JP2002199248A - 画像エンハンス方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ハードウェアの増大やコストアップにならず
に、高密度で良好なエンハンス処理が行えるようにした
エンハンス装置及び方法を提供する。 【解決手段】 近傍画素レベル比較回路２で、入力され
た画像信号に対して、近傍画素のレベルの比較を行う。
レベル制御回路３は、この比較結果に基づいて、ＶＭ処
理を模倣して、オーバーサンプリング画素のレベルを制
御する。レベル制御回路３からは、レベル制御されたオ
ーバーサンプリング画素が４画素分パラレルで出力され
る。レベル制御回路３の出力は、周波数変換回路４で、
オーバーサンプリング画素のクロックの周波数に周波数
変換される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、画像をより鮮明
かつシャープに表示するためのエンハンス装置及び方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】画像をより鮮明かつシャープに表示する
ための技術としてエンハンス処理がある。従来のディジ
タル画像信号処理装置では、最適なエンハンス処理を実
現するために、様々な工夫がなされてきている。それら
のうち現在においても最も一般的に行われているものの
１つが、いわゆるＦＩＲフィルタを用いたフィルタリン
グ処理である。

【０００３】また、より効果的なエンハンス処理を目的
として、オーバーサンプリングと組み合わせたものも多
数提案されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなオーバーサンプリングを用いたものの殆どは、オー
バーサンプリング後に単なるフィルタリング処理を施し
たものである。このように、単にオーバーサンプリング
した後にフィルタリングした構成では、良好なエンハン
ス効果を得難い。

【０００５】また、元画像のパターンと、高密度画像の
テンプレートとのマッチングを行い、その結果によって
高密度画像に変換することで、高密度画像再生を実現し
たものが提案されている。このような構成では、非常に
高密度で良好な画像を再生させることが可能になる。し
かしながら、このような構成では、ハードウェア規模が
大きくなり、コストアップになるという問題がある。

【０００６】したがって、この発明の目的は、ハードウ
ェアの増大やコストアップにならずに、高密度で良好な
エンハンス処理が行えるようにしたエンハンス装置及び
方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この発明は、入力信号レ
ベルと、近傍のサンプリングデータのレベルとを比較す
る近傍画素レベル比較手段と、近傍画素レベル比較手段
の出力に基づいてオーバーサンプリング画素のレベルを
制御し、オーバーサンプリング画素を出力するレベル制
御手段と、オーバーサンプリング画素のクロックに周波
数変換する周波数変換手段とからなる画素エンハンス装
置である。

【０００８】この発明は、入力信号レベルと、近傍のサ
ンプリングデータのレベルとを比較し、入力信号レベル
と近傍のサンプリングデータのレベルとの比較出力に基
づいてオーバーサンプリング画素のレベルを制御し、オ
ーバーサンプリング画素のクロックに周波数変換して出
力するようにした画像エンハンス方法である。

【０００９】入力信号レベルと、近傍のサンプリングデ
ータのレベルとを比較し、この入力信号レベルと近傍の
サンプリングデータのレベルとの比較出力に基づいて、
ＶＭ処理を模倣して、オーバーサンプリング画素のレベ
ルが制御されて、エンハンス処理が行われる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。図１は、この発明の第１
の実施形態のブロック図である。

【００１１】図１において、入力端子１に画像信号が供
給される。この画像信号は、近傍画素レベル比較回路２
に供給されると共に、レベル制御回路３に供給される。
近傍画素レベル比較回路２は、入力された画像信号に対
して、近傍画素のレベルの比較を行うものである。この
例では、入力された画像信号と、ラスタスキャンの信号
系列に対する近傍画素レベルと比較している。近傍画素
レベル比較回路２は、後に説明するように、この比較結
果に基づいて、レベル制御回路３に対する制御量を求め
る。

【００１２】近傍画素レベル比較回路２の出力がレベル
制御回路３に供給される。レベル制御回路３で、近傍画
素レベル比較回路２の出力に基づいて、入力画像信号の
レベルが制御される。

【００１３】この際、レベル制御回路３は、同時に複数
のレベル制御結果を出力する。この例では、同時に４通
りのレベル制御を行って、その結果として４つの画素レ
ベルを出力している。このレベル制御回路３により、近
傍画素レベル比較回路２の出力に基づいて、オーバーサ
ンプリング画素のレベルを制御することにより、エンハ
ンス処理がなされる。

【００１４】レベル制御回路３からの４つの出力が並列
化され、周波数変換回路４に供給される。この周波数変
換回路４により、４つにパラレル化されて入力された画
像信号は、１つずつ４倍速でシリアルに出力される。こ
の際、４倍速のクロックは、ＰＬＬ５から供給される。
周波数変換回路４の出力が出力端子６から出力される。

【００１５】なお、この例では、ラスタスキャンされた
画像信号の、その水平一次元走査方向における４倍密の
高解像度化と一次元エンハンスを同時に実現する例を示
したが、レベル制御回路３の同時処理の本数と周波数変
換回路４の能力によって、理論的には何倍密の高解像度
化も可能である。

【００１６】次に、この発明における近傍画素レベル比
較回路２及びレベル制御回路３で行うエンハンス処理に
ついて説明する。

【００１７】この発明では、テレビジョン用ＣＲＴ（Ca
thode-Ray Tube）で用いられてきたＶＭ(Velocity Modu
lation) と呼ばれる技術を応用して、エンハンス処理を
行うようにしている。ＶＭ技術は、電子銃で放出された
電子群を偏向ヨークでブラウン管面上に走査させる際
に、電子密度が上昇するときには走査の速度を速く、電
子密度が下降するときには走査の速度を遅くするように
制御するものである。この技術により、管面上の電子ビ
ームスポットの半径が見かけ上小さくなり、視覚的にシ
ャープネスがアップしたような画像になる。

【００１８】このように、ＶＭは、電子密度が上昇する
ときには走査の速度を速く、電子密度が下降するときに
は走査の速度を遅くするよう、偏向ヨークの速度変調信
号をコントロールするものであり、このＶＭの処理を行
うと、以下のような現象を生み出す。

【００１９】(a) 入力信号レベルの上昇直後の出力レベ
ルを下げ、その後の出力レベルを急峻に上昇させ、最後
にレベルを落として入力信号レベルに近づける。

【００２０】(b) 入力信号レベルの下降直前の出力レベ
ルを上げ、その後の出力レベルを急峻に下降させ、最後
にレベルを上げて入力信号レベルに近づける。

【００２１】その結果として現れる管面の輝度レベルの
変化を図示すると、図２及び図３に示すようになる。

【００２２】図２は、高レベルの間が１画素のような短
いときに、ＶＭによる処理を行ってときの波形を示すも
のである。すなわち、図２Ａに示すような波形の信号に
対してＶＭと等価な処理を行うと、上述の（ａ）及び
（ｂ）で示した処理を行ったことになり、図２Ｂに示す
ような波形となる。

【００２３】図３は、高レベルの間が３画素のように長
くなったときに、ＶＭによる処理を行ったときの波形を
示すものである。すなわち、図３Ａに示すような波形の
信号に対してＶＭと等価な処理を行うと、上述の（ａ）
及び（ｂ）で示した処理を行ったことになり、図３Ｂに
示すような波形となる。

【００２４】以上のように、ＶＭによって、１画素未満
の解像度レベルでエンハンス効果が得られることが分か
る。また図から、高レベルの期間（スポット径）が減少
する傾向にあることも読み取れる。

【００２５】図１における近傍画素レベル比較回路２及
びレベル制御回路３は、このＶＭの処理をディジタル的
に行うものである。

【００２６】図４、図５、及び図６は、近傍画素レベル
比較回路２及びレベル制御回路３の動作を示すものであ
る。なお、この例では、説明を簡単とするため、オ−バ
ーサンプリング及びエンハンスは画像の水平方向のみに
施すものとし、周波数変換は４倍速に限定するものとす
る。

【００２７】図４は、低レベルの画像信号の２つの間に
１点だけ高レベルの信号が存在する場合である。図４Ａ
において、ＤＡ、ＤＢ、ＤＣはオーバーサンプリング前
の元画素を表すものとする。図４Ｂは、図４Ａにおいて
中央の部分の画素ＤＢを４倍にオーバーサンプリングし
て、オーバーサンプリング画素Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃ、Ｐｄ
を生成した様子を示している。近傍画素レベル比較回路
２及びレベル制御回路３は、このオーバーサンプリング
画素Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃ、Ｐｄを、ＶＭ処理によりレベル
調整して、図４Ｃに示すようなデータを生成する。

【００２８】なお、この発明では、近傍画素レベル比較
回路２で、近傍画素レベルの比較を行っているが、それ
は、オーバーサンプリング画素Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃ、Ｐｄ
は、それぞれのサンプリング点の最も近い位相（最近
傍）の元画素２つを比較することによって生成されるこ
とを意味する。

【００２９】つまり、中央よりも左側に位置するオーバ
ーサンプリング画素ＰａとＰｂのレベルは、いずれも元
画素ＤＡとＤＢを比較することによってそのレベルが決
定され、中央よりも右側に位置するオーバーサンプリン
グ画素ＰｃとＰｄのレベルは、いずれも元画素ＤＢとＤ
Ｃとを比較することによって導き出される。

【００３０】この場合、オーバーサンプリング画素Ｐａ
のレベルは、元画素ＤＡからＤＢに大きくレベルが上昇
しているため、図２及び図３に習うと、むしろレベルを
下げる方向が、よりＶＭの制御らしい効果を生み出すと
いえる。

【００３１】一方、オーバーサンプリング画素Ｐｂのレ
ベルは、元画素ＤＡからＤＢに大きくレベルが上昇して
いることと、図２及び図３を受けて、レベルをより上げ
る方向が正しいといえる。

【００３２】同様に、元画素ＤＢからＤＣへ大きくレベ
ルが下降していることを受けて、オーバーサンプリング
画素Ｐc のレベルは上昇、Ｐd のレベルは下降となる。

【００３３】図５は、階段状に信号レベルが上昇してい
く場合のエンハンス処理を示すものである。

【００３４】この場合も図４の場合と同様に、近傍元画
素レベルの比較対象としては、オーバーサンプリング画
素Ｐａ、Ｐｂについては、元画素のＤＡとＤＢ、オーバ
ーサンプリング画素Ｐｃ、Ｐｄについては、元画素のＤ
ＢとＤＣとの比較となる。

【００３５】そして、図４の場合と同様に、元画素ＤＡ
からＤＢに大きくレベルが上昇していることから、オー
バーサンプリング画素Ｐａ、Ｐｂについては、図４の場
合と同様に、オーバーサンプリング画素Ｐａのレベルを
減少、Ｐｂのレベルを上昇させる。

【００３６】ところが、元画素ＤＢから元画素ＤＣへは
レベルが上昇しているものの、それ程大きくは上昇して
いない。この場合、本来のＶＭの働きからすると、レベ
ルの上昇度に応じて多少のゲイン差は生じるものの、や
はりオーバーサンプリング画素Ｐｃのレベルを持ち上
げ、Ｐｄのレベルは下げる方向に制御することになる。

【００３７】しかしながら、このようにレベル変動が小
さい場合には、画像の滑らかなグラデーションの一部と
考え、レベルの立ち上がりを極端に補正するのではな
く、むしろより滑らかに近傍画素のレベルへと繋ぐ方法
が良いと考えられる。

【００３８】したがって、図５Ｃに示すように、オーバ
ーサンプリングデータＰｄのレベルを僅かに上昇させる
と共に、オーバーサンプリングデータＰｃのレベルはＰ
ｄより更に僅かに上昇させる形となる。仮に元画素ＤＣ
をオーバーサンプリングした画素のレベル制御を行うと
すれば、それらのうち最初の２点は、元画素ＤＢのレベ
ルと滑らかに繋がるように、僅かにレベルが下げられる
こととなる。

【００３９】このように、入力信号レベルの上昇の変動
が所定値より小さい場合には、入力信号レベルの上昇直
前のオーバーサンプリング画素から徐々にレベルが上げ
られる。同様に、入力信号レベルの下降の変動が所定値
より小さい場合には、入力信号レベルの下降する変化点
のオーバーサンプリング画素から徐々にレベルが下げら
れる。

【００４０】図６は、大きなレベル下降と大きなレベル
上昇の狭間で制御を行う場合を示すものである。このよ
うに、大きなレベル下降と大きなレベル上昇の狭間で制
御を行う場合には、図６に示すように、レベルを全く変
化させないことが良いと考えられる。これは、ＶＭの効
果を参考にして、高レベルの期間を減少させるようにレ
ベル制御を行うためである。視覚上の画像のシャープネ
スをアップさせるために、大きなレベル下降直後と上昇
直前のレベル維持することが重要であると考えるからで
ある。大きなレベル上昇と大きなレベル下降の狭間で
も、同様に、レベルを全く変化させないことが良いと考
えられる。

【００４１】図７は、この発明の第２の実施の形態を示
すものである。図７において、入力端子１１に画像信号
が供給される。このビデオデータは、近傍画素レベル比
較回路１２に供給されると共に、ラインメモリ１３及び
レベル制御回路１４に供給される。

【００４２】近傍画素レベル比較回路１２は、入力され
た画像信号に対して、近傍画素のレベルの比較を行うも
のである。この例では、ラインメモリ１３が設けられて
いるため、入力された画像信号と、ラスタスキャンの信
号系列に対する近傍レベルとが比較されると共に、入力
された画像信号と、垂直方向の信号系列に対する近傍画
素レベルとが比較される。近傍画素レベル比較回路１２
は、前述したように、ＶＭ処理に基づく処理を行って、
レベル制御回路１４に対する制御量を求める。

【００４３】近傍画素レベル比較回路１２の出力がレベ
ル制御回路１４に供給される。レベル制御回路１４で、
近傍画素レベル比較回路１２の出力に基づいて、入力画
像信号のレベルが制御される。

【００４４】この際、レベル制御回路１４は、同時に複
数のレベル制御結果を出力する。この例では、スキャン
方向に４通り、垂直方向に４通りのレベル制御を行っ
て、その結果として１６の画素レベルを出力している。
このレベル制御回路１４により、近傍画素レベル比較回
路１２の出力に基づいて、オーバーサンプリング画素の
レベルを制御することにより、エンハンス処理がなされ
る。

【００４５】このレベル制御回路１４からの１６の出力
が並列化され、周波数変換回路１５に供給される。この
周波数変換回路１５により、１６にパラレル化されて入
力された画像データは、１つずつ１６倍速でシリアルで
出力される。この際、１６倍速のクロックは、ＰＬＬ１
６から供給される。

【００４６】周波数変換回路１５の出力がラインメモリ
１７に供給される。ラインメモリ１７の出力が出力端子
１８から出力される。

【００４７】上述の第１の例では、近傍比較の対象を画
像のスキャン方向にのみ行っているが、この第２の実施
例の形態では、ラインメモリ１３を導入することによっ
て、近傍画素レベル比較回路１２の近傍比較の対象を、
画像のスキャン方向に依存した左右の画素だけでなく、
上下方向の画素にも拡張している。

【００４８】このとき、後段のレベル制御回路１４は、
第１の実施形態と同様に、レベル制御を行った結果の画
素レベルを複数同時に出力するが、この例では、水平垂
直方向それぞれ４倍密化した例を示しており、入力され
た１画素を１６点にレベル分解して出力している。

【００４９】また、この際、レベル制御回路１４は、入
力画素の近傍１６点を同時に出力するのに対し、最終的
な出力信号はラスタスキャンであるため、それを吸収す
るためのラインメモリ１７をレベル制御回路１４の後段
に設ける必要がある。

【００５０】ただし、レベル制御回路１４とラインメモ
リ１７の間に周波数変換回路１５を設置することで、１
６パラレルの画素を１画素単位に１６倍速するパラレル
／シリアル変換を行っておいた方が、ラインメモリ１７
の入力ポート数の削減にもつながり効率的である。

【００５１】この実施の形態では、垂直方向へのオーバ
ーサンプリングも同時に行うため、入力元画像の１ライ
ン毎に複数ラインが出力される構成となる。結果的に、
画像信号の水平垂直両方向の高解像度化と二次元エンハ
ンスが実現できる。

【００５２】図８は、この発明の第３の実施の形態を示
すものである。図８において、入力端子２１に画像信号
が供給される。この画像信号は、ラインメモリ２２に供
給される。ラインメモリ２２には、ＰＬＬ２３から、４
倍速のクロックが供給される。

【００５３】ラインメモリ２２からは、４倍速で画像信
号が読み出される。このラインメモリ２２の出力が近傍
画素レベル比較回路２４に供給されると共に、レベル制
御回路２５に供給される。レベル制御回路２５で、近傍
画素レベル比較回路２４の出力に基づいて、入力画像信
号のレベルが制御される。

【００５４】レベル制御回路２５は、同時に複数のレベ
ル制御結果を出力する。この例では、スキャン方向に４
通り、垂直方向に４通りのレベル制御を行って、その結
果として１６の画素レベルを出力している。

【００５５】なお、この場合、近傍画素レベル比較回路
２４は、水平方向に隣接する画素を比較する２パターン
の比較と、垂直方向の隣接する画素を比較する２パター
ンとの合わせて４パターンの比較を行うが、レベル制御
回路２５では、水平、垂直の制御を分けて、シーケンシ
ャルに処理を行えば、回路効率が良い。

【００５６】このレベル制御回路２５により、近傍画素
レベル比較回路２４の出力に基づいて、オーバーサンプ
リング画素のレベルを制御することにより、エンハンス
処理がなされる。

【００５７】レベル制御回路２５の出力が周波数変換回
路２６に供給される。周波数変換回路２６には、ＰＬＬ
２７から１６倍速のクロックが供給される。周波数変換
回路２６の出力が出力端子２８から出力される。

【００５８】この第３の実施の形態は、第２の実施の形
態と同様に、近傍画素レベル比較回路の近傍比較の対象
を、画像のスキャン方向に依存した左右の画素だけでな
く、上下方向の画素にも拡張している。

【００５９】そして、第３の実施の形態の場合には、ま
ず初段のラインメモリ２２が周波数変換機能を内包して
おり、入力されたすべての画素のレベルは一旦ラインメ
モリ２２に蓄えられた後、４倍速で出力される。そし
て、近傍画素レベル比較回路２４とレベル制御回路２５
によって、ラインメモリ２２の出力画素の近傍補間画素
が、水平方向４画素単位で出力され、最終段の周波数変
換回路２６により、更に４倍速されてシリアルに出力さ
れるという構成になっている。

【００６０】この実施の形態の場合も、最終的には１６
倍速化されるため、構成的には異なるが、第２の実施例
と全く同じ効果を有することになる。

【００６１】図９は、この発明の第４の実施の形態を示
すものである。図９において、入力端子３１に画像信号
が供給される。この画像信号は、画素数変換回路３２に
供給される。画素数変換回路３２で、入力画像信号の画
素数が変換される。

【００６２】画素数変換回路３２の出力が近傍画素レベ
ル比較回路３３に供給されると共に、レベル制御回路３
４に供給される。近傍画素レベル比較回路３３は、入力
された画像信号に対して、近傍画素のレベルの比較を行
うものである。

【００６３】近傍画素レベル比較回路３３の出力がレベ
ル制御回路３４に供給される。レベル制御回路３４で、
近傍画素レベル比較回路３３の出力に基づいて、画素数
変換回路３２の出力のレベルが制御される。レベル制御
回路３４の出力が出力端子３６から出力される。

【００６４】この第４の実施の形態は、上述の第２の実
施の形態、第３の実施の形態例を更に発展させたもので
ある。

【００６５】これは、図７におけるラインメモリ１３、
１７と、周波数変換回路１５とＰＬＬ１６を、画素数変
換回路３２で置き換えたものである。この画素数変換回
路３２により、先ず、スキャン方向及び垂直方向に、必
要な画素数に変換される。例えば、スキャン方向に４画
素、垂直方向に４画素でレベル比較を行う場合には、画
素数変換回路３２により、入力画像信号は、スキャン方
向に４倍、垂直方向に４倍に画素変換される。そして、
スキャン方向に４倍、垂直方向に４倍に画素変換された
画像信号に対して、近傍画素レベル比較回路３３で近傍
画素レベルの比較が行なわれ、レベル制御回路３４で、
近傍画素レベル比較回路３３の出力に基づいて、画素レ
ベルが制御される。

【００６６】この構成により、フレキシブルかつ高精度
な高解像度補間画像に対し、エンハンス処理を施すこと
が可能となる。

【００６７】なお、上述の説明では、入力信号のオーバ
ーサンプリングレートを４倍としてきたが、２倍以上の
整数倍であれば、この発明は適用できる。より良好なエ
ンハンス効果を得るためには、より高いレートのオーバ
ーサンプリングの方が良いが、回路規模の増大やクロッ
ク周波数の上昇、メモリ容量、バンド幅の問題があるた
め、コスト対効果や垂直方向のオーバーサンプリクまで
考えると、２〜８倍程度が適当と考えられる。

【００６８】また、入力画像信号のフォーマットについ
ては特に説明していないが、ＲＧＢコンポーネントビデ
オ信号を用いても、ＹＵＶコンポーネントビデオ信号を
用いても良い。しかし、色調の変化を抑えつつ、エンハ
ンスの効果を得るためには、ＹＵＶ系のコンポーネント
ビデオ信号のＹ信号（輝度信号）のみエンハンス処理を
行うことが考えられる。

【００６９】また、この発明が適用されたエンハンス処
理では、ＤＡ変換後のアナログ的なＶＭ処理をも内包す
る試みであるため、入力信号のダイナミックレンジが大
きく広がって出力されることになる。したがって、この
ダイナミンクレンジを確保するために、レベル制御回路
から後段は、クリッピングをなるべく行わないで、ビッ
ト幅を大きめにとることが望ましい。

【００７０】また、この発明の実施例では、ハードウェ
アの回路として示したが、この発明は、コンピュータ上
でソフトウェアとして実現できる。

【００７１】

【発明の効果】この発明では、入力信号レベルと、近傍
のサンプリングデータのレベルとを比較し、この入力信
号レベルと近傍のサンプリングデータのレベルとの比較
出力に基づいて、ＶＭ処理を模倣して、オーバーサンプ
リング画素のレベルが制御されて、エンハンス処理が行
われる。そして、この発明によれば、従来のフィルタ演
算によるエンハンス処理と比較して、非常に効果的なエ
ンハンス処理を実現することができる。これは、従来画
素単位でしたレベル制御を行えなかったのに対して、こ
の発明では、１画素の数分の一の精度でレベル制御が可
能であるためである。

【００７２】また、オーバーサンプリング手法により、
高解像度化も同時に行うことができる。これは、画素数
変換と組み合わせることによって、更なるハイクオリテ
ィな高解像度化とエンハンスの相乗効果を期待できる。

【００７３】また、この発明によれば、従来のＶＭ処理
に基づく処理をディジタル的に行っている。従来のアナ
ログのＶＭ処理では、ラスタスキャンの方向にした効果
が発揮できなかったが、この発明によるエンハンス処理
では、ラスタスキャン方向ばかりでなく、垂直方向にも
処理が行える。そのうえ、ディジタル的に実現したこと
により、回路の調整が不要になる。更に、従来のＶＭで
は実現困難であったＲＧＢ独立のエンハンス効果を容易
に実現できる。

【００７４】別の点では、従来のフィルタ演算やＶＭ
は、画像信号の時系列的レベル変化の特徴を無視し、一
律同じような信号制御を行ってきたが、この発明では、
レベル変化の大小に応じて処理を切り替えることによ
り、エンハンスとスムージングを画像の特徴に合わせて
選択的に施す処理が実現できる。

【００７５】また、ＶＭの効果を模倣した、高レベルの
信号を優先的に細くするエンハンス処理は、特にテレビ
ジョン信号を扱うブラウン管上のスポット径を縮小する
のに効果があり、視覚的なシャープネスの向上に役立
つ。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施の形態のブロック図であ
る。

【図２】この発明が適用されたエンハンス処理の説明に
用いる波形図である。

【図３】この発明が適用されたエンハンス処理の説明に
用いる波形図である。

【図４】この発明が適用されたエンハンス処理の説明に
用いる波形図である。

【図５】この発明が適用されたエンハンス処理の説明に
用いる波形図である。

【図６】この発明が適用されたエンハンス処理の説明に
用いる波形図である。

【図７】この発明の第２の実施の形態のブロック図であ
る。

【図８】この発明の第３の実施の形態のブロック図であ
る。

【図９】この発明の第４の実施の形態のブロック図であ
る。

【符号の説明】

２・・・近傍画素レベル比較回路，３・・・レベル制御
回路，４・・・周波数変換回路，５・・・ＰＬＬ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5C021 PA17 PA26 PA28 PA53 PA58 PA84 RA02 RB04 RB08 SA22 XB02 XB03 XB04 YC10 5C082 BA20 BA41 CA11 CA21 CA22 CA81 CB01 DA51 MM10

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 入力信号レベルと、近傍のサンプリング
   データのレベルとを比較する近傍画素レベル比較手段
   と、 上記近傍画素レベル比較手段の出力に基づいてオーバー
   サンプリング画素のレベルを制御し、上記オーバーサン
   プリング画素を出力するレベル制御手段と、 オーバーサンプリング画素のクロックに周波数変換する
   周波数変換手段とからなる画素エンハンス装置。
2. 【請求項２】 上記近傍画素レベルの比較は、左右方向
   の１次元の比較である請求項１に記載の画像エンハンス
   装置。
3. 【請求項３】 上記近傍画素レベルの比較は、上下左右
   の２次元の比較である請求項１に記載の画像エンハンス
   装置。
4. 【請求項４】 垂直方向に隣接する画素の比較を行うた
   めに、前段にラインメモリを設けるようにした請求項１
   に記載の画像エンハンス装置。
5. 【請求項５】 上記ラインメモリで周波数変換を行うよ
   うにした請求項４に記載の画素エンハンス装置。
6. 【請求項６】 前段にオーバーサンプリング画素の画素
   数に画素数変換する画素数変換手段を設けるようにした
   請求項１に記載の画像エンハンス装置。
7. 【請求項７】 上記レベル制御手段は、ＣＲＴにおいて
   電子銃で放出された電子群を偏光ヨークで管面上に走査
   させる際に、電子密度が上昇するときに走査の速度を速
   くし、電子密度が下降するときに走査の速度を遅くする
   ような制御と等価な制御を行うものである請求項１に記
   載の画像エンハンス装置。
8. 【請求項８】 上記レベル制御手段は、上記入力信号レ
   ベルの上昇及び下降を検出し、 上記入力信号レベルが上昇したときには、上記入力信号
   レベルの変化点のオーバーサンプリング画素のレベルを
   下げ、その後の画素のレベルを急峻に上昇させ、 上記入力信号レベルが下降したときには、上記入力信号
   レベルの変化点のオーバーサンプリング画素のレベルを
   上げ、その後の画素のレベルを急峻に下降させるように
   した請求項１に記載の画像エンハンス装置。
9. 【請求項９】 上記レベル制御手段は、上記入力信号レ
   ベルの上昇又は下降の変動が小さい場合には、上記入力
   信号レベルの上昇又は下降する変化点のオーバーサンプ
   リング画素から徐々にレベルを上げ又は下げていくよう
   にした請求項１に記載の画像エンハンス装置。
10. 【請求項１０】 上記レベル制御手段は、上記入力信号
    レベルが大きく下降してから大きく上昇する場合又は大
    きく上昇してから大きく下降する場合には、その間のサ
    ンプリング画素レベルを保持するようにした請求項１に
    記載の画像エンハンス装置。
11. 【請求項１１】 上記入力信号は輝度信号である請求項
    １に記載の画像エンハンス装置。
12. 【請求項１２】 入力信号レベルと、近傍のサンプリン
    グデータのレベルとを比較し、 上記入力信号レベルと近傍のサンプリングデータのレベ
    ルとの比較出力に基づいてオーバーサンプリング画素の
    レベルを制御し、 オーバーサンプリング画素のクロックに周波数変換して
    出力するようにした画像エンハンス方法。
13. 【請求項１３】 上記近傍画素レベルの比較は、左右方
    向の１次元の比較である請求項１２に記載の画像エンハ
    ンス方法。
14. 【請求項１４】 上記近傍画素レベルの比較は、上下左
    右の２次元の比較である請求項１２に記載の画像エンハ
    ンス方法。
15. 【請求項１５】 上記オーバーサンプリング画素のレベ
    ル制御は、ＣＲＴにおいて電子銃で放出された電子群を
    偏光ヨークで管面上に走査させる際に、電子密度が上昇
    するときに走査の速度を速くし、電子密度が下降すると
    きに走査の速度を遅くするような制御と等価な制御を行
    うものである請求項１２に記載の画像エンハンス方法。
16. 【請求項１６】 上記オーバーサンプリング画素のレベ
    ル制御は、上記入力信号レベルの上昇及び下降を検出
    し、 上記入力信号レベルが上昇したときには、上記入力信号
    レベルの変化点のオーバーサンプリング画素のレベルを
    下げ、その後の画素のレベルを急峻に上昇させ、 上記入力信号レベルが下降したときには、上記入力信号
    レベルの変化点のオーバーサンプリング画素のレベルを
    上げ、その後の画素のレベルを急峻に下降させるように
    した請求項１２に記載の画像エンハンス方法。
17. 【請求項１７】 上記オーバーサンプリング画素のレベ
    ル制御は、上記入力信号レベルの上昇又は下降の変動が
    小さい場合には、上記入力信号レベルの上昇又は下降す
    る変化点のオーバーサンプリング画素から徐々にレベル
    を上げ又は下げていくようにした請求項１２に記載の画
    像エンハンス方法。
18. 【請求項１８】 上記オーバーサンプリング画素のレベ
    ル制御は、上記入力信号レベルが大きく下降してから大
    きく上昇する場合又は大きく上昇してから大きく下降す
    る場合には、その間のサンプリング画素レベルを保持す
    るようにした請求項１２に記載の画像エンハンス方法。
19. 【請求項１９】 上記入力信号は輝度信号である請求項
    １２に記載の画像エンハンス方法。