JP2002173773A - ロールコーター式連続スパッタリング装置 - Google Patents
ロールコーター式連続スパッタリング装置Info
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- JP2002173773A JP2002173773A JP2000368924A JP2000368924A JP2002173773A JP 2002173773 A JP2002173773 A JP 2002173773A JP 2000368924 A JP2000368924 A JP 2000368924A JP 2000368924 A JP2000368924 A JP 2000368924A JP 2002173773 A JP2002173773 A JP 2002173773A
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Abstract
きるロールコーター式連続スパッタ装置を提供する。 【解決手段】 真空槽内に、ウェブの巻き出しおよび巻
き取りを行なう複数のロールを具備するロール室と、ス
パッタリングを行う成膜室の2室を有するロールコータ
ー式連続スパッタ装置において、前記ロール室内の巻き
出しロールからウェブが成膜室に入るまでの間に、ウェ
ブを加熱する装置およびウェブから発生する水分を吸着
する装置を配設することを特徴とするロールコーター式
連続スパッタリング装置。
Description
成するためのロールコーター式連続スパッタリング装置
に関するものである。
ブに薄膜を形成させる際、ウェブから発生する水分によ
り金属酸化物薄膜の純度が低下するという問題が知られ
ている。これは、水分中の酸素が金属ターゲットの金属
と反応することによりスパッタリングする薄膜の組成が
一部、変化するためである。また、ウェブから発生する
水分により薄膜とスパッタリング基板間の密着性が低下
するという問題も知られている。
なくするために、ロールコーター式連続スパッタリング
装置において、ロール室と成膜室を仕切りで仕切った
り、ロール室で予備加熱を行うことが従来行なわれてき
た。しかしながら、ロール室から成膜室へは冷却ロール
に接触させながらウェブを通過させる必要があるため、
ロール室と成膜室の間を完全に仕切ることはできない。
そのため、ロール室で発生した水分が成膜室に混入し、
スパッタリングにより形成させた金属酸化物薄膜の組成
が変化するという問題点を完全に解消することはできな
かった。
0−017437号公報では、成膜室内の水分分圧を低
く保つために、成膜室内に水分排気能力の高いクライオ
・パネル等水分用ポンプ、例えば、ポリコールド(商
標)のような冷却部に水分を吸着させるポンプを用いた
装置も提案されている。しかしながら、成膜室内にクラ
イオ・パネルを設ける場合、ウェブの近くにはターゲッ
トを取り付けるカソード・ボックスがあり、クライオ・
パネルをウェブから離れた位置に設置させる必要があ
る。そのため、ロール室から成膜室に混入する水分の影
響で膜純度の低下や膜品質に悪影響がおこることがあっ
た。
は、上記従来技術の有する問題点を解消し、成膜室内の
水分分圧の上昇を抑えることができるロールコーター式
連続スパッタ装置を提供することにある。
の発明により達成される。すなわち、真空槽内を走行す
るウェブをIRヒーターなどの加熱装置で加熱すること
でウェブに含まれる水分を蒸発させ、かつ、その加熱装
置周辺にクライオ・パネルなどの水分除去装置を配置す
ることでウェブから発生した水分を成膜室へ混入しない
ようする。また、強制的にウェブ内の水分を蒸発・除去
するので、成膜室内での水分発生をも防止することがで
きる。
施の一形態を説明する。第1図は、本発明の実施例にお
けるロールコーター式連続スパッタ装置を示す概略図で
ある。真空槽10の巻き出しロール4にセットされたウ
ェブ7はロール室と成膜室を仕切る仕切り8の隙間を通
って冷却ロール9上を通過し、巻き取りロール5で巻き
取られる。真空槽内の真空度は排気装置3により真空を
維持する。ターゲットが取り付けてあるカソード・ボッ
クスは冷却ロール9の半径方向下部に配置され、アルゴ
ンガス雰囲気中にて高電圧をターゲットに加えることで
ターゲット材料の一部がウェブ上にスパッタリングされ
る。
高分子フィルム7は成膜室1に入るまでの間に設けられ
た加熱装置11により加熱され、ポリコールド(商標)
を使用したクライオパネル6によりウェブから出て来た
水分を吸着させる。
発、吸着させることによりウェブから発生する水分がス
パッタ膜に混入し、スパッタ膜の純度を低下させたり、
被スパッタ面に付着してスパッタ薄膜の密着性低下など
の悪影響が無くなる。
本願発明はこれらにより限定されるものではない。
高分子被覆層を有する二軸延伸ポリエチレンテレフタレ
ート(PET)フィルム(東洋紡績(株)製、A410
0、幅:1000m、厚み:188μm)を用い、高分子
被覆層側表面にスパッタリングを行なった。
(酸化インジウム/酸化スズ=90重量%/10重量
%、三井金属鉱業(株)製)を用い、DCマグネトロン
・スパッタ法により1個のターゲットでスパッタリング
を行った。ラインスピードは1m/min、クライオ・
パネルのポンプはポリコールドを使用し、加熱装置とし
てはIRヒーターを用いフィルム表面温度を100℃に
加熱した。
置での成膜室内の水分分圧の経時変化を図2に示した。
本発明のスパッタ装置は従来のスパッタ装置と比べ、成
膜室内の水分分圧の上昇を抑制できることが分かる。
ター式連続スパッタリング装置は、ウェブ(スパッタ基
板)が成膜室に入る前に基板を加熱する装置、および蒸
発した水分を吸着するクライオ・パネルなどの水分吸着
装置を配設しているため、成膜室内の水分分圧の上昇を
抑制でき、その結果スパッタ膜の純度や密着性の低下を
防止することができる。
る。
との、成膜室における水分分圧の経時変化の比較図であ
る。
Claims (1)
- 【請求項1】 真空槽内に、ウェブの巻き出しおよび巻
き取りを行なう複数のロールを具備するロール室と、ス
パッタリングを行う成膜室の2室を有するロールコータ
ー式連続スパッタ装置において、前記ロール室内の巻き
出しロールからウェブが成膜室に入るまでの間に、ウェ
ブを加熱する装置およびウェブから発生する水分を吸着
する装置を配設することを特徴とするロールコーター式
連続スパッタリング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2000368924A JP4568994B2 (ja) | 2000-12-04 | 2000-12-04 | ロールコーター式連続スパッタリング装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2000368924A JP4568994B2 (ja) | 2000-12-04 | 2000-12-04 | ロールコーター式連続スパッタリング装置 |
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JP4568994B2 JP4568994B2 (ja) | 2010-10-27 |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2000
- 2000-12-04 JP JP2000368924A patent/JP4568994B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP4568994B2 (ja) | 2010-10-27 |
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