JP2002169290A - レジスト用高分子及びレジスト用樹脂組成物 - Google Patents

レジスト用高分子及びレジスト用樹脂組成物

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JP2002169290A
JP2002169290A JP2000368125A JP2000368125A JP2002169290A JP 2002169290 A JP2002169290 A JP 2002169290A JP 2000368125 A JP2000368125 A JP 2000368125A JP 2000368125 A JP2000368125 A JP 2000368125A JP 2002169290 A JP2002169290 A JP 2002169290A
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JP2000368125A
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English (en)
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Kiyoharu Tsutsumi
聖晴 堤
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Daicel Corp
Original Assignee
Daicel Chemical Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 均質性に優れ、解像度の高い微細パターンを
得ることのできるフォトレジスト用樹脂を得る。 【解決手段】 フォトレジスト用樹脂に使用する高分子
は下記式(I) 【化1】 (上式において、Raは水素原子又はメチル基を示し、
bは1以上の置換基を示し、同一又は異なって、水素
原子、メチル基、保護基を有していてもよいヒドロキシ
ル基、保護基を有していてもよいカルボキシル基、又は
オキソ基を示し、R 1は炭素数1〜8の直鎖状、分岐
状、環状炭化水素基を示す)で表される少なくとも1種
のモノマー単位を含む高分子による。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体の微細加工な
どを行う際に用いるフォトレジスト用の高分子化合物
と、この高分子化合物を含有するフォトレジスト用樹脂
組成物、及び半導体の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造工程で用いられるフォトレジ
スト用樹脂は、基板密着性を示す機能と、露光によって
光酸発生剤から発生する酸により脱離してアルカリ現像
液に対して可溶になる機能(酸脱離性機能と略す場合が
ある)が必要である。また、フォトレジスト用樹脂は、
ドライエッチング耐性をも具備している必要がある。特
に、露光工程での光源として、現在エキシマレーザーの
ArFを使用し、ギガオーダーの半導体への期待は高まっ
ている。しかし、ArFは遠紫外で193nmの波長であ
ることから、レジスト材料も紫外線領域での透明性が要
求され,新規なモノマー、特に多環脂環式骨格を有する
重合性化合物が提案されている。
【0003】重合性を持つ多環脂環式化合物として、ア
ダマンタンやトリシクロデカンなどの骨格を持ったもの
が報告されている。また、これらの骨格はエッチング耐
性が期待され有用であるが、また酸脱離性を同時に有す
るモノマーは更に有用である。例えば、酸脱離性機能を
持った重合性アダマンタン化合物として、特開平973
173の2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−メチル
アダマンタンや特開2000−98612の1−(1−
(メタ)アクリロイルオキシ−1−メチルエチル)アダ
マンタンなどがある。しかし、これらの化合物は、メタ
クリル酸などとエステル化する前の前駆体のアルコール
を、その相当するケトンやカルボン酸化合物を高価なグ
リニヤール試薬により還元せねばならない。また、その
他の重合性ある多環脂環式のアルコールはハロゲン化に
よる方法が必要で、製造する設備も耐腐食性が要求さ
れ、いずれも経済性に欠けるものである。従って、Ar
fエキシマレーザーに対応するレジスト材料の開発への
要求は強い。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、エッチング耐性とともに酸脱離性機能を備え、しか
も工業的に経済性を持った新規なフォトレジスト用高分
子化合物を提供することにある。
【0005】本発明のさらに他の目的は、微細なパター
ンを高い精度で形成できるフォトレジスト用樹脂組成
物、及び半導体の製造方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成するため鋭意検討した結果、特定構造のアダマン
タン骨格を有するモノマー単位を含むポリマーをフォト
レジスト用樹脂として用いると、透明性、アルカリ可溶
性、密着性だけでなく、エッチング耐性をも充足するこ
とを見出し、本発明を完成した。
【0007】すなわち、本発明は、下記一般式(I)
【0008】
【化4】
【0009】(上式において、Raは水素原子又はメチ
ル基を示し、Rbは1以上の置換基を示し、同一又は異
なって、水素原子、メチル基、保護基を有していてもよ
いヒドロキシル基、保護基を有していてもよいカルボキ
シル基、又はオキソ基を示し、R 1は炭素数1〜8の直
鎖状、分岐状、環状炭化水素基を示す)で表される少な
くとも1種のモノマー単位を含むフォトレジスト用高分
子化合物を提供する。
【0010】また、本発明による高分子は式(I)で表
されるモノマー単位から選択された少なくとも1種のモ
ノマー単位と、下記式(IIa)〜(IIg)
【0011】
【化5】
【0012】(上式において、Raは水素原子又はメチ
ル基を示し、R2及びR3は、同一又は異なって、炭素数
1〜8の炭化水素基を示し、R46は、同一又は異なっ
て、水素原子、ヒドロキシル基又はメチル基を示し、R
7及びR8は、同一又は異なって、水素原子、ヒドロキシ
ル基又は−COOR9を示し、R9はt−ブチル基、2−
テトラヒドロフラニル基、2−テトラヒドロピラニル基
又は2−オキセパニル基を示し、R10はメチル基又はエ
チル基を示し、R11及びR12は、同一又は異なって、水
素原子、ヒドロキシル基又はオキソ基を示し、R13は置
換基を有してもよい3級の炭化水素基を示し、R1418
は、同一又は異なって、水素原子又はメチル基を示し、
19はt−ブチル基、2−テトラヒドロフラニル基、2
−テトラヒドロピラニル基又は2−オキセパニル基を示
す。mは1〜3の整数を示し、nは0又は1を示す。)
から選択された少なくとも1種のモノマー単位とを含ん
でいてもよい。
【0013】また、本発明の高分子は式(I)で表され
るモノマー単位から選択された少なくとも1種のモノマ
ー単位と、下記式(IIIa)〜(IIIj)
【0014】
【化6】
【0015】(上式において、Raは水素原子又はメチ
ル基を示し、R20及びR21は、同一又は異なって、水素
原子、ヒドロキシル基又はカルボキシル基を示し、R22
はヒドロキシル基、オキソ基又はカルボキシル基を示
す。X13は、同一又は異なって、−CH2−又は−C
O−O−を示す。R2325は、同一又は異なって、水素
原子又はメチル基を示す。R26及びR27は、同一又は異
なって、水素原子又はメチル基を示す。R2832は、同
一又は異なって、水素原子又はメチル基を示す。R
33は、水素原子又は置換基を有してもよい炭素数1〜2
0の直鎖、分岐、環状、有橋環状炭化水素を示す。R34
37は、同一又は異なって、水素原子又はメチル基を示
す。R38は、水素原子、ヒドロキシル基、ヒドロキシメ
チル基、カルボキシル基を示す。R3956はそれぞれ水
素原子、メチル基又はエチル基を示す。o、p、q及び
rはそれぞれ0又は1を示す。)で表されるモノマー単
位から選択された少なくとも1種のモノマー単位を含む
ことも好ましい。
【0016】また、本発明の高分子は式(I)で表され
るモノマー単位から選択された少なくとも1種のモノマ
ー単位と、式(IIa)〜(IIg)から選択された少なく
とも1種のモノマー単位とを含み、さらに式(IIIa)
〜(IIIj)で表されるモノマー単位から選択された少
なくとも1種のモノマー単位を含むことも有用である。
【0017】また、本発明の高分子は、式(I)で表さ
れるモノマー単位から選択された少なくとも1種のモノ
マー単位を含み、脂環式官能基を持ったモノマー単位を
0.1〜50%含んでいてもよい。
【0018】また、本発明の高分子は、Fedorsの
方法による溶解度パラメーターの値が19.5〜24.
5(J/cm31/2の範囲であることも好ましい。
【0019】本発明は、また、上記のフォトレジスト用
高分子化合物と光酸発生剤とを少なくとも含むフォトレ
ジスト用樹脂組成物を提供する。
【0020】本発明は、さらに、上記のフォトレジスト
用樹脂組成物を基材又は基板上に塗布してレジスト塗膜
を形成し、露光及び現像を経てパターンを形成する工程
を含む半導体の製造方法を提供する。
【0021】なお、本明細書では、「アクリル」と「メ
タクリル」とを「(メタ)アクリル」、「アクリロイ
ル」と「メタクリロイル」とを「(メタ)アクリロイ
ル」と総称する場合がある。
【0022】
【発明の実施の形態】本発明のフォトレジスト用高分子
化合物は、ポリマー分子を構成する構造単位として、前
記式(I)から選択された少なくとも1種のモノマー単
位(繰り返し単位)(以下、「モノマーユニット1」と
称することがある)を含んでいる。このモノマーユニッ
ト1は、分子内にアダマンタン骨格を持ち、エッチング
耐性が期待されるうえに、酸脱離機能を有し、しかも以
降に示すように非常に合理的な方法で製造可能である。 [式(I)のモノマー単位]前記式(I)のモノマー単位
に対応するモノマーは下記式(1)
【0023】
【化7】
【0024】(上式において、Raは水素原子又はメチ
ル基を示し、Rbは1以上の置換基を示し、同一又は異
なって、水素原子、メチル基、保護基を有していてもよ
いヒドロキシル基、保護基を有していてもよいカルボキ
シル基、又はオキソ基を示し、R 1は炭素数1〜8の直
鎖状、分岐状、環状炭化水素基を示す)で表される。な
お、これらのモノマーにおいて立体異性体が存在する場
合には、それらは単独で又は混合物として使用できる。
【0025】代表的な例として下記化合物が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。 [1-1] 1−(1−(メタ)アクリロイルオキシエ
チル)アダマンタン(Ra=H又はCH3、Rb=H、R1
=メチル基) [1-2] 1−(1−(メタ)アクリロイルオキシプ
ロピル)アダマンタン(Ra=H又はCH3、Rb=H、
1=エチル基) [1-3] 1−(1−(メタ)アクリロイルオキシブ
チル)アダマンタン(Ra=H又はCH3、Rb=H、R1
=n−プロピル基) [1-4] 1−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−
2−メチルプロピル)アダマンタン(Ra=H又はC
3、Rb=H、R1=イソプロピル基。
【0026】式(1)に示したモノマーの製法について
以下に記載するが、これらに限られたものではない。W
O99/41219に示されているように、下記式
(A)
【0027】
【化8】
【0028】(式中、R60及び61は、同一又は異な
って、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール
基、シクロアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ
基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アシル
基を示し、R60及びR61は互いに結合して二重結
合、または芳香族または非芳香族性の環を形成してもよ
い。Xは酸素原子又はヒドロキシル基を示す。前記R6
0、R61、又はR60及びR61が互いに結合して形
成された二重結合又は芳香族性もしくは非芳香族性の環
には、上記式(A)中に示されるN−置換環状イミド基
が1又は2個結合していてもよい。)に示したイミド化
合物(例えばN−ヒドロキシフタルイミド)、および遷
移金属、例えばコバルトやバナジウムなどの金属又はそ
の化合物の存在下、アセチル化剤と基質とを酸素雰囲気
下で反応させ基質をアセチル化する。本発明の中間原料
である1−アセチルアダマンタンの合成ルートを下記に
示した。
【0029】
【化9】
【0030】この1−アセチルアダマンタンは、一般的
な水素添加触媒で水素還元し、1−(1−ヒドロキシエ
チル)アダマンタンを得ることができる。水素添加触媒
としてはNi、Coや白金族元素の金属、またその化合
物などが使われる。ラネーNiなどはコスト的に好まし
い。1−(1−ヒドロキシエチル)アダマンタンは(メ
タ)アクリロイル酸、または(メタ)アクリロイルエス
テルなどと触媒存在下で脱水や脱アルコールにより、1
−(1−(メタ)アクリロイルオキシエチル)アダマン
タンを合成することが可能であるし、(メタ)アクリロ
イルクロリドと脱塩酸剤の存在下、(メタ)アクリロイ
ルクロリドによりエステル化することもできる。下記に
その反応経路を示した。
【0031】
【化10】
【0032】[式(IIa)のモノマー単位]前記式(II
a)のモノマー単位に対応するモノマーは下記式(2
a)
【0033】
【化11】
【0034】(上式において、Raは水素原子又はメチ
ル基を示し、R2及びR3は、同一又は異なって、炭素数
1〜8の炭化水素基を示し、R46は、同一又は異なっ
て、水素原子、ヒドロキシル基又はメチル基を示す。)
で表される。なお、これらのモノマーにおいて立体異性
体が存在する場合には、それらは単独で又は混合物とし
て使用できる。
【0035】代表的な例として下記化合物が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。 [2-1] 1−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1−
メチルエチル)アダマンタン(Ra=H又はCH3、R2
=R3=CH3、R4=R5=R6=H) [2-2] 1−ヒドロキシ−3−(1−(メタ)アクリロ
イルオキシ−1−メチルエチル)アダマンタン(Ra
H又はCH3、R2=R3=CH3、R4=OH、R5=R6
=H) [2-3] 1−(1−エチル−1−(メタ)アクリロイル
オキシプロピル)アダマンタン(Ra=H又はCH3、R
2=R3=CH2CH3、R4=R5=R6=H) [2-4] 1−ヒドロキシ−3−(1−エチル−1−(メ
タ)アクリロイルオキシプロピル)アダマンタン(Ra
=H又はCH3、R2=R3=CH2CH3、R4=OH、R
5=R6=H) [2-5] 1−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1−
メチルプロピル)アダマンタン(Ra=H又はCH3、R
2=CH3、R3=CH2CH3、R4=R5=R6=H) [2-6] 1−ヒドロキシ−3−(1−(メタ)アクリロ
イルオキシ−1−メチルプロピル)アダマンタン(Ra
=H又はCH3、R2=CH3、R3=CH2CH3、R4
OH、R5=R6=H) [2-7] 1−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1,
2−ジメチルプロピル)アダマンタン(Ra=H又はC
3、R2=CH3、R3=CH(CH32、R4=R 5=R
6=H) [2-8] 1−ヒドロキシ−3−(1−(メタ)アクリロ
イルオキシ−1,2−ジメチルプロピル)アダマンタン
(Ra=H又はCH3、R2=CH3、R3=CH(CH3
2、R4=OH、R5=R6=H) [2-9] 1,3−ジヒドロキシ−5−(1−(メタ)ア
クリロイルオキシ−1−メチルエチル)アダマンタン
(Ra=H又はCH3、R2=R3=CH3、R4=R5=O
H、R6=H) [2-10] 1,3−ジヒドロキシ−5−(1−エチル−1
−(メタ)アクリロイルオキシプロピル)アダマンタン
(Ra=H又はCH3、R2=R3=CH2CH3、R 4=R5
=OH、R6=H) [2-11] 1,3−ジヒドロキシ−5−(1−(メタ)ア
クリロイルオキシ−1−メチルプロピル)アダマンタン
(Ra=H又はCH3、R2=CH3、R3=CH2CH3
4=R5=OH、R6=H) [2-12] 1,3−ジヒドロキシ−5−(1−(メタ)ア
クリロイルオキシ−1,2−ジメチルプロピル)アダマ
ンタン(Ra=H又はCH3、R2=CH3、R3=CH
(CH32、R4=R5=OH、R6=H)。
【0036】[式(IIb)のモノマー単位]前記式(II
b)のモノマー単位に対応するモノマーは下記式(2
b)
【0037】
【化12】
【0038】(上式において、Raは水素原子又はメチ
ル基を示し、R7及びR8は、同一又は異なって、水素原
子、ヒドロキシル基又は−COOR9を示し、R9はt−
ブチル基、2−テトラヒドロフラニル基、2−テトラヒ
ドロピラニル基又は2−オキセパニル基を示す。)で表
される。なお、これらのモノマーにおいて立体異性体が
存在する場合には、それらは単独で又は混合物として使
用できる。
【0039】代表的な例として下記化合物が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。 [2-13] 1−t−ブトキシカルボニル−3−(メタ)ア
クリロイルオキシアダマンタン(Ra=H又はCH3、R
7=R8=H、R9=t−ブチル基) [2-14] 1,3−ビス(t−ブトキシカルボニル)−5
−(メタ)アクリロイルオキシアダマンタン(Ra=H
又はCH3、R7=CO−O−C(CH33、R8=H、
9=t−ブチル基) [2-15] 1−t−ブトキシカルボニル−3−ヒドロキシ
−5−(メタ)アクリロイルオキシアダマンタン(Ra
=H又はCH3、R7=OH、R8=H、R9=t−ブチル
基) [2-16] 1−(2−テトラヒドロピラニルオキシカルボ
ニル)−3−(メタ)アクリロイルオキシアダマンタン
(Ra=H又はCH3、R7=R8=H、R9=2−テトラ
ヒドロピラニル基) [2-17] 1,3−ビス(2−テトラヒドロピラニルオキ
シカルボニル)−5−(メタ)アクリロイルオキシアダ
マンタン(Ra=H又はCH3、R7=2−テトラヒドロ
ピラニルオキシカルボニル基、R8=H、R9=2−テト
ラヒドロピラニル基) [2-18] 1−(2−テトラヒドロピラニルオキシカルボ
ニル)−3−ヒドロキシ−5−(メタ)アクリロイルオ
キシアダマンタン(Ra=H又はCH3、R7=OH、R8
=H、R9=2−テトラヒドロピラニル基)。
【0040】[式(IIc)のモノマー単位]前記式(II
c)のモノマー単位に対応するモノマーは下記式(2
c)
【0041】
【化13】
【0042】(上式において、Raは水素原子又はメチ
ル基を示し、R10はメチル基又はエチル基を示し、R11
及びR12は、同一又は異なって、水素原子、ヒドロキシ
ル基又はオキソ基を示す。)で表される。なお、これら
のモノマーにおいて立体異性体が存在する場合には、そ
れらは単独で又は混合物として使用できる。
【0043】代表的な例として下記化合物が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。 [2-19] 2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−メチル
アダマンタン(Ra=H又はCH3、R10=CH3、R11
=R12=H) [2-20] 1−ヒドロキシ−2−(メタ)アクリロイルオ
キシ−2−メチルアダマンタン(Ra=H又はCH3、R
10=CH3、R11=1−OH、R12=H) [2-21] 5−ヒドロキシ−2−(メタ)アクリロイルオ
キシ−2−メチルアダマンタン(Ra=H又はCH3、R
10=CH3、R11=5−OH、R12=H) [2-22] 1,3−ジヒドロキシ−2−(メタ)アクリロ
イルオキシ−2−メチルアダマンタン(Ra=H又はC
3、R10=CH3、R11=1−OH、R12=3−OH) [2-23] 1,5−ジヒドロキシ−2−(メタ)アクリロ
イルオキシ−2−メチルアダマンタン(Ra=H又はC
3、R10=CH3、R11=1−OH、R12=5−OH) [2-24] 1,3−ジヒドロキシ−6−(メタ)アクリロ
イルオキシ−6−メチルアダマンタン(Ra=H又はC
3、R10=CH3、R11=1−OH、R12=3−OH) [2-25] 2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−エチル
アダマンタン(Ra=H又はCH3、R10=CH2CH3
11=R12=H) [2-26] 1−ヒドロキシ−2−(メタ)アクリロイルオ
キシ−2−エチルアダマンタン(Ra=H又はCH3、R
10=CH2CH3、R11=1−OH、R12=H) [2-27] 5−ヒドロキシ−2−(メタ)アクリロイルオ
キシ−2−エチルアダマンタン(Ra=H又はCH3、R
10=CH2CH3、R11=5−OH、R12=H) [2-28] 1,3−ジヒドロキシ−2−(メタ)アクリロ
イルオキシ−2−エチルアダマンタン(Ra=H又はC
3、R10=CH2CH3、R11=1−OH、R12=3−
OH) [2-29] 1,5−ジヒドロキシ−2−(メタ)アクリロ
イルオキシ−2−エチルアダマンタン(Ra=H又はC
3、R10=CH2CH3、R11=1−OH、R12=5−
OH) [2-30] 1,3−ジヒドロキシ−6−(メタ)アクリロ
イルオキシ−6−エチルアダマンタン(Ra=H又はC
3、R10=CH2CH3、R11=1−OH、R12=3−
OH)。
【0044】[式(IId)のモノマー単位]前記式(II
d)のモノマー単位に対応するモノマーは下記式(2
d)
【0045】
【化14】
【0046】(上式において、Raは水素原子又はメチ
ル基を示し、R13は置換基を有してもよい3級の炭化水
素基を示す。)で表される。
【0047】代表的な例として下記化合物が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。 [2-31] t−ブチル(メタ)アクリレート(Ra=H又
はCH3、R13=t−ブチル基)。
【0048】[式(IIe)のモノマー単位]前記式(II
e)のモノマー単位に対応するモノマーは下記式(2
e)
【0049】
【化15】
【0050】(上式において、Raは水素原子又はメチ
ル基を示し、mは1〜3の整数を示す。)で表される。
なお、これらのモノマーにおいて立体異性体が存在する
場合には、それらは単独で又は混合物として使用でき
る。
【0051】代表的な例として下記化合物が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。 [2-32] 2−テトラヒドロピラニル(メタ)アクリレー
ト(Ra=H又はCH3、m=2) [2-33] 2−テトラヒドロフラニル(メタ)アクリレー
ト(Ra=H又はCH3、m=1)。
【0052】[式(IIf)のモノマー単位]前記式(II
f)のモノマー単位に対応するモノマーは下記式(2
f)
【0053】
【化16】
【0054】(上式において、Raは水素原子又はメチ
ル基を示し、R1418は、同一又は異なって、水素原子
又はメチル基を示す。)で表される。なお、これらのモ
ノマーにおいて立体異性体が存在する場合には、それら
は単独で又は混合物として使用できる。
【0055】代表的な例として下記化合物が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。 [2-34] β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ―ブチロ
ラクトン(Ra=H又はCH3、R14=R15=R16=R17
=R18=H) [2-35] β−(メタ)アクリロイルオキシ−α,α―ジ
メチル−γ―ブチロラクトン(Ra=H又はCH3、R14
=R15=CH3、R16=R17=R18=H) [2-36] β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ,γ―ジ
メチル−γ―ブチロラクトン(Ra=H又はCH3、R17
=R18=CH3、R14=R15=R16=H) [2-37] β−(メタ)アクリロイルオキシ−α,α,β
―トリメチル−γ―ブチロラクトン(Ra=H又はC
3、R14=R15=R16=CH3、R17=R18=H) [2-38] β−(メタ)アクリロイルオキシ−β,γ,γ
―トリメチル−γ―ブチロラクトン(Ra=H又はC
3、R16=R17=R18=CH3、R14=R15=H) [2-39] β−(メタ)アクリロイルオキシ−α,α,
β,γ,γ―ペンタメチル−γ―ブチロラクトン(Ra
=H又はCH3、R14=R15=R16=R17=R18=C
3)。
【0056】[式(IIg)のモノマー単位]前記式(II
g)のモノマー単位に対応するモノマーは下記式(2
g)
【0057】
【化17】
【0058】(上式において、Raは水素原子又はメチ
ル基を示し、R19はt−ブチル基、2−テトラヒドロフ
ラニル基、2−テトラヒドロピラニル基又は2−オキセ
パニル基を示す。nは0又は1を示す。)で表される。
なお、これらのモノマーにおいて立体異性体が存在する
場合には、それらは単独で又は混合物として使用でき
る。
【0059】代表的な例として下記化合物が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。 [2-40] 5−t−ブトキシカルボニルノルボルネン(R
19=t−ブチル基、n=0) [2-41] 9−t−ブトキシカルボニルテトラシクロ
[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン(R19
=t−ブチル基、n=1) [2-42] 5−(2−テトラヒドロピラニルオキシカルボ
ニル)ノルボルネン(R 19=t−ブチル基、n=0) [式(IIIa)のモノマー単位]前記式(IIIa)のモノ
マー単位に対応するモノマーは下記式(3a)
【0060】
【化18】
【0061】(上式において、Raは水素原子又はメチ
ル基を示し、R20及びR21は、同一又は異なって、水素
原子、ヒドロキシル基又はカルボキシル基を示し、R22
はヒドロキシル基、オキソ基又はカルボキシル基を示
す。)で表される。なお、これらのモノマーにおいて立
体異性体が存在する場合には、それらは単独で又は混合
物として使用できる。
【0062】代表的な例として下記化合物が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。 [3-1] 1−ヒドロキシ−3−(メタ)アクリロイルオ
キシアダマンタン(Ra=H又はCH3、R20=OH、R
21=R22=H) [3-2] 1,3−ジヒドロキシ−5−(メタ)アクリロ
イルオキシアダマンタン(Ra=H又はCH3、R20=R
21=OH、R22=H) [3-3] 1−カルボキシ−3−(メタ)アクリロイルオ
キシアダマンタン(Ra=H又はCH3、R20=COO
H、R21=R22=H) [3-4] 1,3−ジカルボキシ−5−(メタ)アクリロ
イルオキシアダマンタン(Ra=H又はCH3、R20=R
21=COOH、R22=H) [3-5] 1−カルボキシ−3−ヒドロキシ−5−(メ
タ)アクリロイルオキシアダマンタン(Ra=H又はC
3、R20=COOH、R21=OH、R22=H) [3-6] 1−(メタ)アクリロイルオキシ−4−オキソ
アダマンタン(Ra=H又はCH3、R20=R21=H、R
22=4−オキソ基) [3-7] 3−ヒドロキシ−1−(メタ)アクリロイルオ
キシ−4−オキソアダマンタン(Ra=H又はCH3、R
20=3−OH、R21=H、R22=4−オキソ基) [3-8] 7−ヒドロキシ−1−(メタ)アクリロイルオ
キシ−4−オキソアダマンタン(Ra=H又はCH3、R
20=7−OH、R21=H、R22=4−オキソ基)。
【0063】[式(IIIb)のモノマー単位]前記式(I
IIb)のモノマー単位に対応するモノマーは下記式(3
b)
【0064】
【化19】
【0065】(上式において、Raは水素原子又はメチ
ル基を示し、X13は、同一又は異なって、−CH2
又は−CO−O−を示す。R2325は、同一又は異なっ
て、水素原子又はメチル基を示す。)で表される。な
お、これらのモノマーにおいて立体異性体が存在する場
合には、それらは単独で又は混合物として使用できる。
【0066】代表的な例として下記化合物が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。 [3-9] 1−(メタ)アクリロイルオキシ−4−オキサ
トリシクロ[4.3.1.13,8]ウンデカン−5−オ
ン(Ra=H又はCH3、R23=R24=R25=H、X1
3=−CH2−、X2=―CO−O−(左側がR41の結
合している炭素原子側)) [3-10] 1−(メタ)アクリロイルオキシ−4,7−ジ
オキサトリシクロ[4.4.1.13,9]ドデカン−
5,8−ジオン(Ra=H又はCH3、R23=R24=R25
=H、X1=−CO−O−(左側がR23の結合している
炭素原子側)、X2=−CO−O−(左側がR24の結合
している炭素原子側)、X3=−CH2−) [3-11] 1−(メタ)アクリロイルオキシ−4,8−ジ
オキサトリシクロ[4.4.1.13,9]ドデカン−
5,7−ジオン(Ra=H又はCH3、R23=R24=R25
=H、X1=―O−CO−(左側がR23の結合している
炭素原子側)、X2=−CO−O−(左側がR24の結合
している炭素原子側)、X3=−CH2−) [3-12] 1−(メタ)アクリロイルオキシ−5,7
−ジオキサトリシクロ[4.4.1.13,9]ドデカン
−4,8−ジオン(Ra=H又はCH3、R23=R2 4=R
25=H、X1=―CO−O−(左側がR23の結合してい
る炭素原子側)、X 2=−O−CO−(左側がR24の結
合している炭素原子側)、X3=−CH2−)。
【0067】[式(IIIc)のモノマー単位]前記式(I
IIc)のモノマー単位に対応するモノマーは下記式(3
c)
【0068】
【化20】
【0069】(上式において、Raは水素原子又はメチ
ル基を示し、R26及びR27は、同一又は異なって、水素
原子又はメチル基を示す。)で表される。なお、これら
のモノマーにおいて立体異性体が存在する場合には、そ
れらは単独で又は混合物として使用できる。
【0070】代表的な例として下記化合物が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。 [3-13] 2−(メタ)アクリロイルオキシ−4−オキサ
トリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−5−オン
(Ra=H又はCH3、R26=R27=H) [3-14] 2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−メ
チル−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノ
ナン−5−オン(Ra=H又はCH3、R26=CH3、R
27=H)。
【0071】[式(IIId)のモノマー単位]前記式(I
IId)のモノマー単位に対応するモノマーは下記式(3
d)
【0072】
【化21】
【0073】(上式において、Raは水素原子又はメチ
ル基を示し、R2832は、同一又は異なって、水素原子
又はメチル基を示す。)で表される。なお、これらのモ
ノマーにおいて立体異性体が存在する場合には、それら
は単独で又は混合物として使用できる。
【0074】代表的な例として下記化合物が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。 [3-15] α−(メタ)アクリロイルオキシ−γ―ブチロ
ラクトン(Ra=H又はCH3、R28=R29=R30=R31
=R32=H) [3-16] α−(メタ)アクリロイルオキシ−α−メチル
−γ―ブチロラクトン(Ra=H又はCH3、R28=CH
3、R29=R30=R31=R32=H) [3-17] α−(メタ)アクリロイルオキシ−β,β−ジ
メチル−γ―ブチロラクトン(Ra=H又はCH3、R29
=R30=CH3、R28=R31=R32=H) [3-18] α−(メタ)アクリロイルオキシ−α,β,β
−トリメチル−γ―ブチロラクトン(Ra=H又はC
3、R28=R29=R30=CH3、R31=R32=H) [3-19] α−(メタ)アクリロイルオキシ−γ,γ−ジ
メチル−γ―ブチロラクトン(Ra=H又はCH3、R31
=R32=CH3、R28=R29=R30=H) [3-20] α−(メタ)アクリロイルオキシ−α,γ,γ
−トリメチル−γ―ブチロラクトン(Ra=H又はC
3、R28=R31=R32=CH3、R29=R30=H) [3-21] α−(メタ)アクリロイルオキシ−β,β,
γ,γ−テトラメチル−γ―ブチロラクトン(Ra=H
又はCH3、R29=R30=R31=R32=CH3、R28
H) [3-22] α−(メタ)アクリロイルオキシ−α,β,
β,γ,γ−ペンタメチル−γ―ブチロラクトン(Ra
=H又はCH3、R28=R29=R30=R31=R32=C
3)。
【0075】[式(IIIe)のモノマー単位]前記式(I
IIe)のモノマー単位に対応するモノマーは下記式(3
e)
【0076】
【化22】
【0077】(上式において、Raは水素原子又はメチ
ル基を示し、R33は、水素原子又は置換基を有してもよ
い炭素数1〜20の直鎖、分岐、環状、有橋環状炭化水
素を示す。)で表される。なお、これらのモノマーにお
いて立体異性体が存在する場合には、それらは単独で又
は混合物として使用できる。
【0078】代表的な例として下記化合物が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。 [3-23] (メタ)アクリル酸(Ra=H又はCH3、R33
=H) [3-24] (メタ)アクリル酸メチル(Ra=H又はC
3、R33=メチル基) [3-25] (メタ)アクリル酸エチル(Ra=H又はC
3、R33=エチル基) [3-26] (メタ)アクリル酸イソプロピル(Ra=H又
はCH3、R33=イソプロピル基) [3-27] (メタ)アクリル酸n−ブチル(Ra=H又は
CH3、R33=n−ブチル基) [3-28] (メタ)アクリル酸シクロヘキシル(Ra=H
又はCH3、R33=シクロヘキシル基) [3-29] (メタ)アクリル酸デカヒドロナフチル(Ra
=H又はCH3、R33=デカヒドロナフチル基) [3-29] (メタ)アクリル酸ノルボルニル(Ra=H又
はCH3、R33=ノルボルニル基) [3-30] (メタ)アクリル酸イソボルニル(Ra=H又
はCH3、R33=イソボルニル基) [3-31] (メタ)アクリル酸アダマンチル(Ra=H又
はCH3、R33=アダマンチル基) [3-32] (メタ)アクリル酸ジメチルアダマンチル(R
a=H又はCH3、R33=ジメチルアダマンチル基) [3-33] (メタ)アクリル酸トリシクロ[5.2.1.
2,6]デシル(Ra=H又はCH3、R33=トリシクロ
[5.2.1.02,6]デシル基) [3-34] (メタ)アクリル酸テトラシクロ[4.4.
0.12,5.17,10]ドデシル(Ra=H又はCH3、R
33=テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデ
シル基) R33の置換基としては、ヒドロキシル基、ヒドロキシメ
チル基、カルボキシル基、オキソ基などが挙げられる。
【0079】[式(IIIf)のモノマー単位]前記式(I
IIf)のモノマー単位に対応するモノマーは下記式(3
f)
【0080】
【化23】
【0081】で表される。 [3-35] 無水マレイン酸。
【0082】[式(IIIg)のモノマー単位]前記式(I
IIg)のモノマー単位に対応するモノマーは下記式(3
g)
【0083】
【化24】(3g)モノマー
【0084】(上式において、R3437は、同一又は異
なって、水素原子又はメチル基を示す。o、p及びqは
それぞれ0又は1を示す。)で表される。なお、これら
のモノマーにおいて立体異性体が存在する場合には、そ
れらは単独で又は混合物として使用できる。
【0085】代表的な例として下記化合物が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。 [3-36] 4−オキサトリシクロ[35.1.02,6]デ
カン−8−エン−5−オン(R36=R37=H、o=p=
0、q=1) [3-37] 3−オキサトリシクロ[35.1.02,6]デ
カン−8−エン−4−オン(R34=R35=H、o=q=
0、p=1) [3-38] 5−オキサトリシクロ[6.2.1.02,7
ウンデカン−9−エン−6−オン(R36=R37=H、o
=p=0、q=2) [3-39] 4−オキサトリシクロ[6.2.1.02,7
ウンデカン−9−エン−5−オン(R34=R35=R36
37=H、o=0、p=q=1) [3-40] 4−オキサペンタシクロ[6.34.19,12
2,6.08,13]ペンタデカン−10−エン−5−オン
(R36=R37=H、o=1、p=0、q=1) [3-41] 3−オキサペンタシクロ[6.34.19,12
2,6.08,13]ペンタデカン−10−エン−4−オン
(R34=R35=H、o=1、p=1、q=0) [3-42] 5−オキサペンタシクロ[6.6.1.1
10,13.02,7.09,14]ヘキサデカン−11−エン−6
−オン(R36=R37=H、o=1、p=0、q=2) [3-43] 4−オキサペンタシクロ[6.6.1.1
10,13.02,7.09,14]ヘキサデカン−11−エン−5
−オン(R34=R35=R36=R37=H、o=1、p=q
=1)。
【0086】[式(IIIh)のモノマー単位]前記式(I
IIh)のモノマー単位に対応するモノマーは下記式(3
h)
【0087】
【化25】
【0088】(上式において、R38は、水素原子、ヒド
ロキシル基、ヒドロキシメチル基、カルボキシル基を示
す。rは0又は1を示す。)で表される。なお、これら
のモノマーにおいて立体異性体が存在する場合には、そ
れらは単独で又は混合物として使用できる。
【0089】代表的な例として下記化合物が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。 [3-44] ノルボルネン(R38=H、r=0) [3-45] 5−ヒドロキシ−2−ノルボルネン(R38=O
H、r=0)。
【0090】[式(IIIi)のモノマー単位]前記式(I
IIi)のモノマー単位に対応するモノマーは下記式(3
i)
【0091】
【化26】
【0092】(上式において、Raは水素原子又はメチ
ル基を示し、R3947はそれぞれ水素原子、メチル基又
はエチル基を示す)で表される。なお、これらのモノマ
ーにおいて立体異性体が存在する場合には、それらは単
独で又は混合物として使用できる。
【0093】代表的な例として下記化合物が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。 [3-46] 4−(メタ)アクリロイルオキシ−6−オキサ
ビシクロ[3.2.1]オクタン−7−オン(Ra=H
又はCH3、R39=R40=R41=R42=R43=R44=R
45=R46=R47=H) [3-47] 4−(メタ)アクリロイルオキシ−4−メチル
−6−オキサビシクロ[3.2.1]オクタン−7−オ
ン(Ra=H又はCH3、R39=R40=R42=R43=R44
=R45=R46=R47=H、R41=CH3) [3-48] 4−(メタ)アクリロイルオキシ−5−メチル
−6−オキサビシクロ[3.2.1]オクタン−7−オ
ン(Ra=H又はCH3、R39=R40=R41=R43=R44
=R45=R46=R47=H、R42=CH3) [3-49] 4−(メタ)アクリロイルオキシ−4,5−ジ
メチル−6−オキサビシクロ[3.2.1]オクタン−
7−オン(Ra=H又はCH3、R39=R40=R43=R44
=R45=R46=R47=H、R41=R42=CH3)。
【0094】[式(IIIj)のモノマー単位]前記式(I
IIj)のモノマー単位に対応するモノマーは下記式(3
j)
【0095】
【化27】
【0096】(上式において、Raは水素原子又はメチ
ル基を示し、R4856はそれぞれ水素原子、メチル基又
はエチル基を示す)で表される。なお、これらのモノマ
ーにおいて立体異性体が存在する場合には、それらは単
独で又は混合物として使用できる。
【0097】代表的な例として下記化合物が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。 [3-50] 6−(メタ)アクリロイルオキシ−2−オキサ
ビシクロ[2.2.2]オクタン−3−オン(Ra=H
又はCH3、R48=R49=R50=R51=R52=R53=R
54=R55=R56=H) [3-51] 6−(メタ)アクリロイルオキシ−6−メチル
−2−オキサビシクロ[2.2.2]オクタン−3−オ
ン(Ra=H又はCH3、R48=R49=R50=R52=R53
=R54=R55=R56=H、R51=CH3) [3-52] 6−(メタ)アクリロイルオキシ−1−メチル
−2−オキサビシクロ[2.2.2]オクタン−3−オ
ン(Ra=H又はCH3、R48=R49=R51=R52=R53
=R54=R55=R56=H、R50=CH3) [3-53] 6−(メタ)アクリロイルオキシ−1,6
−ジメチル−2−オキサビシクロ[2.2.2]オクタ
ン−3−オン(Ra=H又はCH3、R48=R49=R52
53=R54=R55=R56=H、R50=R51=CH3) 本発明のフォトレジスト用樹脂組成物は、前記本発明の
フォトレジスト用高分子化合物と光酸発生剤とを含んで
いる。
【0098】光酸発生剤としては、露光により効率よく
酸を生成する慣用乃至公知の化合物、例えば、ジアゾニ
ウム塩、ヨードニウム塩(例えば、ジフェニルヨードヘ
キサフルオロホスフェートなど)、スルホニウム塩(例
えば、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチ
モネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホ
スフェート、トリフェニルスルホニウムメタンスルホネ
ートなど)、スルホン酸エステル[例えば、1−フェニ
ル−1−(4−メチルフェニル)スルホニルオキシ−1
−ベンゾイルメタン、1,2,3−トリスルホニルオキ
シメチルベンゼン、1,3−ジニトロ−2−(4−フェ
ニルスルホニルオキシメチル)ベンゼン、1−フェニル
−1−(4−メチルフェニルスルホニルオキシメチル)
−1−ヒドロキシ−1−ベンゾイルメタンなど]、オキ
サチアゾール誘導体、s−トリアジン誘導体、ジスルホ
ン誘導体(ジフェニルジスルホンなど)、イミド化合
物、オキシムスルホネート、ジアゾナフトキノン、ベン
ゾイントシレートなどを使用できる。これらの光酸発生
剤は単独で又は2種以上組み合わせて使用できる。
【0099】光酸発生剤の使用量は、光照射により生成
する酸の強度や前記高分子化合物における各モノマー単
位の比率などに応じて適宜選択でき、例えば、前記高分
子化合物100重量部に対して0.1〜30重量部、好
ましくは1〜25重量部、さらに好ましくは2〜20重
量部程度の範囲から選択できる。
【0100】フォトレジスト用樹脂組成物は、アルカリ
可溶性樹脂(例えば、ノボラック樹脂、フェノール樹
脂、イミド樹脂、カルボキシル基含有樹脂など)などの
アルカリ可溶成分、着色剤(例えば、染料など)、有機
溶媒(例えば、炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類、ア
ルコール類、エステル類、アミド類、ケトン類、エーテ
ル類、セロソルブ類、カルビトール類、グリコールエー
テルエステル類、これらの混合溶媒など)などを含んで
いてもよい。
【0101】このフォトレジスト用樹脂組成物を基材又
は基板上に塗布し、乾燥した後、所定のマスクを介し
て、塗膜(レジスト膜)に光線を露光して(又は、さら
に露光後ベークを行い)潜像パターンを形成し、次いで
現像することにより、微細なパターンを高い精度で形成
できる。
【0102】基材又は基板としては、シリコンウエハ、
金属、プラスチック、ガラス、セラミックなどが挙げら
れる。フォトレジスト用樹脂組成物の塗布は、スピンコ
ータ、ディップコータ、ローラコータなどの慣用の塗布
手段を用いて行うことができる。塗膜の厚みは、例えば
0.1〜20μm、好ましくは0.3〜2μm程度であ
る。
【0103】露光には、種々の波長の光線、例えば、紫
外線、X線などが利用でき、半導体レジスト用では、通
常、g線、i線、エキシマレーザー(例えば、XeC
l、KrF、KrCl、ArF、ArClなど)などが
使用される。露光エネルギーは、例えば1〜1000m
J/cm2、好ましくは10〜500mJ/cm2程度で
ある。
【0104】光照射により光酸発生剤から酸が生成し、
この酸により、例えば前記高分子化合物のアルカリ可溶
性ユニットのカルボキシル基等の保護基(脱離性基)が
速やかに脱離して、可溶化に寄与するカルボキシル基等
が生成する。そのため、水又はアルカリ現像液による現
像により、所定のパターンを精度よく形成できる。
【0105】
【発明の効果】本発明によれば、ポリマーが特定構造の
アダマンタン骨格を有するモノマー単位を含んでいるの
で、優れた透明性、アルカリ可溶性等の機能を具備しつ
つ、高いエッチング耐性が期待できる。
【0106】
【実施例】以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細
に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定
されるものではない。
【0107】合成例1(1−(1−(メタ)アクリロイ
ルオキシエチル)アダマンタンの合成) 1−アセチルアダマンタン(ALDRICH試薬)1
7.8g(0.1モル)、メタノール200ml、ラネ
ーNi(水素添加用触媒)2gの混合物をオートクレー
ブに仕込み、温度80℃、水素圧力10atmで撹拌
し、水素の吸収がなくなるまで反応した。室温に冷却
後、内容物はろ過し、ろ液はロータリーエバポレーター
で、溶媒のメタノールを留去後、減圧にしてフラスコを
加熱すると生成した1−(1−ヒドロキシエチル)アダ
マンタン15.0g(0.083モル)が留出した。得
られた1−(1−ヒドロキシエチル)アダマンタン1
5.0g(0.083モル)をテトレヒドロフラン10
0ml及びトリエチルアミン15.2g(0.15モ
ル)の混合物を、還流器と滴下ロートを備えたフラスコ
にいれ、撹拌しながら室温でメタクリルクロリド10.
5g(0.1モル)を約30分かけて滴下した。滴下終
了後、室温でさらに6時間撹拌を続けた。反応混合液を
ガスクロマトグラフィーで分析したところ、1−(1−
(メタ)アクリロイルオキシエチル)アダマンタンが1
8.5g(0.075モル)存在していた。1−アセチ
ルアダマンタン基準の収率で75%であった。反応混合
液に水を添加した後、濃縮し、濃縮した液をカラムクロ
マトグラフィーにて生成物を分離した。
【0108】実施例1 下記構造の高分子化合物の合成
【0109】
【化28】
【0110】還流管、攪拌子、3方コックを備えた10
0ml丸底フラスコにモノマー[1−1](メタクリレ
ート)2.07g(8.3mmol)、モノマー[2−
1](メタクリレート)8.4g(15.8mmo
l)、モノマー[3−1](メタクリレート)2.96
g(12.5mmol)、モノマー[3−13](メタ
クリレート)2.78g(12.5mmol)、および
開始剤(和光純薬工業製V−65)1.00gを入れ、
テトラヒドロフラン40gに溶解させた。続いて、フラ
スコ内を乾燥窒素置換した後、反応系の温度を60℃に
保ち、窒素雰囲気下、6時間攪拌した。反応液をヘキサ
ンと酢酸エチルの9:1混合液500mlに落とし、生
じた沈澱物を濾別することで精製を行った。回収した沈
澱を減圧乾燥後、再度テトラヒドロフラン40gに溶解
させ、上述の沈澱精製操作を繰り返すことにより、所望
の樹脂6.88gを得た。回収したポリマーをGPC分
析したところ、重量平均分子量が6000、分子量分布
が1.98であった。1H−NMR(DMSO−d6
中)分析では、1.5−2.5ppm(ブロード)のほ
か、3.1ppm、4.6ppm、4.7ppm付近に
強いシグナルが観測された。実施例2 下記構造の高分子化合物の合成
【0111】
【化29】
【0112】還流管、攪拌子、3方コックを備えた10
0ml丸底フラスコにモノマー[1−1](メタクリレ
ート)2.18g(8.8mmol)、モノマー[2−
1](メタクリレート)3.46g(13.2mmo
l)、モノマー[3−20](メタクリレート)4.3
6g22.0mmol)、および開始剤(和光純薬工業
製V−65)1.00gを入れ、テトラヒドロフラン4
0gに溶解させた。続いて、フラスコ内を乾燥窒素置換
した後、反応系の温度を60℃に保ち、窒素雰囲気下、
6時間攪拌した。反応液をヘキサンと酢酸エチルの9:
1混合液500mlに落とし、生じた沈澱物を濾別する
ことで精製を行った。回収した沈澱を減圧乾燥後、再度
テトラヒドロフラン40gに溶解させ、上述の沈澱精製
操作を繰り返すことにより、所望の樹脂7.27gを得
た。回収したポリマーをGPC分析したところ、重量平
均分子量が6600、分子量分布が2.05であった。
1H−NMR(DMSO−d6中)分析では、1.5−
2.5ppm(ブロード)のほか、4.1ppm、5.
5ppmに強いシグナルが観測された。
【0113】試験例 実施例で得られたポリマー100重量部とトリフェニル
スルホニウムヘキサフルオロアンチモネート10重量部
とを溶媒である乳酸エチルと混合し、ポリマー濃度17
重量%のフォトレジスト用樹脂組成物を調製した。この
フォトレジスト用樹脂組成物をシリコンウエハーにスピ
ンコーティング法により塗布し、厚み1.0μmの感光
層を形成した。ホットプレート上で温度100℃で15
0秒間プリベークした後、波長247nmのKrFエキ
シマレーザーを用い、マスクを介して、照射量30mJ
/cm2で露光した後、100℃の温度で60秒間ポス
トベークした。次いで、0.3Mのテトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド水溶液により60秒間現像し、純水
でリンスしたところ、何れの場合も、0.30μmのラ
イン・アンド・スペースパターンが得られた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C08L 101/02 C08L 101/02 H01L 21/027 H01L 21/30 502R Fターム(参考) 2H025 AA02 AA09 AB16 AC04 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CB08 CB10 CB14 CB41 CB51 FA17 4J002 AA051 BG021 BH021 BK001 EB006 EE036 EE056 EQ016 EU026 EU186 EV216 EV246 EV296 EV326 FD206 GP03 4J100 AJ02R AK32R AL03Q AL03R AL08P AL08Q AL08R AR09Q AR11Q AR11R BA03Q BA03R BA11Q BA11R BA16R BA20Q BC04R BC08R BC09P BC09Q BC09R BC12R BC53Q BC53R CA05 CA06 JA38

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式(I) 【化1】 (上式において、Raは水素原子又はメチル基を示し、
    bは1以上の置換基を示し、同一又は異なって、水素
    原子、メチル基、保護基を有していてもよいヒドロキシ
    ル基、保護基を有していてもよいカルボキシル基、又は
    オキソ基を示し、R 1は炭素数1〜8の直鎖状、分岐
    状、環状炭化水素基を示す)で表される少なくとも1種
    のモノマー単位を含むフォトレジスト用高分子化合物。
  2. 【請求項2】 式(I)で表されるモノマー単位から選
    択された少なくとも1種のモノマー単位と、下記式(II
    a)〜(IIg) 【化2】 (上式において、Raは水素原子又はメチル基を示し、
    2及びR3は、同一又は異なって、炭素数1〜8の炭化
    水素基を示し、R46は、同一又は異なって、水素原
    子、ヒドロキシル基又はメチル基を示し、R7及びR
    8は、同一又は異なって、水素原子、ヒドロキシル基又
    は−COOR9を示し、R9はt−ブチル基、2−テトラ
    ヒドロフラニル基、2−テトラヒドロピラニル基又は2
    −オキセパニル基を示し、R10はメチル基又はエチル基
    を示し、R11及びR12は、同一又は異なって、水素原
    子、ヒドロキシル基又はオキソ基を示し、R13は置換基
    を有してもよい3級の炭化水素基を示し、R1418は、
    同一又は異なって、水素原子又はメチル基を示し、R19
    はt−ブチル基、2−テトラヒドロフラニル基、2−テ
    トラヒドロピラニル基又は2−オキセパニル基を示す。
    mは1〜3の整数を示し、nは0又は1を示す。)から
    選択された少なくとも1種のモノマー単位とを含む請求
    項1に記載のフォトレジスト用高分子化合物。
  3. 【請求項3】 上記一般式(I)で表されるモノマー単
    位から選択された少なくとも1種のモノマー単位と、下
    記式(IIIa)〜(IIIj) 【化3】 (上式において、Raは水素原子又はメチル基を示し、
    20及びR21は、同一又は異なって、水素原子、ヒドロ
    キシル基又はカルボキシル基を示し、R22はヒドロキシ
    ル基、オキソ基又はカルボキシル基を示す。X13は、
    同一又は異なって、−CH2−又は−CO−O−を示
    す。R2325は、同一又は異なって、水素原子又はメチ
    ル基を示す。R26及びR27は、同一又は異なって、水素
    原子又はメチル基を示す。R2832は、同一又は異なっ
    て、水素原子又はメチル基を示す。R 33は、水素原子又
    は置換基を有してもよい炭素数1〜20の直鎖、分岐、
    環状、有橋環状炭化水素を示す。R3437は、同一又は
    異なって、水素原子又はメチル基を示す。R38は、水素
    原子、ヒドロキシル基、ヒドロキシメチル基、カルボキ
    シル基を示す。R3956はそれぞれ水素原子、メチル基
    又はエチル基を示す。o、p、q及びrはそれぞれ0又
    は1を示す。)で表されるモノマー単位から選択された
    少なくとも1種のモノマー単位を含む請求項1に記載の
    フォトレジスト用高分子化合物。
  4. 【請求項4】 式(I)で表されるモノマー単位から選
    択された少なくとも1種のモノマー単位と、式(IIa)
    〜(IIg)から選択された少なくとも1種のモノマー単
    位とを含み、さらに式(IIIa)〜(IIIj)で表される
    モノマー単位から選択された少なくとも1種のモノマー
    単位を含む、請求項1に記載のフォトレジスト用高分子
    化合物。
  5. 【請求項5】 式(I)で表されるモノマー単位から選
    択された少なくとも1種のモノマー単位を含み、脂環式
    官能基を持ったモノマー単位を0.1〜50%含む、請
    求項1に記載のフォトレジスト用高分子化合物。
  6. 【請求項6】 Fedorsの方法による溶解度パラメ
    ーターの値が19.5〜24.5(J/cm31/2の範
    囲である請求項1〜5に記載のフォトレジスト用高分子
    化合物。
  7. 【請求項7】 請求項1〜6の何れかの項に記載のフォ
    トレジスト用高分子化合物と光酸発生剤とを少なくとも
    含むフォトレジスト用樹脂組成物。
  8. 【請求項8】 請求項7記載のフォトレジスト用樹脂組
    成物を基材又は基板上に塗布してレジスト塗膜を形成
    し、露光及び現像を経てパターンを形成する工程を含む
    半導体の製造方法。
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