JP2002184052A - 光磁気ディスク装置および記録方法 - Google Patents
光磁気ディスク装置および記録方法Info
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- JP2002184052A JP2002184052A JP2000378297A JP2000378297A JP2002184052A JP 2002184052 A JP2002184052 A JP 2002184052A JP 2000378297 A JP2000378297 A JP 2000378297A JP 2000378297 A JP2000378297 A JP 2000378297A JP 2002184052 A JP2002184052 A JP 2002184052A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光磁気ディスクに照射されるレーザ光の実効
的なパワーが変化した場合にも、ほぼ一定の位置に磁区
を形成できるようにレーザ光のパワーを調整して信号を
記録する光磁気ディスク装置および記録方法を提供す
る。 【解決手段】 光磁気ディスク装置２００のコントロー
ラ１１４は、記録動作が発生すると、基準クロックの位
相に対する遅延量を変化させた再生クロックを生成する
ように遅延回路１２７を制御する。そして、遅延量を変
化させた再生クロックに同期して光磁気ディスク１００
から信号を再生し、その再生した再生信号のエラーレー
トが１×１０-5よりも低くなる再生クロックの遅延量を
求める。そして、その求めた遅延量が基準遅延量に近づ
くように信号記録時のレーザ光の記録パワーを調整す
る。
的なパワーが変化した場合にも、ほぼ一定の位置に磁区
を形成できるようにレーザ光のパワーを調整して信号を
記録する光磁気ディスク装置および記録方法を提供す
る。 【解決手段】 光磁気ディスク装置２００のコントロー
ラ１１４は、記録動作が発生すると、基準クロックの位
相に対する遅延量を変化させた再生クロックを生成する
ように遅延回路１２７を制御する。そして、遅延量を変
化させた再生クロックに同期して光磁気ディスク１００
から信号を再生し、その再生した再生信号のエラーレー
トが１×１０-5よりも低くなる再生クロックの遅延量を
求める。そして、その求めた遅延量が基準遅延量に近づ
くように信号記録時のレーザ光の記録パワーを調整す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、レーザ光と磁界
とを用いて光磁気ディスクに信号を記録する際に、レー
ザ光の記録パワーを調整して光磁気ディスクに信号を記
録する光磁気ディスク装置および記録方法に関する。
とを用いて光磁気ディスクに信号を記録する際に、レー
ザ光の記録パワーを調整して光磁気ディスクに信号を記
録する光磁気ディスク装置および記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、信号の記録および再生が可能な記
録媒体として光磁気ディスクが注目されている。この光
磁気ディスクは、径方向にランドとグルーブとを交互に
配したトラック構造を有し、ランドとグルーブの両方に
信号を記録することによって高容量化を実現している。
そして、最近、規格化されたＡＳ−ＭＯ（Ａｄｖａｎｃ
ｅｄ Ｓｔｏｒａｇｅｄ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｏｐｔｉｃ
ａｌ ｄｉｓｋ）規格においては、直径１２ｃｍの光磁
気ディスクで６Ｇｂｙｔｅｓの記録容量を達成してい
る。
録媒体として光磁気ディスクが注目されている。この光
磁気ディスクは、径方向にランドとグルーブとを交互に
配したトラック構造を有し、ランドとグルーブの両方に
信号を記録することによって高容量化を実現している。
そして、最近、規格化されたＡＳ−ＭＯ（Ａｄｖａｎｃ
ｅｄ Ｓｔｏｒａｇｅｄ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｏｐｔｉｃ
ａｌ ｄｉｓｋ）規格においては、直径１２ｃｍの光磁
気ディスクで６Ｇｂｙｔｅｓの記録容量を達成してい
る。
【０００３】このＡＳ−ＭＯ規格による光磁気ディスク
においては、ランドに一定周期で１μｍ程度のグルーブ
が形成され、また、グルーブに一定周期で１μｍ程度の
ランドが形成されている。この一定周期で形成された１
μｍ程度のグルーブまたは１μｍ程度のランドを「ファ
インクロックマーク」という。ＡＳ−ＭＯ規格による光
磁気ディスクに信号を記録する際には、このファインク
ロックマークを検出し、その検出したファインクロック
マーク信号の成分間に５３２個の周期信号が存在するよ
うにクロックＣＬＫを生成する。そして、生成したクロ
ックＣＬＫに同期してパルス光を照射して光磁気ディス
クに形成された磁性膜を昇温させ、その昇温させた領域
に記録信号によって変調された磁界を印加することによ
って印加磁界の方向と同じ方向の磁化を有する磁区を磁
性膜に形成して光磁気ディスクに信号を記録する。
においては、ランドに一定周期で１μｍ程度のグルーブ
が形成され、また、グルーブに一定周期で１μｍ程度の
ランドが形成されている。この一定周期で形成された１
μｍ程度のグルーブまたは１μｍ程度のランドを「ファ
インクロックマーク」という。ＡＳ−ＭＯ規格による光
磁気ディスクに信号を記録する際には、このファインク
ロックマークを検出し、その検出したファインクロック
マーク信号の成分間に５３２個の周期信号が存在するよ
うにクロックＣＬＫを生成する。そして、生成したクロ
ックＣＬＫに同期してパルス光を照射して光磁気ディス
クに形成された磁性膜を昇温させ、その昇温させた領域
に記録信号によって変調された磁界を印加することによ
って印加磁界の方向と同じ方向の磁化を有する磁区を磁
性膜に形成して光磁気ディスクに信号を記録する。
【０００４】この場合、光磁気ディスクに照射するレー
ザ光（パルス光）のパワーによって磁区が形成される位
置が異なる。すなわち、図１８を参照して、レーザ光の
パワーが標準値であるとき、クロックＣＬＫのタイミン
グＴ１に同期してレーザ光Ｌａ１が磁性膜に照射される
とともに一方方向の磁界が磁性膜に印加される。そし
て、タイミングＴ１の次のタイミングＴ２でレーザ光Ｌ
ａ２が磁性膜に照射されるとともに他方方向の磁界が磁
性膜に印加される。その結果、磁区Ｄａ（白い部分）が
磁性膜に形成される（図１８の（ａ）参照）。また、レ
ーザ光のパワーが標準値よりも小さいとき、クロックＣ
ＬＫのタイミングＴ１に同期してレーザ光Ｌｂ１が磁性
膜に照射されるとともに一方方向の磁界が磁性膜に印加
される。そして、タイミングＴ２でレーザ光Ｌｂ２が磁
性膜に照射されるとともに他方方向の磁界が磁性膜に印
加される。その結果、磁区Ｄｂ（白い部分）が磁性膜に
形成される（図１８の（ｂ）参照）。さらに、レーザ光
のパワーが標準値よりも大きいとき、クロックＣＬＫの
タイミングＴ１に同期してレーザ光Ｌｃ１が磁性膜に照
射されるとともに一方方向の磁界が磁性膜に印加され
る。そして、タイミングＴ２でレーザ光Ｌｃ２が磁性膜
に照射されるとともに他方方向の磁界が磁性膜に印加さ
れる。その結果、磁区Ｄｃ（白い部分）が磁性膜に形成
される（図１８の（ｃ）参照）。
ザ光（パルス光）のパワーによって磁区が形成される位
置が異なる。すなわち、図１８を参照して、レーザ光の
パワーが標準値であるとき、クロックＣＬＫのタイミン
グＴ１に同期してレーザ光Ｌａ１が磁性膜に照射される
とともに一方方向の磁界が磁性膜に印加される。そし
て、タイミングＴ１の次のタイミングＴ２でレーザ光Ｌ
ａ２が磁性膜に照射されるとともに他方方向の磁界が磁
性膜に印加される。その結果、磁区Ｄａ（白い部分）が
磁性膜に形成される（図１８の（ａ）参照）。また、レ
ーザ光のパワーが標準値よりも小さいとき、クロックＣ
ＬＫのタイミングＴ１に同期してレーザ光Ｌｂ１が磁性
膜に照射されるとともに一方方向の磁界が磁性膜に印加
される。そして、タイミングＴ２でレーザ光Ｌｂ２が磁
性膜に照射されるとともに他方方向の磁界が磁性膜に印
加される。その結果、磁区Ｄｂ（白い部分）が磁性膜に
形成される（図１８の（ｂ）参照）。さらに、レーザ光
のパワーが標準値よりも大きいとき、クロックＣＬＫの
タイミングＴ１に同期してレーザ光Ｌｃ１が磁性膜に照
射されるとともに一方方向の磁界が磁性膜に印加され
る。そして、タイミングＴ２でレーザ光Ｌｃ２が磁性膜
に照射されるとともに他方方向の磁界が磁性膜に印加さ
れる。その結果、磁区Ｄｃ（白い部分）が磁性膜に形成
される（図１８の（ｃ）参照）。
【０００５】そうすると、レーザ光のパワーが標準値で
あるときに形成される磁区Ｄａの中心２１０、レーザ光
のパワーが標準値よりも小さいときに形成される磁区Ｄ
ｂの中心２１１、およびレーザ光のパワーが標準値より
も大きいときに形成される磁区Ｄｃの中心２１２は、相
互に異なる。このように、磁性膜に照射されるレーザ光
のパワーによって磁性膜に形成される磁区の位置がずれ
る。
あるときに形成される磁区Ｄａの中心２１０、レーザ光
のパワーが標準値よりも小さいときに形成される磁区Ｄ
ｂの中心２１１、およびレーザ光のパワーが標準値より
も大きいときに形成される磁区Ｄｃの中心２１２は、相
互に異なる。このように、磁性膜に照射されるレーザ光
のパワーによって磁性膜に形成される磁区の位置がずれ
る。
【０００６】光磁気ディスクに記録された信号を再生す
るときは、磁性膜に形成された磁区の中心にレーザ光を
照射する必要があるが、上述したように記録時のレーザ
光のパワーによって磁区が形成される位置が異なるた
め、磁区の中心にレーザ光を照射するタイミングは、記
録時のレーザ光の各パワーによって異なる。通常は、記
録時のレーザ光のパワーが標準値であるときを基準に、
記録時のクロックＣＬＫに対して、位相を一定量変化さ
せたクロックに同期してレーザ光を照射して磁性膜に形
成された磁区を検出して信号の再生を行なう。したがっ
て、記録時のレーザ光のパワーが標準値に保持されてい
れば、記録時のクロックの位相を一定量変化させたクロ
ックに同期してレーザ光を照射することによって、標準
値のパワーで記録した信号を正確に再生できる。
るときは、磁性膜に形成された磁区の中心にレーザ光を
照射する必要があるが、上述したように記録時のレーザ
光のパワーによって磁区が形成される位置が異なるた
め、磁区の中心にレーザ光を照射するタイミングは、記
録時のレーザ光の各パワーによって異なる。通常は、記
録時のレーザ光のパワーが標準値であるときを基準に、
記録時のクロックＣＬＫに対して、位相を一定量変化さ
せたクロックに同期してレーザ光を照射して磁性膜に形
成された磁区を検出して信号の再生を行なう。したがっ
て、記録時のレーザ光のパワーが標準値に保持されてい
れば、記録時のクロックの位相を一定量変化させたクロ
ックに同期してレーザ光を照射することによって、標準
値のパワーで記録した信号を正確に再生できる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、光磁気ディス
クの周囲の温度が変化することによって光磁気ディスク
の磁性膜の温度も変化し、その結果、照射されるレーザ
光のパワーが同じであっても、磁性膜の温度が上昇する
領域が変化する。すなわち、磁性膜に照射されるレーザ
光の実効的なパワーが変化する。そうすると、磁性膜に
形成される磁区の位置がずれるという問題が生じる。
クの周囲の温度が変化することによって光磁気ディスク
の磁性膜の温度も変化し、その結果、照射されるレーザ
光のパワーが同じであっても、磁性膜の温度が上昇する
領域が変化する。すなわち、磁性膜に照射されるレーザ
光の実効的なパワーが変化する。そうすると、磁性膜に
形成される磁区の位置がずれるという問題が生じる。
【０００８】そこで、本発明は、かかる問題を解決する
ためになされたものであり、その目的は、光磁気ディス
クに照射されるレーザ光の実効的なパワーが変化した場
合にも、ほぼ一定の位置に磁区を形成できるようにレー
ザ光のパワーを調整して信号を記録する光磁気ディスク
装置および記録方法を提供することである。
ためになされたものであり、その目的は、光磁気ディス
クに照射されるレーザ光の実効的なパワーが変化した場
合にも、ほぼ一定の位置に磁区を形成できるようにレー
ザ光のパワーを調整して信号を記録する光磁気ディスク
装置および記録方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段および発明の効果】この発
明による光磁気ディスク装置は、レーザ光の記録パワー
を好適な記録パワーに設定して、基準クロックを生成す
る元になるファインクロックマークを含む光磁気ディス
クに信号を記録する光磁気ディスク装置であって、光磁
気ディスクにレーザ光を照射し、その反射光を検出する
光ピックアップと、光磁気ディスクに磁界を印加する磁
気ヘッドと、光ピックアップによって検出されたファイ
ンクロックマークの検出信号であるファインクロックマ
ーク信号に基づいて基準クロックを生成するクロック生
成回路と、クロック生成回路によって生成された基準ク
ロックの位相を遅延させた再生クロックを生成する遅延
回路と、磁界を印加し、かつ、レーザ光を照射すること
によって基準クロックに同期して光磁気ディスクに記録
された記録信号を、基準値よりも小さいエラーレートで
再生するための再生クロックの遅延量を検出し、その検
出した遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記
録パワーを設定する制御回路とを備え、基準遅延量は、
レーザ光のパワーを最適記録パワーに設定して光磁気デ
ィスクに記録された信号を所定値よりも小さいエラーレ
ートで再生するための再生クロックの遅延量である。
明による光磁気ディスク装置は、レーザ光の記録パワー
を好適な記録パワーに設定して、基準クロックを生成す
る元になるファインクロックマークを含む光磁気ディス
クに信号を記録する光磁気ディスク装置であって、光磁
気ディスクにレーザ光を照射し、その反射光を検出する
光ピックアップと、光磁気ディスクに磁界を印加する磁
気ヘッドと、光ピックアップによって検出されたファイ
ンクロックマークの検出信号であるファインクロックマ
ーク信号に基づいて基準クロックを生成するクロック生
成回路と、クロック生成回路によって生成された基準ク
ロックの位相を遅延させた再生クロックを生成する遅延
回路と、磁界を印加し、かつ、レーザ光を照射すること
によって基準クロックに同期して光磁気ディスクに記録
された記録信号を、基準値よりも小さいエラーレートで
再生するための再生クロックの遅延量を検出し、その検
出した遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記
録パワーを設定する制御回路とを備え、基準遅延量は、
レーザ光のパワーを最適記録パワーに設定して光磁気デ
ィスクに記録された信号を所定値よりも小さいエラーレ
ートで再生するための再生クロックの遅延量である。
【００１０】この発明による光磁気ディスク装置におい
ては、基準クロックの位相に対する再生クロックの位相
の遅延量を検出し、その検出した遅延量が基準遅延量に
近づくようにレーザ光の記録パワーが設定される。つま
り、最適記録パワーのレーザ光を用いて記録された信号
を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再
生クロックの位相は基準クロックの位相に対して基準遅
延量だけ遅延されているため、最適記録パワーからずれ
た記録パワーで記録された信号を、基準値よりも小さい
エラーレートで再生するための再生クロックの位相は基
準クロックの位相に対して基準遅延量と異なる遅延量だ
け遅延されている。したがって、記録信号を再生すると
きの再生クロックの位相が基準クロックの位相に対して
基準遅延量だけ遅延されるように記録パワーを調整すれ
ば、レーザ光の記録パワーは最適記録パワーに近づく。
ては、基準クロックの位相に対する再生クロックの位相
の遅延量を検出し、その検出した遅延量が基準遅延量に
近づくようにレーザ光の記録パワーが設定される。つま
り、最適記録パワーのレーザ光を用いて記録された信号
を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再
生クロックの位相は基準クロックの位相に対して基準遅
延量だけ遅延されているため、最適記録パワーからずれ
た記録パワーで記録された信号を、基準値よりも小さい
エラーレートで再生するための再生クロックの位相は基
準クロックの位相に対して基準遅延量と異なる遅延量だ
け遅延されている。したがって、記録信号を再生すると
きの再生クロックの位相が基準クロックの位相に対して
基準遅延量だけ遅延されるように記録パワーを調整すれ
ば、レーザ光の記録パワーは最適記録パワーに近づく。
【００１１】したがって、この発明によれば、光磁気デ
ィスクの周囲の温度が変化して光磁気ディスクに照射さ
れる実効的な記録パワーが変化しても、磁区の形成位置
がほぼ一定になるようにレーザ光の記録パワーを調整し
て信号を記録できる。
ィスクの周囲の温度が変化して光磁気ディスクに照射さ
れる実効的な記録パワーが変化しても、磁区の形成位置
がほぼ一定になるようにレーザ光の記録パワーを調整し
て信号を記録できる。
【００１２】好ましくは、光磁気ディスク装置は、周囲
の温度を検出する温度センサーをさらに備え、制御回路
は、温度センサーによって検出された周囲の温度が許容
変化量を超えて変化したとき、磁界を印加し、かつ、レ
ーザ光を照射することによって基準クロックに同期して
光磁気ディスクに記録された記録信号を、基準値よりも
小さいエラーレートで再生するための再生クロックの遅
延量を検出し、その検出した遅延量が基準遅延量に近づ
くようにレーザ光の記録パワーを設定する。
の温度を検出する温度センサーをさらに備え、制御回路
は、温度センサーによって検出された周囲の温度が許容
変化量を超えて変化したとき、磁界を印加し、かつ、レ
ーザ光を照射することによって基準クロックに同期して
光磁気ディスクに記録された記録信号を、基準値よりも
小さいエラーレートで再生するための再生クロックの遅
延量を検出し、その検出した遅延量が基準遅延量に近づ
くようにレーザ光の記録パワーを設定する。
【００１３】周囲の温度が許容変化量を超えて変化した
とき、基準クロックに対する再生クロックの遅延量が基
準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーが調整さ
れる。
とき、基準クロックに対する再生クロックの遅延量が基
準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーが調整さ
れる。
【００１４】したがって、この発明によれば、実際に温
度が大きく変化した場合にレーザ光の記録パワーを調整
できる。
度が大きく変化した場合にレーザ光の記録パワーを調整
できる。
【００１５】好ましくは、光磁気ディスク装置の制御回
路は、光磁気ディスクに信号を記録するたびに、磁界を
印加し、かつ、レーザ光を照射することによって基準ク
ロックに同期して光磁気ディスクに記録された記録信号
を、基準値よりも小さいエラーレートで再生するための
再生クロックの遅延量を検出し、その検出した遅延量が
基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーを設定
する。
路は、光磁気ディスクに信号を記録するたびに、磁界を
印加し、かつ、レーザ光を照射することによって基準ク
ロックに同期して光磁気ディスクに記録された記録信号
を、基準値よりも小さいエラーレートで再生するための
再生クロックの遅延量を検出し、その検出した遅延量が
基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーを設定
する。
【００１６】信号の記録動作のたびに、基準クロックに
対する再生クロックの遅延量が基準遅延量に近づくよう
にレーザ光の記録パワーが調整される。
対する再生クロックの遅延量が基準遅延量に近づくよう
にレーザ光の記録パワーが調整される。
【００１７】したがって、この発明によれば、常にレー
ザ光の記録パワーを好適な範囲に設定して信号を記録で
きる。
ザ光の記録パワーを好適な範囲に設定して信号を記録で
きる。
【００１８】好ましくは、光磁気ディスク装置の制御回
路は、レーザ光の記録パワーと、記録パワーで記録され
た記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生す
るための再生クロックの遅延量との関係に基づいて、レ
ーザ光の記録パワーの補正値を検出し、その検出した補
正値に基づいて検出した遅延量が基準遅延量に近づくよ
うにレーザ光の記録パワーを設定する。
路は、レーザ光の記録パワーと、記録パワーで記録され
た記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生す
るための再生クロックの遅延量との関係に基づいて、レ
ーザ光の記録パワーの補正値を検出し、その検出した補
正値に基づいて検出した遅延量が基準遅延量に近づくよ
うにレーザ光の記録パワーを設定する。
【００１９】レーザ光の記録パワーと、基準値よりも小
さいエラーレートで信号を再生するための再生クロック
の位相の遅延量とは１対１に対応付けられている。制御
回路は、記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで
再生するための再生クロックの位相の遅延量を検出し、
その検出した遅延量に基づいて記録時のパワーの補正値
を検出する。そして、制御回路は、検出した補正値に基
づいて記録パワーを設定し直す。
さいエラーレートで信号を再生するための再生クロック
の位相の遅延量とは１対１に対応付けられている。制御
回路は、記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで
再生するための再生クロックの位相の遅延量を検出し、
その検出した遅延量に基づいて記録時のパワーの補正値
を検出する。そして、制御回路は、検出した補正値に基
づいて記録パワーを設定し直す。
【００２０】したがって、この発明によれば、記録信号
を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再
生クロックの位相の遅延量を制御することによってレー
ザ光の記録パワーをほぼ一定に保持できる。
を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再
生クロックの位相の遅延量を制御することによってレー
ザ光の記録パワーをほぼ一定に保持できる。
【００２１】好ましくは、光磁気ディスク装置の制御回
路は、検出した遅延量が基準遅延量よりも小さいときレ
ーザ光の記録パワーを記録信号を記録したときの記録パ
ワーよりも小さく設定し、検出した遅延量が基準遅延量
よりも大きいときレーザ光の記録パワーを記録信号を記
録したときの記録パワーよりも大きく設定する。
路は、検出した遅延量が基準遅延量よりも小さいときレ
ーザ光の記録パワーを記録信号を記録したときの記録パ
ワーよりも小さく設定し、検出した遅延量が基準遅延量
よりも大きいときレーザ光の記録パワーを記録信号を記
録したときの記録パワーよりも大きく設定する。
【００２２】検出した遅延量が基準遅延量よりも小さい
ときは、記録時のレーザ光のパワーが最適記録パワーよ
りも大きいため、磁区は最適記録パワーのときよりも位
相的に進んだ位置に形成される。そのため、レーザ光の
記録パワーは小さくなるように制御される。また、検出
した遅延量が基準遅延量よりも大きいときは、記録時の
レーザ光のパワーが最適記録パワーよりも小さいため、
磁区は最適記録パワーのときよりも位相的に遅れた位置
に形成される。そのため、レーザ光の記録パワーは大き
くなるように制御される。
ときは、記録時のレーザ光のパワーが最適記録パワーよ
りも大きいため、磁区は最適記録パワーのときよりも位
相的に進んだ位置に形成される。そのため、レーザ光の
記録パワーは小さくなるように制御される。また、検出
した遅延量が基準遅延量よりも大きいときは、記録時の
レーザ光のパワーが最適記録パワーよりも小さいため、
磁区は最適記録パワーのときよりも位相的に遅れた位置
に形成される。そのため、レーザ光の記録パワーは大き
くなるように制御される。
【００２３】したがって、この発明によれば、磁区の形
成位置がほぼ一定になるように記録時のパワーを調整可
能である。
成位置がほぼ一定になるように記録時のパワーを調整可
能である。
【００２４】好ましくは、光磁気ディスク装置は、光ピ
ックアップによって検出された記録信号の検出信号であ
る光磁気信号を復調およびエラー訂正して再生信号を出
力する信号処理回路をさらに備え、信号処理回路は、基
準クロックの位相に対する遅延量を変化させた再生クロ
ックに同期して復調およびエラー訂正を行ない、制御回
路は、信号処理回路におけるエラー訂正によって得られ
る誤り数に基づいて再生信号のエラーレートを検出し、
その検出したエラーレートが基準値よりも小さくなる再
生クロックの遅延量を検出する。
ックアップによって検出された記録信号の検出信号であ
る光磁気信号を復調およびエラー訂正して再生信号を出
力する信号処理回路をさらに備え、信号処理回路は、基
準クロックの位相に対する遅延量を変化させた再生クロ
ックに同期して復調およびエラー訂正を行ない、制御回
路は、信号処理回路におけるエラー訂正によって得られ
る誤り数に基づいて再生信号のエラーレートを検出し、
その検出したエラーレートが基準値よりも小さくなる再
生クロックの遅延量を検出する。
【００２５】制御回路は、信号処理回路における再生信
号の誤り個数に基づいて、光磁気ディスクに形成された
磁区の中心付近にレーザ光を照射するためのタイミング
を求める。
号の誤り個数に基づいて、光磁気ディスクに形成された
磁区の中心付近にレーザ光を照射するためのタイミング
を求める。
【００２６】したがって、この発明によれば、任意の記
録パワーにおいて、磁区の中心付近にレーザ光を照射す
るための再生クロックの遅延量を求めることができる。
録パワーにおいて、磁区の中心付近にレーザ光を照射す
るための再生クロックの遅延量を求めることができる。
【００２７】好ましくは、光磁気ディスクは、各々が複
数のフレームから成る複数のバンドを含み、複数のフレ
ームの各々は、固定パターンを記録するためのヘッダ領
域を有し、制御回路は、固定パターンの記録信号を基準
値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロ
ックの遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記
録パワーを設定する。
数のフレームから成る複数のバンドを含み、複数のフレ
ームの各々は、固定パターンを記録するためのヘッダ領
域を有し、制御回路は、固定パターンの記録信号を基準
値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロ
ックの遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記
録パワーを設定する。
【００２８】光磁気ディスクに信号を記録する領域のう
ち、ヘッダ領域に記録された固定パターンを再生すると
きの再生クロックの遅延量に基づいてレーザ光の記録パ
ワーが調整される。
ち、ヘッダ領域に記録された固定パターンを再生すると
きの再生クロックの遅延量に基づいてレーザ光の記録パ
ワーが調整される。
【００２９】したがって、この発明によれば、複数のフ
レームの各々において記録パワーを調整できる。
レームの各々において記録パワーを調整できる。
【００３０】好ましくは、光磁気ディスクは、各々が複
数のフレームから成る複数のバンドを含み、複数のフレ
ームの各々は、固定パターンを記録するためのヘッダ領
域と、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域
とを有し、光磁気ディスク装置の制御回路は、ユーザデ
ータ領域に記録されたユーザデータの記録信号を基準値
よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロッ
クの遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録
パワーを設定する。
数のフレームから成る複数のバンドを含み、複数のフレ
ームの各々は、固定パターンを記録するためのヘッダ領
域と、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域
とを有し、光磁気ディスク装置の制御回路は、ユーザデ
ータ領域に記録されたユーザデータの記録信号を基準値
よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロッ
クの遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録
パワーを設定する。
【００３１】光磁気ディスクに信号を記録する領域のう
ち、ユーザデータ領域に記録されたユーザデータを再生
するときの再生クロックの遅延量に基づいてレーザ光の
記録パワーが調整される。
ち、ユーザデータ領域に記録されたユーザデータを再生
するときの再生クロックの遅延量に基づいてレーザ光の
記録パワーが調整される。
【００３２】したがって、この発明によれば、各種の記
録信号に基づいてレーザ光の記録パワーを調整できる。
録信号に基づいてレーザ光の記録パワーを調整できる。
【００３３】また、この発明による記録方法は、レーザ
光の記録パワーを好適な記録パワーに設定して、基準ク
ロックを生成する元になるファインクロックマークを含
む光磁気ディスクに信号を記録する記録方法であって、
ファインクロックマークを検出したファインクロックマ
ーク信号に基づいて基準クロックを生成する第１のステ
ップと、レーザ光の記録パワーを好適な記録パワーに設
定する第２のステップと、第２のステップによって設定
された記録パワーによって光磁気ディスクに信号を記録
する第３のステップとを含み、第２のステップは、基準
クロックに同期して信号を光磁気ディスクに記録する第
４のステップと、基準クロックの位相を遅延させた再生
クロックを生成し、基準クロックの位相に対する再生ク
ロックの位相の遅延量を変化させて第４のステップにお
いて記録した信号を再生する第５のステップと、第５の
ステップにおいて再生した再生信号のエラーレートを検
出し、その検出したエラーレートに基づいて基準値より
も小さいエラーレートを得るための再生クロックの遅延
量を検出する第６のステップと、第６のステップにおい
て検出した遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光
の記録パワーを設定する第７のステップとから成り、基
準遅延量は、レーザ光のパワーを最適記録パワーに設定
して光磁気ディスクに記録された信号を基準値よりも小
さいエラーレートで再生するための再生クロックの遅延
量である。
光の記録パワーを好適な記録パワーに設定して、基準ク
ロックを生成する元になるファインクロックマークを含
む光磁気ディスクに信号を記録する記録方法であって、
ファインクロックマークを検出したファインクロックマ
ーク信号に基づいて基準クロックを生成する第１のステ
ップと、レーザ光の記録パワーを好適な記録パワーに設
定する第２のステップと、第２のステップによって設定
された記録パワーによって光磁気ディスクに信号を記録
する第３のステップとを含み、第２のステップは、基準
クロックに同期して信号を光磁気ディスクに記録する第
４のステップと、基準クロックの位相を遅延させた再生
クロックを生成し、基準クロックの位相に対する再生ク
ロックの位相の遅延量を変化させて第４のステップにお
いて記録した信号を再生する第５のステップと、第５の
ステップにおいて再生した再生信号のエラーレートを検
出し、その検出したエラーレートに基づいて基準値より
も小さいエラーレートを得るための再生クロックの遅延
量を検出する第６のステップと、第６のステップにおい
て検出した遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光
の記録パワーを設定する第７のステップとから成り、基
準遅延量は、レーザ光のパワーを最適記録パワーに設定
して光磁気ディスクに記録された信号を基準値よりも小
さいエラーレートで再生するための再生クロックの遅延
量である。
【００３４】この発明による記録方法においては、ファ
インクロックマークに基づいて基準クロックが生成さ
れ、その生成された基準クロックに同期して光磁気ディ
スクに信号が記録される。そして、その記録された記録
信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するため
の再生クロックの遅延量が検出され、その検出された遅
延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワー
が調整される。その後、調整された記録パワーで信号が
記録される。
インクロックマークに基づいて基準クロックが生成さ
れ、その生成された基準クロックに同期して光磁気ディ
スクに信号が記録される。そして、その記録された記録
信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するため
の再生クロックの遅延量が検出され、その検出された遅
延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワー
が調整される。その後、調整された記録パワーで信号が
記録される。
【００３５】したがって、この発明によれば、信号を再
生するときの再生クロックの遅延量を用いて迅速にレー
ザ光の記録パワーを調整できる。
生するときの再生クロックの遅延量を用いて迅速にレー
ザ光の記録パワーを調整できる。
【００３６】好ましくは、第２のステップは、周囲の温
度が許容変化量を超えて変化したときに実行される。
度が許容変化量を超えて変化したときに実行される。
【００３７】周囲の温度が許容変化量を超えて大きく変
化したとき、記録信号を基準値よりも小さいエラーレー
トで再生するための再生クロックの遅延量を用いてレー
ザ光の記録パワーが調整される。
化したとき、記録信号を基準値よりも小さいエラーレー
トで再生するための再生クロックの遅延量を用いてレー
ザ光の記録パワーが調整される。
【００３８】したがって、この発明によれば、周囲の温
度が実際に大きく変化したときにレーザ光の記録パワー
を調整できる。
度が実際に大きく変化したときにレーザ光の記録パワー
を調整できる。
【００３９】好ましくは、第７のステップにおいて、レ
ーザ光の記録パワーと、記録パワーで記録された記録信
号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための
再生クロックの遅延量との関係に基づいて、レーザ光の
記録パワーの補正値を検出し、その検出した補正値に基
づいて検出した遅延量が基準遅延量に近づくようにレー
ザ光の記録パワーが設定される。
ーザ光の記録パワーと、記録パワーで記録された記録信
号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための
再生クロックの遅延量との関係に基づいて、レーザ光の
記録パワーの補正値を検出し、その検出した補正値に基
づいて検出した遅延量が基準遅延量に近づくようにレー
ザ光の記録パワーが設定される。
【００４０】レーザ光の記録パワーと、基準値よりも小
さいエラーレートで信号を再生するための再生クロック
の位相の遅延量とは１対１に対応付けられている。記録
信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するため
の再生クロックの位相の遅延量が検出され、その検出さ
れた遅延量に基づいて記録パワーの補正値が検出され
る。そして、検出された補正値に基づいて記録パワーが
設定し直される。
さいエラーレートで信号を再生するための再生クロック
の位相の遅延量とは１対１に対応付けられている。記録
信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するため
の再生クロックの位相の遅延量が検出され、その検出さ
れた遅延量に基づいて記録パワーの補正値が検出され
る。そして、検出された補正値に基づいて記録パワーが
設定し直される。
【００４１】したがって、この発明によれば、記録信号
を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再
生クロックの位相の遅延量を制御することによってレー
ザ光の記録パワーをほぼ一定に保持できる。
を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再
生クロックの位相の遅延量を制御することによってレー
ザ光の記録パワーをほぼ一定に保持できる。
【００４２】好ましくは、第７のステップにおいて、検
出した遅延量が基準遅延量よりも小さいときレーザ光の
記録パワーを記録信号を記録したときの記録パワーより
も小さく設定し、検出した遅延量が基準遅延量よりも大
きいときレーザ光の記録パワーを記録信号を記録したと
きの記録パワーよりも大きく設定する。
出した遅延量が基準遅延量よりも小さいときレーザ光の
記録パワーを記録信号を記録したときの記録パワーより
も小さく設定し、検出した遅延量が基準遅延量よりも大
きいときレーザ光の記録パワーを記録信号を記録したと
きの記録パワーよりも大きく設定する。
【００４３】検出した遅延量が基準遅延量よりも小さい
ときは、記録時のレーザ光のパワーが最適記録パワーよ
りも大きいため、磁区は最適記録パワーのときよりも位
相的に進んだ位置に形成される。そのため、レーザ光の
記録パワーは小さくなるように制御される。また、検出
した遅延量が基準遅延量よりも大きいときは、記録時の
レーザ光のパワーが最適記録パワーよりも小さいため、
磁区は最適記録パワーのときよりも位相的に遅れた位置
に形成される。そのため、レーザ光の記録パワーは大き
くなるように制御される。
ときは、記録時のレーザ光のパワーが最適記録パワーよ
りも大きいため、磁区は最適記録パワーのときよりも位
相的に進んだ位置に形成される。そのため、レーザ光の
記録パワーは小さくなるように制御される。また、検出
した遅延量が基準遅延量よりも大きいときは、記録時の
レーザ光のパワーが最適記録パワーよりも小さいため、
磁区は最適記録パワーのときよりも位相的に遅れた位置
に形成される。そのため、レーザ光の記録パワーは大き
くなるように制御される。
【００４４】したがって、この発明によれば、磁区の形
成位置がほぼ一定になるように記録時のパワーを調整可
能である。
成位置がほぼ一定になるように記録時のパワーを調整可
能である。
【００４５】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または
相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。
を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または
相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。
【００４６】図１を参照して、本発明による光磁気ディ
スク装置が信号の記録および／または再生の対象とする
光磁気ディスクについて説明する。光磁気ディスク１０
０は、径方向に同心円状に配置された複数のバンドＢ０
〜Ｂ１３を含む。各バンドＢ０〜Ｂ１３は、テスト領域
ＴＳＲとデータ領域ＤＲとから成る。テスト領域ＴＳＲ
は、データ領域ＤＲよりも内周側に設けられる。
スク装置が信号の記録および／または再生の対象とする
光磁気ディスクについて説明する。光磁気ディスク１０
０は、径方向に同心円状に配置された複数のバンドＢ０
〜Ｂ１３を含む。各バンドＢ０〜Ｂ１３は、テスト領域
ＴＳＲとデータ領域ＤＲとから成る。テスト領域ＴＳＲ
は、データ領域ＤＲよりも内周側に設けられる。
【００４７】図２は、各バンドＢ０〜Ｂ１３の一部の構
造を示す斜視図である。テスト領域ＴＳＲおよびデータ
領域ＤＲは、透光性基板１００Ａの一主面にグルーブ１
とランド２とが形成された構造を有する。グルーブ１お
よびランド２は、光磁気ディスク１００のラジアル方向
ＤＲ２に交互に配置される。また、グルーブ１は、光磁
気ディスク１００のタンジェンシャル方向ＤＲ１に４μ
ｍ程度のランド３Ａを含み、ランド２は、タンジェンシ
ャル方向ＤＲ１に４μｍ程度のグルーブ３Ｂを含む。ラ
ンド３Ａおよびグルーブ３Ｂは、光磁気ディスク１００
のラジアル方向ＤＲ２に隣接して形成され、タンジェン
シャル方向ＤＲ１に一定周期で形成される。そして、グ
ルーブ１，３Ｂ、ランド２，３Ａの表面に覆うように磁
性膜１００Ｂが形成されている。
造を示す斜視図である。テスト領域ＴＳＲおよびデータ
領域ＤＲは、透光性基板１００Ａの一主面にグルーブ１
とランド２とが形成された構造を有する。グルーブ１お
よびランド２は、光磁気ディスク１００のラジアル方向
ＤＲ２に交互に配置される。また、グルーブ１は、光磁
気ディスク１００のタンジェンシャル方向ＤＲ１に４μ
ｍ程度のランド３Ａを含み、ランド２は、タンジェンシ
ャル方向ＤＲ１に４μｍ程度のグルーブ３Ｂを含む。ラ
ンド３Ａおよびグルーブ３Ｂは、光磁気ディスク１００
のラジアル方向ＤＲ２に隣接して形成され、タンジェン
シャル方向ＤＲ１に一定周期で形成される。そして、グ
ルーブ１，３Ｂ、ランド２，３Ａの表面に覆うように磁
性膜１００Ｂが形成されている。
【００４８】磁性膜１００Ｂは、透光性基板１００Ａ側
から再生層、非磁性層、および記録層をこの順で含む。
再生層はＧｄＴｅＣｏから成り、非磁性層はＳｉＮから
成り、記録層はＴｂＦｅＣｏから成る。グルーブ１およ
びランド２上に磁性膜１００Ｂを形成した状態で、グル
ーブ１のラジアル方向ＤＲ２の幅と、ランド２のラジア
ル方向ＤＲ２の幅とは等しく、グルーブ１およびランド
２上の磁性膜に信号が記録される。
から再生層、非磁性層、および記録層をこの順で含む。
再生層はＧｄＴｅＣｏから成り、非磁性層はＳｉＮから
成り、記録層はＴｂＦｅＣｏから成る。グルーブ１およ
びランド２上に磁性膜１００Ｂを形成した状態で、グル
ーブ１のラジアル方向ＤＲ２の幅と、ランド２のラジア
ル方向ＤＲ２の幅とは等しく、グルーブ１およびランド
２上の磁性膜に信号が記録される。
【００４９】テスト領域ＴＳＲは、１つのグルーブと、
グルーブに隣接する１つのランドとから成るトラックを
３本有する。そして、テスト領域ＴＳＲは、後述するよ
うに、グルーブ１とランド２に信号を記録する際のレー
ザ光の記録パワーを最適化するために用いられる。
グルーブに隣接する１つのランドとから成るトラックを
３本有する。そして、テスト領域ＴＳＲは、後述するよ
うに、グルーブ１とランド２に信号を記録する際のレー
ザ光の記録パワーを最適化するために用いられる。
【００５０】なお、ランド３Ａおよびグルーブ３Ｂを
「ファインクロックマーク」と言い、後述するように基
準クロックＣＬＫを生成する元になるものである。ま
た、グルーブ１とランド２とはスパイラル状もしくは同
心円状に配されている。
「ファインクロックマーク」と言い、後述するように基
準クロックＣＬＫを生成する元になるものである。ま
た、グルーブ１とランド２とはスパイラル状もしくは同
心円状に配されている。
【００５１】各バンドＢ０〜Ｂ１３には、フレーム（Ｆ
ｒａｍｅ）単位で信号が記録および／または再生される
ため、各バンドＢ０〜Ｂ１３は複数のフレームを含む。
すなわち、図３を参照して、光磁気ディスク１００に
は、記録単位であるフレームが等間隔で配置されてお
り、各フレームは３９個のセグメント（Ｓｅｇｍｅｎ
ｔ）Ｓ０，Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓ３８によって構成されて
いる。
ｒａｍｅ）単位で信号が記録および／または再生される
ため、各バンドＢ０〜Ｂ１３は複数のフレームを含む。
すなわち、図３を参照して、光磁気ディスク１００に
は、記録単位であるフレームが等間隔で配置されてお
り、各フレームは３９個のセグメント（Ｓｅｇｍｅｎ
ｔ）Ｓ０，Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓ３８によって構成されて
いる。
【００５２】そして、各セグメントの長さは、５３２Ｄ
ＣＢ（Ｄａｔａ ＣｈａｎｎｅｌＢｉｔ）であり、各セ
グメントの先頭には、データの記録および再生を行なう
クロックの位相情報を示すファインクロックマーク（Ｆ
ＣＭ：Ｆｉｎｅ Ｃｌｏｃｋ Ｍａｒｋ）３Ａ，３Ｂが
形成されている。フレームの先頭であるセグメントＳ０
には、ファインクロックマーク３Ａ，３Ｂに続いて、光
磁気ディスク１００上のアドレスを示すアドレス情報
（Ａｄｄｒｅｓｓ）がウォブル４〜９により光磁気ディ
スク１００の製造時にプリフォーマットされている。
ＣＢ（Ｄａｔａ ＣｈａｎｎｅｌＢｉｔ）であり、各セ
グメントの先頭には、データの記録および再生を行なう
クロックの位相情報を示すファインクロックマーク（Ｆ
ＣＭ：Ｆｉｎｅ Ｃｌｏｃｋ Ｍａｒｋ）３Ａ，３Ｂが
形成されている。フレームの先頭であるセグメントＳ０
には、ファインクロックマーク３Ａ，３Ｂに続いて、光
磁気ディスク１００上のアドレスを示すアドレス情報
（Ａｄｄｒｅｓｓ）がウォブル４〜９により光磁気ディ
スク１００の製造時にプリフォーマットされている。
【００５３】ウォブル４とウォブル５、ウォブル６とウ
ォブル７、およびウォブル８とウォブル９とは、グルー
ブ１の互いの反対側の壁に形成されており、同じアドレ
ス情報が記録されている。かかるアドレス情報の記録方
式を片側スタガ方式と言い、片側スタガ方式を採用する
ことにより光磁気ディスク１００にチルト等が発生し、
レーザ光がグルーブ１もしくはランド２の中心からずれ
た場合にも正確にアドレス情報を検出することができ
る。
ォブル７、およびウォブル８とウォブル９とは、グルー
ブ１の互いの反対側の壁に形成されており、同じアドレ
ス情報が記録されている。かかるアドレス情報の記録方
式を片側スタガ方式と言い、片側スタガ方式を採用する
ことにより光磁気ディスク１００にチルト等が発生し、
レーザ光がグルーブ１もしくはランド２の中心からずれ
た場合にも正確にアドレス情報を検出することができ
る。
【００５４】アドレス情報が記録された領域とファイン
クロックマーク３Ａ，３Ｂが形成された領域はユーザデ
ータを記録する領域としては利用されない。また、セグ
メントＳｎは、ファインクロックマーク３Ａ，３Ｂとユ
ーザデータＵｓｅｒ Ｄａｔａ ｎ−１とにより構成さ
れる。
クロックマーク３Ａ，３Ｂが形成された領域はユーザデ
ータを記録する領域としては利用されない。また、セグ
メントＳｎは、ファインクロックマーク３Ａ，３Ｂとユ
ーザデータＵｓｅｒ Ｄａｔａ ｎ−１とにより構成さ
れる。
【００５５】図４を参照して、バンドＢ０〜Ｂ１３の各
々は、ｍ個のフレームＦ０〜Ｆｍ−１から成る。フレー
ムの個数は各バンドＢ０〜Ｂ１３によって異なる。ま
た、１つのフレームは、上述したように３９個のセグメ
ントＳ０〜Ｓ３８から成る。図４に示すようなデータフ
ォーマットに従って光磁気ディスク１００に信号が記録
および／または再生される。
々は、ｍ個のフレームＦ０〜Ｆｍ−１から成る。フレー
ムの個数は各バンドＢ０〜Ｂ１３によって異なる。ま
た、１つのフレームは、上述したように３９個のセグメ
ントＳ０〜Ｓ３８から成る。図４に示すようなデータフ
ォーマットに従って光磁気ディスク１００に信号が記録
および／または再生される。
【００５６】図５を参照して、セグメントの詳細な構成
について説明する。フレームを構成する各セグメントＳ
０，Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓ３８のうち、セグメントＳ０は
光磁気ディスク１００上にプリフォーマットされたアド
レスセグメントであり、セグメントＳ１からセグメント
Ｓ３８は、ユーザデータの記録領域として確保されたデ
ータセグメントである。セグメントＳ０は、１２ＤＣＢ
のファインクロックマーク領域ＦＣＭと５２０ＤＣＢの
アドレスＡｄｄｒｅｓｓとから構成され、セグメントＳ
１は、１２ＤＣＢのファインクロックマーク領域ＦＣＭ
と、４ＤＣＢのＰｒｅ−Ｗｒｉｔｅと、５１２ＤＣＢの
Ｄａｔａと、４ＤＣＢのＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅとから構
成される。
について説明する。フレームを構成する各セグメントＳ
０，Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓ３８のうち、セグメントＳ０は
光磁気ディスク１００上にプリフォーマットされたアド
レスセグメントであり、セグメントＳ１からセグメント
Ｓ３８は、ユーザデータの記録領域として確保されたデ
ータセグメントである。セグメントＳ０は、１２ＤＣＢ
のファインクロックマーク領域ＦＣＭと５２０ＤＣＢの
アドレスＡｄｄｒｅｓｓとから構成され、セグメントＳ
１は、１２ＤＣＢのファインクロックマーク領域ＦＣＭ
と、４ＤＣＢのＰｒｅ−Ｗｒｉｔｅと、５１２ＤＣＢの
Ｄａｔａと、４ＤＣＢのＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅとから構
成される。
【００５７】Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅは、データの書出しを
示すものであり、たとえば、所定のパターン「００１
１」から構成され、Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅはデータの終
わりを示すものであり、たとえば、所定のパターン「１
１００」から構成される。
示すものであり、たとえば、所定のパターン「００１
１」から構成され、Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅはデータの終
わりを示すものであり、たとえば、所定のパターン「１
１００」から構成される。
【００５８】また、セグメントＳ１のユーザデータ領域
には、再生時のデータの位置確認、再生クロックの位置
補償、レーザパワー調整等を行なうための固定パターン
であるヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）が設けられている。ヘッ
ダに記録する固定パターンは直流成分を抑えたパターン
（「ＤＣフリーであるパターン」とも言う、以下同
じ。）であり、たとえば、２Ｔのドメインを２Ｔの間隔
で所定個数形成したものと、８Ｔのドメインを８Ｔの間
隔で所定個数形成したものとが記録される。
には、再生時のデータの位置確認、再生クロックの位置
補償、レーザパワー調整等を行なうための固定パターン
であるヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）が設けられている。ヘッ
ダに記録する固定パターンは直流成分を抑えたパターン
（「ＤＣフリーであるパターン」とも言う、以下同
じ。）であり、たとえば、２Ｔのドメインを２Ｔの間隔
で所定個数形成したものと、８Ｔのドメインを８Ｔの間
隔で所定個数形成したものとが記録される。
【００５９】そして、２Ｔのドメインを再生して得られ
るアナログ信号のサンプリングのタイミングが、信号の
記録に用いる基準クロックの位相を遅延させた再生クロ
ックの位相に一致するように調整することによって位相
補償を行ない、２Ｔのドメインと８Ｔのドメインとを再
生し、８Ｔのドメインの再生信号強度に対する２Ｔのド
メインの再生信号強度の比が５０％以上になるようにレ
ーザパワーの調整を行なう。また、８Ｔのドメインを再
生し、再生信号を２値化したディジタル信号の位置が予
め予想された８Ｔのドメインのディジタル信号の位置と
一致するかを確認することによって再生時の信号の位置
確認を行なう。さらに、Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ、Ｐｏｓｔ
−Ｗｒｉｔｅ、およびＨｅａｄｅｒの各パターンは、ユ
ーザデータの記録時にユーザデータと連続して記録され
る。
るアナログ信号のサンプリングのタイミングが、信号の
記録に用いる基準クロックの位相を遅延させた再生クロ
ックの位相に一致するように調整することによって位相
補償を行ない、２Ｔのドメインと８Ｔのドメインとを再
生し、８Ｔのドメインの再生信号強度に対する２Ｔのド
メインの再生信号強度の比が５０％以上になるようにレ
ーザパワーの調整を行なう。また、８Ｔのドメインを再
生し、再生信号を２値化したディジタル信号の位置が予
め予想された８Ｔのドメインのディジタル信号の位置と
一致するかを確認することによって再生時の信号の位置
確認を行なう。さらに、Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ、Ｐｏｓｔ
−Ｗｒｉｔｅ、およびＨｅａｄｅｒの各パターンは、ユ
ーザデータの記録時にユーザデータと連続して記録され
る。
【００６０】セグメントＳ２〜Ｓ３８は、１２ＤＣＢの
ファインクロックマーク領域ＦＣＭと、４ＤＣＢのＰｒ
ｅ−Ｗｒｉｔｅと、５１２ＤＣＢのＤａｔａと、４ＤＣ
ＢのＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅとから構成される。
ファインクロックマーク領域ＦＣＭと、４ＤＣＢのＰｒ
ｅ−Ｗｒｉｔｅと、５１２ＤＣＢのＤａｔａと、４ＤＣ
ＢのＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅとから構成される。
【００６１】なお、ファインクロックマークＦＣＭおよ
びアドレスＡｄｄｒｅｓｓのようにプリフォーマットさ
れた領域を「プリフォーマット領域」という。
びアドレスＡｄｄｒｅｓｓのようにプリフォーマットさ
れた領域を「プリフォーマット領域」という。
【００６２】図６を参照して、本発明による光磁気ディ
スク装置について説明する。光ディスク装置２００は、
スピンドルモータ１０１と、光ピックアップ１０２と、
ファインクロックマーク検出回路（ＦＣＭ検出回路）１
０３と、ＰＬＬ回路１０４と、アドレス検出回路１０５
と、ＢＰＦ１０６と、ＡＤ変換器１０７と、波形等化回
路１０８と、ビタビ復号回路１０９と、アンフォーマッ
ト回路１１０と、データ復調回路１１１と、ＢＣＨデコ
ーダ１１２と、ヘッダ検出回路１１３と、コントローラ
１１４と、タイミング発生回路１１５と、ＢＣＨエンコ
ーダ１１６と、データ変調回路１１７と、フォーマット
回路１２６と、磁気ヘッド駆動回路１２３と、レーザ駆
動回路１２４と、磁気ヘッド１２５と、遅延回路１２７
と、温度センサー１２８とを備える。フォーマット回路
１２６は、パターン発生回路１１９と、セレクタ回路１
２０とを含む。
スク装置について説明する。光ディスク装置２００は、
スピンドルモータ１０１と、光ピックアップ１０２と、
ファインクロックマーク検出回路（ＦＣＭ検出回路）１
０３と、ＰＬＬ回路１０４と、アドレス検出回路１０５
と、ＢＰＦ１０６と、ＡＤ変換器１０７と、波形等化回
路１０８と、ビタビ復号回路１０９と、アンフォーマッ
ト回路１１０と、データ復調回路１１１と、ＢＣＨデコ
ーダ１１２と、ヘッダ検出回路１１３と、コントローラ
１１４と、タイミング発生回路１１５と、ＢＣＨエンコ
ーダ１１６と、データ変調回路１１７と、フォーマット
回路１２６と、磁気ヘッド駆動回路１２３と、レーザ駆
動回路１２４と、磁気ヘッド１２５と、遅延回路１２７
と、温度センサー１２８とを備える。フォーマット回路
１２６は、パターン発生回路１１９と、セレクタ回路１
２０とを含む。
【００６３】スピンドルモータ１０１は、光磁気ディス
ク１００を所定の回転数で回転させる。光ピックアップ
１０２は、光磁気ディスク１００にレーザ光を照射し、
その反射光を検出する。ＦＣＭ検出回路１０３は、光ピ
ックアップ１０２が光磁気ディスク１００のファインク
ロックマーク３Ａ，３Ｂの位置を示すファインクロック
マーク検出信号ＦＣＭＴを検出し、その検出したファイ
ンクロックマーク検出信号ＦＣＭＴをＰＬＬ回路１０
４、およびタイミング発生回路１１５へ出力する。
ク１００を所定の回転数で回転させる。光ピックアップ
１０２は、光磁気ディスク１００にレーザ光を照射し、
その反射光を検出する。ＦＣＭ検出回路１０３は、光ピ
ックアップ１０２が光磁気ディスク１００のファインク
ロックマーク３Ａ，３Ｂの位置を示すファインクロック
マーク検出信号ＦＣＭＴを検出し、その検出したファイ
ンクロックマーク検出信号ＦＣＭＴをＰＬＬ回路１０
４、およびタイミング発生回路１１５へ出力する。
【００６４】また、ＰＬＬ回路１０４は、ＦＣＭ検出回
路１０３から出力されたファインクロックマーク検出信
号ＦＣＭＴに基づいて基準クロックＣＬＫを生成し、そ
の生成した基準クロックＣＬＫをタイミング発生回路１
１５、データ変調回路１１７、フォーマット回路１２６
のパターン発生回路１１９、および遅延回路１２７へ出
力する。遅延回路１２７は、ＰＬＬ回路１０４からの基
準クロックＣＬＫの位相をコントローラ１１４からの制
御に基づいて一定量遅延させ、その遅延させた再生クロ
ックＣＬＫＳをアドレス検出回路１０５、ＡＤ変換器１
０７と、波形等化回路１０８、ビタビ復号回路１０９、
アンフォーマット回路１１０、データ復調回路１１１、
およびコントローラ１１４へ出力する。
路１０３から出力されたファインクロックマーク検出信
号ＦＣＭＴに基づいて基準クロックＣＬＫを生成し、そ
の生成した基準クロックＣＬＫをタイミング発生回路１
１５、データ変調回路１１７、フォーマット回路１２６
のパターン発生回路１１９、および遅延回路１２７へ出
力する。遅延回路１２７は、ＰＬＬ回路１０４からの基
準クロックＣＬＫの位相をコントローラ１１４からの制
御に基づいて一定量遅延させ、その遅延させた再生クロ
ックＣＬＫＳをアドレス検出回路１０５、ＡＤ変換器１
０７と、波形等化回路１０８、ビタビ復号回路１０９、
アンフォーマット回路１１０、データ復調回路１１１、
およびコントローラ１１４へ出力する。
【００６５】また、アドレス検出回路１０５は、光ピッ
クアップ１０２が光磁気ディスク１００のセグメントＳ
０からラジアルプッシュプル法により検出したアドレス
情報ＡＤＡを入力し、遅延回路１２７から入力された再
生クロックＣＬＫＳに同期してアドレス情報ＡＤを検出
すると共に、アドレス情報ＡＤを検出したことを示すア
ドレス検出信号ＡＤＦをアドレス情報の最終位置で生成
する。そして、検出したアドレス情報ＡＤをコントロー
ラ１１４へ出力し、生成したアドレス検出信号ＡＤＦを
ヘッダ検出回路１１３およびタイミング発生回路１１５
へ出力する。
クアップ１０２が光磁気ディスク１００のセグメントＳ
０からラジアルプッシュプル法により検出したアドレス
情報ＡＤＡを入力し、遅延回路１２７から入力された再
生クロックＣＬＫＳに同期してアドレス情報ＡＤを検出
すると共に、アドレス情報ＡＤを検出したことを示すア
ドレス検出信号ＡＤＦをアドレス情報の最終位置で生成
する。そして、検出したアドレス情報ＡＤをコントロー
ラ１１４へ出力し、生成したアドレス検出信号ＡＤＦを
ヘッダ検出回路１１３およびタイミング発生回路１１５
へ出力する。
【００６６】また、ＢＰＦ１０６は、光磁気ディスク１
００から再生した再生信号ＲＦの高域と低域とを除去す
る。ＡＤ変換器１０７は、遅延回路１２７からの再生ク
ロックＣＬＫＳに同期して再生信号ＲＦをアナログ信号
からディジタル信号に変換する。
００から再生した再生信号ＲＦの高域と低域とを除去す
る。ＡＤ変換器１０７は、遅延回路１２７からの再生ク
ロックＣＬＫＳに同期して再生信号ＲＦをアナログ信号
からディジタル信号に変換する。
【００６７】波形等化回路１０８は、遅延回路１２７か
らの再生クロックＣＬＫＳに同期してディジタル信号に
変換された再生信号ＲＦにＰＲ（１，１）波形等化を行
なう。すなわち、検出信号の前後のデータが１対１に波
形干渉を行なうように等化する。
らの再生クロックＣＬＫＳに同期してディジタル信号に
変換された再生信号ＲＦにＰＲ（１，１）波形等化を行
なう。すなわち、検出信号の前後のデータが１対１に波
形干渉を行なうように等化する。
【００６８】ビタビ復号回路１０９は、遅延回路１２７
からの再生クロックＣＬＫＳに同期して再生信号ＲＦを
多値から２値に変換し、その変換した再生信号ＲＦをア
ンフォーマット回路１１０、およびヘッダ検出回路１１
３へ出力する。
からの再生クロックＣＬＫＳに同期して再生信号ＲＦを
多値から２値に変換し、その変換した再生信号ＲＦをア
ンフォーマット回路１１０、およびヘッダ検出回路１１
３へ出力する。
【００６９】アンフォーマット回路１１０は、ヘッダ検
出回路１１３から光磁気ディスク１００のユーザデータ
領域に記録されたプリライト（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ）、
ポストライト（Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ）、およびヘッダ
（Ｈｅａｄｅｒ）を除去する。
出回路１１３から光磁気ディスク１００のユーザデータ
領域に記録されたプリライト（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ）、
ポストライト（Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ）、およびヘッダ
（Ｈｅａｄｅｒ）を除去する。
【００７０】データ復調回路１１１は、遅延回路１２７
からの再生クロックＣＬＫＳに同期してアンフォーマッ
トされた再生信号ＲＦを入力して、記録時に施されたデ
ィジタル変調を解くための復調を行なう。
からの再生クロックＣＬＫＳに同期してアンフォーマッ
トされた再生信号ＲＦを入力して、記録時に施されたデ
ィジタル変調を解くための復調を行なう。
【００７１】ＢＣＨデコーダ１１２は、復調された再生
信号の誤り訂正を行ない、再生データとして出力する。
ヘッダ検出回路１１３は、コントローラ１１４から入力
されたアドレス情報およびアドレス検出回路１０５から
入力されたアドレス検出信号ＡＤＦに基づいて再生信号
に含まれるヘッダの位置を検出し、遅延回路１２７から
の再生クロックＣＬＫＳに同期して再生信号からプリラ
イト（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ）およびヘッダ（Ｈｅａｄｅ
ｒ）のタイミング信号を生成する。そして、生成したヘ
ッダ（Ｈｅａｄｅｒ）のタイミング信号をアンフォーマ
ット回路１１０およびデータ復調回路１１１へ出力す
る。
信号の誤り訂正を行ない、再生データとして出力する。
ヘッダ検出回路１１３は、コントローラ１１４から入力
されたアドレス情報およびアドレス検出回路１０５から
入力されたアドレス検出信号ＡＤＦに基づいて再生信号
に含まれるヘッダの位置を検出し、遅延回路１２７から
の再生クロックＣＬＫＳに同期して再生信号からプリラ
イト（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ）およびヘッダ（Ｈｅａｄｅ
ｒ）のタイミング信号を生成する。そして、生成したヘ
ッダ（Ｈｅａｄｅｒ）のタイミング信号をアンフォーマ
ット回路１１０およびデータ復調回路１１１へ出力す
る。
【００７２】コントローラ１１４は、アドレス検出回路
１０５で検出されたアドレス情報ＡＤを受け、そのアド
レス情報ＡＤに基づいてサーボ機構（図示せず）を制御
して光ピックアップ１０２を所望の位置にアクセスさせ
る。また、コントローラ１１４は、遅延回路１２７から
のクロックＣＫに同期してアドレス情報ＡＤをヘッダ検
出回路１１３へ出力するとともに、タイミング発生回路
１１５を制御する。さらに、コントローラ１１４は、後
述する方法によってレーザ光の記録パワーの調整を行な
う場合、基準クロックＣＬＫの位相に対する再生クロッ
クの位相の遅延量を制御し、ＢＣＨデコーダ１１２から
入力した誤り数に基づいて再生信号のエラーレートを検
出する。また、さらに、コントローラ１１４は、再生信
号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するため再
生クロックＣＬＫＳの遅延量を検出し、その検出した遅
延量に基づいてレーザ光の記録パワーを好適な記録パワ
ーに設定する。
１０５で検出されたアドレス情報ＡＤを受け、そのアド
レス情報ＡＤに基づいてサーボ機構（図示せず）を制御
して光ピックアップ１０２を所望の位置にアクセスさせ
る。また、コントローラ１１４は、遅延回路１２７から
のクロックＣＫに同期してアドレス情報ＡＤをヘッダ検
出回路１１３へ出力するとともに、タイミング発生回路
１１５を制御する。さらに、コントローラ１１４は、後
述する方法によってレーザ光の記録パワーの調整を行な
う場合、基準クロックＣＬＫの位相に対する再生クロッ
クの位相の遅延量を制御し、ＢＣＨデコーダ１１２から
入力した誤り数に基づいて再生信号のエラーレートを検
出する。また、さらに、コントローラ１１４は、再生信
号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するため再
生クロックＣＬＫＳの遅延量を検出し、その検出した遅
延量に基づいてレーザ光の記録パワーを好適な記録パワ
ーに設定する。
【００７３】タイミング発生回路１１５は、コントロー
ラ１１４からの制御に基づいて、ＦＣＭ検出回路１０３
から入力されたファインクロックマーク検出信号ＦＣＭ
Ｔ、およびアドレス検出回路１０５から入力されたアド
レス最終位置検出信号ＡＤＦに基づいて、ＰＬＬ回路１
０４から入力された基準クロックＣＬＫに同期してタイ
ミング信号ＳＳを生成し、その生成したタイミング信号
ＳＳをフォーマット回路１２６のパターン発生回路１１
９およびセレクタ回路１２０、磁気ヘッド駆動回路１２
３、およびレーザ駆動回路１２４へ出力する。
ラ１１４からの制御に基づいて、ＦＣＭ検出回路１０３
から入力されたファインクロックマーク検出信号ＦＣＭ
Ｔ、およびアドレス検出回路１０５から入力されたアド
レス最終位置検出信号ＡＤＦに基づいて、ＰＬＬ回路１
０４から入力された基準クロックＣＬＫに同期してタイ
ミング信号ＳＳを生成し、その生成したタイミング信号
ＳＳをフォーマット回路１２６のパターン発生回路１１
９およびセレクタ回路１２０、磁気ヘッド駆動回路１２
３、およびレーザ駆動回路１２４へ出力する。
【００７４】ＢＣＨエンコーダ１１６は、記録データに
誤り訂正符号を付加する。データ変調回路１１７は、記
録データを所定の方式に変調する。フォーマット回路１
２６は、ＰＬＬ回路１０４からのクロックＣＬＫに同期
し、かつ、タイミング発生回路１１５からのタイミング
信号ＳＳに基づいて、データ変調回路１１７からの記録
データにプリライト（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ）、ヘッダ
（Ｈｅａｄｅｒ）、およびポストライト（Ｐｏｓｔ−Ｗ
ｒｉｔｅ）を追加して記録データをユーザデータ領域に
マッチするようにフォーマットする。そして、フォーマ
ット回路１２６は、そのフォーマットした記録データ
と、プリフォーマット領域に記録すべきパターンデータ
とを、タイミング発生回路１１５からのタイミング信号
ＳＳに基づいて選択的に磁気ヘッド駆動回路１２３へ出
力する。
誤り訂正符号を付加する。データ変調回路１１７は、記
録データを所定の方式に変調する。フォーマット回路１
２６は、ＰＬＬ回路１０４からのクロックＣＬＫに同期
し、かつ、タイミング発生回路１１５からのタイミング
信号ＳＳに基づいて、データ変調回路１１７からの記録
データにプリライト（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ）、ヘッダ
（Ｈｅａｄｅｒ）、およびポストライト（Ｐｏｓｔ−Ｗ
ｒｉｔｅ）を追加して記録データをユーザデータ領域に
マッチするようにフォーマットする。そして、フォーマ
ット回路１２６は、そのフォーマットした記録データ
と、プリフォーマット領域に記録すべきパターンデータ
とを、タイミング発生回路１１５からのタイミング信号
ＳＳに基づいて選択的に磁気ヘッド駆動回路１２３へ出
力する。
【００７５】パターン発生回路１１９は、プリフォーマ
ット領域に記録すべきパターンデータと、プリライト
（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ）、ヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）、お
よびポストライト（Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ）としてのパ
ターンデータとをＰＬＬ回路１０４からの基準クロック
ＣＬＫに同期して生成し、その生成したデータパターン
をセレクタ回路１２０へ出力する。
ット領域に記録すべきパターンデータと、プリライト
（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ）、ヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）、お
よびポストライト（Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ）としてのパ
ターンデータとをＰＬＬ回路１０４からの基準クロック
ＣＬＫに同期して生成し、その生成したデータパターン
をセレクタ回路１２０へ出力する。
【００７６】セレクタ回路１２０は、タイミング発生回
路１１５からのタイミング信号ＳＳに基づいて、データ
変調回路１１７からの記録データと、パターン発生回路
１１９からのパターンデータとを選択して磁気ヘッド駆
動回路１２３へ出力する。
路１１５からのタイミング信号ＳＳに基づいて、データ
変調回路１１７からの記録データと、パターン発生回路
１１９からのパターンデータとを選択して磁気ヘッド駆
動回路１２３へ出力する。
【００７７】磁気ヘッド駆動回路１２３は、タイミング
発生回路１１５からのタイミング信号ＳＳの各タイミン
グに同期し、かつ、フォーマット回路１２６からの出力
に基づいて磁気ヘッド１２５を駆動する。
発生回路１１５からのタイミング信号ＳＳの各タイミン
グに同期し、かつ、フォーマット回路１２６からの出力
に基づいて磁気ヘッド１２５を駆動する。
【００７８】レーザ駆動回路１２４は、タイミング発生
回路１１５からのタイミング信号ＳＳに基づいて、光ピ
ックアップ１０２中の半導体レーザ（図示せず）を駆動
する。
回路１１５からのタイミング信号ＳＳに基づいて、光ピ
ックアップ１０２中の半導体レーザ（図示せず）を駆動
する。
【００７９】磁気ヘッド１２５は、磁気ヘッド駆動回路
１２３によって駆動され、記録データまたはデータパタ
ーンによって磁界変調された磁界を光磁気ディスク１０
０に印加する。温度センサー１２８は、周囲の温度を検
出し、その検出した温度をコントローラ１１４へ出力す
る。
１２３によって駆動され、記録データまたはデータパタ
ーンによって磁界変調された磁界を光磁気ディスク１０
０に印加する。温度センサー１２８は、周囲の温度を検
出し、その検出した温度をコントローラ１１４へ出力す
る。
【００８０】図７を参照して、光磁気ディスク１００か
らのアドレス情報ＡＤ、ファインクロックマークＦＣ
Ｍ、および光磁気信号ＲＦの検出について説明する。領
域１０および領域３０は、光磁気ディスク１００の製造
時にプリフォーマットされるプリフォーマット領域を構
成する。領域１０は、ウォブル４〜７とファインクロッ
クマーク３Ａ，３Ｂとが形成される。また、領域３０
は、ファインクロックマーク３Ａ，３Ｂが形成される。
領域２０は、ユーザデータ領域を構成し、ユーザデータ
が記録される。
らのアドレス情報ＡＤ、ファインクロックマークＦＣ
Ｍ、および光磁気信号ＲＦの検出について説明する。領
域１０および領域３０は、光磁気ディスク１００の製造
時にプリフォーマットされるプリフォーマット領域を構
成する。領域１０は、ウォブル４〜７とファインクロッ
クマーク３Ａ，３Ｂとが形成される。また、領域３０
は、ファインクロックマーク３Ａ，３Ｂが形成される。
領域２０は、ユーザデータ領域を構成し、ユーザデータ
が記録される。
【００８１】光磁気ディスク１００にレーザ光を照射
し、その反射光を検出する光ピックアップ１０２中の光
検出器１０２０は、６つの検出領域１０２０Ａ，１０２
０Ｂ，１０２０Ｃ，１０２０Ｄ，１０２０Ｅ，１０２０
Ｆを有する。領域Ａ１０２０Ａと領域Ｂ１０２０Ｂ、お
よび領域Ｃ１０２０Ｃと領域Ｄ１０２０Ｄは光磁気ディ
スク１００のタンジェンシャル方向ＤＲ１に配置され、
領域Ａ１０２０Ａと領域Ｄ１０２０Ｄ、領域Ｂ１０２０
Ｂと領域Ｃ１０２０Ｃ、および領域Ｅ１０２０Ｅと領域
Ｆ１０２０Ｆは光磁気ディスク１００のラジアル方向Ｄ
Ｒ２に配置される。
し、その反射光を検出する光ピックアップ１０２中の光
検出器１０２０は、６つの検出領域１０２０Ａ，１０２
０Ｂ，１０２０Ｃ，１０２０Ｄ，１０２０Ｅ，１０２０
Ｆを有する。領域Ａ１０２０Ａと領域Ｂ１０２０Ｂ、お
よび領域Ｃ１０２０Ｃと領域Ｄ１０２０Ｄは光磁気ディ
スク１００のタンジェンシャル方向ＤＲ１に配置され、
領域Ａ１０２０Ａと領域Ｄ１０２０Ｄ、領域Ｂ１０２０
Ｂと領域Ｃ１０２０Ｃ、および領域Ｅ１０２０Ｅと領域
Ｆ１０２０Ｆは光磁気ディスク１００のラジアル方向Ｄ
Ｒ２に配置される。
【００８２】領域Ａ１０２０Ａ、領域Ｂ１０２０Ｂ、領
域Ｃ１０２０Ｃ、および領域Ｄ１０２０Ｄは、それぞ
れ、光磁気ディスク１００に照射されたレーザ光ＬＢの
Ａ領域、Ｂ領域、Ｃ領域、およびＤ領域での反射光を検
出する。また、領域Ｅ１０２０Ｅ、および領域Ｆ１０２
０Ｆは、レーザ光ＬＢのＡ領域、Ｂ領域、Ｃ領域、およ
びＤ領域の全体で反射されたレーザ光を、光ピックアッ
プ１０２のウォラストンプリズム（図示せず）によって
偏光面の異なる２つの方向に回折されたレーザ光を検出
する。
域Ｃ１０２０Ｃ、および領域Ｄ１０２０Ｄは、それぞ
れ、光磁気ディスク１００に照射されたレーザ光ＬＢの
Ａ領域、Ｂ領域、Ｃ領域、およびＤ領域での反射光を検
出する。また、領域Ｅ１０２０Ｅ、および領域Ｆ１０２
０Ｆは、レーザ光ＬＢのＡ領域、Ｂ領域、Ｃ領域、およ
びＤ領域の全体で反射されたレーザ光を、光ピックアッ
プ１０２のウォラストンプリズム（図示せず）によって
偏光面の異なる２つの方向に回折されたレーザ光を検出
する。
【００８３】ユーザデータ領域である領域２０に記録さ
れた光磁気信号の再生信号ＲＦは、光検出器１０２０の
領域Ｅ１０２０Ｅで検出されたレーザ光強度［Ｅ］と領
域Ｆ１０２０Ｆで検出されたレーザ光強度［Ｆ］との差
を演算することによって検出される。すなわち、回路４
０の差分器４００は、領域Ｅ１０２０Ｅで検出されたレ
ーザ光強度［Ｅ］と領域Ｆ１０２０Ｆで検出されたレー
ザ光強度［Ｆ］との差分を演算し、再生信号ＲＦ＝
［Ｅ］−［Ｆ］を出力する。
れた光磁気信号の再生信号ＲＦは、光検出器１０２０の
領域Ｅ１０２０Ｅで検出されたレーザ光強度［Ｅ］と領
域Ｆ１０２０Ｆで検出されたレーザ光強度［Ｆ］との差
を演算することによって検出される。すなわち、回路４
０の差分器４００は、領域Ｅ１０２０Ｅで検出されたレ
ーザ光強度［Ｅ］と領域Ｆ１０２０Ｆで検出されたレー
ザ光強度［Ｆ］との差分を演算し、再生信号ＲＦ＝
［Ｅ］−［Ｆ］を出力する。
【００８４】プリフォーマット領域を構成する領域１０
のウォブル４〜７によって記録されたアドレス情報ＡＤ
の再生信号は、ラジアルプッシュプル法によって検出さ
れ、領域Ａ１０２０Ａで検出されたレーザ光強度［Ａ］
と領域Ｂ１０２０Ｂで検出されたレーザ光強度［Ｂ］と
の和から領域Ｃ１０２０Ｃで検出されたレーザ光強度
［Ｃ］と領域Ｄ１０２０Ｄで検出されたレーザ光強度
［Ｄ］との和を減じたものとして検出される。すなわ
ち、アドレス情報ＡＤは、回路５０を構成する加算器５
００，５０１と減算器５０２とによって検出される。加
算器５００は、領域Ａ１０２０Ａで検出されたレーザ光
強度［Ａ］と領域Ｂ１０２０Ｂで検出されたレーザ光強
度［Ｂ］とを加算した［Ａ＋Ｂ］を出力する。加算器５
０１は、領域Ｃ１０２０Ｃで検出されたレーザ光強度
［Ｃ］と領域Ｄ１０２０Ｄで検出されたレーザ光強度
［Ｄ］とを加算した［Ｃ＋Ｄ］を出力する。そして、減
算器５０２は、加算器５００の出力［Ａ＋Ｂ］から加算
器５０１の出力［Ｃ＋Ｄ］を減算してアドレス情報の再
生信号ＡＤ＝［Ａ＋Ｂ］−［Ｃ＋Ｄ］を出力する。
のウォブル４〜７によって記録されたアドレス情報ＡＤ
の再生信号は、ラジアルプッシュプル法によって検出さ
れ、領域Ａ１０２０Ａで検出されたレーザ光強度［Ａ］
と領域Ｂ１０２０Ｂで検出されたレーザ光強度［Ｂ］と
の和から領域Ｃ１０２０Ｃで検出されたレーザ光強度
［Ｃ］と領域Ｄ１０２０Ｄで検出されたレーザ光強度
［Ｄ］との和を減じたものとして検出される。すなわ
ち、アドレス情報ＡＤは、回路５０を構成する加算器５
００，５０１と減算器５０２とによって検出される。加
算器５００は、領域Ａ１０２０Ａで検出されたレーザ光
強度［Ａ］と領域Ｂ１０２０Ｂで検出されたレーザ光強
度［Ｂ］とを加算した［Ａ＋Ｂ］を出力する。加算器５
０１は、領域Ｃ１０２０Ｃで検出されたレーザ光強度
［Ｃ］と領域Ｄ１０２０Ｄで検出されたレーザ光強度
［Ｄ］とを加算した［Ｃ＋Ｄ］を出力する。そして、減
算器５０２は、加算器５００の出力［Ａ＋Ｂ］から加算
器５０１の出力［Ｃ＋Ｄ］を減算してアドレス情報の再
生信号ＡＤ＝［Ａ＋Ｂ］−［Ｃ＋Ｄ］を出力する。
【００８５】また、プリフォーマット領域を構成する領
域３０のファインクロックマーク３Ａ，３Ｂは、タンジ
ェンシャルプッシュプル法により検出され、領域Ａ１０
２０Ａで検出されたレーザ光強度［Ａ］と領域Ｄ１０２
０Ｄで検出されたレーザ光強度［Ｄ］との和から領域Ｂ
１０２０Ｂで検出されたレーザ光強度［Ｂ］と領域Ｃ１
０２０Ｃで検出されたレーザ光強度［Ｃ］との和を減じ
たものとして検出される。すなわち、ファインクロック
マーク３Ａ，３Ｂは、回路５０を構成する加算器５０
３，５０４と減算器５０５とによって検出される。加算
器５０３は、領域Ａ１０２０Ａで検出されたレーザ光強
度［Ａ］と領域Ｄ１０２０Ｄで検出されたレーザ光強度
［Ｄ］とを加算した［Ａ＋Ｄ］を出力する。加算器５０
４は、領域Ｂ１０２０Ｂで検出されたレーザ光強度
［Ｂ］と領域Ｃ１０２０Ｃで検出されたレーザ光強度
［Ｃ］とを加算した［Ｂ＋Ｃ］を出力する。そして、減
算器５０５は、加算器５０３の出力［Ａ＋Ｄ］から加算
器５０４の出力［Ｂ＋Ｃ］を減算してファインクロック
マークの再生信号ＦＣＭ＝［Ａ＋Ｄ］−［Ｂ＋Ｃ］を出
力する。
域３０のファインクロックマーク３Ａ，３Ｂは、タンジ
ェンシャルプッシュプル法により検出され、領域Ａ１０
２０Ａで検出されたレーザ光強度［Ａ］と領域Ｄ１０２
０Ｄで検出されたレーザ光強度［Ｄ］との和から領域Ｂ
１０２０Ｂで検出されたレーザ光強度［Ｂ］と領域Ｃ１
０２０Ｃで検出されたレーザ光強度［Ｃ］との和を減じ
たものとして検出される。すなわち、ファインクロック
マーク３Ａ，３Ｂは、回路５０を構成する加算器５０
３，５０４と減算器５０５とによって検出される。加算
器５０３は、領域Ａ１０２０Ａで検出されたレーザ光強
度［Ａ］と領域Ｄ１０２０Ｄで検出されたレーザ光強度
［Ｄ］とを加算した［Ａ＋Ｄ］を出力する。加算器５０
４は、領域Ｂ１０２０Ｂで検出されたレーザ光強度
［Ｂ］と領域Ｃ１０２０Ｃで検出されたレーザ光強度
［Ｃ］とを加算した［Ｂ＋Ｃ］を出力する。そして、減
算器５０５は、加算器５０３の出力［Ａ＋Ｄ］から加算
器５０４の出力［Ｂ＋Ｃ］を減算してファインクロック
マークの再生信号ＦＣＭ＝［Ａ＋Ｄ］−［Ｂ＋Ｃ］を出
力する。
【００８６】図８を参照して、図６に示す光磁気ディス
ク装置２００を構成するＰＬＬ回路１０４の構成を説明
する。ＰＬＬ回路１０４は、位相比較回路１０４１と、
ＬＰＦ１０４２と、電圧制御発振器（ＶＣＯ）１０４３
と、１／５３２分周器１０４４とを備える。１／５３２
分周器１０４４は、電圧制御発振器（ＶＣＯ）１０４３
から出力される基準クロックＣＬＫを１／５３２に分周
する。位相比較器１０４１は、１／５３２分周器１０４
４により分周されたクロックＣＫ１の位相をファインク
ロックマーク検出信号ＦＣＭＴの位相と比較し、その位
相差に応じた誤差電圧を発生する。したがって、このＰ
ＬＬ回路１０４は、ファインクロックマーク検出信号Ｆ
ＣＭＴに同期し、かつ、ファインクロックマーク検出信
号ＦＣＭＴの１／５３２の周期を有する基準クロックＣ
ＬＫを生成する。
ク装置２００を構成するＰＬＬ回路１０４の構成を説明
する。ＰＬＬ回路１０４は、位相比較回路１０４１と、
ＬＰＦ１０４２と、電圧制御発振器（ＶＣＯ）１０４３
と、１／５３２分周器１０４４とを備える。１／５３２
分周器１０４４は、電圧制御発振器（ＶＣＯ）１０４３
から出力される基準クロックＣＬＫを１／５３２に分周
する。位相比較器１０４１は、１／５３２分周器１０４
４により分周されたクロックＣＫ１の位相をファインク
ロックマーク検出信号ＦＣＭＴの位相と比較し、その位
相差に応じた誤差電圧を発生する。したがって、このＰ
ＬＬ回路１０４は、ファインクロックマーク検出信号Ｆ
ＣＭＴに同期し、かつ、ファインクロックマーク検出信
号ＦＣＭＴの１／５３２の周期を有する基準クロックＣ
ＬＫを生成する。
【００８７】図９を参照して、ファインクロックマーク
３Ａ，３Ｂの検出、および基準クロックＣＬＫの生成に
ついて説明する。光ピックアップ１０２の光検出部１０
２０は、上記図７を参照して説明したようにタンジェン
シャルプッシュプル法によりファインクロックマーク信
号３Ａ，３Ｂを検出し、その検出したファインクロック
マーク信号ＦＣＭをＦＣＭ検出回路１０３へ出力する。
ＦＣＭ検出回路１０３は、入力されたファインクロック
マーク信号ＦＣＭに基づいてファインクロックマーク検
出信号ＦＣＭＴを生成する。すなわち、ＦＣＭ検出回路
１０３においては、ファインクロックマーク信号ＦＣＭ
は、所定のレベルでコンパレートされ、信号ＦＣＭＣに
変換される。そして、信号ＦＣＭＣは信号／ＦＣＭＣに
反転される。その後、ファインクロックマーク信号ＦＣ
Ｍの極性が切替わる点Ｐの位置に立ち上がりエッジが同
期し、かつ、６ＤＣＢの振幅幅を有する検出窓信号ＤＥ
ＷＩＮが生成され、信号／ＦＣＭＣと検出窓信号ＤＥＷ
ＩＮとの論理積が演算されて信号ＦＣＭＰが生成され
る。そうすると、信号ＦＣＭＰの立ち上がりに同期した
１ＤＣＢの振幅幅を有するファインクロックマーク検出
信号ＦＣＭＴを生成する。
３Ａ，３Ｂの検出、および基準クロックＣＬＫの生成に
ついて説明する。光ピックアップ１０２の光検出部１０
２０は、上記図７を参照して説明したようにタンジェン
シャルプッシュプル法によりファインクロックマーク信
号３Ａ，３Ｂを検出し、その検出したファインクロック
マーク信号ＦＣＭをＦＣＭ検出回路１０３へ出力する。
ＦＣＭ検出回路１０３は、入力されたファインクロック
マーク信号ＦＣＭに基づいてファインクロックマーク検
出信号ＦＣＭＴを生成する。すなわち、ＦＣＭ検出回路
１０３においては、ファインクロックマーク信号ＦＣＭ
は、所定のレベルでコンパレートされ、信号ＦＣＭＣに
変換される。そして、信号ＦＣＭＣは信号／ＦＣＭＣに
反転される。その後、ファインクロックマーク信号ＦＣ
Ｍの極性が切替わる点Ｐの位置に立ち上がりエッジが同
期し、かつ、６ＤＣＢの振幅幅を有する検出窓信号ＤＥ
ＷＩＮが生成され、信号／ＦＣＭＣと検出窓信号ＤＥＷ
ＩＮとの論理積が演算されて信号ＦＣＭＰが生成され
る。そうすると、信号ＦＣＭＰの立ち上がりに同期した
１ＤＣＢの振幅幅を有するファインクロックマーク検出
信号ＦＣＭＴを生成する。
【００８８】なお、図９のファインクロックマーク信号
ＦＣＭは、レーザ光が光磁気ディスク１００のグルーブ
１を走行する場合に検出されるファインクロックマーク
信号について説明した。レーザ光がランド２を走行する
場合に検出されるファインクロックマーク信号は、その
極性が変わるだけであり、点Ｐの位置は変化しない。し
たがって、レーザ光がランド２を走行する場合も、同様
に信号ＦＣＭＰおよびファインクロックマーク検出信号
ＦＣＭＴを生成できる。
ＦＣＭは、レーザ光が光磁気ディスク１００のグルーブ
１を走行する場合に検出されるファインクロックマーク
信号について説明した。レーザ光がランド２を走行する
場合に検出されるファインクロックマーク信号は、その
極性が変わるだけであり、点Ｐの位置は変化しない。し
たがって、レーザ光がランド２を走行する場合も、同様
に信号ＦＣＭＰおよびファインクロックマーク検出信号
ＦＣＭＴを生成できる。
【００８９】ＦＣＭ検出回路１０３は、検出したファイ
ンクロックマーク検出信号ＦＣＭＴをＰＬＬ回路１０４
へ出力する。ＰＬＬ回路１０４は、上記図８を参照して
説明したようにファインクロックマーク検出信号ＦＣＭ
Ｔに同期し、かつ、ファインクロックマーク検出信号Ｆ
ＣＭＴを１／５３２に分周した基準クロックＣＬＫを生
成する。
ンクロックマーク検出信号ＦＣＭＴをＰＬＬ回路１０４
へ出力する。ＰＬＬ回路１０４は、上記図８を参照して
説明したようにファインクロックマーク検出信号ＦＣＭ
Ｔに同期し、かつ、ファインクロックマーク検出信号Ｆ
ＣＭＴを１／５３２に分周した基準クロックＣＬＫを生
成する。
【００９０】図１０を参照して、アドレス検出回路１０
５におけるアドレス情報の検出と、アドレス検出信号の
生成とについて説明する。光ピックアップ１０２は、上
記図７を参照して説明したように、ラジアルプッシュプ
ル法によりウォブルで記録されたアドレス信号ＡＤＡを
検出し、アドレス信号ＡＤＡはアドレス検出回路１０５
へ入力される。アドレス検出回路１０５は、アドレス信
号ＡＤＡを２値化した２値化信号ＡＤＤを生成し、２値
化信号ＡＤＤに基づいてアドレス情報ＡＤを検出する。
それとともに、アドレス検出回路１０５は、２値化信号
ＡＤＤとアドレス情報ＡＤとに基づいて、アドレス信号
の最終位置Ｆを示すアドレス検出信号ＡＤＦを遅延回路
１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期して生成す
る。このアドレス検出信号ＡＤＦは、アドレス情報の最
終位置Ｆを含むような一定の長さＴが決定されて生成さ
れる。すなわち、２値化信号ＡＤＤの最初の位置に同期
する再生クロックＣＬＫＳの成分からアドレス信号の最
終位置Ｆに同期する再生クロックＣＬＫＳの成分までを
カウントする。そして、最終位置Ｆにおけるカウント値
をＫとし、カウント値Ｋを中心にして前後にｍカウント
分だけずれたカウント値Ｋ−ｍとカウント値Ｋ＋ｍとの
間に一定の長さＴを有するパルス成分が発生するように
アドレス検出信号ＡＤＦを生成する。
５におけるアドレス情報の検出と、アドレス検出信号の
生成とについて説明する。光ピックアップ１０２は、上
記図７を参照して説明したように、ラジアルプッシュプ
ル法によりウォブルで記録されたアドレス信号ＡＤＡを
検出し、アドレス信号ＡＤＡはアドレス検出回路１０５
へ入力される。アドレス検出回路１０５は、アドレス信
号ＡＤＡを２値化した２値化信号ＡＤＤを生成し、２値
化信号ＡＤＤに基づいてアドレス情報ＡＤを検出する。
それとともに、アドレス検出回路１０５は、２値化信号
ＡＤＤとアドレス情報ＡＤとに基づいて、アドレス信号
の最終位置Ｆを示すアドレス検出信号ＡＤＦを遅延回路
１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期して生成す
る。このアドレス検出信号ＡＤＦは、アドレス情報の最
終位置Ｆを含むような一定の長さＴが決定されて生成さ
れる。すなわち、２値化信号ＡＤＤの最初の位置に同期
する再生クロックＣＬＫＳの成分からアドレス信号の最
終位置Ｆに同期する再生クロックＣＬＫＳの成分までを
カウントする。そして、最終位置Ｆにおけるカウント値
をＫとし、カウント値Ｋを中心にして前後にｍカウント
分だけずれたカウント値Ｋ−ｍとカウント値Ｋ＋ｍとの
間に一定の長さＴを有するパルス成分が発生するように
アドレス検出信号ＡＤＦを生成する。
【００９１】図１１を参照して、タイミング発生回路１
１５におけるタイミング信号ＳＳの生成について説明す
る。アドレス検出回路１０５からアドレス検出信号ＡＤ
Ｆが入力され、ＦＣＭ検出回路１０３からファインクロ
ックマーク検出信号ＦＣＭＴが入力され、ＰＬＬ回路１
０４から基準クロックＣＬＫが入力されると、タイミン
グ発生回路１１５は、いずれのファインクロックマーク
検出信号ＦＣＭＴのタイミングでアドレス検出信号ＡＤ
Ｆが存在するか否かを判別し、アドレス検出信号ＡＤＦ
が存在したファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴの
成分ＦＣＭＴ１と、成分ＦＣＭＴ１の前に存在する成分
ＦＣＭＴ２とを含むような成分ＳＳ１と、ファインクロ
ックマーク検出信号ＦＣＭＴの成分ＦＣＭＴ３，ＦＣＭ
Ｔ４のみを含むような成分ＳＳ２，ＳＳ３とから成るタ
イミング信号ＳＳを基準クロックＣＬＫに同期して生成
する。この場合、ファインクロックマーク検出信号ＦＣ
ＭＴの成分ＦＣＭＴ１，ＦＣＭＴ２，ＦＣＭＴ３，ＦＣ
ＭＴ４の各々は、ファインクロックマーク３Ａ，３Ｂの
中心位置に同期しており、ファインクロックマーク３
Ａ，３Ｂの長さは１２ＤＣＢと予め決定されているの
で、タイミング発生回路１１５は、ウォブル４，５が形
成された領域と、その領域の両側に存在するファインク
ロックマーク３Ａ，３Ａ（または３Ｂ，３Ｂ）の領域と
を包含するように成分ＳＳ１を生成し、ファインクロッ
クマーク検出信号ＦＣＭＴの成分ＦＣＭＴ３，ＦＣＭＴ
４に対応するファインクロックマーク３Ａ，３Ａ（また
は３Ｂ，３Ｂ）の領域を包含するように成分ＳＳ２，Ｓ
Ｓ３を生成し、ユーザデータを記録する領域２０，２
０，２０に対応するように成分ＳＳ４，ＳＳ５，ＳＳ６
を生成する。
１５におけるタイミング信号ＳＳの生成について説明す
る。アドレス検出回路１０５からアドレス検出信号ＡＤ
Ｆが入力され、ＦＣＭ検出回路１０３からファインクロ
ックマーク検出信号ＦＣＭＴが入力され、ＰＬＬ回路１
０４から基準クロックＣＬＫが入力されると、タイミン
グ発生回路１１５は、いずれのファインクロックマーク
検出信号ＦＣＭＴのタイミングでアドレス検出信号ＡＤ
Ｆが存在するか否かを判別し、アドレス検出信号ＡＤＦ
が存在したファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴの
成分ＦＣＭＴ１と、成分ＦＣＭＴ１の前に存在する成分
ＦＣＭＴ２とを含むような成分ＳＳ１と、ファインクロ
ックマーク検出信号ＦＣＭＴの成分ＦＣＭＴ３，ＦＣＭ
Ｔ４のみを含むような成分ＳＳ２，ＳＳ３とから成るタ
イミング信号ＳＳを基準クロックＣＬＫに同期して生成
する。この場合、ファインクロックマーク検出信号ＦＣ
ＭＴの成分ＦＣＭＴ１，ＦＣＭＴ２，ＦＣＭＴ３，ＦＣ
ＭＴ４の各々は、ファインクロックマーク３Ａ，３Ｂの
中心位置に同期しており、ファインクロックマーク３
Ａ，３Ｂの長さは１２ＤＣＢと予め決定されているの
で、タイミング発生回路１１５は、ウォブル４，５が形
成された領域と、その領域の両側に存在するファインク
ロックマーク３Ａ，３Ａ（または３Ｂ，３Ｂ）の領域と
を包含するように成分ＳＳ１を生成し、ファインクロッ
クマーク検出信号ＦＣＭＴの成分ＦＣＭＴ３，ＦＣＭＴ
４に対応するファインクロックマーク３Ａ，３Ａ（また
は３Ｂ，３Ｂ）の領域を包含するように成分ＳＳ２，Ｓ
Ｓ３を生成し、ユーザデータを記録する領域２０，２
０，２０に対応するように成分ＳＳ４，ＳＳ５，ＳＳ６
を生成する。
【００９２】図１２を参照して、図６に示すフォーマッ
ト回路１２６を構成するセレクタ回路１２０の動作につ
いて説明する。タイミング発生回路１１５からタイミン
グ信号ＳＳがセレクタ回路１２０に入力されると、セレ
クタ回路１２０は、タイミング信号ＳＳに基づいてデー
タ変調回路１１７からの記録データと、パターン発生回
路１１９からのパターンデータとを選択する。セレクタ
回路１２０は、タイミング信号ＳＳがＨ（論理ハイ）レ
ベルのときパターン発生回路１１９からのパターンデー
タを選択し、タイミング信号ＳＳがＬ（論理ロー）レベ
ルのときデータ変調回路１１７からの記録データを選択
する。
ト回路１２６を構成するセレクタ回路１２０の動作につ
いて説明する。タイミング発生回路１１５からタイミン
グ信号ＳＳがセレクタ回路１２０に入力されると、セレ
クタ回路１２０は、タイミング信号ＳＳに基づいてデー
タ変調回路１１７からの記録データと、パターン発生回
路１１９からのパターンデータとを選択する。セレクタ
回路１２０は、タイミング信号ＳＳがＨ（論理ハイ）レ
ベルのときパターン発生回路１１９からのパターンデー
タを選択し、タイミング信号ＳＳがＬ（論理ロー）レベ
ルのときデータ変調回路１１７からの記録データを選択
する。
【００９３】光磁気ディスク１００上でのデータ構成Ｄ
ＦがＦＣＭ／ａｄｄｒｅｓｓ／ＦＣＭ／Ｐｒｅ−Ｗｒｉ
ｔｅ／Ｈｅａｄｅｒ／Ｄａｔａ／Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ
／ＦＣＭ／Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ／Ｄａｔａ／Ｐｏｓｔ−
Ｗｒｉｔｅである場合にデータ変調回路１１７から記録
データＷＤが出力され、パターン発生回路１１９からパ
ターンデータＫＤが出力されると、セレクタ回路１２０
は、タイミング信号ＳＳの成分ＳＳ１に基づいて、パタ
ーン発生回路１１９からのパターンデータ「１１１１０
０００１１１１００００」を選択して磁気ヘッド駆動回
路１２３へ出力する。続いて、セレクタ回路１２０は、
成分ＳＳ４に基づいて、データ変調回路１１７からの記
録データのうち４ｂｉｔｓのＰｒｅ−Ｗｒｉｔｅ、３２
０ｂｉｔｓのＨｅａｄｅｒ、１９２ｂｉｔｓのＤａｔ
ａ、４ｂｉｔｓのＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅを選択して磁気
ヘッド駆動回路１２３へ出力する。さらに、続いて、セ
レクタ回路１２０は、成分ＳＳ２に基づいて、パターン
発生回路１１９からのデータパターン「１１００」を選
択して磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。またさら
に、続いて、セレクタ回路１２０は、成分ＳＳ５に基づ
いて、データ変調回路１１７からの記録データＷＤのう
ち、４ｂｉｔｓのＰｒｅ−Ｗｒｉｔｅ、５１２ｂｉｔｓ
のＤａｔａ、４ｂｉｔｓのＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅを選択
して磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。これによ
り、磁気ヘッド駆動回路１２３へ記録データ列ＫＷＤが
出力される。
ＦがＦＣＭ／ａｄｄｒｅｓｓ／ＦＣＭ／Ｐｒｅ−Ｗｒｉ
ｔｅ／Ｈｅａｄｅｒ／Ｄａｔａ／Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ
／ＦＣＭ／Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ／Ｄａｔａ／Ｐｏｓｔ−
Ｗｒｉｔｅである場合にデータ変調回路１１７から記録
データＷＤが出力され、パターン発生回路１１９からパ
ターンデータＫＤが出力されると、セレクタ回路１２０
は、タイミング信号ＳＳの成分ＳＳ１に基づいて、パタ
ーン発生回路１１９からのパターンデータ「１１１１０
０００１１１１００００」を選択して磁気ヘッド駆動回
路１２３へ出力する。続いて、セレクタ回路１２０は、
成分ＳＳ４に基づいて、データ変調回路１１７からの記
録データのうち４ｂｉｔｓのＰｒｅ−Ｗｒｉｔｅ、３２
０ｂｉｔｓのＨｅａｄｅｒ、１９２ｂｉｔｓのＤａｔ
ａ、４ｂｉｔｓのＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅを選択して磁気
ヘッド駆動回路１２３へ出力する。さらに、続いて、セ
レクタ回路１２０は、成分ＳＳ２に基づいて、パターン
発生回路１１９からのデータパターン「１１００」を選
択して磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。またさら
に、続いて、セレクタ回路１２０は、成分ＳＳ５に基づ
いて、データ変調回路１１７からの記録データＷＤのう
ち、４ｂｉｔｓのＰｒｅ−Ｗｒｉｔｅ、５１２ｂｉｔｓ
のＤａｔａ、４ｂｉｔｓのＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅを選択
して磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。これによ
り、磁気ヘッド駆動回路１２３へ記録データ列ＫＷＤが
出力される。
【００９４】図１２から明らかなように、記録データ列
ＫＷＤを磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力することによ
り、光磁気ディスク１００上のＦＣＭ／ａｄｄｒｅｓｓ
／ＦＣＭが形成された領域１０に光磁気信号「１１１１
００００１１１１００００」が記録され、ＦＣＭが形成
された領域３０に光磁気信号「１１００」が記録され
る。これによって、光磁気ディスク１００上のデータ構
成ＤＦの全ての領域に光磁気信号を記録することがで
き、ユーザデータ領域である領域２０からデータを再生
した場合に、直流成分が抑制され、正確に信号再生を行
なうことができる。
ＫＷＤを磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力することによ
り、光磁気ディスク１００上のＦＣＭ／ａｄｄｒｅｓｓ
／ＦＣＭが形成された領域１０に光磁気信号「１１１１
００００１１１１００００」が記録され、ＦＣＭが形成
された領域３０に光磁気信号「１１００」が記録され
る。これによって、光磁気ディスク１００上のデータ構
成ＤＦの全ての領域に光磁気信号を記録することがで
き、ユーザデータ領域である領域２０からデータを再生
した場合に、直流成分が抑制され、正確に信号再生を行
なうことができる。
【００９５】プリフォーマット領域を構成する領域１
０，３０に記録するパターンデータは、上述したパター
ンデータに限らず、一般に所定長さを有する論理レベル
が交互に反対のパターンデータであれば良く、「１０１
０１０１０…」や、「１１００１１００１１００…」
や、「１１１０００１１１０００…」等であっても良
い。また、所定長さを有する論理レベルが交互に反対の
パターンデータでなくても「１００００１００００１０
０００…」のように所定の間隔で「１」が記録されるよ
うなパターンデータであっても良い。この場合、一般的
には、「１」と「１」との間隔は、ユーザデータの変調
を行なうディジタル変調方式における最大の信号長より
短く設定されたものであれば良い。ファインクロックマ
ーク領域ＦＣＭの長さが１２ＤＣＢの場合、「１」と
「１」との間隔は１１ＤＣＢ以下であれば良い。また、
論理レベルが反転した場合も同様であり、さらに、周期
性を有するパターンであればいずれの位相から開始して
も良い。
０，３０に記録するパターンデータは、上述したパター
ンデータに限らず、一般に所定長さを有する論理レベル
が交互に反対のパターンデータであれば良く、「１０１
０１０１０…」や、「１１００１１００１１００…」
や、「１１１０００１１１０００…」等であっても良
い。また、所定長さを有する論理レベルが交互に反対の
パターンデータでなくても「１００００１００００１０
０００…」のように所定の間隔で「１」が記録されるよ
うなパターンデータであっても良い。この場合、一般的
には、「１」と「１」との間隔は、ユーザデータの変調
を行なうディジタル変調方式における最大の信号長より
短く設定されたものであれば良い。ファインクロックマ
ーク領域ＦＣＭの長さが１２ＤＣＢの場合、「１」と
「１」との間隔は１１ＤＣＢ以下であれば良い。また、
論理レベルが反転した場合も同様であり、さらに、周期
性を有するパターンであればいずれの位相から開始して
も良い。
【００９６】光磁気ディスク１００には、欠損によりユ
ーザデータを記録することができないディフェクトエリ
アが存在することがあり、その場合、図３に示すコント
ローラ１１４は、アドレス検出回路１０５が検出したア
ドレス情報ＡＤと、ＤＭＡ（Ｄｅｆｅｃｔ Ｍａｎａｇ
ｅｍｅｎｔ Ａｒｅａ）に予め記録されているディフェ
クトフレームのアドレス情報とにより、ディフェクトフ
レームを特定する。そして、ディフェクトフレームの検
出信号を出力する。コントローラ１１４はディフェクト
フレームの検出信号をタイミング発生回路１１５へ出力
し、タイミング発生回路１１５は、ディフェクトフレー
ムに記録するデータとしてパターン発生回路１１９から
のデータパターンを選択するようにタイミング信号ＳＳ
を生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。これによ
り、セレクタ回路１２０は、ディフェクトフレームに記
録するデータをパターン発生回路１１９から選択し、磁
気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。したがって、ディ
フェクトフレームがある場合にも、そのディフェクトフ
レームに光磁気信号が記録されるので、ディフェクトエ
リアに続くユーザデータ領域からデータを再生した場合
にも直流成分が重畳されることがなく、正確な信号再生
が可能である。
ーザデータを記録することができないディフェクトエリ
アが存在することがあり、その場合、図３に示すコント
ローラ１１４は、アドレス検出回路１０５が検出したア
ドレス情報ＡＤと、ＤＭＡ（Ｄｅｆｅｃｔ Ｍａｎａｇ
ｅｍｅｎｔ Ａｒｅａ）に予め記録されているディフェ
クトフレームのアドレス情報とにより、ディフェクトフ
レームを特定する。そして、ディフェクトフレームの検
出信号を出力する。コントローラ１１４はディフェクト
フレームの検出信号をタイミング発生回路１１５へ出力
し、タイミング発生回路１１５は、ディフェクトフレー
ムに記録するデータとしてパターン発生回路１１９から
のデータパターンを選択するようにタイミング信号ＳＳ
を生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。これによ
り、セレクタ回路１２０は、ディフェクトフレームに記
録するデータをパターン発生回路１１９から選択し、磁
気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。したがって、ディ
フェクトフレームがある場合にも、そのディフェクトフ
レームに光磁気信号が記録されるので、ディフェクトエ
リアに続くユーザデータ領域からデータを再生した場合
にも直流成分が重畳されることがなく、正確な信号再生
が可能である。
【００９７】図１３を参照して、フォーマット回路１２
６を構成するパターン発生回路１１９およびセレクタ回
路１２０と、タイミング発生回路１１５とについて詳細
に説明する。
６を構成するパターン発生回路１１９およびセレクタ回
路１２０と、タイミング発生回路１１５とについて詳細
に説明する。
【００９８】タイミング発生回路１１５は、５３２計上
カウンタ１１５０と、一致回路１１５１と、３９計上カ
ウンタ１１５２と、カウンタ値比較回路群１１５３とか
ら成る。５３２計上カウンタ１１５０は、ＦＣＭ検出回
路１０３からのファインクロックマーク検出信号ＦＣＭ
Ｔが入力されるとリセットされ、ＰＬＬ回路１０４から
入力された基準クロックＣＬＫをカウントし、そのカウ
ント値を一致回路１１５１およびカウント値比較回路群
１１５３へ出力する。一致回路１１５１は、５３２計上
カウンタ１１５０から入力されるカウント値の最大カウ
ント値が５３１に一致するか否かを判別し、一致すると
き一致信号ＭＴＣを３９計上カウンタ１１５２へ出力す
る。３９計上カウンタ１１５２は、アドレス検出回路１
０５から入力されるアドレス検出信号ＡＤＦによってリ
セットされ、一致信号ＭＴＣをカウントし、そのカウン
ト値をカウンタ値比較回路群１１５３へ出力する。
カウンタ１１５０と、一致回路１１５１と、３９計上カ
ウンタ１１５２と、カウンタ値比較回路群１１５３とか
ら成る。５３２計上カウンタ１１５０は、ＦＣＭ検出回
路１０３からのファインクロックマーク検出信号ＦＣＭ
Ｔが入力されるとリセットされ、ＰＬＬ回路１０４から
入力された基準クロックＣＬＫをカウントし、そのカウ
ント値を一致回路１１５１およびカウント値比較回路群
１１５３へ出力する。一致回路１１５１は、５３２計上
カウンタ１１５０から入力されるカウント値の最大カウ
ント値が５３１に一致するか否かを判別し、一致すると
き一致信号ＭＴＣを３９計上カウンタ１１５２へ出力す
る。３９計上カウンタ１１５２は、アドレス検出回路１
０５から入力されるアドレス検出信号ＡＤＦによってリ
セットされ、一致信号ＭＴＣをカウントし、そのカウン
ト値をカウンタ値比較回路群１１５３へ出力する。
【００９９】カウンタ値比較回路群１１５３は、３９計
上カウンタ１１５２から入力されたカウント値に基づい
て光磁気ディスク１００のセグメントＳ０〜Ｓ３８を特
定し、５３２計上カウンタ１１５０から入力されたカウ
ント値に基づいてセグメントＳ０〜Ｓ３８の各々におけ
るファインクロックマーク、Ａｄｄｒｅｓｓ、Ｐｒｅ−
Ｗｒｉｔｅ、Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ、Ｈｅａｄｅｒ、お
よびＤａｔａ等の位置を特定する。そして、カウンタ値
比較回路群１１５３は、特定したファインクロックマー
クの位置に基づいて、ファインクロックマークタイミン
グ信号ＴＳＦＣＭ１〜３をパターン発生回路１１９のＦ
ＣＭパターン発生回路１１９０およびセレクタ回路１２
０へ出力する。また、カウンタ値比較回路群１１５３
は、特定したＨｅａｄｅｒの位置に基づいて、ヘッダタ
イミング信号ＴＳＨＥＤをパターン発生回路１１９のＨ
ｅａｄｅｒパターン発生回路１１９１およびセレクタ回
路１２０へ出力する。さらに、カウンタ値比較回路群１
１５３は、特定したＡｄｄｒｅｓｓの位置に基づいて、
アドレスタイミング信号ＴＳＡＤをパターン発生回路１
１９のアドレスパターン発生回路１１９２およびセレク
タ回路１２０へ出力する。またさらに、カウンタ値比較
回路群１１５３は、特定したＰｒｅ−Ｗｒｉｔｅの位置
に基づいて、プリライトタイミング信号ＴＳＰＲＷ１，
２をパターン発生回路１１９のＰｒｅ−Ｗｒｉｔｅパタ
ーン発生回路１１９３およびセレクタ回路１２０へ出力
する。またさらに、カウンタ値比較回路群１１５３は、
特定したＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅの位置に基づいて、ポス
トライトタイミング信号ＴＳＰＯＷ１，２をパターン発
生回路１１９のＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路
１１９４およびセレクタ回路１２０へ出力する。またさ
らに、カウンタ値比較回路群１１５３は、特定したデー
タの位置に基づいて、データタイミング信号ＴＳＤＡ
１，２をフォーマット回路１１８およびセレクタ回路１
２０へ出力する。またさらに、カウンタ値比較回路群１
１５３は、アドレス検出回路１０５からディフェクトフ
レーム検出信号が入力されると、固定タイミング信号Ｔ
ＳＨＬＤを固定パターン発生回路１１９の固定パターン
発生回路１１９５およびセレクタ回路１２０へ出力す
る。
上カウンタ１１５２から入力されたカウント値に基づい
て光磁気ディスク１００のセグメントＳ０〜Ｓ３８を特
定し、５３２計上カウンタ１１５０から入力されたカウ
ント値に基づいてセグメントＳ０〜Ｓ３８の各々におけ
るファインクロックマーク、Ａｄｄｒｅｓｓ、Ｐｒｅ−
Ｗｒｉｔｅ、Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ、Ｈｅａｄｅｒ、お
よびＤａｔａ等の位置を特定する。そして、カウンタ値
比較回路群１１５３は、特定したファインクロックマー
クの位置に基づいて、ファインクロックマークタイミン
グ信号ＴＳＦＣＭ１〜３をパターン発生回路１１９のＦ
ＣＭパターン発生回路１１９０およびセレクタ回路１２
０へ出力する。また、カウンタ値比較回路群１１５３
は、特定したＨｅａｄｅｒの位置に基づいて、ヘッダタ
イミング信号ＴＳＨＥＤをパターン発生回路１１９のＨ
ｅａｄｅｒパターン発生回路１１９１およびセレクタ回
路１２０へ出力する。さらに、カウンタ値比較回路群１
１５３は、特定したＡｄｄｒｅｓｓの位置に基づいて、
アドレスタイミング信号ＴＳＡＤをパターン発生回路１
１９のアドレスパターン発生回路１１９２およびセレク
タ回路１２０へ出力する。またさらに、カウンタ値比較
回路群１１５３は、特定したＰｒｅ−Ｗｒｉｔｅの位置
に基づいて、プリライトタイミング信号ＴＳＰＲＷ１，
２をパターン発生回路１１９のＰｒｅ−Ｗｒｉｔｅパタ
ーン発生回路１１９３およびセレクタ回路１２０へ出力
する。またさらに、カウンタ値比較回路群１１５３は、
特定したＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅの位置に基づいて、ポス
トライトタイミング信号ＴＳＰＯＷ１，２をパターン発
生回路１１９のＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路
１１９４およびセレクタ回路１２０へ出力する。またさ
らに、カウンタ値比較回路群１１５３は、特定したデー
タの位置に基づいて、データタイミング信号ＴＳＤＡ
１，２をフォーマット回路１１８およびセレクタ回路１
２０へ出力する。またさらに、カウンタ値比較回路群１
１５３は、アドレス検出回路１０５からディフェクトフ
レーム検出信号が入力されると、固定タイミング信号Ｔ
ＳＨＬＤを固定パターン発生回路１１９の固定パターン
発生回路１１９５およびセレクタ回路１２０へ出力す
る。
【０１００】パターン発生回路１１９は、ＦＣＭパター
ン発生回路１１９０と、Ｈｅａｄｅｒパターン発生回路
１１９１と、アドレスパターン発生回路１１９２と、Ｐ
ｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９３と、Ｐｏｓ
ｔ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９４と、固定パタ
ーン発生回路１１９５とから成る。ＦＣＭパターン発生
回路１１９０は、ファインクロックマークタイミング信
号ＴＳＦＣＭ１〜３に同期してファインクロックマーク
３Ａ，３Ｂが形成された領域に記録すべきパターンデー
タを生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。Ｈｅａｄ
ｅｒパターン発生回路１１９１は、ヘッダタイミング信
号ＴＳＨＥＤに同期してＨｅａｄｅｒ領域に記録すべき
パターンデータを生成し、セレクタ回路１２０へ出力す
る。
ン発生回路１１９０と、Ｈｅａｄｅｒパターン発生回路
１１９１と、アドレスパターン発生回路１１９２と、Ｐ
ｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９３と、Ｐｏｓ
ｔ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９４と、固定パタ
ーン発生回路１１９５とから成る。ＦＣＭパターン発生
回路１１９０は、ファインクロックマークタイミング信
号ＴＳＦＣＭ１〜３に同期してファインクロックマーク
３Ａ，３Ｂが形成された領域に記録すべきパターンデー
タを生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。Ｈｅａｄ
ｅｒパターン発生回路１１９１は、ヘッダタイミング信
号ＴＳＨＥＤに同期してＨｅａｄｅｒ領域に記録すべき
パターンデータを生成し、セレクタ回路１２０へ出力す
る。
【０１０１】アドレスパターン発生回路１１９２は、ア
ドレスタイミング信号ＴＳＡＤに同期してアドレス領域
に記録すべきパターンデータを生成し、セレクタ回路１
２０へ出力する。Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路
１１９３は、プリライトタイミング信号ＴＳＰＲＷ１，
２に同期してプリライト領域に記録すべきパターンデー
タを生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。
ドレスタイミング信号ＴＳＡＤに同期してアドレス領域
に記録すべきパターンデータを生成し、セレクタ回路１
２０へ出力する。Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路
１１９３は、プリライトタイミング信号ＴＳＰＲＷ１，
２に同期してプリライト領域に記録すべきパターンデー
タを生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。
【０１０２】Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１
１９４は、ポストライトタイミング信号ＴＳＰＯＷ１，
２に同期してポストライト領域に記録すべきパターンデ
ータを生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。固定パ
ターン発生回路１１９５は、固定タイミング信号ＴＳＨ
ＬＤに同期して傷が存在するフレームに記録すべきパタ
ーンデータを生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。
１９４は、ポストライトタイミング信号ＴＳＰＯＷ１，
２に同期してポストライト領域に記録すべきパターンデ
ータを生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。固定パ
ターン発生回路１１９５は、固定タイミング信号ＴＳＨ
ＬＤに同期して傷が存在するフレームに記録すべきパタ
ーンデータを生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。
【０１０３】セレクタ回路１２０は、カウンタ値比較回
路群１１５３から入力されたファインクロックマークタ
イミング信号ＴＳＦＣＭ１〜３に同期して、ＦＣＭパタ
ーン発生回路１１９０から入力されたファインクロック
マーク領域に記録すべきパターンデータを磁気ヘッド駆
動回路１２３へ出力する。また、セレクタ回路１２０
は、カウンタ値比較回路群１１５３から入力されたヘッ
ダタイミング信号ＴＳＨＥＤに同期して、ＦＣＭパター
ン発生回路１１９０から入力されたヘッダ領域に記録す
べきパターンデータを磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力
する。さらに、セレクタ回路１２０は、カウンタ値比較
回路群１１５３から入力されたアドレスタイミング信号
ＴＳＡＤに同期して、アドレスパターン発生回路１１９
２から入力されたアドレス領域に記録すべきパターンデ
ータを磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。またさら
に、セレクタ回路１２０は、カウンタ値比較回路群１１
５３から入力されたプリライトタイミング信号ＴＳＰＲ
Ｗ１，２に同期して、Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発生
回路１１９３から入力されたプリライト領域に記録すべ
きパターンデータを磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力す
る。またさらに、セレクタ回路１２０は、カウンタ値比
較回路群１１５３から入力されたポストライトタイミン
グ信号ＴＳＰＯＷ１，２に同期して、Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉ
ｔｅパターン発生回路１１９４から入力されたポストラ
イト領域に記録すべきパターンデータを磁気ヘッド駆動
回路１２３へ出力する。またさらに、セレクタ回路１２
０は、カウンタ値比較回路群１１５３から入力された固
定タイミング信号ＴＳＨＬＤに同期して、固定パターン
発生回路１１９５から入力された欠損が存在するフレー
ム全体に記録すべきパターンデータを磁気ヘッド駆動回
路１２３へ出力する。
路群１１５３から入力されたファインクロックマークタ
イミング信号ＴＳＦＣＭ１〜３に同期して、ＦＣＭパタ
ーン発生回路１１９０から入力されたファインクロック
マーク領域に記録すべきパターンデータを磁気ヘッド駆
動回路１２３へ出力する。また、セレクタ回路１２０
は、カウンタ値比較回路群１１５３から入力されたヘッ
ダタイミング信号ＴＳＨＥＤに同期して、ＦＣＭパター
ン発生回路１１９０から入力されたヘッダ領域に記録す
べきパターンデータを磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力
する。さらに、セレクタ回路１２０は、カウンタ値比較
回路群１１５３から入力されたアドレスタイミング信号
ＴＳＡＤに同期して、アドレスパターン発生回路１１９
２から入力されたアドレス領域に記録すべきパターンデ
ータを磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。またさら
に、セレクタ回路１２０は、カウンタ値比較回路群１１
５３から入力されたプリライトタイミング信号ＴＳＰＲ
Ｗ１，２に同期して、Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発生
回路１１９３から入力されたプリライト領域に記録すべ
きパターンデータを磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力す
る。またさらに、セレクタ回路１２０は、カウンタ値比
較回路群１１５３から入力されたポストライトタイミン
グ信号ＴＳＰＯＷ１，２に同期して、Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉ
ｔｅパターン発生回路１１９４から入力されたポストラ
イト領域に記録すべきパターンデータを磁気ヘッド駆動
回路１２３へ出力する。またさらに、セレクタ回路１２
０は、カウンタ値比較回路群１１５３から入力された固
定タイミング信号ＴＳＨＬＤに同期して、固定パターン
発生回路１１９５から入力された欠損が存在するフレー
ム全体に記録すべきパターンデータを磁気ヘッド駆動回
路１２３へ出力する。
【０１０４】図１３〜１５を参照して、タイミング発生
回路１１５、パターン発生回路１１９、およびセレクタ
回路１２０の動作について説明する。タイミング発生回
路１１５の５３２計上カウンタ１１５０は、ＦＣＭ検出
回路１０３からのファインクロックマーク検出信号ＦＣ
ＭＴが入力されるとカウント値をリセットし、ＰＬＬ回
路１０４から入力された基準クロックＣＬＫをカウント
する。すなわち、図１４のファインクロックマーク検出
信号ＦＣＭＴの成分Ｓ１，Ｓ２，…が入力されるとリセ
ットし、隣接成分Ｓ１，Ｓ２間における基準クロックＣ
ＬＫをカウントする。ファインクロックマーク検出信号
ＦＣＭＴの隣接成分Ｓ１，Ｓ２間には、通常、５３２個
のクロック成分が存在するため、５３２計上カウンタ１
１５０は、カウント値０〜５３１を一致回路１１５１お
よびカウンタ値比較回路群１１５３へ出力する。
回路１１５、パターン発生回路１１９、およびセレクタ
回路１２０の動作について説明する。タイミング発生回
路１１５の５３２計上カウンタ１１５０は、ＦＣＭ検出
回路１０３からのファインクロックマーク検出信号ＦＣ
ＭＴが入力されるとカウント値をリセットし、ＰＬＬ回
路１０４から入力された基準クロックＣＬＫをカウント
する。すなわち、図１４のファインクロックマーク検出
信号ＦＣＭＴの成分Ｓ１，Ｓ２，…が入力されるとリセ
ットし、隣接成分Ｓ１，Ｓ２間における基準クロックＣ
ＬＫをカウントする。ファインクロックマーク検出信号
ＦＣＭＴの隣接成分Ｓ１，Ｓ２間には、通常、５３２個
のクロック成分が存在するため、５３２計上カウンタ１
１５０は、カウント値０〜５３１を一致回路１１５１お
よびカウンタ値比較回路群１１５３へ出力する。
【０１０５】そうすると、一致回路１１５２は、入力さ
れたカウント値のうち、最大のカウント値が５３１であ
るか否かを判別し、５３１に一致するとき一致信号ＭＴ
Ｃを３９計上カウンタ１１５２へ出力する。そうする
と、３９計上カウンタ１１５２は、アドレス検出回路１
０５からアドレス検出信号ＡＤＦが入力されるとリセッ
トされ、一致信号ＭＴＣをカウントし、そのカウント値
０〜３８をカウント値比較回路群１１５３へ出力する。
なお、アドレス検出信号ＡＤＦは、１フレームごと、す
なわち、３９セグメントごとに入力されるので、３９計
上カウンタ１１５２は、０〜３８のカウント値をカウン
ト値比較回路群１１５３へ出力する。
れたカウント値のうち、最大のカウント値が５３１であ
るか否かを判別し、５３１に一致するとき一致信号ＭＴ
Ｃを３９計上カウンタ１１５２へ出力する。そうする
と、３９計上カウンタ１１５２は、アドレス検出回路１
０５からアドレス検出信号ＡＤＦが入力されるとリセッ
トされ、一致信号ＭＴＣをカウントし、そのカウント値
０〜３８をカウント値比較回路群１１５３へ出力する。
なお、アドレス検出信号ＡＤＦは、１フレームごと、す
なわち、３９セグメントごとに入力されるので、３９計
上カウンタ１１５２は、０〜３８のカウント値をカウン
ト値比較回路群１１５３へ出力する。
【０１０６】カウント値比較回路群１１５３は、３９計
上カウンタ１１５２から入力されたカウント値が「０」
のとき、セグメントＳ０、すなわちアドレス情報ＡＤが
プリフォーマットされている領域であることを認識す
る。次に、カウント値比較回路群１１５３は、５３２計
上カウンタ１１５０からのカウント値が０〜１１，１２
〜５３１のとき、それぞれ、セグメントＳ０におけるフ
ァインクロックマーク領域、アドレス領域であることを
認識する。そして、カウント値比較回路群１１５３は、
ファインクロックマークタイミング信号ＴＳＦＣＭ１お
よびアドレスタイミング信号ＴＳＡＤを生成し、それぞ
れ、ＦＣＭパターン発生回路１１９０、アドレスパター
ン発生回路１１９２へ出力する。
上カウンタ１１５２から入力されたカウント値が「０」
のとき、セグメントＳ０、すなわちアドレス情報ＡＤが
プリフォーマットされている領域であることを認識す
る。次に、カウント値比較回路群１１５３は、５３２計
上カウンタ１１５０からのカウント値が０〜１１，１２
〜５３１のとき、それぞれ、セグメントＳ０におけるフ
ァインクロックマーク領域、アドレス領域であることを
認識する。そして、カウント値比較回路群１１５３は、
ファインクロックマークタイミング信号ＴＳＦＣＭ１お
よびアドレスタイミング信号ＴＳＡＤを生成し、それぞ
れ、ＦＣＭパターン発生回路１１９０、アドレスパター
ン発生回路１１９２へ出力する。
【０１０７】また、３９計上カウンタ１１５２から入力
されたカウント値が「１」であるとき、カウント値比較
回路群１１５３は、セグメントＳ１を認識する。次に、
カウント値比較回路群１１５３は、５３２計上カウンタ
１１５０からのカウント値が０〜１１，１２〜１５，１
６〜３３５，３３６〜５２５，５２６〜５２９のとき、
それぞれ、ファインクロックマーク領域、Ｐｒｅ−Ｗｒ
ｉｔｅ領域、Ｈｅａｄｅｒ領域、Ｄａｔａ領域、Ｐｏｓ
ｔ−Ｗｒｉｔｅ領域であることを認識する。そして、カ
ウント値比較回路群１１５３は、ファインクロックマー
クタイミング信号ＴＳＦＣＭ２、プリライトタイミング
信号ＴＳＰＲＷ１、ヘッダタイミング信号ＴＳＨＥＤ、
データタイミング信号ＴＳＤＡ１、およびポストタイミ
ング信号ＴＳＰＯＷ１を生成し、それぞれ、ＦＣＭパタ
ーン発生回路１１９０、Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発
生回路１１９３、Ｈｅａｄｅｒパターン発生回路１１９
１、データ変調回路１１７、およびＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔ
ｅパターン発生回路１１９４へ出力する。
されたカウント値が「１」であるとき、カウント値比較
回路群１１５３は、セグメントＳ１を認識する。次に、
カウント値比較回路群１１５３は、５３２計上カウンタ
１１５０からのカウント値が０〜１１，１２〜１５，１
６〜３３５，３３６〜５２５，５２６〜５２９のとき、
それぞれ、ファインクロックマーク領域、Ｐｒｅ−Ｗｒ
ｉｔｅ領域、Ｈｅａｄｅｒ領域、Ｄａｔａ領域、Ｐｏｓ
ｔ−Ｗｒｉｔｅ領域であることを認識する。そして、カ
ウント値比較回路群１１５３は、ファインクロックマー
クタイミング信号ＴＳＦＣＭ２、プリライトタイミング
信号ＴＳＰＲＷ１、ヘッダタイミング信号ＴＳＨＥＤ、
データタイミング信号ＴＳＤＡ１、およびポストタイミ
ング信号ＴＳＰＯＷ１を生成し、それぞれ、ＦＣＭパタ
ーン発生回路１１９０、Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発
生回路１１９３、Ｈｅａｄｅｒパターン発生回路１１９
１、データ変調回路１１７、およびＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔ
ｅパターン発生回路１１９４へ出力する。
【０１０８】さらに、３９計上カウンタ１１５２から入
力されたカウント値が「２」〜「３８」であるとき、カ
ウント値比較回路群１１５３は、セグメントＳ２〜Ｓ３
８を認識する。次に、カウント値比較回路群１１５３
は、５３２計上カウンタ１１５０からのカウント値が０
〜１１，１２〜１５，１６〜５２７，５２８〜５３１の
とき、それぞれ、ファインクロックマーク領域、Ｐｒｅ
−Ｗｒｉｔｅ領域、Ｄａｔａ領域、Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔ
ｅ領域であることを認識する。そして、カウント値比較
回路群１１５３は、ファインクロックマークタイミング
信号ＴＳＦＣＭ３、プリライトタイミング信号ＴＳＰＲ
Ｗ２、データタイミング信号ＴＳＤＡ２、およびポスト
タイミング信号ＴＳＰＯＷ２を生成し、それぞれ、ＦＣ
Ｍパターン発生回路１１９０、Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅパタ
ーン発生回路１１９３、データ変調回路１１７およびＰ
ｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９４へ出力す
る。
力されたカウント値が「２」〜「３８」であるとき、カ
ウント値比較回路群１１５３は、セグメントＳ２〜Ｓ３
８を認識する。次に、カウント値比較回路群１１５３
は、５３２計上カウンタ１１５０からのカウント値が０
〜１１，１２〜１５，１６〜５２７，５２８〜５３１の
とき、それぞれ、ファインクロックマーク領域、Ｐｒｅ
−Ｗｒｉｔｅ領域、Ｄａｔａ領域、Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔ
ｅ領域であることを認識する。そして、カウント値比較
回路群１１５３は、ファインクロックマークタイミング
信号ＴＳＦＣＭ３、プリライトタイミング信号ＴＳＰＲ
Ｗ２、データタイミング信号ＴＳＤＡ２、およびポスト
タイミング信号ＴＳＰＯＷ２を生成し、それぞれ、ＦＣ
Ｍパターン発生回路１１９０、Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅパタ
ーン発生回路１１９３、データ変調回路１１７およびＰ
ｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９４へ出力す
る。
【０１０９】ＦＣＭパターン発生回路１１９０は、ファ
インクロックマークタイミング信号ＴＳＦＣＭ１〜３の
各々に同期して１２ＤＣＢのパターンデータ「１１１１
００００１１１１」を生成し、セレクタ回路１２０へ出
力する。Ｈｅａｄｅｒパターン発生回路１１９１は、ヘ
ッダタイミング信号ＴＳＨＥＤに同期して３２０ＤＣＢ
のパターンデータ「１１００１１００…１１００１１１
１１１１１００００００００１１１１１１１１００００
００００…１１１１１１１１００００００００」を生成
し、セレクタ回路１２０へ出力する。３２０ＤＣＢのパ
ターンデータは、上述したように２Ｔの信号を２Ｔの間
隔で所定数記録し、８Ｔの信号を８Ｔの間隔で所定数記
録するためのパターンデータであり、レーザ光の最適強
度等を決定するために用いられる。
インクロックマークタイミング信号ＴＳＦＣＭ１〜３の
各々に同期して１２ＤＣＢのパターンデータ「１１１１
００００１１１１」を生成し、セレクタ回路１２０へ出
力する。Ｈｅａｄｅｒパターン発生回路１１９１は、ヘ
ッダタイミング信号ＴＳＨＥＤに同期して３２０ＤＣＢ
のパターンデータ「１１００１１００…１１００１１１
１１１１１００００００００１１１１１１１１００００
００００…１１１１１１１１００００００００」を生成
し、セレクタ回路１２０へ出力する。３２０ＤＣＢのパ
ターンデータは、上述したように２Ｔの信号を２Ｔの間
隔で所定数記録し、８Ｔの信号を８Ｔの間隔で所定数記
録するためのパターンデータであり、レーザ光の最適強
度等を決定するために用いられる。
【０１１０】アドレスパターン発生回路１１９２は、ア
ドレスタイミング信号ＴＳＡＤに同期して５２０ＤＣＢ
のパターンデータ「１１１１００００１１１１００００
…１１１１００００」を生成し、セレクタ回路１２０へ
出力する。Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９
３は、プリライトタイミング信号ＴＳＰＲＷ１，２に同
期して４ＤＣＢのパターンデータ「００１１」を生成
し、セレクタ回路１２０へ出力する。Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉ
ｔｅパターン発生回路１１９４は、ポストタイミング信
号ＴＳＰＯＷ１，２に同期して４ＤＣＢのパターンデー
タ「１１００」を生成し、セレクタ回路１２０へ出力す
る。固定パターン発生回路１１９５は、固定パターンタ
イミング信号ＴＳＨＬＤに同期して５３２×３９＝２０
７４８ＤＣＢのパターンデータ「１１１１００００１１
１１００００…１１１１００００」を生成し、セレクタ
回路１２０へ出力する。
ドレスタイミング信号ＴＳＡＤに同期して５２０ＤＣＢ
のパターンデータ「１１１１００００１１１１００００
…１１１１００００」を生成し、セレクタ回路１２０へ
出力する。Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９
３は、プリライトタイミング信号ＴＳＰＲＷ１，２に同
期して４ＤＣＢのパターンデータ「００１１」を生成
し、セレクタ回路１２０へ出力する。Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉ
ｔｅパターン発生回路１１９４は、ポストタイミング信
号ＴＳＰＯＷ１，２に同期して４ＤＣＢのパターンデー
タ「１１００」を生成し、セレクタ回路１２０へ出力す
る。固定パターン発生回路１１９５は、固定パターンタ
イミング信号ＴＳＨＬＤに同期して５３２×３９＝２０
７４８ＤＣＢのパターンデータ「１１１１００００１１
１１００００…１１１１００００」を生成し、セレクタ
回路１２０へ出力する。
【０１１１】セレクタ回路１２０は、ファインクロック
マークタイミング信号ＴＳＦＣＭ１に同期して１２ＤＣ
Ｂのパターンデータ「１１１１００００１１１１」を磁
気ヘッド駆動回路１２３へ出力し、アドレスタイミング
信号ＴＳＡＤに同期して５２０ＤＣＢのパターンデータ
「１１１１００００１１１１００００…１１１１０００
０」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。
マークタイミング信号ＴＳＦＣＭ１に同期して１２ＤＣ
Ｂのパターンデータ「１１１１００００１１１１」を磁
気ヘッド駆動回路１２３へ出力し、アドレスタイミング
信号ＴＳＡＤに同期して５２０ＤＣＢのパターンデータ
「１１１１００００１１１１００００…１１１１０００
０」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。
【０１１２】また、セレクタ回路１２０は、ファインク
ロックマークタイミング信号ＴＳＦＣＭ２に同期して１
２ＤＣＢのパターンデータ「１１１１００００１１１
１」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力し、プリライト
タイミング信号ＴＳＰＲＷに同期して４ＤＣＢのパター
ンデータ「００１１」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出
力する。
ロックマークタイミング信号ＴＳＦＣＭ２に同期して１
２ＤＣＢのパターンデータ「１１１１００００１１１
１」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力し、プリライト
タイミング信号ＴＳＰＲＷに同期して４ＤＣＢのパター
ンデータ「００１１」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出
力する。
【０１１３】さらに、セレクタ回路１２０は、ヘッダタ
イミング信号ＴＳＨＥＤに同期して３２０ＤＣＢのパタ
ーンデータ「１１００１１００１１００１１００…１１
１１１１１１００００００００１１１１１１１１」を磁
気ヘッド駆動回路１２３へ出力し、データタイミング信
号ＴＳＤＡ１に同期して１９０ＤＣＢの記録データを磁
気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。
イミング信号ＴＳＨＥＤに同期して３２０ＤＣＢのパタ
ーンデータ「１１００１１００１１００１１００…１１
１１１１１１００００００００１１１１１１１１」を磁
気ヘッド駆動回路１２３へ出力し、データタイミング信
号ＴＳＤＡ１に同期して１９０ＤＣＢの記録データを磁
気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。
【０１１４】またさらに、セレクタ回路１２０は、ポス
トライトタイミング信号ＴＳＰＯＷに同期して４ＤＣＢ
のパターンデータ「１１００」を磁気ヘッド駆動回路１
２３へ出力し、ファインクロックマークタイミング信号
ＴＳＦＣＭ３に同期して１２ＤＣＢのパターンデータ
「１１１１００００１１１１」を磁気ヘッド駆動回路１
２３へ出力する。
トライトタイミング信号ＴＳＰＯＷに同期して４ＤＣＢ
のパターンデータ「１１００」を磁気ヘッド駆動回路１
２３へ出力し、ファインクロックマークタイミング信号
ＴＳＦＣＭ３に同期して１２ＤＣＢのパターンデータ
「１１１１００００１１１１」を磁気ヘッド駆動回路１
２３へ出力する。
【０１１５】またさらにセレクタ回路１２０は、プリラ
イトタイミング信号ＴＳＰＲＷに同期して４ＤＣＢのパ
ターンデータ「００１１」を磁気ヘッド駆動回路１２３
へ出力し、データタイミング信号ＴＳＤＡ２に同期して
５１２ＤＣＢの記録データを磁気ヘッド駆動回路１２３
へ出力し、ポストライトタイミング信号ＴＳＰＯＷに同
期して４ＤＣＢのパターンデータ「１１００」を磁気ヘ
ッド駆動回路１２３へ出力する。またさらに、セレクタ
回路１２０は、固定パターンタイミング信号ＴＳＨＬＤ
に同期して２０７４８ＤＣＢの「１１１１００００…１
１１１００００」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力す
る。
イトタイミング信号ＴＳＰＲＷに同期して４ＤＣＢのパ
ターンデータ「００１１」を磁気ヘッド駆動回路１２３
へ出力し、データタイミング信号ＴＳＤＡ２に同期して
５１２ＤＣＢの記録データを磁気ヘッド駆動回路１２３
へ出力し、ポストライトタイミング信号ＴＳＰＯＷに同
期して４ＤＣＢのパターンデータ「１１００」を磁気ヘ
ッド駆動回路１２３へ出力する。またさらに、セレクタ
回路１２０は、固定パターンタイミング信号ＴＳＨＬＤ
に同期して２０７４８ＤＣＢの「１１１１００００…１
１１１００００」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力す
る。
【０１１６】これにより、図１２に示す記録データ列Ｋ
ＷＤが磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力され、記録デー
タＷＤが記録されるユーザデータ領域２０以外のプリフ
ォーマット領域１０，３０に再生信号の直流成分を抑制
するための信号が記録される。また、傷等の欠損が存在
するフレームに再生信号の直流成分を抑制するための信
号が記録される。
ＷＤが磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力され、記録デー
タＷＤが記録されるユーザデータ領域２０以外のプリフ
ォーマット領域１０，３０に再生信号の直流成分を抑制
するための信号が記録される。また、傷等の欠損が存在
するフレームに再生信号の直流成分を抑制するための信
号が記録される。
【０１１７】再び、図６を参照して、光磁気ディスク装
置２００における光磁気ディスク１００へのデータの記
録動作について説明する。光磁気ディスク１００が光磁
気ディスク装置２００に装着されると、コントローラ１
１４は、スピンドルモータ１０１を所定の回転数で回転
させるようにサーボ機構（図示せず）を制御するととも
に、所定強度のレーザ光を光ピックアップ１０２から出
射させるようにタイミング発生回路１１５を介してレー
ザ駆動回路１２４を制御する。
置２００における光磁気ディスク１００へのデータの記
録動作について説明する。光磁気ディスク１００が光磁
気ディスク装置２００に装着されると、コントローラ１
１４は、スピンドルモータ１０１を所定の回転数で回転
させるようにサーボ機構（図示せず）を制御するととも
に、所定強度のレーザ光を光ピックアップ１０２から出
射させるようにタイミング発生回路１１５を介してレー
ザ駆動回路１２４を制御する。
【０１１８】そうすると、サーボ機構（図示せず）は、
スピンドルモータ１０１を所定の回転数で回転させ、ス
ピンドルモータ１０１は、光磁気ディスク１００を所定
の回転数で回転させる。また、光ピックアップ１０２
は、所定強度のレーザ光を対物レンズ（図示せず）によ
って光磁気ディスク１００に集光照射し、その反射光を
検出する。そして、光ピックアップ１０２は、フォーカ
スエラー信号、およびトラッキングエラー信号をサーボ
機構（図示せず）に出力し、サーボ機構はフォーカスエ
ラー信号およびトラッキングエラー信号に基づいて、光
ピックアップ１０２の対物レンズのフォーカスサーボお
よびトラッキングサーボをオンさせる。
スピンドルモータ１０１を所定の回転数で回転させ、ス
ピンドルモータ１０１は、光磁気ディスク１００を所定
の回転数で回転させる。また、光ピックアップ１０２
は、所定強度のレーザ光を対物レンズ（図示せず）によ
って光磁気ディスク１００に集光照射し、その反射光を
検出する。そして、光ピックアップ１０２は、フォーカ
スエラー信号、およびトラッキングエラー信号をサーボ
機構（図示せず）に出力し、サーボ機構はフォーカスエ
ラー信号およびトラッキングエラー信号に基づいて、光
ピックアップ１０２の対物レンズのフォーカスサーボお
よびトラッキングサーボをオンさせる。
【０１１９】その後、光ピックアップ１０２は、光磁気
ディスク１００からラジアルプッシュプル法によりファ
インクロックマーク信号ＦＣＭを検出し、その検出した
ファインクロックマーク信号ＦＣＭをＦＣＭ検出回路１
０３へ出力する。ＦＣＭ検出回路１０３は、上述した方
法によって、ファインクロックマーク信号ＦＣＭからフ
ァインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴを検出し、その
検出したファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴをＰ
ＬＬ回路１０４およびタイミング発生回路１１５へ出力
する。ＰＬＬ回路１０４は、ファインクロックマーク検
出信号ＦＣＭＴに基づいて基準クロックＣＬＫを生成
し、その生成した基準クロックＣＬＫをタイミング発生
回路１１５、データ変調回路１１７、フォーマット回路
１２６、および遅延回路１２７へ出力する。遅延回路１
２７は、ＰＬＬ回路１０４からの基準クロックＣＬＫの
位相を一定量遅延させた再生クロックＣＬＫＳを生成
し、その生成した再生クロックＣＬＫＳをアドレス検出
回路１０５、ＡＤ変換器１０７と、波形等化回路１０
８、ビタビ復号回路１０９、アンフォーマット回路１１
０、データ復調回路１１１、およびコントローラ１１４
へ出力する。
ディスク１００からラジアルプッシュプル法によりファ
インクロックマーク信号ＦＣＭを検出し、その検出した
ファインクロックマーク信号ＦＣＭをＦＣＭ検出回路１
０３へ出力する。ＦＣＭ検出回路１０３は、上述した方
法によって、ファインクロックマーク信号ＦＣＭからフ
ァインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴを検出し、その
検出したファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴをＰ
ＬＬ回路１０４およびタイミング発生回路１１５へ出力
する。ＰＬＬ回路１０４は、ファインクロックマーク検
出信号ＦＣＭＴに基づいて基準クロックＣＬＫを生成
し、その生成した基準クロックＣＬＫをタイミング発生
回路１１５、データ変調回路１１７、フォーマット回路
１２６、および遅延回路１２７へ出力する。遅延回路１
２７は、ＰＬＬ回路１０４からの基準クロックＣＬＫの
位相を一定量遅延させた再生クロックＣＬＫＳを生成
し、その生成した再生クロックＣＬＫＳをアドレス検出
回路１０５、ＡＤ変換器１０７と、波形等化回路１０
８、ビタビ復号回路１０９、アンフォーマット回路１１
０、データ復調回路１１１、およびコントローラ１１４
へ出力する。
【０１２０】また、アドレス検出回路１０５は、光ピッ
クアップ１０２が光磁気ディスク１００のセグメントＳ
０からタンジェンシャルプッシュプル法により検出した
アドレス信号を入力し、遅延回路１２７から入力された
再生クロックＣＬＫＳに同期してアドレス情報ＡＤを検
出すると共に、アドレス情報ＡＤを検出したことを示す
アドレス検出信号ＡＤＦをアドレス情報の最終位置で生
成する。そして、アドレス検出回路１０５は、検出した
アドレス情報ＡＤをコントローラ１１４へ出力し、生成
したアドレス検出信号ＡＤＦをヘッダ検出回路１１３お
よびタイミング発生回路１１５へ出力する。
クアップ１０２が光磁気ディスク１００のセグメントＳ
０からタンジェンシャルプッシュプル法により検出した
アドレス信号を入力し、遅延回路１２７から入力された
再生クロックＣＬＫＳに同期してアドレス情報ＡＤを検
出すると共に、アドレス情報ＡＤを検出したことを示す
アドレス検出信号ＡＤＦをアドレス情報の最終位置で生
成する。そして、アドレス検出回路１０５は、検出した
アドレス情報ＡＤをコントローラ１１４へ出力し、生成
したアドレス検出信号ＡＤＦをヘッダ検出回路１１３お
よびタイミング発生回路１１５へ出力する。
【０１２１】一方、ＢＣＨエンコーダ１１６は、記録デ
ータに誤り訂正符号を付加し、データ変調回路１１７
は、ＰＬＬ回路１０４からの基準クロックＣＬＫに同期
してＢＣＨエンコーダ１１６からの記録データを所定の
方式に変調する。そして、データ変調回路１１７は、変
調した記録データをフォーマット回路１２６へ出力す
る。
ータに誤り訂正符号を付加し、データ変調回路１１７
は、ＰＬＬ回路１０４からの基準クロックＣＬＫに同期
してＢＣＨエンコーダ１１６からの記録データを所定の
方式に変調する。そして、データ変調回路１１７は、変
調した記録データをフォーマット回路１２６へ出力す
る。
【０１２２】タイミング発生回路１１５は、アドレス検
出回路１０５から入力されたアドレス情報に基づいて、
光磁気ディスク１００のデータ領域に記録する記録信号
を生成するためのタイミング信号を生成する。そして、
タイミング発生回路１１５は、生成したタイミング信号
をセレクタ回路１２０、磁気ヘッド駆動回路１２３、お
よびレーザ駆動回路１２４へ出力する。
出回路１０５から入力されたアドレス情報に基づいて、
光磁気ディスク１００のデータ領域に記録する記録信号
を生成するためのタイミング信号を生成する。そして、
タイミング発生回路１１５は、生成したタイミング信号
をセレクタ回路１２０、磁気ヘッド駆動回路１２３、お
よびレーザ駆動回路１２４へ出力する。
【０１２３】セレクタ回路１２０は、タイミング信号に
基づいて、データ変調回路１１７から入力された記録信
号を選択して磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。そ
して、磁気ヘッド駆動回路１２３は、記録信号によって
変調された磁界をタイミング信号に同期して生成するよ
うに磁気ヘッド１２５を駆動する。一方、レーザ駆動回
路１２４は、タイミング信号に同期して光ピックアップ
１０２中の半導体レーザ（図示せず）を駆動し、光ピッ
クアップ１０２はレーザ光を対物レンズ（図示せず）に
よって光磁気ディスク１００に集光照射する。そして、
磁気ヘッド１２５は、記録信号によって変調された磁界
を光磁気ディスク１００に印加する。これによって、記
録データが光磁気ディスク１００に記録される。
基づいて、データ変調回路１１７から入力された記録信
号を選択して磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。そ
して、磁気ヘッド駆動回路１２３は、記録信号によって
変調された磁界をタイミング信号に同期して生成するよ
うに磁気ヘッド１２５を駆動する。一方、レーザ駆動回
路１２４は、タイミング信号に同期して光ピックアップ
１０２中の半導体レーザ（図示せず）を駆動し、光ピッ
クアップ１０２はレーザ光を対物レンズ（図示せず）に
よって光磁気ディスク１００に集光照射する。そして、
磁気ヘッド１２５は、記録信号によって変調された磁界
を光磁気ディスク１００に印加する。これによって、記
録データが光磁気ディスク１００に記録される。
【０１２４】次に、光磁気ディスク装置２００を用いた
光磁気ディスク１００からの信号の再生動作について説
明する。光磁気ディスク１００が光ディスク装置２００
に装着され、対物レンズのフォーカスサーボおよびトラ
ッキングサーボが行なわれ、基準クロックＣＬＫおよび
再生クロックＣＬＫＳが生成され、アドレス情報が検出
されるまでの動作は、信号の記録動作と同じである。検
出されたアドレス情報は、コントローラ１１４へ入力さ
れる。
光磁気ディスク１００からの信号の再生動作について説
明する。光磁気ディスク１００が光ディスク装置２００
に装着され、対物レンズのフォーカスサーボおよびトラ
ッキングサーボが行なわれ、基準クロックＣＬＫおよび
再生クロックＣＬＫＳが生成され、アドレス情報が検出
されるまでの動作は、信号の記録動作と同じである。検
出されたアドレス情報は、コントローラ１１４へ入力さ
れる。
【０１２５】ヘッダ検出回路１１３は、コントローラ１
１４から入力されたアドレス情報ＡＤおよびアドレス検
出回路１０５から入力されたアドレス検出信号ＡＤＦに
基づいて再生信号に含まれるヘッダの位置を検出し、遅
延回路１２７からの再生クロックＣＬＫに同期して再生
信号からプリライト（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ）およびヘッ
ダ（Ｈｅａｄｅｒ）のタイミング信号を生成する。そし
て、生成したヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）のタイミング信号
をアンフォーマット回路１１０およびデータ復調回路１
１１へ出力する。
１４から入力されたアドレス情報ＡＤおよびアドレス検
出回路１０５から入力されたアドレス検出信号ＡＤＦに
基づいて再生信号に含まれるヘッダの位置を検出し、遅
延回路１２７からの再生クロックＣＬＫに同期して再生
信号からプリライト（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ）およびヘッ
ダ（Ｈｅａｄｅｒ）のタイミング信号を生成する。そし
て、生成したヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）のタイミング信号
をアンフォーマット回路１１０およびデータ復調回路１
１１へ出力する。
【０１２６】一方、光ピックアップ１０２は、検出した
再生信号をＢＰＦ１０６へ出力し、ＢＰＦ１０６は、再
生信号の高域、および低域をカットする。ＡＤ変換器１
０７は、遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫＳに
同期して、ＢＰＦ１０６から出力された再生信号をアナ
ログ信号からディジタル信号に変換する。
再生信号をＢＰＦ１０６へ出力し、ＢＰＦ１０６は、再
生信号の高域、および低域をカットする。ＡＤ変換器１
０７は、遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫＳに
同期して、ＢＰＦ１０６から出力された再生信号をアナ
ログ信号からディジタル信号に変換する。
【０１２７】そして、波形等化回路１０８は、遅延回路
１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期してディジタ
ル信号に変換された再生信号にＰＲ（１，１）波形等化
を行なう。すなわち、検出信号の前後のデータが１対１
に波形干渉を行なうように等化する。
１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期してディジタ
ル信号に変換された再生信号にＰＲ（１，１）波形等化
を行なう。すなわち、検出信号の前後のデータが１対１
に波形干渉を行なうように等化する。
【０１２８】その後、ビタビ復号回路１０９は、遅延回
路１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期して、波形
等化を行なった再生信号を多値から２値に変換し、その
変換した再生信号をアンフォーマット回路１１０、およ
びヘッダ検出回路１１３へ出力する。
路１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期して、波形
等化を行なった再生信号を多値から２値に変換し、その
変換した再生信号をアンフォーマット回路１１０、およ
びヘッダ検出回路１１３へ出力する。
【０１２９】そうすると、ヘッダ検出回路１１３は、コ
ントローラ１１４から入力されたアドレス情報ＡＤおよ
びアドレス検出回路１０５から入力されたアドレス検出
信号ＡＤＦに基づいて再生信号に含まれるヘッダの位置
を検出し、遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫＳ
に同期して再生信号からプリライト（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔ
ｅ）およびヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）のタイミング信号を
生成する。そして、生成したヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）の
タイミング信号をアンフォーマット回路１１０およびデ
ータ復調回路１１１へ出力する。
ントローラ１１４から入力されたアドレス情報ＡＤおよ
びアドレス検出回路１０５から入力されたアドレス検出
信号ＡＤＦに基づいて再生信号に含まれるヘッダの位置
を検出し、遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫＳ
に同期して再生信号からプリライト（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔ
ｅ）およびヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）のタイミング信号を
生成する。そして、生成したヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）の
タイミング信号をアンフォーマット回路１１０およびデ
ータ復調回路１１１へ出力する。
【０１３０】アンフォーマット回路１１０は、ヘッダ検
出回路１１３から入力されたタイミング信号に基づい
て、光磁気ディスク１００のユーザデータ領域に記録さ
れたプリライト（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ）、ポストライト
（Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ）、およびヘッダ（Ｈｅａｄｅ
ｒ）を除去する。
出回路１１３から入力されたタイミング信号に基づい
て、光磁気ディスク１００のユーザデータ領域に記録さ
れたプリライト（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ）、ポストライト
（Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ）、およびヘッダ（Ｈｅａｄｅ
ｒ）を除去する。
【０１３１】また、データ復調回路１１１は、遅延回路
１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期してアンフォ
ーマットされた再生信号を入力して、記録時に施された
ディジタル変調を解くための復調を行なう。そして、Ｂ
ＣＨデコーダ１１２は、復調された再生信号の誤り訂正
を行ない、再生データとして出力する。これにより、光
磁気ディスク１００からの信号の再生動作が終了する。
１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期してアンフォ
ーマットされた再生信号を入力して、記録時に施された
ディジタル変調を解くための復調を行なう。そして、Ｂ
ＣＨデコーダ１１２は、復調された再生信号の誤り訂正
を行ない、再生データとして出力する。これにより、光
磁気ディスク１００からの信号の再生動作が終了する。
【０１３２】上述した動作によって光磁気ディスク１０
０に信号が記録され、光磁気ディスク１００から信号が
再生される。本発明においては、周囲の温度変化によっ
て光磁気ディスク１００に照射されるレーザ光の記録パ
ワーが変化し、光磁気ディスク１００に形成される磁区
の位置が変化するのを防止するために、光磁気ディスク
１００に記録した記録信号を基準値よりも小さいエラー
レートで再生するための、基準クロックＣＬＫに対する
再生クロックＣＬＫＳの遅延量を用いてレーザ光の記録
パワーを調整する。
０に信号が記録され、光磁気ディスク１００から信号が
再生される。本発明においては、周囲の温度変化によっ
て光磁気ディスク１００に照射されるレーザ光の記録パ
ワーが変化し、光磁気ディスク１００に形成される磁区
の位置が変化するのを防止するために、光磁気ディスク
１００に記録した記録信号を基準値よりも小さいエラー
レートで再生するための、基準クロックＣＬＫに対する
再生クロックＣＬＫＳの遅延量を用いてレーザ光の記録
パワーを調整する。
【０１３３】通常、レーザ光の記録パワーを最適記録パ
ワーに設定し、かつ、基準クロックＣＬＫに同期して光
磁気ディスク１００に信号を記録し、その記録した記録
信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するために
は、再生クロックＣＬＫＳの位相を、基準クロックＣＬ
Ｋの位相に対して基準遅延量だけ遅延させる必要があ
る。そして、レーザ光の記録パワーを最適記録パワーか
らずれた記録パワーに設定し、かつ、基準クロックＣＬ
Ｋに同期して光磁気ディスク１００に信号を記録し、そ
の記録した記録信号を基準値よりも低いエラーレートで
再生するためには再生クロックＣＬＫＳの位相を、基準
クロックＣＬＫの位相に対して基準遅延量と異なる遅延
量だけ遅延させる必要がある。
ワーに設定し、かつ、基準クロックＣＬＫに同期して光
磁気ディスク１００に信号を記録し、その記録した記録
信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するために
は、再生クロックＣＬＫＳの位相を、基準クロックＣＬ
Ｋの位相に対して基準遅延量だけ遅延させる必要があ
る。そして、レーザ光の記録パワーを最適記録パワーか
らずれた記録パワーに設定し、かつ、基準クロックＣＬ
Ｋに同期して光磁気ディスク１００に信号を記録し、そ
の記録した記録信号を基準値よりも低いエラーレートで
再生するためには再生クロックＣＬＫＳの位相を、基準
クロックＣＬＫの位相に対して基準遅延量と異なる遅延
量だけ遅延させる必要がある。
【０１３４】したがって、レーザ光の記録パワーを任意
のパワーに設定し、かつ、基準クロックＣＬＫに同期し
て光磁気ディスク１００に信号を記録し、その記録した
記録信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するた
めの再生クロックＣＬＫＳの遅延量を求めれば、信号を
記録したときのレーザ光の記録パワーを検出できる。つ
まり、記録信号を基準値よりも低いエラーレートで再生
するための再生クロックＣＬＫＳの位相が、基準クロッ
クＣＬＫの位相に対して基準遅延量だけ遅延されていれ
ば、信号を記録したときのレーザ光のパワーは最適記録
パワーに設定されていたことになり、記録信号を基準値
よりも低いエラーレートで再生するための再生クロック
ＣＬＫＳの位相が基準クロックＣＬＫの位相に対して基
準遅延量と異なる遅延量だけ遅延されていれば、信号を
記録したときのレーザ光のパワーは最適記録パワーでな
かったことになる。また、レーザ光の記録パワーと、記
録信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するため
の基準クロックＣＬＫに対する再生クロックＣＬＫＳの
遅延量は１対１に対応しているので、求めた再生クロッ
クＣＬＫＳの遅延量からレーザ光の記録パワーを検出で
き、その検出した記録パワーに基づいてレーザ光のパワ
ーを最適記録パワー付近に制御することが可能である。
のパワーに設定し、かつ、基準クロックＣＬＫに同期し
て光磁気ディスク１００に信号を記録し、その記録した
記録信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するた
めの再生クロックＣＬＫＳの遅延量を求めれば、信号を
記録したときのレーザ光の記録パワーを検出できる。つ
まり、記録信号を基準値よりも低いエラーレートで再生
するための再生クロックＣＬＫＳの位相が、基準クロッ
クＣＬＫの位相に対して基準遅延量だけ遅延されていれ
ば、信号を記録したときのレーザ光のパワーは最適記録
パワーに設定されていたことになり、記録信号を基準値
よりも低いエラーレートで再生するための再生クロック
ＣＬＫＳの位相が基準クロックＣＬＫの位相に対して基
準遅延量と異なる遅延量だけ遅延されていれば、信号を
記録したときのレーザ光のパワーは最適記録パワーでな
かったことになる。また、レーザ光の記録パワーと、記
録信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するため
の基準クロックＣＬＫに対する再生クロックＣＬＫＳの
遅延量は１対１に対応しているので、求めた再生クロッ
クＣＬＫＳの遅延量からレーザ光の記録パワーを検出で
き、その検出した記録パワーに基づいてレーザ光のパワ
ーを最適記録パワー付近に制御することが可能である。
【０１３５】図１６を参照して、光磁気ディスク１００
のグルーブ１に信号を記録するときのレーザ光の記録パ
ワーと再生信号のビットエラーレート（単に「エラーレ
ート」とも言う。）との関係、およびレーザ光の記録パ
ワーと再生クロックＣＬＫＳの基準クロックＣＬＫに対
する位相シフト（基準クロックＣＬＫに対する再生クロ
ックＣＬＫＳの遅延量とも言う。）との関係について説
明する。図１６においては、黒菱形で示される曲線は、
グルーブ１に信号を記録し、信号を記録したグルーブ１
にレーザ光を照射して記録信号を再生したときのレーザ
光の記録パワーと再生信号のエラーレートとの関係を示
す。また、黒四角で示される曲線は、グルーブ１に信号
を記録し、信号を記録したグルーブ１に隣接するランド
２に記録された信号をランド２にレーザ光を照射して再
生したときのレーザ光の記録パワーと再生信号のエラー
レートとの関係を示す。さらに、黒三角で示される曲線
は、各記録パワーで記録した信号を、最小のエラーレー
トで再生するための再生クロックＣＬＫＳの遅延量と、
記録パワーとの関係を示す。
のグルーブ１に信号を記録するときのレーザ光の記録パ
ワーと再生信号のビットエラーレート（単に「エラーレ
ート」とも言う。）との関係、およびレーザ光の記録パ
ワーと再生クロックＣＬＫＳの基準クロックＣＬＫに対
する位相シフト（基準クロックＣＬＫに対する再生クロ
ックＣＬＫＳの遅延量とも言う。）との関係について説
明する。図１６においては、黒菱形で示される曲線は、
グルーブ１に信号を記録し、信号を記録したグルーブ１
にレーザ光を照射して記録信号を再生したときのレーザ
光の記録パワーと再生信号のエラーレートとの関係を示
す。また、黒四角で示される曲線は、グルーブ１に信号
を記録し、信号を記録したグルーブ１に隣接するランド
２に記録された信号をランド２にレーザ光を照射して再
生したときのレーザ光の記録パワーと再生信号のエラー
レートとの関係を示す。さらに、黒三角で示される曲線
は、各記録パワーで記録した信号を、最小のエラーレー
トで再生するための再生クロックＣＬＫＳの遅延量と、
記録パワーとの関係を示す。
【０１３６】グルーブ１に記録した信号を、信号を記録
したグルーブ１にレーザ光を照射して再生するときのレ
ーザ光の記録パワーと再生信号のエラーレートとの関係
においては、レーザ光の記録パワーの増加に伴い、再生
信号のエラーレートは急激に減少し、約５．７ｍＷの記
録パワーで１０-5のエラーレートに達する。そして、
６．０ｍＷ以上の記録パワーで３×１０-6のエラーレー
トを保持する（黒菱形）。また、グルーブ１に信号を記
録し、信号を記録したグルーブ１に隣接するランド２に
記録された信号をランド２にレーザ光を照射して再生し
たときのレーザ光の記録パワーと再生信号のエラーレー
トとの関係においては、約７．５ｍＷの記録パワーまで
は、３×１０-6のエラーレートを保持し、７．５ｍＷ以
上の記録パワーでは、再生信号のエラーレートが急激に
大きくなる（黒四角）。これは、記録パワーの増加に伴
い、グルーブ１に隣接するランド２にも影響を与え、ラ
ンド２に記録された信号を消去する割合が高くなるから
である。さらに、再生クロックＣＬＫＳの遅延量と記録
パワーとの関係においては、記録パワーの増加に伴い再
生クロックＣＬＫＳの遅延量は単調に減少する。そし
て、記録パワーが約６．２ｍＷ〜約７．６ｍＷの範囲で
は、再生クロックＣＬＫＳの遅延量は５０ｎｓｅｃから
２０ｎｓｅｃに減少する（黒三角）。レーザ光の記録パ
ワーをＰｗ、再生クロックＣＬＫＳの遅延量をＰｈで表
すと、図１６においては、 Ｐｈ＝−１８×Ｐｗ＋１６０・・・・・・・（１） の関係が成立する。
したグルーブ１にレーザ光を照射して再生するときのレ
ーザ光の記録パワーと再生信号のエラーレートとの関係
においては、レーザ光の記録パワーの増加に伴い、再生
信号のエラーレートは急激に減少し、約５．７ｍＷの記
録パワーで１０-5のエラーレートに達する。そして、
６．０ｍＷ以上の記録パワーで３×１０-6のエラーレー
トを保持する（黒菱形）。また、グルーブ１に信号を記
録し、信号を記録したグルーブ１に隣接するランド２に
記録された信号をランド２にレーザ光を照射して再生し
たときのレーザ光の記録パワーと再生信号のエラーレー
トとの関係においては、約７．５ｍＷの記録パワーまで
は、３×１０-6のエラーレートを保持し、７．５ｍＷ以
上の記録パワーでは、再生信号のエラーレートが急激に
大きくなる（黒四角）。これは、記録パワーの増加に伴
い、グルーブ１に隣接するランド２にも影響を与え、ラ
ンド２に記録された信号を消去する割合が高くなるから
である。さらに、再生クロックＣＬＫＳの遅延量と記録
パワーとの関係においては、記録パワーの増加に伴い再
生クロックＣＬＫＳの遅延量は単調に減少する。そし
て、記録パワーが約６．２ｍＷ〜約７．６ｍＷの範囲で
は、再生クロックＣＬＫＳの遅延量は５０ｎｓｅｃから
２０ｎｓｅｃに減少する（黒三角）。レーザ光の記録パ
ワーをＰｗ、再生クロックＣＬＫＳの遅延量をＰｈで表
すと、図１６においては、 Ｐｈ＝−１８×Ｐｗ＋１６０・・・・・・・（１） の関係が成立する。
【０１３７】グルーブ１に記録した信号を、信号を記録
したグルーブ１にレーザ光を照射して再生したとき、お
よびグルーブ１に信号を記録し、信号を記録したグルー
ブ１に隣接するランド２に記録された信号をランド２に
レーザ光を照射して再生したときには、レーザ光の記録
パワーが約５．８ｍＷ〜約７．８ｍＷの範囲で再生信号
のエラーレートは１×１０-5以下になる。また、レーザ
光の記録パワーが６．０ｍＷ〜約７．５ｍＷの範囲で再
生信号のエラーレートは３×１０-6を保持する。この範
囲において、記録信号を再生するときの再生クロックＣ
ＬＫＳの遅延量は２４ｎｓｅｃ〜５４ｎｓｅｃの範囲で
変化する。光磁気ディスク１００に形成されたファイン
クロックマーク３Ａ，３Ｂに基づいて生成された基準ク
ロックＣＬＫおよび再生クロックＣＬＫＳは２０ＭＨｚ
の周波数を有するため、１周期当りの長さは５０ｎｓｅ
ｃになる。したがって、レーザ光の記録パワーを好適な
記録パワーに設定して記録した信号を、基準値（１×１
０-5）よりも低いエラーレート（３×１０-6）で再生す
るためには、再生クロックＣＬＫＳの遅延量を２４ｎｓ
ｅｃと、１周期＋４ｎｓｅｃとの間で制御すれば良い。
したグルーブ１にレーザ光を照射して再生したとき、お
よびグルーブ１に信号を記録し、信号を記録したグルー
ブ１に隣接するランド２に記録された信号をランド２に
レーザ光を照射して再生したときには、レーザ光の記録
パワーが約５．８ｍＷ〜約７．８ｍＷの範囲で再生信号
のエラーレートは１×１０-5以下になる。また、レーザ
光の記録パワーが６．０ｍＷ〜約７．５ｍＷの範囲で再
生信号のエラーレートは３×１０-6を保持する。この範
囲において、記録信号を再生するときの再生クロックＣ
ＬＫＳの遅延量は２４ｎｓｅｃ〜５４ｎｓｅｃの範囲で
変化する。光磁気ディスク１００に形成されたファイン
クロックマーク３Ａ，３Ｂに基づいて生成された基準ク
ロックＣＬＫおよび再生クロックＣＬＫＳは２０ＭＨｚ
の周波数を有するため、１周期当りの長さは５０ｎｓｅ
ｃになる。したがって、レーザ光の記録パワーを好適な
記録パワーに設定して記録した信号を、基準値（１×１
０-5）よりも低いエラーレート（３×１０-6）で再生す
るためには、再生クロックＣＬＫＳの遅延量を２４ｎｓ
ｅｃと、１周期＋４ｎｓｅｃとの間で制御すれば良い。
【０１３８】本発明においては、６．０ｍＷ〜約７．５
ｍＷの範囲のほぼ中心値である６．８ｍＷを最適記録パ
ワーとし、最適記録パワーで記録した信号を基準値より
も低いエラーレートで再生するための再生クロックＣＬ
ＫＳの遅延量４０ｎｓｅｃを基準遅延量とする。
ｍＷの範囲のほぼ中心値である６．８ｍＷを最適記録パ
ワーとし、最適記録パワーで記録した信号を基準値より
も低いエラーレートで再生するための再生クロックＣＬ
ＫＳの遅延量４０ｎｓｅｃを基準遅延量とする。
【０１３９】レーザ光の記録パワーを任意のパワーに設
定し、かつ、基準クロックＣＬＫに同期して信号を記録
し、その記録した記録信号を基準値よりも低いエラーレ
ートで再生するための再生クロックＣＬＫＳの遅延量を
求めた結果、その遅延量が基準遅延量４０ｎｓｅｃから
ずれていれば、遅延量が基準遅延量に近づくように記録
パワーを調整する。その記録パワーの調整方法は、次式
（２）を用いて行なう。
定し、かつ、基準クロックＣＬＫに同期して信号を記録
し、その記録した記録信号を基準値よりも低いエラーレ
ートで再生するための再生クロックＣＬＫＳの遅延量を
求めた結果、その遅延量が基準遅延量４０ｎｓｅｃから
ずれていれば、遅延量が基準遅延量に近づくように記録
パワーを調整する。その記録パワーの調整方法は、次式
（２）を用いて行なう。
【０１４０】 Ｐｗ＝Ｐｗｂ−（Ｐｈ−Ｐｈ０）／１８・・・・・（２） （２）式において、Ｐｈ０は、最適記録パワーで記録し
た信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するため
の再生クロックＣＬＫＳの遅延量であり、Ｐｗｂは、調
整時に信号を記録した記録パワーである。また、Ｐｈ
は、記録パワーＰｗｂで記録した信号を基準値よりも低
いエラーレートで再生するための再生クロックＣＬＫＳ
の遅延量であり、Ｐｗは、設定すべき記録パワーであ
る。コントローラ１１４は、遅延量Ｐｈ０および記録パ
ワーＰｗｂを記憶しており、記録パワーの調整時に遅延
量Ｐｈを求め、上記（２）式より設定すべき記録パワー
Ｐｗと調整時の記録パワーＰｗｂとの差、すなわち、記
録パワーの補正値Ｐｗ−Ｐｗｂを求める。これにより、
信号を記録するときのレーザ光の記録パワーを最適記録
パワーに設定できる。
た信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するため
の再生クロックＣＬＫＳの遅延量であり、Ｐｗｂは、調
整時に信号を記録した記録パワーである。また、Ｐｈ
は、記録パワーＰｗｂで記録した信号を基準値よりも低
いエラーレートで再生するための再生クロックＣＬＫＳ
の遅延量であり、Ｐｗは、設定すべき記録パワーであ
る。コントローラ１１４は、遅延量Ｐｈ０および記録パ
ワーＰｗｂを記憶しており、記録パワーの調整時に遅延
量Ｐｈを求め、上記（２）式より設定すべき記録パワー
Ｐｗと調整時の記録パワーＰｗｂとの差、すなわち、記
録パワーの補正値Ｐｗ−Ｐｗｂを求める。これにより、
信号を記録するときのレーザ光の記録パワーを最適記録
パワーに設定できる。
【０１４１】図１６におけるレーザ光の記録パワーと再
生信号のエラーレートとの関係からすれば、記録パワー
が６．０〜７．５ｍＷの範囲において再生信号のエラー
レートが３×１０-6を保持しており、記録パワーの調整
時に求めた遅延量が２４〜５４ｎｓｅｃの範囲に入って
いれば、つまり、調整時の記録パワーが６．０〜７．５
ｍＷの範囲に入っていれば、それ以上記録パワーを調整
する必要がないと考えることもできる。しかし、本発明
においては、調整時の記録パワーが６．０〜７．５ｍＷ
の範囲に入っていても、記録パワーがより最適記録パワ
ーに近づくように調整する。これにより、一定の位置に
磁区を形成することができ、安定して記録信号を再生で
きる。
生信号のエラーレートとの関係からすれば、記録パワー
が６．０〜７．５ｍＷの範囲において再生信号のエラー
レートが３×１０-6を保持しており、記録パワーの調整
時に求めた遅延量が２４〜５４ｎｓｅｃの範囲に入って
いれば、つまり、調整時の記録パワーが６．０〜７．５
ｍＷの範囲に入っていれば、それ以上記録パワーを調整
する必要がないと考えることもできる。しかし、本発明
においては、調整時の記録パワーが６．０〜７．５ｍＷ
の範囲に入っていても、記録パワーがより最適記録パワ
ーに近づくように調整する。これにより、一定の位置に
磁区を形成することができ、安定して記録信号を再生で
きる。
【０１４２】なお、レーザ光の記録パワーを、常に、最
適記録パワーに設定するのは困難であるので、最適記録
パワー６．８ｍＷを中心として±０．２ｍＷの範囲、す
なわち、６．６〜７．０ｍＷの範囲を記録パワーの好適
な範囲とする。したがって、本発明においては、記録パ
ワーの調整時に検出した再生クロックＣＬＫＳの遅延量
に基づいて、記録パワーを好適な範囲に調整する。
適記録パワーに設定するのは困難であるので、最適記録
パワー６．８ｍＷを中心として±０．２ｍＷの範囲、す
なわち、６．６〜７．０ｍＷの範囲を記録パワーの好適
な範囲とする。したがって、本発明においては、記録パ
ワーの調整時に検出した再生クロックＣＬＫＳの遅延量
に基づいて、記録パワーを好適な範囲に調整する。
【０１４３】各記録パワーで記録した信号を基準値より
も低いエラーレートで再生するための再生クロックＣＬ
ＫＳの遅延量は、ＰＬＬ回路１０４によって生成された
基準クロックＣＬＫの位相を遅延回路１２７によって各
種の遅延量だけ遅延させて記録信号を再生し、その再生
した再生信号をＢＰＦ１０６、ＡＤ変換器１０７、波形
等価回路１０８、ビタビ復号回路１０９、アンフォーマ
ット回路１１０、データ復調回路１１１およびＢＣＨデ
コーダ１１２によって復調およびエラー訂正を行ない、
ＢＣＨデコーダ１１２からの誤り数に基づいてコントロ
ーラ１１４がエラーレートを検出し、そのエラーレート
が基準値よりも低くなる遅延量を検出することによって
求められる。なお、ＢＰＦ１０６、ＡＤ変換器１０７、
波形等価回路１０８、ビタビ復号回路１０９、アンフォ
ーマット回路１１０、データ復調回路１１１およびＢＣ
Ｈデコーダ１１２を「信号処理回路」と言う。
も低いエラーレートで再生するための再生クロックＣＬ
ＫＳの遅延量は、ＰＬＬ回路１０４によって生成された
基準クロックＣＬＫの位相を遅延回路１２７によって各
種の遅延量だけ遅延させて記録信号を再生し、その再生
した再生信号をＢＰＦ１０６、ＡＤ変換器１０７、波形
等価回路１０８、ビタビ復号回路１０９、アンフォーマ
ット回路１１０、データ復調回路１１１およびＢＣＨデ
コーダ１１２によって復調およびエラー訂正を行ない、
ＢＣＨデコーダ１１２からの誤り数に基づいてコントロ
ーラ１１４がエラーレートを検出し、そのエラーレート
が基準値よりも低くなる遅延量を検出することによって
求められる。なお、ＢＰＦ１０６、ＡＤ変換器１０７、
波形等価回路１０８、ビタビ復号回路１０９、アンフォ
ーマット回路１１０、データ復調回路１１１およびＢＣ
Ｈデコーダ１１２を「信号処理回路」と言う。
【０１４４】図１６においては、光磁気ディスク１００
のグルーブ１に信号を記録するときの記録パワーと再生
信号のエラーレートとの関係、および記録パワーと再生
クロックＣＬＫＳの遅延量との関係が示されているが、
ランド２に信号を記録するときの記録パワーと再生信号
のエラーレートとの関係、および記録パワーと再生クロ
ックＣＬＫＳの遅延量との関係も、図１６に示す関係と
同じ関係になる。
のグルーブ１に信号を記録するときの記録パワーと再生
信号のエラーレートとの関係、および記録パワーと再生
クロックＣＬＫＳの遅延量との関係が示されているが、
ランド２に信号を記録するときの記録パワーと再生信号
のエラーレートとの関係、および記録パワーと再生クロ
ックＣＬＫＳの遅延量との関係も、図１６に示す関係と
同じ関係になる。
【０１４５】上述したレーザ光の記録パワーの調整は、
光磁気ディスク１００のテスト領域ＴＳＲを用いて行な
われる。その場合、テスト領域ＴＳＲに含まれる各フレ
ームのセグメントＳ０のヘッダ領域に、上述した記録動
作によって２Ｔの信号を記録パワーを種々変化させて連
続記録し、その２Ｔの記録信号を再生クロックＣＬＫＳ
の遅延量を種々変化させて再生して、図１６に示す記録
パワーと再生信号のエラーレートとの関係、および記録
パワーと再生クロックＣＬＫＳの遅延量との関係を求め
る。そして、記録パワーと再生信号のエラーレートとの
関係から最適記録パワーを求め、その求めた最適記録パ
ワーを用いてデータ領域ＤＲに信号を記録する。
光磁気ディスク１００のテスト領域ＴＳＲを用いて行な
われる。その場合、テスト領域ＴＳＲに含まれる各フレ
ームのセグメントＳ０のヘッダ領域に、上述した記録動
作によって２Ｔの信号を記録パワーを種々変化させて連
続記録し、その２Ｔの記録信号を再生クロックＣＬＫＳ
の遅延量を種々変化させて再生して、図１６に示す記録
パワーと再生信号のエラーレートとの関係、および記録
パワーと再生クロックＣＬＫＳの遅延量との関係を求め
る。そして、記録パワーと再生信号のエラーレートとの
関係から最適記録パワーを求め、その求めた最適記録パ
ワーを用いてデータ領域ＤＲに信号を記録する。
【０１４６】周囲の温度が変化しなければ、最初に求め
た最適記録パワーで信号を記録すれば良いが、現実に
は、周囲の温度は変化するので、本発明においては、図
６に示す温度センサー１２８が検出した温度が５℃以上
変化したときに上述したレーザ光の記録パワーの調整を
行なう。つまり、コントローラ１１４は、温度センサー
１２８からの温度を受取り、その受取った温度が５℃以
上変化しているとき、遅延量を種々変化させた再生クロ
ックＣＬＫＳを生成するように遅延回路１２８を制御す
る。そして、セグメントＳ０のヘッダ領域に記録された
２Ｔの記録信号が遅延量を変化させた再生クロックＣＬ
ＫＳに同期して再生される。そうすると、コントローラ
１１４は、信号処理回路のＢＣＨデコーダ１１２から再
生信号の誤り数を受取り、再生クロックＣＬＫＳの各遅
延量に対する再生信号のエラーレートを求め、基準値よ
りも低いエラーレートを実現するための再生クロックＣ
ＬＫＳの遅延量を求める。コントローラ１１４は、求め
た遅延量から２Ｔの信号を記録したときの記録パワーを
上記（１）式に基づいて求める。そして、コントローラ
１１４は、求めた記録パワーが好適な範囲に入っている
か否かを判別し、入っていなければ、記録パワーを好適
な範囲に設定し直す。
た最適記録パワーで信号を記録すれば良いが、現実に
は、周囲の温度は変化するので、本発明においては、図
６に示す温度センサー１２８が検出した温度が５℃以上
変化したときに上述したレーザ光の記録パワーの調整を
行なう。つまり、コントローラ１１４は、温度センサー
１２８からの温度を受取り、その受取った温度が５℃以
上変化しているとき、遅延量を種々変化させた再生クロ
ックＣＬＫＳを生成するように遅延回路１２８を制御す
る。そして、セグメントＳ０のヘッダ領域に記録された
２Ｔの記録信号が遅延量を変化させた再生クロックＣＬ
ＫＳに同期して再生される。そうすると、コントローラ
１１４は、信号処理回路のＢＣＨデコーダ１１２から再
生信号の誤り数を受取り、再生クロックＣＬＫＳの各遅
延量に対する再生信号のエラーレートを求め、基準値よ
りも低いエラーレートを実現するための再生クロックＣ
ＬＫＳの遅延量を求める。コントローラ１１４は、求め
た遅延量から２Ｔの信号を記録したときの記録パワーを
上記（１）式に基づいて求める。そして、コントローラ
１１４は、求めた記録パワーが好適な範囲に入っている
か否かを判別し、入っていなければ、記録パワーを好適
な範囲に設定し直す。
【０１４７】図１７を参照して、周囲の温度が５℃以上
変化したときの記録パワーを調整して信号を光磁気ディ
スクに記録する動作を説明する。光磁気ディスク１００
への信号の記録動作が発生すると（ステップＳ１）、コ
ントローラ１１４は、温度センサー１２８が検出した温
度Ｔを取得する（ステップＳ２）。そして、記録動作の
発生時に取得した温度Ｔが以前に取得した温度Ｔ０に対
して５℃以上変化した否かを判別する（ステップＳ
３）。記録動作の発生時に取得した温度Ｔが以前に取得
した温度Ｔ０に対して５℃以上変化していなければ、ス
テップＳ９へ移行して記録パワーの調整動作は終了す
る。記録動作の発生時に取得した温度Ｔが以前に取得し
た温度Ｔ０に対して５℃以上変化していれば、コントロ
ーラ１１４は、取得した温度Ｔを温度Ｔ０に置換えて記
憶する。そして、コントローラ１１４は、光磁気ディス
ク１００のテスト領域ＴＳＲのフレームに含まれるヘッ
ダ領域にレーザ光を照射するようにサーボ機構を制御す
る。そして、コントローラ１１４は、遅延量を変化させ
た再生クロックＣＬＫＳを生成するように遅延回路１２
８を制御し、ヘッダ領域に記録された記録信号は、遅延
量を変化させた再生クロックＣＬＫＳに同期して再生さ
れる（ステップＳ５）。そして、コントローラ１１４
は、信号処理回路のＢＣＨデコーダ１１２から再生信号
の誤り数を受取り、その受取った誤り数に基づいて各遅
延量を有する再生クロックＣＬＫＳに同期して再生され
た再生信号のエラーレートを検出し、再生信号のエラー
レートが１０-5よりも低くなる再生クロックＣＬＫＳの
遅延量を検出する（ステップＳ６）。コントローラ１１
４は、上記（２）式に示す関係から固定パターンをヘッ
ダ領域に記録したときの記録パワーの補正値を求める
（ステップＳ７）。そして、その求めた補正値によって
記録パワーを設定し直し、その設定し直した記録パワー
によって光磁気ディスク１００に信号を記録する（ステ
ップＳ８）。そして、記録パワーの調整動作は終了する
（ステップＳ９）。
変化したときの記録パワーを調整して信号を光磁気ディ
スクに記録する動作を説明する。光磁気ディスク１００
への信号の記録動作が発生すると（ステップＳ１）、コ
ントローラ１１４は、温度センサー１２８が検出した温
度Ｔを取得する（ステップＳ２）。そして、記録動作の
発生時に取得した温度Ｔが以前に取得した温度Ｔ０に対
して５℃以上変化した否かを判別する（ステップＳ
３）。記録動作の発生時に取得した温度Ｔが以前に取得
した温度Ｔ０に対して５℃以上変化していなければ、ス
テップＳ９へ移行して記録パワーの調整動作は終了す
る。記録動作の発生時に取得した温度Ｔが以前に取得し
た温度Ｔ０に対して５℃以上変化していれば、コントロ
ーラ１１４は、取得した温度Ｔを温度Ｔ０に置換えて記
憶する。そして、コントローラ１１４は、光磁気ディス
ク１００のテスト領域ＴＳＲのフレームに含まれるヘッ
ダ領域にレーザ光を照射するようにサーボ機構を制御す
る。そして、コントローラ１１４は、遅延量を変化させ
た再生クロックＣＬＫＳを生成するように遅延回路１２
８を制御し、ヘッダ領域に記録された記録信号は、遅延
量を変化させた再生クロックＣＬＫＳに同期して再生さ
れる（ステップＳ５）。そして、コントローラ１１４
は、信号処理回路のＢＣＨデコーダ１１２から再生信号
の誤り数を受取り、その受取った誤り数に基づいて各遅
延量を有する再生クロックＣＬＫＳに同期して再生され
た再生信号のエラーレートを検出し、再生信号のエラー
レートが１０-5よりも低くなる再生クロックＣＬＫＳの
遅延量を検出する（ステップＳ６）。コントローラ１１
４は、上記（２）式に示す関係から固定パターンをヘッ
ダ領域に記録したときの記録パワーの補正値を求める
（ステップＳ７）。そして、その求めた補正値によって
記録パワーを設定し直し、その設定し直した記録パワー
によって光磁気ディスク１００に信号を記録する（ステ
ップＳ８）。そして、記録パワーの調整動作は終了する
（ステップＳ９）。
【０１４８】なお、記録パワーの調整は、フレームのヘ
ッダ領域に記録された２Ｔの記録信号に基づいて行なわ
れるとして説明したが、本発明においては、これに限ら
ず、ユーザデータ領域にユーザデータを記録し、その記
録した記録信号を遅延量を変化させた再生クロックＣＬ
ＫＳによって再生して記録パワーを調整しても良い。
ッダ領域に記録された２Ｔの記録信号に基づいて行なわ
れるとして説明したが、本発明においては、これに限ら
ず、ユーザデータ領域にユーザデータを記録し、その記
録した記録信号を遅延量を変化させた再生クロックＣＬ
ＫＳによって再生して記録パワーを調整しても良い。
【０１４９】また、本発明においては、周囲の温度が５
℃以上変化した場合にだけ記録パワーの調整を行なうの
ではなく、記録動作が発生するたびに記録パワーを調整
しても良いし、各フレームごとに記録パワーを調整して
も良い。したがって、本発明においては、記録パワーを
調整するタイミングは特に問題ではなく、記録信号を基
準値よりも低いエラーレートで再生するための再生クロ
ックＣＬＫＳの遅延量を用いて記録パワーを調整するも
のであれば良い。
℃以上変化した場合にだけ記録パワーの調整を行なうの
ではなく、記録動作が発生するたびに記録パワーを調整
しても良いし、各フレームごとに記録パワーを調整して
も良い。したがって、本発明においては、記録パワーを
調整するタイミングは特に問題ではなく、記録信号を基
準値よりも低いエラーレートで再生するための再生クロ
ックＣＬＫＳの遅延量を用いて記録パワーを調整するも
のであれば良い。
【０１５０】記録パワーの調整が終了した後、調整した
記録パワーのレーザ光を照射して上述した記録動作によ
って信号を光磁気ディスク１００に記録し、光磁気ディ
スク１００から信号を再生する。
記録パワーのレーザ光を照射して上述した記録動作によ
って信号を光磁気ディスク１００に記録し、光磁気ディ
スク１００から信号を再生する。
【０１５１】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明では
なくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲
と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる
ことが意図される。
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明では
なくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲
と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる
ことが意図される。
【図１】 バンドの概念を説明するための光磁気ディス
クの平面図である。
クの平面図である。
【図２】 図１に示す光磁気ディスクのトラック構造を
説明するための斜視図である。
説明するための斜視図である。
【図３】 光磁気ディスクとそのフォーマットを示す平
面図である。
面図である。
【図４】 バンド、フレーム、およびセグメントの関係
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図５】 記録データ列のフォーマットを示す概略図で
ある。
ある。
【図６】 光磁気ディスク装置のブロック図である。
【図７】 プリフォーマット領域、ユーザデータ領域か
らのデータの再生を説明するための図である。
らのデータの再生を説明するための図である。
【図８】 ＰＬＬ回路のブロック図である。
【図９】 ファインクロックマーク検出信号、およびク
ロックの生成を説明するための図である。
ロックの生成を説明するための図である。
【図１０】 アドレス情報の検出、およびアドレス最終
位置検出信号の生成を説明するための図である。
位置検出信号の生成を説明するための図である。
【図１１】 タイミング信号の生成を説明するための図
である。
である。
【図１２】 光ディスク装置により光磁気ディスクに記
録される記録データ列を説明するための図である。
録される記録データ列を説明するための図である。
【図１３】 図６に示す光磁気ディスク装置のフォーマ
ット回路の概略ブロック図である。
ット回路の概略ブロック図である。
【図１４】 図１３に示すタイミング発生回路における
５３２計上カウンタ、および３９計上カウンタの動作を
説明する信号のタイミングチャート図である。
５３２計上カウンタ、および３９計上カウンタの動作を
説明する信号のタイミングチャート図である。
【図１５】 図１３に示すタイミング発生回路が生成す
るタイミング信号のタイミングチャート図である。
るタイミング信号のタイミングチャート図である。
【図１６】 記録パワーと再生信号のエラーレートとの
関係、および記録パワーと再生クロックの遅延量との関
係を示す図である。
関係、および記録パワーと再生クロックの遅延量との関
係を示す図である。
【図１７】 記録パワーを調整して信号を記録する動作
を説明するためのフローチャートである。
を説明するためのフローチャートである。
【図１８】 各記録パワーにおける磁区の形成を示す図
である。
である。
１ グルーブ、２ ランド、３Ａ，３Ｂ ファインクロ
ックマーク、４〜９ウォブル、１０，３０ プリフォー
マット領域、２０ ユーザデータ領域、４０，５０ 回
路、１００ 光磁気ディスク、１００Ａ 透光性基板、
１００Ｂ 磁性膜、１０１ スピンドルモータ、１０２
光ピックアップ、１０３ ＦＣＭ検出回路、１０４
ＰＬＬ回路、１０５ アドレス検出回路、１０６ ＢＰ
Ｆ、１０７ ＡＤ変換器、１０８ 波形等化回路、１０
９ ビタビ復号回路、１１０アンフォーマット回路、１
１１ データ復調回路、１１２ ＢＣＨデコーダ、１１
３ ヘッダ検出回路、１１４ コントローラ、１１５
タイミング発生回路、１１６ ＢＣＨエンコーダ、１１
７ データ変調回路、１１９ パターン発生回路、１２
０ セレクタ回路、１２３ 磁気ヘッド駆動回路、１２
４ レーザ駆動回路、１２５ 磁気ヘッド、１２６ フ
ォーマット回路、１２７ 遅延回路、１２８ 温度セン
サー、２００ 光磁気ディスク装置、２１０〜２１２
中心、４００ 差分器、５００，５０１，５０３，５０
４ 加算器、５０２，５０５ 減算器、１０２０ 光検
出器、１０２０Ａ，１０２０Ｂ，１０２０Ｃ，１０２０
Ｄ，１０２０Ｅ，１０２０Ｆ 領域、１０４１ 位相比
較回路、１０４２ ＬＰＦ、１０４３ 電圧制御発振
器、１０４４ １／５３２分周器、１１５０ ５３２計
上カウンタ、１１５１ 一致回路、１１５２ ３９計上
カウンタ、１１５３カウンタ値比較回路群、１１９０
ＦＣＭパターン発生回路、１１９１ Ｈｅａｄｅｒパタ
ーン発生回路、１１９２ アドレスパターン発生回路、
１１９３ Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路、１１
９４ Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路、１１９
５ 固定パターン発生回路。
ックマーク、４〜９ウォブル、１０，３０ プリフォー
マット領域、２０ ユーザデータ領域、４０，５０ 回
路、１００ 光磁気ディスク、１００Ａ 透光性基板、
１００Ｂ 磁性膜、１０１ スピンドルモータ、１０２
光ピックアップ、１０３ ＦＣＭ検出回路、１０４
ＰＬＬ回路、１０５ アドレス検出回路、１０６ ＢＰ
Ｆ、１０７ ＡＤ変換器、１０８ 波形等化回路、１０
９ ビタビ復号回路、１１０アンフォーマット回路、１
１１ データ復調回路、１１２ ＢＣＨデコーダ、１１
３ ヘッダ検出回路、１１４ コントローラ、１１５
タイミング発生回路、１１６ ＢＣＨエンコーダ、１１
７ データ変調回路、１１９ パターン発生回路、１２
０ セレクタ回路、１２３ 磁気ヘッド駆動回路、１２
４ レーザ駆動回路、１２５ 磁気ヘッド、１２６ フ
ォーマット回路、１２７ 遅延回路、１２８ 温度セン
サー、２００ 光磁気ディスク装置、２１０〜２１２
中心、４００ 差分器、５００，５０１，５０３，５０
４ 加算器、５０２，５０５ 減算器、１０２０ 光検
出器、１０２０Ａ，１０２０Ｂ，１０２０Ｃ，１０２０
Ｄ，１０２０Ｅ，１０２０Ｆ 領域、１０４１ 位相比
較回路、１０４２ ＬＰＦ、１０４３ 電圧制御発振
器、１０４４ １／５３２分周器、１１５０ ５３２計
上カウンタ、１１５１ 一致回路、１１５２ ３９計上
カウンタ、１１５３カウンタ値比較回路群、１１９０
ＦＣＭパターン発生回路、１１９１ Ｈｅａｄｅｒパタ
ーン発生回路、１１９２ アドレスパターン発生回路、
１１９３ Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路、１１
９４ Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路、１１９
５ 固定パターン発生回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 20/14 ３５１ Ｇ１１Ｂ 20/14 ３５１Ａ Ｆターム(参考） 5D044 BC06 CC06 DE69 FG21 5D075 AA03 BB04 CC05 CC22 CD11 DD06 EE03 5D090 AA01 BB10 CC01 CC04 DD03 EE17 FF42 KK03 5D119 AA23 BA01 BB05 DA01 DA05 FA05 HA45
Claims (12)
- 【請求項１】 レーザ光の記録パワーを好適な記録パワ
ーに設定して、基準クロックを生成する元になるファイ
ンクロックマークを含む光磁気ディスクに信号を記録す
る光磁気ディスク装置であって、 前記光磁気ディスクに前記レーザ光を照射し、その反射
光を検出する光ピックアップと、 前記光磁気ディスクに磁界を印加する磁気ヘッドと、 前記光ピックアップによって検出された前記ファインク
ロックマークの検出信号であるファインクロックマーク
信号に基づいて前記基準クロックを生成するクロック生
成回路と、 前記クロック生成回路によって生成された基準クロック
の位相を遅延させた再生クロックを生成する遅延回路
と、 前記磁界を印加し、かつ、前記レーザ光を照射すること
によって前記基準クロックに同期して前記光磁気ディス
クに記録された記録信号を、基準値よりも小さいエラー
レートで再生するための前記再生クロックの遅延量を検
出し、その検出した遅延量が基準遅延量に近づくように
前記レーザ光の記録パワーを設定する制御回路とを備
え、 前記基準遅延量は、前記レーザ光のパワーを最適記録パ
ワーに設定して前記光磁気ディスクに記録された信号を
前記基準値よりも小さいエラーレートで再生するための
前記再生クロックの遅延量である、光磁気ディスク装
置。 - 【請求項２】 周囲の温度を検出する温度センサーをさ
らに備え、 前記制御回路は、前記温度センサーによって検出された
周囲の温度が許容変化量を超えて変化したとき、前記磁
界を印加し、かつ、前記レーザ光を照射することによっ
て前記基準クロックに同期して前記光磁気ディスクに記
録された記録信号を、基準値よりも小さいエラーレート
で再生するための前記再生クロックの遅延量を検出し、
その検出した遅延量が基準遅延量に近づくように前記レ
ーザ光の記録パワーを設定する、請求項１に記載の光磁
気ディスク装置。 - 【請求項３】 前記制御回路は、前記光磁気ディスクに
信号を記録するたびに、前記磁界を印加し、かつ、前記
レーザ光を照射することによって前記基準クロックに同
期して前記光磁気ディスクに記録された記録信号を、基
準値よりも小さいエラーレートで再生するための前記再
生クロックの遅延量を検出し、その検出した遅延量が基
準遅延量に近づくように前記レーザ光の記録パワーを設
定する、請求項１に記載の光磁気ディスク装置。 - 【請求項４】 前記制御回路は、前記レーザ光の記録パ
ワーと、該記録パワーで記録された記録信号を基準値よ
りも小さいエラーレートで再生するための前記再生クロ
ックの遅延量との関係に基づいて、前記レーザ光の記録
パワーの補正値を検出し、その検出した補正値に基づい
て前記検出した遅延量が前記基準遅延量に近づくように
前記レーザ光の記録パワーを設定する、請求項１から請
求項３のいずれか１項に記載の光磁気ディスク装置。 - 【請求項５】 前記制御回路は、前記検出した遅延量が
前記基準遅延量よりも小さいとき前記レーザ光の記録パ
ワーを前記記録信号を記録したときの記録パワーよりも
小さく設定し、前記検出した遅延量が前記基準遅延量よ
りも大きいとき前記レーザ光の記録パワーを前記記録信
号を記録したときの記録パワーよりも大きく設定する、
請求項４に記載の光磁気ディスク装置。 - 【請求項６】 前記光ピックアップによって検出された
前記記録信号の検出信号である光磁気信号を復調および
エラー訂正して再生信号を出力する信号処理回路をさら
に備え、 前記信号処理回路は、前記基準クロックの位相に対する
遅延量を変化させた前記再生クロックに同期して前記復
調およびエラー訂正を行ない、 前記制御回路は、前記信号処理回路における前記エラー
訂正によって得られる誤り数に基づいて前記再生信号の
エラーレートを検出し、その検出したエラーレートが前
記基準値よりも小さくなる前記再生クロックの遅延量を
検出する、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載
の光磁気ディスク装置。 - 【請求項７】 前記光磁気ディスクは、各々が複数のフ
レームから成る複数のバンドを含み、前記複数のフレー
ムの各々は、固定パターンを記録するためのヘッダ領域
を有し、 前記制御回路は、前記固定パターンの記録信号を前記基
準値よりも小さいエラーレートで再生するための前記再
生クロックの遅延量が前記基準遅延量に近づくように前
記レーザ光の記録パワーを設定する、請求項１から請求
項６のいずれか１項に記載の光磁気ディスク装置。 - 【請求項８】 前記光磁気ディスクは、各々が複数のフ
レームから成る複数のバンドを含み、 前記複数のフレームの各々は、固定パターンを記録する
ためのヘッダ領域と、ユーザデータを記録するためのユ
ーザデータ領域とを有し、 前記制御回路は、前記ユーザデータ領域に記録されたユ
ーザデータの記録信号を前記基準値よりも小さいエラー
レートで再生するための前記再生クロックの遅延量が前
記基準遅延量に近づくように前記レーザ光の記録パワー
を設定する、請求項１から請求項６のいずれか１項に記
載の光磁気ディスク装置。 - 【請求項９】 レーザ光の記録パワーを好適な記録パワ
ーに設定して、基準クロックを生成する元になるファイ
ンクロックマークを含む光磁気ディスクに信号を記録す
る記録方法であって、 前記ファインクロックマークを検出したファインクロッ
クマーク信号に基づいて前記基準クロックを生成する第
１のステップと、 前記レーザ光の記録パワーを前記好適な記録パワーに設
定する第２のステップと、 前記第２のステップによって設定された記録パワーによ
って前記光磁気ディスクに信号を記録する第３のステッ
プとを含み、 前記第２のステップは、 前記基準クロックに同期して信号を前記光磁気ディスク
に記録する第４のステップと、 前記基準クロックの位相を遅延させた再生クロックを生
成し、前記基準クロックの位相に対する前記再生クロッ
クの位相の遅延量を変化させて前記第４のステップにお
いて記録した信号を再生する第５のステップと、 前記第５のステップにおいて再生した再生信号のエラー
レートを検出し、その検出したエラーレートに基づいて
基準値よりも小さいエラーレートを得るための前記再生
クロックの遅延量を検出する第６のステップと、 前記第６のステップにおいて検出した遅延量が基準遅延
量に近づくように前記レーザ光の記録パワーを設定する
第７のステップとから成り、 前記基準遅延量は、前記レーザ光のパワーを最適記録パ
ワーに設定して前記光磁気ディスクに記録された信号を
前記基準値よりも小さいエラーレートで再生するための
前記再生クロックの遅延量である、記録方法。 - 【請求項１０】 前記第２のステップは、周囲の温度が
許容変化量を超えて変化したときに実行される、請求項
９に記載の記録方法。 - 【請求項１１】 前記第７のステップにおいて、前記レ
ーザ光の記録パワーと、該記録パワーで記録された記録
信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するため
の前記再生クロックの遅延量との関係に基づいて、前記
レーザ光の記録パワーの補正値を検出し、その検出した
補正値に基づいて前記検出した遅延量が前記基準遅延量
に近づくように前記レーザ光の記録パワーが設定され
る、請求項９または請求項１０に記載の記録方法。 - 【請求項１２】 前記第７のステップにおいて、前記検
出した遅延量が前記基準遅延量よりも小さいとき前記レ
ーザ光の記録パワーを前記記録信号を記録したときの記
録パワーよりも小さく設定し、前記検出した遅延量が前
記基準遅延量よりも大きいとき前記レーザ光の記録パワ
ーを前記記録信号を記録したときの記録パワーよりも大
きく設定する、請求項１１に記載の記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000378297A JP3588322B2 (ja) | 2000-12-13 | 2000-12-13 | 光磁気ディスク装置および記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000378297A JP3588322B2 (ja) | 2000-12-13 | 2000-12-13 | 光磁気ディスク装置および記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002184052A true JP2002184052A (ja) | 2002-06-28 |
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- 2000-12-13 JP JP2000378297A patent/JP3588322B2/ja not_active Expired - Fee Related
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