JP2002184708A - 清掃装置および清掃方法と清浄度診断方法および診断装置ならびにこれら装置を用いた半導体製造装置 - Google Patents
清掃装置および清掃方法と清浄度診断方法および診断装置ならびにこれら装置を用いた半導体製造装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理装置１４のチャンバ９内を清掃する清掃
装置および清掃方法において、チャンバ９の真空解放時
に舞い上がるパ−ティクルを排除する。 【解決手段】 蓋１に取り付けられチャンバ９内に乾燥
ガスを噴射するノズル５と、チャンバ９内の乾燥ガスを
排気する排気ダクト７を設け、減圧されたチャンバ９内
に乾燥ガスを噴射し、チャンバ９内に残留するパ−ティ
クルを舞い上がらせパ−ティクル数を計数しながら排気
ダクト７で装置外に排出する。
装置および清掃方法において、チャンバ９の真空解放時
に舞い上がるパ−ティクルを排除する。 【解決手段】 蓋１に取り付けられチャンバ９内に乾燥
ガスを噴射するノズル５と、チャンバ９内の乾燥ガスを
排気する排気ダクト７を設け、減圧されたチャンバ９内
に乾燥ガスを噴射し、チャンバ９内に残留するパ−ティ
クルを舞い上がらせパ−ティクル数を計数しながら排気
ダクト７で装置外に排出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板等の基
板表面をエッチング処理や成膜処理する処理装置のチャ
ンバ内のパ−ティクルを除去する可搬型の清掃装置およ
び清掃方法、清掃後の清浄度が満足できるかどうか診断
する清浄度診断方法および診断方法、ならびにこれら清
掃装置と組み合わせて使えば効果的な半導体製造装置に
関する。
板表面をエッチング処理や成膜処理する処理装置のチャ
ンバ内のパ−ティクルを除去する可搬型の清掃装置およ
び清掃方法、清掃後の清浄度が満足できるかどうか診断
する清浄度診断方法および診断方法、ならびにこれら清
掃装置と組み合わせて使えば効果的な半導体製造装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、半導体基板をエッチングするドラ
イエッチング装置や半導体基板に薄膜を形成するＣＶＤ
装置など使用頻度にもよるが、チャンバ内に反応生成物
であるパ−ティクルが堆積する。このように堆積しチャ
ンバ内に停留するパ−ティクルは、処理した後、チャン
バの真空を大気に解放することにより、急激な圧力の上
昇により舞い上がり、処理済み半導体基板に付着したり
して処理不良を起こすという問題が起きていた。
イエッチング装置や半導体基板に薄膜を形成するＣＶＤ
装置など使用頻度にもよるが、チャンバ内に反応生成物
であるパ−ティクルが堆積する。このように堆積しチャ
ンバ内に停留するパ−ティクルは、処理した後、チャン
バの真空を大気に解放することにより、急激な圧力の上
昇により舞い上がり、処理済み半導体基板に付着したり
して処理不良を起こすという問題が起きていた。
【０００３】この対策として、急激な圧力上昇を抑制す
るためにチャンバ内に大気を徐徐に導入したりしてパ−
ティクルの舞い上がりを防止していた。しかしながら、
この方法は確実な方法でなく、結局、定期的にチャンバ
内からウェハステ−ジを取り出し、チャンバ内を機械的
にパ−ティクルを人手で除去していた。しかし、狭いチ
ャンバの搬出入口から奥の広いチャンバ内部を清掃する
ことが煩わしく多大な時間を浪費するという問題があっ
た。
るためにチャンバ内に大気を徐徐に導入したりしてパ−
ティクルの舞い上がりを防止していた。しかしながら、
この方法は確実な方法でなく、結局、定期的にチャンバ
内からウェハステ−ジを取り出し、チャンバ内を機械的
にパ−ティクルを人手で除去していた。しかし、狭いチ
ャンバの搬出入口から奥の広いチャンバ内部を清掃する
ことが煩わしく多大な時間を浪費するという問題があっ
た。
【０００４】このような問題を解消する真空処理方法及
び装置が、特開平７−８６２４１号公報に開示されてい
る。この真空処理装置の清掃手段は、真空処理室である
チャンバに清掃用ガス導入口とガス排気ダクトを可動式
電氣集塵機とを設け、真空処理した後、大気圧レベルの
乾燥ガスを導入しチャンバ内の異物を舞い上がらせ、ガ
ス気流に載せて排気ダクトから装置外へ除去している。
さらに、適切に配置された電氣集塵機に捕獲させてい
る。
び装置が、特開平７−８６２４１号公報に開示されてい
る。この真空処理装置の清掃手段は、真空処理室である
チャンバに清掃用ガス導入口とガス排気ダクトを可動式
電氣集塵機とを設け、真空処理した後、大気圧レベルの
乾燥ガスを導入しチャンバ内の異物を舞い上がらせ、ガ
ス気流に載せて排気ダクトから装置外へ除去している。
さらに、適切に配置された電氣集塵機に捕獲させてい
る。
【０００５】一方、チャンバ内壁に堆積した反応生成物
に対しては、上記の乾燥ガスによる清掃の間に、チャン
バ内に清掃用のプラズマを立ててチャンバ壁面の反応生
成物をプラズマで脱離させ塵埃となった反応生成物を再
び、乾燥ガスの導入、排出により除去することを特徴と
している。
に対しては、上記の乾燥ガスによる清掃の間に、チャン
バ内に清掃用のプラズマを立ててチャンバ壁面の反応生
成物をプラズマで脱離させ塵埃となった反応生成物を再
び、乾燥ガスの導入、排出により除去することを特徴と
している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した真空処理装置
の清掃手段は、清掃すべき真空処理装置のそれぞれに設
けなければならず、真空処理装置のコストが高くなると
いう欠点がある。さらに、この清掃手段は、舞い上がら
せて排除されるパ−ティクルがチャンバ内に残っている
か否かを確認手段がない。この確認手段がない限り、チ
ャンバ内に残留するパ−ティクルが存在する恐れがあ
る。従って、再び処理を行った後、チャンバの真空を大
気にしたとき、残留したパ−ティクルが舞い上がり処理
済みの半導体基板を汚染させるという懸念がある。
の清掃手段は、清掃すべき真空処理装置のそれぞれに設
けなければならず、真空処理装置のコストが高くなると
いう欠点がある。さらに、この清掃手段は、舞い上がら
せて排除されるパ−ティクルがチャンバ内に残っている
か否かを確認手段がない。この確認手段がない限り、チ
ャンバ内に残留するパ−ティクルが存在する恐れがあ
る。従って、再び処理を行った後、チャンバの真空を大
気にしたとき、残留したパ−ティクルが舞い上がり処理
済みの半導体基板を汚染させるという懸念がある。
【０００７】また、チャンバ内壁に堆積した反応生成物
は、長期間に経過しない限り、自然に剥離することがな
い。言うならば、比較的短期間にチャンバ内に停留する
パ−ティクルを除去するのと同時に清掃用のプラズマで
チャンバ内壁に付着する反応生成物を離脱させることは
極めて無駄な清掃工程である。
は、長期間に経過しない限り、自然に剥離することがな
い。言うならば、比較的短期間にチャンバ内に停留する
パ−ティクルを除去するのと同時に清掃用のプラズマで
チャンバ内壁に付着する反応生成物を離脱させることは
極めて無駄な清掃工程である。
【０００８】さらに、上述した真空処理装置のように、
チャンバが透明な石英製であれば、反応生成物の堆積度
は容易に確認できるが、しかし、この種の処理装置のチ
ャンバは、必ずしも透明な材料でなく、例えば、アルミ
ニュウムなど不透明な材料で製作されている。このよう
な場合、堆積度を確認することが困難である。
チャンバが透明な石英製であれば、反応生成物の堆積度
は容易に確認できるが、しかし、この種の処理装置のチ
ャンバは、必ずしも透明な材料でなく、例えば、アルミ
ニュウムなど不透明な材料で製作されている。このよう
な場合、堆積度を確認することが困難である。
【０００９】また、チャンバ内壁に付着する反応生成物
をプラズマ照射による反応生成物の離脱方法は、ある程
度の厚さまで可能であるが、完全に離脱させるには、多
くの時間を要し、必ずしも得策な方法ではない。
をプラズマ照射による反応生成物の離脱方法は、ある程
度の厚さまで可能であるが、完全に離脱させるには、多
くの時間を要し、必ずしも得策な方法ではない。
【００１０】従って、本発明の目的は、処理終了した後
にチャンバの真空解放時に舞い上がるパ−ティクルが発
生しない程度に清掃し、種々の半導体処理装置に適用で
きる汎用性のあるとともに可搬型の清掃装置および清掃
方法を提供することにある。
にチャンバの真空解放時に舞い上がるパ−ティクルが発
生しない程度に清掃し、種々の半導体処理装置に適用で
きる汎用性のあるとともに可搬型の清掃装置および清掃
方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、チャン
バに収納されウェハステ−ジに載置された半導体基板に
成膜あるいはエッチング処理する処理装置の前記ウェハ
ステ−ジに対向する機構部を取り除いた前記チャンバの
開口を塞ぐ蓋部材と、該蓋部材に取付けられるとともに
前記チャンバ内の前記ウェハステ−ジの外周縁に沿って
乾燥ガスを噴出するノズルと、前記チャンバ内の前記ガ
スを排気する排気ダクトと、前記チャンバ内のパ−ティ
クル数をモニタするパ−ティクルカウンタと、前記チャ
ンバ内の圧力を測定する圧力計と、前記チャンバ内の圧
力を調節する圧力調整弁とを備える清掃装置である。
バに収納されウェハステ−ジに載置された半導体基板に
成膜あるいはエッチング処理する処理装置の前記ウェハ
ステ−ジに対向する機構部を取り除いた前記チャンバの
開口を塞ぐ蓋部材と、該蓋部材に取付けられるとともに
前記チャンバ内の前記ウェハステ−ジの外周縁に沿って
乾燥ガスを噴出するノズルと、前記チャンバ内の前記ガ
スを排気する排気ダクトと、前記チャンバ内のパ−ティ
クル数をモニタするパ−ティクルカウンタと、前記チャ
ンバ内の圧力を測定する圧力計と、前記チャンバ内の圧
力を調節する圧力調整弁とを備える清掃装置である。
【００１２】また、前記蓋から垂下し前記ノズルと前記
排気ダクトの排気口との間を遮蔽する板部材を備えるこ
とが望ましい。さらに、前記排気ダクトの排気量を調節
するダンパを備えることが望ましい。そして、望ましく
は、前記ノズルの角度を変える角度調節機構を備えるこ
とである。また、好ましくは、前記乾燥ガスは窒素ガス
を使用し、前記蓋は透明な樹脂部材で製作することであ
る。
排気ダクトの排気口との間を遮蔽する板部材を備えるこ
とが望ましい。さらに、前記排気ダクトの排気量を調節
するダンパを備えることが望ましい。そして、望ましく
は、前記ノズルの角度を変える角度調節機構を備えるこ
とである。また、好ましくは、前記乾燥ガスは窒素ガス
を使用し、前記蓋は透明な樹脂部材で製作することであ
る。
【００１３】一方、本発明の他の特徴は、チャンバに収
納されウェハステ−ジに載置された半導体基板に成膜あ
るいはエッチング処理する処理装置の前記ウェハステ−
ジに対向する機構部を取り除いた前記チャンバの開口を
塞ぐ蓋部材と、該蓋部材に取付けられるとともに前記チ
ャンバ内の前記ウェハステ−ジの外周縁に沿って乾燥ガ
スを噴出するノズルと、前記チャンバ内の前記乾燥ガス
を排気する排気ダクトと、前記チャンバ内のパ−ティク
ル数をモニタするパ−ティクルカウンタと、前記チャン
バ内の圧力を測定する圧力計と、前記チャンバ内の圧力
を調節する圧力調整弁とを備える清掃装置において、前
記蓋部材で前記開口を塞ぎ前記チャンバを密閉した後、
前記チャンバを減圧し、減圧された前記チャンバ内に前
記乾燥ガスを前記ノズルから噴射させ前記チャンバ内に
残留する前記パ−ティクルを舞い上がらせ前記パ−ティ
クルカウンタによりパ−ティクル数を計数しながら前記
パ−ティクルを前記排気ダクトにより排除する清掃方法
である。
納されウェハステ−ジに載置された半導体基板に成膜あ
るいはエッチング処理する処理装置の前記ウェハステ−
ジに対向する機構部を取り除いた前記チャンバの開口を
塞ぐ蓋部材と、該蓋部材に取付けられるとともに前記チ
ャンバ内の前記ウェハステ−ジの外周縁に沿って乾燥ガ
スを噴出するノズルと、前記チャンバ内の前記乾燥ガス
を排気する排気ダクトと、前記チャンバ内のパ−ティク
ル数をモニタするパ−ティクルカウンタと、前記チャン
バ内の圧力を測定する圧力計と、前記チャンバ内の圧力
を調節する圧力調整弁とを備える清掃装置において、前
記蓋部材で前記開口を塞ぎ前記チャンバを密閉した後、
前記チャンバを減圧し、減圧された前記チャンバ内に前
記乾燥ガスを前記ノズルから噴射させ前記チャンバ内に
残留する前記パ−ティクルを舞い上がらせ前記パ−ティ
クルカウンタによりパ−ティクル数を計数しながら前記
パ−ティクルを前記排気ダクトにより排除する清掃方法
である。
【００１４】さらに本発明の清掃装置の特徴は、乾燥ガ
スを噴出するノズルと排気ダクトとパーティクルカウン
タとを有する蓋部材であり、前記蓋部材は半導体基板を
成膜あるいはエッチングするチャンバの本来の蓋に代わ
って開口部を塞ぎ、さらに前記蓋部材は複数の前記チャ
ンバに共有して取付け可能にしたことである。
スを噴出するノズルと排気ダクトとパーティクルカウン
タとを有する蓋部材であり、前記蓋部材は半導体基板を
成膜あるいはエッチングするチャンバの本来の蓋に代わ
って開口部を塞ぎ、さらに前記蓋部材は複数の前記チャ
ンバに共有して取付け可能にしたことである。
【００１５】また、本発明の診断方法の特徴は、チャン
バの清掃後、前記チャンバ本来の蓋に代えて、本発明の
清掃装置を前記チャンバにとりつけ、前記乾燥ガスを噴
出しながら、前記排気ダクトで吸引し、前記パーティク
ルカウンタでチャンバ内のパーティクル数をカウントす
ることである。
バの清掃後、前記チャンバ本来の蓋に代えて、本発明の
清掃装置を前記チャンバにとりつけ、前記乾燥ガスを噴
出しながら、前記排気ダクトで吸引し、前記パーティク
ルカウンタでチャンバ内のパーティクル数をカウントす
ることである。
【００１６】さらに本発明の診断装置の特徴は、清浄度
を測定する被測定部品を固定する固定台と、前記固定台
および前記被測定部品を内部に収納できる箱と、前記箱
に取付けた乾燥ガスを噴出するノズルと、前記箱に取付
けた排気ダクトと、前記箱に取付けたパーティクルカウ
ンタとを有する事を特徴としたことである。
を測定する被測定部品を固定する固定台と、前記固定台
および前記被測定部品を内部に収納できる箱と、前記箱
に取付けた乾燥ガスを噴出するノズルと、前記箱に取付
けた排気ダクトと、前記箱に取付けたパーティクルカウ
ンタとを有する事を特徴としたことである。
【００１７】また、本発明の半導体製造装置の特徴は、
乾燥ガスを噴出するノズルと排気ダクトとパーティクル
カウンタとの内、少なくともひとつを、半導体基板に成
膜するための原料ガス噴出ノズルおよび反応ガス排気ダ
クトに加えてチャンバに設けたことである。
乾燥ガスを噴出するノズルと排気ダクトとパーティクル
カウンタとの内、少なくともひとつを、半導体基板に成
膜するための原料ガス噴出ノズルおよび反応ガス排気ダ
クトに加えてチャンバに設けたことである。
【００１８】さらに本発明の半導体製造装置の他の特徴
は、本来の蓋の代わりに前記の診断装置で開口部を塞い
だ状態で、半導体基板を搬送、または半導体基板に成膜
する時に動く部品を動かすプログラムを有することであ
る。
は、本来の蓋の代わりに前記の診断装置で開口部を塞い
だ状態で、半導体基板を搬送、または半導体基板に成膜
する時に動く部品を動かすプログラムを有することであ
る。
【００１９】また、本発明の部品の清浄度診断装置は、
前記部品の診断装置において、前記ノズルを可動にし、
乾燥ガスを噴出しながら、前記ノズルをスキャンさせる
ことを特徴としている。
前記部品の診断装置において、前記ノズルを可動にし、
乾燥ガスを噴出しながら、前記ノズルをスキャンさせる
ことを特徴としている。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００２１】図１に示す本発明の一実施の形態における
清掃装置は、チャンバ９に収納されウェハステ−ジ１２
に対向する機構部（例えば、上部電極、ガス導入部をも
つ上部電極）を取り除いた状態が開示されている。処理
装置１１のチャンバ９の開口１０を塞ぐ蓋１には、チャ
ンバ９内のウェハステ−ジ１２の外周縁に沿って乾燥ガ
スを噴出するノズル５が取付けられている。さらに蓋１
にはチャンバ９内の乾燥ガスを排気する排気ダクト７
と、チャンバ９内のパ−ティクル数をモニタするパ−テ
ィクルカウンタ６と、チャンバ９内の圧力を測定する圧
力計２と、チャンバ９内の圧力を調節する圧力調整弁３
とが設けられている。
清掃装置は、チャンバ９に収納されウェハステ−ジ１２
に対向する機構部（例えば、上部電極、ガス導入部をも
つ上部電極）を取り除いた状態が開示されている。処理
装置１１のチャンバ９の開口１０を塞ぐ蓋１には、チャ
ンバ９内のウェハステ−ジ１２の外周縁に沿って乾燥ガ
スを噴出するノズル５が取付けられている。さらに蓋１
にはチャンバ９内の乾燥ガスを排気する排気ダクト７
と、チャンバ９内のパ−ティクル数をモニタするパ−テ
ィクルカウンタ６と、チャンバ９内の圧力を測定する圧
力計２と、チャンバ９内の圧力を調節する圧力調整弁３
とが設けられている。
【００２２】また、ガス供給管４と球状継手を介して接
続されるノズル５は、蓋１上の回転軸（図示せず）のウ
オ−ムギヤとウオ−ムホイ−ルを具備する角度調節機構
１３によって水平から垂直まで噴射角度を変えることが
できるように構成されている。望ましくは、ノズル５か
ら噴射された乾燥ガスが背面側の排気ダクト７に直接流
れ込まないように、ノズル５と排気ダクト７との間に、
蓋１から垂下する遮蔽板１６を設ける。
続されるノズル５は、蓋１上の回転軸（図示せず）のウ
オ−ムギヤとウオ−ムホイ−ルを具備する角度調節機構
１３によって水平から垂直まで噴射角度を変えることが
できるように構成されている。望ましくは、ノズル５か
ら噴射された乾燥ガスが背面側の排気ダクト７に直接流
れ込まないように、ノズル５と排気ダクト７との間に、
蓋１から垂下する遮蔽板１６を設ける。
【００２３】この遮蔽板１６の高さは、ウェハステ−ジ
１２の面に接触しないで近づく程度にする。また、ノズ
ル５の角度は、ウェハステ−ジ１２の外周縁に向けて設
定する。このことにより乾燥ガスは、矢印５１に示す方
向に流れ、ウェハステ−ジ１２の下方に停留するパ−テ
ィクルを舞い上げることができる。このため、ノズル５
の先端は、図２に示すように、ウェハステ−ジ１２の外
周縁と接線方向に曲げられていることが望ましい。
１２の面に接触しないで近づく程度にする。また、ノズ
ル５の角度は、ウェハステ−ジ１２の外周縁に向けて設
定する。このことにより乾燥ガスは、矢印５１に示す方
向に流れ、ウェハステ−ジ１２の下方に停留するパ−テ
ィクルを舞い上げることができる。このため、ノズル５
の先端は、図２に示すように、ウェハステ−ジ１２の外
周縁と接線方向に曲げられていることが望ましい。
【００２４】また、排気ダクト７は、遮蔽板１６を介し
てノズル５と反対側に位置することによって、ノズル５
からの乾燥ガスを排気ダクト口７ａが直接吸引しないよ
うに構成されている。排気ダクト７の他端の接続継手
は、既設の工場排気ダクトとフレキシブルホ−スにより
接続することができる。なお、この排気ダクト７には、
乾燥ガスの吸引力を調節するダンパ８を設けることが望
ましい。
てノズル５と反対側に位置することによって、ノズル５
からの乾燥ガスを排気ダクト口７ａが直接吸引しないよ
うに構成されている。排気ダクト７の他端の接続継手
は、既設の工場排気ダクトとフレキシブルホ−スにより
接続することができる。なお、この排気ダクト７には、
乾燥ガスの吸引力を調節するダンパ８を設けることが望
ましい。
【００２５】光散乱式粒子計数器であるパ−ティクルカ
ウンタ６は、その吸引口１８を蓋１の中央部、すなわち
チャンバ９のほぼ中央部に位置するようにチャンバ内部
に差込まれる。吸引されたパ−ティクルに照射する照射
機構およびパ−ティクルからの散乱光を検知する光電子
倍増管を含む受光機構は、チャンバ９上に配置され、光
電子倍増管からの信号を増幅する増幅器と波高分析部と
を含む表示部６ａは、見やすい位置に配置されている。
このパ−ティクルカウンタは市販のものでよい。
ウンタ６は、その吸引口１８を蓋１の中央部、すなわち
チャンバ９のほぼ中央部に位置するようにチャンバ内部
に差込まれる。吸引されたパ−ティクルに照射する照射
機構およびパ−ティクルからの散乱光を検知する光電子
倍増管を含む受光機構は、チャンバ９上に配置され、光
電子倍増管からの信号を増幅する増幅器と波高分析部と
を含む表示部６ａは、見やすい位置に配置されている。
このパ−ティクルカウンタは市販のものでよい。
【００２６】一方、乾燥ガスを導入する配管系統は、乾
燥ガスボンベからガス圧を調節するレギュレ−タ１５
と、微小なダストを捕獲するフィルタ１４と、ノズル５
への乾燥ガスの供給遮断を行う開閉弁１７とで構成され
ている。また、圧力調整弁３は一種のバリアブルリ−ク
弁であって、排気ダクト７から吸引された乾燥ガスでの
チャンバ９内の圧力を調整するものである。そして、そ
の時のチャンバ９の圧力は、圧力計２で読みとることが
できる。
燥ガスボンベからガス圧を調節するレギュレ−タ１５
と、微小なダストを捕獲するフィルタ１４と、ノズル５
への乾燥ガスの供給遮断を行う開閉弁１７とで構成され
ている。また、圧力調整弁３は一種のバリアブルリ−ク
弁であって、排気ダクト７から吸引された乾燥ガスでの
チャンバ９内の圧力を調整するものである。そして、そ
の時のチャンバ９の圧力は、圧力計２で読みとることが
できる。
【００２７】蓋１は、人手で運べるように軽く、チャン
バ９内を観察できるように、例えば、アクリル樹脂のよ
うな透明な樹脂材料で製作することが望ましい。そし
て、排気ダクト７も軽い塩化ビニ−ル樹脂で製作するこ
とが好ましい。
バ９内を観察できるように、例えば、アクリル樹脂のよ
うな透明な樹脂材料で製作することが望ましい。そし
て、排気ダクト７も軽い塩化ビニ−ル樹脂で製作するこ
とが好ましい。
【００２８】図３は図１の清掃装置を用いて処理装置の
チャンバを清掃する方法を説明するための説明図であ
る。次ぎに、前述した清掃装置を用いて処理装置による
チャンバの清掃方法を図１、図２および図３を参照して
説明する。
チャンバを清掃する方法を説明するための説明図であ
る。次ぎに、前述した清掃装置を用いて処理装置による
チャンバの清掃方法を図１、図２および図３を参照して
説明する。
【００２９】まず、チャンバ内を清掃すべき処理装置の
処理用上部機構を取り外す。次に、上部機構を取り外し
たとき、露呈する図１の開口１０を塞ぐように、蓋１を
開口１０上に載せる。次に、排気ダクト７からチャンバ
内部を排気する。この状態は、図３のガス吸引の状態で
ある。図１のチャンバ９内圧力は排気に伴って低下す
る。
処理用上部機構を取り外す。次に、上部機構を取り外し
たとき、露呈する図１の開口１０を塞ぐように、蓋１を
開口１０上に載せる。次に、排気ダクト７からチャンバ
内部を排気する。この状態は、図３のガス吸引の状態で
ある。図１のチャンバ９内圧力は排気に伴って低下す
る。
【００３０】次に、チャンバ９内の圧力が予め圧力調整
弁３により設定される一定の圧力になったら、図１の開
閉弁１７を開け、ノズル５より乾燥ガスを噴射する。乾
燥ガスは矢印５１に示すようにウェハステ−ジ１２に沿
って流れ、ウェハステ−ジ１２の下方にあるパ−ティク
ルをも舞い上げる。チャンバ９内の圧力は上昇し大気圧
レベルに到達する。この時、パ−ティクルカウンタ６は
舞い上がったパ−ティクル数をカウントする。
弁３により設定される一定の圧力になったら、図１の開
閉弁１７を開け、ノズル５より乾燥ガスを噴射する。乾
燥ガスは矢印５１に示すようにウェハステ−ジ１２に沿
って流れ、ウェハステ−ジ１２の下方にあるパ−ティク
ルをも舞い上げる。チャンバ９内の圧力は上昇し大気圧
レベルに到達する。この時、パ−ティクルカウンタ６は
舞い上がったパ−ティクル数をカウントする。
【００３１】パ−ティクルの計数が規定数以上であった
ら、開閉弁１７を閉じて乾燥ガスの噴射を停止する。そ
の後、チャンバ内の乾燥ガスを排気ダクト７から排気す
る。そして、図３に示すように、チャンバ９内の圧力
が、例えば、０．７気圧に到達し安定したら、開閉弁１
７を開き、乾燥ガスをノズル５から再び噴射させ、残留
するパ−テクル数を計数する。そして、計数されるパ−
ティクル数がゼロまたは規定数以下になるまで、減圧お
よび乾燥ガスの噴射のサイクルを繰り返して行い、チャ
ンバ９の清掃を完了させる。
ら、開閉弁１７を閉じて乾燥ガスの噴射を停止する。そ
の後、チャンバ内の乾燥ガスを排気ダクト７から排気す
る。そして、図３に示すように、チャンバ９内の圧力
が、例えば、０．７気圧に到達し安定したら、開閉弁１
７を開き、乾燥ガスをノズル５から再び噴射させ、残留
するパ−テクル数を計数する。そして、計数されるパ−
ティクル数がゼロまたは規定数以下になるまで、減圧お
よび乾燥ガスの噴射のサイクルを繰り返して行い、チャ
ンバ９の清掃を完了させる。
【００３２】なお、パ−ティクルカウンタの測定レンジ
は、最小レンジに、例えば、０．３ミクロンメ−タに設
定することが望ましい。何となれば、パ−ティクルは小
さい程舞い上がり易く、小さいほど除去し難いからであ
る。また、乾燥ガスとしては、反応生成物に対して安定
である不活性ガスが望ましく、特に価格が安価な窒素ガ
スが適している。そして、この清掃サイクルは、シ−ケ
ンス制御により自動的に行えることは言うまでもない。
は、最小レンジに、例えば、０．３ミクロンメ−タに設
定することが望ましい。何となれば、パ−ティクルは小
さい程舞い上がり易く、小さいほど除去し難いからであ
る。また、乾燥ガスとしては、反応生成物に対して安定
である不活性ガスが望ましく、特に価格が安価な窒素ガ
スが適している。そして、この清掃サイクルは、シ−ケ
ンス制御により自動的に行えることは言うまでもない。
【００３３】図３では、本発明による処理装置をチャン
バの清掃方法に適用する場合を示した。しかし、本発明
は、単なる清掃方法に限らず、清浄度の診断用にも適用
できる。例えば図８のフローチャートで示すようにチャ
ンバ内の清掃は人間がマニュアルで行なってもよい。図
８では、半導体製造装置による半導体製品の製造作業を
終了するステップ（Ｓ１）の後、チャンバ内を大気圧に
開放する（ステップＳ２）。その後、チャンバを開放し
（ステップＳ３）、チャンバ内を手作業で清掃する（ス
テップＳ４）。マニュアル清掃後の清浄度の診断を目的
として、本発明を実施すれば、清掃時間を短縮すること
ができる利点がある。
バの清掃方法に適用する場合を示した。しかし、本発明
は、単なる清掃方法に限らず、清浄度の診断用にも適用
できる。例えば図８のフローチャートで示すようにチャ
ンバ内の清掃は人間がマニュアルで行なってもよい。図
８では、半導体製造装置による半導体製品の製造作業を
終了するステップ（Ｓ１）の後、チャンバ内を大気圧に
開放する（ステップＳ２）。その後、チャンバを開放し
（ステップＳ３）、チャンバ内を手作業で清掃する（ス
テップＳ４）。マニュアル清掃後の清浄度の診断を目的
として、本発明を実施すれば、清掃時間を短縮すること
ができる利点がある。
【００３４】図４は、図１に示す蓋１を別の半導体製造
装置用チャンバに取付けた場合を示す第二の実施例であ
る。この半導体製造装置用チャンバは、材料ガス供給管
２３、反応ガス排気ダクト２５があり、ウェハーステー
ジ１２の形が図１のものとは異なっている。材料ガス供
給管２３には材料ガス供給開閉弁２４が設けられ、反応
ガス排気ダクト２５には反応ガス排気ダンパ２６が設け
られている。
装置用チャンバに取付けた場合を示す第二の実施例であ
る。この半導体製造装置用チャンバは、材料ガス供給管
２３、反応ガス排気ダクト２５があり、ウェハーステー
ジ１２の形が図１のものとは異なっている。材料ガス供
給管２３には材料ガス供給開閉弁２４が設けられ、反応
ガス排気ダクト２５には反応ガス排気ダンパ２６が設け
られている。
【００３５】このように他の種類の装置でも、蓋を共通
にし、一つの清掃装置を他の同種の装置や異種の装置に
も共有して使うことができるようにし、一つの清掃装置
を複数の装置に共通に適用して、清掃および清掃診断が
できるようにした。
にし、一つの清掃装置を他の同種の装置や異種の装置に
も共有して使うことができるようにし、一つの清掃装置
を複数の装置に共通に適用して、清掃および清掃診断が
できるようにした。
【００３６】図５は、図１の装置から圧力計、圧力調整
弁を省いた第三の実施例である。排気ダクトの排気量と
乾燥ガスの供給量とのバランスをうまく調整することが
できれば、このような装置でも清掃や清浄度の診断をす
ることができる。この場合、蓋１のスペースを小さくで
きるので、小さいチャンバに取付けることができ、適用
範囲が広がるというメリットがある。
弁を省いた第三の実施例である。排気ダクトの排気量と
乾燥ガスの供給量とのバランスをうまく調整することが
できれば、このような装置でも清掃や清浄度の診断をす
ることができる。この場合、蓋１のスペースを小さくで
きるので、小さいチャンバに取付けることができ、適用
範囲が広がるというメリットがある。
【００３７】図６は、半導体製造装置の部品のための清
掃や清浄度の診断を行うための第四の実施の形態の装置
例である。清掃や清掃後の清浄度診断をする部品を格納
するチャンバ９があり、その上部には部品を出し入れす
るための開口部があり、それを塞ぐ扉２８がある。扉２
８には握り２９が設けられている。
掃や清浄度の診断を行うための第四の実施の形態の装置
例である。清掃や清掃後の清浄度診断をする部品を格納
するチャンバ９があり、その上部には部品を出し入れす
るための開口部があり、それを塞ぐ扉２８がある。扉２
８には握り２９が設けられている。
【００３８】チャンバの側壁には乾燥ガスを噴出するた
めのノズル５、開閉弁１７、フィルタ１４、レギュレー
ター１５を有するガス供給管４があり、その反対面の被
清浄度検査部品２２を挟む位置に排気ダクト７を設けて
いる。そして、排気ダクトの傍にパーティクルカウンタ
の吸引口を設けている。
めのノズル５、開閉弁１７、フィルタ１４、レギュレー
ター１５を有するガス供給管４があり、その反対面の被
清浄度検査部品２２を挟む位置に排気ダクト７を設けて
いる。そして、排気ダクトの傍にパーティクルカウンタ
の吸引口を設けている。
【００３９】チャンバ９の中には、部品固定部２１を持
つ部品固定台２０があり、部品固定部２１は清掃又は清
浄度診断する部品に合わせて固定できるようにしてい
る。
つ部品固定台２０があり、部品固定部２１は清掃又は清
浄度診断する部品に合わせて固定できるようにしてい
る。
【００４０】これらの部品固定台２０、部品固定部２１
は部品に合わせて、交換できるようになっている。さら
に、図６では部品が一つの例だが、スペースが許す限
り、複数の部品を固定できるようにしても良い。また、
この例は側壁にガス供給管４、底面に部品固定台２０、
上面に部品を出し入れする扉２８を設けたが、これらの
配置はこれに限るものではなく、上面にガス供給管４等
を設け、側面から部品を出し入れするようにしても良
い。
は部品に合わせて、交換できるようになっている。さら
に、図６では部品が一つの例だが、スペースが許す限
り、複数の部品を固定できるようにしても良い。また、
この例は側壁にガス供給管４、底面に部品固定台２０、
上面に部品を出し入れする扉２８を設けたが、これらの
配置はこれに限るものではなく、上面にガス供給管４等
を設け、側面から部品を出し入れするようにしても良
い。
【００４１】その上、図６の装置は、これを使っても、
部品の清掃ができるが、時間短縮のために、部品の清掃
は他の装置、あるいは人間が行い、その清掃具合を見る
ための清浄度診断装置として、清掃後の部品をこの中に
入れ、乾燥ガスを噴出しながら、パーティクルモニター
で清浄度を診断し、清掃が効果的に行われたかどうかの
診断装置として使っても良い。
部品の清掃ができるが、時間短縮のために、部品の清掃
は他の装置、あるいは人間が行い、その清掃具合を見る
ための清浄度診断装置として、清掃後の部品をこの中に
入れ、乾燥ガスを噴出しながら、パーティクルモニター
で清浄度を診断し、清掃が効果的に行われたかどうかの
診断装置として使っても良い。
【００４２】さらに、図６の装置は図１の装置と同様、
ノズルを可動にし、そのノズルをスキャンするようにす
ることもできる。その場合、部品の清掃効果があがり、
さらに複数の部品に対しても均一に乾燥ガスを当てるこ
とができ、複数の部品を均一に清掃することができると
いう効果がある。
ノズルを可動にし、そのノズルをスキャンするようにす
ることもできる。その場合、部品の清掃効果があがり、
さらに複数の部品に対しても均一に乾燥ガスを当てるこ
とができ、複数の部品を均一に清掃することができると
いう効果がある。
【００４３】もちろん、乾燥ガスのスキャンは自動的に
スキャンするようにした方が好ましい。
スキャンするようにした方が好ましい。
【００４４】また、この装置では、半導体製造装置の交
換部品をあらかじめ清掃し、高い清浄度にしておいて、
半導体製造装置の清掃時に、部品を交換するだけにして
おけば、半導体製造装置の停止時間を短くできるという
メリットがある。
換部品をあらかじめ清掃し、高い清浄度にしておいて、
半導体製造装置の清掃時に、部品を交換するだけにして
おけば、半導体製造装置の停止時間を短くできるという
メリットがある。
【００４５】図７は、蓋１に取付けていた排気ダクトを
半導体製造装置に取付けた第五の実施例である。このよ
うに蓋に取付けていた排気ダクト７、ガス供給管４、パ
ーティクルカウンタ６のうちいずれかを半導体製造装置
のチャンバに取付けた場合、必要な蓋１のスペースが小
さくなるので、小さい枚葉式のチャンバに適用しやすく
なるというメリットがある。
半導体製造装置に取付けた第五の実施例である。このよ
うに蓋に取付けていた排気ダクト７、ガス供給管４、パ
ーティクルカウンタ６のうちいずれかを半導体製造装置
のチャンバに取付けた場合、必要な蓋１のスペースが小
さくなるので、小さい枚葉式のチャンバに適用しやすく
なるというメリットがある。
【００４６】さらに、乾燥ガスのノズル５または、排気
ダクト７を半導体製造装置に取付けた場合、共通で使う
蓋１の部分に必要な配管が少なくなるので、本発明の清
掃装置の機動性が高くなるというメリットがある。
ダクト７を半導体製造装置に取付けた場合、共通で使う
蓋１の部分に必要な配管が少なくなるので、本発明の清
掃装置の機動性が高くなるというメリットがある。
【００４７】このような場合には、反応ガス排気ダクト
２５と排気ダクト７とを一つの共通にすることもでき
る。しかし、半導体製造装置の機能である成膜、又は、
エッチングで要求される真空度は、本発明の清掃、また
は診断で使う大気圧と近い状態とは大幅に排気に要求さ
れる能力が違うので、清掃、診断において必要以上の性
能の排気を使うのでエネルギーが無駄になるという欠点
がある。
２５と排気ダクト７とを一つの共通にすることもでき
る。しかし、半導体製造装置の機能である成膜、又は、
エッチングで要求される真空度は、本発明の清掃、また
は診断で使う大気圧と近い状態とは大幅に排気に要求さ
れる能力が違うので、清掃、診断において必要以上の性
能の排気を使うのでエネルギーが無駄になるという欠点
がある。
【００４８】図９を用いて、清掃又は清浄度診断の第二
の方法を説明する。図９は第二の方法を説明するタイミ
ングチャートである。
の方法を説明する。図９は第二の方法を説明するタイミ
ングチャートである。
【００４９】図９（ａ）は、ガス吸引であり、基本的に
常時オンにし、流量は必要に応じて調整する。図９
（ｂ）は、ガス噴出タイミングを示し、図１に示す本発
明による蓋１でチャンバの開口部をふさいだ後にオン
し、パーティクル計数後、オフする。図９（ｃ）はパー
ティクル計数読みのタイミングを示し、所定の時間後
（この例ではｔ１、ｔ２）計数読みを行う。この例では
２回行っているが、測定精度に応じて回数を変化させれ
ば良い。
常時オンにし、流量は必要に応じて調整する。図９
（ｂ）は、ガス噴出タイミングを示し、図１に示す本発
明による蓋１でチャンバの開口部をふさいだ後にオン
し、パーティクル計数後、オフする。図９（ｃ）はパー
ティクル計数読みのタイミングを示し、所定の時間後
（この例ではｔ１、ｔ２）計数読みを行う。この例では
２回行っているが、測定精度に応じて回数を変化させれ
ば良い。
【００５０】図３に示すような、清掃および清浄度診断
の両方を行う第一の方法では、ガスの吸引とガスの噴出
を交互に行った。図９に示す方法では、ガスの吸引中に
ガスの噴出を行い、所定のタイミング（ｔ１、ｔ２）で
パーティクル計数読みを行い、パーティクルの個数が規
格内に入れば、そこで終了する。パーティクル計数読み
の回数は、必要に応じて設定する。
の両方を行う第一の方法では、ガスの吸引とガスの噴出
を交互に行った。図９に示す方法では、ガスの吸引中に
ガスの噴出を行い、所定のタイミング（ｔ１、ｔ２）で
パーティクル計数読みを行い、パーティクルの個数が規
格内に入れば、そこで終了する。パーティクル計数読み
の回数は、必要に応じて設定する。
【００５１】第一の方法と第二の方法との大きな違い
は、ガスの吸引とガスの噴出とを別々のタイミングで行
うか、同時に行うかである。第一の方法は、清掃も兼ね
て行うときに向いており、第二の方法では、清掃は他の
方法で行い清掃後の清浄度診断を行いたいときに向いて
いる。
は、ガスの吸引とガスの噴出とを別々のタイミングで行
うか、同時に行うかである。第一の方法は、清掃も兼ね
て行うときに向いており、第二の方法では、清掃は他の
方法で行い清掃後の清浄度診断を行いたいときに向いて
いる。
【００５２】また、第二の方法を使えば、図５のように
圧力計、圧力調整弁がないタイプでも、ガスの吸引と噴
出との量的なバランスを調整することで十分実施するこ
とができる。
圧力計、圧力調整弁がないタイプでも、ガスの吸引と噴
出との量的なバランスを調整することで十分実施するこ
とができる。
【００５３】図１０は、第三の方法のタイミングチャー
トである。基本的には第二の方法と同じである。図１０
（ａ）、図１０（ｂ）、図１０（ｃ）は図９（ａ）、図
９（ｂ）、図９（ｃ）にそれぞれ対応するので、説明は
省略する。図１０（ｄ）に示す、可動部動作というの
は、チャンバ内の可動部のことで、これをオン、オフす
る動作をするシーケンスを半導体製造装置に組み込んで
おく。
トである。基本的には第二の方法と同じである。図１０
（ａ）、図１０（ｂ）、図１０（ｃ）は図９（ａ）、図
９（ｂ）、図９（ｃ）にそれぞれ対応するので、説明は
省略する。図１０（ｄ）に示す、可動部動作というの
は、チャンバ内の可動部のことで、これをオン、オフす
る動作をするシーケンスを半導体製造装置に組み込んで
おく。
【００５４】そうすることで、その可動部に潜んでいる
パーティクルも舞い上がらせることができ、その部分も
清掃、または清掃後のパーティクルのチェックを行うこ
とができる。
パーティクルも舞い上がらせることができ、その部分も
清掃、または清掃後のパーティクルのチェックを行うこ
とができる。
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、エッチン
グや成膜の処理のための上部機構を取り外してチャンバ
の開口を露呈させ、その露呈したチャンバの開口を、軽
量で可搬できる蓋部材で塞ぐとともに、この蓋部材に、
乾燥ガス噴射ノズルと、チャンバ内の乾燥ガスを排気す
る排気ダクトを設けている。そして、減圧されたチャン
バ内に乾燥ガスを噴射し、チャンバ内に残留するパ−テ
ィクルを舞い上がらせパ−ティクル数を計数しながら排
気ダクトで装置外に排出するというサイクルをパ−ティ
クルが無くなるまで繰り返して行う。これにより、チャ
ンバ内に残留するパ−ティクルを完全に除去でき、再び
処理したとき、チャンバを大気にしたとき、パ−ティク
ルの舞い上がりが無くなり、半導体基板への汚染が無く
品質の向上が図れるという効果がある。
グや成膜の処理のための上部機構を取り外してチャンバ
の開口を露呈させ、その露呈したチャンバの開口を、軽
量で可搬できる蓋部材で塞ぐとともに、この蓋部材に、
乾燥ガス噴射ノズルと、チャンバ内の乾燥ガスを排気す
る排気ダクトを設けている。そして、減圧されたチャン
バ内に乾燥ガスを噴射し、チャンバ内に残留するパ−テ
ィクルを舞い上がらせパ−ティクル数を計数しながら排
気ダクトで装置外に排出するというサイクルをパ−ティ
クルが無くなるまで繰り返して行う。これにより、チャ
ンバ内に残留するパ−ティクルを完全に除去でき、再び
処理したとき、チャンバを大気にしたとき、パ−ティク
ルの舞い上がりが無くなり、半導体基板への汚染が無く
品質の向上が図れるという効果がある。
【００５６】また、蓋部材およびそれに付随する排気ダ
クトおよびノズルを軽量化し、可搬できるようにするこ
とができるため、種々の処理装置に取付けでき、汎用性
が高まるという効果がある。その結果、設備コストの低
下も図られる。
クトおよびノズルを軽量化し、可搬できるようにするこ
とができるため、種々の処理装置に取付けでき、汎用性
が高まるという効果がある。その結果、設備コストの低
下も図られる。
【００５７】つまり、必要なときだけ、半導体製造装置
用チャンバに取付けることで簡単に、効果的にチャンバ
の清掃あるいは清掃後の清浄度診断を行うことができ
る。
用チャンバに取付けることで簡単に、効果的にチャンバ
の清掃あるいは清掃後の清浄度診断を行うことができ
る。
【００５８】また、半導体製造装置の内部の保守部品
を、その交換時期の前に清掃し、良い清浄度の保守部品
を用意できるので、部品交換の清掃時間を短縮し、稼働
率を向上することができる。
を、その交換時期の前に清掃し、良い清浄度の保守部品
を用意できるので、部品交換の清掃時間を短縮し、稼働
率を向上することができる。
【００５９】さらに、本発明の清掃または清浄度診断の
シーケンスを使うことによって、効果的に清掃、清浄度
診断をすることができるので、清掃時間を短縮し、半導
体製造装置の稼働率を向上し、半導体製品の生産数量を
向上することができるという利点がある。
シーケンスを使うことによって、効果的に清掃、清浄度
診断をすることができるので、清掃時間を短縮し、半導
体製造装置の稼働率を向上し、半導体製品の生産数量を
向上することができるという利点がある。
【００６０】また、本発明による清浄度診断をパスした
半導体製造装置を使うことにより、半導体製品の歩留ま
りを向上することができる。
半導体製造装置を使うことにより、半導体製品の歩留ま
りを向上することができる。
【図１】本発明の第一の実施の形態における清掃装置を
説明するための構成を示す断面図である。
説明するための構成を示す断面図である。
【図２】図１の蓋の上面図である。
【図３】図１の清掃装置を用いて処理装置のチャンバを
清掃する方法を説明するための図である。
清掃する方法を説明するための図である。
【図４】本発明の第二の実施の形態を説明するための断
面図である。
面図である。
【図５】本発明の第三の実施の形態の装置を説明するた
めの断面図である。
めの断面図である。
【図６】本発明の第四の実施の形態の装置を説明するた
めの断面図である。
めの断面図である。
【図７】本発明の第五の実施の形態の装置を説明するた
めの断面図である。
めの断面図である。
【図８】本発明の装置を診断装置として使う為のフロー
チャートの例である。
チャートの例である。
【図９】本発明の第二の清掃、又は清浄度診断方法を説
明するためのタイミングチャートである。
明するためのタイミングチャートである。
【図１０】本発明の第三の清掃、又は清浄度診断方法を
説明するためのタイミングチャートである。
説明するためのタイミングチャートである。
１ 蓋 ２ 圧力計 ３ 圧力調整弁 ４ ガス供給管 ５ ノズル ６ パ−ティクルカウンタ ７ 排気ダクト ８ ダンパ ９ チャンバ １０ 開口 １１ 処理装置 １２ ウェハステ−ジ １３ 角度調節機構 １４ フィルタ １５ レギュレ−タ １６ 遮蔽板 １７ 開閉弁 １８ 吸引口 ２０ 部品固定台 ２１ 部品固定部 ２２ 被清浄度検査部品 ２３ 材料ガス供給管 ２４ 材料ガス供給開閉弁 ２５ 反応ガス排気ダクト ２６ 反応ガス排気ダンパ ２８ 扉 ２９ 握り
Claims (13)
- 【請求項１】 チャンバに収納されウェハステ−ジに載
置された半導体基板に成膜あるいはエッチング処理する
処理装置の前記ウェハステ−ジに対向する機構部を取り
除いた前記チャンバの開口を塞ぐ蓋部材と、該蓋部材に
取付けられるとともに前記チャンバ内の前記ウェハステ
−ジの外周縁に沿って乾燥ガスを噴出するノズルと、前
記チャンバ内の前記乾燥ガスを排気する排気ダクトと、
前記チャンバ内のパ−ティクル数をモニタするパ−ティ
クルカウンタと、前記チャンバ内の圧力を測定する圧力
計と、前記チャンバ内の圧力を調節する圧力調整弁とを
備えることを特徴とする清掃装置。 - 【請求項２】 前記蓋から垂下し前記ノズルと前記排気
ダクトの排気口との間を遮蔽する板部材を備えることを
特徴とする請求項１記載の清掃装置。 - 【請求項３】 前記排気ダクトの排気量を調節するダン
パを備えることを特徴とする請求項１または請求項２記
載の清掃装置。 - 【請求項４】 前記ノズルの角度を変える角度調節機構
を備えることを特徴とする請求項１、２または３記載の
清掃装置。 - 【請求項５】 前記乾燥ガスは窒素ガスであることを特
徴とする請求項１、２、３または４記載の清掃装置。 - 【請求項６】 前記蓋部材は透明な樹脂部材であること
を特徴とする請求項１、２、３、４または５記載の清掃
装置。 - 【請求項７】 チャンバに収納されウェハステ−ジに載
置された半導体基板に成膜あるいはエッチング処理する
処理装置の前記ウェハステ−ジに対向する機構部を取り
除いた前記チャンバの開口を塞ぐ蓋部材と、該蓋部材に
取付けられるとともに前記チャンバ内の前記ウェハステ
−ジの外周縁に沿って乾燥ガスを噴出するノズルと、前
記チャンバ内の前記乾燥ガスを排気する排気ダクトと、
前記チャンバ内のパ−ティクル数をモニタするパ−ティ
クルカウンタと、前記チャンバ内の圧力を測定する圧力
計と、前記チャンバ内の圧力を調節する圧力調整弁とを
備える清掃装置において、前記蓋部材で前記開口を塞ぎ
前記チャンバを密閉した後、前記チャンバを減圧し、減
圧された前記チャンバ内に前記乾燥ガスを前記ノズルか
ら噴射させ前記チャンバ内に残留する前記パ−ティクル
を舞い上がらせ前記パ−ティクルカウンタによりパ−テ
ィクル数を計数しながら前記パ−ティクルを前記排気ダ
クトにより排除することを特徴とする清掃方法。 - 【請求項８】 乾燥ガスを噴出するノズルと排気ダクト
とパーティクルカウンタとを有する蓋部材であり、前記
蓋部材は半導体基板を成膜あるいはエッチングするチャ
ンバの本来の蓋に代わって開口部を塞ぎ、さらに前記蓋
部材は複数の前記チャンバに共有して取付け可能である
ことを特徴とする清掃装置。 - 【請求項９】 チャンバの清掃後、前記チャンバ本来の
蓋に代えて、請求項８の清掃装置を前記チャンバにとり
つけ、前記乾燥ガスを噴出しながら、前記排気ダクトで
吸引し、前記パーティクルカウンタでチャンバ内のパー
ティクル数をカウントすることを特徴とする真空装置内
の清浄度診断方法。 - 【請求項１０】 清浄度を測定する被測定部品を固定す
る固定台と、前記固定台および前記被測定部品を内部に
収納できる箱と、前記箱に取付けた乾燥ガスを噴出する
ノズルと、前記箱に取付けた排気ダクトと、前記箱に取
付けたパーティクルカウンタとを有する事を特徴とする
部品の清浄度診断装置。 - 【請求項１１】 乾燥ガスを噴出するノズルと排気ダク
トとパーティクルカウンタとの内、少なくともひとつ
を、半導体基板に成膜するための原料ガス噴出ノズルお
よび反応ガス排気ダクトに加えてチャンバに設けたこと
を特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項１２】 本来の蓋の代わりに請求項８の清掃装
置で開口部を塞いだ状態で、半導体基板を搬送、または
半導体基板に成膜する時に動く部品を動かすプログラム
を有することを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項１３】 前記ノズルを可動にし、乾燥ガスを噴
出しながら、前記ノズルをスキャンさせることを特徴と
する請求項１０記載の部品の清浄度診断装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001276872A JP3759010B2 (ja) | 2000-09-14 | 2001-09-12 | 清掃装置および清掃方法と清浄度診断方法ならびに清掃装置を用いた半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-280331 | 2000-09-14 | ||
| JP2000280331 | 2000-09-14 | ||
| JP2001276872A JP3759010B2 (ja) | 2000-09-14 | 2001-09-12 | 清掃装置および清掃方法と清浄度診断方法ならびに清掃装置を用いた半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002184708A true JP2002184708A (ja) | 2002-06-28 |
| JP3759010B2 JP3759010B2 (ja) | 2006-03-22 |
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|---|---|---|---|
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Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3759010B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005317900A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-11-10 | Tokyo Electron Ltd | 真空装置、そのパーティクルモニタ方法、及びプログラム、並びにパーティクルモニタ用窓部材 |
| US7797984B2 (en) | 2004-03-29 | 2010-09-21 | Tokyo Electron Limited | Vacuum apparatus including a particle monitoring unit, particle monitoring method and program, and window member for use in the particle monitoring |
| JP2010280935A (ja) * | 2009-06-03 | 2010-12-16 | Mitsubishi Electric Corp | 成膜装置 |
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