JP2003068702A - Substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing apparatus

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JP2003068702A
JP2003068702A JP2002164227A JP2002164227A JP2003068702A JP 2003068702 A JP2003068702 A JP 2003068702A JP 2002164227 A JP2002164227 A JP 2002164227A JP 2002164227 A JP2002164227 A JP 2002164227A JP 2003068702 A JP2003068702 A JP 2003068702A
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修 藤根
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the liquid from splashing up the stream, which becomes a problem in a liquid film processing before shower processing. SOLUTION: At an inlet to a processing chamber, a slit nozzle 33 is provided for jetting the liquid in the form of a film over the whole width of a substrate 100. A shield 33b is provided on the slit nozzle 33 to prevent the liquid through the nozzle 33 from splashing to the inlet. This shield 33b is mounted obliquely near the nozzle crossing the direction of the jetted liquid, and also doubles as a guide plate to deflect the liquid away from the inlet.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置用ガ
ラス基板の製造等に使用される搬送式の基板処理装置に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a carrier type substrate processing apparatus used for manufacturing glass substrates for liquid crystal display devices.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置に使用されるガラス基板
は、素材であるガラス基板の表面にエッチング、剥離等
の化学的処理を繰り返し施すことにより製造される。そ
の処理装置はドライ式とウェット式に大別され、ウェッ
ト式は更にバッチ式と枚葉式に分けられる。更に、枚葉
式は回転式とローラ搬送等による搬送式に細分される。
2. Description of the Related Art A glass substrate used in a liquid crystal display device is manufactured by repeatedly subjecting a surface of a glass substrate, which is a raw material, to chemical treatment such as etching and peeling. The processing equipment is roughly classified into a dry type and a wet type, and the wet type is further divided into a batch type and a single-wafer type. Further, the single-wafer type is subdivided into a rotating type and a conveying type such as roller conveying.

【0003】これらの基板処理装置のうち、搬送式のも
のは、基板をほぼ水平方向へ搬送しながらその基板の表
面に処理液を供給する基本構成になっており、高効率な
ことから以前よりエッチング処理や剥離処理に使用され
ている。
Of these substrate processing apparatuses, the transfer type apparatus has a basic structure in which the processing liquid is supplied to the surface of the substrate while the substrate is transferred in a substantially horizontal direction, and it is more efficient than before. It is used for etching and stripping.

【0004】エッチング処理に使用される搬送式の基板
処理装置では、基板搬送ラインの上方にマトリックス状
に配置された多数のスプレーノズルからエッチング液を
噴出し、そのエッチング液中に基板を通過させることに
より、基板の表面全体にエッチング液を供給する。この
シャワー処理により、基板の表面が、マスキング材の塗
布された部分を除いて選択的にエッチングされる。エッ
チングが終わると、引き続きシャワーによる洗浄処理を
行う。剥離処理用のものも、基本的に同じ構成である。
In a transfer type substrate processing apparatus used for etching, an etching solution is jetted from a large number of spray nozzles arranged in a matrix above a substrate transfer line, and the substrate is passed through the etching solution. Thus, the etching liquid is supplied to the entire surface of the substrate. By this shower treatment, the surface of the substrate is selectively etched except for the portion coated with the masking material. After the etching is finished, a shower cleaning process is performed. The stripping treatment basically has the same structure.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、液晶表示装
置用ガラス基板では、基板の大型化と共に回路の高精細
化が進んでいる。その基板に使用される配線材料とし
て、以前はCrが多用されていたが、最近の高精細化に
伴ってより比抵抗値の小さいAl又はAl/Moへの転
換が図られている。このため、エッチング用の搬送式基
板処理装置でも、Al用エッチング液が使用され始めた
が、このエッチング液の使用に伴って以下のような問題
を生じることが判明した。
By the way, in the glass substrate for liquid crystal display devices, the size of the substrate is increasing and the circuit definition is increasing. Cr was often used as a wiring material for the substrate, but with the recent trend toward higher definition, conversion to Al or Al / Mo having a smaller specific resistance value has been attempted. Therefore, even in the transport type substrate processing apparatus for etching, the Al etching solution has started to be used, but it has been found that the use of this etching solution causes the following problems.

【0006】Al用エッチング液は、Cr用エッチング
と比べで高粘度であり、ガラス基板の表面に対する濡れ
性が悪い。また、Cr用エッチング液によるCrのエッ
チングレートより高い。これらのため、シャワー処理の
開始時に乾燥面に対してエッチング液の細かな液滴が衝
突した部分が処理ムラになり、その後のシャワー処理で
も消滅せずにエッチング後も処理ムラとして残る。
The Al etching solution has a higher viscosity than the Cr etching solution and has poor wettability with respect to the surface of the glass substrate. Further, it is higher than the etching rate of Cr by the Cr etching solution. For this reason, the portion where the fine droplets of the etching liquid collide with the dry surface at the start of the shower process becomes the process unevenness, and the part does not disappear even in the subsequent shower process and remains as the process unevenness after the etching.

【0007】この処理むらを解消するためには、シャワ
ー処理の前に、スリットノズルから噴出されるエッチン
グ液の膜中に基板を通過させる液膜処理が有効とされて
いる。エッチング液の膜中に基板を通過させると、基板
の表面がムラなく濡れる。一旦ムラなく濡れると、その
後にシャワー処理を受けても、液滴による処理ムラは生
じない。
In order to eliminate this process unevenness, a liquid film process of passing the substrate through the film of the etching solution ejected from the slit nozzle before the shower process is effective. When the substrate is passed through the etching liquid film, the surface of the substrate is evenly wetted. Once wet evenly, even if a shower process is subsequently performed, process unevenness due to the droplets does not occur.

【0008】また、エッチングに続く水洗処理でも、迅
速な液置換のために、シャワー処理の前に、スリットノ
ズルから噴出される洗浄水の膜中に基板を通過させる液
膜処理が有効とされている。
Also in the water washing process following the etching, the liquid film process of passing the substrate through the film of the washing water ejected from the slit nozzle before the shower process is effective for rapid liquid replacement. There is.

【0009】しかしながら、シャワー処理に先立つこれ
らの液膜処理では、処理液が基板の表面に強く衝突する
ため、基板の表面上等で処理液が拡散し、上流側の処理
部に侵入するおそれがある。エッチング液が上流側の処
理部に侵入すると、腐食等の問題が発生する。また、エ
ッチング液の損失が増え、液コストが増大する。洗浄水
が上流側の処理部、即ちエッチング部に侵入すると、エ
ッチング液が希釈され、その循環使用が不可能になるた
め、この場合も液コストが増大する。
However, in these liquid film treatments prior to the shower treatment, since the treatment liquid strongly collides with the surface of the substrate, the treatment liquid may diffuse on the surface of the substrate or the like and enter the treatment portion on the upstream side. is there. If the etching solution enters the processing section on the upstream side, problems such as corrosion will occur. In addition, the loss of the etching solution increases and the cost of the solution increases. When the cleaning water enters the processing section on the upstream side, that is, the etching section, the etching solution is diluted and cannot be circulated for reuse, so that the cost of the solution also increases.

【0010】スリットノズルから入側の処理部までの距
離を大きくすれば、この問題は解決されるが、設備が大
型化する問題を生じる。
This problem can be solved by increasing the distance from the slit nozzle to the processing section on the inlet side, but there is a problem that the equipment becomes large.

【0011】本発明の目的は、シャワー処理に先立つ液
膜処理で問題となる上流側への液飛散を防止できる基板
処理装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of preventing liquid scattering to the upstream side, which is a problem in liquid film processing prior to shower processing.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の基板処理装置は、基板をほぼ水平方向へ搬
送して複数の処理部に通過させ、各処理部で基板の表面
に処理液を供給する搬送式の基板処理装置において、複
数の処理部のうちの少なくとも1の処理部の入口部分
に、基板の幅方向全域にわたって膜状に処理液を噴出す
る液膜式のスリットノズルを設け、該スリットノズルか
ら噴出される処理液の入口側への飛散を防止するシール
ド部材を、前記スリットノズルに設けたものである。
In order to achieve the above object, the substrate processing apparatus of the present invention conveys a substrate in a substantially horizontal direction and passes it through a plurality of processing sections, and each processing section transfers the substrate to the surface of the substrate. In a transfer type substrate processing apparatus for supplying a processing liquid, a liquid film type slit nozzle for ejecting the processing liquid in a film shape over the entire width direction of a substrate at an inlet portion of at least one processing portion of a plurality of processing portions. And a shield member for preventing the processing liquid ejected from the slit nozzle from scattering toward the inlet side is provided in the slit nozzle.

【0013】前記スリットノズルは、処理液の噴出方向
を変更できる構成が好ましい。この構成により、基板の
進行方向に傾斜して処理液を噴出することができ、上流
側への液飛散をより効果的に防止できる。
The slit nozzle preferably has a structure capable of changing the ejection direction of the processing liquid. With this configuration, the processing liquid can be jetted while being inclined in the traveling direction of the substrate, and the liquid scattering to the upstream side can be more effectively prevented.

【0014】前記シールド部材は、処理液の噴出口近傍
に噴出方向に対して斜めに交差するように取り付けら
れ、噴出液を入口から離れる方向へ転向させるガイド板
を兼ねるものが、飛散防止効果等の点から好ましい。
The shield member is attached in the vicinity of the jetting outlet of the processing liquid so as to cross the jetting direction at an angle, and also serves as a guide plate for turning the jetting liquid away from the inlet. From the point of, it is preferable.

【0015】前記スリットノズルは、基板の進行方向及
びその進行方向に直角な方向に配列された多数個のスプ
レーノズルから基板の表面全体に処理液を供給するシャ
ワーユニットの入側に組み合わされて、特に効力を発揮
する。
The slit nozzle is combined with the entrance side of the shower unit for supplying the processing liquid to the entire surface of the substrate from a plurality of spray nozzles arranged in the direction of travel of the substrate and in a direction perpendicular to the direction of travel. Particularly effective.

【0016】本発明の基板処理装置はエッチング装置に
適用可能であるが、剥離装置にも適用可能である。エッ
チング装置では、前記スリットノズルはエッチング部及
び水洗部に有効である。剥離装置は、基板の表面に剥離
液を供給した後、その表面を水洗する構成であるが、剥
離液を供給する剥離部と水洗部との間に、置換部を挟む
場合と挟まない場合がある。置換部とは、剥離液が水と
混じると問題を生じる場合に、基板表面上の剥離液を一
旦問題を生じない薬液に置換する部分である。剥離装置
でのスリットノズルは、剥離部及び水洗部に有効である
が、これらの間に置換部を挟む場合は、この置換部にも
有効である。
The substrate processing apparatus of the present invention is applicable to an etching apparatus, but also to a peeling apparatus. In the etching apparatus, the slit nozzle is effective for the etching section and the water washing section. The stripping device is configured to supply the stripping solution to the surface of the substrate and then wash the surface with water.However, between the stripping section supplying the stripping solution and the washing section, the replacement section may or may not be sandwiched. is there. The replacement portion is a portion that replaces the stripping solution on the surface of the substrate with a chemical solution that does not cause a problem once the stripping solution causes a problem when mixed with water. The slit nozzle in the peeling device is effective for the peeling part and the water washing part, but when the replacement part is sandwiched between them, it is also effective for this replacement part.

【0017】水と混じって問題を生じる剥離液として
は、例えばMEA(モノエタノールアミン)、若しくは
MEAとDMSO(ジメチルスルホキシド)との混合液
などがある。MEAは水と混じると強アルカリになり、
設備等にダメージを与える。これらに対し、水系剥離液
は問題を生じず、置換を必要としない。置換液として
は、上述した2 種類の剥離液に対しては通常DMSOが
使用される。他の剥離液に対してはIPA(イソプレン
アルコール)などが使用されることもある。
Examples of the stripping solution that causes problems when mixed with water include MEA (monoethanolamine) or a mixed solution of MEA and DMSO (dimethyl sulfoxide). MEA becomes a strong alkali when mixed with water,
Damage equipment. On the other hand, the aqueous stripper does not cause a problem and does not require replacement. As the replacement liquid, DMSO is usually used for the above-mentioned two types of stripping liquids. IPA (isoprene alcohol) or the like may be used for other stripping solutions.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図1は本発明の1実施形態を示す水
平搬送式基板処理装置の平面図、図2は同基板処理装置
の主要部の側面図、図3は同主要部に配置されたスリッ
トノズルの縦断側面図である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of a horizontal transfer type substrate processing apparatus showing one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a side view of a main part of the same substrate processing apparatus, and FIG. 3 is a longitudinal side view of a slit nozzle arranged in the main part. It is a figure.

【0019】本実施形態の水平搬送式基板処理装置は、
液晶表示装置用ガラス基板100(以下単に基板100
と言う)のAlエッチング処理に使用される。この基板
処理装置は、図1に示すように、直線状の第1ライン
A、第1ラインAに直角に接続された第2ラインB、第
2ラインBに直角に接続されて第1ラインAに並列する
第3ラインCとを組み合わせたUターン形式のレイアウ
トを採用している。
The horizontal transfer type substrate processing apparatus of this embodiment is
Glass substrate 100 for liquid crystal display device (hereinafter simply referred to as substrate 100
It is used for the Al etching treatment of (refer to). As shown in FIG. 1, this substrate processing apparatus has a linear first line A, a second line B connected to the first line A at a right angle, and a second line B connected at a right angle to the first line A. A U-turn type layout is used in which a third line C arranged in parallel with the above is combined.

【0020】第1ラインAは、受け入れ部10、液よけ
部20及びエッチング部30を直線状に連結して構成さ
れている。第2ラインBは水洗部40である。第3ライ
ンCは、移載装置50、スピンドライヤ60、移載装置
70及び取り出し部80を直線状に連結して構成されて
いる。
The first line A is formed by linearly connecting the receiving portion 10, the liquid barrier portion 20, and the etching portion 30. The second line B is the water washing section 40. The third line C is configured by linearly connecting the transfer device 50, the spin dryer 60, the transfer device 70, and the take-out section 80.

【0021】第1ラインA及び第2ラインBは、基板1
00をライン長手方向に搬送するために、搬送方向に所
定間隔で並列された多数の搬送ローラを備えている。各
搬送ローラは、搬送方向に直角な水平ロールである。第
2ラインB、即ち水洗部40の入口部には、基板100
の進行方向を90度変更する転向機構41が設けられて
いる。
The first line A and the second line B are the substrate 1
In order to convey 00 in the longitudinal direction of the line, a large number of conveying rollers arranged in parallel in the conveying direction at predetermined intervals are provided. Each transport roller is a horizontal roll that is perpendicular to the transport direction. At the second line B, that is, at the inlet of the washing section 40, the substrate 100
A turning mechanism 41 is provided for changing the traveling direction of 90 degrees.

【0022】Alエッチング処理を受ける基板100
は、搬送装置90により受け入れ部10に搬入される。
その基板100は、ローラ搬送により、液よけ部20か
らエッチング30部に進入し、ここを通過する間にエッ
チング処理を受ける。エッチング部30を通過した基板
100は、引き続きローラ搬送により、水洗部40に進
入し、進行方向を90度変更して水洗部40を移動し、
その移動の間に水洗処理を受ける。
Substrate 100 subjected to Al etching treatment
Are carried into the receiving unit 10 by the carrying device 90.
The substrate 100 enters the etching section 30 from the liquid blocking section 20 by the roller conveyance, and undergoes the etching process while passing therethrough. The substrate 100 that has passed through the etching unit 30 continues to enter the water washing unit 40 by roller conveyance, moves the water washing unit 40 by changing the traveling direction by 90 degrees,
During the transfer, it is washed with water.

【0023】水洗部40の出口部まで移動した基板10
0は、移載装置50により水洗部40からスピンドライ
ヤ60へ搬送される。スピンドライヤ60で乾燥を終え
た基板100は、移載装置70によりスピンドライヤ6
0から取り出し部80へ搬送され、更に搬送装置90に
より装置外へ搬出される。
The substrate 10 moved to the outlet of the washing section 40
0 is transported from the water washing unit 40 to the spin dryer 60 by the transfer device 50. The substrate 100, which has been dried by the spin dryer 60, is transferred to the spin dryer 6 by the transfer device 70.
The sheet is conveyed from 0 to the take-out section 80, and further conveyed out of the apparatus by the conveying device 90.

【0024】本実施形態の水平搬送式基板処理装置で
は、エッチング部30及び水洗部40に特に大きな特徴
点がある。
In the horizontal transfer type substrate processing apparatus of this embodiment, the etching section 30 and the water washing section 40 have particularly great characteristics.

【0025】エッチング部30は、図2に示すように、
基板100を水平方向に搬送する多数の搬送ローラ31
を備えており、基板100の搬送ラインの上方には、基
板100の表面にエッチング液を供給するために、スリ
ットノズル33及びシャワーユニット34が、基板10
0の進行方向に沿って順番に設けられている。また、基
板100の表面からエッチング液を除去するために、ス
リット形式のエアノズル36が、シャワーユニット34
の後方に位置して設けられている。
As shown in FIG. 2, the etching section 30 is
A large number of transport rollers 31 that transport the substrate 100 in the horizontal direction.
The slit nozzle 33 and the shower unit 34 are provided above the transfer line of the substrate 100 to supply the etching liquid to the surface of the substrate 100.
They are provided in order along the traveling direction of 0. Further, in order to remove the etching liquid from the surface of the substrate 100, the slit type air nozzle 36 is provided in the shower unit 34.
It is located behind.

【0026】搬送ローラ31は、図3に示すように、水
平な駆動軸31aと、駆動軸31aの軸方向複数箇所に
取り付けられた大径の支持ローラ31bとを有してい
る。支持ローラ31bは、ここでは基板100の両側縁
部、中央部の3箇所に配置され、その3箇所で基板10
0を水平に支持して移動させる。
As shown in FIG. 3, the transport roller 31 has a horizontal drive shaft 31a and large-diameter support rollers 31b attached at a plurality of axial positions of the drive shaft 31a. The support rollers 31b are arranged at three positions on both side edges and the central part of the substrate 100 here, and the substrate 10 is provided at the three positions.
0 is supported horizontally and moved.

【0027】スリットノズル33は、基板100の進行
方向に直角な横向きの水平ノズルであり、エッチング部
30の入口部分に、シャワーユニット34の直前に位置
して配置されている。このスリットノズル33は、Al
用エッチング液を膜状にして噴出するノズル本体33a
と、ノズル本体33aの先端部に取り付けられたシール
ド部材33bとを備えている。
The slit nozzle 33 is a horizontal horizontal nozzle that is perpendicular to the direction of travel of the substrate 100, and is arranged immediately in front of the shower unit 34 at the entrance of the etching section 30. This slit nozzle 33 is made of Al
Main body 33a for ejecting the etching solution for film as a film
And a shield member 33b attached to the tip of the nozzle body 33a.

【0028】ノズル本体33aは、供給管33cから供
給されるエッチング液をスリット33dから基板100
の表面の進行方向一部に全幅にわたって直線状に供給す
る。ノズル本体33aの先端部は、先端に向かって薄く
なるように、前後面が傾斜している。そして、水平面に
対するスリット33dの傾斜角度を変更できるように、
ノズル本体33aは先端近傍を中心に回動し得るように
支持されている。
In the nozzle body 33a, the etching liquid supplied from the supply pipe 33c is supplied from the slit 33d to the substrate 100.
It is supplied linearly over the entire width in a part of the surface of the advancing direction. The front and rear surfaces of the tip portion of the nozzle body 33a are inclined so that the tip portion becomes thinner toward the tip. Then, so that the inclination angle of the slit 33d with respect to the horizontal plane can be changed,
The nozzle body 33a is supported so as to be rotatable around the vicinity of the tip.

【0029】シールド部材33bは、ノズル本体33a
の幅とほぼ同じ幅の横に長い板材であり、エッチングに
耐えるPVC等からなる。このシールド部材33bは、
基板100の進行方向へ傾斜してノズル本体33aの先
端部に取り付けられており、より具体的には、スリット
33dの先端側を斜めに横切るように、先端部の傾斜し
た前面にボルト33eにより取り付けられている。これ
により、スリット33dから膜状に噴出されるエッチン
グ液がシールド部材33bに衝突し、シールド部材33
bの表面に沿って基板100の進行方向へ向きを変更す
る。即ち、シールド部材33bは、ここではエッチング
液のガイド板を兼ねている。
The shield member 33b is composed of the nozzle body 33a.
Is a plate material having a width that is substantially the same as the width of, and is made of PVC or the like that is resistant to etching. This shield member 33b is
It is attached to the tip portion of the nozzle body 33a inclining to the traveling direction of the substrate 100, and more specifically, attached to the inclined front surface of the tip portion with a bolt 33e so as to cross the tip side of the slit 33d obliquely. Has been. As a result, the etching liquid ejected in a film form from the slit 33d collides with the shield member 33b, and the shield member 33b.
The direction is changed to the traveling direction of the substrate 100 along the surface of b. That is, the shield member 33b also serves as a guide plate for the etching liquid here.

【0030】シャワーユニット34は、基板100の進
行方向に平行な水平方向及びその進行方向に直角な水平
方向に所定間隔でマトリックス状(千鳥状を含む)に配
列された多数のスプレーノズル34aを備えており、基
板10の表面より広い範囲にAl用エッチング液をスプ
レーする。
The shower unit 34 is provided with a large number of spray nozzles 34a arranged in a matrix (including a staggered pattern) at predetermined intervals in a horizontal direction parallel to the moving direction of the substrate 100 and in a horizontal direction perpendicular to the moving direction. The etching liquid for Al is sprayed on a wider area than the surface of the substrate 10.

【0031】多数のスプレーノズル34aは、基板10
0の進行方向に直角な方向に並列しそれぞれが基板10
0の進行方向に延びる複数本のヘッダ管34bに下方を
向けて取付けられている。各スプレーノズル34aは、
Al用エッチング液を細かな液滴にして円錐形状に噴射
し、隣接するノズル間では、各ノズルの噴射範囲がオー
バーラップするようになっている。ここにおけるエッチ
ング液の供給量は、基板100の表面上で十分な液置換
が行われるように設定される。
A large number of spray nozzles 34a are provided on the substrate 10.
0 parallel to each other in the direction perpendicular to the traveling direction
It is attached to a plurality of header tubes 34b extending in the traveling direction of 0 with the downward direction. Each spray nozzle 34a is
The etching liquid for Al is made into fine droplets and ejected in a conical shape, and the ejection ranges of the respective nozzles are overlapped between adjacent nozzles. The supply amount of the etching liquid here is set so that sufficient liquid replacement is performed on the surface of the substrate 100.

【0032】スリット形式のエアノズル36は、エッチ
ング部30の出口部分に配置されており、基板10の表
面の進行方向一部に全幅にわたって直線状にエアを吹き
付けることにより、その表面からエッチング液を除去す
る。
The slit type air nozzle 36 is arranged at the outlet of the etching section 30, and the etching liquid is removed from the surface of the substrate 10 by blowing the air linearly over a part of the traveling direction of the surface of the substrate 10. To do.

【0033】水洗部40は、基板100の進行方向を9
0度変更する転向機構41と、これに続く多数の搬送ロ
ーラとを備えており、それらの上方には、基板100の
表面洗浄水を吹き付けるために、スリットノズル42及
びシャワーユニット43が設けられている。
The water washing section 40 changes the traveling direction of the substrate 100 by 9
A turning mechanism 41 for changing 0 degree and a large number of conveying rollers following the turning mechanism 41 are provided, and a slit nozzle 42 and a shower unit 43 are provided above them for spraying surface cleaning water on the substrate 100. There is.

【0034】スリットノズル42は、水洗部40の入口
部分、特にエッチング部30との接続部近傍に配置され
ている。このスリットノズル42は、エッチング30の
入口部分に配置されたスリットノズル33と同様、洗浄
水を膜状にして噴出するノズル本体に、シールド部材を
取り付けた構造になっている。
The slit nozzle 42 is arranged in the inlet portion of the water washing section 40, particularly in the vicinity of the connection portion with the etching section 30. The slit nozzle 42 has a structure in which a shield member is attached to the nozzle body that jets the cleaning water in the form of a film, like the slit nozzle 33 arranged at the entrance of the etching 30.

【0035】シャワーユニット43は、基板100の進
行方向に沿って複数配置されている。各シャワーユニッ
ト43は、エッチング部30に設けられたシャワーユニ
ット34と同様、基板100の進行方向に平行な水平方
向及びその進行方向に直角な水平方向に所定間隔でマト
リックス状(千鳥状を含む)に配列された多数のスプレ
ーノズルから洗浄水を噴出し、下方を通過する基板10
0の表面に上方から洗浄水を散布する。
A plurality of shower units 43 are arranged along the traveling direction of the substrate 100. Similar to the shower unit 34 provided in the etching unit 30, each shower unit 43 has a matrix shape (including a staggered shape) at predetermined intervals in a horizontal direction parallel to the traveling direction of the substrate 100 and a horizontal direction perpendicular to the traveling direction. Substrate 10 that spouts cleaning water from a large number of spray nozzles arranged in a row and passes below
Wash water is sprayed onto the surface of 0 from above.

【0036】このような構成になる本実施形態の基板処
理装置では、液よけ部20からエッチング部30に進入
した基板100は、まず、スリットノズル33のノズル
本体33aから噴出されるAl用エッチング液の液膜中
を通過し、その表面上に先端部から順次エッチング液が
供給される。次いで、シャワーユニット34から噴出さ
れるAl用エッチング液の中を通過し、基板100の表
面全体にAl用エッチング液が供給され、所定のエッチ
ングが行われる。
In the substrate processing apparatus of this embodiment having such a structure, the substrate 100 that has entered the etching section 30 from the liquid blocking section 20 is first etched for Al ejected from the nozzle body 33a of the slit nozzle 33. The liquid passes through the liquid film, and the etching liquid is sequentially supplied onto the surface from the tip. Then, the Al etching liquid is passed through the Al etching liquid ejected from the shower unit 34, the Al etching liquid is supplied to the entire surface of the substrate 100, and predetermined etching is performed.

【0037】基板100の乾いた表面にいきなりAl用
エッチング液をシャワーすると、最初に液滴を受けた部
分が処理ムラとなって残るが、事前にエッチング液の膜
中を通過し、その表面上にエッチング液がムラなく供給
されることにより、エッチング液のシャワー処理に伴う
処理ムラが防止される。
When the etching liquid for Al is suddenly showered on the dry surface of the substrate 100, the portion that first receives the droplets remains as process unevenness, but it passes through the film of the etching liquid in advance and the By uniformly supplying the etching liquid to the substrate, the process unevenness caused by the showering process of the etching liquid can be prevented.

【0038】ここで、スリットノズル33のノズル本体
33aから噴出されるAl用エッチング液は、基板10
0の表面に強く衝突し、飛散を生じるが、ノズル本体3
3aに取り付けられたシールド部材33bにより、上流
側への飛散が防止され、且つエッチング液の噴出方向が
基板100の進行方向へ転向し、基板100の表面にエ
ッチング液が前方から斜めに衝突する。これらのため、
エッチング液の上流側への飛散が効果的に防止され、上
流側の設備でのエッチング液による腐食が防止される。
また、エッチング液の損失が回避される。
Here, the Al etching liquid ejected from the nozzle body 33a of the slit nozzle 33 is the substrate 10
Nozzle main body 3
By the shield member 33b attached to 3a, the scattering to the upstream side is prevented, the jetting direction of the etching liquid is changed to the traveling direction of the substrate 100, and the etching liquid collides obliquely from the front with the surface of the substrate 100. Because of these
Scattering of the etching liquid to the upstream side is effectively prevented, and corrosion by the etching liquid in the upstream equipment is prevented.
Moreover, the loss of the etching solution is avoided.

【0039】シャワーユニット34の下方を通過した基
板100は、エアノズル36の下方を通過し、その表面
からエッチング液を除去された後、水洗部40に進入す
る。水洗部40に進入するとき、基板100はスリット
ノズル42の下方を通過する。スリットノズル42の下
方を通過することにより、表面が薬液から洗浄水へ瞬時
に置換され、エッチングが停止する。
The substrate 100 passing under the shower unit 34 passes under the air nozzle 36, and after the etching liquid is removed from the surface of the substrate 100, the substrate 100 enters the water washing section 40. When entering the water washing unit 40, the substrate 100 passes below the slit nozzle 42. By passing below the slit nozzle 42, the surface is instantly replaced with the cleaning liquid from the chemical liquid, and the etching is stopped.

【0040】スリットノズル42のノズル本体から噴出
される洗浄水は、基板100の表面に強く衝突し、飛散
を生じるが、ノズル本体に液ガイドが設けられているた
め、エッチング部30への飛散が効果的に抑制される。
このため、エッチング部30では、エッチング液への洗
浄水の混入が防止される。
The cleaning water jetted from the nozzle body of the slit nozzle 42 collides strongly with the surface of the substrate 100 and is scattered. However, since the nozzle body is provided with a liquid guide, it is scattered to the etching section 30. Effectively suppressed.
Therefore, in the etching unit 30, the cleaning water is prevented from entering the etching liquid.

【0041】スリットノズル42の下方を通過して水洗
部40内に進入した基板100は、方向転換後、シャワ
ーユニット43噴出される洗浄水の中を通過し所定の洗
浄処理を受ける。
The substrate 100 that has passed under the slit nozzle 42 and has entered the water washing section 40, after changing its direction, passes through the washing water ejected from the shower unit 43 and undergoes a predetermined washing process.

【0042】スリットノズルにおいてノズル本体の中心
線に対するシールド部材の傾斜角度θ1は15〜45度
が好ましい。この傾斜角度が小さいと、入口側への液飛
散を十分に防止できないおそれがある。逆に、この傾斜
角度が大きいと、基板表面への液供給に支障が生じるお
それがある。
In the slit nozzle, the inclination angle θ1 of the shield member with respect to the center line of the nozzle body is preferably 15 to 45 degrees. If this inclination angle is small, it may not be possible to sufficiently prevent the liquid from scattering toward the inlet side. On the contrary, if this inclination angle is large, there is a possibility that the liquid supply to the substrate surface may be hindered.

【0043】ノズル本体の中心線の基板表面に対する傾
斜角度は、垂直線に対する上流側への前傾角度θ2で表
して±30度以下が好ましい。この傾斜角度が小さいと
設置スペースが小さくて済む。逆に、この傾斜角度が大
きいと、設置スペースが大きくなり、設備が増大する。
The inclination angle of the center line of the nozzle body with respect to the substrate surface is preferably ± 30 degrees or less, which is represented by the forward inclination angle θ2 toward the upstream with respect to the vertical line. If this inclination angle is small, the installation space is small. On the contrary, when this inclination angle is large, the installation space becomes large and the equipment increases.

【0044】上記実施形態の基板処理装置はAlエッチ
ング装置であるが、他のエッチング装置に適用すること
が可能であり、更にはエッチング装置に限らず剥離装置
等への適用も可能である。剥離装置に適用する場合、剥
離部及び水洗部にシールド部材付きのスリットノズルを
設けるのが有効であり、両者間に置換部を挟む場合はこ
の置換部にもシールド部材付きのスリットノズルを設け
るのが有効である。
Although the substrate processing apparatus of the above-mentioned embodiment is an Al etching apparatus, it can be applied to other etching apparatuses, and is not limited to the etching apparatus and can be applied to a peeling apparatus or the like. When applied to a peeling device, it is effective to provide a slit nozzle with a shield member in the peeling portion and the water washing portion, and when a replacement portion is sandwiched between the two, a slit nozzle with a shield member is also provided in the replacement portion. Is effective.

【0045】剥離部の入口部分にこのシールド部材付き
のスリットノズルを設けることにより、上流側への剥離
液の飛散が防止され、上流側の設備での剥離液による腐
食等が防止されると共に、剥離液の損失が回避される。
また、置換部の入口部分にこのシールド部材付きのスリ
ットノズルを設けることにより、上流側の剥離部への置
換液の飛散が防止され、剥離部では剥離液への置換水の
混入が防止され、置換部では置換液の無駄な消費が防止
される。更に、水洗部の入口部分にこのシールド部材付
きのスリットノズルを設けることにより、剥離部或いは
置換部へ洗浄水の混入が防止され、剥離液或いは置換液
の希釈による損失が回避される。
By providing the slit nozzle with the shield member at the entrance of the peeling section, scattering of the peeling solution to the upstream side is prevented, and corrosion by the peeling solution in the upstream equipment is prevented. Loss of stripper is avoided.
Further, by providing the slit nozzle with the shield member at the inlet portion of the replacement portion, the replacement liquid is prevented from scattering to the upstream peeling portion, and the replacement water is prevented from being mixed into the peeling liquid at the peeling portion. In the replacement section, wasteful consumption of the replacement liquid is prevented. Further, by providing the slit nozzle with the shield member at the inlet of the water washing section, it is possible to prevent the washing water from entering the peeling section or the replacing section, and to avoid the loss due to the dilution of the peeling solution or the replacement solution.

【0046】[0046]

【発明の効果】以上に説明したとおり、本発明の基板処
理装置は、処理部の入口部分に、基板の幅方向全域にわ
たって膜状に処理液を噴出するスリットノズルを設けた
ことにより、薬液処理部では処理ムラを防止でき、薬液
処理部に続く水洗部では、薬液処理の迅速な停止を可能
にする。また、スリットノズルから噴出される処理液の
入口側への飛散を防止するシールド部材を、スリットノ
ズルに設けたことにより、スリットノズルを用いた液膜
処理で問題となる上流側への液飛散を防止でき、薬液に
よる設備腐食の問題や薬液に洗浄水が混入することによ
る薬液コスト増大の問題等を解決できる。
As described above, the substrate processing apparatus of the present invention is provided with the slit nozzle for ejecting the processing liquid in the form of a film over the entire width direction of the substrate at the entrance portion of the processing section, so that the chemical processing is performed. It is possible to prevent uneven processing in the part, and to quickly stop the chemical treatment in the water washing part following the chemical treatment part. Further, by providing the slit nozzle with a shield member that prevents the processing liquid ejected from the slit nozzle from scattering toward the inlet side, liquid scattering to the upstream side, which is a problem in liquid film processing using the slit nozzle, is prevented. Therefore, it is possible to prevent the problem of facility corrosion due to the chemical solution and the problem of increase in the cost of the chemical solution due to mixing of cleaning water with the chemical solution.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の1実施形態を示す搬送式基板処理装置
の平面図である。
FIG. 1 is a plan view of a transfer type substrate processing apparatus showing one embodiment of the present invention.

【図2】同基板処理装置の主要部の側面図である。FIG. 2 is a side view of a main part of the substrate processing apparatus.

【図3】同主要部に設けられたスリットノズルの縦断側
面図である。
FIG. 3 is a vertical cross-sectional side view of a slit nozzle provided in the main part.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 受け入れ部 20 液よけ部 30 エッチング部 31 搬送ローラ 33 スリットノズル 33a ノズル本体 33b シールド部材 34 シャワーユニット 34a スプレーノズル 34b ヘッダ管 36 エアノズル 40 水洗部 41 転向機構 42 スリットノズル 43 シャワーユニット 50,70 移載装置 60 スピンドライヤ 80 取り出し部 90 搬送装置 100 基板 10 Reception Department 20 Liquid protection part 30 Etching part 31 Conveyor roller 33 slit nozzle 33a Nozzle body 33b Shield member 34 shower unit 34a spray nozzle 34b header tube 36 Air nozzle 40 Water Wash Department 41 Turning mechanism 42 slit nozzle 43 shower unit 50,70 Transfer device 60 spin dryer 80 Takeout part 90 Conveyor 100 substrates

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関口 明 兵庫県尼崎市扶桑町1番10号 住友精密工 業株式会社内 Fターム(参考) 5F043 AA24 EE07 EE09 EE36 5F046 MA10    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Akira Sekiguchi             Sumitomo Precision Works 1-10 Fuso-cho, Amagasaki City, Hyogo Prefecture             Business F-term (reference) 5F043 AA24 EE07 EE09 EE36                 5F046 MA10

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板をほぼ水平方向へ搬送して複数の処
理部に通過させ、各処理部で基板の表面に処理液を供給
する搬送式の基板処理装置において、複数の処理部のう
ちの少なくとも1の処理部の入口部分に、基板の幅方向
全域にわたって膜状に処理液を噴出する液膜式のスリッ
トノズルを設け、該スリットノズルから噴出される処理
液の入口側への飛散を防止するシールド部材を、前記ス
リットノズルに設けたことを特徴とする基板処理装置。
1. A transport-type substrate processing apparatus for transporting a substrate in a substantially horizontal direction to allow the substrate to pass through a plurality of processing units and supplying a processing liquid to the surface of the substrate at each processing unit. A liquid film type slit nozzle for ejecting a treatment liquid in a film shape over the entire width direction of the substrate is provided at the inlet portion of at least one treatment portion to prevent the treatment liquid ejected from the slit nozzle from being scattered toward the inlet side. A substrate processing apparatus, wherein a shield member for controlling the slit nozzle is provided on the slit nozzle.
【請求項2】 前記スリットノズルは、処理液の噴出方
向を変更するために、水平軸回りに回動可能に支持され
ていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装
置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the slit nozzle is rotatably supported about a horizontal axis in order to change the ejection direction of the processing liquid.
【請求項3】 前記シールド部材は、処理液の噴出口近
傍に噴出方向に対して斜めに交差するように取り付けら
れ、噴出液を入口から離れる方向へ転向させるガイド板
を兼ねることを特徴とする請求項1又は2に記載の基板
処理装置。
3. The shield member is mounted in the vicinity of the jet outlet of the processing liquid so as to obliquely intersect the jet direction, and also serves as a guide plate for turning the jet liquid away from the inlet. The substrate processing apparatus according to claim 1.
【請求項4】 前記スリットノズルの出側に、基板の進
行方向及びその進行方向に直角な方向に配列された多数
個のスプレーノズルから基板の表面全体に処理液を供給
するシャワーユニットを設けたことを特徴とする請求項
1、2又は3に記載の基板処理装置。
4. A shower unit is provided on the exit side of the slit nozzle to supply the treatment liquid to the entire surface of the substrate from a plurality of spray nozzles arranged in the traveling direction of the substrate and in a direction perpendicular to the traveling direction. The substrate processing apparatus according to claim 1, 2, or 3.
【請求項5】 複数の処理部はエッチング部及び水洗部
を含み、エッチング部及び水洗部は、入口部分に前記ス
リットノズルを装備することを特徴とする請求項1、
2、3又は4に記載の基板処理装置。
5. The plurality of processing units include an etching unit and a water washing unit, and the etching unit and the water washing unit are equipped with the slit nozzle at an inlet portion.
2. The substrate processing apparatus according to 2, 3 or 4.
【請求項6】 複数の処理部は剥離部及び水洗部を含
み、剥離部及び水洗部は、入口部分に前記スリットノズ
ルを装備することを特徴とする請求項1、2、3又は4
に記載の基板処理装置。
6. The plurality of processing units include a peeling unit and a water washing unit, and the peeling unit and the water washing unit are equipped with the slit nozzle at an inlet portion thereof.
The substrate processing apparatus according to.
【請求項7】 複数の処理部は剥離部、置換部及び水洗
部を含み、剥離部、置換部及び水洗部は、入口部分に前
記スリットノズルを装備することを特徴とする請求項
1、2、3又は4に記載の基板処理装置。
7. The plurality of processing parts include a peeling part, a replacing part and a water washing part, and the peeling part, the replacing part and the water washing part are equipped with the slit nozzles at their inlets. 3. The substrate processing apparatus according to 3 or 4.
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