JP2002174819A - 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 元基板に対する切断位置を容易に検査でき、
かつ、注入口から基板間に電気光学物質を注入した後、
この注入口に対する封止材を適正な範囲に塗布すること
のできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、およ
びこの電気光学装置を用いた電子機器を提供することに
ある。 【解決手段】 液晶装置を構成する素子基板用の元基板
には、切断予定線Ｌ１１に重なるように切断時の公差に
対応する幅のマーク１００形成されている。従って、切
断予定線Ｌ１１に沿って元基板を切断したときに、切断
個所の両側にマーク１００の一部が各々残っていれば公
差内の精度で切断が行われたと判断できる、また、この
切断個所において、マーク１００の間で液晶注入口６ａ
が開口するので、液晶を注入後、マーク１００にかから
ないようにに封止材６０を塗布すれば、封止材６０の多
寡に起因する不具合が発生しない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、元基板から切り出
した基板を用いた電気光学装置、およびこの電気光学装
置を用いた電子機器に関するものである。さらに詳しく
は、元基板に対する切断位置を指示するための技術に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯電話機、携帯型コンピュー
タ、ビデオカメラ等といった電子機器の表示部として、
液晶装置などといった電気光学装置が広く用いられてい
る。液晶装置では、第１の基板と第２の基板をシール材
によって貼り合わして、空セルと称せられる空のパネル
を構成した後、シール材で区画された領域内に、電気光
学物質としての液晶が封入されている。

【０００３】このような液晶装置に用いるパネルは、個
々のパネルに対応した第１および第２の基板を一枚ずつ
形成して貼り合わせる場合もあるが、小型の液晶装置を
製造する場合には特に、複数のパネルを形成できる大き
な元基板に対して複数の液晶装置分の配線パターンを形
成するなど、製造工程の途中までは、大型の元基板のま
まで処理を行い、その後、元基板を個々の基板に分割す
ることが多い。

【０００４】また、パネル１枚分の元基板を準備し、こ
の元基板に対して、配線パターンなどの製造工程を行う
場合においても、製造工程の後半において元基板の周縁
部を除去した後、液晶の注入工程などを行うことがあ
る。

【０００５】これらのいずれの場合でも、元基板に対す
る切断方法としては、カッター等を用いる方法、あるい
は、元基板の表面に溝状の傷を形成し、その傷を形成し
た部分に応力を加えることによって基板を破断させる方
法などが採用されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】液晶装置を構成する基
板を元基板から切り出す工程では、元基板に対する切断
位置がずれて基板の寸法や切断位置が所定の公差内に入
っていないと、後の実装工程等において不良が発生する
危険性があるため、切断した基板に対する検査が必要に
なる。

【０００７】しかしながら、元基板に対する切断が正確
に行われたか否かを知るためには、元基板から切り出し
た基板の寸法を何箇所も計測する必要があるなど、検査
作業に多大な手間がかかるという問題点がある。

【０００８】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、
元基板に対する切断位置を容易に検査でき、かつ、注入
口から基板間に電気光学物質を注入した後、この注入口
に対する封止材を適正な範囲に塗布することのできる電
気光学装置の製造方法、電気光学装置、およびこの電気
光学装置を用いた電子機器を提供することにある。

【０００９】また、本発明の課題は、このような電気光
学装置の製造方法を、新たな工程を付加することなく実
現可能な構成を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明では、第１の基板を形成するための元基板を
切断予定線に沿って切断する切断工程と、前記第１の基
板に第２の基板を貼り合わせた空パネルにおいて前記元
基板に対する切断箇所で開口する注入口を介して基板間
に電気光学物質を注入する注入工程と、前記注入口に封
止材を塗布して当該注入口を封止する封止工程とを有す
る電気光学装置の製造方法において、前記元基板のう
ち、前記切断予定線に重なり、かつ、前記封止材の塗布
範囲を指示する位置に所定幅のマークを形成する工程を
具備し、前記切断工程では、切断箇所の両側に前記マー
クの一部が各々残るように前記切断予定線に沿って前記
元基板を切断し、前記封止工程では、前記マークを基準
に前記封止材を所定の範囲に塗布することを特徴とす
る。

【００１１】本発明では、元基板を切断するときの公差
に対応する幅のマークを元基板に形成しておくので、切
断予定線に沿って、元基板を切断したとき、切断箇所の
両側にマークの一部が各々残っているか否かを確認すれ
ば、切断が精度よく行われていたか否かを容易に検査で
きる。すなわち、切断が精度よく行われていれば、切断
箇所の両側にマークの一部が各々残るのに対して、切断
時の精度が悪ければ、切断箇所の一方にのみマークが残
り、他方にマークが残らないからである。また、第１の
基板と第２の基板とを貼り合わせた空パネルにおいて、
基板に対して電気光学物質を注入するための注入口は、
元基板に対する切断箇所で開口しているので、切断工程
の良否を検査するのに用いたマークを、元基板に対する
切断箇所のうち、注入口に塗布する封止材の塗布範囲を
示す位置に形成しておけば、マークを基準に封止材を塗
布できる。それ故、封止材の塗布量の多寡に起因する不
具合の発生を回避できる。

【００１２】本発明において、前記マークは、例えば、
前記注入口を挟む両側２箇所に各々形成されている場合
があり、この場合には、前記封止工程において、前記注
入口の両側２箇所に形成された前記マークの前記注入口
側の端部に重ならない範囲に前記封止材を塗布すればよ
い。このように構成すると、封止材の塗布しすぎを防止
することができる。

【００１３】本発明において、前記マークを、前記元基
板に形成される配線あるいは電気素子を構成する薄膜と
同時形成することが好ましい。このように構成すると、
元基板にマークを形成するといっても、新たな工程を追
加する必要がない。

【００１４】ここで、元基板に形成される配線あるいは
電気素子の構成は、電気光学装置のタイプによって様々
であるが、画素スイッチングの能動素子としてＴＦＤ素
子を用いた電気光学装置では、配線あるいは電気素子を
構成する薄膜として、Ｔａ（タンタル）膜やＣｒ（クロ
ム）膜が用いられるので、前記マークをＴａ膜またはＣ
ｒ膜から形成すればよい。

【００１５】本発明において、前記元基板に対して、前
記切断予定線を挟んだ両側に所定の距離を隔てて対向す
る第１のパターンと第２のパターンとを形成するととも
に、前記第１のパターンと前記第２のパターンとの間
に、これらのパターンと形態の異なる境界パターンを形
成する工程を具備し、前記切断工程では、切断箇所の両
側に前記境界パターンの一部が残るように前記元基板を
前記切断予定線に沿って切断することが好ましい。この
ように構成するにあたって、第１のパターンと第２のパ
ターンとを元基板を切断するときの公差に対応する距離
を隔てて形成し、この間に境界パターンを形成する。従
って、切断予定線に沿って元基板を切断したとき、切断
箇所の両側に境界パターンの一部が各々残っているか否
かを確認すれば、元基板に対する切断が精度よく行われ
ていたか否かを容易に検査できる。すなわち、切断が精
度よく行われていれば、切断箇所の両側に境界パターン
の一部が各々残るのに対して、切断時の精度が悪けれ
ば、切断箇所の一方にのみ境界パターンが残り、他方に
境界パターンが残らないからである。

【００１６】本発明において、前記第１のパターンを、
前記第１の基板として切り出される基板形成領域に形成
される複数の配線の端部として形成する一方、前記第２
のパターンは、前記基板形成領域から切り離される周辺
領域に給電パターンとして形成し、前記境界パターン
は、前記第１のパターンの各々を前記第２のパターンに
電気的に接続する中継パターンとして形成し、前記切断
工程を行う前に、前記第２のパターンから前記境界パタ
ーンを経て前記第１のパターンに給電して、前記第１の
パターンまたは該第１のパターンに電気的に接続する導
電膜に対して陽極酸化処理を行うことが好ましい。ここ
で行う前記陽極酸化処理は、例えば、前記導電膜、およ
び該導電膜の表面に形成された絶縁膜を用いて、ダイオ
ード素子やキャパシタ素子などといった電気素子を形成
する陽極酸化処理である。元基板に形成される配線ある
いは電気素子の構成は、電気光学装置のタイプによって
様々であるが、画素スイッチングの能動素子としてＴＦ
Ｄ素子を用いた電気光学装置では、配線あるいは電気素
子を構成する導電膜としてＴａ膜を形成し、このＴａ膜
に対して、基板として切り出される周辺領域に形成した
給電パターン（第２のパターン）から、中継パターンお
よび配線を介して給電して陽極酸化を行った後、中継パ
ターンの部分で元基板を切断して給電パターンと配線と
を切断する。従って、元基板に対する切断予定線を跨ぐ
領域に中継パターンが形成されることになるので、この
中継パターンを、切断工程の良否を検査するための境界
パターンとして、第１のパターンや第２のパターンと容
易に区別できる形態で形成すれば、このようなパターン
が密に形成されている領域に対して、切断工程の良否を
検査するためのマーク等を追加する必要がない。

【００１７】本発明においては、前記元基板に対して、
前記切断予定線を挟んだ両側に所定の距離を隔てて対向
する第１のパターンおよび第２のパターンを形成する工
程を具備し、前記切断工程では、切断箇所の両側で前記
第１のパターンおよび第２のパターンが欠けないように
前記元基板を前記切断予定線に沿って切断してもよい。
このように構成するにあたって、第１のパターンと第２
のパターンとを元基板を切断するときの公差に対応する
距離を隔てて形成する。従って、切断予定線に沿って元
基板を切断したとき、切断箇所の両側で第１のパターン
および第２のパターンが欠けることなく残っているか否
かを確認すれば、元基板に対する切断が精度よく行われ
ていたか否かを容易に検査できる。すなわち、切断が精
度よく行われていれば、切断箇所の両側に第１のパター
ンおよび第２のパターンが欠けずに残るのに対して、切
断時の精度が悪ければ、切断箇所の一方で第１のパター
ンあるいは第２のパターンが欠けてしまうからである。

【００１８】本発明において、前記元基板に対して、所
定幅をもって前記切断予定線を跨ぐ境界パターンを形成
する工程を具備し、前記切断工程では、切断箇所の両側
に前記境界パターンの一部が残るように前記元基板を前
記切断予定線に沿って切断してもよい。このように構成
するにあたって、境界パターンの幅を元基板を切断する
ときの公差に対応する寸法とする。従って、切断予定線
に沿って元基板を切断したとき、切断箇所の両側で境界
パターンの一部が各々残っているか否かを確認すれば、
元基板に対する切断が精度よく行われていたか否かを容
易に検査できる。すなわち、切断が精度よく行われてい
れば、切断箇所の両側に境界パターンの一部が残るのに
対して、切断時の精度が悪ければ、切断箇所の一方にの
み境界パターンが残り、他方に境界パターンが残らない
からである。

【００１９】このようなパターンについても、前記マー
クと同様、前記元基板に形成された配線または電気素子
を形成する薄膜、例えば、Ｔａ膜またはＣｒ膜と同時形
成することが好ましい。

【００２０】このような製造方法を用いて製造した電気
光学装置では、例えば、以下の構成を有することにな
る。すなわち、第１の基板と第２の基板とがシール材で
貼り合わされているとともに、該シール材の途切れ部分
からなる注入口が封止材で封止された電気光学装置にお
いて、前記第１の基板の縁部分には、前記封止材の塗布
範囲を示すとともに、前記第１の基板を元基板から切り
出したときの切断位置を検査するためのマークが付され
ている。

【００２１】また、本発明に係る電気光学装置では、第
１の基板と第２の基板とがシール材で貼り合わされてい
るとともに、該シール材の途切れ部分からなる注入口が
封止材で封止され、前記注入口は、前記第１の基板の縁
部分で開口しており、前記第１の基板の縁部分には、こ
の縁部分に沿って前記注入口の両側にマークが設けられ
ていることを特徴とする。

【００２２】本発明において、前記マークは、前記注入
口を挟む両側２箇所に形成され、前記封止材は、前記注
入口の両側２箇所に形成された前記マークの前記注入口
側の端部に重ならない範囲に塗布されている。

【００２３】本発明において、前記マークは、前記第１
の基板に形成された配線または電気素子を形成する薄膜
と同一の組成、例えば、Ｔａ膜またはＣｒ膜から構成さ
れている。

【００２４】このような電気光学装置は、例えば、携帯
電話機、携帯型コンピュータ、ビデオカメラ等といった
電子機器の表示部として用いられる。

【００２５】

【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施の
形態を説明する。なお、以下に実施形態を説明するにあ
たっては、各種の電気光学装置のうち、能動素子として
ＴＦＤ素子（Thin Film Diode）を用いたアクティブマ
トリクス方式の液晶装置を例に説明する。

【００２６】［液晶パネルの構成］図１は、液晶装置の
電気的構成を模式的に示すブロック図である。図２
（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、液晶パネルにおいて液晶層
を挟持する１対の基板のうち、素子基板における１画素
分の平面図、および図２（ａ）のＡ−Ａ線断面図であ
る。

【００２７】図１に示すように、液晶装置に用いられる
液晶パネル２では、複数の配線としての走査線５１が行
方向（Ｘ方向）に形成され、複数のデータ線５２が列方
向（Ｙ方向）に形成されている。走査線５１とデータ線
５２との各交差点に対応する位置には画素５３が形成さ
れ、この画素５３では、液晶層５４と、画素スイッチン
グ用のＴＦＤ素子５６とが直列に接続されている。各走
査線５１は走査線駆動回路５７によって駆動され、各デ
ータ線５２はデータ線駆動回路５８によって駆動され
る。本実施形態において、走査線駆動回路５７およびデ
ータ線駆動回路５８は、図３を参照して後述する液晶駆
動用ＩＣ８ａおよび液晶駆動用ＩＣ８ｂにそれぞれ構成
されている。

【００２８】図２（ａ）、（ｂ）において、ＴＦＤ素子
５６は、素子基板７ａの表面に成膜された下地層６１の
上に形成された第１ＴＦＤ素子５６ａおよび第２ＴＦＤ
素子５６ｂからなる２つのＴＦＤ素子要素によって、い
わゆるBack-to-Back構造として構成されている。このた
め、ＴＦＤ素子５６は、電流−電圧の非線形特性が正負
双方向にわたって対称化されている。下地層６１は、例
えば、厚さが５０〜２００ｎｍ程度の酸化タンタル（Ｔ
ａ₂Ｏ₅）によって構成されている。第１ＴＦＤ素子５６
ａおよび第２ＴＦＤ素子５６ｂは、第１金属層６２と、
この第１金属層６２の表面に形成された絶縁層６３と、
絶縁膜６３の表面に互いに離間して形成された第２金属
層６４ａ、６４ｂとによって構成されている。第１金属
層６２は、例えば、厚さが１００〜５００ｎｍ程度のＴ
ａ単体膜、Ｔａ合金膜等によって形成され、絶縁層６３
は、例えば、陽極酸化法によって第１金属層６２の表面
を酸化することによって形成された厚さが１０〜３５ｎ
ｍの酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）である。

【００２９】第２金属層６４ａ、６４ｂは、例えばクロ
ム（Ｃｒ）等といった金属膜によって５０〜３００ｎｍ
程度の厚さに形成されている。第２金属層６４ａは、そ
のまま走査線５１となり、他方の第２金属層６４ｂは、
ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等といった透明導電材から
なる画素電極６６に接続されている。なお、画素電極６
６はＡｌ（アルミニウム）等といった光反射性材料によ
って形成されることもある。

【００３０】素子基板７ａを構成する基板１７ａは、対
向基板７ａを構成する基板１７ｂ（図４参照）と同様、
例えば、石英、ガラス、プラスチック等によって形成さ
れる。ここで、単純な反射型の場合には素子基板基板１
７ａが透明であることは、必須要件ではないが、本実施
形態のように透過型の場合には、素子基板基板１７ａは
透明であることが必須の要件となる。

【００３１】［液晶装置の構成］このようにして走査線
５１およびＴＦＤ素子５６が形成された素子基板７ａ
は、図３および図４を参照して説明するように、ＩＴＯ
等といった透明導電材からなるデータ線５２がストライ
プ状に形成された対向基板７ｂと対向配置される。ここ
で、素子基板７ａと対向基板７ｂは、一列分の画素電極
６６と１本のデータ線５２とが互いに対向する位置関係
となるように互いに貼り合わされる。

【００３２】図３および図４はぞれぞれ、液晶装置の分
解斜視図およびその断面図である。

【００３３】図３および図４に示すように、液晶装置１
は、例えば、液晶パネル２にＦＰＣ（Flexible Printed
Circuit：可撓性プリント基板）３ａ、３ｂを接続し、
さらに液晶パネル２の裏面側に導光体４を取り付け、さ
らに導光体４の裏面側に制御基板５を設けることによっ
て形成される。

【００３４】液晶パネル２において、素子基板７ａと対
向基板７ｂとは、これらの基板のうちの一方に環状に塗
布されたシール材６によって貼り合わされている。ま
た、シール材６の途切れ部分によって液晶注入口６ａが
形成され、この液晶注入口６ａは、封止材６０によって
塞がれている。

【００３５】素子基板７ａのうち、対向基板７ｂから張
り出す部分の表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conducti
ve Film：異方性導電膜）９によって液晶駆動用ＩＣ８
ａがＣＯＧ（Chip On Glass）実装されている。また、
対向基板７ｂのうち、素子基板７ａから張り出す部分に
は、ＡＣＦ９によって液晶駆動用ＩＣ８ｂがＣＯＧ実装
されている。

【００３６】図４に示すように、素子基板７ａの内面に
は複数の画素電極６６がマトリクス状に形成され、その
外面には偏光板１２ａが貼着されている。また、対向基
板７ｂの内面には複数のデータ線５２がストライプ状に
形成され、その外面には偏光板１２ｂが貼着されてい
る。そして、素子基板７ａと対向基板７ｂとの基板間の
うち、シール材６によって区画された間隙（セルギャッ
プ）に、電気光学物質としての液晶Ｌが封入されてい
る。

【００３７】なお、図４には示されていないが、素子基
板７ａおよび対向基板７ｂには必要に応じて上記以外の
各種の光学要素が設けられる。例えば、液晶Ｌの配向を
揃えるための配向膜が各基板の内面に設けられる。これ
らの配向膜は、例えば、ポリイミド溶液を塗布した後に
焼成することによって形成される。このポリイミドのポ
リマー主鎖がラビング処理によって所定の方向へ延伸さ
れ、基板間に封入された液晶Ｌ内の液晶分子が配向膜の
延伸方向に沿って方向配位する。また、カラー表示を行
う場合には、対向基板７ｂに対して、画素電極６６と対
向する領域に、Ｒ（レッド）、Ｇ（グリーン）、Ｂ（ブ
ルー）のカラーフィルタ（図示せず）が所定の配列で形
成され、画素電極６６に対向しない領域にはブラックマ
トリクス（図示せず）が形成される。さらに、カラーフ
ィルタおよびブラックマトリクスを形成した表面には、
その平坦化および保護のために平坦化層がコーティング
され、この平坦化層の表面にデータ線５２が形成され
る。

【００３８】図３において、素子基板７ａの張出し部分
には複数の端子１３ａが形成され、これらの端子は、素
子基板７ａの表面に画素電極６６を形成する際に同時に
形成される。また、対向基板７ｂの張出し部分にも複数
の端子１３ｂが形成され、これらの端子は、対向基板７
ｂの表面にデータ線５２を形成する際に同時に形成され
る。ＦＰＣ３ｂの端部には複数の端子２２が設けられ、
ＡＣＦ等を用いてそれらの端子が対向基板７ｂの端子１
３ｂに導電接続されている。また、ＦＰＣ３ｂの他の端
部に形成された複数の端子２３は、制御基板５の端子
（図示せず）に接続されている。ＦＰＣ３ａでは、裏面
側端部に複数のパネル側端子１４が形成され、その反対
側の端部においてその表面側には複数の制御基板側端子
１６が形成されている。ここで、ＦＰＣ３ａの表面には
配線パターン１８が適宜、形成され、この配線パターン
１８は、一方の端部で制御基板側端子１６に直接に接続
し、他方の端部がスルーホール１９を介してパネル端子
１４に接続している。

【００３９】導光体４の液晶パネル２側の表面には、拡
散板２７が貼着等によって装着され、導光体４の液晶パ
ネル２と反対側の表面には、反射板２８が貼着等によっ
て装着される。また、導光体４の１つの側面に設定され
た光取込み面４ａに対向して発光手段としての複数のＬ
ＥＤ（Light Emitting Diode）２１がＬＥＤ基板３８に
支持されて配置されている。

【００４０】図４に示すように、導光体４は、ゴム、プ
ラスチック等によって形成された緩衝材３２を挟んで液
晶パネル２の裏面側に取り付けられる。また、制御基板
５は導光体４の反射板２８が装着された面に対向して配
設される。なお、制御基板５の端部には、外部回路との
接続をとるための端子３３が形成される。

【００４１】このように構成した液晶装置１において、
ＬＥＤ２１が発光すると、その光が導光体４へ導入さ
れ、その導入された光が反射板２８で反射して液晶パネ
ル２の方向へ進行し、拡散板２７によって平面内で一様
な強度となるように拡散された状態で液晶パネル２へ供
給される。供給された光は導光体側の偏光板１２ａを通
過した成分が液晶層へ供給され、さらに画素電極６６と
データ線５２との間に印加される電圧の変化に応じて画
素毎に配向が制御された液晶によって画素毎に変調さ
れ、さらにその変調光を表示側の偏光板１２ｂに通すこ
とにより、外部に像を表示する。

【００４２】［液晶装置の製造方法］図５は、本形態の
液晶装置１の製造方法の一例を示す工程図である。図６
は、液晶パネル２を構成する１対の基板を製造するのに
用いた元基板を模式的に示す斜視図である。図７は、素
子基板形成工程を示す工程断面図である。図８は、素子
基板形成用の元基板に対するシール材印刷工程、および
対向基板形成用の元基板に対するラビング工程までを終
えた状態を模式的に示す斜視図である。図９は、素子基
板形成用の元基板と、対向基板形成用の元基板とを貼り
合わせて空のパネルを構成した状態を模式的に示す平面
図である。図１０（ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、空のパネ
ルを１次切断工程により短冊状に切断した状態を示す説
明図、およびこの短冊状のパネルに液晶を注入した後、
その注入口を封止材で封止した状態を示す説明図であ
る。

【００４３】本形態において、液晶装置１および液晶パ
ネル２を製造するにあたっては、図５に示す能動素子形
成工程Ｐ１〜シール材印刷工程Ｐ５からなる素子基板形
成工程と、カラーフィルタ形成工程Ｐ６〜ラビング処理
工程Ｐ１０からなる対向基板形成工程とは別々に行われ
る。

【００４４】まず、素子基板形成工程（能動素子形成工
程Ｐ１〜シール材印刷工程Ｐ５）において、図６に示す
ような大面積の元基板２４ａを準備する。この元基板２
４ａは、例えば、ガラス、プラスチック等といった透光
性材料によって形成されている。ここで、元基板２４ａ
は、後々、一点鎖線で示す仮想の１次切断予定線Ｌ１
１、および二点鎖線で示す仮想の二次切断予定線Ｌ１２
に沿って切断されて素子基板７ａが複数個取りされ、そ
の周辺領域７ｃは、廃棄される。

【００４５】本形態では、この元基板２４ａに対して、
まず、能動素子形成工程Ｐ１を行うことにより、液晶パ
ネル複数枚分の配線５１およびＴＦＤ素子５６を形成す
る。図６では、便宜上、元基板２４ａの表面に液晶パネ
ル６枚分のパターンが形成されている様子を示してある
が、実際の工程では、より多数の液晶パネル分のパター
ンが元基板２４ａ上に形成される。

【００４６】能動素子形成工程Ｐ１は、例えば、図７に
示すように行われる。すなわち、下地層形成工程（ａ）
において、元基板２４ａの表面にＴａ酸化物、例えば、
Ｔａ ₂Ｏ₅を一様な厚さに成膜して下地層６１を形成す
る。

【００４７】次に、第１金属層形成工程（ｂ）におい
て、例えば、Ｔａをスパッタリング等によって一様な厚
さで成膜し、さらにフォトリソグラフィ技術を用いて走
査線５１の第１層、および第１金属層６２などを同時に
形成する。このとき、走査線５１の第１層と第１金属層
６２とはブリッジ部（図示せず）で繋がっている。

【００４８】次に、絶縁層形成工程（ｃ）において、走
査線５１の第１層を陽極端子として陽極酸化処理を行
い、その走査線５１および第１金属層５２の表面に絶縁
膜６３として作用する陽極酸化膜を一様な厚さで形成す
る。これにより、走査線５１の表面に絶縁層（第２層）
が形成されるとともに、第１ＴＦＤ素子５６ａおよび第
２ＴＦＤ素子５６ｂの絶縁層６３が形成される。なお、
絶縁層形成工程（ｃ）を行うにあたって、走査線５１
は、図８および図１３（ａ）を参照して後述するよう
に、周辺領域７ｃに形成された給電パターン５９に対し
て、２次切断予定線Ｌ１２に沿って形成された中継パタ
ーン５５を介して接続されており、給電パターン５９か
ら各走査線５１に対して電圧供給が行われる。

【００４９】次に、ブリッジ部除去工程（ｄ）において
は、例えば、ドライエッチングによりブリッジ部を元基
板２４ａから除去する。これにより、第１ＴＦＤ素子５
６ａおよび第２ＴＦＤ素子５６ｂの第１金属層６２およ
び絶縁層６３が走査線５１から島状に分断される。

【００５０】次に、第２金属層形成工程（ｅ）におい
て、Ｃｒをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜
した後、フォトリソグラフィ技術を利用して、走査線５
１の第３層、第１ＴＦＤ素子５６ａの第２金属層６４
ａ、および第２ＴＦＤ素子５６ｂの第２金属層６４ｂを
形成する。以上により、能動素子であるＴＦＤ素子５６
が元基板２４ａの表面に液晶パネルの枚数分だけ形成さ
れる。

【００５１】次に、図５の画素電極形成工程Ｐ２が行わ
れる。具体的には、まず、図７の下地層形成工程（ｆ）
において、画素電極６６に相当する領域の下地層６１を
除去して元基板２４ａを露出させた後、電極工程（ｇ）
において、画素電極６６を形成するためのＩＴＯをスパ
ッタリング等によって一様な厚さで成膜し、さらに、フ
ォトリソグラフィ技術により、１画素分の大きさに相当
する所定形状の画素電極６６をその一部が第２金属層６
４ｂ重なるように形成する。これらの一連の工程によ
り、図２に示すＴＦＤ素子５６および画素電極６６が形
成される。この状態における元基板７ａの様子は、図８
に示すとおりである。

【００５２】しかる後には、図５の配向膜工程Ｐ３にお
いて、元基板２４ａの表面にポリイミド、ポリビニルア
ルコール等を一様な厚さに形成することによって配向膜
を形成した後、ラビング処理工程Ｐ４において、配向膜
に対してラビング処理その他の配向処理を行う。

【００５３】次に、シール材印刷工程Ｐ５において、図
８に示すように、ディスペンサーやスクリーン印刷等に
よってシール材６を環状に塗布する。なお、シール材６
の一部分には、液晶の注入口６ａが形成される。

【００５４】以上の素子基板形成工程とは別に、対向基
板形成工程（カラーフィルタ形成工程Ｐ６〜ラビング処
理工程Ｐ１０）を行う。それには、まず、図６におい
て、例えば、ガラス、プラスチック等といった透光性材
料によって形成された大面積の大型基板２４ｂを用意し
た後、カラーフィルタ形成工程Ｐ６において、元基板２
４ｂの表面上に液晶パネルの枚数分、カラーフィルタを
形成する。

【００５５】この元基板２４ｂは、後々、一点鎖線で示
す仮想の１次切断予定線Ｌ２１、および二点鎖線で示す
仮想の二次切断予定線Ｌ２２に沿って切断されて対向基
板７ｂが複数個取りされる。なお、図６では、便宜上、
元基板２４ｂの表面に液晶装置６個分が表されている
が、実際の工程では、より多数の液晶装置分が形成され
る。ここで、カラー表示が必要でない場合には、カラー
フィルタを形成する必要はない。

【００５６】次に、平坦化層形成工程Ｐ７において、カ
ラーフィルタの上に平坦化層（図示せず）を一様な厚さ
に形成して表面を平坦化する。

【００５７】次に、対向電極形成工程Ｐ８において、Ｉ
ＴＯ膜等によりストライプ状の対向電極、すなわち、デ
ータ線５２を形成する。

【００５８】次に、配向膜形成工程Ｐ９において、デー
タ線５２等の上にポリイミド等によって一様な厚さの配
向膜を形成した後、ラビング処理工程Ｐ１０において、
配向膜に対してラビング処理等といった配向処理を施
す。これにより対向基板側の元基板２４ｂが完成する。

【００５９】その後、図８および図９に示すように、素
子基板形成用の元基板２４ａと対向基板形成用の元基板
２４ｂとを位置合わせした上でシール材６を間に挟ん
で、元基板２４ａ、２４ｂ同士を貼り合わせ（貼り合わ
せ工程Ｐ１１）、さらに紫外線硬化、熱硬化又はその他
の方法でシール材６を硬化させる（シール材硬化工程Ｐ
１２）。これにより、液晶装置複数個分を含んでいる空
のパネル構造体２ａが形成される。

【００６０】その後、空のパネル構造体２ａに対して、
図６を参照して説明した第１の切断予定線Ｌ１１、Ｌ２
１に沿って切断溝を形成し、さらに切断溝を基準にパネ
ル構造体２ａを、図１０（ａ）に示すような、短冊状の
パネル構造体２ｂに切断する（１次切断工程Ｐ１３）。
この短冊状のパネル構造体２ｂにおいて、元基板２４
ａ、２４ｂに対する切断箇所では、シール材６の途切れ
部分からなる液晶注入口６ａが外部に開口している。

【００６１】次に、露出した液晶注入口６ａからパネル
構造体２ｂの内側に液晶を減圧注入した後（液晶注入工
程Ｐ１４）、図１０（ｂ）に示すように、各液晶注入口
６ａに対して樹脂等の封止材６０を塗布して、各液晶注
入口６ａを封止する（注入口封止工程Ｐ１５）。なお、
この工程により、パネル構造体２ｂに液晶が付着するの
で、液晶を注入し終えたパネル構造体２ｂは洗浄処理を
受ける（洗浄工程Ｐ１６）。

【００６２】その後、パネル構造体２ｂに対しては、図
６を参照して説明した第２の切断予定線Ｌ１２、Ｌ２２
に沿って切断溝を形成した後、この切断溝に沿って短冊
状のパネル構造体２ｂにおいて元基板２４ａ、２４ｂを
切断することにより、複数個の液晶パネル２が切り出さ
れる（２次切断工程Ｐ１７）。

【００６３】しかる後に、液晶パネル２に液晶駆動用Ｉ
Ｃ８ａ、８ｂ、制御基板５などを実装し、さらにＦＰＣ
３ａ、３ｂを接続することにより、液晶装置１が完成す
る（実装工程Ｐ１８）。

【００６４】（本形態の特徴点）図１１（ａ）、（ｂ）
はそれぞれ、図８の丸Ａで囲んだ領域を拡大して示す平
面図、およびこの部分で元基板を精度よく切断したとき
の様子を示す説明図であり、図１１（ｃ）、（ｄ）はい
ずれも、元基板を切断したときの精度が低かったときの
様子を示す説明図である。図１２は、本発明を適用した
液晶装置の製造方法において、短冊状のパネルに対して
液晶を注入した後、液晶注入口を封止材で封止した様子
を示す説明図である。図１３（ａ）、（ｂ）はそれぞ
れ、図８の丸Ｂで囲んだ領域を拡大して示す平面図、お
よびこの部分で元基板を精度よく切断したときの様子を
示す説明図であり、図１３（ｃ）、（ｄ）はいずれも、
元基板を切断したときの精度が低かったときの様子を示
す説明図である。図１４（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図
８の丸Ｃで囲んだ領域を拡大して示す平面図、およびこ
の部分で元基板を精度よく切断したときの様子を示す説
明図であり、図１４（ｃ）、（ｄ）はいずれも、元基板
を切断したときの精度が低かったときの様子を示す説明
図である。

【００６５】本発明に係る液晶装置１の製造方法におい
て、貼り合わせ工程Ｐ１１を行う直前の元基板２４ａ
は、図８に示すように構成され、この図８において、元
基板２４ａの丸Ａで囲んだ領域では、図１１（ａ）に示
すように、１次切断予定線Ｌ１１に沿って、１次切断予
定線Ｌ１１に所定幅をもって重なる矩形のべたのマーク
１００が形成されている。このマーク１００は、１次切
断工程Ｐ１３を行う以前に実施される能動素子形成工程
Ｐ１において、第１金属層形成工程（ｂ）で第１金属層
５２と同時形成されるＴａ膜、第２金属層形成工程
（ｅ）で第２金属層６４ａ、６４ｂと同時形成されたＣ
ｒ膜、あるいはこれらの膜を積層した多層膜である。

【００６６】ここで、マーク１００は、シール材６の途
切れ部分からなる液晶注入口６ａの両側２箇所に形成さ
れている。

【００６７】このように構成した素子基板形成用の元基
板２４ａに対して対向基板形成用の元基板２４ｂを貼り
合わせてパネル構造体２ａを構成した後、１次切断工程
Ｐ１３において、パネル構造体２ａを１次切断予定線Ｌ
１１、２１に沿って切断するとき、マーク１００の幅方
向の中央を通るように切断溝を形成してパネル構造体２
ａを切断する。ここで、マーク１００の幅寸法Ｗ１につ
いては、この切断箇所の公差に対応した幅寸法にしてあ
る。

【００６８】従って、パネル構造体２ａを短冊状のパネ
ル構造体２ｂに切断したとき、切断箇所の両側にマーク
１００の一部が各々残っているか否かを確認すれば、切
断が公差をクリアする精度で行われていたか否かを容易
に検査できる。すなわち、切断が精度よく行われていれ
ば、図１１（ｂ）に示すように、切断箇所の両側にマー
ク１００の一部が各々残るのに対して、切断時の精度が
悪ければ、図１１（ｃ）、（ｄ）に示すように、切断箇
所の一方にのみマーク１００が残り、他方にマーク１０
０が残らない。

【００６９】このような１次切断工程Ｐ１３を終えた
後、短冊状のパネル構造体２ｂでは、１０（ａ）および
図１１（ｂ）に示すように、その切断箇所で液晶注入口
６ａが開口し、液晶注入口６ａの両側２箇所にマーク１
００の一部が残っている。

【００７０】そこで、液晶注入工程Ｐ１４においては、
短冊状のパネル構造体３ｂの状態で液晶注入口６ａから
液晶を注入した後、封止工程Ｐ１５においては、マーク
１００を基準にして、液晶注入口６ａに封止材６０を塗
布する。すなわち、図１２に示すように、液晶注入口６
ａの両側に位置するマーク１００の端部に封止材６０が
かからないように、即ち、液晶注入口６ａの両側に位置
するマーク１００の端部からはみ出さないように封止材
６０を塗布し、しかる後に、封止材６０を硬化させる。
それ故、液晶注入口６ａを確実に封止できるとともに、
封止材６０を塗布しすぎることもない。

【００７１】また、本形態において、マーク１００は、
図７を参照して説明した素子基板形成工程において、第
１金属層形成工程（ｂ）で第１金属層５２と同時形成さ
れたＴａ膜、あるいは、第２金属層形成工程（ｅ）で第
２金属層６４ａ、６４ｂと同時形成されたＣｒ膜であ
り、このような膜については、ＴＦＤ素子５６を形成す
る過程でフォトリソグラフィ技術を用いたパターニング
により形成できるので、マーク１００を形成するといっ
ても新たな工程を追加する必要がない。さらに、このよ
うなＴａ膜やＣｒ膜であれば、下地である基板から目立
つので、これを基準にして１次切断工程Ｐ１３に対する
検査、あるいはマーク１００を基準にしての封止材６０
の塗布を行うのが容易である。

【００７２】また、本形態では、その他の切断箇所にお
いても、切断精度を容易に検査できるような構成が採用
されている。

【００７３】まず、図８において丸Ｂで囲った領域で
は、図１３に示すように、各走査線５１の端部は、走査
線５１に一対一で対応する中継パターン５５を介して給
電パターン５９に接続しており、この中継パターン５５
を横切るように２次切断予定線Ｌ１２が通っている。従
って、元基板２４ａにおいて、走査線５１の端部と給電
パターン５９とは、２次切断予定線Ｌ１２を挟んだ両側
に第１のパターン２０１と第２のパターン２０２として
所定の距離を隔てて対向し、かつ、第１のパターン２０
１と第２のパターン２０２との間において、中継パター
ン５５は、第１のパターン２０１および第２のパターン
２０２と幅寸法、形状、色および形成位置などといった
形態の異なる境界パターン２０３として形成されてい
る。また、境界パターン２０３が形成されている領域の
幅寸法Ｗ２は、この切断箇所での公差に対応する寸法に
なっている。

【００７４】それ故、２次切断工程Ｐ１７において、短
冊状のパネル構造体２ｂに対して２次切断予定線Ｌ１２
に沿って元基板２４ａを切断するとき、切断箇所の両側
に境界パターン２０３（中継パターン５５）の一部が残
るように元基板２４ａを切断した後、切断箇所の両側に
境界パターン２０３の一部が各々残っているか否かを確
認すれば、元基板２４ａに対する切断が公差をクリアす
る精度で行われていたか否かを容易に検査できる。すな
わち、切断が精度よく行われていれば、図１３（ｂ）に
示すように、切断箇所の両側に境界パターンの一部が各
々残るのに対して、切断時の精度が悪ければ、図１３
（ｃ）、（ｄ）に示すように、切断箇所の一方にのみ境
界パターン２０３が残り、他方に境界パターン２０３が
残らない。

【００７５】ここで、走査線５１の端部からなる第１の
パターン２０１、給電パターン５９からなる第２のパタ
ーン２０２、および中継パターン５５からなる境界パタ
ーン２０３は、１次切断工程Ｐ１３および２次切断工程
Ｐ１７を行う以前に実施される能動素子形成工程Ｐ１に
おいて、第１金属層形成工程（ｂ）で第１金属層５２と
同時形成されるＴａ膜、あるいは、陽極酸化処理後、こ
のＴａ膜の表面に対して第２金属層形成工程（ｅ）で第
２金属層６４ａ、６４ｂと同時形成されたＣｒ膜が積層
された多層膜であり、このような膜は、ＴＦＤ素子５６
を形成する過程でフォトリソグラフィ技術を用いたパタ
ーニングにより形成される。それ故、切断検査用の境界
パターン２０３などを形成するといっても新たな工程を
追加する必要がない。さらに、このようなＴａ膜やＣｒ
膜であれば、下地である基板から目立つので、これを基
準にして２次切断工程Ｐ１７に対する検査を容易に行う
ことができる。

【００７６】さらに、本形態において、図８において丸
Ｃで囲った領域では、図１４（ａ）に示すように、端子
１３ａからなる第１のパターン３０１と、周辺領域に形
成された第２のパターン３０２とが、２次切断予定線Ｌ
１２を挟んだ両側に所定の距離を隔てて対向し、かつ、
第１のパターン３０１と第２のパターン３０２との間に
は、これらのパターン３０１、３０２と幅寸法の異なる
境界パターン３０３が形成されている。ここで、境界パ
ターン３０３が形成されている領域の幅寸法Ｗ３は、２
次切断予定線Ｌ１２で元基板２４ａを切断するときの公
差に対応する寸法になっている。

【００７７】従って、２次切断工程Ｐ１３において、短
冊状のパネル構造体２ｂを２次切断予定線Ｌ１２に沿っ
て切断するときは、切断箇所の両側に境界パターン３０
３の一部が残るように元基板２４ａを切断し、しかる後
に、切断箇所の両側に境界パターン３０３の一部が各々
残っているか否かを確認すれば、元基板２４ａに対する
切断が公差をクリアする精度で行われていたか否かを容
易に検査できる。すなわち、切断が精度よく行われてい
れば、図１４（ｂ）に示すように、切断箇所の両側に境
界パターン３０３の一部が各々残るのに対して、切断時
の精度が悪ければ、図１４（ｃ）、（ｄ）に示すよう
に、切断箇所の一方にのみ境界パターン３０３が残り、
他方に境界パターン３０３が残らない。

【００７８】ここで、端子１３ａからなる第１のパター
ン３０１、第２のパターン３０２、および境界パターン
３０３は、１次切断工程Ｐ１３および２次切断工程Ｐ１
７を行う以前に実施される能動素子形成工程Ｐ１におい
て、第１金属層形成工程（ｂ）で第１金属層５２と同時
形成されるＴａ膜、第２金属層形成工程（ｅ）で第２金
属層６４ａ、６４ｂと同時形成されたＣｒ膜、あるいは
これらの膜を積層した多層膜であり、このような膜は、
ＴＦＤ素子５６を形成する過程でフォトリソグラフィ技
術を用いたパターニングにより形成できる。それ故、切
断検査用の境界パターン３０３を形成するといっても新
たな工程を追加する必要がない。さらに、このようなＴ
ａ膜やＣｒ膜であれば、下地である基板から目立つの
で、これを基準にして二次切断工程Ｐ１７に対する検査
を容易に行うことができる。

【００７９】［その他の実施の形態］図１５（ａ）、
（ｂ）はそれぞれ、図１３あるいは図１４に示す構成に
代えて採用することのできる切断予定線付近の構成を示
す平面図、および説明図である。図１６は、図１３ある
いは図１４に示す構成に代えて採用することのできる切
断予定線付近の別の構成を示す平面図である。図１７
は、図１３あるいは図１４に示す構成に代えて採用する
ことのできる切断予定線付近のさらに別の構成を示す平
面図である。

【００８０】図１５（ａ）、（ｂ）に示すように、元基
板２４ａにおいて、端子１３ａは、Ｔａ膜とＣｒ膜の２
層構造として形成される場合が多いので、例えば、第１
のパターン４０１および第２のパターン４０２について
は、Ｔａ膜とＣｒ膜の２層構造とし、境界パターン４０
３については、Ｔａ膜のみから構成してもよい。このよ
うに構成した場合、Ｃｒ膜とＴａ膜とは、色相が異なる
ので、これらのパターン４０１、４０２、４０３の形状
が同一でも、切断箇所の両側に境界パターン４０３の一
部が各々残っているか否かを確認することが可能であ
る。

【００８１】また、図１６に示すように、元基板２４ａ
に対して、給電パターン５９などを形成するときに、こ
のパターンを、所定幅をもって二次切断予定線Ｌ１２を
跨ぐ境界パターン５０３として形成しておくとともに、
切断工程では、切断箇所の両側に境界パターン５０３の
一部が残るように元基板２４ａを二次切断予定線Ｌ１２
に沿って切断してもよい。

【００８２】この際に、境界パターン４０３が形成され
ている領域の幅寸法Ｗ５を、この部分を切断するときの
公差に対応する寸法としておく。従って、二次切断予定
線Ｌ１２に沿って元基板２４ａを切断したとき、切断箇
所の両側で境界パターンの一部が各々残っているか否か
を確認すれば、元基板２４ａに対する切断が精度よく行
われていたか否かを容易に検査できる。すなわち、切断
が精度よく行われていれば、切断箇所の両側に境界パタ
ーン５０３の一部が残るのに対して、切断時の精度が悪
ければ、切断箇所の一方にのみ境界パターン５０３が残
り、他方に境界パターン５０３が残らないからである。
このようなパターンについても、元基板２４ａに形成さ
れた配線または電気素子を形成する薄膜、例えば、Ｔａ
膜またはＣｒ膜と同時形成することができる。

【００８３】さらに、図１７に示すように、元基板２４
ａに対して、２次切断予定線Ｌ１２を挟んだ両側に所定
の距離を隔てて対向する第１のパターン６０１および第
２のパターン６０２を形成しておき、切断工程Ｐ１７で
は、切断箇所の両側で前記第１のパターン３０１および
第２のパターン３０２が欠けないように元基板２４ａを
２次切断予定線Ｌ１２に沿って切断してもよい。

【００８４】このような構成は、例えば、図１３（ａ）
を参照して説明した構成において、陽極酸化処理が終っ
た後、切断工程を行う前に、中継パターン５５を除去し
ておき、切断工程で発生した静電気が中継パターン５５
を介して基板内に侵入するような場合に相当する。

【００８５】このような構成においては、第１のパター
ン６０１と第２のパターン６０２とを元基板２４ａを切
断するときの公差に対応する距離Ｗ６を隔てて形成す
る。従って、二次切断予定線Ｌ１２に沿って元基板２４
ａを切断したとき、切断箇所の両側で第１のパターン６
０１および第２のパターン６０２が欠けることなく残っ
ているか否かを確認すれば、元基板２４ａに対する切断
が精度よく行われていたか否かを容易に検査できる。す
なわち、切断が精度よく行われていれば、切断箇所の両
側に第１のパターン６０１および第２のパターン６０２
が欠けずに残るのに対して、切断時の精度が悪ければ、
切断箇所の一方で第１のパターン６０１あるいは第２の
パターン６０２が欠けてしまうからである。

【００８６】なお、上記実施形態では、能動素子として
ＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装
置１を例に説明したが、能動素子として薄膜トランジス
タを用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置、ある
いはその他の電気光学装置に本発明を適用してもよいな
ど、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変で
きる。

【００８７】（電子機器の実施形態）図１８は、本発明
に係る液晶装置を各種の電子機器の表示装置として用い
る場合の一実施形態を示している。ここに示す電子機器
は、表示情報出力源７０、表示情報処理回路７１、電源
回路７２、タイミングジェネレータ７３、そして液晶装
置７４を有する。また、液晶装置７４は、液晶表示パネ
ル７５及び駆動回路７６を有する。液晶装置７４および
液晶パネル７５としては、前述した液晶装置１および液
晶パネル２を用いることができる。

【００８８】表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Read Onl
y Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等といっ
たメモリ、各種ディスク等といったストレージユニッ
ト、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備
え、タイミングジェネレータ７３によって生成された各
種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像
信号等といった表示情報を表示情報処理回路７１に供給
する。

【００８９】表示情報処理回路７１は、シリアル−パラ
レル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回
路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各
種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ
供給する。駆動回路７６は、図１における走査線駆動回
路５７やデータ線駆動回路５８、検査回路等を総称した
ものである。また、電源回路７２は、各構成要素に所定
の電圧を供給する。

【００９０】図１９は、本発明に係る電子機器の一実施
形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示し
ている。ここに示すパーソナルコンピュータは、キーボ
ード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット８３
とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した液晶装
置１を含んで構成される。

【００９１】図２０は、本発明に係る電子機器の他の実
施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯
電話機９０は、複数の操作ボタン９１と液晶装置１を有
している。

【００９２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、元基
板を切断するときの公差に対応する幅のマークを元基板
に形成しておくので、切断予定線に沿って、元基板を切
断したとき、切断箇所の両側にマークの一部が各々残っ
ているか否かを確認すれば、切断が精度よく行われてい
たか否かを容易に検査できる。すなわち、切断が精度よ
く行われていれば、切断箇所の両側にマークの一部が各
々残るのに対して、切断時の精度が悪ければ、切断箇所
の一方にのみマークが残り、他方にマークが残らないか
らである。また、第１の基板と第２の基板とを貼り合わ
せた空パネルにおいて、基板に対して電気光学物質を注
入するための注入口は、元基板に対する切断箇所で開口
しているので、切断工程の良否を検査するのに用いたマ
ークを、元基板に対する切断箇所のうち、注入口に塗布
する封止材の塗布範囲を示す位置に形成しておけば、マ
ークを基準に封止材を塗布できる。それ故、封止材の塗
布量の多寡に起因する不具合の発生を回避できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した液晶装置の電気的構成を模式
的に示すブロック図である。

【図２】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、本発明を適用した
液晶装置の液晶パネルにおいて液晶層を挟持する１対の
基板のうち、素子基板における１画素分の平面図、およ
び図２（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。

【図３】本発明を適用した液晶装置の分解斜視図であ
る。

【図４】本発明を適用した液晶装置の断面図である。

【図５】本発明を適用した液晶装置の製造方法の一例を
示す工程図である。

【図６】本発明を適用した液晶装置の液晶パネルを構成
する１対の基板を製造するのに用いた元基板の説明図で
ある。

【図７】本発明を適用した液晶装置の製造工程のうち、
素子基板形成工程を示す工程断面図である。

【図８】本発明を適用した液晶装置の製造方法におい
て、工程素子基板形成用の元基板に対するシール材印刷
工程、および対向基板形成用の元基板に対するラビング
工程までを終えた状態を模式的に示す斜視図である。

【図９】本発明を適用した液晶装置の製造方法におい
て、素子基板形成用の元基板と、対向基板形成用の元基
板とを貼り合わせて空のパネルを構成した状態を模式的
に示す平面図である。

【図１０】（ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図９に示す空の
パネルを１次切断工程により短冊状に切断した状態を示
す説明図、およびこの短冊状のパネルに液晶を注入した
後、その注入口を封止材で封止した状態を示す説明図で
ある。

【図１１】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図８の丸Ａで囲
んだ領域を拡大して示す平面図、およびこの部分で元基
板を精度よく切断したときの様子を示す説明図であり、
（ｃ）、（ｄ）はいずれも、元基板を切断したときの精
度が低かったときの様子を示す説明図である。

【図１２】本発明を適用した液晶装置の製造方法におい
て、短冊状のパネルに対して液晶を注入した後、液晶注
入口を封止材で封止した様子を示す説明図である。

【図１３】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図８の丸Ｂで囲
んだ領域を拡大して示す平面図、およびこの部分で元基
板を精度よく切断したときの様子を示す説明図であり、
（ｃ）、（ｄ）はいずれも、元基板を切断したときの精
度が低かったときの様子を示す説明図である。

【図１４】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図８の丸Ｃで囲
んだ領域を拡大して示す平面図、およびこの部分で元基
板を精度よく切断したときの様子を示す説明図であり、
（ｃ）、（ｄ）はいずれも、元基板を切断したときの精
度が低かったときの様子を示す説明図である。

【図１５】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図１３あるいは
図１４に示す構成に代えて採用することのできる切断予
定線付近の構成を示す平面図、および説明図である。

【図１６】図１３あるいは図１４に示す構成に代えて採
用することのできる切断予定線付近の別の構成を示す平
面図である。

【図１７】図１３あるいは図１４に示す構成に代えて採
用することのできる切断予定線付近のさらに別の構成を
示す平面図である。

【図１８】本発明に係る液晶装置を用いた各種電子機器
の構成を示すブロック図である。

【図１９】本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一
実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータ
を示す説明図である。

【図２０】本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一
実施形態としての携帯電話機の説明図である。

【符号の説明】

１ 液晶装置（電気光学装置） ２ 液晶パネル ２ａ 大型のパネル構造体 ２ｂ 短冊状のパネル構造体 ６ シール材 ６ａ 液晶注入口 ７ａ 素子基板 ７ｂ 対向基板 ８ａ、８ｂ 液晶駆動用ＩＣ １２ａ、１２ｂ 偏光板 １７ａ 素子基板を構成する基板 １７ｂ 対向基板を構成する基板 ２４ａ 素子基板形成用の元基板 ２４ｂ 対向基板形成用の元基板 ５１ 走査線 ５２ データ線 ５３ 画素 ５４ 液晶層 ５５ 中継パターン ５６ ＴＦＤ素子 ５７ 走査線駆動回路 ５８ データ線駆動回路 ５９ 給電パターン ６０ 封止材 ６１ 下地層 ６２ 第１金属層 ６３ 絶縁層 ６４ａ、６４ｂ 第２金属層 ６６ 画素電極 １００ マーク ２０１、３０１、４０１、６０１ 第１のパターン ２０２、３０２、４０２、６０２ 第２のパターン ２０３、３０３、４０３ 境界パターン Ｌ１１、Ｌ２１ １次切断予定線 Ｌ１２、Ｌ２２ ２次切断予定線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/00 ３５２ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３５２ Ｈ０１Ｌ 49/02 Ｈ０１Ｌ 49/02 Ｆターム(参考） 2H089 LA22 LA24 NA24 QA16 TA12 2H090 JB02 JB03 JC11 JC13 LA15 MB01 2H092 GA50 JA01 JB22 MA05 MA13 MA19 MA24 NA25 PA08 5G435 AA17 BB12 CC09 EE32 EE36 EE37 EE40 KK03 KK05 KK10

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の基板を形成するための元基板を切
   断予定線に沿って切断する切断工程と、前記第１の基板
   に第２の基板を貼り合わせた空パネルにおいて前記元基
   板に対する切断箇所で開口する注入口を介して基板間に
   電気光学物質を注入する注入工程と、前記注入口に封止
   材を塗布して当該注入口を封止する封止工程とを有する
   電気光学装置の製造方法において、 前記元基板のうち、前記切断予定線に重なり、かつ、前
   記封止材の塗布範囲を指示する位置に所定幅のマークを
   形成する工程を具備し、 前記切断工程では、切断箇所の両側に前記マークの一部
   が各々残るように前記切断予定線に沿って前記元基板を
   切断し、 前記封止工程では、前記マークを基準に前記封止材を所
   定の範囲に塗布することを特徴とする電気光学装置の製
   造方法。
2. 【請求項２】 請求項１において、前記マークは、前記
   注入口を挟む両側２箇所に各々形成され、前記封止工程
   では、前記注入口の両側２箇所に形成された前記マーク
   の前記注入口側の端部に重ならない範囲に前記封止材を
   塗布することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１または２において、前記マーク
   を、前記元基板に形成される配線あるいは電気素子を構
   成する薄膜と同時形成することを特徴とする電気光学装
   置の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１または２において、前記マーク
   をＴａ膜またはＣｒ膜から形成することを特徴とする電
   気光学装置の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかにおいて、
   前記元基板に対して、前記切断予定線を挟んだ両側に所
   定の距離を隔てて対向する第１のパターンと第２のパタ
   ーンとを形成するとともに、前記第１のパターンと前記
   第２のパターンとの間には、これらのパターンと形態の
   異なる境界パターンを形成する工程を具備し、 前記切断工程では、切断箇所の両側に前記境界パターン
   の一部が残るように前記元基板を前記切断予定線に沿っ
   て切断することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項５において、前記第１のパターン
   を、前記第１の基板として切り出される基板形成領域に
   形成される複数の配線の端部として形成する一方、前記
   第２のパターンを、前記基板形成領域から切り離される
   周辺領域に給電パターンとして形成し、前記境界パター
   ンを、前記第１のパターンの各々を前記第２のパターン
   に電気的に接続する中継パターンとして形成し、 前記切断工程を行う前に、前記第２のパターンから前記
   境界パターンを経て前記第１のパターンに給電して、前
   記第１のパターンあるいは該第１のパターンに電気的に
   接続する導電膜に対して陽極酸化処理を行うことを特徴
   とする電気光学装置の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項６において、前記陽極酸化処理
   は、前記導電膜、および該導電膜の表面に形成された絶
   縁膜を用いて電気素子を形成するための陽極酸化処理で
   あることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項７において、前記電気素子は、画
   素スイッチング用のＴＦＤ素子であることを特徴とする
   電気光学装置の製造方法。
9. 【請求項９】 請求項１ないし４のいずれかにおいて、
   前記元基板に対して、所定幅をもって前記切断予定線を
   跨ぐパターンを形成する工程を具備し、 前記切断工程では、切断箇所の両側に前記パターンの一
   部が残るように前記元基板を前記切断予定線に沿って切
   断することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 請求項１ないし４のいずれかおいて、
    前記元基板に対して、前記切断予定線を挟んだ両側に所
    定の距離を隔てて対向する第１のパターンおよび第２の
    パターンを形成する工程を具備し、 前記切断工程では、切断箇所の両側で前記第１のパター
    ンおよび第２のパターンが欠けないように前記元基板を
    前記切断予定線に沿って切断することを特徴とする電気
    光学装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 請求項５ないし１０のいずれかにおい
    て、前記パターンの各々を、前記元基板に形成された配
    線あるいは電気素子を形成する薄膜と同時形成すること
    を特徴とする電気光学装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 請求項５ないし１０のいずれかにおい
    て、前記パターンの各々をＴａ膜またはＣｒ膜から形成
    することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
13. 【請求項１３】 請求項１ないし１２のいずれかに規定
    する製造方法により製造したことを特徴とする電気光学
    装置。
14. 【請求項１４】 第１の基板と第２の基板とがシール材
    で貼り合わされているとともに、該シール材の途切れ部
    分からなる注入口が封止材で封止されてなる電気光学装
    置において、 前記第１の基板の縁部分には、前記封止材の塗布範囲を
    示すとともに、前記第１の基板を元基板から切り出した
    ときの切断位置を検査するためのマークが付されている
    ことを特徴とする電気光学装置。
15. 【請求項１５】 第１の基板と第２の基板とがシール材
    で貼り合わされているとともに、該シール材の途切れ部
    分からなる注入口が封止材で封止されてなる電気光学装
    置において、 前記注入口は、前記第１の基板の縁部分で開口してお
    り、 前記第１の基板の縁部分には、この縁部分に沿って前記
    注入口の両側にマークが設けられていることを特徴とす
    る電気光学装置。
16. 【請求項１６】 請求項１４または１５において、前記
    マークは、前記注入口を挟む両側２箇所に形成され、前
    記封止材は、前記注入口の両側２箇所に形成された前記
    マークの前記注入口側の端部に重ならない範囲に塗布さ
    れていることを特徴とする電気光学装置。
17. 【請求項１７】 請求項１４ないし１６のいずれかにお
    いて、前記マークは、前記第１の基板に形成された配線
    あるいは電気素子を形成する薄膜と同一の組成を有して
    いることを特徴とする電気光学装置。
18. 【請求項１８】 請求項１４ないし１６のいずれかにお
    いて、前記マークは、Ｔａ膜またはＣｒ膜から構成され
    ていることを特徴とする電気光学装置。
19. 【請求項１９】 請求項１３ないし１８のいずれかに規
    定する電気光学装置を表示部として備えていることを特
    徴とする電子機器。