JP3588322B2 - 光磁気ディスク装置および記録方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、レーザ光と磁界とを用いて光磁気ディスクに信号を記録する際に、レーザ光の記録パワーを調整して光磁気ディスクに信号を記録する光磁気ディスク装置および記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近、信号の記録および再生が可能な記録媒体として光磁気ディスクが注目されている。この光磁気ディスクは、径方向にランドとグルーブとを交互に配したトラック構造を有し、ランドとグルーブの両方に信号を記録することによって高容量化を実現している。そして、最近、規格化されたＡＳ−ＭＯ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｔｏｒａｇｅｄ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｏｐｔｉｃａｌ ｄｉｓｋ）規格においては、直径１２ｃｍの光磁気ディスクで６Ｇｂｙｔｅｓの記録容量を達成している。
【０００３】
このＡＳ−ＭＯ規格による光磁気ディスクにおいては、ランドに一定周期で１μｍ程度のグルーブが形成され、また、グルーブに一定周期で１μｍ程度のランドが形成されている。この一定周期で形成された１μｍ程度のグルーブまたは１μｍ程度のランドを「ファインクロックマーク」という。ＡＳ−ＭＯ規格による光磁気ディスクに信号を記録する際には、このファインクロックマークを検出し、その検出したファインクロックマーク信号の成分間に５３２個の周期信号が存在するようにクロックＣＬＫを生成する。そして、生成したクロックＣＬＫに同期してパルス光を照射して光磁気ディスクに形成された磁性膜を昇温させ、その昇温させた領域に記録信号によって変調された磁界を印加することによって印加磁界の方向と同じ方向の磁化を有する磁区を磁性膜に形成して光磁気ディスクに信号を記録する。
【０００４】
この場合、光磁気ディスクに照射するレーザ光（パルス光）のパワーによって磁区が形成される位置が異なる。すなわち、図１８を参照して、レーザ光のパワーが標準値であるとき、クロックＣＬＫのタイミングＴ１に同期してレーザ光Ｌａ１が磁性膜に照射されるとともに一方方向の磁界が磁性膜に印加される。そして、タイミングＴ１の次のタイミングＴ２でレーザ光Ｌａ２が磁性膜に照射されるとともに他方方向の磁界が磁性膜に印加される。その結果、磁区Ｄａ（白い部分）が磁性膜に形成される（図１８の（ａ）参照）。また、レーザ光のパワーが標準値よりも小さいとき、クロックＣＬＫのタイミングＴ１に同期してレーザ光Ｌｂ１が磁性膜に照射されるとともに一方方向の磁界が磁性膜に印加される。そして、タイミングＴ２でレーザ光Ｌｂ２が磁性膜に照射されるとともに他方方向の磁界が磁性膜に印加される。その結果、磁区Ｄｂ（白い部分）が磁性膜に形成される（図１８の（ｂ）参照）。さらに、レーザ光のパワーが標準値よりも大きいとき、クロックＣＬＫのタイミングＴ１に同期してレーザ光Ｌｃ１が磁性膜に照射されるとともに一方方向の磁界が磁性膜に印加される。そして、タイミングＴ２でレーザ光Ｌｃ２が磁性膜に照射されるとともに他方方向の磁界が磁性膜に印加される。その結果、磁区Ｄｃ（白い部分）が磁性膜に形成される（図１８の（ｃ）参照）。
【０００５】
そうすると、レーザ光のパワーが標準値であるときに形成される磁区Ｄａの中心２１０、レーザ光のパワーが標準値よりも小さいときに形成される磁区Ｄｂの中心２１１、およびレーザ光のパワーが標準値よりも大きいときに形成される磁区Ｄｃの中心２１２は、相互に異なる。このように、磁性膜に照射されるレーザ光のパワーによって磁性膜に形成される磁区の位置がずれる。
【０００６】
光磁気ディスクに記録された信号を再生するときは、磁性膜に形成された磁区の中心にレーザ光を照射する必要があるが、上述したように記録時のレーザ光のパワーによって磁区が形成される位置が異なるため、磁区の中心にレーザ光を照射するタイミングは、記録時のレーザ光の各パワーによって異なる。通常は、記録時のレーザ光のパワーが標準値であるときを基準に、記録時のクロックＣＬＫに対して、位相を一定量変化させたクロックに同期してレーザ光を照射して磁性膜に形成された磁区を検出して信号の再生を行なう。したがって、記録時のレーザ光のパワーが標準値に保持されていれば、記録時のクロックの位相を一定量変化させたクロックに同期してレーザ光を照射することによって、標準値のパワーで記録した信号を正確に再生できる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、光磁気ディスクの周囲の温度が変化することによって光磁気ディスクの磁性膜の温度も変化し、その結果、照射されるレーザ光のパワーが同じであっても、磁性膜の温度が上昇する領域が変化する。すなわち、磁性膜に照射されるレーザ光の実効的なパワーが変化する。そうすると、磁性膜に形成される磁区の位置がずれるという問題が生じる。
【０００８】
そこで、本発明は、かかる問題を解決するためになされたものであり、その目的は、光磁気ディスクに照射されるレーザ光の実効的なパワーが変化した場合にも、ほぼ一定の位置に磁区を形成できるようにレーザ光のパワーを調整して信号を記録する光磁気ディスク装置および記録方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
この発明による光磁気ディスク装置は、レーザ光の記録パワーを好適な記録パワーに設定して、基準クロックを生成する元になるファインクロックマークを含む光磁気ディスクに信号を記録する光磁気ディスク装置であって、光磁気ディスクにレーザ光を照射し、その反射光を検出する光ピックアップと、光磁気ディスクに磁界を印加する磁気ヘッドと、光ピックアップによって検出されたファインクロックマークの検出信号であるファインクロックマーク信号に基づいて基準クロックを生成するクロック生成回路と、クロック生成回路によって生成された基準クロックの位相を遅延させた再生クロックを生成する遅延回路と、磁界を印加し、かつ、レーザ光を照射することによって基準クロックに同期して光磁気ディスクに記録された記録信号を、基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの遅延量を検出し、その検出した遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーを設定する制御回路とを備え、基準遅延量は、レーザ光のパワーを最適記録パワーに設定して光磁気ディスクに記録された信号を所定値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの遅延量である。
【００１０】
この発明による光磁気ディスク装置においては、基準クロックの位相に対する再生クロックの位相の遅延量を検出し、その検出した遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーが設定される。つまり、最適記録パワーのレーザ光を用いて記録された信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの位相は基準クロックの位相に対して基準遅延量だけ遅延されているため、最適記録パワーからずれた記録パワーで記録された信号を、基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの位相は基準クロックの位相に対して基準遅延量と異なる遅延量だけ遅延されている。したがって、記録信号を再生するときの再生クロックの位相が基準クロックの位相に対して基準遅延量だけ遅延されるように記録パワーを調整すれば、レーザ光の記録パワーは最適記録パワーに近づく。
【００１１】
したがって、この発明によれば、光磁気ディスクの周囲の温度が変化して光磁気ディスクに照射される実効的な記録パワーが変化しても、磁区の形成位置がほぼ一定になるようにレーザ光の記録パワーを調整して信号を記録できる。
【００１２】
好ましくは、光磁気ディスク装置は、周囲の温度を検出する温度センサーをさらに備え、制御回路は、温度センサーによって検出された周囲の温度が許容変化量を超えて変化したとき、磁界を印加し、かつ、レーザ光を照射することによって基準クロックに同期して光磁気ディスクに記録された記録信号を、基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの遅延量を検出し、その検出した遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーを設定する。
【００１３】
周囲の温度が許容変化量を超えて変化したとき、基準クロックに対する再生クロックの遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーが調整される。
【００１４】
したがって、この発明によれば、実際に温度が大きく変化した場合にレーザ光の記録パワーを調整できる。
【００１５】
好ましくは、光磁気ディスク装置の制御回路は、光磁気ディスクに信号を記録するたびに、磁界を印加し、かつ、レーザ光を照射することによって基準クロックに同期して光磁気ディスクに記録された記録信号を、基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの遅延量を検出し、その検出した遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーを設定する。
【００１６】
信号の記録動作のたびに、基準クロックに対する再生クロックの遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーが調整される。
【００１７】
したがって、この発明によれば、常にレーザ光の記録パワーを好適な範囲に設定して信号を記録できる。
【００１８】
好ましくは、光磁気ディスク装置の制御回路は、レーザ光の記録パワーと、記録パワーで記録された記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの遅延量との関係に基づいて、レーザ光の記録パワーの補正値を検出し、その検出した補正値に基づいて検出した遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーを設定する。
【００１９】
レーザ光の記録パワーと、基準値よりも小さいエラーレートで信号を再生するための再生クロックの位相の遅延量とは１対１に対応付けられている。制御回路は、記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの位相の遅延量を検出し、その検出した遅延量に基づいて記録時のパワーの補正値を検出する。そして、制御回路は、検出した補正値に基づいて記録パワーを設定し直す。
【００２０】
したがって、この発明によれば、記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの位相の遅延量を制御することによってレーザ光の記録パワーをほぼ一定に保持できる。
【００２１】
好ましくは、光磁気ディスク装置の制御回路は、検出した遅延量が基準遅延量よりも小さいときレーザ光の記録パワーを記録信号を記録したときの記録パワーよりも小さく設定し、検出した遅延量が基準遅延量よりも大きいときレーザ光の記録パワーを記録信号を記録したときの記録パワーよりも大きく設定する。
【００２２】
検出した遅延量が基準遅延量よりも小さいときは、記録時のレーザ光のパワーが最適記録パワーよりも大きいため、磁区は最適記録パワーのときよりも位相的に進んだ位置に形成される。そのため、レーザ光の記録パワーは小さくなるように制御される。また、検出した遅延量が基準遅延量よりも大きいときは、記録時のレーザ光のパワーが最適記録パワーよりも小さいため、磁区は最適記録パワーのときよりも位相的に遅れた位置に形成される。そのため、レーザ光の記録パワーは大きくなるように制御される。
【００２３】
したがって、この発明によれば、磁区の形成位置がほぼ一定になるように記録時のパワーを調整可能である。
【００２４】
好ましくは、光磁気ディスク装置は、光ピックアップによって検出された記録信号の検出信号である光磁気信号を復調およびエラー訂正して再生信号を出力する信号処理回路をさらに備え、信号処理回路は、基準クロックの位相に対する遅延量を変化させた再生クロックに同期して復調およびエラー訂正を行ない、制御回路は、信号処理回路におけるエラー訂正によって得られる誤り数に基づいて再生信号のエラーレートを検出し、その検出したエラーレートが基準値よりも小さくなる再生クロックの遅延量を検出する。
【００２５】
制御回路は、信号処理回路における再生信号の誤り個数に基づいて、光磁気ディスクに形成された磁区の中心付近にレーザ光を照射するためのタイミングを求める。
【００２６】
したがって、この発明によれば、任意の記録パワーにおいて、磁区の中心付近にレーザ光を照射するための再生クロックの遅延量を求めることができる。
【００２７】
好ましくは、光磁気ディスクは、各々が複数のフレームから成る複数のバンドを含み、複数のフレームの各々は、固定パターンを記録するためのヘッダ領域を有し、制御回路は、固定パターンの記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーを設定する。
【００２８】
光磁気ディスクに信号を記録する領域のうち、ヘッダ領域に記録された固定パターンを再生するときの再生クロックの遅延量に基づいてレーザ光の記録パワーが調整される。
【００２９】
したがって、この発明によれば、複数のフレームの各々において記録パワーを調整できる。
【００３０】
好ましくは、光磁気ディスクは、各々が複数のフレームから成る複数のバンドを含み、複数のフレームの各々は、固定パターンを記録するためのヘッダ領域と、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域とを有し、光磁気ディスク装置の制御回路は、ユーザデータ領域に記録されたユーザデータの記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーを設定する。
【００３１】
光磁気ディスクに信号を記録する領域のうち、ユーザデータ領域に記録されたユーザデータを再生するときの再生クロックの遅延量に基づいてレーザ光の記録パワーが調整される。
【００３２】
したがって、この発明によれば、各種の記録信号に基づいてレーザ光の記録パワーを調整できる。
【００３３】
また、この発明による記録方法は、レーザ光の記録パワーを好適な記録パワーに設定して、基準クロックを生成する元になるファインクロックマークを含む光磁気ディスクに信号を記録する記録方法であって、ファインクロックマークを検出したファインクロックマーク信号に基づいて基準クロックを生成する第１のステップと、レーザ光の記録パワーを好適な記録パワーに設定する第２のステップと、第２のステップによって設定された記録パワーによって光磁気ディスクに信号を記録する第３のステップとを含み、第２のステップは、基準クロックに同期して信号を光磁気ディスクに記録する第４のステップと、基準クロックの位相を遅延させた再生クロックを生成し、基準クロックの位相に対する再生クロックの位相の遅延量を変化させて第４のステップにおいて記録した信号を再生する第５のステップと、第５のステップにおいて再生した再生信号のエラーレートを検出し、その検出したエラーレートに基づいて基準値よりも小さいエラーレートを得るための再生クロックの遅延量を検出する第６のステップと、第６のステップにおいて検出した遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーを設定する第７のステップとから成り、基準遅延量は、レーザ光のパワーを最適記録パワーに設定して光磁気ディスクに記録された信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの遅延量である。
【００３４】
この発明による記録方法においては、ファインクロックマークに基づいて基準クロックが生成され、その生成された基準クロックに同期して光磁気ディスクに信号が記録される。そして、その記録された記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの遅延量が検出され、その検出された遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーが調整される。その後、調整された記録パワーで信号が記録される。
【００３５】
したがって、この発明によれば、信号を再生するときの再生クロックの遅延量を用いて迅速にレーザ光の記録パワーを調整できる。
【００３６】
好ましくは、第２のステップは、周囲の温度が許容変化量を超えて変化したときに実行される。
【００３７】
周囲の温度が許容変化量を超えて大きく変化したとき、記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの遅延量を用いてレーザ光の記録パワーが調整される。
【００３８】
したがって、この発明によれば、周囲の温度が実際に大きく変化したときにレーザ光の記録パワーを調整できる。
【００３９】
好ましくは、第７のステップにおいて、レーザ光の記録パワーと、記録パワーで記録された記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの遅延量との関係に基づいて、レーザ光の記録パワーの補正値を検出し、その検出した補正値に基づいて検出した遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーが設定される。
【００４０】
レーザ光の記録パワーと、基準値よりも小さいエラーレートで信号を再生するための再生クロックの位相の遅延量とは１対１に対応付けられている。記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの位相の遅延量が検出され、その検出された遅延量に基づいて記録パワーの補正値が検出される。そして、検出された補正値に基づいて記録パワーが設定し直される。
【００４１】
したがって、この発明によれば、記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの位相の遅延量を制御することによってレーザ光の記録パワーをほぼ一定に保持できる。
【００４２】
好ましくは、第７のステップにおいて、検出した遅延量が基準遅延量よりも小さいときレーザ光の記録パワーを記録信号を記録したときの記録パワーよりも小さく設定し、検出した遅延量が基準遅延量よりも大きいときレーザ光の記録パワーを記録信号を記録したときの記録パワーよりも大きく設定する。
【００４３】
検出した遅延量が基準遅延量よりも小さいときは、記録時のレーザ光のパワーが最適記録パワーよりも大きいため、磁区は最適記録パワーのときよりも位相的に進んだ位置に形成される。そのため、レーザ光の記録パワーは小さくなるように制御される。また、検出した遅延量が基準遅延量よりも大きいときは、記録時のレーザ光のパワーが最適記録パワーよりも小さいため、磁区は最適記録パワーのときよりも位相的に遅れた位置に形成される。そのため、レーザ光の記録パワーは大きくなるように制御される。
【００４４】
したがって、この発明によれば、磁区の形成位置がほぼ一定になるように記録時のパワーを調整可能である。
【００４５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。
【００４６】
図１を参照して、本発明による光磁気ディスク装置が信号の記録および／または再生の対象とする光磁気ディスクについて説明する。光磁気ディスク１００は、径方向に同心円状に配置された複数のバンドＢ０〜Ｂ１３を含む。各バンドＢ０〜Ｂ１３は、テスト領域ＴＳＲとデータ領域ＤＲとから成る。テスト領域ＴＳＲは、データ領域ＤＲよりも内周側に設けられる。
【００４７】
図２は、各バンドＢ０〜Ｂ１３の一部の構造を示す斜視図である。テスト領域ＴＳＲおよびデータ領域ＤＲは、透光性基板１００Ａの一主面にグルーブ１とランド２とが形成された構造を有する。グルーブ１およびランド２は、光磁気ディスク１００のラジアル方向ＤＲ２に交互に配置される。また、グルーブ１は、光磁気ディスク１００のタンジェンシャル方向ＤＲ１に４μｍ程度のランド３Ａを含み、ランド２は、タンジェンシャル方向ＤＲ１に４μｍ程度のグルーブ３Ｂを含む。ランド３Ａおよびグルーブ３Ｂは、光磁気ディスク１００のラジアル方向ＤＲ２に隣接して形成され、タンジェンシャル方向ＤＲ１に一定周期で形成される。そして、グルーブ１，３Ｂ、ランド２，３Ａの表面に覆うように磁性膜１００Ｂが形成されている。
【００４８】
磁性膜１００Ｂは、透光性基板１００Ａ側から再生層、非磁性層、および記録層をこの順で含む。再生層はＧｄＴｅＣｏから成り、非磁性層はＳｉＮから成り、記録層はＴｂＦｅＣｏから成る。グルーブ１およびランド２上に磁性膜１００Ｂを形成した状態で、グルーブ１のラジアル方向ＤＲ２の幅と、ランド２のラジアル方向ＤＲ２の幅とは等しく、グルーブ１およびランド２上の磁性膜に信号が記録される。
【００４９】
テスト領域ＴＳＲは、１つのグルーブと、グルーブに隣接する１つのランドとから成るトラックを３本有する。そして、テスト領域ＴＳＲは、後述するように、グルーブ１とランド２に信号を記録する際のレーザ光の記録パワーを最適化するために用いられる。
【００５０】
なお、ランド３Ａおよびグルーブ３Ｂを「ファインクロックマーク」と言い、後述するように基準クロックＣＬＫを生成する元になるものである。また、グルーブ１とランド２とはスパイラル状もしくは同心円状に配されている。
【００５１】
各バンドＢ０〜Ｂ１３には、フレーム（Ｆｒａｍｅ）単位で信号が記録および／または再生されるため、各バンドＢ０〜Ｂ１３は複数のフレームを含む。すなわち、図３を参照して、光磁気ディスク１００には、記録単位であるフレームが等間隔で配置されており、各フレームは３９個のセグメント（Ｓｅｇｍｅｎｔ）Ｓ０，Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓ３８によって構成されている。
【００５２】
そして、各セグメントの長さは、５３２ＤＣＢ（Ｄａｔａ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｂｉｔ）であり、各セグメントの先頭には、データの記録および再生を行なうクロックの位相情報を示すファインクロックマーク（ＦＣＭ：Ｆｉｎｅ Ｃｌｏｃｋ Ｍａｒｋ）３Ａ，３Ｂが形成されている。フレームの先頭であるセグメントＳ０には、ファインクロックマーク３Ａ，３Ｂに続いて、光磁気ディスク１００上のアドレスを示すアドレス情報（Ａｄｄｒｅｓｓ）がウォブル４〜９により光磁気ディスク１００の製造時にプリフォーマットされている。
【００５３】
ウォブル４とウォブル５、ウォブル６とウォブル７、およびウォブル８とウォブル９とは、グルーブ１の互いの反対側の壁に形成されており、同じアドレス情報が記録されている。かかるアドレス情報の記録方式を片側スタガ方式と言い、片側スタガ方式を採用することにより光磁気ディスク１００にチルト等が発生し、レーザ光がグルーブ１もしくはランド２の中心からずれた場合にも正確にアドレス情報を検出することができる。
【００５４】
アドレス情報が記録された領域とファインクロックマーク３Ａ，３Ｂが形成された領域はユーザデータを記録する領域としては利用されない。また、セグメントＳｎは、ファインクロックマーク３Ａ，３ＢとユーザデータＵｓｅｒ Ｄａｔａ ｎ−１とにより構成される。
【００５５】
図４を参照して、バンドＢ０〜Ｂ１３の各々は、ｍ個のフレームＦ０〜Ｆｍ−１から成る。フレームの個数は各バンドＢ０〜Ｂ１３によって異なる。また、１つのフレームは、上述したように３９個のセグメントＳ０〜Ｓ３８から成る。図４に示すようなデータフォーマットに従って光磁気ディスク１００に信号が記録および／または再生される。
【００５６】
図５を参照して、セグメントの詳細な構成について説明する。フレームを構成する各セグメントＳ０，Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓ３８のうち、セグメントＳ０は光磁気ディスク１００上にプリフォーマットされたアドレスセグメントであり、セグメントＳ１からセグメントＳ３８は、ユーザデータの記録領域として確保されたデータセグメントである。セグメントＳ０は、１２ＤＣＢのファインクロックマーク領域ＦＣＭと５２０ＤＣＢのアドレスＡｄｄｒｅｓｓとから構成され、セグメントＳ１は、１２ＤＣＢのファインクロックマーク領域ＦＣＭと、４ＤＣＢのＰｒｅ−Ｗｒｉｔｅと、５１２ＤＣＢのＤａｔａと、４ＤＣＢのＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅとから構成される。
【００５７】
Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅは、データの書出しを示すものであり、たとえば、所定のパターン「００１１」から構成され、Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅはデータの終わりを示すものであり、たとえば、所定のパターン「１１００」から構成される。
【００５８】
また、セグメントＳ１のユーザデータ領域には、再生時のデータの位置確認、再生クロックの位置補償、レーザパワー調整等を行なうための固定パターンであるヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）が設けられている。ヘッダに記録する固定パターンは直流成分を抑えたパターン（「ＤＣフリーであるパターン」とも言う、以下同じ。）であり、たとえば、２Ｔのドメインを２Ｔの間隔で所定個数形成したものと、８Ｔのドメインを８Ｔの間隔で所定個数形成したものとが記録される。
【００５９】
そして、２Ｔのドメインを再生して得られるアナログ信号のサンプリングのタイミングが、信号の記録に用いる基準クロックの位相を遅延させた再生クロックの位相に一致するように調整することによって位相補償を行ない、２Ｔのドメインと８Ｔのドメインとを再生し、８Ｔのドメインの再生信号強度に対する２Ｔのドメインの再生信号強度の比が５０％以上になるようにレーザパワーの調整を行なう。また、８Ｔのドメインを再生し、再生信号を２値化したディジタル信号の位置が予め予想された８Ｔのドメインのディジタル信号の位置と一致するかを確認することによって再生時の信号の位置確認を行なう。さらに、Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ、Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ、およびＨｅａｄｅｒの各パターンは、ユーザデータの記録時にユーザデータと連続して記録される。
【００６０】
セグメントＳ２〜Ｓ３８は、１２ＤＣＢのファインクロックマーク領域ＦＣＭと、４ＤＣＢのＰｒｅ−Ｗｒｉｔｅと、５１２ＤＣＢのＤａｔａと、４ＤＣＢのＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅとから構成される。
【００６１】
なお、ファインクロックマークＦＣＭおよびアドレスＡｄｄｒｅｓｓのようにプリフォーマットされた領域を「プリフォーマット領域」という。
【００６２】
図６を参照して、本発明による光磁気ディスク装置について説明する。光ディスク装置２００は、スピンドルモータ１０１と、光ピックアップ１０２と、ファインクロックマーク検出回路（ＦＣＭ検出回路）１０３と、ＰＬＬ回路１０４と、アドレス検出回路１０５と、ＢＰＦ１０６と、ＡＤ変換器１０７と、波形等化回路１０８と、ビタビ復号回路１０９と、アンフォーマット回路１１０と、データ復調回路１１１と、ＢＣＨデコーダ１１２と、ヘッダ検出回路１１３と、コントローラ１１４と、タイミング発生回路１１５と、ＢＣＨエンコーダ１１６と、データ変調回路１１７と、フォーマット回路１２６と、磁気ヘッド駆動回路１２３と、レーザ駆動回路１２４と、磁気ヘッド１２５と、遅延回路１２７と、温度センサー１２８とを備える。フォーマット回路１２６は、パターン発生回路１１９と、セレクタ回路１２０とを含む。
【００６３】
スピンドルモータ１０１は、光磁気ディスク１００を所定の回転数で回転させる。光ピックアップ１０２は、光磁気ディスク１００にレーザ光を照射し、その反射光を検出する。ＦＣＭ検出回路１０３は、光ピックアップ１０２が光磁気ディスク１００のファインクロックマーク３Ａ，３Ｂの位置を示すファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴを検出し、その検出したファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴをＰＬＬ回路１０４、およびタイミング発生回路１１５へ出力する。
【００６４】
また、ＰＬＬ回路１０４は、ＦＣＭ検出回路１０３から出力されたファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴに基づいて基準クロックＣＬＫを生成し、その生成した基準クロックＣＬＫをタイミング発生回路１１５、データ変調回路１１７、フォーマット回路１２６のパターン発生回路１１９、および遅延回路１２７へ出力する。遅延回路１２７は、ＰＬＬ回路１０４からの基準クロックＣＬＫの位相をコントローラ１１４からの制御に基づいて一定量遅延させ、その遅延させた再生クロックＣＬＫＳをアドレス検出回路１０５、ＡＤ変換器１０７と、波形等化回路１０８、ビタビ復号回路１０９、アンフォーマット回路１１０、データ復調回路１１１、およびコントローラ１１４へ出力する。
【００６５】
また、アドレス検出回路１０５は、光ピックアップ１０２が光磁気ディスク１００のセグメントＳ０からラジアルプッシュプル法により検出したアドレス情報ＡＤＡを入力し、遅延回路１２７から入力された再生クロックＣＬＫＳに同期してアドレス情報ＡＤを検出すると共に、アドレス情報ＡＤを検出したことを示すアドレス検出信号ＡＤＦをアドレス情報の最終位置で生成する。そして、検出したアドレス情報ＡＤをコントローラ１１４へ出力し、生成したアドレス検出信号ＡＤＦをヘッダ検出回路１１３およびタイミング発生回路１１５へ出力する。
【００６６】
また、ＢＰＦ１０６は、光磁気ディスク１００から再生した再生信号ＲＦの高域と低域とを除去する。ＡＤ変換器１０７は、遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期して再生信号ＲＦをアナログ信号からディジタル信号に変換する。
【００６７】
波形等化回路１０８は、遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期してディジタル信号に変換された再生信号ＲＦにＰＲ（１，１）波形等化を行なう。すなわち、検出信号の前後のデータが１対１に波形干渉を行なうように等化する。
【００６８】
ビタビ復号回路１０９は、遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期して再生信号ＲＦを多値から２値に変換し、その変換した再生信号ＲＦをアンフォーマット回路１１０、およびヘッダ検出回路１１３へ出力する。
【００６９】
アンフォーマット回路１１０は、ヘッダ検出回路１１３から光磁気ディスク１００のユーザデータ領域に記録されたプリライト（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ）、ポストライト（Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ）、およびヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）を除去する。
【００７０】
データ復調回路１１１は、遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期してアンフォーマットされた再生信号ＲＦを入力して、記録時に施されたディジタル変調を解くための復調を行なう。
【００７１】
ＢＣＨデコーダ１１２は、復調された再生信号の誤り訂正を行ない、再生データとして出力する。ヘッダ検出回路１１３は、コントローラ１１４から入力されたアドレス情報およびアドレス検出回路１０５から入力されたアドレス検出信号ＡＤＦに基づいて再生信号に含まれるヘッダの位置を検出し、遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期して再生信号からプリライト（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ）およびヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）のタイミング信号を生成する。そして、生成したヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）のタイミング信号をアンフォーマット回路１１０およびデータ復調回路１１１へ出力する。
【００７２】
コントローラ１１４は、アドレス検出回路１０５で検出されたアドレス情報ＡＤを受け、そのアドレス情報ＡＤに基づいてサーボ機構（図示せず）を制御して光ピックアップ１０２を所望の位置にアクセスさせる。また、コントローラ１１４は、遅延回路１２７からのクロックＣＫに同期してアドレス情報ＡＤをヘッダ検出回路１１３へ出力するとともに、タイミング発生回路１１５を制御する。さらに、コントローラ１１４は、後述する方法によってレーザ光の記録パワーの調整を行なう場合、基準クロックＣＬＫの位相に対する再生クロックの位相の遅延量を制御し、ＢＣＨデコーダ１１２から入力した誤り数に基づいて再生信号のエラーレートを検出する。また、さらに、コントローラ１１４は、再生信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するため再生クロックＣＬＫＳの遅延量を検出し、その検出した遅延量に基づいてレーザ光の記録パワーを好適な記録パワーに設定する。
【００７３】
タイミング発生回路１１５は、コントローラ１１４からの制御に基づいて、ＦＣＭ検出回路１０３から入力されたファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴ、およびアドレス検出回路１０５から入力されたアドレス最終位置検出信号ＡＤＦに基づいて、ＰＬＬ回路１０４から入力された基準クロックＣＬＫに同期してタイミング信号ＳＳを生成し、その生成したタイミング信号ＳＳをフォーマット回路１２６のパターン発生回路１１９およびセレクタ回路１２０、磁気ヘッド駆動回路１２３、およびレーザ駆動回路１２４へ出力する。
【００７４】
ＢＣＨエンコーダ１１６は、記録データに誤り訂正符号を付加する。データ変調回路１１７は、記録データを所定の方式に変調する。フォーマット回路１２６は、ＰＬＬ回路１０４からのクロックＣＬＫに同期し、かつ、タイミング発生回路１１５からのタイミング信号ＳＳに基づいて、データ変調回路１１７からの記録データにプリライト（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ）、ヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）、およびポストライト（Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ）を追加して記録データをユーザデータ領域にマッチするようにフォーマットする。そして、フォーマット回路１２６は、そのフォーマットした記録データと、プリフォーマット領域に記録すべきパターンデータとを、タイミング発生回路１１５からのタイミング信号ＳＳに基づいて選択的に磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。
【００７５】
パターン発生回路１１９は、プリフォーマット領域に記録すべきパターンデータと、プリライト（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ）、ヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）、およびポストライト（Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ）としてのパターンデータとをＰＬＬ回路１０４からの基準クロックＣＬＫに同期して生成し、その生成したデータパターンをセレクタ回路１２０へ出力する。
【００７６】
セレクタ回路１２０は、タイミング発生回路１１５からのタイミング信号ＳＳに基づいて、データ変調回路１１７からの記録データと、パターン発生回路１１９からのパターンデータとを選択して磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。
【００７７】
磁気ヘッド駆動回路１２３は、タイミング発生回路１１５からのタイミング信号ＳＳの各タイミングに同期し、かつ、フォーマット回路１２６からの出力に基づいて磁気ヘッド１２５を駆動する。
【００７８】
レーザ駆動回路１２４は、タイミング発生回路１１５からのタイミング信号ＳＳに基づいて、光ピックアップ１０２中の半導体レーザ（図示せず）を駆動する。
【００７９】
磁気ヘッド１２５は、磁気ヘッド駆動回路１２３によって駆動され、記録データまたはデータパターンによって磁界変調された磁界を光磁気ディスク１００に印加する。温度センサー１２８は、周囲の温度を検出し、その検出した温度をコントローラ１１４へ出力する。
【００８０】
図７を参照して、光磁気ディスク１００からのアドレス情報ＡＤ、ファインクロックマークＦＣＭ、および光磁気信号ＲＦの検出について説明する。領域１０および領域３０は、光磁気ディスク１００の製造時にプリフォーマットされるプリフォーマット領域を構成する。領域１０は、ウォブル４〜７とファインクロックマーク３Ａ，３Ｂとが形成される。また、領域３０は、ファインクロックマーク３Ａ，３Ｂが形成される。領域２０は、ユーザデータ領域を構成し、ユーザデータが記録される。
【００８１】
光磁気ディスク１００にレーザ光を照射し、その反射光を検出する光ピックアップ１０２中の光検出器１０２０は、６つの検出領域１０２０Ａ，１０２０Ｂ，１０２０Ｃ，１０２０Ｄ，１０２０Ｅ，１０２０Ｆを有する。領域Ａ１０２０Ａと領域Ｂ１０２０Ｂ、および領域Ｃ１０２０Ｃと領域Ｄ１０２０Ｄは光磁気ディスク１００のタンジェンシャル方向ＤＲ１に配置され、領域Ａ１０２０Ａと領域Ｄ１０２０Ｄ、領域Ｂ１０２０Ｂと領域Ｃ１０２０Ｃ、および領域Ｅ１０２０Ｅと領域Ｆ１０２０Ｆは光磁気ディスク１００のラジアル方向ＤＲ２に配置される。
【００８２】
領域Ａ１０２０Ａ、領域Ｂ１０２０Ｂ、領域Ｃ１０２０Ｃ、および領域Ｄ１０２０Ｄは、それぞれ、光磁気ディスク１００に照射されたレーザ光ＬＢのＡ領域、Ｂ領域、Ｃ領域、およびＤ領域での反射光を検出する。また、領域Ｅ１０２０Ｅ、および領域Ｆ１０２０Ｆは、レーザ光ＬＢのＡ領域、Ｂ領域、Ｃ領域、およびＤ領域の全体で反射されたレーザ光を、光ピックアップ１０２のウォラストンプリズム（図示せず）によって偏光面の異なる２つの方向に回折されたレーザ光を検出する。
【００８３】
ユーザデータ領域である領域２０に記録された光磁気信号の再生信号ＲＦは、光検出器１０２０の領域Ｅ１０２０Ｅで検出されたレーザ光強度［Ｅ］と領域Ｆ１０２０Ｆで検出されたレーザ光強度［Ｆ］との差を演算することによって検出される。すなわち、回路４０の差分器４００は、領域Ｅ１０２０Ｅで検出されたレーザ光強度［Ｅ］と領域Ｆ１０２０Ｆで検出されたレーザ光強度［Ｆ］との差分を演算し、再生信号ＲＦ＝［Ｅ］−［Ｆ］を出力する。
【００８４】
プリフォーマット領域を構成する領域１０のウォブル４〜７によって記録されたアドレス情報ＡＤの再生信号は、ラジアルプッシュプル法によって検出され、領域Ａ１０２０Ａで検出されたレーザ光強度［Ａ］と領域Ｂ１０２０Ｂで検出されたレーザ光強度［Ｂ］との和から領域Ｃ１０２０Ｃで検出されたレーザ光強度［Ｃ］と領域Ｄ１０２０Ｄで検出されたレーザ光強度［Ｄ］との和を減じたものとして検出される。すなわち、アドレス情報ＡＤは、回路５０を構成する加算器５００，５０１と減算器５０２とによって検出される。加算器５００は、領域Ａ１０２０Ａで検出されたレーザ光強度［Ａ］と領域Ｂ１０２０Ｂで検出されたレーザ光強度［Ｂ］とを加算した［Ａ＋Ｂ］を出力する。加算器５０１は、領域Ｃ１０２０Ｃで検出されたレーザ光強度［Ｃ］と領域Ｄ１０２０Ｄで検出されたレーザ光強度［Ｄ］とを加算した［Ｃ＋Ｄ］を出力する。そして、減算器５０２は、加算器５００の出力［Ａ＋Ｂ］から加算器５０１の出力［Ｃ＋Ｄ］を減算してアドレス情報の再生信号ＡＤ＝［Ａ＋Ｂ］−［Ｃ＋Ｄ］を出力する。
【００８５】
また、プリフォーマット領域を構成する領域３０のファインクロックマーク３Ａ，３Ｂは、タンジェンシャルプッシュプル法により検出され、領域Ａ１０２０Ａで検出されたレーザ光強度［Ａ］と領域Ｄ１０２０Ｄで検出されたレーザ光強度［Ｄ］との和から領域Ｂ１０２０Ｂで検出されたレーザ光強度［Ｂ］と領域Ｃ１０２０Ｃで検出されたレーザ光強度［Ｃ］との和を減じたものとして検出される。すなわち、ファインクロックマーク３Ａ，３Ｂは、回路５０を構成する加算器５０３，５０４と減算器５０５とによって検出される。加算器５０３は、領域Ａ１０２０Ａで検出されたレーザ光強度［Ａ］と領域Ｄ１０２０Ｄで検出されたレーザ光強度［Ｄ］とを加算した［Ａ＋Ｄ］を出力する。加算器５０４は、領域Ｂ１０２０Ｂで検出されたレーザ光強度［Ｂ］と領域Ｃ１０２０Ｃで検出されたレーザ光強度［Ｃ］とを加算した［Ｂ＋Ｃ］を出力する。そして、減算器５０５は、加算器５０３の出力［Ａ＋Ｄ］から加算器５０４の出力［Ｂ＋Ｃ］を減算してファインクロックマークの再生信号ＦＣＭ＝［Ａ＋Ｄ］−［Ｂ＋Ｃ］を出力する。
【００８６】
図８を参照して、図６に示す光磁気ディスク装置２００を構成するＰＬＬ回路１０４の構成を説明する。ＰＬＬ回路１０４は、位相比較回路１０４１と、ＬＰＦ１０４２と、電圧制御発振器（ＶＣＯ）１０４３と、１／５３２分周器１０４４とを備える。１／５３２分周器１０４４は、電圧制御発振器（ＶＣＯ）１０４３から出力される基準クロックＣＬＫを１／５３２に分周する。位相比較器１０４１は、１／５３２分周器１０４４により分周されたクロックＣＫ１の位相をファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴの位相と比較し、その位相差に応じた誤差電圧を発生する。したがって、このＰＬＬ回路１０４は、ファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴに同期し、かつ、ファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴの１／５３２の周期を有する基準クロックＣＬＫを生成する。
【００８７】
図９を参照して、ファインクロックマーク３Ａ，３Ｂの検出、および基準クロックＣＬＫの生成について説明する。光ピックアップ１０２の光検出部１０２０は、上記図７を参照して説明したようにタンジェンシャルプッシュプル法によりファインクロックマーク信号３Ａ，３Ｂを検出し、その検出したファインクロックマーク信号ＦＣＭをＦＣＭ検出回路１０３へ出力する。ＦＣＭ検出回路１０３は、入力されたファインクロックマーク信号ＦＣＭに基づいてファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴを生成する。すなわち、ＦＣＭ検出回路１０３においては、ファインクロックマーク信号ＦＣＭは、所定のレベルでコンパレートされ、信号ＦＣＭＣに変換される。そして、信号ＦＣＭＣは信号／ＦＣＭＣに反転される。その後、ファインクロックマーク信号ＦＣＭの極性が切替わる点Ｐの位置に立ち上がりエッジが同期し、かつ、６ＤＣＢの振幅幅を有する検出窓信号ＤＥＷＩＮが生成され、信号／ＦＣＭＣと検出窓信号ＤＥＷＩＮとの論理積が演算されて信号ＦＣＭＰが生成される。そうすると、信号ＦＣＭＰの立ち上がりに同期した１ＤＣＢの振幅幅を有するファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴを生成する。
【００８８】
なお、図９のファインクロックマーク信号ＦＣＭは、レーザ光が光磁気ディスク１００のグルーブ１を走行する場合に検出されるファインクロックマーク信号について説明した。レーザ光がランド２を走行する場合に検出されるファインクロックマーク信号は、その極性が変わるだけであり、点Ｐの位置は変化しない。したがって、レーザ光がランド２を走行する場合も、同様に信号ＦＣＭＰおよびファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴを生成できる。
【００８９】
ＦＣＭ検出回路１０３は、検出したファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴをＰＬＬ回路１０４へ出力する。ＰＬＬ回路１０４は、上記図８を参照して説明したようにファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴに同期し、かつ、ファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴを１／５３２に分周した基準クロックＣＬＫを生成する。
【００９０】
図１０を参照して、アドレス検出回路１０５におけるアドレス情報の検出と、アドレス検出信号の生成とについて説明する。光ピックアップ１０２は、上記図７を参照して説明したように、ラジアルプッシュプル法によりウォブルで記録されたアドレス信号ＡＤＡを検出し、アドレス信号ＡＤＡはアドレス検出回路１０５へ入力される。アドレス検出回路１０５は、アドレス信号ＡＤＡを２値化した２値化信号ＡＤＤを生成し、２値化信号ＡＤＤに基づいてアドレス情報ＡＤを検出する。それとともに、アドレス検出回路１０５は、２値化信号ＡＤＤとアドレス情報ＡＤとに基づいて、アドレス信号の最終位置Ｆを示すアドレス検出信号ＡＤＦを遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期して生成する。このアドレス検出信号ＡＤＦは、アドレス情報の最終位置Ｆを含むような一定の長さＴが決定されて生成される。すなわち、２値化信号ＡＤＤの最初の位置に同期する再生クロックＣＬＫＳの成分からアドレス信号の最終位置Ｆに同期する再生クロックＣＬＫＳの成分までをカウントする。そして、最終位置Ｆにおけるカウント値をＫとし、カウント値Ｋを中心にして前後にｍカウント分だけずれたカウント値Ｋ−ｍとカウント値Ｋ＋ｍとの間に一定の長さＴを有するパルス成分が発生するようにアドレス検出信号ＡＤＦを生成する。
【００９１】
図１１を参照して、タイミング発生回路１１５におけるタイミング信号ＳＳの生成について説明する。アドレス検出回路１０５からアドレス検出信号ＡＤＦが入力され、ＦＣＭ検出回路１０３からファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴが入力され、ＰＬＬ回路１０４から基準クロックＣＬＫが入力されると、タイミング発生回路１１５は、いずれのファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴのタイミングでアドレス検出信号ＡＤＦが存在するか否かを判別し、アドレス検出信号ＡＤＦが存在したファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴの成分ＦＣＭＴ１と、成分ＦＣＭＴ１の前に存在する成分ＦＣＭＴ２とを含むような成分ＳＳ１と、ファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴの成分ＦＣＭＴ３，ＦＣＭＴ４のみを含むような成分ＳＳ２，ＳＳ３とから成るタイミング信号ＳＳを基準クロックＣＬＫに同期して生成する。この場合、ファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴの成分ＦＣＭＴ１，ＦＣＭＴ２，ＦＣＭＴ３，ＦＣＭＴ４の各々は、ファインクロックマーク３Ａ，３Ｂの中心位置に同期しており、ファインクロックマーク３Ａ，３Ｂの長さは１２ＤＣＢと予め決定されているので、タイミング発生回路１１５は、ウォブル４，５が形成された領域と、その領域の両側に存在するファインクロックマーク３Ａ，３Ａ（または３Ｂ，３Ｂ）の領域とを包含するように成分ＳＳ１を生成し、ファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴの成分ＦＣＭＴ３，ＦＣＭＴ４に対応するファインクロックマーク３Ａ，３Ａ（または３Ｂ，３Ｂ）の領域を包含するように成分ＳＳ２，ＳＳ３を生成し、ユーザデータを記録する領域２０，２０，２０に対応するように成分ＳＳ４，ＳＳ５，ＳＳ６を生成する。
【００９２】
図１２を参照して、図６に示すフォーマット回路１２６を構成するセレクタ回路１２０の動作について説明する。タイミング発生回路１１５からタイミング信号ＳＳがセレクタ回路１２０に入力されると、セレクタ回路１２０は、タイミング信号ＳＳに基づいてデータ変調回路１１７からの記録データと、パターン発生回路１１９からのパターンデータとを選択する。セレクタ回路１２０は、タイミング信号ＳＳがＨ（論理ハイ）レベルのときパターン発生回路１１９からのパターンデータを選択し、タイミング信号ＳＳがＬ（論理ロー）レベルのときデータ変調回路１１７からの記録データを選択する。
【００９３】
光磁気ディスク１００上でのデータ構成ＤＦがＦＣＭ／ａｄｄｒｅｓｓ／ＦＣＭ／Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ／Ｈｅａｄｅｒ／Ｄａｔａ／Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ／ＦＣＭ／Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ／Ｄａｔａ／Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅである場合にデータ変調回路１１７から記録データＷＤが出力され、パターン発生回路１１９からパターンデータＫＤが出力されると、セレクタ回路１２０は、タイミング信号ＳＳの成分ＳＳ１に基づいて、パターン発生回路１１９からのパターンデータ「１１１１００００１１１１００００」を選択して磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。続いて、セレクタ回路１２０は、成分ＳＳ４に基づいて、データ変調回路１１７からの記録データのうち４ｂｉｔｓのＰｒｅ−Ｗｒｉｔｅ、３２０ｂｉｔｓのＨｅａｄｅｒ、１９２ｂｉｔｓのＤａｔａ、４ｂｉｔｓのＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅを選択して磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。さらに、続いて、セレクタ回路１２０は、成分ＳＳ２に基づいて、パターン発生回路１１９からのデータパターン「１１００」を選択して磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。またさらに、続いて、セレクタ回路１２０は、成分ＳＳ５に基づいて、データ変調回路１１７からの記録データＷＤのうち、４ｂｉｔｓのＰｒｅ−Ｗｒｉｔｅ、５１２ｂｉｔｓのＤａｔａ、４ｂｉｔｓのＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅを選択して磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。これにより、磁気ヘッド駆動回路１２３へ記録データ列ＫＷＤが出力される。
【００９４】
図１２から明らかなように、記録データ列ＫＷＤを磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力することにより、光磁気ディスク１００上のＦＣＭ／ａｄｄｒｅｓｓ／ＦＣＭが形成された領域１０に光磁気信号「１１１１００００１１１１００００」が記録され、ＦＣＭが形成された領域３０に光磁気信号「１１００」が記録される。これによって、光磁気ディスク１００上のデータ構成ＤＦの全ての領域に光磁気信号を記録することができ、ユーザデータ領域である領域２０からデータを再生した場合に、直流成分が抑制され、正確に信号再生を行なうことができる。
【００９５】
プリフォーマット領域を構成する領域１０，３０に記録するパターンデータは、上述したパターンデータに限らず、一般に所定長さを有する論理レベルが交互に反対のパターンデータであれば良く、「１０１０１０１０…」や、「１１００１１００１１００…」や、「１１１０００１１１０００…」等であっても良い。また、所定長さを有する論理レベルが交互に反対のパターンデータでなくても「１００００１００００１００００…」のように所定の間隔で「１」が記録されるようなパターンデータであっても良い。この場合、一般的には、「１」と「１」との間隔は、ユーザデータの変調を行なうディジタル変調方式における最大の信号長より短く設定されたものであれば良い。ファインクロックマーク領域ＦＣＭの長さが１２ＤＣＢの場合、「１」と「１」との間隔は１１ＤＣＢ以下であれば良い。また、論理レベルが反転した場合も同様であり、さらに、周期性を有するパターンであればいずれの位相から開始しても良い。
【００９６】
光磁気ディスク１００には、欠損によりユーザデータを記録することができないディフェクトエリアが存在することがあり、その場合、図３に示すコントローラ１１４は、アドレス検出回路１０５が検出したアドレス情報ＡＤと、ＤＭＡ（Ｄｅｆｅｃｔ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ Ａｒｅａ）に予め記録されているディフェクトフレームのアドレス情報とにより、ディフェクトフレームを特定する。そして、ディフェクトフレームの検出信号を出力する。コントローラ１１４はディフェクトフレームの検出信号をタイミング発生回路１１５へ出力し、タイミング発生回路１１５は、ディフェクトフレームに記録するデータとしてパターン発生回路１１９からのデータパターンを選択するようにタイミング信号ＳＳを生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。これにより、セレクタ回路１２０は、ディフェクトフレームに記録するデータをパターン発生回路１１９から選択し、磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。したがって、ディフェクトフレームがある場合にも、そのディフェクトフレームに光磁気信号が記録されるので、ディフェクトエリアに続くユーザデータ領域からデータを再生した場合にも直流成分が重畳されることがなく、正確な信号再生が可能である。
【００９７】
図１３を参照して、フォーマット回路１２６を構成するパターン発生回路１１９およびセレクタ回路１２０と、タイミング発生回路１１５とについて詳細に説明する。
【００９８】
タイミング発生回路１１５は、５３２計上カウンタ１１５０と、一致回路１１５１と、３９計上カウンタ１１５２と、カウンタ値比較回路群１１５３とから成る。５３２計上カウンタ１１５０は、ＦＣＭ検出回路１０３からのファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴが入力されるとリセットされ、ＰＬＬ回路１０４から入力された基準クロックＣＬＫをカウントし、そのカウント値を一致回路１１５１およびカウント値比較回路群１１５３へ出力する。一致回路１１５１は、５３２計上カウンタ１１５０から入力されるカウント値の最大カウント値が５３１に一致するか否かを判別し、一致するとき一致信号ＭＴＣを３９計上カウンタ１１５２へ出力する。３９計上カウンタ１１５２は、アドレス検出回路１０５から入力されるアドレス検出信号ＡＤＦによってリセットされ、一致信号ＭＴＣをカウントし、そのカウント値をカウンタ値比較回路群１１５３へ出力する。
【００９９】
カウンタ値比較回路群１１５３は、３９計上カウンタ１１５２から入力されたカウント値に基づいて光磁気ディスク１００のセグメントＳ０〜Ｓ３８を特定し、５３２計上カウンタ１１５０から入力されたカウント値に基づいてセグメントＳ０〜Ｓ３８の各々におけるファインクロックマーク、Ａｄｄｒｅｓｓ、Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ、Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ、Ｈｅａｄｅｒ、およびＤａｔａ等の位置を特定する。そして、カウンタ値比較回路群１１５３は、特定したファインクロックマークの位置に基づいて、ファインクロックマークタイミング信号ＴＳＦＣＭ１〜３をパターン発生回路１１９のＦＣＭパターン発生回路１１９０およびセレクタ回路１２０へ出力する。また、カウンタ値比較回路群１１５３は、特定したＨｅａｄｅｒの位置に基づいて、ヘッダタイミング信号ＴＳＨＥＤをパターン発生回路１１９のＨｅａｄｅｒパターン発生回路１１９１およびセレクタ回路１２０へ出力する。さらに、カウンタ値比較回路群１１５３は、特定したＡｄｄｒｅｓｓの位置に基づいて、アドレスタイミング信号ＴＳＡＤをパターン発生回路１１９のアドレスパターン発生回路１１９２およびセレクタ回路１２０へ出力する。またさらに、カウンタ値比較回路群１１５３は、特定したＰｒｅ−Ｗｒｉｔｅの位置に基づいて、プリライトタイミング信号ＴＳＰＲＷ１，２をパターン発生回路１１９のＰｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９３およびセレクタ回路１２０へ出力する。またさらに、カウンタ値比較回路群１１５３は、特定したＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅの位置に基づいて、ポストライトタイミング信号ＴＳＰＯＷ１，２をパターン発生回路１１９のＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９４およびセレクタ回路１２０へ出力する。またさらに、カウンタ値比較回路群１１５３は、特定したデータの位置に基づいて、データタイミング信号ＴＳＤＡ１，２をフォーマット回路１１８およびセレクタ回路１２０へ出力する。またさらに、カウンタ値比較回路群１１５３は、アドレス検出回路１０５からディフェクトフレーム検出信号が入力されると、固定タイミング信号ＴＳＨＬＤを固定パターン発生回路１１９の固定パターン発生回路１１９５およびセレクタ回路１２０へ出力する。
【０１００】
パターン発生回路１１９は、ＦＣＭパターン発生回路１１９０と、Ｈｅａｄｅｒパターン発生回路１１９１と、アドレスパターン発生回路１１９２と、Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９３と、Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９４と、固定パターン発生回路１１９５とから成る。ＦＣＭパターン発生回路１１９０は、ファインクロックマークタイミング信号ＴＳＦＣＭ１〜３に同期してファインクロックマーク３Ａ，３Ｂが形成された領域に記録すべきパターンデータを生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。Ｈｅａｄｅｒパターン発生回路１１９１は、ヘッダタイミング信号ＴＳＨＥＤに同期してＨｅａｄｅｒ領域に記録すべきパターンデータを生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。
【０１０１】
アドレスパターン発生回路１１９２は、アドレスタイミング信号ＴＳＡＤに同期してアドレス領域に記録すべきパターンデータを生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９３は、プリライトタイミング信号ＴＳＰＲＷ１，２に同期してプリライト領域に記録すべきパターンデータを生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。
【０１０２】
Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９４は、ポストライトタイミング信号ＴＳＰＯＷ１，２に同期してポストライト領域に記録すべきパターンデータを生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。固定パターン発生回路１１９５は、固定タイミング信号ＴＳＨＬＤに同期して傷が存在するフレームに記録すべきパターンデータを生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。
【０１０３】
セレクタ回路１２０は、カウンタ値比較回路群１１５３から入力されたファインクロックマークタイミング信号ＴＳＦＣＭ１〜３に同期して、ＦＣＭパターン発生回路１１９０から入力されたファインクロックマーク領域に記録すべきパターンデータを磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。また、セレクタ回路１２０は、カウンタ値比較回路群１１５３から入力されたヘッダタイミング信号ＴＳＨＥＤに同期して、ＦＣＭパターン発生回路１１９０から入力されたヘッダ領域に記録すべきパターンデータを磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。さらに、セレクタ回路１２０は、カウンタ値比較回路群１１５３から入力されたアドレスタイミング信号ＴＳＡＤに同期して、アドレスパターン発生回路１１９２から入力されたアドレス領域に記録すべきパターンデータを磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。またさらに、セレクタ回路１２０は、カウンタ値比較回路群１１５３から入力されたプリライトタイミング信号ＴＳＰＲＷ１，２に同期して、Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９３から入力されたプリライト領域に記録すべきパターンデータを磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。またさらに、セレクタ回路１２０は、カウンタ値比較回路群１１５３から入力されたポストライトタイミング信号ＴＳＰＯＷ１，２に同期して、Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９４から入力されたポストライト領域に記録すべきパターンデータを磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。またさらに、セレクタ回路１２０は、カウンタ値比較回路群１１５３から入力された固定タイミング信号ＴＳＨＬＤに同期して、固定パターン発生回路１１９５から入力された欠損が存在するフレーム全体に記録すべきパターンデータを磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。
【０１０４】
図１３〜１５を参照して、タイミング発生回路１１５、パターン発生回路１１９、およびセレクタ回路１２０の動作について説明する。タイミング発生回路１１５の５３２計上カウンタ１１５０は、ＦＣＭ検出回路１０３からのファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴが入力されるとカウント値をリセットし、ＰＬＬ回路１０４から入力された基準クロックＣＬＫをカウントする。すなわち、図１４のファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴの成分Ｓ１，Ｓ２，…が入力されるとリセットし、隣接成分Ｓ１，Ｓ２間における基準クロックＣＬＫをカウントする。ファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴの隣接成分Ｓ１，Ｓ２間には、通常、５３２個のクロック成分が存在するため、５３２計上カウンタ１１５０は、カウント値０〜５３１を一致回路１１５１およびカウンタ値比較回路群１１５３へ出力する。
【０１０５】
そうすると、一致回路１１５２は、入力されたカウント値のうち、最大のカウント値が５３１であるか否かを判別し、５３１に一致するとき一致信号ＭＴＣを３９計上カウンタ１１５２へ出力する。そうすると、３９計上カウンタ１１５２は、アドレス検出回路１０５からアドレス検出信号ＡＤＦが入力されるとリセットされ、一致信号ＭＴＣをカウントし、そのカウント値０〜３８をカウント値比較回路群１１５３へ出力する。なお、アドレス検出信号ＡＤＦは、１フレームごと、すなわち、３９セグメントごとに入力されるので、３９計上カウンタ１１５２は、０〜３８のカウント値をカウント値比較回路群１１５３へ出力する。
【０１０６】
カウント値比較回路群１１５３は、３９計上カウンタ１１５２から入力されたカウント値が「０」のとき、セグメントＳ０、すなわちアドレス情報ＡＤがプリフォーマットされている領域であることを認識する。次に、カウント値比較回路群１１５３は、５３２計上カウンタ１１５０からのカウント値が０〜１１，１２〜５３１のとき、それぞれ、セグメントＳ０におけるファインクロックマーク領域、アドレス領域であることを認識する。そして、カウント値比較回路群１１５３は、ファインクロックマークタイミング信号ＴＳＦＣＭ１およびアドレスタイミング信号ＴＳＡＤを生成し、それぞれ、ＦＣＭパターン発生回路１１９０、アドレスパターン発生回路１１９２へ出力する。
【０１０７】
また、３９計上カウンタ１１５２から入力されたカウント値が「１」であるとき、カウント値比較回路群１１５３は、セグメントＳ１を認識する。次に、カウント値比較回路群１１５３は、５３２計上カウンタ１１５０からのカウント値が０〜１１，１２〜１５，１６〜３３５，３３６〜５２５，５２６〜５２９のとき、それぞれ、ファインクロックマーク領域、Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ領域、Ｈｅａｄｅｒ領域、Ｄａｔａ領域、Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ領域であることを認識する。そして、カウント値比較回路群１１５３は、ファインクロックマークタイミング信号ＴＳＦＣＭ２、プリライトタイミング信号ＴＳＰＲＷ１、ヘッダタイミング信号ＴＳＨＥＤ、データタイミング信号ＴＳＤＡ１、およびポストタイミング信号ＴＳＰＯＷ１を生成し、それぞれ、ＦＣＭパターン発生回路１１９０、Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９３、Ｈｅａｄｅｒパターン発生回路１１９１、データ変調回路１１７、およびＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９４へ出力する。
【０１０８】
さらに、３９計上カウンタ１１５２から入力されたカウント値が「２」〜「３８」であるとき、カウント値比較回路群１１５３は、セグメントＳ２〜Ｓ３８を認識する。次に、カウント値比較回路群１１５３は、５３２計上カウンタ１１５０からのカウント値が０〜１１，１２〜１５，１６〜５２７，５２８〜５３１のとき、それぞれ、ファインクロックマーク領域、Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ領域、Ｄａｔａ領域、Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ領域であることを認識する。そして、カウント値比較回路群１１５３は、ファインクロックマークタイミング信号ＴＳＦＣＭ３、プリライトタイミング信号ＴＳＰＲＷ２、データタイミング信号ＴＳＤＡ２、およびポストタイミング信号ＴＳＰＯＷ２を生成し、それぞれ、ＦＣＭパターン発生回路１１９０、Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９３、データ変調回路１１７およびＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９４へ出力する。
【０１０９】
ＦＣＭパターン発生回路１１９０は、ファインクロックマークタイミング信号ＴＳＦＣＭ１〜３の各々に同期して１２ＤＣＢのパターンデータ「１１１１００００１１１１」を生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。Ｈｅａｄｅｒパターン発生回路１１９１は、ヘッダタイミング信号ＴＳＨＥＤに同期して３２０ＤＣＢのパターンデータ「１１００１１００…１１００１１１１１１１１００００００００１１１１１１１１００００００００…１１１１１１１１００００００００」を生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。３２０ＤＣＢのパターンデータは、上述したように２Ｔの信号を２Ｔの間隔で所定数記録し、８Ｔの信号を８Ｔの間隔で所定数記録するためのパターンデータであり、レーザ光の最適強度等を決定するために用いられる。
【０１１０】
アドレスパターン発生回路１１９２は、アドレスタイミング信号ＴＳＡＤに同期して５２０ＤＣＢのパターンデータ「１１１１００００１１１１００００…１１１１００００」を生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９３は、プリライトタイミング信号ＴＳＰＲＷ１，２に同期して４ＤＣＢのパターンデータ「００１１」を生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９４は、ポストタイミング信号ＴＳＰＯＷ１，２に同期して４ＤＣＢのパターンデータ「１１００」を生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。固定パターン発生回路１１９５は、固定パターンタイミング信号ＴＳＨＬＤに同期して５３２×３９＝２０７４８ＤＣＢのパターンデータ「１１１１００００１１１１００００…１１１１００００」を生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。
【０１１１】
セレクタ回路１２０は、ファインクロックマークタイミング信号ＴＳＦＣＭ１に同期して１２ＤＣＢのパターンデータ「１１１１００００１１１１」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力し、アドレスタイミング信号ＴＳＡＤに同期して５２０ＤＣＢのパターンデータ「１１１１００００１１１１００００…１１１１００００」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。
【０１１２】
また、セレクタ回路１２０は、ファインクロックマークタイミング信号ＴＳＦＣＭ２に同期して１２ＤＣＢのパターンデータ「１１１１００００１１１１」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力し、プリライトタイミング信号ＴＳＰＲＷに同期して４ＤＣＢのパターンデータ「００１１」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。
【０１１３】
さらに、セレクタ回路１２０は、ヘッダタイミング信号ＴＳＨＥＤに同期して３２０ＤＣＢのパターンデータ「１１００１１００１１００１１００…１１１１１１１１００００００００１１１１１１１１」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力し、データタイミング信号ＴＳＤＡ１に同期して１９０ＤＣＢの記録データを磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。
【０１１４】
またさらに、セレクタ回路１２０は、ポストライトタイミング信号ＴＳＰＯＷに同期して４ＤＣＢのパターンデータ「１１００」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力し、ファインクロックマークタイミング信号ＴＳＦＣＭ３に同期して１２ＤＣＢのパターンデータ「１１１１００００１１１１」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。
【０１１５】
またさらにセレクタ回路１２０は、プリライトタイミング信号ＴＳＰＲＷに同期して４ＤＣＢのパターンデータ「００１１」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力し、データタイミング信号ＴＳＤＡ２に同期して５１２ＤＣＢの記録データを磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力し、ポストライトタイミング信号ＴＳＰＯＷに同期して４ＤＣＢのパターンデータ「１１００」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。またさらに、セレクタ回路１２０は、固定パターンタイミング信号ＴＳＨＬＤに同期して２０７４８ＤＣＢの「１１１１００００…１１１１００００」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。
【０１１６】
これにより、図１２に示す記録データ列ＫＷＤが磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力され、記録データＷＤが記録されるユーザデータ領域２０以外のプリフォーマット領域１０，３０に再生信号の直流成分を抑制するための信号が記録される。また、傷等の欠損が存在するフレームに再生信号の直流成分を抑制するための信号が記録される。
【０１１７】
再び、図６を参照して、光磁気ディスク装置２００における光磁気ディスク１００へのデータの記録動作について説明する。光磁気ディスク１００が光磁気ディスク装置２００に装着されると、コントローラ１１４は、スピンドルモータ１０１を所定の回転数で回転させるようにサーボ機構（図示せず）を制御するとともに、所定強度のレーザ光を光ピックアップ１０２から出射させるようにタイミング発生回路１１５を介してレーザ駆動回路１２４を制御する。
【０１１８】
そうすると、サーボ機構（図示せず）は、スピンドルモータ１０１を所定の回転数で回転させ、スピンドルモータ１０１は、光磁気ディスク１００を所定の回転数で回転させる。また、光ピックアップ１０２は、所定強度のレーザ光を対物レンズ（図示せず）によって光磁気ディスク１００に集光照射し、その反射光を検出する。そして、光ピックアップ１０２は、フォーカスエラー信号、およびトラッキングエラー信号をサーボ機構（図示せず）に出力し、サーボ機構はフォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号に基づいて、光ピックアップ１０２の対物レンズのフォーカスサーボおよびトラッキングサーボをオンさせる。
【０１１９】
その後、光ピックアップ１０２は、光磁気ディスク１００からラジアルプッシュプル法によりファインクロックマーク信号ＦＣＭを検出し、その検出したファインクロックマーク信号ＦＣＭをＦＣＭ検出回路１０３へ出力する。ＦＣＭ検出回路１０３は、上述した方法によって、ファインクロックマーク信号ＦＣＭからファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴを検出し、その検出したファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴをＰＬＬ回路１０４およびタイミング発生回路１１５へ出力する。ＰＬＬ回路１０４は、ファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴに基づいて基準クロックＣＬＫを生成し、その生成した基準クロックＣＬＫをタイミング発生回路１１５、データ変調回路１１７、フォーマット回路１２６、および遅延回路１２７へ出力する。遅延回路１２７は、ＰＬＬ回路１０４からの基準クロックＣＬＫの位相を一定量遅延させた再生クロックＣＬＫＳを生成し、その生成した再生クロックＣＬＫＳをアドレス検出回路１０５、ＡＤ変換器１０７と、波形等化回路１０８、ビタビ復号回路１０９、アンフォーマット回路１１０、データ復調回路１１１、およびコントローラ１１４へ出力する。
【０１２０】
また、アドレス検出回路１０５は、光ピックアップ１０２が光磁気ディスク１００のセグメントＳ０からタンジェンシャルプッシュプル法により検出したアドレス信号を入力し、遅延回路１２７から入力された再生クロックＣＬＫＳに同期してアドレス情報ＡＤを検出すると共に、アドレス情報ＡＤを検出したことを示すアドレス検出信号ＡＤＦをアドレス情報の最終位置で生成する。そして、アドレス検出回路１０５は、検出したアドレス情報ＡＤをコントローラ１１４へ出力し、生成したアドレス検出信号ＡＤＦをヘッダ検出回路１１３およびタイミング発生回路１１５へ出力する。
【０１２１】
一方、ＢＣＨエンコーダ１１６は、記録データに誤り訂正符号を付加し、データ変調回路１１７は、ＰＬＬ回路１０４からの基準クロックＣＬＫに同期してＢＣＨエンコーダ１１６からの記録データを所定の方式に変調する。そして、データ変調回路１１７は、変調した記録データをフォーマット回路１２６へ出力する。
【０１２２】
タイミング発生回路１１５は、アドレス検出回路１０５から入力されたアドレス情報に基づいて、光磁気ディスク１００のデータ領域に記録する記録信号を生成するためのタイミング信号を生成する。そして、タイミング発生回路１１５は、生成したタイミング信号をセレクタ回路１２０、磁気ヘッド駆動回路１２３、およびレーザ駆動回路１２４へ出力する。
【０１２３】
セレクタ回路１２０は、タイミング信号に基づいて、データ変調回路１１７から入力された記録信号を選択して磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。そして、磁気ヘッド駆動回路１２３は、記録信号によって変調された磁界をタイミング信号に同期して生成するように磁気ヘッド１２５を駆動する。一方、レーザ駆動回路１２４は、タイミング信号に同期して光ピックアップ１０２中の半導体レーザ（図示せず）を駆動し、光ピックアップ１０２はレーザ光を対物レンズ（図示せず）によって光磁気ディスク１００に集光照射する。そして、磁気ヘッド１２５は、記録信号によって変調された磁界を光磁気ディスク１００に印加する。これによって、記録データが光磁気ディスク１００に記録される。
【０１２４】
次に、光磁気ディスク装置２００を用いた光磁気ディスク１００からの信号の再生動作について説明する。光磁気ディスク１００が光ディスク装置２００に装着され、対物レンズのフォーカスサーボおよびトラッキングサーボが行なわれ、基準クロックＣＬＫおよび再生クロックＣＬＫＳが生成され、アドレス情報が検出されるまでの動作は、信号の記録動作と同じである。検出されたアドレス情報は、コントローラ１１４へ入力される。
【０１２５】
ヘッダ検出回路１１３は、コントローラ１１４から入力されたアドレス情報ＡＤおよびアドレス検出回路１０５から入力されたアドレス検出信号ＡＤＦに基づいて再生信号に含まれるヘッダの位置を検出し、遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫに同期して再生信号からプリライト（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ）およびヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）のタイミング信号を生成する。そして、生成したヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）のタイミング信号をアンフォーマット回路１１０およびデータ復調回路１１１へ出力する。
【０１２６】
一方、光ピックアップ１０２は、検出した再生信号をＢＰＦ１０６へ出力し、ＢＰＦ１０６は、再生信号の高域、および低域をカットする。ＡＤ変換器１０７は、遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期して、ＢＰＦ１０６から出力された再生信号をアナログ信号からディジタル信号に変換する。
【０１２７】
そして、波形等化回路１０８は、遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期してディジタル信号に変換された再生信号にＰＲ（１，１）波形等化を行なう。すなわち、検出信号の前後のデータが１対１に波形干渉を行なうように等化する。
【０１２８】
その後、ビタビ復号回路１０９は、遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期して、波形等化を行なった再生信号を多値から２値に変換し、その変換した再生信号をアンフォーマット回路１１０、およびヘッダ検出回路１１３へ出力する。
【０１２９】
そうすると、ヘッダ検出回路１１３は、コントローラ１１４から入力されたアドレス情報ＡＤおよびアドレス検出回路１０５から入力されたアドレス検出信号ＡＤＦに基づいて再生信号に含まれるヘッダの位置を検出し、遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期して再生信号からプリライト（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ）およびヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）のタイミング信号を生成する。そして、生成したヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）のタイミング信号をアンフォーマット回路１１０およびデータ復調回路１１１へ出力する。
【０１３０】
アンフォーマット回路１１０は、ヘッダ検出回路１１３から入力されたタイミング信号に基づいて、光磁気ディスク１００のユーザデータ領域に記録されたプリライト（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ）、ポストライト（Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ）、およびヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）を除去する。
【０１３１】
また、データ復調回路１１１は、遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期してアンフォーマットされた再生信号を入力して、記録時に施されたディジタル変調を解くための復調を行なう。そして、ＢＣＨデコーダ１１２は、復調された再生信号の誤り訂正を行ない、再生データとして出力する。これにより、光磁気ディスク１００からの信号の再生動作が終了する。
【０１３２】
上述した動作によって光磁気ディスク１００に信号が記録され、光磁気ディスク１００から信号が再生される。本発明においては、周囲の温度変化によって光磁気ディスク１００に照射されるレーザ光の記録パワーが変化し、光磁気ディスク１００に形成される磁区の位置が変化するのを防止するために、光磁気ディスク１００に記録した記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための、基準クロックＣＬＫに対する再生クロックＣＬＫＳの遅延量を用いてレーザ光の記録パワーを調整する。
【０１３３】
通常、レーザ光の記録パワーを最適記録パワーに設定し、かつ、基準クロックＣＬＫに同期して光磁気ディスク１００に信号を記録し、その記録した記録信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するためには、再生クロックＣＬＫＳの位相を、基準クロックＣＬＫの位相に対して基準遅延量だけ遅延させる必要がある。そして、レーザ光の記録パワーを最適記録パワーからずれた記録パワーに設定し、かつ、基準クロックＣＬＫに同期して光磁気ディスク１００に信号を記録し、その記録した記録信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するためには再生クロックＣＬＫＳの位相を、基準クロックＣＬＫの位相に対して基準遅延量と異なる遅延量だけ遅延させる必要がある。
【０１３４】
したがって、レーザ光の記録パワーを任意のパワーに設定し、かつ、基準クロックＣＬＫに同期して光磁気ディスク１００に信号を記録し、その記録した記録信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するための再生クロックＣＬＫＳの遅延量を求めれば、信号を記録したときのレーザ光の記録パワーを検出できる。つまり、記録信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するための再生クロックＣＬＫＳの位相が、基準クロックＣＬＫの位相に対して基準遅延量だけ遅延されていれば、信号を記録したときのレーザ光のパワーは最適記録パワーに設定されていたことになり、記録信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するための再生クロックＣＬＫＳの位相が基準クロックＣＬＫの位相に対して基準遅延量と異なる遅延量だけ遅延されていれば、信号を記録したときのレーザ光のパワーは最適記録パワーでなかったことになる。また、レーザ光の記録パワーと、記録信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するための基準クロックＣＬＫに対する再生クロックＣＬＫＳの遅延量は１対１に対応しているので、求めた再生クロックＣＬＫＳの遅延量からレーザ光の記録パワーを検出でき、その検出した記録パワーに基づいてレーザ光のパワーを最適記録パワー付近に制御することが可能である。
【０１３５】
図１６を参照して、光磁気ディスク１００のグルーブ１に信号を記録するときのレーザ光の記録パワーと再生信号のビットエラーレート（単に「エラーレート」とも言う。）との関係、およびレーザ光の記録パワーと再生クロックＣＬＫＳの基準クロックＣＬＫに対する位相シフト（基準クロックＣＬＫに対する再生クロックＣＬＫＳの遅延量とも言う。）との関係について説明する。図１６においては、黒菱形で示される曲線は、グルーブ１に信号を記録し、信号を記録したグルーブ１にレーザ光を照射して記録信号を再生したときのレーザ光の記録パワーと再生信号のエラーレートとの関係を示す。また、黒四角で示される曲線は、グルーブ１に信号を記録し、信号を記録したグルーブ１に隣接するランド２に記録された信号をランド２にレーザ光を照射して再生したときのレーザ光の記録パワーと再生信号のエラーレートとの関係を示す。さらに、黒三角で示される曲線は、各記録パワーで記録した信号を、最小のエラーレートで再生するための再生クロックＣＬＫＳの遅延量と、記録パワーとの関係を示す。
【０１３６】
グルーブ１に記録した信号を、信号を記録したグルーブ１にレーザ光を照射して再生するときのレーザ光の記録パワーと再生信号のエラーレートとの関係においては、レーザ光の記録パワーの増加に伴い、再生信号のエラーレートは急激に減少し、約５．７ｍＷの記録パワーで１０−５のエラーレートに達する。そして、６．０ｍＷ以上の記録パワーで３×１０−６のエラーレートを保持する（黒菱形）。また、グルーブ１に信号を記録し、信号を記録したグルーブ１に隣接するランド２に記録された信号をランド２にレーザ光を照射して再生したときのレーザ光の記録パワーと再生信号のエラーレートとの関係においては、約７．５ｍＷの記録パワーまでは、３×１０−６のエラーレートを保持し、７．５ｍＷ以上の記録パワーでは、再生信号のエラーレートが急激に大きくなる（黒四角）。これは、記録パワーの増加に伴い、グルーブ１に隣接するランド２にも影響を与え、ランド２に記録された信号を消去する割合が高くなるからである。さらに、再生クロックＣＬＫＳの遅延量と記録パワーとの関係においては、記録パワーの増加に伴い再生クロックＣＬＫＳの遅延量は単調に減少する。そして、記録パワーが約６．２ｍＷ〜約７．６ｍＷの範囲では、再生クロックＣＬＫＳの遅延量は５０ｎｓｅｃから２０ｎｓｅｃに減少する（黒三角）。レーザ光の記録パワーをＰｗ、再生クロックＣＬＫＳの遅延量をＰｈで表すと、図１６においては、
Ｐｈ＝−１８×Ｐｗ＋１６０・・・・・・・（１）
の関係が成立する。
【０１３７】
グルーブ１に記録した信号を、信号を記録したグルーブ１にレーザ光を照射して再生したとき、およびグルーブ１に信号を記録し、信号を記録したグルーブ１に隣接するランド２に記録された信号をランド２にレーザ光を照射して再生したときには、レーザ光の記録パワーが約５．８ｍＷ〜約７．８ｍＷの範囲で再生信号のエラーレートは１×１０−５以下になる。また、レーザ光の記録パワーが６．０ｍＷ〜約７．５ｍＷの範囲で再生信号のエラーレートは３×１０−６を保持する。この範囲において、記録信号を再生するときの再生クロックＣＬＫＳの遅延量は２４ｎｓｅｃ〜５４ｎｓｅｃの範囲で変化する。光磁気ディスク１００に形成されたファインクロックマーク３Ａ，３Ｂに基づいて生成された基準クロックＣＬＫおよび再生クロックＣＬＫＳは２０ＭＨｚの周波数を有するため、１周期当りの長さは５０ｎｓｅｃになる。したがって、レーザ光の記録パワーを好適な記録パワーに設定して記録した信号を、基準値（１×１０−５）よりも低いエラーレート（３×１０−６）で再生するためには、再生クロックＣＬＫＳの遅延量を２４ｎｓｅｃと、１周期＋４ｎｓｅｃとの間で制御すれば良い。
【０１３８】
本発明においては、６．０ｍＷ〜約７．５ｍＷの範囲のほぼ中心値である６．８ｍＷを最適記録パワーとし、最適記録パワーで記録した信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するための再生クロックＣＬＫＳの遅延量４０ｎｓｅｃを基準遅延量とする。
【０１３９】
レーザ光の記録パワーを任意のパワーに設定し、かつ、基準クロックＣＬＫに同期して信号を記録し、その記録した記録信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するための再生クロックＣＬＫＳの遅延量を求めた結果、その遅延量が基準遅延量４０ｎｓｅｃからずれていれば、遅延量が基準遅延量に近づくように記録パワーを調整する。その記録パワーの調整方法は、次式（２）を用いて行なう。
【０１４０】
Ｐｗ＝Ｐｗｂ−（Ｐｈ−Ｐｈ０）／１８・・・・・（２）
（２）式において、Ｐｈ０は、最適記録パワーで記録した信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するための再生クロックＣＬＫＳの遅延量であり、Ｐｗｂは、調整時に信号を記録した記録パワーである。また、Ｐｈは、記録パワーＰｗｂで記録した信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するための再生クロックＣＬＫＳの遅延量であり、Ｐｗは、設定すべき記録パワーである。コントローラ１１４は、遅延量Ｐｈ０および記録パワーＰｗｂを記憶しており、記録パワーの調整時に遅延量Ｐｈを求め、上記（２）式より設定すべき記録パワーＰｗと調整時の記録パワーＰｗｂとの差、すなわち、記録パワーの補正値Ｐｗ−Ｐｗｂを求める。これにより、信号を記録するときのレーザ光の記録パワーを最適記録パワーに設定できる。
【０１４１】
図１６におけるレーザ光の記録パワーと再生信号のエラーレートとの関係からすれば、記録パワーが６．０〜７．５ｍＷの範囲において再生信号のエラーレートが３×１０−６を保持しており、記録パワーの調整時に求めた遅延量が２４〜５４ｎｓｅｃの範囲に入っていれば、つまり、調整時の記録パワーが６．０〜７．５ｍＷの範囲に入っていれば、それ以上記録パワーを調整する必要がないと考えることもできる。しかし、本発明においては、調整時の記録パワーが６．０〜７．５ｍＷの範囲に入っていても、記録パワーがより最適記録パワーに近づくように調整する。これにより、一定の位置に磁区を形成することができ、安定して記録信号を再生できる。
【０１４２】
なお、レーザ光の記録パワーを、常に、最適記録パワーに設定するのは困難であるので、最適記録パワー６．８ｍＷを中心として±０．２ｍＷの範囲、すなわち、６．６〜７．０ｍＷの範囲を記録パワーの好適な範囲とする。したがって、本発明においては、記録パワーの調整時に検出した再生クロックＣＬＫＳの遅延量に基づいて、記録パワーを好適な範囲に調整する。
【０１４３】
各記録パワーで記録した信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するための再生クロックＣＬＫＳの遅延量は、ＰＬＬ回路１０４によって生成された基準クロックＣＬＫの位相を遅延回路１２７によって各種の遅延量だけ遅延させて記録信号を再生し、その再生した再生信号をＢＰＦ１０６、ＡＤ変換器１０７、波形等価回路１０８、ビタビ復号回路１０９、アンフォーマット回路１１０、データ復調回路１１１およびＢＣＨデコーダ１１２によって復調およびエラー訂正を行ない、ＢＣＨデコーダ１１２からの誤り数に基づいてコントローラ１１４がエラーレートを検出し、そのエラーレートが基準値よりも低くなる遅延量を検出することによって求められる。なお、ＢＰＦ１０６、ＡＤ変換器１０７、波形等価回路１０８、ビタビ復号回路１０９、アンフォーマット回路１１０、データ復調回路１１１およびＢＣＨデコーダ１１２を「信号処理回路」と言う。
【０１４４】
図１６においては、光磁気ディスク１００のグルーブ１に信号を記録するときの記録パワーと再生信号のエラーレートとの関係、および記録パワーと再生クロックＣＬＫＳの遅延量との関係が示されているが、ランド２に信号を記録するときの記録パワーと再生信号のエラーレートとの関係、および記録パワーと再生クロックＣＬＫＳの遅延量との関係も、図１６に示す関係と同じ関係になる。
【０１４５】
上述したレーザ光の記録パワーの調整は、光磁気ディスク１００のテスト領域ＴＳＲを用いて行なわれる。その場合、テスト領域ＴＳＲに含まれる各フレームのセグメントＳ０のヘッダ領域に、上述した記録動作によって２Ｔの信号を記録パワーを種々変化させて連続記録し、その２Ｔの記録信号を再生クロックＣＬＫＳの遅延量を種々変化させて再生して、図１６に示す記録パワーと再生信号のエラーレートとの関係、および記録パワーと再生クロックＣＬＫＳの遅延量との関係を求める。そして、記録パワーと再生信号のエラーレートとの関係から最適記録パワーを求め、その求めた最適記録パワーを用いてデータ領域ＤＲに信号を記録する。
【０１４６】
周囲の温度が変化しなければ、最初に求めた最適記録パワーで信号を記録すれば良いが、現実には、周囲の温度は変化するので、本発明においては、図６に示す温度センサー１２８が検出した温度が５℃以上変化したときに上述したレーザ光の記録パワーの調整を行なう。つまり、コントローラ１１４は、温度センサー１２８からの温度を受取り、その受取った温度が５℃以上変化しているとき、遅延量を種々変化させた再生クロックＣＬＫＳを生成するように遅延回路１２８を制御する。そして、セグメントＳ０のヘッダ領域に記録された２Ｔの記録信号が遅延量を変化させた再生クロックＣＬＫＳに同期して再生される。そうすると、コントローラ１１４は、信号処理回路のＢＣＨデコーダ１１２から再生信号の誤り数を受取り、再生クロックＣＬＫＳの各遅延量に対する再生信号のエラーレートを求め、基準値よりも低いエラーレートを実現するための再生クロックＣＬＫＳの遅延量を求める。コントローラ１１４は、求めた遅延量から２Ｔの信号を記録したときの記録パワーを上記（１）式に基づいて求める。そして、コントローラ１１４は、求めた記録パワーが好適な範囲に入っているか否かを判別し、入っていなければ、記録パワーを好適な範囲に設定し直す。
【０１４７】
図１７を参照して、周囲の温度が５℃以上変化したときの記録パワーを調整して信号を光磁気ディスクに記録する動作を説明する。光磁気ディスク１００への信号の記録動作が発生すると（ステップＳ１）、コントローラ１１４は、温度センサー１２８が検出した温度Ｔを取得する（ステップＳ２）。そして、記録動作の発生時に取得した温度Ｔが以前に取得した温度Ｔ０に対して５℃以上変化した否かを判別する（ステップＳ３）。記録動作の発生時に取得した温度Ｔが以前に取得した温度Ｔ０に対して５℃以上変化していなければ、ステップＳ９へ移行して記録パワーの調整動作は終了する。記録動作の発生時に取得した温度Ｔが以前に取得した温度Ｔ０に対して５℃以上変化していれば、コントローラ１１４は、取得した温度Ｔを温度Ｔ０に置換えて記憶する。そして、コントローラ１１４は、光磁気ディスク１００のテスト領域ＴＳＲのフレームに含まれるヘッダ領域にレーザ光を照射するようにサーボ機構を制御する。そして、コントローラ１１４は、遅延量を変化させた再生クロックＣＬＫＳを生成するように遅延回路１２８を制御し、ヘッダ領域に記録された記録信号は、遅延量を変化させた再生クロックＣＬＫＳに同期して再生される（ステップＳ５）。そして、コントローラ１１４は、信号処理回路のＢＣＨデコーダ１１２から再生信号の誤り数を受取り、その受取った誤り数に基づいて各遅延量を有する再生クロックＣＬＫＳに同期して再生された再生信号のエラーレートを検出し、再生信号のエラーレートが１０−５よりも低くなる再生クロックＣＬＫＳの遅延量を検出する（ステップＳ６）。コントローラ１１４は、上記（２）式に示す関係から固定パターンをヘッダ領域に記録したときの記録パワーの補正値を求める（ステップＳ７）。そして、その求めた補正値によって記録パワーを設定し直し、その設定し直した記録パワーによって光磁気ディスク１００に信号を記録する（ステップＳ８）。そして、記録パワーの調整動作は終了する（ステップＳ９）。
【０１４８】
なお、記録パワーの調整は、フレームのヘッダ領域に記録された２Ｔの記録信号に基づいて行なわれるとして説明したが、本発明においては、これに限らず、ユーザデータ領域にユーザデータを記録し、その記録した記録信号を遅延量を変化させた再生クロックＣＬＫＳによって再生して記録パワーを調整しても良い。
【０１４９】
また、本発明においては、周囲の温度が５℃以上変化した場合にだけ記録パワーの調整を行なうのではなく、記録動作が発生するたびに記録パワーを調整しても良いし、各フレームごとに記録パワーを調整しても良い。したがって、本発明においては、記録パワーを調整するタイミングは特に問題ではなく、記録信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するための再生クロックＣＬＫＳの遅延量を用いて記録パワーを調整するものであれば良い。
【０１５０】
記録パワーの調整が終了した後、調整した記録パワーのレーザ光を照射して上述した記録動作によって信号を光磁気ディスク１００に記録し、光磁気ディスク１００から信号を再生する。
【０１５１】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【図１】バンドの概念を説明するための光磁気ディスクの平面図である。
【図２】図１に示す光磁気ディスクのトラック構造を説明するための斜視図である。
【図３】光磁気ディスクとそのフォーマットを示す平面図である。
【図４】バンド、フレーム、およびセグメントの関係を説明するための図である。
【図５】記録データ列のフォーマットを示す概略図である。
【図６】光磁気ディスク装置のブロック図である。
【図７】プリフォーマット領域、ユーザデータ領域からのデータの再生を説明するための図である。
【図８】ＰＬＬ回路のブロック図である。
【図９】ファインクロックマーク検出信号、およびクロックの生成を説明するための図である。
【図１０】アドレス情報の検出、およびアドレス最終位置検出信号の生成を説明するための図である。
【図１１】タイミング信号の生成を説明するための図である。
【図１２】光ディスク装置により光磁気ディスクに記録される記録データ列を説明するための図である。
【図１３】図６に示す光磁気ディスク装置のフォーマット回路の概略ブロック図である。
【図１４】図１３に示すタイミング発生回路における５３２計上カウンタ、および３９計上カウンタの動作を説明する信号のタイミングチャート図である。
【図１５】図１３に示すタイミング発生回路が生成するタイミング信号のタイミングチャート図である。
【図１６】記録パワーと再生信号のエラーレートとの関係、および記録パワーと再生クロックの遅延量との関係を示す図である。
【図１７】記録パワーを調整して信号を記録する動作を説明するためのフローチャートである。
【図１８】各記録パワーにおける磁区の形成を示す図である。
【符号の説明】
１ グルーブ、２ ランド、３Ａ，３Ｂ ファインクロックマーク、４〜９ ウォブル、１０，３０ プリフォーマット領域、２０ ユーザデータ領域、４０，５０ 回路、１００ 光磁気ディスク、１００Ａ 透光性基板、１００Ｂ 磁性膜、１０１ スピンドルモータ、１０２ 光ピックアップ、１０３ ＦＣＭ検出回路、１０４ ＰＬＬ回路、１０５ アドレス検出回路、１０６ ＢＰＦ、１０７ ＡＤ変換器、１０８ 波形等化回路、１０９ ビタビ復号回路、１１０ アンフォーマット回路、１１１ データ復調回路、１１２ ＢＣＨデコーダ、１１３ ヘッダ検出回路、１１４ コントローラ、１１５ タイミング発生回路、１１６ ＢＣＨエンコーダ、１１７ データ変調回路、１１９ パターン発生回路、１２０ セレクタ回路、１２３ 磁気ヘッド駆動回路、１２４ レーザ駆動回路、１２５ 磁気ヘッド、１２６ フォーマット回路、１２７ 遅延回路、１２８ 温度センサー、２００ 光磁気ディスク装置、２１０〜２１２ 中心、４００ 差分器、５００，５０１，５０３，５０４ 加算器、５０２，５０５ 減算器、１０２０ 光検出器、１０２０Ａ，１０２０Ｂ，１０２０Ｃ，１０２０Ｄ，１０２０Ｅ，１０２０Ｆ 領域、１０４１ 位相比較回路、１０４２ ＬＰＦ、１０４３ 電圧制御発振器、１０４４ １／５３２分周器、１１５０ ５３２計上カウンタ、１１５１ 一致回路、１１５２ ３９計上カウンタ、１１５３ カウンタ値比較回路群、１１９０ ＦＣＭパターン発生回路、１１９１ Ｈｅａｄｅｒパターン発生回路、１１９２ アドレスパターン発生回路、１１９３ Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路、１１９４ Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路、１１９５ 固定パターン発生回路。
【発明の属する技術分野】
この発明は、レーザ光と磁界とを用いて光磁気ディスクに信号を記録する際に、レーザ光の記録パワーを調整して光磁気ディスクに信号を記録する光磁気ディスク装置および記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近、信号の記録および再生が可能な記録媒体として光磁気ディスクが注目されている。この光磁気ディスクは、径方向にランドとグルーブとを交互に配したトラック構造を有し、ランドとグルーブの両方に信号を記録することによって高容量化を実現している。そして、最近、規格化されたＡＳ−ＭＯ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｔｏｒａｇｅｄ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｏｐｔｉｃａｌ ｄｉｓｋ）規格においては、直径１２ｃｍの光磁気ディスクで６Ｇｂｙｔｅｓの記録容量を達成している。
【０００３】
このＡＳ−ＭＯ規格による光磁気ディスクにおいては、ランドに一定周期で１μｍ程度のグルーブが形成され、また、グルーブに一定周期で１μｍ程度のランドが形成されている。この一定周期で形成された１μｍ程度のグルーブまたは１μｍ程度のランドを「ファインクロックマーク」という。ＡＳ−ＭＯ規格による光磁気ディスクに信号を記録する際には、このファインクロックマークを検出し、その検出したファインクロックマーク信号の成分間に５３２個の周期信号が存在するようにクロックＣＬＫを生成する。そして、生成したクロックＣＬＫに同期してパルス光を照射して光磁気ディスクに形成された磁性膜を昇温させ、その昇温させた領域に記録信号によって変調された磁界を印加することによって印加磁界の方向と同じ方向の磁化を有する磁区を磁性膜に形成して光磁気ディスクに信号を記録する。
【０００４】
この場合、光磁気ディスクに照射するレーザ光（パルス光）のパワーによって磁区が形成される位置が異なる。すなわち、図１８を参照して、レーザ光のパワーが標準値であるとき、クロックＣＬＫのタイミングＴ１に同期してレーザ光Ｌａ１が磁性膜に照射されるとともに一方方向の磁界が磁性膜に印加される。そして、タイミングＴ１の次のタイミングＴ２でレーザ光Ｌａ２が磁性膜に照射されるとともに他方方向の磁界が磁性膜に印加される。その結果、磁区Ｄａ（白い部分）が磁性膜に形成される（図１８の（ａ）参照）。また、レーザ光のパワーが標準値よりも小さいとき、クロックＣＬＫのタイミングＴ１に同期してレーザ光Ｌｂ１が磁性膜に照射されるとともに一方方向の磁界が磁性膜に印加される。そして、タイミングＴ２でレーザ光Ｌｂ２が磁性膜に照射されるとともに他方方向の磁界が磁性膜に印加される。その結果、磁区Ｄｂ（白い部分）が磁性膜に形成される（図１８の（ｂ）参照）。さらに、レーザ光のパワーが標準値よりも大きいとき、クロックＣＬＫのタイミングＴ１に同期してレーザ光Ｌｃ１が磁性膜に照射されるとともに一方方向の磁界が磁性膜に印加される。そして、タイミングＴ２でレーザ光Ｌｃ２が磁性膜に照射されるとともに他方方向の磁界が磁性膜に印加される。その結果、磁区Ｄｃ（白い部分）が磁性膜に形成される（図１８の（ｃ）参照）。
【０００５】
そうすると、レーザ光のパワーが標準値であるときに形成される磁区Ｄａの中心２１０、レーザ光のパワーが標準値よりも小さいときに形成される磁区Ｄｂの中心２１１、およびレーザ光のパワーが標準値よりも大きいときに形成される磁区Ｄｃの中心２１２は、相互に異なる。このように、磁性膜に照射されるレーザ光のパワーによって磁性膜に形成される磁区の位置がずれる。
【０００６】
光磁気ディスクに記録された信号を再生するときは、磁性膜に形成された磁区の中心にレーザ光を照射する必要があるが、上述したように記録時のレーザ光のパワーによって磁区が形成される位置が異なるため、磁区の中心にレーザ光を照射するタイミングは、記録時のレーザ光の各パワーによって異なる。通常は、記録時のレーザ光のパワーが標準値であるときを基準に、記録時のクロックＣＬＫに対して、位相を一定量変化させたクロックに同期してレーザ光を照射して磁性膜に形成された磁区を検出して信号の再生を行なう。したがって、記録時のレーザ光のパワーが標準値に保持されていれば、記録時のクロックの位相を一定量変化させたクロックに同期してレーザ光を照射することによって、標準値のパワーで記録した信号を正確に再生できる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、光磁気ディスクの周囲の温度が変化することによって光磁気ディスクの磁性膜の温度も変化し、その結果、照射されるレーザ光のパワーが同じであっても、磁性膜の温度が上昇する領域が変化する。すなわち、磁性膜に照射されるレーザ光の実効的なパワーが変化する。そうすると、磁性膜に形成される磁区の位置がずれるという問題が生じる。
【０００８】
そこで、本発明は、かかる問題を解決するためになされたものであり、その目的は、光磁気ディスクに照射されるレーザ光の実効的なパワーが変化した場合にも、ほぼ一定の位置に磁区を形成できるようにレーザ光のパワーを調整して信号を記録する光磁気ディスク装置および記録方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
この発明による光磁気ディスク装置は、レーザ光の記録パワーを好適な記録パワーに設定して、基準クロックを生成する元になるファインクロックマークを含む光磁気ディスクに信号を記録する光磁気ディスク装置であって、光磁気ディスクにレーザ光を照射し、その反射光を検出する光ピックアップと、光磁気ディスクに磁界を印加する磁気ヘッドと、光ピックアップによって検出されたファインクロックマークの検出信号であるファインクロックマーク信号に基づいて基準クロックを生成するクロック生成回路と、クロック生成回路によって生成された基準クロックの位相を遅延させた再生クロックを生成する遅延回路と、磁界を印加し、かつ、レーザ光を照射することによって基準クロックに同期して光磁気ディスクに記録された記録信号を、基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの遅延量を検出し、その検出した遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーを設定する制御回路とを備え、基準遅延量は、レーザ光のパワーを最適記録パワーに設定して光磁気ディスクに記録された信号を所定値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの遅延量である。
【００１０】
この発明による光磁気ディスク装置においては、基準クロックの位相に対する再生クロックの位相の遅延量を検出し、その検出した遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーが設定される。つまり、最適記録パワーのレーザ光を用いて記録された信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの位相は基準クロックの位相に対して基準遅延量だけ遅延されているため、最適記録パワーからずれた記録パワーで記録された信号を、基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの位相は基準クロックの位相に対して基準遅延量と異なる遅延量だけ遅延されている。したがって、記録信号を再生するときの再生クロックの位相が基準クロックの位相に対して基準遅延量だけ遅延されるように記録パワーを調整すれば、レーザ光の記録パワーは最適記録パワーに近づく。
【００１１】
したがって、この発明によれば、光磁気ディスクの周囲の温度が変化して光磁気ディスクに照射される実効的な記録パワーが変化しても、磁区の形成位置がほぼ一定になるようにレーザ光の記録パワーを調整して信号を記録できる。
【００１２】
好ましくは、光磁気ディスク装置は、周囲の温度を検出する温度センサーをさらに備え、制御回路は、温度センサーによって検出された周囲の温度が許容変化量を超えて変化したとき、磁界を印加し、かつ、レーザ光を照射することによって基準クロックに同期して光磁気ディスクに記録された記録信号を、基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの遅延量を検出し、その検出した遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーを設定する。
【００１３】
周囲の温度が許容変化量を超えて変化したとき、基準クロックに対する再生クロックの遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーが調整される。
【００１４】
したがって、この発明によれば、実際に温度が大きく変化した場合にレーザ光の記録パワーを調整できる。
【００１５】
好ましくは、光磁気ディスク装置の制御回路は、光磁気ディスクに信号を記録するたびに、磁界を印加し、かつ、レーザ光を照射することによって基準クロックに同期して光磁気ディスクに記録された記録信号を、基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの遅延量を検出し、その検出した遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーを設定する。
【００１６】
信号の記録動作のたびに、基準クロックに対する再生クロックの遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーが調整される。
【００１７】
したがって、この発明によれば、常にレーザ光の記録パワーを好適な範囲に設定して信号を記録できる。
【００１８】
好ましくは、光磁気ディスク装置の制御回路は、レーザ光の記録パワーと、記録パワーで記録された記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの遅延量との関係に基づいて、レーザ光の記録パワーの補正値を検出し、その検出した補正値に基づいて検出した遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーを設定する。
【００１９】
レーザ光の記録パワーと、基準値よりも小さいエラーレートで信号を再生するための再生クロックの位相の遅延量とは１対１に対応付けられている。制御回路は、記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの位相の遅延量を検出し、その検出した遅延量に基づいて記録時のパワーの補正値を検出する。そして、制御回路は、検出した補正値に基づいて記録パワーを設定し直す。
【００２０】
したがって、この発明によれば、記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの位相の遅延量を制御することによってレーザ光の記録パワーをほぼ一定に保持できる。
【００２１】
好ましくは、光磁気ディスク装置の制御回路は、検出した遅延量が基準遅延量よりも小さいときレーザ光の記録パワーを記録信号を記録したときの記録パワーよりも小さく設定し、検出した遅延量が基準遅延量よりも大きいときレーザ光の記録パワーを記録信号を記録したときの記録パワーよりも大きく設定する。
【００２２】
検出した遅延量が基準遅延量よりも小さいときは、記録時のレーザ光のパワーが最適記録パワーよりも大きいため、磁区は最適記録パワーのときよりも位相的に進んだ位置に形成される。そのため、レーザ光の記録パワーは小さくなるように制御される。また、検出した遅延量が基準遅延量よりも大きいときは、記録時のレーザ光のパワーが最適記録パワーよりも小さいため、磁区は最適記録パワーのときよりも位相的に遅れた位置に形成される。そのため、レーザ光の記録パワーは大きくなるように制御される。
【００２３】
したがって、この発明によれば、磁区の形成位置がほぼ一定になるように記録時のパワーを調整可能である。
【００２４】
好ましくは、光磁気ディスク装置は、光ピックアップによって検出された記録信号の検出信号である光磁気信号を復調およびエラー訂正して再生信号を出力する信号処理回路をさらに備え、信号処理回路は、基準クロックの位相に対する遅延量を変化させた再生クロックに同期して復調およびエラー訂正を行ない、制御回路は、信号処理回路におけるエラー訂正によって得られる誤り数に基づいて再生信号のエラーレートを検出し、その検出したエラーレートが基準値よりも小さくなる再生クロックの遅延量を検出する。
【００２５】
制御回路は、信号処理回路における再生信号の誤り個数に基づいて、光磁気ディスクに形成された磁区の中心付近にレーザ光を照射するためのタイミングを求める。
【００２６】
したがって、この発明によれば、任意の記録パワーにおいて、磁区の中心付近にレーザ光を照射するための再生クロックの遅延量を求めることができる。
【００２７】
好ましくは、光磁気ディスクは、各々が複数のフレームから成る複数のバンドを含み、複数のフレームの各々は、固定パターンを記録するためのヘッダ領域を有し、制御回路は、固定パターンの記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーを設定する。
【００２８】
光磁気ディスクに信号を記録する領域のうち、ヘッダ領域に記録された固定パターンを再生するときの再生クロックの遅延量に基づいてレーザ光の記録パワーが調整される。
【００２９】
したがって、この発明によれば、複数のフレームの各々において記録パワーを調整できる。
【００３０】
好ましくは、光磁気ディスクは、各々が複数のフレームから成る複数のバンドを含み、複数のフレームの各々は、固定パターンを記録するためのヘッダ領域と、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域とを有し、光磁気ディスク装置の制御回路は、ユーザデータ領域に記録されたユーザデータの記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーを設定する。
【００３１】
光磁気ディスクに信号を記録する領域のうち、ユーザデータ領域に記録されたユーザデータを再生するときの再生クロックの遅延量に基づいてレーザ光の記録パワーが調整される。
【００３２】
したがって、この発明によれば、各種の記録信号に基づいてレーザ光の記録パワーを調整できる。
【００３３】
また、この発明による記録方法は、レーザ光の記録パワーを好適な記録パワーに設定して、基準クロックを生成する元になるファインクロックマークを含む光磁気ディスクに信号を記録する記録方法であって、ファインクロックマークを検出したファインクロックマーク信号に基づいて基準クロックを生成する第１のステップと、レーザ光の記録パワーを好適な記録パワーに設定する第２のステップと、第２のステップによって設定された記録パワーによって光磁気ディスクに信号を記録する第３のステップとを含み、第２のステップは、基準クロックに同期して信号を光磁気ディスクに記録する第４のステップと、基準クロックの位相を遅延させた再生クロックを生成し、基準クロックの位相に対する再生クロックの位相の遅延量を変化させて第４のステップにおいて記録した信号を再生する第５のステップと、第５のステップにおいて再生した再生信号のエラーレートを検出し、その検出したエラーレートに基づいて基準値よりも小さいエラーレートを得るための再生クロックの遅延量を検出する第６のステップと、第６のステップにおいて検出した遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーを設定する第７のステップとから成り、基準遅延量は、レーザ光のパワーを最適記録パワーに設定して光磁気ディスクに記録された信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの遅延量である。
【００３４】
この発明による記録方法においては、ファインクロックマークに基づいて基準クロックが生成され、その生成された基準クロックに同期して光磁気ディスクに信号が記録される。そして、その記録された記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの遅延量が検出され、その検出された遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーが調整される。その後、調整された記録パワーで信号が記録される。
【００３５】
したがって、この発明によれば、信号を再生するときの再生クロックの遅延量を用いて迅速にレーザ光の記録パワーを調整できる。
【００３６】
好ましくは、第２のステップは、周囲の温度が許容変化量を超えて変化したときに実行される。
【００３７】
周囲の温度が許容変化量を超えて大きく変化したとき、記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの遅延量を用いてレーザ光の記録パワーが調整される。
【００３８】
したがって、この発明によれば、周囲の温度が実際に大きく変化したときにレーザ光の記録パワーを調整できる。
【００３９】
好ましくは、第７のステップにおいて、レーザ光の記録パワーと、記録パワーで記録された記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの遅延量との関係に基づいて、レーザ光の記録パワーの補正値を検出し、その検出した補正値に基づいて検出した遅延量が基準遅延量に近づくようにレーザ光の記録パワーが設定される。
【００４０】
レーザ光の記録パワーと、基準値よりも小さいエラーレートで信号を再生するための再生クロックの位相の遅延量とは１対１に対応付けられている。記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの位相の遅延量が検出され、その検出された遅延量に基づいて記録パワーの補正値が検出される。そして、検出された補正値に基づいて記録パワーが設定し直される。
【００４１】
したがって、この発明によれば、記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための再生クロックの位相の遅延量を制御することによってレーザ光の記録パワーをほぼ一定に保持できる。
【００４２】
好ましくは、第７のステップにおいて、検出した遅延量が基準遅延量よりも小さいときレーザ光の記録パワーを記録信号を記録したときの記録パワーよりも小さく設定し、検出した遅延量が基準遅延量よりも大きいときレーザ光の記録パワーを記録信号を記録したときの記録パワーよりも大きく設定する。
【００４３】
検出した遅延量が基準遅延量よりも小さいときは、記録時のレーザ光のパワーが最適記録パワーよりも大きいため、磁区は最適記録パワーのときよりも位相的に進んだ位置に形成される。そのため、レーザ光の記録パワーは小さくなるように制御される。また、検出した遅延量が基準遅延量よりも大きいときは、記録時のレーザ光のパワーが最適記録パワーよりも小さいため、磁区は最適記録パワーのときよりも位相的に遅れた位置に形成される。そのため、レーザ光の記録パワーは大きくなるように制御される。
【００４４】
したがって、この発明によれば、磁区の形成位置がほぼ一定になるように記録時のパワーを調整可能である。
【００４５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。
【００４６】
図１を参照して、本発明による光磁気ディスク装置が信号の記録および／または再生の対象とする光磁気ディスクについて説明する。光磁気ディスク１００は、径方向に同心円状に配置された複数のバンドＢ０〜Ｂ１３を含む。各バンドＢ０〜Ｂ１３は、テスト領域ＴＳＲとデータ領域ＤＲとから成る。テスト領域ＴＳＲは、データ領域ＤＲよりも内周側に設けられる。
【００４７】
図２は、各バンドＢ０〜Ｂ１３の一部の構造を示す斜視図である。テスト領域ＴＳＲおよびデータ領域ＤＲは、透光性基板１００Ａの一主面にグルーブ１とランド２とが形成された構造を有する。グルーブ１およびランド２は、光磁気ディスク１００のラジアル方向ＤＲ２に交互に配置される。また、グルーブ１は、光磁気ディスク１００のタンジェンシャル方向ＤＲ１に４μｍ程度のランド３Ａを含み、ランド２は、タンジェンシャル方向ＤＲ１に４μｍ程度のグルーブ３Ｂを含む。ランド３Ａおよびグルーブ３Ｂは、光磁気ディスク１００のラジアル方向ＤＲ２に隣接して形成され、タンジェンシャル方向ＤＲ１に一定周期で形成される。そして、グルーブ１，３Ｂ、ランド２，３Ａの表面に覆うように磁性膜１００Ｂが形成されている。
【００４８】
磁性膜１００Ｂは、透光性基板１００Ａ側から再生層、非磁性層、および記録層をこの順で含む。再生層はＧｄＴｅＣｏから成り、非磁性層はＳｉＮから成り、記録層はＴｂＦｅＣｏから成る。グルーブ１およびランド２上に磁性膜１００Ｂを形成した状態で、グルーブ１のラジアル方向ＤＲ２の幅と、ランド２のラジアル方向ＤＲ２の幅とは等しく、グルーブ１およびランド２上の磁性膜に信号が記録される。
【００４９】
テスト領域ＴＳＲは、１つのグルーブと、グルーブに隣接する１つのランドとから成るトラックを３本有する。そして、テスト領域ＴＳＲは、後述するように、グルーブ１とランド２に信号を記録する際のレーザ光の記録パワーを最適化するために用いられる。
【００５０】
なお、ランド３Ａおよびグルーブ３Ｂを「ファインクロックマーク」と言い、後述するように基準クロックＣＬＫを生成する元になるものである。また、グルーブ１とランド２とはスパイラル状もしくは同心円状に配されている。
【００５１】
各バンドＢ０〜Ｂ１３には、フレーム（Ｆｒａｍｅ）単位で信号が記録および／または再生されるため、各バンドＢ０〜Ｂ１３は複数のフレームを含む。すなわち、図３を参照して、光磁気ディスク１００には、記録単位であるフレームが等間隔で配置されており、各フレームは３９個のセグメント（Ｓｅｇｍｅｎｔ）Ｓ０，Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓ３８によって構成されている。
【００５２】
そして、各セグメントの長さは、５３２ＤＣＢ（Ｄａｔａ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｂｉｔ）であり、各セグメントの先頭には、データの記録および再生を行なうクロックの位相情報を示すファインクロックマーク（ＦＣＭ：Ｆｉｎｅ Ｃｌｏｃｋ Ｍａｒｋ）３Ａ，３Ｂが形成されている。フレームの先頭であるセグメントＳ０には、ファインクロックマーク３Ａ，３Ｂに続いて、光磁気ディスク１００上のアドレスを示すアドレス情報（Ａｄｄｒｅｓｓ）がウォブル４〜９により光磁気ディスク１００の製造時にプリフォーマットされている。
【００５３】
ウォブル４とウォブル５、ウォブル６とウォブル７、およびウォブル８とウォブル９とは、グルーブ１の互いの反対側の壁に形成されており、同じアドレス情報が記録されている。かかるアドレス情報の記録方式を片側スタガ方式と言い、片側スタガ方式を採用することにより光磁気ディスク１００にチルト等が発生し、レーザ光がグルーブ１もしくはランド２の中心からずれた場合にも正確にアドレス情報を検出することができる。
【００５４】
アドレス情報が記録された領域とファインクロックマーク３Ａ，３Ｂが形成された領域はユーザデータを記録する領域としては利用されない。また、セグメントＳｎは、ファインクロックマーク３Ａ，３ＢとユーザデータＵｓｅｒ Ｄａｔａ ｎ−１とにより構成される。
【００５５】
図４を参照して、バンドＢ０〜Ｂ１３の各々は、ｍ個のフレームＦ０〜Ｆｍ−１から成る。フレームの個数は各バンドＢ０〜Ｂ１３によって異なる。また、１つのフレームは、上述したように３９個のセグメントＳ０〜Ｓ３８から成る。図４に示すようなデータフォーマットに従って光磁気ディスク１００に信号が記録および／または再生される。
【００５６】
図５を参照して、セグメントの詳細な構成について説明する。フレームを構成する各セグメントＳ０，Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓ３８のうち、セグメントＳ０は光磁気ディスク１００上にプリフォーマットされたアドレスセグメントであり、セグメントＳ１からセグメントＳ３８は、ユーザデータの記録領域として確保されたデータセグメントである。セグメントＳ０は、１２ＤＣＢのファインクロックマーク領域ＦＣＭと５２０ＤＣＢのアドレスＡｄｄｒｅｓｓとから構成され、セグメントＳ１は、１２ＤＣＢのファインクロックマーク領域ＦＣＭと、４ＤＣＢのＰｒｅ−Ｗｒｉｔｅと、５１２ＤＣＢのＤａｔａと、４ＤＣＢのＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅとから構成される。
【００５７】
Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅは、データの書出しを示すものであり、たとえば、所定のパターン「００１１」から構成され、Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅはデータの終わりを示すものであり、たとえば、所定のパターン「１１００」から構成される。
【００５８】
また、セグメントＳ１のユーザデータ領域には、再生時のデータの位置確認、再生クロックの位置補償、レーザパワー調整等を行なうための固定パターンであるヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）が設けられている。ヘッダに記録する固定パターンは直流成分を抑えたパターン（「ＤＣフリーであるパターン」とも言う、以下同じ。）であり、たとえば、２Ｔのドメインを２Ｔの間隔で所定個数形成したものと、８Ｔのドメインを８Ｔの間隔で所定個数形成したものとが記録される。
【００５９】
そして、２Ｔのドメインを再生して得られるアナログ信号のサンプリングのタイミングが、信号の記録に用いる基準クロックの位相を遅延させた再生クロックの位相に一致するように調整することによって位相補償を行ない、２Ｔのドメインと８Ｔのドメインとを再生し、８Ｔのドメインの再生信号強度に対する２Ｔのドメインの再生信号強度の比が５０％以上になるようにレーザパワーの調整を行なう。また、８Ｔのドメインを再生し、再生信号を２値化したディジタル信号の位置が予め予想された８Ｔのドメインのディジタル信号の位置と一致するかを確認することによって再生時の信号の位置確認を行なう。さらに、Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ、Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ、およびＨｅａｄｅｒの各パターンは、ユーザデータの記録時にユーザデータと連続して記録される。
【００６０】
セグメントＳ２〜Ｓ３８は、１２ＤＣＢのファインクロックマーク領域ＦＣＭと、４ＤＣＢのＰｒｅ−Ｗｒｉｔｅと、５１２ＤＣＢのＤａｔａと、４ＤＣＢのＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅとから構成される。
【００６１】
なお、ファインクロックマークＦＣＭおよびアドレスＡｄｄｒｅｓｓのようにプリフォーマットされた領域を「プリフォーマット領域」という。
【００６２】
図６を参照して、本発明による光磁気ディスク装置について説明する。光ディスク装置２００は、スピンドルモータ１０１と、光ピックアップ１０２と、ファインクロックマーク検出回路（ＦＣＭ検出回路）１０３と、ＰＬＬ回路１０４と、アドレス検出回路１０５と、ＢＰＦ１０６と、ＡＤ変換器１０７と、波形等化回路１０８と、ビタビ復号回路１０９と、アンフォーマット回路１１０と、データ復調回路１１１と、ＢＣＨデコーダ１１２と、ヘッダ検出回路１１３と、コントローラ１１４と、タイミング発生回路１１５と、ＢＣＨエンコーダ１１６と、データ変調回路１１７と、フォーマット回路１２６と、磁気ヘッド駆動回路１２３と、レーザ駆動回路１２４と、磁気ヘッド１２５と、遅延回路１２７と、温度センサー１２８とを備える。フォーマット回路１２６は、パターン発生回路１１９と、セレクタ回路１２０とを含む。
【００６３】
スピンドルモータ１０１は、光磁気ディスク１００を所定の回転数で回転させる。光ピックアップ１０２は、光磁気ディスク１００にレーザ光を照射し、その反射光を検出する。ＦＣＭ検出回路１０３は、光ピックアップ１０２が光磁気ディスク１００のファインクロックマーク３Ａ，３Ｂの位置を示すファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴを検出し、その検出したファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴをＰＬＬ回路１０４、およびタイミング発生回路１１５へ出力する。
【００６４】
また、ＰＬＬ回路１０４は、ＦＣＭ検出回路１０３から出力されたファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴに基づいて基準クロックＣＬＫを生成し、その生成した基準クロックＣＬＫをタイミング発生回路１１５、データ変調回路１１７、フォーマット回路１２６のパターン発生回路１１９、および遅延回路１２７へ出力する。遅延回路１２７は、ＰＬＬ回路１０４からの基準クロックＣＬＫの位相をコントローラ１１４からの制御に基づいて一定量遅延させ、その遅延させた再生クロックＣＬＫＳをアドレス検出回路１０５、ＡＤ変換器１０７と、波形等化回路１０８、ビタビ復号回路１０９、アンフォーマット回路１１０、データ復調回路１１１、およびコントローラ１１４へ出力する。
【００６５】
また、アドレス検出回路１０５は、光ピックアップ１０２が光磁気ディスク１００のセグメントＳ０からラジアルプッシュプル法により検出したアドレス情報ＡＤＡを入力し、遅延回路１２７から入力された再生クロックＣＬＫＳに同期してアドレス情報ＡＤを検出すると共に、アドレス情報ＡＤを検出したことを示すアドレス検出信号ＡＤＦをアドレス情報の最終位置で生成する。そして、検出したアドレス情報ＡＤをコントローラ１１４へ出力し、生成したアドレス検出信号ＡＤＦをヘッダ検出回路１１３およびタイミング発生回路１１５へ出力する。
【００６６】
また、ＢＰＦ１０６は、光磁気ディスク１００から再生した再生信号ＲＦの高域と低域とを除去する。ＡＤ変換器１０７は、遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期して再生信号ＲＦをアナログ信号からディジタル信号に変換する。
【００６７】
波形等化回路１０８は、遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期してディジタル信号に変換された再生信号ＲＦにＰＲ（１，１）波形等化を行なう。すなわち、検出信号の前後のデータが１対１に波形干渉を行なうように等化する。
【００６８】
ビタビ復号回路１０９は、遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期して再生信号ＲＦを多値から２値に変換し、その変換した再生信号ＲＦをアンフォーマット回路１１０、およびヘッダ検出回路１１３へ出力する。
【００６９】
アンフォーマット回路１１０は、ヘッダ検出回路１１３から光磁気ディスク１００のユーザデータ領域に記録されたプリライト（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ）、ポストライト（Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ）、およびヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）を除去する。
【００７０】
データ復調回路１１１は、遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期してアンフォーマットされた再生信号ＲＦを入力して、記録時に施されたディジタル変調を解くための復調を行なう。
【００７１】
ＢＣＨデコーダ１１２は、復調された再生信号の誤り訂正を行ない、再生データとして出力する。ヘッダ検出回路１１３は、コントローラ１１４から入力されたアドレス情報およびアドレス検出回路１０５から入力されたアドレス検出信号ＡＤＦに基づいて再生信号に含まれるヘッダの位置を検出し、遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期して再生信号からプリライト（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ）およびヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）のタイミング信号を生成する。そして、生成したヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）のタイミング信号をアンフォーマット回路１１０およびデータ復調回路１１１へ出力する。
【００７２】
コントローラ１１４は、アドレス検出回路１０５で検出されたアドレス情報ＡＤを受け、そのアドレス情報ＡＤに基づいてサーボ機構（図示せず）を制御して光ピックアップ１０２を所望の位置にアクセスさせる。また、コントローラ１１４は、遅延回路１２７からのクロックＣＫに同期してアドレス情報ＡＤをヘッダ検出回路１１３へ出力するとともに、タイミング発生回路１１５を制御する。さらに、コントローラ１１４は、後述する方法によってレーザ光の記録パワーの調整を行なう場合、基準クロックＣＬＫの位相に対する再生クロックの位相の遅延量を制御し、ＢＣＨデコーダ１１２から入力した誤り数に基づいて再生信号のエラーレートを検出する。また、さらに、コントローラ１１４は、再生信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するため再生クロックＣＬＫＳの遅延量を検出し、その検出した遅延量に基づいてレーザ光の記録パワーを好適な記録パワーに設定する。
【００７３】
タイミング発生回路１１５は、コントローラ１１４からの制御に基づいて、ＦＣＭ検出回路１０３から入力されたファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴ、およびアドレス検出回路１０５から入力されたアドレス最終位置検出信号ＡＤＦに基づいて、ＰＬＬ回路１０４から入力された基準クロックＣＬＫに同期してタイミング信号ＳＳを生成し、その生成したタイミング信号ＳＳをフォーマット回路１２６のパターン発生回路１１９およびセレクタ回路１２０、磁気ヘッド駆動回路１２３、およびレーザ駆動回路１２４へ出力する。
【００７４】
ＢＣＨエンコーダ１１６は、記録データに誤り訂正符号を付加する。データ変調回路１１７は、記録データを所定の方式に変調する。フォーマット回路１２６は、ＰＬＬ回路１０４からのクロックＣＬＫに同期し、かつ、タイミング発生回路１１５からのタイミング信号ＳＳに基づいて、データ変調回路１１７からの記録データにプリライト（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ）、ヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）、およびポストライト（Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ）を追加して記録データをユーザデータ領域にマッチするようにフォーマットする。そして、フォーマット回路１２６は、そのフォーマットした記録データと、プリフォーマット領域に記録すべきパターンデータとを、タイミング発生回路１１５からのタイミング信号ＳＳに基づいて選択的に磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。
【００７５】
パターン発生回路１１９は、プリフォーマット領域に記録すべきパターンデータと、プリライト（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ）、ヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）、およびポストライト（Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ）としてのパターンデータとをＰＬＬ回路１０４からの基準クロックＣＬＫに同期して生成し、その生成したデータパターンをセレクタ回路１２０へ出力する。
【００７６】
セレクタ回路１２０は、タイミング発生回路１１５からのタイミング信号ＳＳに基づいて、データ変調回路１１７からの記録データと、パターン発生回路１１９からのパターンデータとを選択して磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。
【００７７】
磁気ヘッド駆動回路１２３は、タイミング発生回路１１５からのタイミング信号ＳＳの各タイミングに同期し、かつ、フォーマット回路１２６からの出力に基づいて磁気ヘッド１２５を駆動する。
【００７８】
レーザ駆動回路１２４は、タイミング発生回路１１５からのタイミング信号ＳＳに基づいて、光ピックアップ１０２中の半導体レーザ（図示せず）を駆動する。
【００７９】
磁気ヘッド１２５は、磁気ヘッド駆動回路１２３によって駆動され、記録データまたはデータパターンによって磁界変調された磁界を光磁気ディスク１００に印加する。温度センサー１２８は、周囲の温度を検出し、その検出した温度をコントローラ１１４へ出力する。
【００８０】
図７を参照して、光磁気ディスク１００からのアドレス情報ＡＤ、ファインクロックマークＦＣＭ、および光磁気信号ＲＦの検出について説明する。領域１０および領域３０は、光磁気ディスク１００の製造時にプリフォーマットされるプリフォーマット領域を構成する。領域１０は、ウォブル４〜７とファインクロックマーク３Ａ，３Ｂとが形成される。また、領域３０は、ファインクロックマーク３Ａ，３Ｂが形成される。領域２０は、ユーザデータ領域を構成し、ユーザデータが記録される。
【００８１】
光磁気ディスク１００にレーザ光を照射し、その反射光を検出する光ピックアップ１０２中の光検出器１０２０は、６つの検出領域１０２０Ａ，１０２０Ｂ，１０２０Ｃ，１０２０Ｄ，１０２０Ｅ，１０２０Ｆを有する。領域Ａ１０２０Ａと領域Ｂ１０２０Ｂ、および領域Ｃ１０２０Ｃと領域Ｄ１０２０Ｄは光磁気ディスク１００のタンジェンシャル方向ＤＲ１に配置され、領域Ａ１０２０Ａと領域Ｄ１０２０Ｄ、領域Ｂ１０２０Ｂと領域Ｃ１０２０Ｃ、および領域Ｅ１０２０Ｅと領域Ｆ１０２０Ｆは光磁気ディスク１００のラジアル方向ＤＲ２に配置される。
【００８２】
領域Ａ１０２０Ａ、領域Ｂ１０２０Ｂ、領域Ｃ１０２０Ｃ、および領域Ｄ１０２０Ｄは、それぞれ、光磁気ディスク１００に照射されたレーザ光ＬＢのＡ領域、Ｂ領域、Ｃ領域、およびＤ領域での反射光を検出する。また、領域Ｅ１０２０Ｅ、および領域Ｆ１０２０Ｆは、レーザ光ＬＢのＡ領域、Ｂ領域、Ｃ領域、およびＤ領域の全体で反射されたレーザ光を、光ピックアップ１０２のウォラストンプリズム（図示せず）によって偏光面の異なる２つの方向に回折されたレーザ光を検出する。
【００８３】
ユーザデータ領域である領域２０に記録された光磁気信号の再生信号ＲＦは、光検出器１０２０の領域Ｅ１０２０Ｅで検出されたレーザ光強度［Ｅ］と領域Ｆ１０２０Ｆで検出されたレーザ光強度［Ｆ］との差を演算することによって検出される。すなわち、回路４０の差分器４００は、領域Ｅ１０２０Ｅで検出されたレーザ光強度［Ｅ］と領域Ｆ１０２０Ｆで検出されたレーザ光強度［Ｆ］との差分を演算し、再生信号ＲＦ＝［Ｅ］−［Ｆ］を出力する。
【００８４】
プリフォーマット領域を構成する領域１０のウォブル４〜７によって記録されたアドレス情報ＡＤの再生信号は、ラジアルプッシュプル法によって検出され、領域Ａ１０２０Ａで検出されたレーザ光強度［Ａ］と領域Ｂ１０２０Ｂで検出されたレーザ光強度［Ｂ］との和から領域Ｃ１０２０Ｃで検出されたレーザ光強度［Ｃ］と領域Ｄ１０２０Ｄで検出されたレーザ光強度［Ｄ］との和を減じたものとして検出される。すなわち、アドレス情報ＡＤは、回路５０を構成する加算器５００，５０１と減算器５０２とによって検出される。加算器５００は、領域Ａ１０２０Ａで検出されたレーザ光強度［Ａ］と領域Ｂ１０２０Ｂで検出されたレーザ光強度［Ｂ］とを加算した［Ａ＋Ｂ］を出力する。加算器５０１は、領域Ｃ１０２０Ｃで検出されたレーザ光強度［Ｃ］と領域Ｄ１０２０Ｄで検出されたレーザ光強度［Ｄ］とを加算した［Ｃ＋Ｄ］を出力する。そして、減算器５０２は、加算器５００の出力［Ａ＋Ｂ］から加算器５０１の出力［Ｃ＋Ｄ］を減算してアドレス情報の再生信号ＡＤ＝［Ａ＋Ｂ］−［Ｃ＋Ｄ］を出力する。
【００８５】
また、プリフォーマット領域を構成する領域３０のファインクロックマーク３Ａ，３Ｂは、タンジェンシャルプッシュプル法により検出され、領域Ａ１０２０Ａで検出されたレーザ光強度［Ａ］と領域Ｄ１０２０Ｄで検出されたレーザ光強度［Ｄ］との和から領域Ｂ１０２０Ｂで検出されたレーザ光強度［Ｂ］と領域Ｃ１０２０Ｃで検出されたレーザ光強度［Ｃ］との和を減じたものとして検出される。すなわち、ファインクロックマーク３Ａ，３Ｂは、回路５０を構成する加算器５０３，５０４と減算器５０５とによって検出される。加算器５０３は、領域Ａ１０２０Ａで検出されたレーザ光強度［Ａ］と領域Ｄ１０２０Ｄで検出されたレーザ光強度［Ｄ］とを加算した［Ａ＋Ｄ］を出力する。加算器５０４は、領域Ｂ１０２０Ｂで検出されたレーザ光強度［Ｂ］と領域Ｃ１０２０Ｃで検出されたレーザ光強度［Ｃ］とを加算した［Ｂ＋Ｃ］を出力する。そして、減算器５０５は、加算器５０３の出力［Ａ＋Ｄ］から加算器５０４の出力［Ｂ＋Ｃ］を減算してファインクロックマークの再生信号ＦＣＭ＝［Ａ＋Ｄ］−［Ｂ＋Ｃ］を出力する。
【００８６】
図８を参照して、図６に示す光磁気ディスク装置２００を構成するＰＬＬ回路１０４の構成を説明する。ＰＬＬ回路１０４は、位相比較回路１０４１と、ＬＰＦ１０４２と、電圧制御発振器（ＶＣＯ）１０４３と、１／５３２分周器１０４４とを備える。１／５３２分周器１０４４は、電圧制御発振器（ＶＣＯ）１０４３から出力される基準クロックＣＬＫを１／５３２に分周する。位相比較器１０４１は、１／５３２分周器１０４４により分周されたクロックＣＫ１の位相をファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴの位相と比較し、その位相差に応じた誤差電圧を発生する。したがって、このＰＬＬ回路１０４は、ファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴに同期し、かつ、ファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴの１／５３２の周期を有する基準クロックＣＬＫを生成する。
【００８７】
図９を参照して、ファインクロックマーク３Ａ，３Ｂの検出、および基準クロックＣＬＫの生成について説明する。光ピックアップ１０２の光検出部１０２０は、上記図７を参照して説明したようにタンジェンシャルプッシュプル法によりファインクロックマーク信号３Ａ，３Ｂを検出し、その検出したファインクロックマーク信号ＦＣＭをＦＣＭ検出回路１０３へ出力する。ＦＣＭ検出回路１０３は、入力されたファインクロックマーク信号ＦＣＭに基づいてファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴを生成する。すなわち、ＦＣＭ検出回路１０３においては、ファインクロックマーク信号ＦＣＭは、所定のレベルでコンパレートされ、信号ＦＣＭＣに変換される。そして、信号ＦＣＭＣは信号／ＦＣＭＣに反転される。その後、ファインクロックマーク信号ＦＣＭの極性が切替わる点Ｐの位置に立ち上がりエッジが同期し、かつ、６ＤＣＢの振幅幅を有する検出窓信号ＤＥＷＩＮが生成され、信号／ＦＣＭＣと検出窓信号ＤＥＷＩＮとの論理積が演算されて信号ＦＣＭＰが生成される。そうすると、信号ＦＣＭＰの立ち上がりに同期した１ＤＣＢの振幅幅を有するファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴを生成する。
【００８８】
なお、図９のファインクロックマーク信号ＦＣＭは、レーザ光が光磁気ディスク１００のグルーブ１を走行する場合に検出されるファインクロックマーク信号について説明した。レーザ光がランド２を走行する場合に検出されるファインクロックマーク信号は、その極性が変わるだけであり、点Ｐの位置は変化しない。したがって、レーザ光がランド２を走行する場合も、同様に信号ＦＣＭＰおよびファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴを生成できる。
【００８９】
ＦＣＭ検出回路１０３は、検出したファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴをＰＬＬ回路１０４へ出力する。ＰＬＬ回路１０４は、上記図８を参照して説明したようにファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴに同期し、かつ、ファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴを１／５３２に分周した基準クロックＣＬＫを生成する。
【００９０】
図１０を参照して、アドレス検出回路１０５におけるアドレス情報の検出と、アドレス検出信号の生成とについて説明する。光ピックアップ１０２は、上記図７を参照して説明したように、ラジアルプッシュプル法によりウォブルで記録されたアドレス信号ＡＤＡを検出し、アドレス信号ＡＤＡはアドレス検出回路１０５へ入力される。アドレス検出回路１０５は、アドレス信号ＡＤＡを２値化した２値化信号ＡＤＤを生成し、２値化信号ＡＤＤに基づいてアドレス情報ＡＤを検出する。それとともに、アドレス検出回路１０５は、２値化信号ＡＤＤとアドレス情報ＡＤとに基づいて、アドレス信号の最終位置Ｆを示すアドレス検出信号ＡＤＦを遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期して生成する。このアドレス検出信号ＡＤＦは、アドレス情報の最終位置Ｆを含むような一定の長さＴが決定されて生成される。すなわち、２値化信号ＡＤＤの最初の位置に同期する再生クロックＣＬＫＳの成分からアドレス信号の最終位置Ｆに同期する再生クロックＣＬＫＳの成分までをカウントする。そして、最終位置Ｆにおけるカウント値をＫとし、カウント値Ｋを中心にして前後にｍカウント分だけずれたカウント値Ｋ−ｍとカウント値Ｋ＋ｍとの間に一定の長さＴを有するパルス成分が発生するようにアドレス検出信号ＡＤＦを生成する。
【００９１】
図１１を参照して、タイミング発生回路１１５におけるタイミング信号ＳＳの生成について説明する。アドレス検出回路１０５からアドレス検出信号ＡＤＦが入力され、ＦＣＭ検出回路１０３からファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴが入力され、ＰＬＬ回路１０４から基準クロックＣＬＫが入力されると、タイミング発生回路１１５は、いずれのファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴのタイミングでアドレス検出信号ＡＤＦが存在するか否かを判別し、アドレス検出信号ＡＤＦが存在したファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴの成分ＦＣＭＴ１と、成分ＦＣＭＴ１の前に存在する成分ＦＣＭＴ２とを含むような成分ＳＳ１と、ファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴの成分ＦＣＭＴ３，ＦＣＭＴ４のみを含むような成分ＳＳ２，ＳＳ３とから成るタイミング信号ＳＳを基準クロックＣＬＫに同期して生成する。この場合、ファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴの成分ＦＣＭＴ１，ＦＣＭＴ２，ＦＣＭＴ３，ＦＣＭＴ４の各々は、ファインクロックマーク３Ａ，３Ｂの中心位置に同期しており、ファインクロックマーク３Ａ，３Ｂの長さは１２ＤＣＢと予め決定されているので、タイミング発生回路１１５は、ウォブル４，５が形成された領域と、その領域の両側に存在するファインクロックマーク３Ａ，３Ａ（または３Ｂ，３Ｂ）の領域とを包含するように成分ＳＳ１を生成し、ファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴの成分ＦＣＭＴ３，ＦＣＭＴ４に対応するファインクロックマーク３Ａ，３Ａ（または３Ｂ，３Ｂ）の領域を包含するように成分ＳＳ２，ＳＳ３を生成し、ユーザデータを記録する領域２０，２０，２０に対応するように成分ＳＳ４，ＳＳ５，ＳＳ６を生成する。
【００９２】
図１２を参照して、図６に示すフォーマット回路１２６を構成するセレクタ回路１２０の動作について説明する。タイミング発生回路１１５からタイミング信号ＳＳがセレクタ回路１２０に入力されると、セレクタ回路１２０は、タイミング信号ＳＳに基づいてデータ変調回路１１７からの記録データと、パターン発生回路１１９からのパターンデータとを選択する。セレクタ回路１２０は、タイミング信号ＳＳがＨ（論理ハイ）レベルのときパターン発生回路１１９からのパターンデータを選択し、タイミング信号ＳＳがＬ（論理ロー）レベルのときデータ変調回路１１７からの記録データを選択する。
【００９３】
光磁気ディスク１００上でのデータ構成ＤＦがＦＣＭ／ａｄｄｒｅｓｓ／ＦＣＭ／Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ／Ｈｅａｄｅｒ／Ｄａｔａ／Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ／ＦＣＭ／Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ／Ｄａｔａ／Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅである場合にデータ変調回路１１７から記録データＷＤが出力され、パターン発生回路１１９からパターンデータＫＤが出力されると、セレクタ回路１２０は、タイミング信号ＳＳの成分ＳＳ１に基づいて、パターン発生回路１１９からのパターンデータ「１１１１００００１１１１００００」を選択して磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。続いて、セレクタ回路１２０は、成分ＳＳ４に基づいて、データ変調回路１１７からの記録データのうち４ｂｉｔｓのＰｒｅ−Ｗｒｉｔｅ、３２０ｂｉｔｓのＨｅａｄｅｒ、１９２ｂｉｔｓのＤａｔａ、４ｂｉｔｓのＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅを選択して磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。さらに、続いて、セレクタ回路１２０は、成分ＳＳ２に基づいて、パターン発生回路１１９からのデータパターン「１１００」を選択して磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。またさらに、続いて、セレクタ回路１２０は、成分ＳＳ５に基づいて、データ変調回路１１７からの記録データＷＤのうち、４ｂｉｔｓのＰｒｅ−Ｗｒｉｔｅ、５１２ｂｉｔｓのＤａｔａ、４ｂｉｔｓのＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅを選択して磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。これにより、磁気ヘッド駆動回路１２３へ記録データ列ＫＷＤが出力される。
【００９４】
図１２から明らかなように、記録データ列ＫＷＤを磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力することにより、光磁気ディスク１００上のＦＣＭ／ａｄｄｒｅｓｓ／ＦＣＭが形成された領域１０に光磁気信号「１１１１００００１１１１００００」が記録され、ＦＣＭが形成された領域３０に光磁気信号「１１００」が記録される。これによって、光磁気ディスク１００上のデータ構成ＤＦの全ての領域に光磁気信号を記録することができ、ユーザデータ領域である領域２０からデータを再生した場合に、直流成分が抑制され、正確に信号再生を行なうことができる。
【００９５】
プリフォーマット領域を構成する領域１０，３０に記録するパターンデータは、上述したパターンデータに限らず、一般に所定長さを有する論理レベルが交互に反対のパターンデータであれば良く、「１０１０１０１０…」や、「１１００１１００１１００…」や、「１１１０００１１１０００…」等であっても良い。また、所定長さを有する論理レベルが交互に反対のパターンデータでなくても「１００００１００００１００００…」のように所定の間隔で「１」が記録されるようなパターンデータであっても良い。この場合、一般的には、「１」と「１」との間隔は、ユーザデータの変調を行なうディジタル変調方式における最大の信号長より短く設定されたものであれば良い。ファインクロックマーク領域ＦＣＭの長さが１２ＤＣＢの場合、「１」と「１」との間隔は１１ＤＣＢ以下であれば良い。また、論理レベルが反転した場合も同様であり、さらに、周期性を有するパターンであればいずれの位相から開始しても良い。
【００９６】
光磁気ディスク１００には、欠損によりユーザデータを記録することができないディフェクトエリアが存在することがあり、その場合、図３に示すコントローラ１１４は、アドレス検出回路１０５が検出したアドレス情報ＡＤと、ＤＭＡ（Ｄｅｆｅｃｔ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ Ａｒｅａ）に予め記録されているディフェクトフレームのアドレス情報とにより、ディフェクトフレームを特定する。そして、ディフェクトフレームの検出信号を出力する。コントローラ１１４はディフェクトフレームの検出信号をタイミング発生回路１１５へ出力し、タイミング発生回路１１５は、ディフェクトフレームに記録するデータとしてパターン発生回路１１９からのデータパターンを選択するようにタイミング信号ＳＳを生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。これにより、セレクタ回路１２０は、ディフェクトフレームに記録するデータをパターン発生回路１１９から選択し、磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。したがって、ディフェクトフレームがある場合にも、そのディフェクトフレームに光磁気信号が記録されるので、ディフェクトエリアに続くユーザデータ領域からデータを再生した場合にも直流成分が重畳されることがなく、正確な信号再生が可能である。
【００９７】
図１３を参照して、フォーマット回路１２６を構成するパターン発生回路１１９およびセレクタ回路１２０と、タイミング発生回路１１５とについて詳細に説明する。
【００９８】
タイミング発生回路１１５は、５３２計上カウンタ１１５０と、一致回路１１５１と、３９計上カウンタ１１５２と、カウンタ値比較回路群１１５３とから成る。５３２計上カウンタ１１５０は、ＦＣＭ検出回路１０３からのファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴが入力されるとリセットされ、ＰＬＬ回路１０４から入力された基準クロックＣＬＫをカウントし、そのカウント値を一致回路１１５１およびカウント値比較回路群１１５３へ出力する。一致回路１１５１は、５３２計上カウンタ１１５０から入力されるカウント値の最大カウント値が５３１に一致するか否かを判別し、一致するとき一致信号ＭＴＣを３９計上カウンタ１１５２へ出力する。３９計上カウンタ１１５２は、アドレス検出回路１０５から入力されるアドレス検出信号ＡＤＦによってリセットされ、一致信号ＭＴＣをカウントし、そのカウント値をカウンタ値比較回路群１１５３へ出力する。
【００９９】
カウンタ値比較回路群１１５３は、３９計上カウンタ１１５２から入力されたカウント値に基づいて光磁気ディスク１００のセグメントＳ０〜Ｓ３８を特定し、５３２計上カウンタ１１５０から入力されたカウント値に基づいてセグメントＳ０〜Ｓ３８の各々におけるファインクロックマーク、Ａｄｄｒｅｓｓ、Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ、Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ、Ｈｅａｄｅｒ、およびＤａｔａ等の位置を特定する。そして、カウンタ値比較回路群１１５３は、特定したファインクロックマークの位置に基づいて、ファインクロックマークタイミング信号ＴＳＦＣＭ１〜３をパターン発生回路１１９のＦＣＭパターン発生回路１１９０およびセレクタ回路１２０へ出力する。また、カウンタ値比較回路群１１５３は、特定したＨｅａｄｅｒの位置に基づいて、ヘッダタイミング信号ＴＳＨＥＤをパターン発生回路１１９のＨｅａｄｅｒパターン発生回路１１９１およびセレクタ回路１２０へ出力する。さらに、カウンタ値比較回路群１１５３は、特定したＡｄｄｒｅｓｓの位置に基づいて、アドレスタイミング信号ＴＳＡＤをパターン発生回路１１９のアドレスパターン発生回路１１９２およびセレクタ回路１２０へ出力する。またさらに、カウンタ値比較回路群１１５３は、特定したＰｒｅ−Ｗｒｉｔｅの位置に基づいて、プリライトタイミング信号ＴＳＰＲＷ１，２をパターン発生回路１１９のＰｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９３およびセレクタ回路１２０へ出力する。またさらに、カウンタ値比較回路群１１５３は、特定したＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅの位置に基づいて、ポストライトタイミング信号ＴＳＰＯＷ１，２をパターン発生回路１１９のＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９４およびセレクタ回路１２０へ出力する。またさらに、カウンタ値比較回路群１１５３は、特定したデータの位置に基づいて、データタイミング信号ＴＳＤＡ１，２をフォーマット回路１１８およびセレクタ回路１２０へ出力する。またさらに、カウンタ値比較回路群１１５３は、アドレス検出回路１０５からディフェクトフレーム検出信号が入力されると、固定タイミング信号ＴＳＨＬＤを固定パターン発生回路１１９の固定パターン発生回路１１９５およびセレクタ回路１２０へ出力する。
【０１００】
パターン発生回路１１９は、ＦＣＭパターン発生回路１１９０と、Ｈｅａｄｅｒパターン発生回路１１９１と、アドレスパターン発生回路１１９２と、Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９３と、Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９４と、固定パターン発生回路１１９５とから成る。ＦＣＭパターン発生回路１１９０は、ファインクロックマークタイミング信号ＴＳＦＣＭ１〜３に同期してファインクロックマーク３Ａ，３Ｂが形成された領域に記録すべきパターンデータを生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。Ｈｅａｄｅｒパターン発生回路１１９１は、ヘッダタイミング信号ＴＳＨＥＤに同期してＨｅａｄｅｒ領域に記録すべきパターンデータを生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。
【０１０１】
アドレスパターン発生回路１１９２は、アドレスタイミング信号ＴＳＡＤに同期してアドレス領域に記録すべきパターンデータを生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９３は、プリライトタイミング信号ＴＳＰＲＷ１，２に同期してプリライト領域に記録すべきパターンデータを生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。
【０１０２】
Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９４は、ポストライトタイミング信号ＴＳＰＯＷ１，２に同期してポストライト領域に記録すべきパターンデータを生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。固定パターン発生回路１１９５は、固定タイミング信号ＴＳＨＬＤに同期して傷が存在するフレームに記録すべきパターンデータを生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。
【０１０３】
セレクタ回路１２０は、カウンタ値比較回路群１１５３から入力されたファインクロックマークタイミング信号ＴＳＦＣＭ１〜３に同期して、ＦＣＭパターン発生回路１１９０から入力されたファインクロックマーク領域に記録すべきパターンデータを磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。また、セレクタ回路１２０は、カウンタ値比較回路群１１５３から入力されたヘッダタイミング信号ＴＳＨＥＤに同期して、ＦＣＭパターン発生回路１１９０から入力されたヘッダ領域に記録すべきパターンデータを磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。さらに、セレクタ回路１２０は、カウンタ値比較回路群１１５３から入力されたアドレスタイミング信号ＴＳＡＤに同期して、アドレスパターン発生回路１１９２から入力されたアドレス領域に記録すべきパターンデータを磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。またさらに、セレクタ回路１２０は、カウンタ値比較回路群１１５３から入力されたプリライトタイミング信号ＴＳＰＲＷ１，２に同期して、Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９３から入力されたプリライト領域に記録すべきパターンデータを磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。またさらに、セレクタ回路１２０は、カウンタ値比較回路群１１５３から入力されたポストライトタイミング信号ＴＳＰＯＷ１，２に同期して、Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９４から入力されたポストライト領域に記録すべきパターンデータを磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。またさらに、セレクタ回路１２０は、カウンタ値比較回路群１１５３から入力された固定タイミング信号ＴＳＨＬＤに同期して、固定パターン発生回路１１９５から入力された欠損が存在するフレーム全体に記録すべきパターンデータを磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。
【０１０４】
図１３〜１５を参照して、タイミング発生回路１１５、パターン発生回路１１９、およびセレクタ回路１２０の動作について説明する。タイミング発生回路１１５の５３２計上カウンタ１１５０は、ＦＣＭ検出回路１０３からのファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴが入力されるとカウント値をリセットし、ＰＬＬ回路１０４から入力された基準クロックＣＬＫをカウントする。すなわち、図１４のファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴの成分Ｓ１，Ｓ２，…が入力されるとリセットし、隣接成分Ｓ１，Ｓ２間における基準クロックＣＬＫをカウントする。ファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴの隣接成分Ｓ１，Ｓ２間には、通常、５３２個のクロック成分が存在するため、５３２計上カウンタ１１５０は、カウント値０〜５３１を一致回路１１５１およびカウンタ値比較回路群１１５３へ出力する。
【０１０５】
そうすると、一致回路１１５２は、入力されたカウント値のうち、最大のカウント値が５３１であるか否かを判別し、５３１に一致するとき一致信号ＭＴＣを３９計上カウンタ１１５２へ出力する。そうすると、３９計上カウンタ１１５２は、アドレス検出回路１０５からアドレス検出信号ＡＤＦが入力されるとリセットされ、一致信号ＭＴＣをカウントし、そのカウント値０〜３８をカウント値比較回路群１１５３へ出力する。なお、アドレス検出信号ＡＤＦは、１フレームごと、すなわち、３９セグメントごとに入力されるので、３９計上カウンタ１１５２は、０〜３８のカウント値をカウント値比較回路群１１５３へ出力する。
【０１０６】
カウント値比較回路群１１５３は、３９計上カウンタ１１５２から入力されたカウント値が「０」のとき、セグメントＳ０、すなわちアドレス情報ＡＤがプリフォーマットされている領域であることを認識する。次に、カウント値比較回路群１１５３は、５３２計上カウンタ１１５０からのカウント値が０〜１１，１２〜５３１のとき、それぞれ、セグメントＳ０におけるファインクロックマーク領域、アドレス領域であることを認識する。そして、カウント値比較回路群１１５３は、ファインクロックマークタイミング信号ＴＳＦＣＭ１およびアドレスタイミング信号ＴＳＡＤを生成し、それぞれ、ＦＣＭパターン発生回路１１９０、アドレスパターン発生回路１１９２へ出力する。
【０１０７】
また、３９計上カウンタ１１５２から入力されたカウント値が「１」であるとき、カウント値比較回路群１１５３は、セグメントＳ１を認識する。次に、カウント値比較回路群１１５３は、５３２計上カウンタ１１５０からのカウント値が０〜１１，１２〜１５，１６〜３３５，３３６〜５２５，５２６〜５２９のとき、それぞれ、ファインクロックマーク領域、Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ領域、Ｈｅａｄｅｒ領域、Ｄａｔａ領域、Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ領域であることを認識する。そして、カウント値比較回路群１１５３は、ファインクロックマークタイミング信号ＴＳＦＣＭ２、プリライトタイミング信号ＴＳＰＲＷ１、ヘッダタイミング信号ＴＳＨＥＤ、データタイミング信号ＴＳＤＡ１、およびポストタイミング信号ＴＳＰＯＷ１を生成し、それぞれ、ＦＣＭパターン発生回路１１９０、Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９３、Ｈｅａｄｅｒパターン発生回路１１９１、データ変調回路１１７、およびＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９４へ出力する。
【０１０８】
さらに、３９計上カウンタ１１５２から入力されたカウント値が「２」〜「３８」であるとき、カウント値比較回路群１１５３は、セグメントＳ２〜Ｓ３８を認識する。次に、カウント値比較回路群１１５３は、５３２計上カウンタ１１５０からのカウント値が０〜１１，１２〜１５，１６〜５２７，５２８〜５３１のとき、それぞれ、ファインクロックマーク領域、Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ領域、Ｄａｔａ領域、Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ領域であることを認識する。そして、カウント値比較回路群１１５３は、ファインクロックマークタイミング信号ＴＳＦＣＭ３、プリライトタイミング信号ＴＳＰＲＷ２、データタイミング信号ＴＳＤＡ２、およびポストタイミング信号ＴＳＰＯＷ２を生成し、それぞれ、ＦＣＭパターン発生回路１１９０、Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９３、データ変調回路１１７およびＰｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９４へ出力する。
【０１０９】
ＦＣＭパターン発生回路１１９０は、ファインクロックマークタイミング信号ＴＳＦＣＭ１〜３の各々に同期して１２ＤＣＢのパターンデータ「１１１１００００１１１１」を生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。Ｈｅａｄｅｒパターン発生回路１１９１は、ヘッダタイミング信号ＴＳＨＥＤに同期して３２０ＤＣＢのパターンデータ「１１００１１００…１１００１１１１１１１１００００００００１１１１１１１１００００００００…１１１１１１１１００００００００」を生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。３２０ＤＣＢのパターンデータは、上述したように２Ｔの信号を２Ｔの間隔で所定数記録し、８Ｔの信号を８Ｔの間隔で所定数記録するためのパターンデータであり、レーザ光の最適強度等を決定するために用いられる。
【０１１０】
アドレスパターン発生回路１１９２は、アドレスタイミング信号ＴＳＡＤに同期して５２０ＤＣＢのパターンデータ「１１１１００００１１１１００００…１１１１００００」を生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９３は、プリライトタイミング信号ＴＳＰＲＷ１，２に同期して４ＤＣＢのパターンデータ「００１１」を生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路１１９４は、ポストタイミング信号ＴＳＰＯＷ１，２に同期して４ＤＣＢのパターンデータ「１１００」を生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。固定パターン発生回路１１９５は、固定パターンタイミング信号ＴＳＨＬＤに同期して５３２×３９＝２０７４８ＤＣＢのパターンデータ「１１１１００００１１１１００００…１１１１００００」を生成し、セレクタ回路１２０へ出力する。
【０１１１】
セレクタ回路１２０は、ファインクロックマークタイミング信号ＴＳＦＣＭ１に同期して１２ＤＣＢのパターンデータ「１１１１００００１１１１」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力し、アドレスタイミング信号ＴＳＡＤに同期して５２０ＤＣＢのパターンデータ「１１１１００００１１１１００００…１１１１００００」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。
【０１１２】
また、セレクタ回路１２０は、ファインクロックマークタイミング信号ＴＳＦＣＭ２に同期して１２ＤＣＢのパターンデータ「１１１１００００１１１１」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力し、プリライトタイミング信号ＴＳＰＲＷに同期して４ＤＣＢのパターンデータ「００１１」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。
【０１１３】
さらに、セレクタ回路１２０は、ヘッダタイミング信号ＴＳＨＥＤに同期して３２０ＤＣＢのパターンデータ「１１００１１００１１００１１００…１１１１１１１１００００００００１１１１１１１１」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力し、データタイミング信号ＴＳＤＡ１に同期して１９０ＤＣＢの記録データを磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。
【０１１４】
またさらに、セレクタ回路１２０は、ポストライトタイミング信号ＴＳＰＯＷに同期して４ＤＣＢのパターンデータ「１１００」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力し、ファインクロックマークタイミング信号ＴＳＦＣＭ３に同期して１２ＤＣＢのパターンデータ「１１１１００００１１１１」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。
【０１１５】
またさらにセレクタ回路１２０は、プリライトタイミング信号ＴＳＰＲＷに同期して４ＤＣＢのパターンデータ「００１１」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力し、データタイミング信号ＴＳＤＡ２に同期して５１２ＤＣＢの記録データを磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力し、ポストライトタイミング信号ＴＳＰＯＷに同期して４ＤＣＢのパターンデータ「１１００」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。またさらに、セレクタ回路１２０は、固定パターンタイミング信号ＴＳＨＬＤに同期して２０７４８ＤＣＢの「１１１１００００…１１１１００００」を磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。
【０１１６】
これにより、図１２に示す記録データ列ＫＷＤが磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力され、記録データＷＤが記録されるユーザデータ領域２０以外のプリフォーマット領域１０，３０に再生信号の直流成分を抑制するための信号が記録される。また、傷等の欠損が存在するフレームに再生信号の直流成分を抑制するための信号が記録される。
【０１１７】
再び、図６を参照して、光磁気ディスク装置２００における光磁気ディスク１００へのデータの記録動作について説明する。光磁気ディスク１００が光磁気ディスク装置２００に装着されると、コントローラ１１４は、スピンドルモータ１０１を所定の回転数で回転させるようにサーボ機構（図示せず）を制御するとともに、所定強度のレーザ光を光ピックアップ１０２から出射させるようにタイミング発生回路１１５を介してレーザ駆動回路１２４を制御する。
【０１１８】
そうすると、サーボ機構（図示せず）は、スピンドルモータ１０１を所定の回転数で回転させ、スピンドルモータ１０１は、光磁気ディスク１００を所定の回転数で回転させる。また、光ピックアップ１０２は、所定強度のレーザ光を対物レンズ（図示せず）によって光磁気ディスク１００に集光照射し、その反射光を検出する。そして、光ピックアップ１０２は、フォーカスエラー信号、およびトラッキングエラー信号をサーボ機構（図示せず）に出力し、サーボ機構はフォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号に基づいて、光ピックアップ１０２の対物レンズのフォーカスサーボおよびトラッキングサーボをオンさせる。
【０１１９】
その後、光ピックアップ１０２は、光磁気ディスク１００からラジアルプッシュプル法によりファインクロックマーク信号ＦＣＭを検出し、その検出したファインクロックマーク信号ＦＣＭをＦＣＭ検出回路１０３へ出力する。ＦＣＭ検出回路１０３は、上述した方法によって、ファインクロックマーク信号ＦＣＭからファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴを検出し、その検出したファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴをＰＬＬ回路１０４およびタイミング発生回路１１５へ出力する。ＰＬＬ回路１０４は、ファインクロックマーク検出信号ＦＣＭＴに基づいて基準クロックＣＬＫを生成し、その生成した基準クロックＣＬＫをタイミング発生回路１１５、データ変調回路１１７、フォーマット回路１２６、および遅延回路１２７へ出力する。遅延回路１２７は、ＰＬＬ回路１０４からの基準クロックＣＬＫの位相を一定量遅延させた再生クロックＣＬＫＳを生成し、その生成した再生クロックＣＬＫＳをアドレス検出回路１０５、ＡＤ変換器１０７と、波形等化回路１０８、ビタビ復号回路１０９、アンフォーマット回路１１０、データ復調回路１１１、およびコントローラ１１４へ出力する。
【０１２０】
また、アドレス検出回路１０５は、光ピックアップ１０２が光磁気ディスク１００のセグメントＳ０からタンジェンシャルプッシュプル法により検出したアドレス信号を入力し、遅延回路１２７から入力された再生クロックＣＬＫＳに同期してアドレス情報ＡＤを検出すると共に、アドレス情報ＡＤを検出したことを示すアドレス検出信号ＡＤＦをアドレス情報の最終位置で生成する。そして、アドレス検出回路１０５は、検出したアドレス情報ＡＤをコントローラ１１４へ出力し、生成したアドレス検出信号ＡＤＦをヘッダ検出回路１１３およびタイミング発生回路１１５へ出力する。
【０１２１】
一方、ＢＣＨエンコーダ１１６は、記録データに誤り訂正符号を付加し、データ変調回路１１７は、ＰＬＬ回路１０４からの基準クロックＣＬＫに同期してＢＣＨエンコーダ１１６からの記録データを所定の方式に変調する。そして、データ変調回路１１７は、変調した記録データをフォーマット回路１２６へ出力する。
【０１２２】
タイミング発生回路１１５は、アドレス検出回路１０５から入力されたアドレス情報に基づいて、光磁気ディスク１００のデータ領域に記録する記録信号を生成するためのタイミング信号を生成する。そして、タイミング発生回路１１５は、生成したタイミング信号をセレクタ回路１２０、磁気ヘッド駆動回路１２３、およびレーザ駆動回路１２４へ出力する。
【０１２３】
セレクタ回路１２０は、タイミング信号に基づいて、データ変調回路１１７から入力された記録信号を選択して磁気ヘッド駆動回路１２３へ出力する。そして、磁気ヘッド駆動回路１２３は、記録信号によって変調された磁界をタイミング信号に同期して生成するように磁気ヘッド１２５を駆動する。一方、レーザ駆動回路１２４は、タイミング信号に同期して光ピックアップ１０２中の半導体レーザ（図示せず）を駆動し、光ピックアップ１０２はレーザ光を対物レンズ（図示せず）によって光磁気ディスク１００に集光照射する。そして、磁気ヘッド１２５は、記録信号によって変調された磁界を光磁気ディスク１００に印加する。これによって、記録データが光磁気ディスク１００に記録される。
【０１２４】
次に、光磁気ディスク装置２００を用いた光磁気ディスク１００からの信号の再生動作について説明する。光磁気ディスク１００が光ディスク装置２００に装着され、対物レンズのフォーカスサーボおよびトラッキングサーボが行なわれ、基準クロックＣＬＫおよび再生クロックＣＬＫＳが生成され、アドレス情報が検出されるまでの動作は、信号の記録動作と同じである。検出されたアドレス情報は、コントローラ１１４へ入力される。
【０１２５】
ヘッダ検出回路１１３は、コントローラ１１４から入力されたアドレス情報ＡＤおよびアドレス検出回路１０５から入力されたアドレス検出信号ＡＤＦに基づいて再生信号に含まれるヘッダの位置を検出し、遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫに同期して再生信号からプリライト（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ）およびヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）のタイミング信号を生成する。そして、生成したヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）のタイミング信号をアンフォーマット回路１１０およびデータ復調回路１１１へ出力する。
【０１２６】
一方、光ピックアップ１０２は、検出した再生信号をＢＰＦ１０６へ出力し、ＢＰＦ１０６は、再生信号の高域、および低域をカットする。ＡＤ変換器１０７は、遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期して、ＢＰＦ１０６から出力された再生信号をアナログ信号からディジタル信号に変換する。
【０１２７】
そして、波形等化回路１０８は、遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期してディジタル信号に変換された再生信号にＰＲ（１，１）波形等化を行なう。すなわち、検出信号の前後のデータが１対１に波形干渉を行なうように等化する。
【０１２８】
その後、ビタビ復号回路１０９は、遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期して、波形等化を行なった再生信号を多値から２値に変換し、その変換した再生信号をアンフォーマット回路１１０、およびヘッダ検出回路１１３へ出力する。
【０１２９】
そうすると、ヘッダ検出回路１１３は、コントローラ１１４から入力されたアドレス情報ＡＤおよびアドレス検出回路１０５から入力されたアドレス検出信号ＡＤＦに基づいて再生信号に含まれるヘッダの位置を検出し、遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期して再生信号からプリライト（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ）およびヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）のタイミング信号を生成する。そして、生成したヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）のタイミング信号をアンフォーマット回路１１０およびデータ復調回路１１１へ出力する。
【０１３０】
アンフォーマット回路１１０は、ヘッダ検出回路１１３から入力されたタイミング信号に基づいて、光磁気ディスク１００のユーザデータ領域に記録されたプリライト（Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅ）、ポストライト（Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅ）、およびヘッダ（Ｈｅａｄｅｒ）を除去する。
【０１３１】
また、データ復調回路１１１は、遅延回路１２７からの再生クロックＣＬＫＳに同期してアンフォーマットされた再生信号を入力して、記録時に施されたディジタル変調を解くための復調を行なう。そして、ＢＣＨデコーダ１１２は、復調された再生信号の誤り訂正を行ない、再生データとして出力する。これにより、光磁気ディスク１００からの信号の再生動作が終了する。
【０１３２】
上述した動作によって光磁気ディスク１００に信号が記録され、光磁気ディスク１００から信号が再生される。本発明においては、周囲の温度変化によって光磁気ディスク１００に照射されるレーザ光の記録パワーが変化し、光磁気ディスク１００に形成される磁区の位置が変化するのを防止するために、光磁気ディスク１００に記録した記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための、基準クロックＣＬＫに対する再生クロックＣＬＫＳの遅延量を用いてレーザ光の記録パワーを調整する。
【０１３３】
通常、レーザ光の記録パワーを最適記録パワーに設定し、かつ、基準クロックＣＬＫに同期して光磁気ディスク１００に信号を記録し、その記録した記録信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するためには、再生クロックＣＬＫＳの位相を、基準クロックＣＬＫの位相に対して基準遅延量だけ遅延させる必要がある。そして、レーザ光の記録パワーを最適記録パワーからずれた記録パワーに設定し、かつ、基準クロックＣＬＫに同期して光磁気ディスク１００に信号を記録し、その記録した記録信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するためには再生クロックＣＬＫＳの位相を、基準クロックＣＬＫの位相に対して基準遅延量と異なる遅延量だけ遅延させる必要がある。
【０１３４】
したがって、レーザ光の記録パワーを任意のパワーに設定し、かつ、基準クロックＣＬＫに同期して光磁気ディスク１００に信号を記録し、その記録した記録信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するための再生クロックＣＬＫＳの遅延量を求めれば、信号を記録したときのレーザ光の記録パワーを検出できる。つまり、記録信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するための再生クロックＣＬＫＳの位相が、基準クロックＣＬＫの位相に対して基準遅延量だけ遅延されていれば、信号を記録したときのレーザ光のパワーは最適記録パワーに設定されていたことになり、記録信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するための再生クロックＣＬＫＳの位相が基準クロックＣＬＫの位相に対して基準遅延量と異なる遅延量だけ遅延されていれば、信号を記録したときのレーザ光のパワーは最適記録パワーでなかったことになる。また、レーザ光の記録パワーと、記録信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するための基準クロックＣＬＫに対する再生クロックＣＬＫＳの遅延量は１対１に対応しているので、求めた再生クロックＣＬＫＳの遅延量からレーザ光の記録パワーを検出でき、その検出した記録パワーに基づいてレーザ光のパワーを最適記録パワー付近に制御することが可能である。
【０１３５】
図１６を参照して、光磁気ディスク１００のグルーブ１に信号を記録するときのレーザ光の記録パワーと再生信号のビットエラーレート（単に「エラーレート」とも言う。）との関係、およびレーザ光の記録パワーと再生クロックＣＬＫＳの基準クロックＣＬＫに対する位相シフト（基準クロックＣＬＫに対する再生クロックＣＬＫＳの遅延量とも言う。）との関係について説明する。図１６においては、黒菱形で示される曲線は、グルーブ１に信号を記録し、信号を記録したグルーブ１にレーザ光を照射して記録信号を再生したときのレーザ光の記録パワーと再生信号のエラーレートとの関係を示す。また、黒四角で示される曲線は、グルーブ１に信号を記録し、信号を記録したグルーブ１に隣接するランド２に記録された信号をランド２にレーザ光を照射して再生したときのレーザ光の記録パワーと再生信号のエラーレートとの関係を示す。さらに、黒三角で示される曲線は、各記録パワーで記録した信号を、最小のエラーレートで再生するための再生クロックＣＬＫＳの遅延量と、記録パワーとの関係を示す。
【０１３６】
グルーブ１に記録した信号を、信号を記録したグルーブ１にレーザ光を照射して再生するときのレーザ光の記録パワーと再生信号のエラーレートとの関係においては、レーザ光の記録パワーの増加に伴い、再生信号のエラーレートは急激に減少し、約５．７ｍＷの記録パワーで１０−５のエラーレートに達する。そして、６．０ｍＷ以上の記録パワーで３×１０−６のエラーレートを保持する（黒菱形）。また、グルーブ１に信号を記録し、信号を記録したグルーブ１に隣接するランド２に記録された信号をランド２にレーザ光を照射して再生したときのレーザ光の記録パワーと再生信号のエラーレートとの関係においては、約７．５ｍＷの記録パワーまでは、３×１０−６のエラーレートを保持し、７．５ｍＷ以上の記録パワーでは、再生信号のエラーレートが急激に大きくなる（黒四角）。これは、記録パワーの増加に伴い、グルーブ１に隣接するランド２にも影響を与え、ランド２に記録された信号を消去する割合が高くなるからである。さらに、再生クロックＣＬＫＳの遅延量と記録パワーとの関係においては、記録パワーの増加に伴い再生クロックＣＬＫＳの遅延量は単調に減少する。そして、記録パワーが約６．２ｍＷ〜約７．６ｍＷの範囲では、再生クロックＣＬＫＳの遅延量は５０ｎｓｅｃから２０ｎｓｅｃに減少する（黒三角）。レーザ光の記録パワーをＰｗ、再生クロックＣＬＫＳの遅延量をＰｈで表すと、図１６においては、
Ｐｈ＝−１８×Ｐｗ＋１６０・・・・・・・（１）
の関係が成立する。
【０１３７】
グルーブ１に記録した信号を、信号を記録したグルーブ１にレーザ光を照射して再生したとき、およびグルーブ１に信号を記録し、信号を記録したグルーブ１に隣接するランド２に記録された信号をランド２にレーザ光を照射して再生したときには、レーザ光の記録パワーが約５．８ｍＷ〜約７．８ｍＷの範囲で再生信号のエラーレートは１×１０−５以下になる。また、レーザ光の記録パワーが６．０ｍＷ〜約７．５ｍＷの範囲で再生信号のエラーレートは３×１０−６を保持する。この範囲において、記録信号を再生するときの再生クロックＣＬＫＳの遅延量は２４ｎｓｅｃ〜５４ｎｓｅｃの範囲で変化する。光磁気ディスク１００に形成されたファインクロックマーク３Ａ，３Ｂに基づいて生成された基準クロックＣＬＫおよび再生クロックＣＬＫＳは２０ＭＨｚの周波数を有するため、１周期当りの長さは５０ｎｓｅｃになる。したがって、レーザ光の記録パワーを好適な記録パワーに設定して記録した信号を、基準値（１×１０−５）よりも低いエラーレート（３×１０−６）で再生するためには、再生クロックＣＬＫＳの遅延量を２４ｎｓｅｃと、１周期＋４ｎｓｅｃとの間で制御すれば良い。
【０１３８】
本発明においては、６．０ｍＷ〜約７．５ｍＷの範囲のほぼ中心値である６．８ｍＷを最適記録パワーとし、最適記録パワーで記録した信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するための再生クロックＣＬＫＳの遅延量４０ｎｓｅｃを基準遅延量とする。
【０１３９】
レーザ光の記録パワーを任意のパワーに設定し、かつ、基準クロックＣＬＫに同期して信号を記録し、その記録した記録信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するための再生クロックＣＬＫＳの遅延量を求めた結果、その遅延量が基準遅延量４０ｎｓｅｃからずれていれば、遅延量が基準遅延量に近づくように記録パワーを調整する。その記録パワーの調整方法は、次式（２）を用いて行なう。
【０１４０】
Ｐｗ＝Ｐｗｂ−（Ｐｈ−Ｐｈ０）／１８・・・・・（２）
（２）式において、Ｐｈ０は、最適記録パワーで記録した信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するための再生クロックＣＬＫＳの遅延量であり、Ｐｗｂは、調整時に信号を記録した記録パワーである。また、Ｐｈは、記録パワーＰｗｂで記録した信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するための再生クロックＣＬＫＳの遅延量であり、Ｐｗは、設定すべき記録パワーである。コントローラ１１４は、遅延量Ｐｈ０および記録パワーＰｗｂを記憶しており、記録パワーの調整時に遅延量Ｐｈを求め、上記（２）式より設定すべき記録パワーＰｗと調整時の記録パワーＰｗｂとの差、すなわち、記録パワーの補正値Ｐｗ−Ｐｗｂを求める。これにより、信号を記録するときのレーザ光の記録パワーを最適記録パワーに設定できる。
【０１４１】
図１６におけるレーザ光の記録パワーと再生信号のエラーレートとの関係からすれば、記録パワーが６．０〜７．５ｍＷの範囲において再生信号のエラーレートが３×１０−６を保持しており、記録パワーの調整時に求めた遅延量が２４〜５４ｎｓｅｃの範囲に入っていれば、つまり、調整時の記録パワーが６．０〜７．５ｍＷの範囲に入っていれば、それ以上記録パワーを調整する必要がないと考えることもできる。しかし、本発明においては、調整時の記録パワーが６．０〜７．５ｍＷの範囲に入っていても、記録パワーがより最適記録パワーに近づくように調整する。これにより、一定の位置に磁区を形成することができ、安定して記録信号を再生できる。
【０１４２】
なお、レーザ光の記録パワーを、常に、最適記録パワーに設定するのは困難であるので、最適記録パワー６．８ｍＷを中心として±０．２ｍＷの範囲、すなわち、６．６〜７．０ｍＷの範囲を記録パワーの好適な範囲とする。したがって、本発明においては、記録パワーの調整時に検出した再生クロックＣＬＫＳの遅延量に基づいて、記録パワーを好適な範囲に調整する。
【０１４３】
各記録パワーで記録した信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するための再生クロックＣＬＫＳの遅延量は、ＰＬＬ回路１０４によって生成された基準クロックＣＬＫの位相を遅延回路１２７によって各種の遅延量だけ遅延させて記録信号を再生し、その再生した再生信号をＢＰＦ１０６、ＡＤ変換器１０７、波形等価回路１０８、ビタビ復号回路１０９、アンフォーマット回路１１０、データ復調回路１１１およびＢＣＨデコーダ１１２によって復調およびエラー訂正を行ない、ＢＣＨデコーダ１１２からの誤り数に基づいてコントローラ１１４がエラーレートを検出し、そのエラーレートが基準値よりも低くなる遅延量を検出することによって求められる。なお、ＢＰＦ１０６、ＡＤ変換器１０７、波形等価回路１０８、ビタビ復号回路１０９、アンフォーマット回路１１０、データ復調回路１１１およびＢＣＨデコーダ１１２を「信号処理回路」と言う。
【０１４４】
図１６においては、光磁気ディスク１００のグルーブ１に信号を記録するときの記録パワーと再生信号のエラーレートとの関係、および記録パワーと再生クロックＣＬＫＳの遅延量との関係が示されているが、ランド２に信号を記録するときの記録パワーと再生信号のエラーレートとの関係、および記録パワーと再生クロックＣＬＫＳの遅延量との関係も、図１６に示す関係と同じ関係になる。
【０１４５】
上述したレーザ光の記録パワーの調整は、光磁気ディスク１００のテスト領域ＴＳＲを用いて行なわれる。その場合、テスト領域ＴＳＲに含まれる各フレームのセグメントＳ０のヘッダ領域に、上述した記録動作によって２Ｔの信号を記録パワーを種々変化させて連続記録し、その２Ｔの記録信号を再生クロックＣＬＫＳの遅延量を種々変化させて再生して、図１６に示す記録パワーと再生信号のエラーレートとの関係、および記録パワーと再生クロックＣＬＫＳの遅延量との関係を求める。そして、記録パワーと再生信号のエラーレートとの関係から最適記録パワーを求め、その求めた最適記録パワーを用いてデータ領域ＤＲに信号を記録する。
【０１４６】
周囲の温度が変化しなければ、最初に求めた最適記録パワーで信号を記録すれば良いが、現実には、周囲の温度は変化するので、本発明においては、図６に示す温度センサー１２８が検出した温度が５℃以上変化したときに上述したレーザ光の記録パワーの調整を行なう。つまり、コントローラ１１４は、温度センサー１２８からの温度を受取り、その受取った温度が５℃以上変化しているとき、遅延量を種々変化させた再生クロックＣＬＫＳを生成するように遅延回路１２８を制御する。そして、セグメントＳ０のヘッダ領域に記録された２Ｔの記録信号が遅延量を変化させた再生クロックＣＬＫＳに同期して再生される。そうすると、コントローラ１１４は、信号処理回路のＢＣＨデコーダ１１２から再生信号の誤り数を受取り、再生クロックＣＬＫＳの各遅延量に対する再生信号のエラーレートを求め、基準値よりも低いエラーレートを実現するための再生クロックＣＬＫＳの遅延量を求める。コントローラ１１４は、求めた遅延量から２Ｔの信号を記録したときの記録パワーを上記（１）式に基づいて求める。そして、コントローラ１１４は、求めた記録パワーが好適な範囲に入っているか否かを判別し、入っていなければ、記録パワーを好適な範囲に設定し直す。
【０１４７】
図１７を参照して、周囲の温度が５℃以上変化したときの記録パワーを調整して信号を光磁気ディスクに記録する動作を説明する。光磁気ディスク１００への信号の記録動作が発生すると（ステップＳ１）、コントローラ１１４は、温度センサー１２８が検出した温度Ｔを取得する（ステップＳ２）。そして、記録動作の発生時に取得した温度Ｔが以前に取得した温度Ｔ０に対して５℃以上変化した否かを判別する（ステップＳ３）。記録動作の発生時に取得した温度Ｔが以前に取得した温度Ｔ０に対して５℃以上変化していなければ、ステップＳ９へ移行して記録パワーの調整動作は終了する。記録動作の発生時に取得した温度Ｔが以前に取得した温度Ｔ０に対して５℃以上変化していれば、コントローラ１１４は、取得した温度Ｔを温度Ｔ０に置換えて記憶する。そして、コントローラ１１４は、光磁気ディスク１００のテスト領域ＴＳＲのフレームに含まれるヘッダ領域にレーザ光を照射するようにサーボ機構を制御する。そして、コントローラ１１４は、遅延量を変化させた再生クロックＣＬＫＳを生成するように遅延回路１２８を制御し、ヘッダ領域に記録された記録信号は、遅延量を変化させた再生クロックＣＬＫＳに同期して再生される（ステップＳ５）。そして、コントローラ１１４は、信号処理回路のＢＣＨデコーダ１１２から再生信号の誤り数を受取り、その受取った誤り数に基づいて各遅延量を有する再生クロックＣＬＫＳに同期して再生された再生信号のエラーレートを検出し、再生信号のエラーレートが１０−５よりも低くなる再生クロックＣＬＫＳの遅延量を検出する（ステップＳ６）。コントローラ１１４は、上記（２）式に示す関係から固定パターンをヘッダ領域に記録したときの記録パワーの補正値を求める（ステップＳ７）。そして、その求めた補正値によって記録パワーを設定し直し、その設定し直した記録パワーによって光磁気ディスク１００に信号を記録する（ステップＳ８）。そして、記録パワーの調整動作は終了する（ステップＳ９）。
【０１４８】
なお、記録パワーの調整は、フレームのヘッダ領域に記録された２Ｔの記録信号に基づいて行なわれるとして説明したが、本発明においては、これに限らず、ユーザデータ領域にユーザデータを記録し、その記録した記録信号を遅延量を変化させた再生クロックＣＬＫＳによって再生して記録パワーを調整しても良い。
【０１４９】
また、本発明においては、周囲の温度が５℃以上変化した場合にだけ記録パワーの調整を行なうのではなく、記録動作が発生するたびに記録パワーを調整しても良いし、各フレームごとに記録パワーを調整しても良い。したがって、本発明においては、記録パワーを調整するタイミングは特に問題ではなく、記録信号を基準値よりも低いエラーレートで再生するための再生クロックＣＬＫＳの遅延量を用いて記録パワーを調整するものであれば良い。
【０１５０】
記録パワーの調整が終了した後、調整した記録パワーのレーザ光を照射して上述した記録動作によって信号を光磁気ディスク１００に記録し、光磁気ディスク１００から信号を再生する。
【０１５１】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【図１】バンドの概念を説明するための光磁気ディスクの平面図である。
【図２】図１に示す光磁気ディスクのトラック構造を説明するための斜視図である。
【図３】光磁気ディスクとそのフォーマットを示す平面図である。
【図４】バンド、フレーム、およびセグメントの関係を説明するための図である。
【図５】記録データ列のフォーマットを示す概略図である。
【図６】光磁気ディスク装置のブロック図である。
【図７】プリフォーマット領域、ユーザデータ領域からのデータの再生を説明するための図である。
【図８】ＰＬＬ回路のブロック図である。
【図９】ファインクロックマーク検出信号、およびクロックの生成を説明するための図である。
【図１０】アドレス情報の検出、およびアドレス最終位置検出信号の生成を説明するための図である。
【図１１】タイミング信号の生成を説明するための図である。
【図１２】光ディスク装置により光磁気ディスクに記録される記録データ列を説明するための図である。
【図１３】図６に示す光磁気ディスク装置のフォーマット回路の概略ブロック図である。
【図１４】図１３に示すタイミング発生回路における５３２計上カウンタ、および３９計上カウンタの動作を説明する信号のタイミングチャート図である。
【図１５】図１３に示すタイミング発生回路が生成するタイミング信号のタイミングチャート図である。
【図１６】記録パワーと再生信号のエラーレートとの関係、および記録パワーと再生クロックの遅延量との関係を示す図である。
【図１７】記録パワーを調整して信号を記録する動作を説明するためのフローチャートである。
【図１８】各記録パワーにおける磁区の形成を示す図である。
【符号の説明】
１ グルーブ、２ ランド、３Ａ，３Ｂ ファインクロックマーク、４〜９ ウォブル、１０，３０ プリフォーマット領域、２０ ユーザデータ領域、４０，５０ 回路、１００ 光磁気ディスク、１００Ａ 透光性基板、１００Ｂ 磁性膜、１０１ スピンドルモータ、１０２ 光ピックアップ、１０３ ＦＣＭ検出回路、１０４ ＰＬＬ回路、１０５ アドレス検出回路、１０６ ＢＰＦ、１０７ ＡＤ変換器、１０８ 波形等化回路、１０９ ビタビ復号回路、１１０ アンフォーマット回路、１１１ データ復調回路、１１２ ＢＣＨデコーダ、１１３ ヘッダ検出回路、１１４ コントローラ、１１５ タイミング発生回路、１１６ ＢＣＨエンコーダ、１１７ データ変調回路、１１９ パターン発生回路、１２０ セレクタ回路、１２３ 磁気ヘッド駆動回路、１２４ レーザ駆動回路、１２５ 磁気ヘッド、１２６ フォーマット回路、１２７ 遅延回路、１２８ 温度センサー、２００ 光磁気ディスク装置、２１０〜２１２ 中心、４００ 差分器、５００，５０１，５０３，５０４ 加算器、５０２，５０５ 減算器、１０２０ 光検出器、１０２０Ａ，１０２０Ｂ，１０２０Ｃ，１０２０Ｄ，１０２０Ｅ，１０２０Ｆ 領域、１０４１ 位相比較回路、１０４２ ＬＰＦ、１０４３ 電圧制御発振器、１０４４ １／５３２分周器、１１５０ ５３２計上カウンタ、１１５１ 一致回路、１１５２ ３９計上カウンタ、１１５３ カウンタ値比較回路群、１１９０ ＦＣＭパターン発生回路、１１９１ Ｈｅａｄｅｒパターン発生回路、１１９２ アドレスパターン発生回路、１１９３ Ｐｒｅ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路、１１９４ Ｐｏｓｔ−Ｗｒｉｔｅパターン発生回路、１１９５ 固定パターン発生回路。
Claims (12)
- レーザ光の記録パワーを好適な記録パワーに設定して、基準クロックを生成する元になるファインクロックマークを含む光磁気ディスクに信号を記録する光磁気ディスク装置であって、
前記光磁気ディスクに前記レーザ光を照射し、その反射光を検出する光ピックアップと、
前記光磁気ディスクに磁界を印加する磁気ヘッドと、
前記光ピックアップによって検出された前記ファインクロックマークの検出信号であるファインクロックマーク信号に基づいて前記基準クロックを生成するクロック生成回路と、
前記クロック生成回路によって生成された基準クロックの位相を遅延させた再生クロックを生成する遅延回路と、
前記磁界を印加し、かつ、前記レーザ光を照射することによって前記基準クロックに同期して前記光磁気ディスクに記録された記録信号を、基準値よりも小さいエラーレートで再生するための前記再生クロックの遅延量を検出し、その検出した遅延量が基準遅延量に近づくように前記レーザ光の記録パワーを設定する制御回路とを備え、
前記基準遅延量は、前記レーザ光のパワーを最適記録パワーに設定して前記光磁気ディスクに記録された信号を前記基準値よりも小さいエラーレートで再生するための前記再生クロックの遅延量である、光磁気ディスク装置。 - 周囲の温度を検出する温度センサーをさらに備え、
前記制御回路は、前記温度センサーによって検出された周囲の温度が許容変化量を超えて変化したとき、前記磁界を印加し、かつ、前記レーザ光を照射することによって前記基準クロックに同期して前記光磁気ディスクに記録された記録信号を、基準値よりも小さいエラーレートで再生するための前記再生クロックの遅延量を検出し、その検出した遅延量が基準遅延量に近づくように前記レーザ光の記録パワーを設定する、請求項１に記載の光磁気ディスク装置。 - 前記制御回路は、前記光磁気ディスクに信号を記録するたびに、前記磁界を印加し、かつ、前記レーザ光を照射することによって前記基準クロックに同期して前記光磁気ディスクに記録された記録信号を、基準値よりも小さいエラーレートで再生するための前記再生クロックの遅延量を検出し、その検出した遅延量が基準遅延量に近づくように前記レーザ光の記録パワーを設定する、請求項１に記載の光磁気ディスク装置。
- 前記制御回路は、前記レーザ光の記録パワーと、該記録パワーで記録された記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための前記再生クロックの遅延量との関係に基づいて、前記レーザ光の記録パワーの補正値を検出し、その検出した補正値に基づいて前記検出した遅延量が前記基準遅延量に近づくように前記レーザ光の記録パワーを設定する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の光磁気ディスク装置。
- 前記制御回路は、前記検出した遅延量が前記基準遅延量よりも小さいとき前記レーザ光の記録パワーを前記記録信号を記録したときの記録パワーよりも小さく設定し、前記検出した遅延量が前記基準遅延量よりも大きいとき前記レーザ光の記録パワーを前記記録信号を記録したときの記録パワーよりも大きく設定する、請求項４に記載の光磁気ディスク装置。
- 前記光ピックアップによって検出された前記記録信号の検出信号である光磁気信号を復調およびエラー訂正して再生信号を出力する信号処理回路をさらに備え、
前記信号処理回路は、前記基準クロックの位相に対する遅延量を変化させた前記再生クロックに同期して前記復調およびエラー訂正を行ない、
前記制御回路は、前記信号処理回路における前記エラー訂正によって得られる誤り数に基づいて前記再生信号のエラーレートを検出し、その検出したエラーレートが前記基準値よりも小さくなる前記再生クロックの遅延量を検出する、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の光磁気ディスク装置。 - 前記光磁気ディスクは、各々が複数のフレームから成る複数のバンドを含み、前記複数のフレームの各々は、固定パターンを記録するためのヘッダ領域を有し、
前記制御回路は、前記固定パターンの記録信号を前記基準値よりも小さいエラーレートで再生するための前記再生クロックの遅延量が前記基準遅延量に近づくように前記レーザ光の記録パワーを設定する、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の光磁気ディスク装置。 - 前記光磁気ディスクは、各々が複数のフレームから成る複数のバンドを含み、
前記複数のフレームの各々は、固定パターンを記録するためのヘッダ領域と、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域とを有し、
前記制御回路は、前記ユーザデータ領域に記録されたユーザデータの記録信号を前記基準値よりも小さいエラーレートで再生するための前記再生クロックの遅延量が前記基準遅延量に近づくように前記レーザ光の記録パワーを設定する、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の光磁気ディスク装置。 - レーザ光の記録パワーを好適な記録パワーに設定して、基準クロックを生成する元になるファインクロックマークを含む光磁気ディスクに信号を記録する記録方法であって、
前記ファインクロックマークを検出したファインクロックマーク信号に基づいて前記基準クロックを生成する第１のステップと、
前記レーザ光の記録パワーを前記好適な記録パワーに設定する第２のステップと、
前記第２のステップによって設定された記録パワーによって前記光磁気ディスクに信号を記録する第３のステップとを含み、
前記第２のステップは、
前記基準クロックに同期して信号を前記光磁気ディスクに記録する第４のステップと、
前記基準クロックの位相を遅延させた再生クロックを生成し、前記基準クロックの位相に対する前記再生クロックの位相の遅延量を変化させて前記第４のステップにおいて記録した信号を再生する第５のステップと、
前記第５のステップにおいて再生した再生信号のエラーレートを検出し、その検出したエラーレートに基づいて基準値よりも小さいエラーレートを得るための前記再生クロックの遅延量を検出する第６のステップと、
前記第６のステップにおいて検出した遅延量が基準遅延量に近づくように前記レーザ光の記録パワーを設定する第７のステップとから成り、
前記基準遅延量は、前記レーザ光のパワーを最適記録パワーに設定して前記光磁気ディスクに記録された信号を前記基準値よりも小さいエラーレートで再生するための前記再生クロックの遅延量である、記録方法。 - 前記第２のステップは、周囲の温度が許容変化量を超えて変化したときに実行される、請求項９に記載の記録方法。
- 前記第７のステップにおいて、前記レーザ光の記録パワーと、該記録パワーで記録された記録信号を基準値よりも小さいエラーレートで再生するための前記再生クロックの遅延量との関係に基づいて、前記レーザ光の記録パワーの補正値を検出し、その検出した補正値に基づいて前記検出した遅延量が前記基準遅延量に近づくように前記レーザ光の記録パワーが設定される、請求項９または請求項１０に記載の記録方法。
- 前記第７のステップにおいて、前記検出した遅延量が前記基準遅延量よりも小さいとき前記レーザ光の記録パワーを前記記録信号を記録したときの記録パワーよりも小さく設定し、前記検出した遅延量が前記基準遅延量よりも大きいとき前記レーザ光の記録パワーを前記記録信号を記録したときの記録パワーよりも大きく設定する、請求項１１に記載の記録方法。
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