JP2002179245A - Conveying type substrate treating device - Google Patents

Conveying type substrate treating device

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JP2002179245A
JP2002179245A JP2000377314A JP2000377314A JP2002179245A JP 2002179245 A JP2002179245 A JP 2002179245A JP 2000377314 A JP2000377314 A JP 2000377314A JP 2000377314 A JP2000377314 A JP 2000377314A JP 2002179245 A JP2002179245 A JP 2002179245A
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substrate
processing
transport
roller
etching
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JP2000377314A
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Japanese (ja)
Inventor
Kyoji Shimoda
亨志 下田
Hitoshi Tauchi
仁 田内
Original Assignee
Sumitomo Precision Prod Co Ltd
住友精密工業株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To eliminate retention of treatment liquid in a widthwise central part that becomes a problem when a large substrate is conveyed in a horizontal state. SOLUTION: A plurality of conveying roller units 31 arranging in the conveying direction of the substrate 100 conveys the substrate 100 while supporting it horizontally. A plurality of support rollers 31c, 31b, and 31c for supporting the substrate 100 at three or more positions in the direction rectangular to the conveying direction of the substrate 100 are disposed on each roller unit 31. Diameter of the support roller 31b in the central part is larger than those of the support rollers 31c and 31c in both sides so that the substrate 100 warps upward in the projecting direction rectangularly to the conveying direction.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置用ガ
ラス基板の製造等に使用される搬送式基板処理装置に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transfer type substrate processing apparatus used for manufacturing a glass substrate for a liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置に使用されるガラス基板
は、素材であるガラス基板の表面にエッチング、剥離等
の化学的処理を繰り返し施すことにより製造される。そ
の処理装置はドライ式とウェット式に大別され、ウェッ
ト式は更にバッチ式と枚葉式に分けられる。更に、枚葉
式は回転式とローラ搬送等による搬送式に細分される。
2. Description of the Related Art A glass substrate used in a liquid crystal display device is manufactured by repeatedly performing chemical treatments such as etching and peeling on the surface of a glass substrate as a material. The processing apparatus is roughly classified into a dry type and a wet type, and the wet type is further divided into a batch type and a single-wafer type. Further, the single wafer type is subdivided into a rotary type and a transport type by roller transport or the like.

【0003】これらの基板処理装置のうち、搬送式のも
のは、基板を水平方向へ搬送しながらその基板の表面に
処理液を供給する基本構成になっており、高効率なこと
から以前よりエッチング処理や剥離処理に使用されてい
る。
[0003] Among these substrate processing apparatuses, the transport type has a basic configuration in which a processing liquid is supplied to the surface of the substrate while the substrate is transported in the horizontal direction. Used for processing and peeling.

【0004】エッチング処理に使用される搬送式基板処
理装置では、基板搬送ラインの上方にマトリックス状に
配置された多数のスプレーノズルからエッチング液を噴
射し、そのエッチング液中に基板を通過させることによ
り、基板の表面全体にエッチング液を供給する。このシ
ャワー処理により、基板の表面が、マスキング材の塗布
された部分を除いて選択的にエッチングされる。エッチ
ングが終わると、引き続きシャワーによる洗浄処理を行
う。剥離処理用のものも、基本的に同じ構成である。
In a transfer type substrate processing apparatus used for an etching process, an etching solution is sprayed from a large number of spray nozzles arranged in a matrix above a substrate transfer line, and the substrate is passed through the etching solution. Then, an etchant is supplied to the entire surface of the substrate. By this shower treatment, the surface of the substrate is selectively etched except for the portion where the masking material is applied. After the etching is completed, a cleaning process using a shower is performed. The one for the peeling treatment has basically the same configuration.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなシャワー処理には、基板の大型化に伴って処理むら
が生じやすくなるという問題がある。
However, such a shower process has a problem that process unevenness is likely to occur as the size of the substrate increases.

【0006】即ち、液晶表示装置用ガラス基板では、回
路の高精細化と共に基板の大型化が進んでいる。一般
に、シャワー処理では、エッチング液のシャワー中を基
板が通過することにより、基板の表面上を搬送方向前方
から後方へエッチング液が流動し、液置換が行われる。
基板が小さい場合は問題ないが、基板が大型化すると、
基板の両側部に比べて中央部でエッチング液が滞留する
傾向となる。その結果、幅方向中央部と両側部でエッチ
ングレートに差が生じるようになる。
That is, in a glass substrate for a liquid crystal display device, the size of the substrate has been increased along with the increase in the resolution of the circuit. Generally, in the shower process, the etching liquid flows through the surface of the substrate from the front to the rear in the transport direction as the substrate passes through the shower of the etching liquid, and liquid replacement is performed.
There is no problem when the substrate is small, but when the substrate becomes large,
The etchant tends to stagnate at the center compared to both sides of the substrate. As a result, a difference occurs in the etching rate between the width direction center portion and both side portions.

【0007】この問題を解決するために、基板を側方へ
傾けた状態で搬送する傾斜搬送が考えられている。傾斜
搬送によると、基板の表面に供給された処理液が一方の
側から他方の側へスムーズに流動し、大型基板の場合も
幅方向での処理むらが防止される。しかしながら、この
傾斜搬送の場合、基板上に少量の処理液を静置した状態
で処理を行ういわゆるパドル処理を行えないという致命
的な制約がある。
[0007] In order to solve this problem, there has been proposed an inclined conveyance in which the substrate is conveyed while being tilted to the side. According to the inclined conveyance, the processing liquid supplied to the surface of the substrate smoothly flows from one side to the other side, and even in the case of a large substrate, processing unevenness in the width direction is prevented. However, in the case of the inclined transfer, there is a fatal limitation that so-called paddle processing in which a small amount of processing liquid is left standing on the substrate cannot be performed.

【0008】即ち、液晶表示装置用ガラス基板に使用さ
れる配線材料として、以前はCrが多用されていたが、
最近の高精細化に伴ってより比抵抗値の小さいAl又は
Al/Moへの転換が図られている。このため、エッチ
ング用の搬送式基板処理装置でも、Al用エッチング液
が使用され始めたが、このエッチング液を使用すると以
下のような問題が生じる。
[0008] That is, as a wiring material used for a glass substrate for a liquid crystal display device, Cr was often used in the past,
With the recent increase in definition, conversion to Al or Al / Mo having a smaller specific resistance value has been attempted. For this reason, even in the transport type substrate processing apparatus for etching, an etching solution for Al has begun to be used, but the use of this etching solution causes the following problems.

【0009】Al用エッチング液としてはリン酸を主成
分とするものが使用される。Al用エッチング液による
Alのエッチングレートは、Cr用エッチングによるC
rのエッチングレートより高く、これにより高いエッチ
ング効率が得られるが、その一方でエッチング後のAl
層のサイドエッジ面が、次層の積層に不適当な形状にな
る。
As the etching solution for Al, one containing phosphoric acid as a main component is used. The etching rate of Al by the etching solution for Al is C by etching for Cr.
r, which is higher than the etching rate of r, thereby obtaining a high etching efficiency.
The side edge surface of the layer becomes a shape that is not suitable for laminating the next layer.

【0010】図4はエッチング後のAl層の形状を示す
断面図である。素材であるガラス基板1の上にAl層2
及びMo層3が形成され、その上にマスキング材4が被
覆されている。エッチングにより、マスキング材4が被
覆されていない部分でAl層2及びMo層3が除去され
るが、残ったAl層2及びMo層3のサイドエッジ面
が、実線で示されるように切り立った急峻な傾斜とな
る。そうなると、Al層2及びMo層3の上に次層が安
定に載らなくなる。次層を安定に載せるためには、一点
鎖線で示されるように、そのサイドエッジ面の傾斜を緩
やかにする必要がある。Mo層3がない場合も同じ傾向
となる。
FIG. 4 is a sectional view showing the shape of the Al layer after etching. Al layer 2 on glass substrate 1 as a material
And a Mo layer 3 formed thereon, and a masking material 4 is coated thereon. By etching, the Al layer 2 and the Mo layer 3 are removed in a portion not covered with the masking material 4, but the remaining side edge surfaces of the Al layer 2 and the Mo layer 3 are steep as shown by solid lines. It becomes a great inclination. Then, the next layer cannot be stably mounted on the Al layer 2 and the Mo layer 3. In order to mount the next layer stably, it is necessary to make the slope of the side edge surface gentle as shown by the dashed line. The same tendency occurs when the Mo layer 3 is not provided.

【0011】このAl層のサイドエッジ面が急峻に立ち
上がる問題を解決するためには、シャワーユニットの下
流側に、基板の進行方向一部に全幅にわたって膜状に処
理液を供給するスリットノズルを設け、シャワー処理後
の基板の表面上に処理液が薄く載るパドル処理を行うの
が有効である。このパドル処理により、液置換が殆ど行
われない状態が実現され、Alエッチングでは図4に一
点鎖線で示すようにサイドエッジ面の傾斜が緩やかにな
るのである。
In order to solve the problem that the side edge surface of the Al layer rises steeply, a slit nozzle for supplying the processing liquid in a film shape over the entire width in a part of the substrate traveling direction is provided downstream of the shower unit. In addition, it is effective to perform a paddle process in which the processing solution is thinly applied on the surface of the substrate after the shower process. By this paddle processing, a state in which liquid replacement is hardly performed is realized, and the slope of the side edge surface becomes gentle as shown by the dashed line in FIG. 4 in the Al etching.

【0012】しかしながら、このようなパドル処理は、
基板を水平な状態で搬送する水平搬送の場合にのみ可能
であり、基板を側方へ傾けた状態で搬送する傾斜搬送で
は実施不可能である。
However, such paddle processing is
This is possible only in the case of horizontal transfer in which the substrate is transferred in a horizontal state, and cannot be performed in the case of inclined transfer in which the substrate is transferred in a state of being tilted to the side.

【0013】本発明の目的は、基板を水平な状態で搬送
する水平搬送方式を採用するにもかかわらず、大型基板
のシャワー処理で問題となる幅方向中央部での処理液の
滞留を効果的に解消できる搬送式基板処理装置を提供す
ることにある。
An object of the present invention is to effectively prevent the processing liquid from staying at the center in the width direction, which is a problem in the shower processing of a large substrate, despite the adoption of a horizontal transport system for transporting the substrate in a horizontal state. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a transfer type substrate processing apparatus which can be easily solved.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の搬送式基板処理装置は、基板を水平方向へ
搬送しながらその基板の表面に処理液を供給する搬送式
基板処理装置において、基板の搬送方向に配列された複
数の搬送ローラユニットにより基板を水平状態に支持す
ると共に、基板の搬送方向に直角な方向の3位置以上で
基板を支持する複数の支持ローラを各搬送ローラユニッ
トに設け、基板が搬送方向に直角な方向で上方へ凸の方
向に反るように、中央部の支持ローラを両側部の支持ロ
ーラより大径としたものである。
In order to achieve the above object, a transfer type substrate processing apparatus of the present invention supplies a processing liquid to the surface of a substrate while transferring the substrate in a horizontal direction. A plurality of transport rollers arranged in the transport direction of the substrate to horizontally support the substrate and a plurality of support rollers for supporting the substrate at three or more positions in a direction perpendicular to the transport direction of the substrate by each transport roller The support roller at the center is made larger in diameter than the support rollers at both sides so that the substrate is provided in the unit and the substrate warps upward in a direction perpendicular to the transport direction.

【0015】本発明の搬送式基板処理装置では、基板が
搬送方向に直角な方向で上に凸の方向に反った水平状態
で搬送され、処理を受ける。この反りにより、基板の表
面に供給された処理液が両側へスムーズに排出される。
反り量によっては、反ったままの状態でパドル処理が可
能であり、パドル処理が困難な場合は反りを取り除けば
よい。傾斜搬送される基板をパドル処理の際に水平状態
に移行させ、パドル処理後に傾斜状態に戻すためには、
複雑な機構が必要となり、基板の操作にも時間がかかる
が、反りを取り除いたり反りを再付与する操作は、支持
ローラの径変更により簡単かつ迅速に行うことができ
る。
In the transport type substrate processing apparatus according to the present invention, the substrate is transported in a horizontal state in which the substrate is warped in a direction perpendicular to the transport direction and in an upwardly convex direction, and undergoes processing. Due to this warpage, the processing liquid supplied to the surface of the substrate is smoothly discharged to both sides.
Depending on the amount of warpage, paddle processing can be performed while the warp remains, and if the paddle processing is difficult, the warpage may be removed. In order to shift the substrate conveyed inclined to the horizontal state during paddle processing and return to the inclined state after paddle processing,
A complicated mechanism is required, and it takes time to operate the substrate. However, the operation of removing the warp or re-applying the warp can be easily and quickly performed by changing the diameter of the support roller.

【0016】基板に反りを付与する複数の支持ローラの
うち、中央部の支持ローラは、搬送ローラユニットの回
転駆動軸に対して回転自在なフリーローラとし、両側部
の支持ローラはこの駆動軸と同期回転する駆動ローラと
するのが好ましい。これにより、基板を確実に搬送しつ
つ、ローラ径差によるスリップを防止できる。
Among the plurality of support rollers for imparting warp to the substrate, the center support roller is a free roller rotatable with respect to the rotation drive shaft of the transport roller unit, and the support rollers on both sides are connected to the drive shaft. It is preferable to use a driving roller that rotates synchronously. This makes it possible to prevent the slip due to the roller diameter difference while reliably transporting the substrate.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図1は本発明の1実施形態を示す搬
送式基板処理装置の平面図、図2は同基板処理装置の主
要部の正面図、図3は図2中のA−A線矢示図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of a transfer type substrate processing apparatus showing one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a front view of a main part of the substrate processing apparatus, and FIG. 3 is a view taken along line AA in FIG. .

【0018】本実施形態の搬送式基板処理装置は、液晶
表示装置用ガラス基板100(以下単に基板100と言
う)のAlエッチング処理を行うものである。この基板
処理装置は、図1に示すように、直線状の第1ライン
A、第1ラインAに直角に接続された第2ラインB、第
2ラインBに直角に接続されて第1ラインAに並列する
第3ラインCとを組み合わせたUターン形式のレイアウ
トを採用している。
The transport-type substrate processing apparatus of the present embodiment performs an Al etching process on a glass substrate 100 for a liquid crystal display device (hereinafter simply referred to as the substrate 100). As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus includes a first linear line A, a second line B connected to the first line A at right angles, and a first line A connected to the second line B at right angles. And a U-turn layout in which a third line C is arranged in parallel.

【0019】第1ラインAは、受け入れ部10、液よけ
部20及びエッチング部30を直線状に連結して構成さ
れている。第2ラインBは水洗部40であり、基板10
0の表面に上方から洗浄水を散布するシャワーユニット
41を装備している。第3ラインCは、移載装置50、
スピンドライヤ60、移載装置70及び取り出し部80
を直線状に連結して構成されている。
The first line A is constituted by connecting the receiving part 10, the liquid-proof part 20, and the etching part 30 in a straight line. The second line B is a washing section 40 and the substrate 10
The shower unit 41 for spraying the washing water from above is provided on the surface of the “0”. The third line C is a transfer device 50,
Spin dryer 60, transfer device 70 and take-out unit 80
Are connected linearly.

【0020】第1ラインA及び第2ラインBは、基板1
00をライン長手方向に搬送するために、搬送方向に所
定間隔で並列された多数の搬送ローラユニットを備えて
いる。各搬送ローラユニットは、後で詳しく説明する
が、基板100を水平状態に支持しつつライン長手方向
に搬送する。第2ラインB、即ち水洗部40の入口部に
は、基板100の進行方向を90度変更する転向機構4
2が設けられている。
The first line A and the second line B correspond to the substrate 1
In order to convey 00 in the longitudinal direction of the line, a plurality of conveying roller units arranged in parallel at a predetermined interval in the conveying direction are provided. Each transport roller unit transports the substrate 100 in the longitudinal direction of the line while supporting the substrate 100 in a horizontal state, which will be described in detail later. A turning mechanism 4 for changing the traveling direction of the substrate 100 by 90 degrees is provided at the second line B, that is, at the entrance of the washing section 40.
2 are provided.

【0021】Alエッチング処理を受ける基板100
は、搬送装置90により受け入れ部10に搬入される。
その基板100は、ローラ搬送により、液よけ部20か
らエッチング30部に進入し、ここを通過する間にエッ
チング処理を受ける。エッチング部30を通過した基板
100は、引き続きローラ搬送により、水洗部40に進
入し、進行方向を90度変更して水洗部40を移動し、
その移動の間に水洗処理を受ける。
Substrate 100 subject to Al etching
Is carried into the receiving unit 10 by the transport device 90.
The substrate 100 enters the etching part 30 from the liquid protection part 20 by roller conveyance, and undergoes an etching process while passing through the part. The substrate 100 that has passed through the etching unit 30 continuously enters the washing unit 40 by roller conveyance, moves the washing unit 40 by changing the traveling direction by 90 degrees,
During the transfer, it undergoes a rinsing process.

【0022】水洗部40の出口部まで移動した基板10
0は、移載装置50により水洗部40からスピンドライ
ヤ60へ搬送される。スピンドライヤ60で乾燥を終え
た基板100は、移載装置70によりスピンドライヤ6
0から取り出し部80へ搬送され、更に搬送装置90に
より装置外へ搬出される。
The substrate 10 moved to the outlet of the washing section 40
0 is transported from the washing section 40 to the spin dryer 60 by the transfer device 50. The substrate 100 that has been dried by the spin dryer 60 is transferred to the spin dryer 6 by the transfer device 70.
0 to a take-out unit 80, and further carried out of the apparatus by a transfer device 90.

【0023】本実施形態の搬送式基板処理装置では、エ
ッチング部30及び水洗部40における搬送ローラユニ
ットに特に大きな特徴点がある。
In the transport type substrate processing apparatus of the present embodiment, the transport roller unit in the etching section 30 and the washing section 40 has a particularly significant feature.

【0024】即ち、エッチング部30は、図2に示すよ
うに、基板100の水平搬送のために、複数の搬送ロー
ラユニット31及び押さえローラユニット32を備えて
いる。基板100の搬送ラインの上方には、基板10の
表面にエッチング液を供給するために、第1スリットノ
ズル33、シャワーユニット34及び第2スリットノズ
ル35が、基板10の進行方向に沿って順番に設けられ
ている。
That is, as shown in FIG. 2, the etching section 30 includes a plurality of transport roller units 31 and a pressing roller unit 32 for horizontally transporting the substrate 100. Above the transfer line of the substrate 100, a first slit nozzle 33, a shower unit 34, and a second slit nozzle 35 are sequentially arranged along the traveling direction of the substrate 10 to supply an etching solution to the surface of the substrate 10. Is provided.

【0025】複数の搬送ローラユニット31は、基板1
00の搬送方向に所定の間隔で配置されている。各搬送
ローラユニット31は、図3に示すように、搬送方向に
直角な水平方向の駆動軸31aと、駆動軸31aの中央
部に設けられた第1の支持ローラ31bと、水平駆動軸
31aの両側部に設けられた第2の支持ローラ31c,
31cとを備えている。
The plurality of transport roller units 31
00 are arranged at predetermined intervals in the conveying direction. As shown in FIG. 3, each transport roller unit 31 includes a horizontal drive shaft 31a perpendicular to the transport direction, a first support roller 31b provided at the center of the drive shaft 31a, and a horizontal drive shaft 31a. The second support rollers 31c provided on both sides,
31c.

【0026】第1の支持ローラ31bは、基板100の
幅方向中央部を点支持するもので、駆動軸31aに対し
て回転自在なフリーローラとされている。そして、この
支持ローラ31bの外径は、第2の支持ローラ31c,
31cの各外径より大きく設定されている。これによ
り、基板100は、幅方向で上方へ凸の方向に反る。一
方、第2の支持ローラ31c,31cは、基板100の
両側縁部を支持する鍔付きローラであり、駆動軸31a
と同期回転する駆動ローラである。
The first support roller 31b supports the central portion of the substrate 100 in the width direction at a point, and is a free roller rotatable with respect to the drive shaft 31a. The outer diameter of the support roller 31b is equal to the second support roller 31c,
It is set larger than each outer diameter of 31c. As a result, the substrate 100 warps upward in the width direction. On the other hand, the second support rollers 31c, 31c are flanged rollers that support both side edges of the substrate 100, and the drive shaft 31a
It is a drive roller that rotates in synchronization with the drive roller.

【0027】複数の押さえローラユニット32は、基板
100の搬送方向に、搬送ローラユニット31より大き
き間隔で、搬送ローラユニット31と干渉しないように
配置されている。各押さえローラユニット32は、搬送
方向に直角な水平方向の支持軸32aと、支持軸32a
の両側部に設けられた押さえローラ32c,32cとを
備えている。支持軸32aは回転自在な非駆動軸であ
る。両側の押さえ32c,32cは、基板100の両側
縁部を上方から押圧することにより、その両側縁部を第
2の支持ローラ31c,31cに押しつける。これによ
り、基板100は、第2の支持ローラ31c,31cの
回転に伴って前進する。
The plurality of pressing roller units 32 are arranged in the transport direction of the substrate 100 at intervals larger than the transport roller unit 31 so as not to interfere with the transport roller unit 31. Each holding roller unit 32 includes a horizontal support shaft 32a perpendicular to the transport direction, and a support shaft 32a.
And pressing rollers 32c, 32c provided on both sides of the roller. The support shaft 32a is a rotatable non-drive shaft. The pressers 32c on both sides press both side edges of the substrate 100 from above, thereby pressing both side edges against the second support rollers 31c, 31c. Thus, the substrate 100 moves forward with the rotation of the second support rollers 31c, 31c.

【0028】第1スリットノズル33は、基板100の
進行方向に直角な水平ノズルであり、Al用エッチング
液を膜状にして流下させることにより、そのエッチング
液を、基板10の表面の進行方向一部に全幅にわたって
直線状に供給する。
The first slit nozzle 33 is a horizontal nozzle perpendicular to the direction of travel of the substrate 100. The first slit nozzle 33 flows down in the direction of travel of the surface of the substrate 10 by flowing down the etchant for Al in the form of a film. The section is fed linearly over the entire width.

【0029】シャワーユニット34は、基板100の進
行方向に平行な水平方向及びその進行方向に直角な水平
方向に所定間隔でマトリックス状(千鳥状を含む)に配
列された多数のスプレーノズル34aを備えており、基
板10の表面より広い範囲にAl用エッチング液をスプ
レーする。
The shower unit 34 has a large number of spray nozzles 34a arranged in a matrix (including a staggered pattern) at predetermined intervals in a horizontal direction parallel to the direction of travel of the substrate 100 and in a horizontal direction perpendicular to the direction of travel. In this case, the etching liquid for Al is sprayed over a wider area than the surface of the substrate 10.

【0030】多数のスプレーノズル34aは、基板10
0の進行方向に直角な方向に並列しそれぞれが基板10
0の進行方向に延びる複数本のヘッダ管34bに下方を
向けて取付けられている。各スプレーノズル34aは、
Al用エッチング液を細かな液滴にして円錐形状に噴射
し、隣接するノズル間では、各ノズルの噴射範囲がオー
バーラップするようになっている。ここにおけるエッチ
ング液の供給量は、基板100の表面上で十分な液置換
が行われるように設定される。
A number of spray nozzles 34a
0 in parallel to the direction perpendicular to the traveling direction
It is attached to a plurality of header tubes 34b extending in the direction of travel 0 with its downward direction. Each spray nozzle 34a
The etching liquid for Al is formed into fine droplets and is ejected in a conical shape, and the ejection range of each nozzle overlaps between adjacent nozzles. Here, the supply amount of the etching liquid is set so that sufficient liquid replacement is performed on the surface of the substrate 100.

【0031】第2スリットノズル35は、第1スリット
ノズル33と同様の、基板100の進行方向に直角な水
平ノズルであり、基板100の進行方向に所定の間隔で
複数配列されている。各スリットノズル35は、第1ス
リットノズル33と異なり、少量のAl用エッチング液
を基板100の搬送方向に直角な膜状に流下させること
により、そのエッチング液を、基板10の表面の進行方
向一部に全幅にわたって直線状に供給し、滞留させる。
即ち、ここにおけるエッチング液の供給量は、基板10
の表面に供給されたエッチング液が表面張力によってそ
の表面上に保持される程度に設定される。
The second slit nozzles 35 are, similarly to the first slit nozzles 33, horizontal nozzles perpendicular to the direction in which the substrate 100 travels, and are arranged at predetermined intervals in the direction in which the substrate 100 travels. Each slit nozzle 35 is different from the first slit nozzle 33 in that a small amount of the etchant for Al flows down in a film shape perpendicular to the transport direction of the substrate 100 so that the etchant is directed in the traveling direction of the surface of the substrate 10 in one direction. The portion is fed linearly over the entire width and is retained.
That is, the supply amount of the etching solution here is
Is set to such an extent that the etching solution supplied to the surface of the substrate is held on the surface by surface tension.

【0032】36は、最後段の第2スリットノズル35
の更に後方に配置されたスリット形式のエアノズルであ
り、基板10の表面の進行方向一部に全幅にわたって直
線状にエアを吹き付けることにより、その表面からエッ
チング液を除去する。
Reference numeral 36 denotes a second slit nozzle 35 at the last stage.
Is an air nozzle of a slit type disposed further rearward than the above, and by blowing air linearly over the entire width of a part of the surface of the substrate 10 in the traveling direction, the etching liquid is removed from the surface.

【0033】エッチング部30に続く水洗部40でも、
基板100は幅方向で上方へ凸の方向に反った状態で水
平搬送され、シャワーユニット41から噴射される洗浄
水により洗浄処理を受ける。
In the water washing section 40 following the etching section 30,
The substrate 100 is horizontally conveyed in a state in which the substrate 100 is warped upward in the width direction, and undergoes a cleaning process using cleaning water sprayed from the shower unit 41.

【0034】このような構成になる本実施形態の搬送式
基板処理装置では、液よけ部20からエッチング部30
に進入した基板100は、まず、第1スリットノズル3
3の下方に形成されたAl用エッチング液の膜中を通過
し、その表面上に先端部から順次エッチング液が供給さ
れる。次いで、シャワーユニット34の下方に形成され
たAl用液のシャワー中を通過し、基板100の表面全
体にAl用エッチング液が供給され、所定のエッチング
が行われる。
In the transport type substrate processing apparatus according to the present embodiment having the above-described configuration, the liquid blocking section 20 is moved from the etching section 30 to the etching section 30.
First, the substrate 100 that has entered the first slit nozzle 3
3 passes through the film of the etching solution for Al formed below, and the etching solution is sequentially supplied from the tip to the surface thereof. Next, an Al etching solution is supplied to the entire surface of the substrate 100 while passing through a shower of the Al solution formed below the shower unit 34, and predetermined etching is performed.

【0035】基板100の表面にいきなりAl用エッチ
ング液をシャワーすると、最初に液滴を受けた部分が処
理ムラとなって残るが、事前にエッチング液の膜中を通
過することにより、その表面上にエッチング液がムラな
く供給されるので、エッチング液のシャワー処理に伴う
処理ムラが防止される。
When the etching liquid for Al is suddenly showered on the surface of the substrate 100, the portion that first receives the droplets remains as processing unevenness. Since the etchant is supplied evenly to the substrate, the process unevenness accompanying the shower process of the etchant is prevented.

【0036】Al用エッチング液を用いたシャワー処理
により、基板100の表面に形成されたAl層又はAl
/Mo層が選択的にエッチングされる。
An Al layer or an Al layer formed on the surface of the substrate 100 by a shower process using an etchant for Al.
/ Mo layer is selectively etched.

【0037】ここで、基板100は、搬送ローラユニッ
ト31の回転によって搬送される。搬送ローラユニット
31では、基板100の幅方向中央部を点支持する第1
の支持ローラ31bの外径が、基板100の両側縁部を
支持する第2の支持ローラ31c,31cの外径より大
とされている。これにより、基板100は、幅方向で上
に凸の状態に反る。その結果、基板100の表面に供給
されるエッチング液は、搬送方向前方から後方へ排除さ
れるだけでなく、両側へも効率的に排除される。従っ
て、幅方向での処理レートが均一化され、この点からも
処理ムラが解消される。
Here, the substrate 100 is transported by the rotation of the transport roller unit 31. In the transport roller unit 31, a first point supporting the central portion in the width direction of the substrate 100 is provided.
The outer diameter of the support roller 31b is larger than the outer diameter of the second support rollers 31c, 31c that support both side edges of the substrate 100. As a result, the substrate 100 warps upward in the width direction. As a result, the etchant supplied to the surface of the substrate 100 is efficiently removed not only from the front in the transport direction to the back but also to both sides. Therefore, the processing rate in the width direction is made uniform, and the processing unevenness is also eliminated from this point.

【0038】残ったAl層又はAl/Mo層のサイドエ
ッジ面は、次層の積層に不適な急峻な傾斜面となる。し
かるに、エッチング部30では、シャワー処理に続い
て、基板100の表面に、第2スリットノズル35から
膜状に流下するAl用エッチング液が供給され、その表
面上にパドル状態に保持される。この間に、エッチング
処理が緩やかに進行し、図4に1点鎖線で示すように、
残ったAl層又はAl/Mo層のサイドエッジ面が、次
層の積層に適した緩やかな傾斜面になる。
The side edge surface of the remaining Al layer or Al / Mo layer becomes a steep inclined surface unsuitable for lamination of the next layer. However, in the etching unit 30, following the shower process, an Al etchant flowing down in a film form from the second slit nozzle 35 is supplied to the surface of the substrate 100, and is held in a paddle state on the surface. During this time, the etching process proceeds slowly, and as shown by the dashed line in FIG.
The side edge surface of the remaining Al layer or Al / Mo layer becomes a gentle slope suitable for laminating the next layer.

【0039】エッチング部30に続く水洗部40でも、
基板100は反った状態で洗浄水のシャワー処理を受
け、幅方向中央部での洗浄水の滞留が解消される。この
ため、洗浄水の消費量が低減される。
In the washing section 40 following the etching section 30,
The substrate 100 is subjected to the shower processing of the cleaning water in a warped state, and the retention of the cleaning water at the center in the width direction is eliminated. Therefore, the consumption of the washing water is reduced.

【0040】液晶表示装置用のガラス基板100は、面
積に比して厚みが薄く、基本的に反りやすい上に、大型
のものほど厚みが薄くなる傾向があり、幅が600mm
を超えるものでは30mm以上の自重による反りを生じ
る。本実施形態の搬送式基板処理装置では、この反りを
積極的に活用することにより、基板100を水平状態に
保持したまま側方への処理液の排出が促進される。ま
た、基板100の幅方向中央部を点支持する第1の支持
ローラをフリーローラとし、基板100の両側縁部を支
持する第2の支持ローラを駆動ローラとしたことによ
り、第1の支持ローラ31bのスリップが防止される。
The glass substrate 100 for a liquid crystal display device has a small thickness compared to the area, is basically easily warped, and has a tendency to become thinner as the size increases, and the width is 600 mm.
In the case of exceeding 30 mm, warpage occurs due to its own weight of 30 mm or more. In the transport type substrate processing apparatus of the present embodiment, by actively utilizing the warpage, the discharge of the processing liquid to the side while the substrate 100 is kept in a horizontal state is promoted. Further, the first support roller for supporting the central portion in the width direction of the substrate 100 as a free roller and the second support roller for supporting both side edges of the substrate 100 as a drive roller are provided. 31b is prevented from slipping.

【0041】基板100の反り量は、シャワー処理では
板幅の0.5〜5%が好ましく、1〜3%が特に好まし
い。反り量が小さすぎると、幅方向での処理液の置換が
十分に進行しない。大きすぎる場合は、搬送ローラユニ
ットからの基板100の浮き上がりや基板100に外力
(曲げ力)が付加されることなどが問題になる。パドル
処理では、基板100の反りは基本的に不要である。反
りが問題になる場合は、基板100を平坦に支持すれば
よい。
The amount of warpage of the substrate 100 in the shower process is preferably 0.5 to 5% of the plate width, particularly preferably 1 to 3%. If the amount of warpage is too small, the replacement of the processing solution in the width direction does not proceed sufficiently. If it is too large, there are problems such as the lifting of the substrate 100 from the transport roller unit and the application of an external force (bending force) to the substrate 100. In the paddle processing, warpage of the substrate 100 is basically unnecessary. If warpage is a problem, the substrate 100 may be supported flat.

【0042】基板100の幅方向中央部を支持する第1
の支持ローラは、上記実施形態では1個としたが、2個
或いはそれ以上でもよく、基板100の両側部を支持す
る第2の支持ローラと共同して、基板100を上方へ凸
の方向に反らせることができる構成であればよい。
The first supporting the central portion in the width direction of the substrate 100
In the above embodiment, one support roller is provided, but two or more support rollers may be provided. In cooperation with the second support rollers supporting both sides of the substrate 100, the substrate 100 is moved upward in the direction of convexity. Any configuration that can be warped may be used.

【0043】なお、複数の第2スリットノズル35によ
って構成されるパドル処理部は、言うならば、シャワー
ユニット34によって構成されるシャワー処理部の後段
部分をパドル処理部に置き換えたものである。パドル処
理時間は、エッチング液による全処理時間の10〜45
%が好ましく、20〜40%が特に好ましい。パドル処
理時間が短すぎるとサイドエッジ面の傾斜が十分に緩和
されないが、長すぎると逆効果となり、処理効率の低下
や液の無用な消費が問題になる。パドル処理部では、基
板100を往復移動させることも可能である。
The paddle processing section constituted by the plurality of second slit nozzles 35 is, in a word, replaced by a paddle processing section in the latter part of the shower processing section constituted by the shower unit 34. The paddle processing time is 10 to 45 of the total processing time by the etching solution.
% Is preferable, and 20 to 40% is particularly preferable. If the paddle processing time is too short, the inclination of the side edge surface is not sufficiently alleviated, but if the paddle processing time is too long, the effect is adverse, and there is a problem that the processing efficiency is reduced and the liquid is unnecessarily consumed. In the paddle processing section, the substrate 100 can be reciprocated.

【0044】[0044]

【発明の効果】以上に説明したとおり、本発明の搬送式
基板処理装置は、基板を幅方向で上方へ凸の方向に反ら
せた状態で搬送することにより、大型基板のシャワー処
理で問題となる幅方向中央部での処理液の滞留を解消で
きる。これにより、エッチング処理等の薬液処理では、
幅方向での処理レートの不均一の解消が可能になり、水
洗処理では、洗浄水の消費量の低減が可能になる。ま
た、シャワー処理に対するパドル処理の併用が簡単にな
る。
As described above, the transfer type substrate processing apparatus according to the present invention has a problem in shower processing of a large substrate by transporting the substrate in a state of being warped upward in the width direction. The stagnation of the processing liquid at the center in the width direction can be eliminated. As a result, in chemical treatment such as etching treatment,
Non-uniformity of the processing rate in the width direction can be eliminated, and in the water washing processing, the consumption of the washing water can be reduced. Further, it is easy to use the paddle process together with the shower process.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の1実施形態を示す搬送式基板処理装置
の平面図である。
FIG. 1 is a plan view of a transfer type substrate processing apparatus showing one embodiment of the present invention.

【図2】同基板処理装置の主要部の側面図である。FIG. 2 is a side view of a main part of the substrate processing apparatus.

【図3】図2中のA−A線矢示図ある。FIG. 3 is a diagram showing an arrow AA in FIG. 2;

【図4】エッチング後のAl層の形状を示す断面図であ
る。
FIG. 4 is a sectional view showing a shape of an Al layer after etching.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 受け入れ部 20 液よけ部 30 エッチング部 31 搬送ローラユニット 31a 駆動軸 31b,31c 支持ローラ 32 押さえローラユニット 33 第1スリットノズル 34 シャワーユニット 34a スプレーノズル 34b ヘッダ管 35 第2スリットノズル 40 水洗部 41 シャワーユニット 50,70 移載装置 60 スピンドライヤ 80 取り出し部 90 搬送装置 100 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Receiving part 20 Liquid-repelling part 30 Etching part 31 Transport roller unit 31a Drive shaft 31b, 31c Supporting roller 32 Pressing roller unit 33 1st slit nozzle 34 Shower unit 34a Spray nozzle 34b Header pipe 35 2nd slit nozzle 40 Rinse part 41 Shower unit 50, 70 transfer device 60 spin dryer 80 take-out unit 90 transfer device 100 substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4F042 AA02 AA06 BA08 BA10 CC04 CC09 DA01 DA03 DF19 DF21 DF25 DF26 ED05 5F031 CA05 GA35 GA53 MA23 PA13 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4F042 AA02 AA06 BA08 BA10 CC04 CC09 DA01 DA03 DF19 DF21 DF25 DF26 ED05 5F031 CA05 GA35 GA53 MA23 PA13

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を水平方向へ搬送しながらその基板
の表面に処理液を供給する搬送式基板処理装置におい
て、基板の搬送方向に配列された複数の搬送ローラユニ
ットにより基板を水平状態に支持すると共に、基板の搬
送方向に直角な方向の3位置以上で基板を支持する複数
の支持ローラを各搬送ローラユニットに設け、基板が搬
送方向に直角な方向で上方へ凸の方向に反るように、中
央部の支持ローラを両側部の支持ローラより大径とした
ことを特徴とする搬送式基板処理装置。
In a transport type substrate processing apparatus for supplying a processing liquid to the surface of a substrate while transporting the substrate in a horizontal direction, the substrate is horizontally supported by a plurality of transport roller units arranged in the transport direction of the substrate. And a plurality of support rollers for supporting the substrate at three or more positions in a direction perpendicular to the transport direction of the substrate are provided on each transport roller unit, so that the substrate warps upward in a direction perpendicular to the transport direction. A transfer type substrate processing apparatus characterized in that a center supporting roller has a larger diameter than both side supporting rollers.
【請求項2】 搬送ローラユニットの回転駆動軸に対
し、中央部の支持ローラを回転自在なフリーローラと
し、両側部の支持ローラを同期回転する駆動ローラとし
たことを特徴とする請求項1に記載の搬送式基板処理装
置。
2. The apparatus according to claim 1, wherein the support roller at the center is a free roller rotatable with respect to the rotary drive shaft of the transport roller unit, and the support rollers at both sides are drive rollers that rotate synchronously. A transfer type substrate processing apparatus as described in the above.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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