JP2002176183A - マイクロメカニカルな膜およびその製造方法 - Google Patents
マイクロメカニカルな膜およびその製造方法Info
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Abstract
所的にN−ドープする工程、b.上記の層上に、先行す
る基板層に相応して中心の膜領域においてP−ドープさ
れているN−エピタキシャル層を施与する工程、c.第
二のN−エピタキシャル層を第一のN−エピタキシャル
層に相応して施与する工程、d.第二のN−エピタキシ
ャル層を膜領域または付加的な領域においてP−ドープ
する工程、e.純粋にN−ドープされた膜層をN−エピ
タキシャル層上に施与する工程、f.基板の露出面にエ
ッチングマスクを施与する工程により、1つもしくは複
数のN−エピタキシャル層がP−基板上に配置されてお
り、該エピタキシャル層は膜領域でP−ドープされてい
る。 【効果】 正確に成形され、著しく異なった補強部を有
する締込部もしくは膜領域が保証される。
Description
的にN−ドープされているP−基板を有し、その際、最
上層がN−エピタキシャル層であるマイクロメカニカル
な膜に関する。
膜はPN−エッチストップを用いた異方性エッチングに
よって定義される。エッチフロントは、P−ドープされ
た基板とN−ドープされた層との間の境界面で止まる。
その際、膜の締込部はエッチングされたキャビティの周
辺部によって定義される。圧力に依存した膜のひずみ
は、膜の表面でピエゾ抵抗性の抵抗変化により測定され
る。抵抗の感度にとって、膜の締込部に対して相対的な
抵抗の位置は重要である。
09207A1号から公知である。これは、ピエゾ抵抗
の圧力センサを有する半導体装置であり、該装置は、導
電性のエピタキシャル層により形成されており、かつ半
導体基板上に反対の導電性を備えた膜を有している。半
導体とは反対側の膜の外面には少なくとも1つのピエゾ
抵抗が設置されており、かつ膜の内面は半導体基板を貫
通する開口部を通じてエッチングされて露出している。
半導体基板とエピタキシャル層との間には環状に構造化
された、導電性の中間層が設置されており、該層は膜の
内面に隣接する開口部の領域に固定されている。この場
合、該中間層は半導体基板と反対の導電性を有してい
る。異なったドーピングによるこの膜は、膜中での厚さ
の違いを限定的に保証するのみであり、これはドーピン
グの侵入深さにより決定されている。さらにここで示し
た膜はエピタキシャル層を1つ有するのみである。
に成形され、著しく異なった剛性を有する締込部もしく
は膜領域が保証されているように、マイクロメカニカル
な膜を形成し、かつ配置することである。
り、P−基板上に1つもしくは複数のN−エピタキシャ
ル層が配置されており、該層が膜領域においてP−ドー
プされていることによって解決される。このことにより
膜の締込部もしくは張設部が、膜もしくはP−ドープさ
れた領域を最終的にエッチングする間に定義されるよう
になり、かつ側面のアンダーエッチングによって定義さ
れなくなる。P−ドープされた基板内のエッチングの周
辺領域は、付加的に配置されたN−エピタキシャル層の
下方に存在し、かつ膜の挙動もしくは締込部に影響を与
えない。膜の締込部の正確な定義は、たとえば圧力セン
サにとって極めて重要である。というのも、圧力に関す
る感度は、締込部(膜の端部)に対して相対的なピエゾ
抵抗の抵抗位置により影響を受けるからである。
前に、基板を局所的にN−ドープし、かつN−エピタキ
シャル層を堆積している間にN−ドープし、かつ引き続
き局所的にP−ドープするか、または堆積している間に
P−ドープし、かつ引き続き周辺領域において局所的に
N−ドープするか、またはエピタキシャル層をドーピン
グしないで堆積させ、かつ引き続き周辺領域に局所的に
N−ドーピングを、およびエピタキシャル層の中央領域
にP−ドーピングを行うことは有利である。このような
ドーピングにより一貫したドーピングが可能であるた
め、個々のN−エピタキシャル層が比較的厚くなる。し
かし、ここで示されるN−エピタキシャル層の数を変更
することにより、膜の締込部の厚さを明らかにいっそう
厚くすることが可能である。
されたN−エピタキシャル層または局所的にN−ドープ
されたP−基板に、N−ドープされた膜層または膜が隣
接しているという付加的な可能性が存在する。こうして
形成される膜もしくは膜の補強部は、締込領域において
実質的により厚く、ひいては明らかにより安定してい
る。
たは局所的にN−ドープされたP−基板のP−ドープさ
れた領域は、個々のN−エピタキシャル層中もしくはド
ーピング層中、異なった大きさで形成されていてもよい
か、または膜層もしくは膜を起点として層状に、先行す
る層よりも次第に大きい面積もしくは小さい面積で形成
されていてもよい。従って膜の下方で任意の補強形が可
能であり、かつ膜をその使用分野に相応して適合させる
ことができる。
しくは局所的にN−ドープされたP−基板のP−ドープ
された領域が、それぞれの層の異なった部分領域、たと
えばマイクロメカニカルな膜の中央もしくは膜の下方に
配置されており、かつそれぞれのN−エピタキシャル層
のN−ドープされた領域ならびにP−ドープされた領域
が、交互に、隣接して、および/またはマイクロメカニ
カルな膜の中心に対して対称的に配置されていることも
有利である。
によれば、異なったN−エピタキシャル層が異なった厚
さで形成されていることも考えられる。
れた」と称していた領域がP−ドープされて形成されて
おり、かつこれまで「P−ドープされた」と称していた
領域がN−ドープされて形成されていてもよいことは、
特に重要である。従って異なった層のベースドーピング
を自由に選択することができ、かつ局所的に行われた相
応するドーピングを適合させることができる。
して形成されており、かつP−基板が、外側に向いてい
る面にエッチングマスクを有しており、膜の下方で露出
させるべき領域は、該エッチングマスクを有しておら
ず、エッチング剤に露出されることが有利である。
て局所的にN−ドープし、該層上にN−エピタキシャル
層を堆積させるか、もしくは施与し、該エピタキシャル
層は先行する基板層に相応して中央部がP−ドープされ
ており、かつ第二のN−エピタキシャル層を第一のエピ
タキシャル層に相応させて施与し、その際、第二のN−
エピタキシャル層を、膜領域において、または付加的な
領域においてP−ドープすることは有利である。その
後、純粋にN−ドープされた膜層をN−エピタキシャル
層上に堆積させるか、もしくは施与し、その際、基板の
露出面にエッチングマスクを施与する。
求の範囲および詳細な説明に記載されており、かつ図面
で示されている。図面は次のものを示している:図1〜
5 P−基板および周辺領域において局所的にP−ドー
プされたN−エピタキシャル層を有するマイクロメカニ
カルな膜を製造するための方法工程、図6 異なった補
強部を有する膜を有する図5の記載の第二の実施態様、
図7 別の補強部の変形を有する図5の記載の第三の実
施態様。
ャル層1、7、7′を基板3上に施与することによりマ
イクロメカニカルな膜9を製造する。
されており、該基板はマイクロメカニカルな膜を製造す
るためのベースを形成する。基板3は、その表面5上で
局所的にN−ドープされている、つまりその一般的なP
−ドーピング以外にその表面5上でN−ドープされた領
域6を有する。N−ドープされた領域6は、チップの表
面5の周辺領域上で広がっているので、表面5上ではP
−ドープされた領域8が中央に生じたままである。この
場合、ドープされた層6は、3〜10μmの厚さもしく
は高さを有する。
もしくはその局所的にN−ドープされた表面5(図1を
参照のこと)に、局所的にP−ドープされたN−エピタ
キシャル層7が施与されている。この場合、N−エピタ
キシャル層は基板3のN−ドープされた領域6に相応し
て同様に、その周辺領域6′においてN−ドープされて
いる。N−エピタキシャル層7は、堆積の間にN−ドー
プされ、かつ引き続き局所的にP−ドープされるか、ま
たは堆積の間にP−ドープされ、かつ引き続き周辺領域
6′において局所的にN−ドープされる。エピタキシャ
ル層をドーピングしないで堆積させ、かつ引き続き周辺
領域6′に局所的にN−ドーピングを行い、かつ領域
8′にP−ドーピングを行うことも可能である。最終的
にN−ドープされた周辺領域6′ならびにN−エピタキ
シャル層7の中心にあるP−ドープされた領域8′が生
じる。
5′(図2を参照のこと)上に第二のN−エピタキシャ
ル層7′が堆積もしくは施与されており、これは第一の
N−エピタキシャル層7に相応して同様に中心領域にお
いて局所的にP−ドープされているか、もしくはN−ド
ープされた外側の領域6″およびP−ドープされた内側
の領域8″を有する。異なったドープ型のこれらの領域
は後に意図される膜形に相応して形成されている。
第二のN−エピタキシャル層7′の表面5″(図3を参
照のこと)上にN−ドープされた膜層1が施与されてい
る。
カルな膜(図4)は、実質的に純粋にP−ドープされた
基板3および純粋にN−ドープされた膜層1を有し、こ
れらは2つのN−エピタキシャル層7、7′をこれらの
間に有している。N−エピタキシャル層7、7′ならび
に基板3の表面5は、この場合、局所的に異なってドー
ピングされている、つまりそれぞれの層7、7′中でN
−およびP−ドープされた領域が交代し、その際、P−
ドープされた領域は中心に設置されている。実施態様に
応じてP−ドープされた領域を偏心的に設置することも
また可能である。
記載のエッチングマスク4が設置されている。エッチン
グマスク4は、基板3の周辺領域を覆うので、中心領域
は露出している。エッチングもしくはエッチフロント
は、この露出面で開始され、かつPN−エッチストップ
により停止される、つまりエッチングの境界はN−ドー
プされた領域により定義される。従ってエッチングの際
に、中心のP−ドープされた領域のみがエッチングされ
て露出し、かつN−ドープされた周辺領域6、6′、
6″は、そのままで残る。従って予めP−ドープされた
領域もしくは基板3は、エッチングマスクが存在しない
箇所でエッチング剤により除去される。なお存在するP
−ドープされた部分領域12は、生じた台形の自由空間
11中のその側面13でのみエッチング剤によりエッチ
ングされるので、該側面はエッチング時間に相応して周
辺領域の方へと広がる。P−ドープされた領域内でエッ
チング境界を形成する領域を破線で示す。というのも、
この境界はアンダーエッチングに基づいて正確に定義す
ることができないからである。
り、膜層1は、この領域内で露出した膜1′を形成す
る。膜1′は、実質的にN−エピタキシャル層7、7′
の予め存在していたP−ドープされた領域8、8′、
8″の大きさを有する。というのも、P−ドープされた
領域はエッチングの際に除去され、ひいては膜1′の発
生が可能だったからである。
8、8′、8″もしくはここから生じる膜1′の実施態
様に関する2つの変形を示している。
の拡張部は、実質的に図5におけるよりも実質的に大き
く形成されている。つまり膜層1の自由に振動する領
域、つまり膜1′は、図6および7によれば実質的に幅
広く形成されている。膜1′の中心領域は、膜層1に引
き続き、N−ドープされた領域6、6′、6″を有して
おり、これらは膜1′の補強部として役立つ。これらの
領域は、N−ドープされた領域6、6′、6″として製
造した際に、それぞれのN−エピタキシャル層中に形成
されていた。
成形することができるので、予めP−ドープされた領域
に相応して該補強部14中に任意の自由空間11が形成
されている。
部分領域11′は、断面図において理想化された方形に
形成されており、その際、自由空間11もしくはその突
出面は、エッチングマスク4を起点として膜1′へ向か
って、表面5に対して垂直に次第に小さくなるか、もし
くは膜1′の大きさへと段階的に小さくなっていく。
ドープされたN−エピタキシャル層を有するマイクロメ
カニカルな膜を製造するための方法工程を示す図。
ドープされたN−エピタキシャル層を有するマイクロメ
カニカルな膜を製造するための方法工程を示す図。
ドープされたN−エピタキシャル層を有するマイクロメ
カニカルな膜を製造するための方法工程を示す図。
ドープされたN−エピタキシャル層を有するマイクロメ
カニカルな膜を製造するための方法工程を示す図。
ドープされたN−エピタキシャル層を有するマイクロメ
カニカルな膜を製造するための方法工程を示す図。
実施態様を示す図。
施態様を示す図。
ク、 5、5′、5″表面、 6、6′、6″ 周辺領
域、 7、7′、7″ N−エピタキシャル層、 8、
8′、8″ P−ドープされた領域、 9 マイクロメ
カニカルな膜、 11、11′ 自由空間 、 12
P−ドープされた部分領域、 13側面、 14 補強
部
Claims (12)
- 【請求項1】 部分的にN−ドープされたP−基板
(3)をその表面(5)上に有し、その際、最上層はN
−エピタキシャル層(1)であるマイクロメカニカルな
膜(9)において、P−基板(3)上に1つもしくは複
数のN−エピタキシャル層(7、7′)が配置されてお
り、該エピタキシャル層は、膜領域(1′)においてP
−ドープされていることを特徴とする、マイクロメカニ
カルな膜。 - 【請求項2】 N−エピタキシャル層(7)を、堆積の
間にN−ドープし、かつ引き続き局所的にP−ドープす
るか、または堆積の間にP−ドープし、かつ引き続き周
辺領域(6′)において局所的にN−ドープするか、ま
たはドープせずに堆積させ、かつ周辺領域(6′)にお
いて局所的にN−ドープし、かつ膜領域(8′)におい
て局所的にPドープする、請求項1記載の膜。 - 【請求項3】 局所的にP−ドープされたN−エピタキ
シャル層(7)に、N−ドープされた膜層(1)または
膜(1′)が隣接している、請求項1または2記載の
膜。 - 【請求項4】 異なったN−エピタキシャル層(7、
7′)または局所的にN−ドープされたP−基板(3)
のP−ドープされた領域(8、8′、8″)が、個々の
N−エピタキシャル層(7、7′)中に異なった大きさ
で形成されている、請求項1から3までのいずれか1項
記載の膜。 - 【請求項5】 異なったN−エピタキシャル層(7、
7′)または局所的にN−ドープされたP−基板(3)
のP−ドープされた領域(8、8′、8″)が、膜層
(1)または膜(1′)を起点として層状に、先行する
層におけるよりも大きな面積で形成されている、請求項
1から4までのいずれか1項記載の膜。 - 【請求項6】 異なったN−エピタキシャル層(7、
7′)または局所的にN−ドープされたP−基板(3)
のP−ドープされた領域(8、8′、8″)が、膜層
(1)または膜(1′)を起点として層状に、先行する
層におけるよりも小さな面積で形成されている、請求項
1から4までのいずれか1項記載の膜。 - 【請求項7】 異なったN−エピタキシャル層(7、
7′)または局所的にN−ドープされたP−基板(3)
のP−ドープされた領域(8、8′、8″)が、マイク
ロメカニカルな膜(9)の中央または膜(1)の下方の
ような、それぞれの層の異なった部分領域に配置されて
いる、請求項1から6までのいずれか1項記載の膜。 - 【請求項8】 それぞれのN−エピタキシャル層(7、
7′)のN−ドープされた領域(6、6′、6″)およ
びP−ドープされた領域(8、8′、8″)が、交互
に、隣接して、および/またはマイクロメカニカルな膜
(9)の中心に対して対称的に配置されている、請求項
1から7までのいずれか1項記載の膜。 - 【請求項9】 異なったN−エピタキシャル層(7、
7′)および膜層(1)が異なった厚さで形成されてい
る、請求項1から8までのいずれか1項記載の膜。 - 【請求項10】 P−基板(3)が、その外側に向いた
面にエッチングマスク(4)を有する、請求項1から9
までのいずれか1項記載の膜。 - 【請求項11】 請求項1から10までのいずれか1項
の記載においてN−ドープ、と称していた領域(6、
6′、6″)がP−ドープされて形成されており、かつ
請求項1から10までのいずれか1項の記載においてP
−ドープ、と称していた領域(8、8′、8″)がN−
ドープされて形成されている、請求項1から10までの
いずれか1項記載の膜。 - 【請求項12】 請求項1に記載の膜を製造する方法に
おいて、以下の方法工程: a.P−基板(3)の片面を膜領域の外側で局所的にN
−ドープする工程、 b.上記の層上に、先行する基板層に相応して中央の膜
領域においてP−ドープされているN−エピタキシャル
層(7)を施与する工程、 c.第二のN−エピタキシャル層(7′)を第一のN−
エピタキシャル層(7)に相応して施与する工程、 d.第二のN−エピタキシャル層(7′)を膜領域にお
いて、または付加的な領域においてP−ドープする工
程、 e.純粋にN−ドープされた膜層(1)をN−エピタキ
シャル層(7′)上に施与する工程、 f.基板(3)の露出面にエッチングマスク(4)を施
与する工程を特徴とする、請求項1記載の膜の製造方
法。
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JP5264032B2 JP5264032B2 (ja) | 2013-08-14 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10323559A1 (de) * | 2003-05-26 | 2004-12-30 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanische Vorrichtung, Drucksensor und Verfahren |
US7055392B2 (en) * | 2003-07-04 | 2006-06-06 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical pressure sensor |
US7531002B2 (en) * | 2004-04-16 | 2009-05-12 | Depuy Spine, Inc. | Intervertebral disc with monitoring and adjusting capabilities |
US7037746B1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-05-02 | General Electric Company | Capacitive micromachined ultrasound transducer fabricated with epitaxial silicon membrane |
DE102005004878B4 (de) * | 2005-02-03 | 2015-01-08 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanischer kapazitiver Drucksensor und entsprechendes Herstellungsverfahren |
TWI286383B (en) * | 2005-12-23 | 2007-09-01 | Delta Electronics Inc | Semiconductor piezoresistive sensor and operation method thereof |
US7691130B2 (en) * | 2006-01-27 | 2010-04-06 | Warsaw Orthopedic, Inc. | Spinal implants including a sensor and methods of use |
US9624091B2 (en) * | 2013-05-31 | 2017-04-18 | Robert Bosch Gmbh | Trapped membrane |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59136977A (ja) * | 1983-01-26 | 1984-08-06 | Hitachi Ltd | 圧力感知半導体装置とその製造法 |
JPS6191967A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-10 | Hitachi Ltd | 圧力感知素子を有する半導体装置とその製造法 |
JPH05281252A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体加速度センサの製造方法 |
JPH07128169A (ja) * | 1993-03-22 | 1995-05-19 | Texas Instr Deutschland Gmbh | ピエゾ抵抗圧力センサを有する半導体装置 |
JPH11307441A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-05 | Nikon Corp | シリコンメンブレン構造体及びその製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3994009A (en) * | 1973-02-12 | 1976-11-23 | Honeywell Inc. | Stress sensor diaphragms over recessed substrates |
US4332000A (en) * | 1980-10-03 | 1982-05-25 | International Business Machines Corporation | Capacitive pressure transducer |
JPH05190872A (ja) * | 1992-01-16 | 1993-07-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体圧力センサおよびその製造方法 |
US5949118A (en) * | 1994-03-14 | 1999-09-07 | Nippondenso Co., Ltd. | Etching method for silicon substrates and semiconductor sensor |
JP3261904B2 (ja) * | 1994-12-22 | 2002-03-04 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置 |
FR2786565B1 (fr) * | 1998-11-27 | 2000-12-22 | Commissariat Energie Atomique | Structure micro-usinee a membrane deformable et son procede de realisation |
-
2000
- 2000-09-26 DE DE10047500A patent/DE10047500B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-09-25 JP JP2001290972A patent/JP5264032B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-10-03 US US09/970,608 patent/US6649989B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59136977A (ja) * | 1983-01-26 | 1984-08-06 | Hitachi Ltd | 圧力感知半導体装置とその製造法 |
JPS6191967A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-10 | Hitachi Ltd | 圧力感知素子を有する半導体装置とその製造法 |
JPH05281252A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体加速度センサの製造方法 |
JPH07128169A (ja) * | 1993-03-22 | 1995-05-19 | Texas Instr Deutschland Gmbh | ピエゾ抵抗圧力センサを有する半導体装置 |
JPH11307441A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-05 | Nikon Corp | シリコンメンブレン構造体及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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