JP2002175967A - 電子ビーム露光装置、照射位置検出方法、及び電子検出装置 - Google Patents

電子ビーム露光装置、照射位置検出方法、及び電子検出装置

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    • HELECTRICITY
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  • Analytical Chemistry (AREA)
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  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数の電子ビームの照射位置を短時間で精度
よく検出することができる電子ビーム露光装置を提供す
る。 【解決手段】 複数の電子ビームにより、ウェハにパタ
ーンを露光する電子ビーム露光装置であって、複数の電
子ビームを発生する電子ビーム発生部と、電子ビームが
照射され、電子ビームの照射位置を検出させるマーク部
と、複数の電子ビームの間に設けられており、マーク部
から放射された電子を検出して、検出された電子量に基
づく検出信号を出力する電子検出部とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビーム露光装
置、照射位置検出方法、及び電子検出装置に関する。特
に本発明は、複数の電子ビームの照射位置を短時間で精
度よく検出する電子ビーム露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】複数の電子ビームを用いてウェハに露光
処理を行う従来の電子ビーム露光装置は、電子ビームの
照射位置の補正を行う場合に、ウェハ又はウェハステー
ジに設けられた照射位置検出用のマークに、全ての電子
ビームを順に照射し、それぞれの電子ビームの照射位置
を検出して補正値を求めていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】近年の半導体デバイス
の微細化に伴い、電子ビーム露光装置の半導体デバイス
の量産での利用に向け、露光処理や電子ビーム照射位置
の補正処理の高速化が望まれている。
【0004】しかしながら、従来の電子ビーム露光装置
では、全ての電子ビームの照射位置を補正するために全
ての電子ビームを順にマークに照射し、それぞれの電子
ビームの照射位置を検出しなくてはならないため、非常
に長い時間を要し、短時間で電子ビームの照射位置を補
正する方法が望まれている。
【0005】そこで本発明は、上記の課題を解決するこ
とのできる電子ビーム露光装置、照射位置検出方法、及
び電子検出装置を提供することを目的とする。この目的
は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合
わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有
利な具体例を規定する。
【0006】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の第1の形
態によると、複数の電子ビームにより、ウェハにパター
ンを露光する電子ビーム露光装置であって、複数の電子
ビームを発生する電子ビーム発生部と、電子ビームが照
射され、電子ビームの照射位置を検出させるマーク部
と、複数の電子ビームの間に設けられており、マーク部
から放射された電子を検出して、検出された電子量に基
づく検出信号を出力する第1電子検出部と、検出信号に
基づいて、電子ビームの照射位置を検出する位置検出部
とを備える。
【0007】複数の電子ビームのうちの第1電子ビーム
の光軸と、第2電子ビームの光軸と、第1電子検出部と
は、実質的に同一直線上に設けられてもよい。電子ビー
ム発生部は、3つ以上の電子ビームを略等しい間隔を隔
てて発生し、第1電子検出部は、3つ以上の電子ビーム
のそれぞれの間に設けられてもよい。
【0008】第1電子検出部は、複数の電子ビームのう
ちの2つの電子ビームの間に複数設けられてもよい。複
数の第1電子検出部は、複数の電子ビームのそれぞれに
対応して設けられてもよい。複数の電子ビームのそれぞ
れの周囲に設けられた第2電子検出部をさらに備えても
よい。
【0009】複数の電子ビームをマーク部に照射させる
か否かを独立して切り替える照射切替手段をさらに有
し、照射切替手段は、複数の電子ビームのうちの第1電
子ビームをマーク部に照射させ、位置検出部は、第1電
子ビームの周囲に設けられた第1電子検出部から出力さ
れた検出信号に基づいて、第1電子ビームの照射位置を
検出してもよい。
【0010】複数の電子ビームをマーク部に照射させる
か否かを独立して切り替える照射切替手段をさらに有
し、照射切替手段は、第1のタイミングにおいて、複数
の電子ビームのうちの第1電子ビームを照射させ、第2
のタイミングにおいて、第1電子ビームと隣接する第2
電子ビームを照射させ、位置検出部は、第1のタイミン
グにおいて、第1電子ビームに対応して設けられた第1
電子検出部から出力された検出信号に基づいて、第1電
子ビームの照射位置を検出し、第2のタイミングにおい
て、第2電子ビームに対応して設けられた第1電子検出
部から出力された検出信号に基づいて、第2電子ビーム
の照射位置を検出してもよい。
【0011】照射切替手段は、第1のタイミングにおい
て、第1電子ビームを含む第1電子ビーム群を照射さ
せ、第2のタイミングにおいて、第1電子ビーム群以外
の電子ビームであって、第2電子ビームを含む第2電子
ビーム群を照射させてもよい。
【0012】複数の電子ビームをマーク部に照射させる
か否かを独立して切り替える照射切替手段をさらに有
し、照射切替手段は、第1のタイミングにおいて、複数
の電子ビームのうちの第1電子ビームを照射させ、第2
のタイミングにおいて、第1電子ビームと隣接する第2
電子ビームを照射させ、位置検出部は、第1のタイミン
グにおいて、第1電子検出部から出力された検出信号に
基づいて、第1電子ビームの照射位置を検出し、第2の
タイミングにおいて、第1電子検出部から出力された検
出信号に基づいて、第2電子ビームの照射位置を検出し
てもよい。
【0013】照射切替手段は、第1のタイミングにおい
て、第1電子ビームを含む第1電子ビーム群を照射さ
せ、第2のタイミングにおいて、第1電子ビーム群以外
の電子ビームであって、第2電子ビームを含む第2電子
ビーム群を照射させてもよい。第1電子ビーム群及び第
2電子ビーム群は、略等しい間隔を隔てて照射される複
数の電子ビームを有してもよい。
【0014】第1電子検出部は、第1電子ビーム群に含
まれる電子ビームのそれぞれと、第2電子ビーム群に含
まれる電子ビームのそれぞれとのそれぞれの間に設けら
れており、位置検出部は、第1のタイミングにおいて、
第1電子ビーム群に含まれる電子ビームの照射位置を、
当該電子ビームに隣接する第1電子検出部から出力され
た検出信号に基づいて検出し、第2のタイミングにおい
て、第2電子ビーム群に含まれる電子ビームの照射位置
を、当該電子ビームに隣接する第1電子検出部から出力
された検出信号に基づいて検出してもよい。
【0015】電子ビーム発生部は、複数の電子ビームを
格子状に発生し、第1電子検出部は、複数の電子ビーム
のそれぞれの間に設けられており、位置検出部は、第1
のタイミングにおいて、第1電子ビーム群に含まれるそ
れぞれの電子ビームの周囲に設けられた第1電子検出部
から出力された検出信号に基づいて、第1電子ビーム群
に含まれる電子ビームの照射位置を検出し、第2のタイ
ミングにおいて、第2電子ビーム群に含まれるそれぞれ
の電子ビームの周囲に設けられた第1電子検出部から出
力された検出信号に基づいて、第2電子ビーム群に含ま
れる電子ビームの照射位置を検出してもよい。
【0016】複数の電子ビームのうちの1つの電子ビー
ムと、第1電子検出部との間に設けられた遮蔽板をさら
に備えてもよい。複数の電子ビームのうちの第1電子ビ
ームに設けられた第1電子検出部と、第1電子ビームに
隣接して照射される第2電子ビームに設けられた第1電
子検出部との間に設けられた遮蔽板をさらに備えてもよ
い。遮蔽板は、第1電子ビームのウェハが載置される面
における照射位置と、第2電子ビームに設けられた第1
電子検出部との間に設けられてもよい。複数の電子ビー
ムの周囲に設けられた第2電子検出部の周囲に設けられ
た遮蔽板さらに備えてもよい。
【0017】複数の電子ビームを独立に偏向する偏向部
と、偏向部を制御する偏向制御部と、第1電子ビームに
対して、第1電子ビームから第1電子検出部への方向で
ある第1の方向と略垂直な方向である第2の方向に設け
られた第2電子検出部とをさらに備え、偏向制御部は、
偏向部を制御し、第1電子ビームを第2の方向に偏向さ
せ、第2電子ビームを第1の方向に偏向させ、位置検出
部は、第2電子検出部から出力される検出信号に基づい
て、第1電子ビームの照射位置を検出し、第1電子検出
部から出力される検出信号に基づいて、第2電子ビーム
の照射位置を検出してもよい。
【0018】第1電子ビームを挟んで、第2電子検出部
に対向する位置に設けられた第3電子検出部と、第2電
子ビームを挟んで、第1電子検出部に対向する位置に設
けられた第4電子検出部とをさらに備え、位置検出部
は、第2電子検出部及び第3電子検出部から出力される
検出信号に基づいて、第1電子ビームの照射位置を検出
し、第1検出部及び第4電子検出部から出力される検出
信号に基づいて、第2電子ビームの照射位置を検出して
もよい。
【0019】第1電子ビームを挟んで、第1電子検出部
に対向する位置に設けられた第5電子検出部と、第2電
子ビームに対して、第2の方向に設けられた第6電子検
出部と、第2電子ビームを挟んで、第6電子検出部に対
向する位置に設けられた第7電子検出部とをさらに備
え、偏向制御部は、偏向部を制御し、第1のタイミング
において、第1電子ビームを第2の方向に偏向させ、第
2電子ビームを第1の方向に偏向させ、第2のタイミン
グにおいて、第1電子ビームを第1の方向に偏向させ、
第2電子ビームを第2の方向に偏向させ、位置検出部
は、第1のタイミングにおいて第2電子検出部及び第3
から出力される検出信号と、第2のタイミングにおいて
第1電子検出部及び第5電子検出部から出力される検出
信号とに基づいて、第1電子ビームの照射位置を検出
し、第1のタイミングにおいて第1電子検出部及び第4
電子検出部から出力される検出信号と、第2のタイミン
グにおいて第6電子検出部及び第7電子検出部から出力
される検出信号とに基づいて、第2電子ビームの照射位
置を検出してもよい。
【0020】本発明の他の形態によると、複数の電子ビ
ームのそれぞれをマーク部に照射させ、マーク部から放
射された電子量を検出する電子検出部を用いて、複数の
電子ビームの照射位置を検出する照射位置検出方法であ
って、第1電子ビーム及び第2電子ビームを含む複数の
電子ビームを発生する電子ビーム発生段階と、第1電子
ビームをマーク部に照射する第1照射段階と、第1電子
ビームと第2電子ビームとの間に設けられた第1電子検
出部を用いて、マーク部から放射された電子を検出する
第1電子検出段階と、第1電子検出部から出力される検
出信号に基づいて、第1電子ビームの照射位置を検出す
る第1位置検出段階と、第2電子ビームをマーク部に照
射する第2照射段階と、第1電子検出部を用いて、マー
ク部から放射された電子を検出する第2電子検出段階
と、第1電子検出部から出力される検出信号に基づい
て、第2電子ビームの照射位置を検出する第2位置検出
段階とを備える。
【0021】第1電子検出段階は、第1電子検出部に含
まれる第1検出器を用いて、マーク部から放射された電
子を検出し、第1位置検出段階は、第1電子検出器から
出力される検出信号に基づいて、第1電子ビームの照射
位置を検出し、第2電子検出段階は、第1電子検出部に
含まれる第2電子検出器を用いて、マーク部から放射さ
れた電子を検出し、第2位置検出段階は、第2電子検出
器から出力される検出信号に基づいて、第2電子ビーム
の照射位置を検出してもよい。
【0022】第1照射段階は、第1電子ビームを含む第
1電子ビーム群を照射し、第2照射段階は、前第1電子
ビーム群以外の電子ビームであって、第2電子ビームを
含む第2電子ビーム群を照射させてもよい。第1照射段
階は、第1電子ビーム群に含まれる複数の電子ビームを
略等しい間隔を隔てて照射し、第2照射段階は、第2電
子ビーム群に含まれる複数の電子ビームを略等しい間隔
を隔てて照射してもよい。
【0023】電子ビーム発生段階は、第1電子ビーム群
に含まれる第3電子ビームと、第2電子ビーム群に含ま
れる第4電子ビームを発生する段階を含み、第1照射段
階は、第3電子ビームをマーク部に照射する段階を含
み、第1電子検出段階は、第3電子ビームと第4電子ビ
ームとの間に設けられた第2電子検出部を用いて、マー
ク部から放射された電子を検出する段階を含み、第1位
置検出段階は、第2電子検出部から出力される検出信号
に基づいて、第3電子ビームの照射位置を検出する段階
を含み、第2照射段階は、第4電子ビームをマーク部に
照射する段階を含み、第2電子検出段階は、第2電子検
出部を用いて、マーク部から放射された電子を検出する
段階を含み、第2位置検出段階は、第2電子検出部から
出力される検出信号に基づいて、第4電子ビームの照射
位置を検出する段階を含んでもよい。
【0024】本発明の他の形態によると、複数の電子ビ
ームのそれぞれをマーク部に照射させ、マーク部から放
射された電子量を検出する電子検出部を用いて、複数の
電子ビームの照射位置を検出する照射位置検出方法であ
って、第1電子ビームと、第1電子ビームに隣接して照
射される第2電子ビームとを含む複数の電子ビームを発
生する電子ビーム発生段階と、第1電子ビームを、第1
電子ビームから第2電子ビームの方向である第1の方向
に偏向させてマーク部に照射し、第2電子ビームを第1
の方向に略垂直な方向である第2の方向に偏向させてマ
ーク部に照射する第1照射段階と、第1電子ビームに対
して第1の方向に設けられた第1電子検出部が出力する
検出信号に基づいて、第1電子ビームの照射位置を検出
し、第2電子ビームに対して第2の方向に設けられた第
2電子検出部が出力する検出信号に基づいて、第2電子
ビームの照射位置を検出する第1位置検出段階とを備え
る。
【0025】第1電子ビームを第2の方向と略平行な方
向に偏向させてマーク部に照射し、第2電子ビームを第
1の方向と略平行な方向に偏向させてマーク部に照射す
る第2照射段階と、第1電子ビームに対して、第2の方
向と略平行な方向に設けられた第3電子検出部から出力
される検出信号に基づいて、第1電子ビームの照射位置
を検出し、第1電子検出部から出力される検出信号に基
づいて、第2電子ビームの照射位置を検出する第2位置
検出段階とをさらに備える。
【0026】本発明の他の形態によると、電子ビームの
照射位置を検出するためのマーク部に電子ビームが照射
されることによりマーク部から放射された電子を検出す
る電子検出装置であって、複数の開口部が設けられた基
板と、複数の開口部のうちの所定の開口部と、所定の開
口部に隣接する他の開口部との間に設けられた第1電子
検出部とを備える。
【0027】複数の開口部は、格子状に複数設けられて
おり、第1電子検出部は、複数の開口部のそれぞれの間
に複数設けられてもよい。第1電子検出部は、複数の開
口部のそれぞれに対応して設けられてもよい。複数の開
口部のそれぞれの周囲に設けられた第2電子検出部をさ
らに備えてもよい。
【0028】所定の開口部に設けられた電子検出部と、
他の開口部に設けられた電子検出部との間に設けられた
遮蔽板をさらに備えてもよい。複数の開口部の周囲に設
けられた電子検出部の周囲に設けられた遮蔽板をさらに
備えてもよい。
【0029】なお上記の発明の概要は、本発明の必要な
特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群の
サブコンビネーションも又発明となりうる。
【0030】
【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を通じて
本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかか
る発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明
されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に
必須であるとは限らない。
【0031】図1は、本発明の一実施形態に係る電子ビ
ーム露光装置100の構成を示す。電子ビーム露光装置
100は、電子ビームによりウェハに所定の露光処理を
施す露光部150と、露光部150に含まれる各構成の
動作を制御する制御系140を備える。
【0032】露光部150は、筐体8内部において複数
の電子ビームを発生し、電子ビームの断面形状を所望に
成形する電子ビーム成形手段110と、複数の電子ビー
ムをウェハ44に照射するか否かを、それぞれの電子ビ
ームに対して独立に切替える照射切替手段112と、ウ
ェハ44に転写されるパターンの像の向き及びサイズを
調整するウェハ用投影系114を含む電子光学系を備え
る。また、露光部150は、パターンを露光すべきウェ
ハ44を載置するウェハステージ46と、ウェハステー
ジ46を駆動するウェハステージ駆動部48とを含むス
テージ系を備える。さらに、露光部150は、ウェハ4
4又はウェハステージ46に設けられるマーク部50に
照射された電子ビームにより、マーク部から放射された
2次電子や反射電子等を検出する電子検出装置200を
備える。電子検出装置200は、マーク部50から放射
された電子を検出して、検出した電子量に対応した検出
信号を反射電子処理部94に出力する。
【0033】電子ビーム成形手段110は、複数の電子
ビームを発生させる電子ビーム発生部10と、電子ビー
ムを通過させることにより、照射された電子ビームの断
面形状を成形する複数の開口部を有する第1成形部材1
4及び第2成形部材22と、複数の電子ビームをそれぞ
れ独立に集束し、複数の電子ビームの焦点を調整する第
1多軸電子レンズ16と、第1成形部材14を通過した
複数の電子ビームを独立に偏向する第1成形偏向部18
及び第2成形偏向部20とを有する。
【0034】照射切替手段112は、複数の電子ビーム
を独立に集束し、複数の電子ビームの焦点を調整する第
2多軸電子レンズ24と、複数の電子ビームをそれぞれ
独立に偏向させることにより、それぞれの電子ビームを
ウェハ44に照射するか否かを、それぞれの電子ビーム
に対して独立に切替えるブランキング電極アレイ26
と、電子ビームを通過させる複数の開口部を含み、ブラ
ンキング電極アレイ26で偏向された電子ビームを遮蔽
する電子ビーム遮蔽部材28とを有する。他の例におい
てブランキング電極アレイ26は、ブランキング・アパ
ーチャ・アレイ・デバイスであってもよい。
【0035】ウェハ用投影系114は、複数の電子ビー
ムをそれぞれ独立に集束し、電子ビームの照射径を縮小
する第3多軸電子レンズ34と、複数の電子ビームをそ
れぞれ独立に集束し、複数の電子ビームの焦点を調整す
る第4多軸電子レンズ36と、複数の電子ビームをウェ
ハ44の所望の位置に、それぞれの電子ビームに対して
独立に偏向する偏向部38と、ウェハ44に対する対物
レンズとして機能し、複数の電子ビームをそれぞれ独立
に集束する第5多軸電子レンズ52とを有する。
【0036】制御系140は、個別制御部120及び統
括制御部130を備える。個別制御部120は、電子ビ
ーム制御部80と、多軸電子レンズ制御部82と、成形
偏向制御部84と、ブランキング電極アレイ制御部86
と、偏向制御部92と、反射電子処理部94と、ウェハ
ステージ制御部96とを有する。統括制御部130は、
電子検出装置200から出力された検出信号に基づい
て、電子ビームの照射位置を検出する位置検出部132
を有する。また、統括制御部130は、例えばワークス
テーションであって、個別制御部120に含まれる各制
御部を統括制御する。
【0037】電子ビーム制御部80は、電子ビーム発生
部10を制御する。多軸電子レンズ制御部82は、第1
多軸電子レンズ16、第2多軸電子レンズ24、第3多
軸電子レンズ34、第4多軸電子レンズ36、及び第5
多軸電子レンズ52に供給する電流を制御する。成形偏
向制御部84は、第1成形偏向部18及び第2成形偏向
部20を制御する。ブランキング電極アレイ制御部86
は、ブランキング電極アレイ26に含まれる偏向電極に
印加する電圧を制御する。偏向制御部92は、偏向部3
8に含まれる複数の偏向器が有する偏向電極に印加する
電圧を制御する。反射電子処理部94は、電子検出装置
200の電子検出部から出力された検出信号と、当該検
出信号を出力した電子検出部とを対応づけて、統括制御
部130の位置検出部132に通知する。ウェハステー
ジ制御部96は、ウェハステージ駆動部48を制御し、
ウェハステージ46を所定の位置に移動させる。
【0038】本実施形態に係る電子ビーム露光装置10
0の動作について説明する。まず、電子ビーム露光装置
100は、複数の電子ビームの照射位置を検出し、電子
ビームの照射位置を補正する補正値を算出する補正処理
を行う。当該補正処理において、位置検出部132は、
電子ビームの照射位置を検出する。電子ビームの照射位
置検出処理については、図2から図11において詳細に
説明する。そして、統括制御部130において、電子ビ
ームの照射位置検出処理において検出された電子ビーム
の照射位置に基づいて、電子ビームの照射位置を補正す
る補正値を算出する。
【0039】以下、露光処理における電子ビーム露光装
置100の動作について説明するが上述した補正処理に
おいて算出された補正値を用いてウェハ44に露光処理
を行うことが好ましい。電子ビーム発生部10は、複数
の電子ビームを生成する。第1成形部材14は、電子ビ
ーム発生部10により発生され、第1成形部材14に照
射された複数の電子ビームを、第1成形部材14に設け
られた複数の開口部を通過させることにより成形する。
他の例においては、電子ビーム発生部10において発生
した電子ビームを複数の電子ビームに分割する手段を更
に有することにより、複数の電子ビームを生成してもよ
い。
【0040】第1多軸電子レンズ16は、矩形に成形さ
れた複数の電子ビームを独立に集束し、第2成形部材2
2に対する電子ビームの焦点を、電子ビーム毎に独立に
調整する。第1成形偏向部18は、第1成形部材14に
おいて矩形形状に成形された複数の電子ビームを、第2
成形部材における所望の位置に照射するように、それぞ
れ独立に偏向する。
【0041】第2成形偏向部20は、第1成形偏向部1
8で偏向された複数の電子ビームを、第2成形部材22
に対して略垂直な方向にそれぞれ偏向し、第2成形部材
22に照射する。そして矩形形状を有する複数の開口部
を含む第2成形部材22は、第2成形部材22に照射さ
れた矩形の断面形状を有する複数の電子ビームを、ウェ
ハ44に照射すべき所望の断面形状を有する電子ビーム
にさらに成形する。
【0042】第2多軸電子レンズ24は、複数の電子ビ
ームを独立に集束して、ブランキング電極アレイ26に
対する電子ビームの焦点を、それぞれ独立に調整する。
そして、第2多軸電子レンズ24により焦点がそれぞれ
調整された複数の電子ビームは、ブランキング電極アレ
イ26に含まれる複数のアパーチャを通過する。
【0043】ブランキング電極アレイ制御部86は、ブ
ランキング電極アレイ26における各アパーチャの近傍
に設けられた偏向電極に電圧を印加するか否かを制御す
る。ブランキング電極アレイ26は、偏向電極に印加さ
れる電圧に基づいて、電子ビームをウェハ44に照射さ
せるか否かを切替える。
【0044】ブランキング電極アレイに26により偏向
されない電子ビームは、第3多軸電子レンズ34を通過
する。そして第3多軸電子レンズ34は、第3多軸電子
レンズ34を通過する電子ビームの電子ビーム径を縮小
する。縮小された電子ビームは、電子ビーム遮蔽部材2
8に含まれる開口部を通過する。また、電子ビーム遮蔽
部材28は、ブランキング電極アレイ26により偏向さ
れた電子ビームを遮蔽する。電子ビーム遮蔽部材28を
通過した電子ビームは、第4多軸電子レンズ36に入射
される。そして第4多軸電子レンズ36は、入射された
電子ビームをそれぞれ独立に集束し、偏向部38に対す
る電子ビームの焦点をそれぞれ調整する。第4多軸電子
レンズ36により焦点が調整された電子ビームは、偏向
部38に入射される。
【0045】偏向制御部92は、偏向部38に含まれる
複数の偏向器を制御し、偏向部38に入射されたそれぞ
れの電子ビームを、ウェハ44に対して照射すべき位置
にそれぞれ独立に偏向する。第5多軸電子レンズ52
は、第5多軸電子レンズ52を通過するそれぞれの電子
ビームのウェハ44に対する焦点を調整する。そしてウ
ェハ44に照射すべき断面形状を有するそれぞれの電子
ビームは、ウェハ44に対して照射すべき所望の位置に
照射される。
【0046】露光処理中、ウェハステージ駆動部48
は、ウェハステージ制御部96からの指示に基づき、一
定方向にウェハステージ46を連続移動させるのが好ま
しい。そして、ウェハ44の移動に合わせて、電子ビー
ムの断面形状をウェハ44に照射すべき形状に成形し、
ウェハ44に照射すべき電子ビームを通過させるアパー
チャを定め、さらに偏向部38によりそれぞれの電子ビ
ームをウェハ44に対して照射すべき位置に偏向させる
ことにより、ウェハ44に所望の回路パターンを露光す
ることができる。
【0047】図2は、第1の実施形態に係る電子ビーム
露光装置100の電子検出装置200の構成を示す。電
子検出装置200は、複数の電子ビームが通過する複数
の開口部54が設けられた基板42と、ウェハ44又は
ウェハステージ46に設けられたマーク部50から放射
された電子を検出して、検出された電子量に基づく検出
信号を出力する電子検出部40とを備える。本実施形態
における電子検出部40は、基板42に設けられた複数
の開口部54の間に設けられる。つまり、電子検出部4
0は、隣接する2つの開口部54をそれぞれ通過する2
つの電子ビームの間に設けられる。また、電子検出部4
0と、当該電子検出部に隣接する2つの開口部54を通
過する2つの電子ビームの光軸とは、実質的に同一直線
上に設けられることが好ましい。さらに、電子ビーム発
生部10は、3つ以上の電子ビームを略等しい間隔を隔
てて発生し、電子検出部40は、3つ以上の開口部54
をそれぞれ通過する3つ以上の電子ビームのそれぞれの
間に設けられることが望ましい。また、開口部54は、
格子状に設けられることが好ましく、電子検出部40
は、格子状に設けられた開口部54のそれぞれの間に設
けられることが望ましい。また、電子検出部40は、最
外周に設けられた開口部54の外周にさらに設けられて
もよい。
【0048】図3は、第1の実施形態に係る電子ビーム
の照射位置の検出方法を示す。図3(a)に示すよう
に、照射切替手段112は、第1のタイミングにおい
て、略等しい間隔で照射される電子ビーム10a及び1
0cを含む電子ビーム群のそれぞれをマーク部50a及
び50cを含むマーク群のそれぞれに照射させる。そし
て、偏向部38は、照射された電子ビーム群のそれぞれ
を偏向し、マーク群のそれぞれを走査させる。次に、電
子検出部40a、40b、40c、40d、及び40e
は、マーク部50a及び50cから放射される電子を検
出し、検出した電子量に基づく検出信号を出力する。次
に、反射電子処理部94は、電子検出部40a、40
b、40c、40d、及び40eから出力された検出信
号と、検出信号を出力した電子検出部とを対応づけて、
位置検出部132に通知する。次に、位置検出部132
は、電子検出部40a及び40bを含む電子ビーム10
aに隣接して設けられた電子検出部から出力された検出
信号に基づいて、電子ビーム10aの照射位置を検出す
る。また、位置検出部132は、電子検出部40c及び
40dを含む電子ビーム10cに隣接して設けられた電
子検出部から出力された検出信号に基づいて、電子ビー
ム10cの照射位置を検出する。
【0049】そして、図3(b)に示すように、照射切
替手段112は、図3(a)で説明した第1のタイミン
グと異なる第2のタイミングにおいて、略等しい間隔で
照射される電子ビーム10b及び10dを含む電子ビー
ム群のそれぞれをマーク部50b及び50dを含むマー
ク群のそれぞれに照射させる。そして、偏向部38は、
照射された電子ビーム群のそれぞれを偏向し、マーク群
のそれぞれを走査させる。次に、電子検出部40a、4
0b、40c、40d、及び40eは、マーク部50b
及び50dから放射される電子を検出し、検出した電子
量に基づく検出信号を出力する。次に、反射電子処理部
94は、電子検出部40a、40b、40c、40d、
及び40eから出力された検出信号と、検出信号を出力
した電子検出部とを対応づけて、位置検出部132に通
知する。次に、位置検出部132は、電子検出部40b
及び40cを含む電子ビーム10bに隣接して設けられ
た電子検出部から出力された検出信号に基づいて、電子
ビーム10bの照射位置を検出する。また、位置検出部
132は、電子検出部40d及び40eを含む電子ビー
ム10dに隣接して設けられた電子検出部から出力され
た検出信号に基づいて、電子ビーム10dの照射位置を
検出する。
【0050】図4は、第1の実施形態に係る電子ビーム
の照射位置の検出順序の一例を示す。電子ビーム発生部
10は、複数の電子ビームを格子状に発生する。そし
て、照射切替手段112は、複数の電子ビームを電子ビ
ーム群に分割して、電子ビーム群毎に電子ビームを照射
するか否かを切り替える。本実施形態では、1つの電子
ビームを隔てて照射される複数の電子ビームを1つの電
子ビーム群とし、複数の電子ビームを4つの電子ビーム
群A、B、C、及びDに分割してそれぞれ異なるタイミ
ングでマーク部50に照射させる。
【0051】照射切替手段112は、第1のタイミング
において電子ビーム群Aをマーク部50に照射させ、第
2のタイミングにおいて電子ビーム群Bをマーク部50
に照射させ、第3のタイミングにおいて電子ビーム群C
をマーク部50に照射させ第4のタイミングにおいて電
子ビーム群Dをマーク部50に照射させる。そして、位
置検出部132は、複数の電子検出部から出力された検
出信号に基づいて、電子ビームの照射位置を検出する。
例えば、位置検出部132は、第1のタイミングにおい
て、電子ビーム10aに隣接して設けられた電子検出部
40a、40b、40f、及び40hから出力された検
出信号に基づいて電子ビーム10aの照射位置を検出す
る。また、第2のタイミングにおいて、電子ビーム10
bに隣接して設けられた電子検出部40b、40c、4
0g、及び40iから出力された検出信号に基づいて電
子ビーム10bの照射位置を検出する。また、第3のタ
イミングにおいて、電子ビーム10eに隣接して設けら
れた電子検出部40h、40j、40k、及び40mか
ら出力された検出信号に基づいて電子ビーム10eの照
射位置を検出する。また、第4のタイミングにおいて、
電子ビーム10fに隣接して設けられた電子検出部40
i、40k、40l、及び40nから出力された検出信
号に基づいて電子ビーム10fの照射位置を検出する。
【0052】上述したように、本実施形態における電子
ビーム露光装置100は、所定の間隔を隔てて照射され
る複数の電子ビームを同時に照射させて、電子ビームの
照射位置を検出することができる。したがって、照射位
置の検出処理を非常に少ない回数行うことによって、全
ての電子ビームの照射位置を検出することができる。ま
た、本実施形態における電子検出部40は、2つの電子
ビームの間に設けられており、位置検出部132は、異
なるタイミングにおいて照射される2つの電子ビームの
照射位置を、2つの電子ビームの間に設けられた電子検
出部40から出力される検出信号に基づいて検出するこ
とができるため、電子検出部40の数を大幅に減らすこ
とができる。
【0053】図5は、第1の実施形態における電子ビー
ムの照射位置の検出方法の他の実施例を示す。図5
(a)及び(c)は、本実施形態における電子ビーム露
光装置100の断面図である。また図5(b)及び
(d)は、本実施形態における電子検出装置200の下
面図である。図5(a)及び(b)に示すように、偏向
部38は、第1のタイミングにおいて、電子ビーム10
aを、電子ビーム10aから電子ビーム10aと隣接し
て照射される電子ビーム10bの方向である第1の方向
と略垂直な第2の方向に走査してマーク部50aに照射
させる。また、偏向部38は、電子ビーム10bを第2
の方向に走査してマーク部50bに照射させる。そし
て、複数の電子検出部40は、複数のマーク部50から
放射される電子を検出し、検出した電子量に基づく検出
信号を出力する。次に、反射電子処理部94は、複数の
電子検出部40から出力された検出信号と、検出信号を
出力した電子検出部とを対応づけて、位置検出部132
に通知する。次に、位置検出部132は、電子ビーム1
0aから第1の方向に設けられた電子検出部40f、及
び電子ビーム10aを挟んで電子検出部40fと対向す
る位置に設けられた電子検出部40hから出力された検
出信号に基づいて、電子ビーム10aの照射位置を検出
する。また、位置検出部132は、電子ビーム10bか
ら第2の方向に設けられた電子検出部40c、及び電子
ビーム10bを挟んで電子検出部40cと対向する位置
に設けられた電子検出部40bから出力された検出信号
に基づいて、電子ビーム10bの照射位置を検出する。
【0054】そして、図5(c)及び(d)に示すよう
に、偏向部38は、図5(a)及び(b)で説明した第
1のタイミングと異なる第2のタイミングにおいて、電
子ビーム10bを第1の方向に走査してマーク部50b
に照射させ、電子ビーム10aを第2の方向に走査して
マーク部50aに照射させる。そして、複数の電子検出
部40は、複数のマーク部50から放射される電子を検
出し、検出した電子量に基づく検出信号を出力する。次
に、反射電子処理部94は、複数の電子検出部40から
出力された検出信号と、検出信号を出力した電子検出部
とを対応づけて、位置検出部132に通知する。次に、
位置検出部132は、電子ビーム10aから第2の方向
に設けられた電子検出部40b、及び電子ビーム10a
を挟んで電子検出部40bと対向する位置に設けられた
電子検出部40aから出力された検出信号に基づいて、
電子ビーム10aの照射位置を検出する。また、位置検
出部132は、電子ビーム10bから第1の方向に設け
られた電子検出部40g、及び電子ビーム10bを挟ん
で電子検出部40gと対向する位置に設けられた電子検
出部40iから出力された検出信号に基づいて、電子ビ
ーム10bの照射位置を検出する。
【0055】本実施例の電子ビーム露光装置100によ
れば、照射位置を検出すべき全ての電子ビームを同時に
マーク部50に照射させて、全ての電子ビームの照射位
置を同時に検出することができる。したがって、複数の
電子ビームの照射位置を検出する処理に費やす時間を大
幅に低下させることができる。
【0056】図6は、第2の実施形態に係る電子ビーム
露光装置100の電子検出装置200の構成を示す。電
子検出装置200は、複数の電子ビームが通過する複数
の開口部54が設けられた基板42と、ウェハ44又は
ウェハステージ46に設けられたマーク部50から放射
された電子を検出して、検出された電子量に基づく検出
信号を出力する電子検出部40とを備える。本実施形態
における電子検出部40は、基板42に設けられた複数
の開口部54の間に複数設けられる。つまり、電子検出
部40は、隣接する2つの開口部54をそれぞれ通過す
る2つの電子ビームの間に複数設けられており、2つの
開口部54のそれぞれに対応して設けられる。また、電
子検出部40は、基板42に設けられた複数の開口部5
4のそれぞれの周囲に設けられる。また、複数の電子検
出部40と、当該電子検出部に隣接する2つの開口部5
4を通過する2つの電子ビームの光軸とは、実質的に同
一直線上に設けられることが好ましい。さらに、電子ビ
ーム発生部10は、3つ以上の電子ビームを略等しい間
隔を隔てて発生し、電子検出部40は、3つ以上の開口
部54をそれぞれ通過する3つ以上の電子ビームのそれ
ぞれの間に複数設けられることが望ましい。また、開口
部54は、格子状に設けられることが好ましく、電子検
出部40は、格子状に設けられた開口部54のそれぞれ
の間に複数設けられることが望ましい。また、電子検出
部40は、最外周に設けられた開口部54の外周にさら
に設けられてもよい。
【0057】図7は、第2の実施形態に係る電子ビーム
の照射位置の検出方法を示す。図7(a)に示すよう
に、照射切替手段112は、第1のタイミングにおい
て、略等しい間隔で照射される電子ビーム10a及び1
0cを含む電子ビーム群のそれぞれをマーク部50a及
び50cを含むマーク群のそれぞれに照射させる。そし
て、偏向部38は、照射された電子ビーム群のそれぞれ
を偏向し、マーク群のそれぞれを走査させる。次に、電
子検出部40p、40q、40r、及び40sは、マー
ク部50a及び50cから放射される電子を検出し、検
出した電子量に基づく検出信号を出力する。次に、反射
電子処理部94は、電子検出部40p、40q、40
r、及び40sから出力された検出信号と、検出信号を
出力した電子検出部とを対応づけて、位置検出部132
に通知する。次に、位置検出部132は、電子ビーム1
0aに対応して設けられた電子検出部40pから出力さ
れた検出信号に基づいて、電子ビーム10aの照射位置
を検出する。また、位置検出部132は、電子ビーム1
0cに対応して設けられた電子検出部40rから出力さ
れた検出信号に基づいて、電子ビーム10cの照射位置
を検出する。
【0058】そして、図7(b)に示すように、照射切
替手段112は、図7(a)で説明した第1のタイミン
グと異なる第2のタイミングにおいて、略等しい間隔で
照射される電子ビーム10b及び10dを含む電子ビー
ム群のそれぞれをマーク部50b及び50dを含むマー
ク群のそれぞれに照射させる。そして、偏向部38は、
照射された電子ビーム群のそれぞれを偏向し、マーク群
のそれぞれを走査させる。次に、電子検出部40p、4
0q、40r、及び40sは、マーク部50b及び50
dから放射される電子を検出し、検出した電子量に基づ
く検出信号を出力する。次に、反射電子処理部94は、
電子検出部40p、40q、40r、及び40sから出
力された検出信号と、検出信号を出力した電子検出部と
を対応づけて、位置検出部132に通知する。次に、位
置検出部132は、電子ビーム10bに対応して設けら
れた電子検出部40qから出力された検出信号に基づい
て、電子ビーム10bの照射位置を検出する。また、位
置検出部132は、電子ビーム10dに対応して設けら
れた電子検出部40sから出力された検出信号に基づい
て、電子ビーム10dの照射位置を検出する。
【0059】図8は、第2の実施形態に係る電子ビーム
の照射位置の検出順序の一例を示す。電子ビーム発生部
10は、複数の電子ビームを格子状に発生する。そし
て、照射切替手段112は、複数の電子ビームを電子ビ
ーム群に分割して、電子ビーム群毎に電子ビームを照射
するか否かを切り替える。本実施形態では、1つの電子
ビームを隔てて照射される複数の電子ビームを1つの電
子ビーム群とし、複数の電子ビームを4つの電子ビーム
群A、B、C、及びDに分割してそれぞれ異なるタイミ
ングでマーク部50に照射させる。
【0060】照射切替手段112は、第1のタイミング
において電子ビーム群Aをマーク部50に照射させ、第
2のタイミングにおいて電子ビーム群Bをマーク部50
に照射させ、第3のタイミングにおいて電子ビーム群C
を照射させ第4のタイミングにおいて電子ビーム群Dを
マーク部50に照射させる。そして、位置検出部132
は、複数の電子検出部から出力された検出信号に基づい
て、電子ビームの照射位置を検出する。例えば、位置検
出部132は、第1のタイミングにおいて、電子ビーム
10aに隣接して設けられた電子検出部40pから出力
された検出信号に基づいて電子ビーム10aの照射位置
を検出する。また、第2のタイミングにおいて、電子ビ
ーム10bに隣接して設けられた電子検出部40qから
出力された検出信号に基づいて電子ビーム10bの照射
位置を検出する。また、第3のタイミングにおいて、電
子ビーム10eに隣接して設けられた電子検出部40t
から出力された検出信号に基づいて電子ビーム10eの
照射位置を検出する。また、第4のタイミングにおい
て、電子ビーム10fに隣接して設けられた電子検出部
40uから出力された検出信号に基づいて電子ビーム1
0fの照射位置を検出する。
【0061】上述したように、本実施形態における電子
ビーム露光装置100は、所定の間隔を隔てて照射され
る複数の電子ビームを同時に照射させて、電子ビームの
照射位置を検出することができる。したがって、所定の
間隔を隔てて照射される複数の電子ビームの照射位置の
検出処理を非常に少ない回数行うことによって、全ての
電子ビームの照射位置を検出することができる。
【0062】図9は、第3の実施形態に係る電子ビーム
露光装置100の電子検出装置200の構成を示す。電
子検出装置200は、複数の電子ビームが通過する複数
の開口部54が設けられた基板42と、ウェハ44又は
ウェハステージ46に設けられたマーク部50から放射
された電子を検出して、検出された電子量に基づく検出
信号を出力する電子検出部40と、複数の開口部の間に
設けられた遮蔽板56とを備える。本実施形態において
は、電子検出部40は、基板42に設けられた複数の開
口部54の間に複数設けられる。また、複数の電子検出
部40は、複数の開口部54のそれぞれに対応して設け
られる。さらに、電子検出部40は、基板42に設けら
れた複数の開口部54のそれぞれの周囲に設けられる。
また、所定の電子ビームと、当該所定の電子ビームと隣
接して照射される電子ビームとの間に、遮蔽板56が設
けられる。つまり、遮蔽板56は、所定の開口部54の
周囲に設けられた電子検出部40と、当該所定の開口部
54に隣接する開口部の周囲に設けられた電子検出部4
0との間に設けられる。遮蔽板56は、所定の電子ビー
ムと、電子検出部との間に設けられていればよい。ま
た、遮蔽板56は、電子ビームのウェハが載置される面
における照射位置と、第2電子ビームに設けられた電子
検出部との間に設けられることが好ましい。また、遮蔽
板56は、非磁性導体材料により形成されることが望ま
しい。さらに、遮蔽板56は、基板42に接地されるこ
とが望ましい。
【0063】図10は、第3の実施形態に係る電子ビー
ムの照射位置の検出方法を示す。照射切替手段112
は、照射位置を検出すべき電子ビーム10a、10b、
10c、及び10dのそれぞれをマーク部50a、50
b、50c、及び50dのそれぞれに照射させる。そし
て、偏向部38は、照射された電子ビーム群のそれぞれ
を偏向し、マーク群のそれぞれを走査させる。次に、電
子検出部40p、40q、40r、及び40sは、マー
ク部50a、50b、50c、及び50dから放射され
る電子を検出し、検出した電子量に基づく検出信号を出
力する。次に、反射電子処理部94は、電子検出部40
p、40q、40r、及び40sから出力された検出信
号と、検出信号を出力した電子検出部とを対応づけて、
位置検出部132に通知する。次に、位置検出部132
は、電子ビーム10aに隣接して設けられた電子検出部
40pから出力された検出信号に基づいて、電子ビーム
10aの照射位置を検出する。また、電子ビーム10b
に隣接して設けられた電子検出部40qから出力された
検出信号に基づいて、電子ビーム10bの照射位置を検
出する。また、電子ビーム10cに隣接して設けられた
電子検出部40rから出力された検出信号に基づいて、
電子ビーム10cの照射位置を検出する。また、電子ビ
ーム10dに隣接して設けられた電子検出部40sから
出力された検出信号に基づいて、電子ビーム10dの照
射位置を検出する。
【0064】本実施形態による電子ビーム露光装置10
0では、複数の電子ビームのそれぞれに対応して設けら
れた電子検出部40のそれぞれの周囲に遮蔽板56が設
けられることによって、所定の電子ビームが所定のマー
ク部50に照射されることにより当該所定のマーク部5
0から放射される電子が、当該所定の電子ビームに対応
して設けられた電子検出部40以外の電子検出部40に
放射されない。そのため、本実施形態における電子ビー
ム露光装置100では、複数の電子ビームのそれぞれを
同時に複数のマーク部50のそれぞれに照射させて、複
数の電子ビームの照射位置を同時に検出することができ
る。
【0065】図11は、第3の実施形態に係る電子ビー
ム露光装置100の電子検出装置200の構成の他の例
を示す。遮蔽板58は、格子状に設けられた複数の開口
部54のそれぞれの周囲に設けられた電子検出部40の
それぞれの間に、格子状に設けられてもよい。また、遮
蔽板58は、所定のマーク部50から放射された電子
が、当該所定のマーク部50に対応して設けられた所定
の電子検出部以外の他の電子検出部に放射されないよう
に、所定の電子検出部と他の電子検出部とを遮蔽する形
状であればよい。
【0066】以上、本発明を実施の形態を用いて説明し
たが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範
囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又
は改良を加えることができる。その様な変更又は改良を
加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、
特許請求の範囲の記載から明らかである。
【0067】
【発明の効果】上記説明から明らかなように、本発明に
よれば、複数の電子ビームの照射位置を短時間で精度よ
く検出する電子ビーム露光装置を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る電子ビーム露光装置
100の構成を示す図である。
【図2】第1の実施形態に係る電子ビーム露光装置10
0の電子検出装置200の構成を示す図である。
【図3】第1の実施形態に係る電子ビームの照射位置の
検出方法を示す図である。
【図4】第1の実施形態に係る電子ビームの照射位置の
検出順序の一例を示す図である。
【図5】第1の実施形態における電子ビームの照射位置
の検出方法の他の実施例を示す図である。
【図6】第2の実施形態に係る電子ビーム露光装置10
0の電子検出装置200の構成を示す図である。
【図7】第2の実施形態に係る電子ビームの照射位置の
検出方法を示す図である。
【図8】第2の実施形態に係る電子ビームの照射位置の
検出順序の一例を示す図である。
【図9】第3の実施形態に係る電子ビーム露光装置10
0の電子検出装置200の構成を示す図である。
【図10】第3の実施形態に係る電子ビームの照射位置
の検出方法を示す図である。
【図11】第3の実施形態に係る電子ビーム露光装置1
00の電子検出装置200構成の他の例を示す図であ
る。
【符号の説明】
8・・筐体、10・・電子ビーム発生部、10a〜10
f・・電子ビーム、14・・第1成形部材、16・・第
1多軸電子レンズ、18・・第1成形偏向部、20・・
第2成形偏向部、22・・第2成形部材、24・・第2
多軸電子レンズ、26・・ブランキング電極アレイ、2
8・・電子ビーム遮蔽部材、34・・第3多軸電子レン
ズ、36・・第4多軸電子レンズ、38・・偏向部、4
0・・電子検出部、40a〜40u・・電子検出部、4
2・・基板、44・・ウェハ、46・・ウェハステー
ジ、48・・ウェハステージ駆動部、50・・マーク
部、50a〜50d・・マーク部、52・・第5多軸電
子レンズ、54・・開口部、56・・遮蔽板、58・・
遮蔽板、80・・電子ビーム制御部、82・・多軸電子
レンズ制御部、84・・成形偏向制御部、86・・ブラ
ンキング電極アレイ制御部、92・・偏向制御部、94
・・反射電子処理部、96・・ウェハステージ制御部、
100・・電子ビーム露光装置、110・・電子ビーム
成形手段、112・・照射切替手段、114・・ウェハ
用投影系、120・・個別制御系、130・・統括制御
部、132・・位置検出部、140・・制御系、150
・・露光部、200・・電子検出装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01J 37/305 H01L 21/30 541N 541W (72)発明者 濱口 新一 東京都練馬区旭町1丁目32番1号株式会社 アドバンテスト内 Fターム(参考) 2H097 AB09 BA10 BB10 CA16 KA01 KA11 KA18 LA10 5C033 NN02 5C034 BB07 5F056 AA03 AA07 AA33 BA08 BB02 BD02 BD03 CB05 CC01

Claims (34)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の電子ビームにより、ウェハにパタ
    ーンを露光する電子ビーム露光装置であって、 前記複数の電子ビームを発生する電子ビーム発生部と、 前記電子ビームが照射され、前記電子ビームの照射位置
    を検出させるマーク部と、 前記複数の電子ビームの間に設けられており、前記マー
    ク部から放射された電子を検出して、検出された電子量
    に基づく検出信号を出力する第1電子検出部と、 前記検出信号に基づいて、前記電子ビームの照射位置を
    検出する位置検出部とを備えることを特徴とする電子ビ
    ーム露光装置。
  2. 【請求項2】 前記複数の電子ビームのうちの第1電子
    ビームの光軸と、第2電子ビームの光軸と、前記第1電
    子検出部とは、実質的に同一直線上に設けられることを
    特徴とする請求項1に記載の電子ビーム露光装置。
  3. 【請求項3】 前記電子ビーム発生部は、3つ以上の電
    子ビームを略等しい間隔を隔てて発生し、 前記第1電子検出部は、前記3つ以上の電子ビームのそ
    れぞれの間に設けられることを特徴とする請求項1に記
    載の電子ビーム露光装置。
  4. 【請求項4】 前記第1電子検出部は、前記複数の電子
    ビームのうちの2つの電子ビームの間に複数設けられる
    ことを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム露光装
    置。
  5. 【請求項5】 前記複数の第1電子検出部は、前記複数
    の電子ビームのそれぞれに対応して設けられることを特
    徴とする請求項4に記載の電子ビーム露光装置。
  6. 【請求項6】 前記複数の電子ビームのそれぞれの周囲
    に設けられた第2電子検出部をさらに備えることを特徴
    とする請求項5に記載の電子ビーム露光装置。
  7. 【請求項7】 前記複数の電子ビームを前記マーク部に
    照射させるか否かを独立して切り替える照射切替手段を
    さらに有し、 前記照射切替手段は、前記複数の電子ビームのうちの第
    1電子ビームを前記マーク部に照射させ、 前記位置検出部は、前記第1電子ビームの周囲に設けら
    れた第1電子検出部から出力された検出信号に基づい
    て、前記第1電子ビームの照射位置を検出することを特
    徴とする請求項5に記載の電子ビーム露光装置。
  8. 【請求項8】 前記複数の電子ビームを前記マーク部に
    照射させるか否かを独立して切り替える照射切替手段を
    さらに有し、 前記照射切替手段は、第1のタイミングにおいて、前記
    複数の電子ビームのうちの第1電子ビームを照射させ、
    前記第2のタイミングにおいて、前記第1電子ビームと
    隣接する第2電子ビームを照射させ、 前記位置検出部は、前記第1のタイミングにおいて、前
    記第1電子ビームに対応して設けられた前記第1電子検
    出部から出力された検出信号に基づいて、前記第1電子
    ビームの照射位置を検出し、前記第2のタイミングにお
    いて、前記第2電子ビームに対応して設けられた前記第
    1電子検出部から出力された検出信号に基づいて、前記
    第2電子ビームの照射位置を検出することを特徴とする
    請求項5に記載の電子ビーム露光装置。
  9. 【請求項9】 前記照射切替手段は、前記第1のタイミ
    ングにおいて、前記第1電子ビームを含む第1電子ビー
    ム群を照射させ、前記第2のタイミングにおいて、前記
    第1電子ビーム群以外の電子ビームであって、前記第2
    電子ビームを含む第2電子ビーム群を照射させることを
    特徴とする請求項8に記載の電子ビーム露光装置。
  10. 【請求項10】 前記複数の電子ビームを前記マーク部
    に照射させるか否かを独立して切り替える照射切替手段
    をさらに有し、 前記照射切替手段は、第1のタイミングにおいて、前記
    複数の電子ビームのうちの第1電子ビームを照射させ、
    前記第2のタイミングにおいて、前記第1電子ビームと
    隣接する第2電子ビームを照射させ、 前記位置検出部は、前記第1のタイミングにおいて、前
    記第1電子検出部から出力された検出信号に基づいて、
    前記第1電子ビームの照射位置を検出し、前記第2のタ
    イミングにおいて、前記第1電子検出部から出力された
    検出信号に基づいて、前記第2電子ビームの照射位置を
    検出することを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム
    露光装置。
  11. 【請求項11】 前記照射切替手段は、前記第1のタイ
    ミングにおいて、前記第1電子ビームを含む第1電子ビ
    ーム群を照射させ、前記第2のタイミングにおいて、前
    記第1電子ビーム群以外の電子ビームであって、前記第
    2電子ビームを含む第2電子ビーム群を照射させること
    を特徴とする請求項10に記載の電子ビーム露光装置。
  12. 【請求項12】 前記第1電子ビーム群及び前記第2電
    子ビーム群は、略等しい間隔を隔てて照射される複数の
    電子ビームを有することを特徴とする請求項11に記載
    の電子ビーム露光装置。
  13. 【請求項13】 前記第1電子検出部は、前記第1電子
    ビーム群に含まれる電子ビームのそれぞれと、前記第2
    電子ビーム群に含まれる電子ビームのそれぞれとのそれ
    ぞれの間に設けられており、 前記位置検出部は、前記第1のタイミングにおいて、前
    記第1電子ビーム群に含まれる電子ビームの照射位置
    を、当該電子ビームに隣接する前記第1電子検出部から
    出力された検出信号に基づいて検出し、前記第2のタイ
    ミングにおいて、前記第2電子ビーム群に含まれる電子
    ビームの照射位置を、当該電子ビームに隣接する前記第
    1電子検出部から出力された検出信号に基づいて検出す
    ることを特徴とする請求項12に記載の電子ビーム露光
    装置。
  14. 【請求項14】 前記電子ビーム発生部は、前記複数の
    電子ビームを格子状に発生し、 前記第1電子検出部は、前記複数の電子ビームのそれぞ
    れの間に設けられており、 前記位置検出部は、前記第1のタイミングにおいて、前
    記第1電子ビーム群に含まれるそれぞれの電子ビームの
    周囲に設けられた前記第1電子検出部から出力された検
    出信号に基づいて、前記第1電子ビーム群に含まれる電
    子ビームの照射位置を検出し、前記第2のタイミングに
    おいて、前記第2電子ビーム群に含まれるそれぞれの電
    子ビームの周囲に設けられた前記第1電子検出部から出
    力された検出信号に基づいて、前記第2電子ビーム群に
    含まれる電子ビームの照射位置を検出することを特徴と
    する請求項13に記載の電子ビーム露光装置。
  15. 【請求項15】 前記複数の電子ビームのうちの1つの
    電子ビームと、前記第1電子検出部との間に設けられた
    遮蔽板をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載
    の電子ビーム露光装置。
  16. 【請求項16】 前記複数の電子ビームのうちの第1電
    子ビームに設けられた前記第1電子検出部と、前記第1
    電子ビームに隣接して照射される第2電子ビームに設け
    られた前記第1電子検出部との間に設けられた遮蔽板を
    さらに備えることを特徴とする請求項5に記載の電子ビ
    ーム露光装置。
  17. 【請求項17】 前記遮蔽板は、前記第1電子ビームの
    前記ウェハが載置される面における照射位置と、前記第
    2電子ビームに設けられた前記第1電子検出部との間に
    設けられることを特徴とする請求項16に記載の電子ビ
    ーム露光装置。
  18. 【請求項18】 前記複数の電子ビームの周囲に設けら
    れた前記第2電子検出部の周囲に設けられた遮蔽板さら
    に備えることを特徴とする請求項6に記載に電子ビーム
    露光装置。
  19. 【請求項19】 前記複数の電子ビームを独立に偏向す
    る偏向部と、 前記偏向部を制御する偏向制御部と、 前記第1電子ビームに対して、前記第1電子ビームから
    前記第1電子検出部への方向である第1の方向と略垂直
    な方向である第2の方向に設けられた第2電子検出部と
    をさらに備え、 前記偏向制御部は、前記偏向部を制御し、前記第1電子
    ビームを前記第2の方向に偏向させ、前記第2電子ビー
    ムを前記第1の方向に偏向させ、 前記位置検出部は、前記第2電子検出部から出力される
    検出信号に基づいて、前記第1電子ビームの照射位置を
    検出し、前記第1電子検出部から出力される検出信号に
    基づいて、前記第2電子ビームの照射位置を検出するこ
    とを特徴とする請求項2に記載の電子ビーム露光装置。
  20. 【請求項20】 前記第1電子ビームを挟んで、前記第
    2電子検出部に対向する位置に設けられた第3電子検出
    部と、 前記第2電子ビームを挟んで、前記第1電子検出部に対
    向する位置に設けられた第4電子検出部とをさらに備
    え、 前記位置検出部は、前記第2電子検出部及び前記第3電
    子検出部から出力される検出信号に基づいて、前記第1
    電子ビームの照射位置を検出し、前記第1検出部及び前
    記第4電子検出部から出力される検出信号に基づいて、
    前記第2電子ビームの照射位置を検出することを特徴と
    する請求項19に記載の電子ビーム露光装置。
  21. 【請求項21】 前記第1電子ビームを挟んで、前記第
    1電子検出部に対向する位置に設けられた第5電子検出
    部と、 前記第2電子ビームに対して、前記第2の方向に設けら
    れた第6電子検出部と、 前記第2電子ビームを挟んで、前記第6電子検出部に対
    向する位置に設けられた第7電子検出部とをさらに備
    え、 前記偏向制御部は、前記偏向部を制御し、第1のタイミ
    ングにおいて、前記第1電子ビームを前記第2の方向に
    偏向させ、前記第2電子ビームを前記第1の方向に偏向
    させ、第2のタイミングにおいて、前記第1電子ビーム
    を前記第1の方向に偏向させ、前記第2電子ビームを前
    記第2の方向に偏向させ、 前記位置検出部は、前記第1のタイミングにおいて前記
    第2電子検出部及び前記第3から出力される検出信号
    と、前記第2のタイミングにおいて前記第1電子検出部
    及び前記第5電子検出部から出力される検出信号とに基
    づいて、前記第1電子ビームの照射位置を検出し、前記
    第1のタイミングにおいて前記第1電子検出部及び前記
    第4電子検出部から出力される検出信号と、第2のタイ
    ミングにおいて前記第6電子検出部及び前記第7電子検
    出部から出力される検出信号とに基づいて、前記第2電
    子ビームの照射位置を検出することを特徴とする請求項
    20に記載の電子ビーム露光装置。
  22. 【請求項22】 複数の電子ビームのそれぞれをマーク
    部に照射させ、マーク部から放射された電子量を検出す
    る電子検出部を用いて、前記複数の電子ビームの照射位
    置を検出する照射位置検出方法であって、 第1電子ビーム及び第2電子ビームを含む前記複数の電
    子ビームを発生する電子ビーム発生段階と、 前記第1電子ビームをマーク部に照射する第1照射段階
    と、 前記第1電子ビームと前記第2電子ビームとの間に設け
    られた第1電子検出部を用いて、マーク部から放射され
    た電子を検出する第1電子検出段階と、 前記第1電子検出部から出力される検出信号に基づい
    て、前記第1電子ビームの照射位置を検出する第1位置
    検出段階と、 前記第2電子ビームをマーク部に照射する第2照射段階
    と、 前記第1電子検出部を用いて、マーク部から放射された
    電子を検出する第2電子検出段階と、 前記第1電子検出部から出力される検出信号に基づい
    て、前記第2電子ビームの照射位置を検出する第2位置
    検出段階とを備えることを特徴とする照射位置検出方
    法。
  23. 【請求項23】 前記第1電子検出段階は、前記第1電
    子検出部に含まれる第1検出器を用いて、マーク部から
    放射された電子を検出し、 前記第1位置検出段階は、前記第1電子検出器から出力
    される検出信号に基づいて、前記第1電子ビームの照射
    位置を検出し、 前記第2電子検出段階は、前記第1電子検出部に含まれ
    る第2電子検出器を用いて、マーク部から放射された電
    子を検出し、 前記第2位置検出段階は、前記第2電子検出器から出力
    される検出信号に基づいて、前記第2電子ビームの照射
    位置を検出することを特徴とする請求項22に記載の照
    射位置検出方法。
  24. 【請求項24】 前記第1照射段階は、前記第1電子ビ
    ームを含む第1電子ビーム群を照射し、 前記第2照射段階は、前前記第1電子ビーム群以外の電
    子ビームであって、前記第2電子ビームを含む第2電子
    ビーム群を照射させることを特徴とする請求項1に記載
    の照射位置検出方法。
  25. 【請求項25】 前記第1照射段階は、前記第1電子ビ
    ーム群に含まれる複数の電子ビームを略等しい間隔を隔
    てて照射し、 前記第2照射段階は、前記第2電子ビーム群に含まれる
    複数の電子ビームを略等しい間隔を隔てて照射すること
    を特徴とする請求項24に記載の照射位置検出方法。
  26. 【請求項26】 前記電子ビーム発生段階は、前記第1
    電子ビーム群に含まれる第3電子ビームと、前記第2電
    子ビーム群に含まれる第4電子ビームを発生する段階を
    含み、 前記第1照射段階は、前記第3電子ビームをマーク部に
    照射する段階を含み、 前記第1電子検出段階は、前記第3電子ビームと前記第
    4電子ビームとの間に設けられた第2電子検出部を用い
    て、マーク部から放射された電子を検出する段階を含
    み、 前記第1位置検出段階は、前記第2電子検出部から出力
    される検出信号に基づいて、前記第3電子ビームの照射
    位置を検出する段階を含み、 前記第2照射段階は、前記第4電子ビームをマーク部に
    照射する段階を含み、 前記第2電子検出段階は、前記第2電子検出部を用い
    て、マーク部から放射された電子を検出する段階を含
    み、 前記第2位置検出段階は、前記第2電子検出部から出力
    される検出信号に基づいて、前記第4電子ビームの照射
    位置を検出する段階を含むことを特徴とする請求項25
    に記載の照射位置検出方法。
  27. 【請求項27】 複数の電子ビームのそれぞれをマーク
    部に照射させ、マーク部から放射された電子量を検出す
    る電子検出部を用いて、前記複数の電子ビームの照射位
    置を検出する照射位置検出方法であって、 第1電子ビームと、前記第1電子ビームに隣接して照射
    される第2電子ビームとを含む前記複数の電子ビームを
    発生する電子ビーム発生段階と、 前記第1電子ビームを、前記第1電子ビームから前記第
    2電子ビームの方向である第1の方向に偏向させてマー
    ク部に照射し、前記第2電子ビームを前記第1の方向に
    略垂直な方向である第2の方向に偏向させてマーク部に
    照射する第1照射段階と、 前記第1電子ビームに対して前記第1の方向に設けられ
    た第1電子検出部が出力する検出信号に基づいて、前記
    第1電子ビームの照射位置を検出し、前記第2電子ビー
    ムに対して前記第2の方向に設けられた第2電子検出部
    が出力する検出信号に基づいて、前記第2電子ビームの
    照射位置を検出する第1位置検出段階とを備えることを
    特徴とする照射位置検出方法。
  28. 【請求項28】前記第1電子ビームを前記第2の方向と
    略平行な方向に偏向させてマーク部に照射し、前記第2
    電子ビームを前記第1の方向と略平行な方向に偏向させ
    てマーク部に照射する第2照射段階と、 前記第1電子ビームに対して、前記第2の方向と略平行
    な方向に設けられた第3電子検出部から出力される検出
    信号に基づいて、前記第1電子ビームの照射位置を検出
    し、前記第1電子検出部から出力される検出信号に基づ
    いて、前記第2電子ビームの照射位置を検出する第2位
    置検出段階とをさらに備えることを特徴とする請求項2
    7に記載の照射位置検出方法。
  29. 【請求項29】 電子ビームの照射位置を検出するため
    のマーク部に前記電子ビームが照射されることにより前
    記マーク部から放射された電子を検出する電子検出装置
    であって、 複数の開口部が設けられた基板と、 前記複数の開口部のうちの所定の開口部と、前記所定の
    開口部に隣接する他の開口部との間に設けられた第1電
    子検出部とを備えることを特徴とする電子検出装置。
  30. 【請求項30】 前記複数の開口部は、格子状に複数設
    けられており、 前記第1電子検出部は、前記複数の開口部のそれぞれの
    間に複数設けられることを特徴とする請求項29に記載
    の電子検出装置。
  31. 【請求項31】 前記第1電子検出部は、前記複数の開
    口部のそれぞれに対応して設けられることを特徴とする
    請求項29に記載の電子検出装置。
  32. 【請求項32】 前記複数の開口部のそれぞれの周囲に
    設けられた第2電子検出部をさらに備えることを特徴と
    する請求項31に記載の電子検出装置。
  33. 【請求項33】 前記所定の開口部に設けられた電子検
    出部と、前記他の開口部に設けられた電子検出部との間
    に設けられた遮蔽板をさらに備えることを特徴とする請
    求項31に記載の電子検出装置。
  34. 【請求項34】 前記複数の開口部の周囲に設けられた
    前記電子検出部の周囲に設けられた遮蔽板をさらに備え
    ることを特徴とする請求項32に記載の電子検出装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019067881A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6142129A (ja) * 1984-08-06 1986-02-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 荷電ビ−ム露光装置
JPS63269523A (ja) * 1987-04-28 1988-11-07 Canon Inc 荷電ビ−ム装置
JP3298347B2 (ja) * 1995-01-11 2002-07-02 株式会社日立製作所 電子線描画装置
JP3335845B2 (ja) * 1996-08-26 2002-10-21 株式会社東芝 荷電ビーム描画装置及び描画方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019067881A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法

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