grooves 15 are formed in a portion having a large potential difference (for example, between the resistor 12 and the electrode 11). These slit grooves 15 are formed by laser processing, and preferably have a depth of 10 to 30 μm and a width of 40 to 60 μm. It is preferable that the depth of the slit groove 15 be 1/10 or less of the thickness of the ceramic substrate 10 because a decrease in the strength of the ceramic substrate 10 can be prevented.

【0014】この実施形態では、スリット溝15の一端
はセラミック基板10の側縁まで延びているが、必ずし
も側縁まで形成する必要はない。セラミック基板10の
周囲はエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂被覆層17でディ
ップコーティングされている。この樹脂被覆層17の一
部はスリット溝15の中にも入り込んでいる。
In this embodiment, one end of the slit groove 15 extends to the side edge of the ceramic substrate 10, but it does not necessarily need to be formed to the side edge. The periphery of the ceramic substrate 10 is dip-coated with an insulating resin coating layer 17 such as an epoxy resin. Part of the resin coating layer 17 also enters the slit groove 15.

【0015】上記構成よりなる高圧用抵抗器において、
電極11の端部(A点)と抵抗体12の端部(B点)と
の間の耐電圧は、図3に示すように、スリット溝15を
設けることによって沿面距離が増大し、かつスリット溝
15の中に絶縁性樹脂17が入り込むことによって、向
上する。そして、スリット溝15に入り込む樹脂の楔効
果によって、セラミック基板10と樹脂被覆層17との
密着強度が増し、セラミック基板10と樹脂被覆層17
との間の剥離やクラックの発生を防止できる。そのた
め、動作時の高電圧による放電破壊を防止できる。
In the high-voltage resistor having the above configuration,
As shown in FIG. 3, the provision of the slit groove 15 increases the creepage distance and increases the withstand voltage between the end (point A) of the electrode 11 and the end (point B) of the resistor 12. It is improved by the insulating resin 17 entering the groove 15. Then, the adhesive strength between the ceramic substrate 10 and the resin coating layer 17 increases due to the wedge effect of the resin entering the slit groove 15, and the ceramic substrate 10 and the resin coating layer 17
And the occurrence of cracks between them can be prevented. Therefore, discharge breakdown due to high voltage during operation can be prevented.

【0016】スリット溝15によって電極11と抵抗体
12との間、および抵抗体12間の耐電圧性能が向上す
るので、抵抗体12や電極11を近い距離に配置するこ
とが可能となり、高圧用抵抗器の小型化が可能となる。
例えば、平面的な耐電圧構造では、6kV/mmであっ
た高圧用抵抗器の場合、幅が50μmのスリット溝15
を形成することで、耐電圧性を約30kV/mmまで向
上させることができ、約5倍程度の耐電圧性能の向上を
実現できた。また、樹脂材料の密着性能の影響を受けに
くくなるため、耐電圧性能が安定し、信頼性が向上す
る。つまり、材料バラツキや、加工バラツキが生じて
も、これらバラツキが品質に与える影響を小さくでき
る。スリット溝15はレーザによって加工できるので、
従来の穴あけや切込みなどの加工に比べて量産性が高
く、加工費が少なくてすむ。しかも、スリット溝15の
幅が微小であるから、セラミック基板10の強度低下を
招くことがない。
Since the slit groove 15 improves the withstand voltage performance between the electrode 11 and the resistor 12 and between the resistor 12, the resistor 12 and the electrode 11 can be arranged at a short distance, and the The size of the resistor can be reduced.
For example, in the case of a high voltage resistor having a planar withstand voltage structure of 6 kV / mm, a slit groove 15 having a width of 50 μm is used.
By forming, the withstand voltage can be improved to about 30 kV / mm, and the withstand voltage performance can be improved about 5 times. In addition, since it is hard to be affected by the adhesion performance of the resin material, the withstand voltage performance is stabilized and the reliability is improved. That is, even if material variations and processing variations occur, the influence of these variations on quality can be reduced. Since the slit groove 15 can be processed by laser,
Higher mass productivity and lower processing costs compared to conventional drilling and cutting processes. Moreover, since the width of the slit groove 15 is very small, the strength of the ceramic substrate 10 does not decrease.

【0017】図4は本発明の第2の実施形態を示す。こ
の実施形態は、高圧用可変抵抗器の固定抵抗器の例を示
している。固定抵抗器20は、アルミナ等のセラミック
基板21の一方主面に、トップブリーダ抵抗を構成する
被膜抵抗体22、検出用抵抗を構成する被膜抵抗体2
3,24が形成されている。被膜抵抗体24は、非常に
小さな抵抗値となるように略四角形状に形成されてい
る。被膜抵抗体22および被膜抵抗体23の一端部は端
子電極25aに、被膜抵抗体22の他端部は端子電極2
5bにそれぞれ接続され、被膜抵抗体23の他端部は被
膜抵抗体24に接続されている。被膜抵抗体23と被膜
抵抗体24の接続点部は端子電極25cに、被膜抵抗体
24の他端部は端子電極25dに接続されている。端子
電極25a,25b,25c,25dには、それぞれリ
ード線26a,26b,26c,26dがはんだ付けさ
れて取り付けられ、セラミック基板21の全体を覆うよ
うにエポキシ樹脂等の樹脂被覆層27が被覆されてい
る。
FIG. 4 shows a second embodiment of the present invention. This embodiment shows an example of a fixed resistor of a high-voltage variable resistor. The fixed resistor 20 includes a film resistor 22 forming a top bleeder resistor and a film resistor 2 forming a detection resistor on one main surface of a ceramic substrate 21 made of alumina or the like.
3, 24 are formed. The film resistor 24 is formed in a substantially square shape so as to have a very small resistance value. One end of the film resistor 22 and the film resistor 23 is connected to the terminal electrode 25a, and the other end of the film resistor 22 is connected to the terminal electrode 2a.
5b, and the other end of the film resistor 23 is connected to the film resistor 24. The connection point between the film resistor 23 and the film resistor 24 is connected to the terminal electrode 25c, and the other end of the film resistor 24 is connected to the terminal electrode 25d. Lead wires 26a, 26b, 26c, 26d are attached to the terminal electrodes 25a, 25b, 25c, 25d by soldering, respectively, and a resin coating layer 27 of epoxy resin or the like is coated so as to cover the entire ceramic substrate 21. ing.

【0018】この実施形態では、端子電極25cと25
dとが近接位置に形成されているので、その間のセラミ
ック基板21の表面にスリット溝28を設けてある。こ
のスリット溝28に樹脂被覆層27を入り込ませること
で、電極25c,25d間の耐電圧性能を高めることが
できる。
In this embodiment, the terminal electrodes 25c and 25c
Since d is formed at a close position, a slit groove 28 is provided on the surface of the ceramic substrate 21 therebetween. By inserting the resin coating layer 27 into the slit groove 28, the withstand voltage performance between the electrodes 25c and 25d can be improved.

【0019】図5〜図7は本発明の第3の実施形態を示
し、高圧用抵抗器をトップロードフォーカスパックの可
変抵抗器に用いた例を示している。フォーカスパック
は、図5に示すように、略矩形枠状の側壁と底壁とを有
する一面が開口した絶縁樹脂製のケース30を備えてい
る。ケース30内にはアルミナなどのセラミックよりな
る抵抗基板31がその表面をケース30の底壁側に向け
て収納され、抵抗基板31はケース30の側壁内面に設
けられた段差部に接着剤などにより固定されている。ケ
ース30の底壁には軸受部32,33が設けられ、これ
ら軸受部32,33にはそれぞれ摺動子34a,35a
が取り付けられた回転軸34,35が軸受されている。
FIGS. 5 to 7 show a third embodiment of the present invention, in which a high-voltage resistor is used as a variable resistor of a top load focus pack. As shown in FIG. 5, the focus pack includes a case 30 made of an insulating resin having a substantially rectangular frame-like side wall and a bottom wall. A resistance substrate 31 made of a ceramic such as alumina is accommodated in the case 30 with its surface facing the bottom wall of the case 30. Fixed. Bearing portions 32, 33 are provided on the bottom wall of the case 30, and these bearing portions 32, 33 are provided with sliders 34a, 35a, respectively.
Are mounted on the rotating shafts 34 and 35.

【0020】ケース30の開口部には、抵抗基板31の
裏面側を覆うように樹脂36がモールドされており、モ
ールド樹脂36の一部は抵抗基板31の表面側にも回り
込んでいる。すなわち、ケース30の底壁には仕切壁3
7が突設され、この仕切壁37が抵抗基板31の表面に
当接して、モールド樹脂36が回転軸34,35が収容
された室内に入り込むのを規制している。このように仕
切壁37によって樹脂モールドされた高圧部と、樹脂モ
ールドされない可変抵抗部とが仕切られている(図7参
照)。
A resin 36 is molded in the opening of the case 30 so as to cover the back side of the resistance substrate 31, and a part of the molding resin 36 also reaches the front side of the resistance substrate 31. That is, the partition wall 3 is provided on the bottom wall of the case 30.
7, the partition wall 37 is in contact with the surface of the resistance substrate 31, and regulates the mold resin 36 from entering the room in which the rotating shafts 34 and 35 are accommodated. As described above, the partition wall 37 separates the high-pressure portion resin-molded from the variable resistance portion not resin-molded (see FIG. 7).

【0021】また、ケース30の底壁であって、回転軸
34,35が収容された室内には、抵抗基板31の表面
に当接するリブ38が一体に突設されている。このリブ
38と抵抗基板31との間は、図6に示すように、接着
剤であるコーティング樹脂39によって接着固定されて
いる。なお、リブ38は後述する抵抗基板31に設けら
れたスリット溝55と対応する位置に形成され、抵抗基
板31をほぼ横断する長さを有する(図7参照)。その
ため、摺動子34a,35aの反発力による抵抗基板3
1の撓みが防止される。
Further, a rib 38 which comes into contact with the surface of the resistance substrate 31 is integrally protruded from the bottom wall of the case 30 in which the rotating shafts 34 and 35 are accommodated. As shown in FIG. 6, the space between the ribs 38 and the resistance substrate 31 is fixed by a coating resin 39 as an adhesive. The rib 38 is formed at a position corresponding to a slit groove 55 provided on the resistance substrate 31 described later, and has a length substantially transverse to the resistance substrate 31 (see FIG. 7). Therefore, the resistance substrate 3 due to the repulsive force of the sliders 34a, 35a
1 is prevented.

【0022】抵抗基板31の表面には、図7に示すよう
に、蛇行状の高圧側抵抗体部40が形成され、この抵抗
体部40の表面はガラス材による保護層41で覆われ、
さらにその上から上記モールド樹脂36で覆われてい
る。抵抗体部40の終端部は、円弧状のフォーカス電圧
調整用の可変抵抗部42を経てスクリーン電圧調整用の
可変抵抗部43に接続されている。さらに、抵抗基板3
1の表面には、可変抵抗部42の中心部および可変抵抗
部43の中心部にフォーカス電圧調整用の中心電極44
とスクリーン電圧調整用の中心電極45とが設けられて
いる。なお、可変抵抗部42,43および中心電極4
4,45はガラス保護層41やモールド樹脂36で覆わ
れていない。回転軸34に取り付けられた摺動子34a
は中心電極44と可変抵抗部42とに跨がって接触し、
回転軸35に取り付けられた摺動子35aは中心電極4
5と可変抵抗部43とに跨がって接触し、それぞれ可変
抵抗部42,43上を摺動することで抵抗値を可変でき
る。
As shown in FIG. 7, a meandering high-voltage-side resistor portion 40 is formed on the surface of the resistor substrate 31, and the surface of the resistor portion 40 is covered with a protective layer 41 made of a glass material.
Further, it is covered with the mold resin 36 from above. The terminating end of the resistor section 40 is connected to a screen voltage adjusting variable resistor section 43 via an arc-shaped focus voltage adjusting variable resistor section 42. Further, the resistance substrate 3
1 has a center electrode 44 for focus voltage adjustment at the center of the variable resistor 42 and the center of the variable resistor 43.
And a center electrode 45 for adjusting the screen voltage. Note that the variable resistance portions 42 and 43 and the center electrode 4
4 and 45 are not covered with the glass protective layer 41 or the mold resin 36. Slider 34a attached to rotating shaft 34
Contacts across the center electrode 44 and the variable resistance section 42,
The slider 35a attached to the rotating shaft 35 has the center electrode 4
5 and the variable resistance portion 43 are straddled, and the resistance value can be varied by sliding on the variable resistance portions 42 and 43, respectively.

【0023】抵抗体部40の始端部、中心電極44,4
5の一端部および可変抵抗部43の終端部にはそれぞれ
端子電極46〜49が設けられ、これら端子電極には、
抵抗基板31を貫通して裏面側へ延びるリード端子50
〜53(なお、52は図示せず)が突設され、このリー
ド端子50〜53はモールド樹脂36から突出してい
る。
The starting end of the resistor portion 40 and the center electrodes 44 and 4
5, terminal electrodes 46 to 49 are provided at one end and the variable resistor 43, respectively.
Lead terminal 50 penetrating resistor substrate 31 and extending to the back side
The lead terminals 50 to 53 project from the molding resin 36.

【0024】抵抗基板31には、抵抗体部40と電極4
6との間、および抵抗体部40の間に、スリット溝54
が設けられており、これらスリット溝54にモールド樹
脂36が埋め込まれている。また、可変抵抗部42と可
変抵抗部43との間にもスリット溝55が設けられてお
り、このスリット溝55には、図6に示すように、リブ
38と抵抗基板31とを接着固定するコーティング樹脂
39が埋め込まれている。このように、スリット溝5
4,55に樹脂36,39が入り込むことによって、単
なる沿面耐圧から樹脂の貫通耐圧を組み合わせた構造と
なり、抵抗基板31表面の耐電圧特性が大幅に向上す
る。
On the resistance substrate 31, a resistor portion 40 and an electrode 4
6, and between the resistor portions 40.
Are provided, and the mold resin 36 is embedded in these slit grooves 54. A slit groove 55 is also provided between the variable resistance section 42 and the variable resistance section 43, and the rib 38 and the resistance substrate 31 are bonded and fixed to the slit groove 55 as shown in FIG. The coating resin 39 is embedded. Thus, the slit groove 5
When the resins 36 and 39 enter the 4, 55, the structure is obtained by combining the withstand voltage of the resin with the simple withstand voltage, and the withstand voltage characteristic of the surface of the resistance substrate 31 is greatly improved.

【0025】第3の実施形態では、モールド樹脂36が
抵抗基板31の裏面と高圧部である表面の一部(抵抗体
部40)とを覆うように形成したが、モールド樹脂36
が抵抗基板31の裏面だけを覆い、抵抗基板31の抵抗
体部40の上には、モールド樹脂36とは別の樹脂をコ
ーティングしてもよい。
In the third embodiment, the mold resin 36 is formed so as to cover the back surface of the resistor substrate 31 and a part of the surface (resistor portion 40) which is a high voltage portion.
May cover only the back surface of the resistor substrate 31, and the resistor portion 40 of the resistor substrate 31 may be coated with a resin different from the mold resin 36.

【0026】上記実施形態では、抵抗体間、電極間、お
よび電極と抵抗体との間に直線状のスリット溝を設けた
が、スリット溝は直線状である必要はなく、曲線状であ
ってもよい。スリット溝の加工方法は、レーザを用いた
ものに限らず、他の方法を用いてもよい。本発明の樹脂
被覆層を構成する樹脂材料としては、エポキシ樹脂やシ
リコーン樹脂など、絶縁性が高く、液状状態においてス
リット溝に入り込むだけの粘性を有する樹脂であれば、
何でもよい。なお、本発明の抵抗器は、ブリーダ抵抗器
や可変抵抗器以外にも適用可能であることは勿論であ
る。
In the above embodiment, the linear slit grooves are provided between the resistors, between the electrodes, and between the electrodes and the resistor. However, the slit grooves need not be linear, but may be curved. Is also good. The processing method of the slit groove is not limited to the method using a laser, and another method may be used. As the resin material constituting the resin coating layer of the present invention, a resin having a high insulating property, such as an epoxy resin or a silicone resin, having a viscosity sufficient to enter the slit groove in a liquid state,
Anything is fine. It should be noted that the resistor of the present invention can be applied to other than a bleeder resistor and a variable resistor.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる高
圧用抵抗器によれば、セラミック基板の表面に形成され
た抵抗体間、電極間、または抵抗体と電極との間にスリ
ット溝を形成し、このスリット溝に樹脂被覆層の一部を
入り込ませたので、従来の平面的な耐電圧構造に対し、
立体的な耐電圧構造とすることができる。そのため、耐
電圧性能が大幅に向上し、放電破壊や故障を防止でき
る。また、抵抗体間、電極間、または電極と抵抗体との
間の耐電圧性能が向上するので、抵抗体や電極を近い距
離に配置することが可能となり、小型の高圧用抵抗器を
実現できる。さらに、樹脂がスリット溝に入り込むこと
によるアンカー効果によりセラミック基板と樹脂被覆層
との密着性が向上し、耐電圧性能が安定し、信頼性が向
上するという効果を有する。
As described above, according to the high-voltage resistor of the present invention, a slit groove is formed between resistors, electrodes, or between a resistor and an electrode formed on the surface of a ceramic substrate. Formed, and a part of the resin coating layer was inserted into this slit groove.
A three-dimensional withstand voltage structure can be obtained. Therefore, the withstand voltage performance is greatly improved, and discharge breakdown and failure can be prevented. In addition, the withstand voltage performance between the resistors, between the electrodes, or between the electrodes and the resistor is improved, so that the resistors and the electrodes can be arranged at a short distance, and a small high-voltage resistor can be realized. . Furthermore, the anchor effect by the resin entering the slit groove improves the adhesion between the ceramic substrate and the resin coating layer, stabilizes the withstand voltage performance, and improves the reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の高圧用抵抗器の2つの例の正面図であ
る。
FIG. 1 is a front view of two examples of a conventional high-voltage resistor.

【図2】本発明にかかる高圧用抵抗器の一例の正面図で
ある。
FIG. 2 is a front view of an example of a high-voltage resistor according to the present invention.

【図3】図2のX−X線断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line XX of FIG. 2;

【図4】本発明にかかる高圧用抵抗器の他の例の正面図
である。
FIG. 4 is a front view of another example of the high-voltage resistor according to the present invention.

【図5】本発明にかかる高圧用抵抗器をフォーカスパッ
クの可変抵抗器に用いた例の断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view of an example in which the high-voltage resistor according to the present invention is used as a variable resistor of a focus pack.

【図6】図5のA部拡大図である。FIG. 6 is an enlarged view of a portion A in FIG. 5;

【図7】図5に示すフォーカスパックに用いられる抵抗
基板の表面図である。
FIG. 7 is a front view of a resistance substrate used in the focus pack shown in FIG. 5;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 セラミック基板 11 電極 12 抵抗体 15 スリット溝 17 樹脂被覆層 Reference Signs List 10 ceramic substrate 11 electrode 12 resistor 15 slit groove 17 resin coating layer

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】表面に抵抗体および電極を形成したセラミ
ック基板を備え、このセラミック基板の少なくとも抵抗
体を形成した面に樹脂被覆層を形成してなる高圧用抵抗
器において、上記セラミック基板の表面であって、抵抗
体間、電極間、または抵抗体と電極との間にスリット溝
が形成され、このスリット溝に上記樹脂被覆層の一部が
入り込んでいることを特徴とする高圧用抵抗器。
1. A high voltage resistor comprising a ceramic substrate having a resistor and an electrode formed on a surface thereof, and a resin coating layer formed on at least a surface of the ceramic substrate on which the resistor is formed. Wherein a slit groove is formed between the resistors, between the electrodes, or between the resistor and the electrode, and a part of the resin coating layer is inserted into the slit groove. .
【請求項2】上記スリット溝は、レーザ加工により形成
されたものであることを特徴とする請求項1に記載の高
圧用抵抗器。
2. The high-voltage resistor according to claim 1, wherein said slit groove is formed by laser processing.
【請求項3】上記スリット溝の深さは、セラミック基板
の厚みの1/10以下であることを特徴とする請求項1
または2に記載の高圧用抵抗器。
3. The method according to claim 1, wherein the depth of the slit groove is not more than 1/10 of the thickness of the ceramic substrate.
Or the high-voltage resistor according to 2.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010016174A (en) * 2008-07-03 2010-01-21 Rohm Co Ltd Chip resistor and its manufacturing method
EP2605023A1 (en) * 2011-12-16 2013-06-19 Arteche Lantegi Elkartea, S.A. High-voltage voltage divider and connector comprising said divider

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