JP2002184759A5 - - Google Patents

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  1. 反応ガスを供給する反応管と、前記反応ガスに作用する第１，第２の電極とを備え、前記第１，第２の電極に高周波電力を供給して反応ガスを励起し、発生させたプラズマで被処理基板を処理するプラズマ処理装置であって、
    第１の電極に高周波電力を供給する第１の電源と、
    第２の電極に前記高周波電力よりも低い周波数の電力を供給する第２の電源と
    を設け、前記第１，第２の電極を前記反応管の外周部に前記反応管を挟んで対向するように配置した
    プラズマ処理装置。
  2. 反応ガスを供給する反応管と、前記反応ガスに作用する第１，第２の電極とを備え、前記第１，第２の電極に高周波電力を供給して反応ガスを励起し、発生させたプラズマで被処理基板を処理するプラズマ処理装置であって、
    第１の電極に高周波電力を供給する第１の電源と、
    第２の電極に前記高周波電力よりも低い周波数の電力を供給する第２の電源と
    を設け、前記１，第２の電極を前記反応管の内周部に対向するよう配置した
    プラズマ処理装置。
  3. 第２の電源より供給される電源周波数が１００ｋＨｚ以下である
    請求項１または請求項２に記載のプラズマ処理装置。
  4. 反応管に反応ガスを供給し、電極に高周波電力を供給して前記反応管の反応ガスを励起し、発生したプラズマで被処理基板を処理するに際し、
    高周波電力とこの高周波電力の周波数よりも低い周波数の電力との合成電力によって反応ガスを励起してプラズマを発生させる
    プラズマ処理方法。
  5. 前記低い周波数が１００ｋＨｚ以下である請求項４記載のプラズマ処理方法。
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