JP2002170876A - Substrate transport container - Google Patents

Substrate transport container

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JP2002170876A
JP2002170876A JP2000403875A JP2000403875A JP2002170876A JP 2002170876 A JP2002170876 A JP 2002170876A JP 2000403875 A JP2000403875 A JP 2000403875A JP 2000403875 A JP2000403875 A JP 2000403875A JP 2002170876 A JP2002170876 A JP 2002170876A
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transport container
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Akira Tanaka
亮 田中
Takashi Kishi
貴士 岸
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Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
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    • GPHYSICS
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    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate transport container which efficiently prevents a pollution to the contained substrates to be stored or transported from outer atmosphere, also which is made possible the atmosphere to be efficiently substituted in a short time by introducing a dry air or the like into the container. SOLUTION: A substrate transport container 10 comprises a container main body 12 in which substrates to be stored or transported are contained, and a door 14 which can tightly close the main body 12. A suction port 30 and air outlet 32 for communication or substitution of the air inside of the substrate transport container 10 with clean air, a duct 38 joined to the suction port 32 and extended into the container 10, and a straightening vane 40 disposed to a face directed inward of the container 10 of the duct 38 are provided for the substrate transport container 10.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、フ
ォトマスクまたはハードディスク等の被処理物を、極め
て清浄度の高い雰囲気下で保管または運搬するのに使用
して好適な基板搬送容器に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate transport container suitable for storing or transporting an object to be processed, such as a semiconductor wafer, a photomask or a hard disk, in an atmosphere having a very high degree of cleanliness.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、半導体工場において製造工程中
の半導体ウエハやフォトマスク等の基板を搬送・保管す
る時に、雰囲気空気中に存在する微量の粉塵やガス状不
純物が半導体ウエハ等の対象物へ付着すると製品歩留ま
りの低下につながり、この傾向は、集積度の増加に伴っ
て益々顕著になる。また、磁気ディスクにおいても、磁
気抵抗ヘッドの登場により、記録の高密度化が一段と加
速しており、粉塵だけでなくガス状不純物に対しての高
い清浄度が求められつつある。さらに、半導体ウエハの
コロージョン低減の観点から、基板を収納する雰囲気の
湿度を低く維持する簡便な手段も求められている。
2. Description of the Related Art For example, when a semiconductor factory or a substrate such as a photomask is transported and stored in a semiconductor factory during a manufacturing process, a minute amount of dust or gaseous impurities present in the atmospheric air is transferred to an object such as a semiconductor wafer. Adhesion leads to a decrease in product yield, and this tendency becomes more pronounced as the degree of integration increases. Also, with the advent of the magneto-resistive head, the recording density has been further accelerated with the advent of the magnetic disk, and a high cleanliness is required not only for dust but also for gaseous impurities. Further, from the viewpoint of reducing the corrosion of the semiconductor wafer, a simple means for keeping the humidity of the atmosphere in which the substrate is stored low is also required.

【0003】このような搬送・保管の場合に基板を収容
する清浄空間を作るため、モータファンと、HEPA
(high efficiency particle
air)フィルタやULPA(ultra low
penetration air)フィルタを搭載した
基板搬送容器等が開発されている。また、例えば、半導
体ウエハ周辺を局所的に清浄化する方法として、半導体
ウエハを収納した基板搬送容器内を高純度の窒素で置換
し、清浄度維持と自然酸化膜の成長を抑えるようにした
ものがある。
[0003] In order to create a clean space for accommodating a substrate in such a case of transport and storage, a motor fan and a HEPA are used.
(High efficiency particle
air) filter and ULPA (ultra low
A substrate transport container or the like equipped with a penetration air) filter has been developed. Also, for example, as a method of locally cleaning the periphery of a semiconductor wafer, a method in which the inside of a substrate transfer container containing a semiconductor wafer is replaced with high-purity nitrogen to maintain cleanness and suppress the growth of a native oxide film. There is.

【0004】しかしながら、前記HEPAフィルタやU
LPAフィルタを使用したものでは、粒子状汚染物質は
除去できるものの、微量の有機または無機ガスは除去で
きない。また、循環する空気が被処理物の清浄化に直接
寄与しない部分に大量に流れたり、基板搬送容器内で滞
留部があると、基板搬送容器内の換気効率の向上が望め
ず、清浄化された空気による被処理物の汚染防止効果が
薄れてしまう。また、窒素に置換する方法では、例えば
レジスト等を塗布した半導体ウエハ自身から発生する不
純物を除去できない等の問題がある。
However, the HEPA filter and U
With an LPA filter, particulate contaminants can be removed, but trace amounts of organic or inorganic gases cannot be removed. In addition, if a large amount of circulating air flows into a portion that does not directly contribute to the cleaning of the object to be processed, or if there is a stagnant portion in the substrate transport container, it is not possible to improve the ventilation efficiency in the substrate transport container, and the substrate is cleaned. The effect of preventing contamination of the object to be treated by the air that has been generated is reduced. Further, the method of replacing with nitrogen has a problem that impurities generated from the semiconductor wafer itself coated with a resist or the like cannot be removed.

【0005】即ち、例えば半導体ウエハの保管に当たっ
ては、半導体素子の微細化により分子状汚染物質が問題
になっている。例えば、レジスト等を塗布した半導体ウ
エハ自体からレジスト等の有機物成分が基板容器内壁に
付着すると、その部分が汚染源となり不均一な自然酸化
膜の成長や、化学増幅型レジストによるパターン不良が
顕在化するという問題がある。また、化学気相成長によ
る成膜や配線材料の多様化によって、多種多様な材料が
これらに用いられ、これらが容器内壁に付着すると、同
様に清浄環境に維持すべき半導体ウエハの汚染源とな
る。
[0005] That is, for example, in storing semiconductor wafers, molecular contaminants have become a problem due to miniaturization of semiconductor elements. For example, when an organic component such as a resist adheres to the inner wall of the substrate container from the semiconductor wafer itself coated with the resist or the like, the portion becomes a source of contamination, and the growth of a non-uniform natural oxide film and pattern defects due to the chemically amplified resist become apparent. There is a problem. In addition, a variety of materials are used for film formation by chemical vapor deposition and diversification of wiring materials. If these materials adhere to the inner wall of the container, they also become a source of contamination of semiconductor wafers to be maintained in a clean environment.

【0006】一方で、半導体素子のうち、DRAMは少
品種大量生産品であるが、今後システムLSIの占める
割合が増大するという傾向が予測され、半導体生産も多
品種少量生産に移行する傾向がある。これらの半導体ウ
エハの処理ロットは、工程間の高速搬送が要求されると
共に、次処理までの保管時間がランダムとなる傾向があ
る。このようなわけで、これらの半導体ウエハを搬送・
保管する基板搬送容器としては、上述した多様な汚染物
質が発生する半導体製造工程、及び工程間処理待ち時間
の多様化に対応して、常に清浄な環境下に半導体ウエハ
を維持することが要請されている。
On the other hand, among semiconductor elements, DRAM is a small-volume, mass-produced product, but it is predicted that the proportion of system LSI will increase in the future, and semiconductor production tends to shift to multi-variety, small-volume production. . These semiconductor wafer processing lots require high-speed transfer between processes and tend to have a random storage time until the next processing. For this reason, these semiconductor wafers are transported and
As a substrate transport container to be stored, it is required that semiconductor wafers are always maintained in a clean environment in response to diversification of semiconductor manufacturing processes in which various contaminants are generated as described above and process waiting time between processes. ing.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の課題に
鑑み、収容した保管または搬送対象基板への外部雰囲気
からの汚染を効率よく防止すると共に、乾燥気体等を容
器内に導入してその雰囲気を短時間で効率的に置換でき
るようにした基板搬送容器を提供することを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, the present invention efficiently prevents contamination of a housed storage or transfer target substrate from an external atmosphere, and introduces a dry gas or the like into a container. An object of the present invention is to provide a substrate transfer container capable of efficiently replacing an atmosphere in a short time.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
内部に保管または搬送の対象とする基板を収納する容器
本体と、該容器本体に対して密閉可能なドアとで構成さ
れる基板搬送容器において、前記基板搬送容器内を清浄
な気体で流通または置換するための給気口及び排気口
と、前記給気口に接続し前記容器内に延びるダクトと、
該ダクトの容器内方に向けた面に配置した整流板とを備
えたことを特徴とする基板搬送容器である。
According to the first aspect of the present invention,
In a substrate transport container including a container main body for storing a substrate to be stored or transported therein and a door that can be closed with respect to the container main body, the inside of the substrate transport container is circulated or replaced with a clean gas. An air supply port and an air exhaust port for performing, a duct connected to the air supply port and extending into the container,
A flow straightening plate disposed on a surface of the duct facing the inside of the container.

【0009】これにより、整流板の開口率を容器内の気
体流れが均一となるように調整することで、給気口から
整流板を備えたダクトを介して容器内に収容された多数
の半導体ウエハ等の被処理基板間に均一に清浄な気体を
供給することが出来る。従って、清浄ガスによる容器内
の置換効率が改善され、短時間で清浄な気体の置換が行
える。また、清浄な気体を流通しつつ例えば複数の半導
体ウエハを保管する場合には、多数の半導体ウエハの間
に清浄な気体が均一に流れ、これにより半導体ウエハ表
面を効率的に清浄な気体に接触させつつ保管を行うこと
が出来る。
By adjusting the aperture ratio of the current plate so that the gas flow in the container becomes uniform, a large number of semiconductors housed in the container from the air supply port via the duct provided with the current plate. A clean gas can be uniformly supplied between substrates to be processed such as wafers. Accordingly, the efficiency of replacement of the clean gas in the container is improved, and the clean gas can be replaced in a short time. In addition, when storing a plurality of semiconductor wafers while flowing a clean gas, for example, the clean gas flows uniformly between a large number of semiconductor wafers, thereby efficiently contacting the surface of the semiconductor wafer with the clean gas. It can be stored while being stored.

【0010】請求項2記載の発明は、前記給気口近傍に
粒子除去用フィルタ及びガス状不純物除去用フィルタと
を備えたことを特徴とする請求項1に記載の基板搬送容
器である。これにより、容器内に流入する清浄な気体中
に含まれる粒子状汚染物質のみならずガス状汚染物質も
除去することができる。従って、保管・搬送対象の基板
に外部から導入されるガス中に含まれる物質による汚染
を防止することが出来る。
The invention according to claim 2 is the substrate transport container according to claim 1, further comprising a filter for removing particles and a filter for removing gaseous impurities near the air supply port. Thereby, not only the particulate contaminants contained in the clean gas flowing into the container but also the gaseous contaminants can be removed. Therefore, it is possible to prevent contamination by a substance contained in the gas introduced from the outside into the substrate to be stored and transported.

【0011】請求項3記載の発明は、前記給気口と排気
口に逆流防止機構を備えたことを特徴とする請求項1に
記載の基板搬送容器である。これにより、供給口のガス
配管側のガス圧力が容器内部のガス圧力よりも高くなっ
た時のみ、清浄な気体が容器内に供給され、容器内部の
ガス圧力が排気口外側のガス圧力よりも高くなった時に
清浄な気体が容器内から排出される。従って、置換また
は流通する清浄な気体の逆流が防止される。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the substrate transfer container according to the first aspect, wherein the air supply port and the exhaust port are provided with a backflow prevention mechanism. Thus, only when the gas pressure on the gas pipe side of the supply port becomes higher than the gas pressure inside the container, a clean gas is supplied into the container, and the gas pressure inside the container is higher than the gas pressure outside the exhaust port. When the pressure rises, clean gas is discharged from the container. Therefore, the backflow of the clean gas to be replaced or circulated is prevented.

【0012】請求項4記載の発明は、内部に保管または
搬送の対象とする基板を収納する容器本体と、該容器本
体に対して密閉可能なドアとで構成される基板搬送容器
において、前記容器本体を構成する主要材料を吸水率
0.1%以下の高分子材料または不透湿材料で構成した
ことを特徴とする基板搬送容器である。これにより、清
浄な気体の容器内の置換を停止した時に、容器内壁面か
ら容器内部に拡散する湿気の量が低減し、容器内の湿度
を低く保つことができる。従って、処理対象基板の湿気
による汚染に基づく不良等を防止することが出来る。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate transport container comprising a container body for storing a substrate to be stored or transported therein, and a door which can be closed with respect to the container body. A substrate transport container characterized in that a main material constituting the main body is made of a polymer material having a water absorption of 0.1% or less or a moisture-impermeable material. Accordingly, when the replacement of the clean gas in the container is stopped, the amount of moisture diffusing from the inner wall surface of the container into the container is reduced, and the humidity in the container can be kept low. Therefore, it is possible to prevent a defect or the like due to contamination of the substrate to be processed due to moisture.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図1乃至図8を参照しながら説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0014】図1及び図2は、本発明の実施の形態の基
板搬送容器を示す。この基板搬送容器は、例えば直径が
200mm程度の半導体ウエハ(被処理基板)Wをカセ
ットに収納した状態で容器内に収容し、搬送・保管等を
行うものである。この基板搬送容器10は、底面にカセ
ットに収納した被処理基板を出し入れする開口部を有し
た角筒状の容器本体12と、その開口部を閉塞するドア
14とから構成されている。ドア14は装置16側に設
けられた基板搬出入ドア自動開閉装置18に連結され
て、容器本体10の底面の開口部を開閉可能としてい
る。
FIG. 1 and FIG. 2 show a substrate transport container according to an embodiment of the present invention. The substrate transfer container is for carrying, for example, a semiconductor wafer (substrate to be processed) W having a diameter of about 200 mm in a cassette in a state of being housed in a cassette, and carrying and storing the wafer. The substrate transport container 10 includes a rectangular cylindrical container main body 12 having an opening at the bottom for taking in and out a substrate to be processed stored in a cassette, and a door 14 for closing the opening. The door 14 is connected to an automatic opening / closing device 18 for the substrate loading / unloading door provided on the device 16 side, so that the opening on the bottom surface of the container body 10 can be opened and closed.

【0015】ドア14上にはカセット20が搭載され、
これに多数の半導体ウエハWが収納されている。ドア1
4にはラッチ機構を備え、基板搬出入ドア自動開閉装置
18によりドア14に設けられたラッチを外して昇降機
構22を下げることにより、ドア14と共にカセット2
0を容器本体12から取り出し、更にカセット20に搭
載した半導体ウエハWをカセット20から取り出すこと
ができる。そして、半導体ウエハを容器12内に収容す
る場合には、半導体ウエハWを搭載したカセット20を
ドア14に載せて、昇降機構18を上昇させてカセット
20を容器本体12内に挿入し、基板搬出入ドア自動開
閉装置18によりドア14に設けられたラッチ機構をロ
ックすることによりドア14が容器本体12に固定され
る。ドア14と容器本体12との接触部にはガスケット
等が配置され、容器10内を気密に保つことができる。
A cassette 20 is mounted on the door 14,
Many semiconductor wafers W are stored in this. Door 1
4 is provided with a latch mechanism, and a substrate loading / unloading door automatic opening / closing device 18 releases a latch provided on the door 14 and lowers the elevating mechanism 22 so that the cassette 2 together with the door 14
0 can be taken out from the container body 12 and the semiconductor wafer W mounted on the cassette 20 can be taken out from the cassette 20. When the semiconductor wafers are stored in the container 12, the cassette 20 on which the semiconductor wafers W are mounted is placed on the door 14, the elevating mechanism 18 is raised, the cassette 20 is inserted into the container body 12, and the substrate is unloaded. The door 14 is fixed to the container body 12 by locking the latch mechanism provided on the door 14 by the automatic door opening / closing device 18. A gasket or the like is arranged at a contact portion between the door 14 and the container main body 12, so that the inside of the container 10 can be kept airtight.

【0016】処理済み半導体ウエハを収容した容器10
を装置16のロードポートから切り離して搬送する場合
等には、切り離す直前に容器10内部の清浄な気体によ
る置換が行われる。この清浄な気体は、不活性ガス、乾
燥空気、または湿り空気が用いられる。このような場合
に、清浄な気体による容器内部の置換時間を削減するた
めには、高流量で且つ置換効率を上げることが重要であ
る。このため、この容器10においては清浄な気体の吹
き出し口の面積を増加させ、且つ容器内を均一に清浄な
気体が流れるような構成を有している。
A container 10 containing a processed semiconductor wafer
For example, when the container 10 is separated from the load port of the apparatus 16 and transported, the replacement with the clean gas inside the container 10 is performed immediately before the separation. As this clean gas, an inert gas, dry air, or moist air is used. In such a case, in order to reduce the replacement time of the inside of the container by the clean gas, it is important to increase the flow rate and the replacement efficiency. Therefore, the container 10 has a configuration in which the area of the outlet for the clean gas is increased and the clean gas flows uniformly in the container.

【0017】清浄ガス置換は通常、半導体製造装置に取
り付けられたドア自動開閉装置上において、ウエハを装
置に搬入する前、又は処理の終わったウエハを容器内に
収納した後に実施する。その他の時期としては、例えば
AGV(AutomatedGuided Vehic
le)等の基板搬送装置や、保管庫、保管棚といった搬
送・保管している時期に実施することもある。ドア自動
開閉装置上においてガス置換する場合は、大流量、例え
ば10〜40L/minで容器内を短時間で、高速置換
することが重要である。このため、この容器10におい
ては清浄な気体の吹き出し口の面積を増加させ、且つ容
器内を均一に清浄な気体が流れるような構成を有してい
る。一方、保管庫で保管する場合には、例えば0.5〜
5L/min程度の低流量でゆっくり置換すれば良い。
この清浄な気体は、高純度な窒素ガス、不活性ガス、乾
燥空気が用いられるが、用途によっては湿度40%RH
程度の高純度な湿り空気を用いても構わない。ガスの置
換の方法は、例えば、給気ポートにガスを連続的に注入
しながら排気ポートから連続的に排気したり、給気ポー
トから一定流量のガスを注入後一旦止めて、排気ポート
から一定流量排気する操作を繰り返したり、或いは給気
ポートはガスを流し続けて、排気ポートから間欠的に排
気する方法等がある。置換は、容器内にもともと閉じ込
められていた空気と、注入する清浄気体が効率良く混合
・置換できる方法が良い。従って、単に清浄ガスを連続
的に流し、連続的に排気するよりも、給気・排気を断続
的に繰り返したり、給気は連続にして、排気を断続的に
実施したり、給気は断続的にして、排気を連続的に実施
するような方法が良い。
The clean gas replacement is usually carried out on an automatic door opening / closing device attached to a semiconductor manufacturing apparatus, before loading a wafer into the apparatus or after storing a processed wafer in a container. As other periods, for example, AGV (Automated Guided Vehicle)
le), etc., and may be carried out at the time of transport / storage, such as a substrate transport device, a storage, or a storage shelf. When performing gas replacement on an automatic door opening and closing device, it is important to perform high-speed replacement within a container at a high flow rate, for example, 10 to 40 L / min in a short time. Therefore, the container 10 has a configuration in which the area of the outlet for the clean gas is increased, and the clean gas flows uniformly in the container. On the other hand, when storing in a storage, for example, 0.5 to
What is necessary is just to replace slowly at a low flow rate of about 5 L / min.
As this clean gas, high-purity nitrogen gas, inert gas, or dry air is used.
It is possible to use moist air of a high degree of purity. The method of replacing the gas is, for example, to continuously exhaust the gas from the exhaust port while continuously injecting the gas to the air supply port, or to temporarily stop after injecting a constant flow rate of gas from the air supply port, and to stop the gas from the exhaust port. There is a method of repeating the operation of exhausting at a flow rate, or a method of intermittently exhausting the gas from the exhaust port while keeping the gas flowing through the air supply port. The replacement is preferably performed by a method in which the air originally trapped in the container and the clean gas to be injected can be efficiently mixed and replaced. Therefore, rather than simply flowing the clean gas continuously and exhausting continuously, supply and exhaust are intermittently repeated. Thus, a method in which the exhaust is continuously performed is preferable.

【0018】図3(a)(b)(c)(d)はドアの構
造の詳細を示す。(a)はドア14の下面を示し、容器
10内を清浄な気体で流通または置換するための給気口
30及び排気口32が配置されている。更にドア14の
下面には基板搬出入ドア自動開閉装置18と係合する位
置決め穴34が設けられ、基板搬出入ドア自動開閉装置
18に立設したピンと係合することにより、ドア14を
基板搬出入ドア自動開閉装置18に対して固定する。ド
アラッチ36は、これを回転することにより、ドア14
内に設けられたラッチ機構をロックすることでドア14
を容器本体12に固定い、またアンロックすることでド
ア14を容器本体12から開放可能とする。給排気口3
0,32、位置決め穴34、ドアラッチ36等の寸法及
び配置は、Semi規格等により統一されている。
FIGS. 3A, 3B, 3C and 3D show details of the structure of the door. (A) shows the lower surface of the door 14, in which an air supply port 30 and an exhaust port 32 for circulating or replacing the inside of the container 10 with clean gas are arranged. Further, on the lower surface of the door 14, there is provided a positioning hole 34 for engaging with the substrate loading / unloading door automatic opening / closing device 18, and by engaging with a pin provided on the substrate loading / unloading door automatic opening / closing device 18, the door 14 is unloaded. It is fixed to the entrance door automatic opening / closing device 18. The door latch 36 rotates the door latch 36 to rotate the door 14.
The door 14 is locked by locking a latch mechanism provided in the door.
Is fixed to the container body 12 and the door 14 can be opened from the container body 12 by unlocking. Supply / exhaust port 3
The dimensions and arrangement of the 0, 32, positioning hole 34, door latch 36, etc. are unified according to Semi standard or the like.

【0019】ドア14には容器10内の半導体ウエハW
が配置される一番上の高さ近傍迄延在するダクト38が
配置されている。このダクト38は、その先端38aが
閉塞されていて、容器10の内方に向かう面に図4に示
す多数の開口を有する整流板40が配置されている。こ
の整流板40には、図示するように多数の開口を有し、
この開口率は給気口側が大きく、ダクト38の先端部に
向かうに従い小さくなるように構成されている。このダ
クト38及び整流板40によりドア14の底面に設けら
れた給気口30から供給される清浄な気体はダクト38
内を上昇し、先端部が閉塞されているので、気体の流れ
は90°向きを変えて整流板から吹き出させることがで
きる(図1及び図2参照)。仮に整流板40の開口率を
均一にしておくと、ダクト38の上端部が閉塞されてい
るため、ダクトの上部程供給圧力が高くなり、吹き出し
量が増える。従って、ダクト38の下部において開口率
を高くし、ダクトの上部に行くに従い開口率を低くする
ことで、ダクトの高さ方向に沿って均一な吹き出し量が
得られる。
The door 14 is provided with the semiconductor wafer W in the container 10.
A duct 38 is arranged which extends to near the top height at which is disposed. The duct 38 has a front end 38a closed, and a flow straightening plate 40 having a large number of openings shown in FIG. The current plate 40 has a number of openings as shown in FIG.
This opening ratio is configured such that the opening ratio is large on the air supply port side and becomes smaller toward the distal end portion of the duct 38. The clean gas supplied from the air supply port 30 provided on the bottom surface of the door 14 by the duct 38 and the current plate 40 is
Since the gas flow rises inside and the tip is closed, the gas flow can be turned 90 ° and blown out of the current plate (see FIGS. 1 and 2). If the opening ratio of the current plate 40 is made uniform, the upper end of the duct 38 is closed, so that the supply pressure becomes higher toward the upper part of the duct, and the blowing amount increases. Therefore, by increasing the opening ratio at the lower part of the duct 38 and decreasing the opening ratio toward the upper part of the duct, a uniform blowing amount can be obtained along the height direction of the duct.

【0020】このようなダクト38と整流板40を設け
ることにより、清浄な気体の吹き出し面積を拡大するこ
とができ、これにより通過面風速を低下させ、高流量で
且つ容器内ガスの置換効率を上げることができる。これ
により清浄な気体の容器10内部の置換時間を低減する
ことができる。
By providing such a duct 38 and a flow straightening plate 40, it is possible to increase the area for blowing clean gas, thereby reducing the wind speed at the passage surface and increasing the flow rate of gas and the efficiency of replacing gas in the container. Can be raised. Thereby, the replacement time inside the container 10 of the clean gas can be reduced.

【0021】図5は、本発明の基板搬送容器の乾燥ガス
による置換特性を示した図である。即ち、乾燥ガスによ
る置換に際して、相対湿度の変化を示したグラフであ
り、図中の黒い△印は通常のポリカーボネート容器を用
いた場合であり、流量が5L/minであり、図中の×
印は、流量が10L/minの場合である。図示するよ
うに、下限湿度までの到達時間は約15分程度かかり、
流量による差は殆どない。これに対して、白い○印は本
発明の吸水率0.1%以下の高分子材料を用いた容器で
あり、同様に乾燥ガスの流量が10L/minである場
合を示し、約5分程度で下限湿度まで到達する。このこ
とは、乾燥ガスの置換効率が高いことを示しており、乾
燥ガスをダクト38から整流板40を介して均一な流れ
を形成するように容器内に供給することで、置換効率が
改善されることを示している。
FIG. 5 is a diagram showing the replacement characteristics of the substrate transfer container of the present invention by a dry gas. That is, it is a graph showing a change in relative humidity upon replacement with a dry gas. A black triangle mark in the figure is a case where a normal polycarbonate container is used, the flow rate is 5 L / min, and a cross mark in the figure is shown.
The mark indicates the case where the flow rate is 10 L / min. As shown in the figure, it takes about 15 minutes to reach the lower limit humidity,
There is almost no difference due to the flow rate. On the other hand, a white circle indicates a container using a polymer material having a water absorption of 0.1% or less according to the present invention, and similarly shows a case where the flow rate of the dry gas is 10 L / min, and about 5 minutes. To reach the lower humidity limit. This indicates that the replacement efficiency of the drying gas is high, and the replacement efficiency is improved by supplying the drying gas from the duct 38 into the container through the flow straightening plate 40 so as to form a uniform flow. Which indicates that.

【0022】尚、この実施の形態では整流板として多数
の円形の開口を有するパンチングプレートを用いた例に
ついて示したが、異なる通気抵抗を持った不織布を張り
付け、ダクトに沿って均一な吹き出し量が得られるよう
に通気抵抗を調整するようにしてもよい。また、この実
施の形態では整流板を備えたダクトをドアに設けた例に
ついて示したが、容器本体に固定するようにしてもよ
い。
In this embodiment, an example is shown in which a punching plate having a large number of circular openings is used as a flow regulating plate. You may make it adjust ventilation resistance so that it may be obtained. Further, in this embodiment, the example in which the duct including the current plate is provided in the door is shown, but the duct may be fixed to the container body.

【0023】次に、給気口に備えた逆止弁について図5
を参照して説明する。逆止弁42は、スプリング44に
より固定部46に固定されている。固定部46と逆止弁
42の接触部にはOリングシール48が備えられてい
る。従って、逆止弁42の下流側Aの圧力が上流側Bの
圧力よりも高い時には、(a)に示すようにスプリング
44が伸張して逆止弁42が閉止状態となる。また、逆
止弁42の下流側Aの圧力が上流側Bの圧力よりも低い
時には、(b)に示すようにスプリング44が収縮して
逆止弁42が開放状態となる。
Next, a check valve provided in the air supply port will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to FIG. The check valve 42 is fixed to a fixing portion 46 by a spring 44. An O-ring seal 48 is provided at a contact portion between the fixing portion 46 and the check valve 42. Therefore, when the pressure on the downstream side A of the check valve 42 is higher than the pressure on the upstream side B, the spring 44 expands and the check valve 42 is closed as shown in FIG. When the pressure on the downstream side A of the check valve 42 is lower than the pressure on the upstream side B, the spring 44 contracts and the check valve 42 is opened as shown in FIG.

【0024】次に、図6を参照して、給気口とダクトと
の接続について説明する。給気口32には上述した逆止
弁42を備えている。フィルタ50は、ULPA濾材等
の粒子状汚染物質捕捉フィルタと、ガス状不純物捕捉フ
ィルタ54とを備えている。粒子状汚染物質捕捉フィル
タ52は、種々のフィルタが知られているが、疎水性で
且つ不純物放出がないフッ素形樹脂を用いたULPAフ
ィルタが好適である。ガス状不純物捕捉フィルタ54
は、活性炭、添着活性炭、活性炭素繊維、ゼオライト、
シリカゲル、イオン交換不織布または繊維の内これらを
単独または組み合わせて用いることができる。この実施
形態においては、活性炭54aとこれをサンドイッチ状
に挟み込むイオン交換不織布54bが用いられている。
これらのガス状不純物を捕捉するフィルタは、粒子状汚
染物質捕捉フィルタの負荷を軽減するために発塵しない
材料を用いることが好ましい。いずれのフィルタも、そ
の平均面風速を0.1m/s以下、好ましくは0.05
m/sにして、接続するガス配管やパージ配管から流入
した外気中に含まれる汚染物質を確実に捕捉することが
できることが必要である。
Next, the connection between the air supply port and the duct will be described with reference to FIG. The air supply port 32 is provided with the above-described check valve 42. The filter 50 includes a filter for trapping particulate contaminants such as ULPA filter material and a filter 54 for trapping gaseous impurities. Various filters are known as the particulate contaminant trapping filter 52, but an ULPA filter using a fluororesin that is hydrophobic and emits no impurities is preferable. Gaseous impurity trapping filter 54
Is activated carbon, impregnated activated carbon, activated carbon fiber, zeolite,
These can be used alone or in combination of silica gel, ion-exchange nonwoven fabric or fiber. In this embodiment, an activated carbon 54a and an ion-exchange nonwoven fabric 54b sandwiching the activated carbon 54a are used.
It is preferable to use a material that does not generate dust for the filter that captures these gaseous impurities in order to reduce the load on the filter for capturing particulate contaminants. Each filter has an average surface wind speed of 0.1 m / s or less, preferably 0.05 m / s or less.
m / s, it is necessary to be able to reliably capture the contaminants contained in the outside air flowing from the connected gas pipe or purge pipe.

【0025】半導体ウエハの容器内への保管時で、最も
困難なのは湿度の問題である。この実施の形態の基板搬
送容器10においては、その容器本体12とドア14と
の材料を吸水率0.1%以下の高分子材料または不透湿
材料で構成している。これらの材料はASTM(Ame
rican Society for Testing
and Materials)D570規格により定
められている。半導体ウエハ等の搬送・保管容器に使用
される一般的な材料の吸水率を述べると、PC(ポリカ
ーボネート)0.2%、PBT(ポリブチレンテレフタ
レート)0.08%、PEEK(ポリエーテルエーテル
ケトン)0.14%、PEI(ポリエーテルイミド)
0.25%、PP(ポリプロピレン)0.03%であ
る。
When storing semiconductor wafers in a container, the most difficult is the problem of humidity. In the substrate transfer container 10 of this embodiment, the material of the container body 12 and the door 14 is made of a polymer material having a water absorption of 0.1% or less or a moisture-impermeable material. These materials are ASTM (Ame
rican Society for Testing
and Materials) D570 standard. The water absorption of general materials used for transfer / storage containers for semiconductor wafers and the like is as follows: PC (polycarbonate) 0.2%, PBT (polybutylene terephthalate) 0.08%, PEEK (polyether ether ketone) 0.14%, PEI (polyetherimide)
0.25% and PP (polypropylene) 0.03%.

【0026】この容器10の構成材料として好ましいの
は、吸水率0.1%以下であり、これに該当するものと
してPE(ポリエーテルイミド)<0.01%、PP
(ポリプロピレン)0.03%、PBT(ポリブチレン
テレフタレート)0.06〜0.08%、PPS(ポリ
フェニレンスルフィド)0.02%、PTFE<0.0
1%、PC(カーボン20%添加ポリカーボネート)
0.1%、PBT(カーボン20%添加ポリブチレンテ
レフタレート)0.05%などがある。特にこの容器材
料として好ましいものは、吸水率が低く、耐薬品性が良
好であり、高温での安定性が高く、且つ成型収縮率が低
い材料が好ましく、PPS(ポリフェニレンスルフィ
ド)、カーボン添加ポリブチレンテレフタレート(PB
T)、カーボン添加ポリカーボネートが特に好ましい。
The preferred material of the container 10 is a water absorption of 0.1% or less, which corresponds to PE (polyetherimide) <0.01%, PP
(Polypropylene) 0.03%, PBT (polybutylene terephthalate) 0.06 to 0.08%, PPS (polyphenylene sulfide) 0.02%, PTFE <0.0
1%, PC (polycarbonate with 20% carbon)
0.1%, and PBT (polybutylene terephthalate with 20% carbon added) 0.05%. Particularly preferred as the container material is a material having low water absorption, good chemical resistance, high stability at high temperature, and low molding shrinkage, such as PPS (polyphenylene sulfide) and carbon-added polybutylene. Terephthalate (PB
T), carbon-added polycarbonates are particularly preferred.

【0027】また、低湿度にすると、ウエハが帯電しや
すくなるので、少なくともウエハに接するウエハ支持部
材とウエハ支持部材から容器下部に接地するドアは、カ
ーボン等を添加した導電性材料が特に好ましい。更に、
ガス状不純物捕捉素子として用いるイオン交換不織布や
活性炭は、製造直後の状態で水を吸着しているので、予
め脱水処理をして使用するのが好ましい。
Further, when the humidity is low, the wafer is easily charged. Therefore, at least the wafer supporting member in contact with the wafer and the door which is grounded from the wafer supporting member to the lower part of the container are preferably made of a conductive material to which carbon or the like is added. Furthermore,
Since the ion-exchange nonwoven fabric and the activated carbon used as the gaseous impurity trapping element adsorb water in a state immediately after the production, it is preferable to use them after dehydration treatment in advance.

【0028】容器内を乾燥ガス、即ち乾燥空気または水
分を含まない不活性ガスと置換すると、置換直後は湿度
は略0%の限界湿度まで低下する。しかしながら、この
状態で乾燥ガスの供給を停止して放置しておくと、容器
内壁面の高分子材料が保持している水分が湿度勾配によ
って容器内部に拡散する。従って、乾燥ガスにより置換
した容器内部の湿度は、時間の経過と共に増大する。図
8は、この一例を示し、乾燥ガスによる置換後に略0%
の相対湿度が従来の市販PC(ポリカーボネート)容器
を使用した場合には、数時間後には30%以上に上昇す
ることを示している。本発明の実施形態の吸水率0.0
2%のポリフェニレンスルフィド(PPS)を使用する
ことで、乾燥ガスにより置換直後の略0%の相対湿度は
数時間以上経過しても略12%程度に留まり、顕著な湿
度上昇抑制効果が確認された。これにより保管搬送時の
容器内湿度が上昇することが防止できることは明らかで
ある。尚、自然酸化膜の成長は暗所で保管することによ
り抑制効果があることが知られている。このため、容器
本体を構成する材料は、光透過性材料よりも光遮断性材
料を用いることが好ましい。
When the inside of the container is replaced with a dry gas, that is, dry air or an inert gas containing no moisture, immediately after the replacement, the humidity decreases to a limit humidity of approximately 0%. However, if the supply of the dry gas is stopped and left in this state, the moisture held by the polymer material on the inner wall surface of the container diffuses into the container due to the humidity gradient. Therefore, the humidity inside the container replaced by the dry gas increases with time. FIG. 8 shows an example of this, where approximately 0% after replacement with dry gas.
Shows that the relative humidity increases to 30% or more after several hours when a conventional commercially available PC (polycarbonate) container is used. Water absorption of the embodiment of the present invention 0.0
By using 2% polyphenylene sulfide (PPS), the relative humidity of about 0% immediately after replacement with the dry gas remains at about 12% even after several hours or more, and a remarkable effect of suppressing the increase in humidity is confirmed. Was. It is apparent that this can prevent the humidity in the container from increasing during storage and transportation. It is known that the growth of a natural oxide film has an inhibitory effect when stored in a dark place. For this reason, it is preferable to use a light-blocking material rather than a light-transmitting material as the material forming the container body.

【0029】図5は、本発明の基板搬送容器の乾燥ガス
による置換特性を示した図である。即ち、乾燥ガスによ
る置換に際して、相対湿度の変化を示したグラフであ
り、図中の黒い△印は通常のポリカーボネート容器を用
いた場合であり、流量が5L/minであり、図中の×
印は、流量が10L/minの場合である。図示するよ
うに、下限湿度までの到達時間は約15分程度かかり、
流量による差は殆どない。これに対して、白い○印は本
発明の吸水率0.1%以下の高分子材料を用いた容器で
あり、同様に乾燥ガスの流量が10L/minである場
合を示し、約5分程度で下限湿度まで到達する。このこ
とは、乾燥ガスの置換効率が高いことを示しており、乾
燥ガスをダクト38から整流板40を介して均一な流れ
を形成するように容器内に供給することで、置換効率が
改善されることを示している。
FIG. 5 is a diagram showing the replacement characteristics of the substrate transfer container of the present invention by a dry gas. That is, it is a graph showing a change in relative humidity upon replacement with a dry gas. A black triangle mark in the figure is a case where a normal polycarbonate container is used, the flow rate is 5 L / min, and a cross mark in the figure is shown.
The mark indicates the case where the flow rate is 10 L / min. As shown in the figure, it takes about 15 minutes to reach the lower limit humidity,
There is almost no difference due to the flow rate. On the other hand, a white circle indicates a container using a polymer material having a water absorption of 0.1% or less according to the present invention, and similarly shows a case where the flow rate of the dry gas is 10 L / min, and about 5 minutes. To reach the lower humidity limit. This indicates that the replacement efficiency of the drying gas is high, and the replacement efficiency is improved by supplying the drying gas from the duct 38 into the container through the flow straightening plate 40 so as to form a uniform flow. Which indicates that.

【0030】尚、上述した実施の形態においては、容器
の材料としてポリフェニレンスルフィドを用い、乾燥ガ
スをダクトを介して開口率を調整した整流板から均一に
流す例について説明したが、本発明の趣旨を逸脱するこ
となく種々の変形実施例が可能なことは勿論である。
In the above-described embodiment, an example has been described in which polyphenylene sulfide is used as the material of the container, and the drying gas is uniformly flowed from the flow straightening plate whose aperture ratio is adjusted through a duct. Of course, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

【0031】次に、本発明の第二の実施の形態を図9乃
至図14を参照しながら説明する。本発明の実施の形態
は、300mmウエハ用FOUP(Front Ope
ning Unified Pod)に適用した例であ
る。本基板搬送容器は、容器本体12と容器前面に配置
されたドア14と、位置決めピンを受けるキネマティッ
クカップリング等を持つ底板58と、容器本体内部に配
置されて、複数枚の半導体ウエハWを支えるウエハ支持
部材56と、容器本体12に取り付けられた給気ポート
30と排気ポート32及び給気ポート32の下流側に配
置されてガス吹き出し口に多孔板40を持ったダクト3
8から構成される。FOUPはSEMI規格により、ポ
ッド底部に位置決めピンや各種識別用穴などが配置され
るため、給気・排気ポートはそれらに干渉しないようド
アから見て左右の下部に配置している。本発明の第一の
実施の形態と同様に、給気・排気ポートには逆流防止弁
42とフィルタ52が内蔵されている。容器内のガス
は、ガス置換装置、ドアオープナ、搬送装置、保管庫な
どの所定の位置に着座した後、給気ポートから不活性ガ
スなどが給気されると、フィルタ54で不純物が除去さ
れ、ダクト38を通り、多孔板40からドアに向かう流
れが形成される。半導体ウエハW通過後のガスは排気ポ
ート32から排気され、容器内を効率良くガス置換でき
る。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The embodiment of the present invention relates to a FOUP (Front Open) for a 300 mm wafer.
This is an example in which the present invention is applied to a sing unified pod. The substrate transfer container includes a container body 12, a door 14 disposed on the front surface of the container, a bottom plate 58 having a kinematic coupling for receiving a positioning pin, and the like, and a plurality of semiconductor wafers W arranged inside the container body. A duct 3 having a wafer supporting member 56 for supporting, a gas supply port 30 and a gas exhaust port 32 attached to the container body 12, and a perforated plate 40 provided at a gas blow-out port on the downstream side of the gas supply port 32;
8. The FOUP is provided with positioning pins and various identification holes at the bottom of the pod in accordance with the SEMI standard. Therefore, the air supply / exhaust ports are arranged at lower left and right sides of the door so as not to interfere with them. As in the first embodiment of the present invention, a check valve 42 and a filter 52 are built in the air supply / exhaust port. After the gas in the container is seated at a predetermined position such as a gas replacement device, a door opener, a transfer device, and a storage, when an inert gas or the like is supplied from an air supply port, impurities are removed by the filter 54, A flow from the perforated plate 40 toward the door is formed through the duct 38. The gas after passing the semiconductor wafer W is exhausted from the exhaust port 32, so that the gas inside the container can be efficiently replaced.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、基
板搬送容器内を清浄な気体で流通または置換する際に、
清浄な気体をダクトを介して整流板から均一に容器内に
流すことで、容器内のガスの滞留を生じることなく効率
的な置換が行える。これにより、清浄な気体による置換
時間を短縮することができ、半導体工場等における生産
の効率化が図れる。また、清浄な気体が容器内を均一に
流れることで、容器内に保管する多数の半導体ウエハ等
に均一に新鮮な清浄ガスを供給してこれらを清浄に保つ
ことができる。また、ガス状不純物捕捉素子を備えたフ
ィルタを設けると共に逆流防止弁を備えることで、容器
内に保管する半導体ウエハ等の汚染を防止することがで
きる。更にまた、容器を構成する主要材料を、吸水率が
0.1%以下の高分子材料または不透湿材料を用いるこ
とで、容器内壁面からの湿気の拡散による相対湿度の上
昇を防止できる。
As described above, according to the present invention, when flowing or replacing the inside of the substrate transfer container with a clean gas,
By allowing the clean gas to flow uniformly from the current plate through the duct into the container, efficient replacement can be performed without causing gas to stay in the container. As a result, the replacement time with a clean gas can be reduced, and the efficiency of production in a semiconductor factory or the like can be improved. Further, since the clean gas flows uniformly in the container, fresh clean gas can be uniformly supplied to a large number of semiconductor wafers and the like stored in the container to keep them clean. In addition, by providing a filter having a gaseous impurity trapping element and a check valve, it is possible to prevent contamination of a semiconductor wafer or the like stored in a container. Furthermore, by using a polymer material or a moisture-impermeable material having a water absorption of 0.1% or less as a main material constituting the container, it is possible to prevent an increase in relative humidity due to diffusion of moisture from the inner wall surface of the container.

【0033】総じて本発明によれば、ガス状汚染物質を
除去しつつ、短時間で乾燥ガス等の置換が行え、且つ容
器内湿度が上昇しないようにした基板搬送容器が提供さ
れる。従って、多品種少量生産等の半導体デバイス等の
製造方式に用いて有用である。
In general, according to the present invention, there is provided a substrate transporting container capable of removing gaseous contaminants, replacing a dry gas or the like in a short time, and preventing the humidity in the container from increasing. Therefore, it is useful when used in a method of manufacturing a semiconductor device or the like such as a high-mix low-volume production.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態の基板搬送容器の立面図で
ある。
FIG. 1 is an elevation view of a substrate transport container according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す基板搬送容器の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the substrate transport container shown in FIG.

【図3】図1に示す基板搬送容器のドアの構造を示す、
(a)下面の平面図、(b)X矢視図、(c)上面の平
面図、(d)Y矢視図である。
FIG. 3 shows a structure of a door of the substrate transport container shown in FIG.
5A is a plan view of a lower surface, FIG. 5B is a plan view of an X arrow, FIG. 5C is a plan view of an upper surface, and FIG.

【図4】整流板の構造令を示した図である。FIG. 4 is a view showing a structure order of a current plate.

【図5】本発明の容器と従来例の容器とを対比した乾燥
ガスの供給停止後の容器内の相対湿度の上昇を示すグラ
フである。
FIG. 5 is a graph showing an increase in relative humidity in the container after the supply of the dry gas is stopped, comparing the container of the present invention with the container of the conventional example.

【図6】逆流防止弁の構造を模式的に示した図であり、
(a)は閉止状態を示し、(b)は開放状態を示す。
FIG. 6 is a diagram schematically showing the structure of a check valve;
(A) shows a closed state, (b) shows an open state.

【図7】給気口とダクトとの接続構造例を示した図であ
る。
FIG. 7 is a diagram showing an example of a connection structure between an air supply port and a duct.

【図8】本発明の容器と従来例の容器とを対比した乾燥
ガスによる容器内部の置換特性を示すグラフである。
FIG. 8 is a graph showing the replacement characteristics of the inside of the container with the dry gas, comparing the container of the present invention with the container of the conventional example.

【図9】本発明の第2の実施の形態の基板搬送容器の側
面図である。
FIG. 9 is a side view of a substrate transport container according to a second embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第2の実施の形態の基板搬送容器の
下面図である。
FIG. 10 is a bottom view of a substrate transport container according to a second embodiment of the present invention.

【図11】図9のA−A断面図である。FIG. 11 is a sectional view taken along line AA of FIG. 9;

【図12】図11のB−B断面図である。FIG. 12 is a sectional view taken along the line BB of FIG. 11;

【図13】図11のC−C断面図である。FIG. 13 is a sectional view taken along the line CC of FIG. 11;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 基板搬送容器 12 容器本体 14 ドア 20 カセット 38 ダクト 40 整流板 42 逆流防止弁 52 フィルタ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate carrying container 12 Container main body 14 Door 20 Cassette 38 Duct 40 Rectifier plate 42 Check valve 52 Filter

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3E067 AA11 AB41 AC03 BA05A BB14A BC06A CA04 CA05 FA01 FC01 GA19 3E096 AA06 BA16 BB04 CA02 CB03 DA25 DA30 DB06 DC02 EA02X FA03 FA22 GA03 5F031 CA02 CA05 CA07 DA09 EA02 EA14 EA19 EA20 NA16 PA26 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 3E067 AA11 AB41 AC03 BA05A BB14A BC06A CA04 CA05 FA01 FC01 GA19 3E096 AA06 BA16 BB04 CA02 CB03 DA25 DA30 DB06 DC02 EA02X FA03 FA22 GA03 5F031 CA02 CA05 CA07 DA09 EA02 EA14 EA14

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 内部に保管または搬送の対象とする基板
を収納する容器本体と、該容器本体に対して密閉可能な
ドアとで構成される基板搬送容器において、前記基板搬
送容器内を清浄な気体で流通または置換するための給気
口及び排気口と、前記給気口に接続し前記容器内に延び
るダクトと、該ダクトの容器内方に向けた面に配置した
整流板とを備えたことを特徴とする基板搬送容器。
1. A substrate transport container comprising a container body for storing substrates to be stored or transported therein and a door which can be closed with respect to the container body, wherein the inside of the substrate transport container is clean. An air supply port and an air exhaust port for flowing or replacing with gas, a duct connected to the air supply port and extending into the container, and a rectifying plate arranged on a surface of the duct facing the inside of the container are provided. A substrate transport container characterized by the above-mentioned.
【請求項2】 前記給気口近傍に粒子除去用フィルタ及
びガス状不純物除去用フィルタとを備えたことを特徴と
する請求項1に記載の基板搬送容器。
2. The substrate transport container according to claim 1, further comprising a filter for removing particles and a filter for removing gaseous impurities near the air supply port.
【請求項3】 前記給気口と排気口に逆流防止機構を備
えたことを特徴とする請求項1に記載の基板搬送容器。
3. The substrate transport container according to claim 1, wherein a backflow prevention mechanism is provided at the air supply port and the exhaust port.
【請求項4】 内部に保管または搬送の対象とする基板
を収納する容器本体と、該容器本体に対して密閉可能な
ドアとで構成される基板搬送容器において、前記容器本
体を構成する主要材料を吸水率0.1%以下の高分子材
料または不透湿材料で構成したことを特徴とする基板搬
送容器。
4. A main material constituting the container main body in a substrate transport container including a container main body for storing a substrate to be stored or transported therein and a door that can be closed with respect to the container main body. Characterized by comprising a polymer material having a water absorption of 0.1% or less or a moisture-impermeable material.
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